JP2003506862A - 導電性ポリマー組成物 - Google Patents
導電性ポリマー組成物Info
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Abstract
Description
ー組成物に関する。前記組成物はPTCデバイス(またはPTC素子)に用いる
ことができる。
性ポリマー(または導電性)組成物は、回路保護デバイス(または回路保護素子
もしくは回路保護)等の電気デバイス(または電気素子もしくは電気装置)に使
用するものとしてよく知られている。かかる組成物は、ポリマー成分およびその
中に分散したカーボン・ブラックまたは金属等の粒状伝導性(または導電性)フ
ィラーを含んで成る。組成物中のフィラーの量およびタイプ(または種類)は、
ポリマー成分の性質並びに各用途が必要とする抵抗率(または抵抗値)によって
決定される。回路保護デバイスに使用する適当な組成物は、室温での低い抵抗率
(例えば、100オーム−cmより低い抵抗率)を有しており、一般的に比較的
多量の伝導性フィラーを有して成る。
答する回路保護デバイスに使用するのが望ましい。通常の条件下、低温では回路
保護デバイスは、電気回路で負荷と直列で低い抵抗状態のままである。しかしな
がら、過電流または過温度(または過熱)条件に暴露されると、デバイスは抵抗
が増加し、回路の負荷への電流を有効に遮断する。多くの用途では、通常の作動
(または運転)中で電気回路の抵抗への影響を最小にするために、デバイスがで
きる限り低い抵抗を有していることが望ましい。例えば電極間の距離を極めて狭
くすること、またはデバイス面積を極めて大きくすること等、ディメンジョン(
または寸法)を変えることにより、低い抵抗のデバイスを作ることができるが、
回路基板上でより小さいスペース(または空間)を占め、一般的に望ましい熱特
性を有するという理由から小さいデバイスが好ましい。小さいデバイスを達成す
る最も一般的な技術は、低い抵抗率を有する組成物を用いることである。
マー組成物の抵抗率を下げることができるが、この方法は、例えば粘度が増加す
ることにより、組成物の加工性に影響し得る。更に、伝導性フィラーを加えるこ
とは、一般的にPTC変態(または大きい抵抗変化、PTC anomaly)
の度合い(即ち、一般的に比較的小さい温度範囲において、温度の増加に応じた
組成物の抵抗率の増加度合い)を減少させる。必要とされるPTC変態は、加え
られる電圧および用途によって決定される。
報)においては、カーボン・ブラックを導電性粒子として用いた場合、1オーム
−cm以下の体積抵抗率および良好なPTC変態を有する導電性材料を達成する
ことが困難であるので、金属粒子および金属被覆粒子を導電性粒子として用いる
ことが開示されている。
いては、絶縁性のマトリックス中に分散した導電性粒子を含んで成る温度センサ
ーが開示されている。絶縁性のマトリックスは、炭化水素ワックスに添加された
アルミニウム石けんを含んで成る。しかしながら、この温度センサーは十分なP
TC挙動を示さない。
報)においては、熱可塑性ポリマーのマトリックス、低分子量の有機化合物、お
よび導電性粒子を含んで成る導電性組成物を有する有機質系のPTCサーミスタ
が開示されている。この公報では、炭化水素、脂肪酸、脂肪酸エステル、脂肪酸
アミド、脂肪族アミンおよび高級アルコールを低分子量有機化合物として用いる
ことが開示されているが、ポリマーを低分子量有機化合物として用いることが開
示されていない。導電性組成物は、不十分な加工性を有しており、良好なPTC
変態を有していない。
のマトリックスに加えることにより、低い体積抵抗率を有する導電性組成物を得
ていた。しかしながら、十分なPTC変態を有する導電性組成物は得られていな
い。
なPTC変態を呈する導電性組成物を提供することである。
)を呈し、 (1)(i)少なくとも50000の重量平均分子量を有する少なくとも50体
積%の第1結晶性ポリマー、および (ii)10000以下の重量平均分子量を有する50体積%以下の第2
結晶性ポリマー を含んで成るポリマー混合物、および (2)ポリマー混合物中に分散した粒状導電性フィラー を含んで成る、導電性ポリマー組成物を提供する。
たは平らな)PTC素子)、および (B)PTC素子に電流を流す、電源に接続できる2つの電極 を有して成る、PTCデバイスを提供する。
マー、ならびに粒状導電性フィラーを含んで成るポリマー混合物を含んで成り、
電気抵抗挙動について正の温度係数(PTC)を呈する。
る。好ましくは、ポリマー混合物の量は、導電性ポリマー組成物の全体積基準で
20〜90体積%であり、より好ましくは20〜70体積%、特に30〜70体
積%である。
1結晶性ポリマーの重量平均分子量の下限は50000、好ましくは10000
0である。第1結晶性ポリマーの重量平均分子量の上限は、一般的に10000
000、例えば3000000、好ましくは1000000、より好ましくは6
00000である。
てよく、好ましくは少なくとも20%であってよく、より好ましくは少なくとも
30%であってよく、特に少なくとも40%であってよく、例えば50〜98%
であってよい。
性ポリマーは、例えばエチレンのホモポリマーまたはコポリマー等の、オレフィ
ンまたはオレフィン誘導体から選択される少なくとも1つのモノマーを有して成
る(または原料とする)ポリマーである。第1結晶性ポリマーの適当な例には、
高密度のポリエチレン等の1種またはそれ以上のオレフィンのポリマー;エチレ
ン/アクリル酸、エチレン/エチルアクリレート、エチレン/ビニルアセテート
、およびエチレン/ブチルアクリレートコポリマー等の、少なくとも1種のオレ
フィンとそれと共重合できる少なくとも1種のモノマーとのコポリマー;ポリ弗
化ビニリデンおよびエチレン/テトラフルオロエチレンコポリマー等の溶融成形
可能フルオロポリマー;そのようなポリマーの2種またはそれ以上のブレンドが
含まれる。
ば少なくとも60体積%、特に少なくとも70体積%、より特に少なくとも80
体積%である。
は、第2結晶性ポリマーの重量平均分子量の下限は500であり、好ましくは8
00、より好ましくは1000、特に2000である。第2結晶性ポリマーの重
量平均分子量の上限は10000であり、好ましくは9000、より好ましくは
8000である。
り好ましくは90℃、最も好ましくは100℃、例えば105℃、特に110℃
、より特に115℃、一層特に120℃、最も特に125℃である。好ましくは
、第2結晶性ポリマーの融点(Tm2)の上限は200℃であり、より好ましく
は180℃、特に140℃である。
少なくとも50%であってよい。第2結晶性ポリマーの結晶度の下限は60%で
あってよく、特に70%であってよく、より特に80%であってよい。その上限
には制限がないが、98%であってよく、特に95%であってよく、より特に9
2%であってよい。
少なくとも1つの反復単位を有する。第2結晶性ポリマーは、オレフィンまたは
オレフィン誘導体から選択される少なくとも1種のモノマーを重合することによ
って合成できる。好ましくは、第2結晶性ポリマーは、エチレンもしくはプロピ
レン等のオレフィンのホモポリマーまたはコポリマー(例えば、ポリエチレン、
ポリプロピレンまたはエチレン/エチルアクリレートコポリマー)である。
%、特に30体積%、より特に20体積%である。第2ポリマー量の下限は、2
体積%であってよく、特に5体積%であってよく、より特に10体積%であって
よい。
とも40%であってよく、例えば少なくとも60%であってよく、特に少なくと
も70%であってよく、より特に少なくとも80%であってよい。
、50℃以下であり、より好ましくは30℃以下、特に20℃以下である。
レンによる)ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)により測定する。
リマー混合物)の結晶度をDSC(示差走査熱量法)により測定する。例えば、
結晶度の数値が低い場合等、DSCにより結晶度を測定できない場合、別の方法
、例えばX線回折法により結晶度を測定することができる。
いる。
ーには、カーボン・ブラック、グラファイト(または黒鉛)、他の炭素質材料、
金属、金属酸化物、導電性セラミック、導電性ポリマー、およびそれらの組合せ
が含まれる。炭素質材料の例として、カーボン・ブラック、グラファイト、ガラ
ス状炭素および炭素ビーズがある。金属の例として、金、銀、銅、ニッケル、ア
ルミニウム、およびそれらの合金がある。金属酸化物の例として、ITO(イン
ジウム−スズ酸化物)、リチウム−マンガン複合酸化物、五酸化バナジウム、酸
化スズ、およびチタン酸カリウムがある。導電性セラミックの例として、カーバ
イド(例えば、炭化タングステン、炭化チタンおよびそれらの複合体(または錯
体化合物))、硼酸チタン(titanium borate)、チタン窒化物
がある。導電性ポリマーの例として、ポリアセチレン、ポリピレン、ポリアニリ
ン、ポリフェニレン、およびポリアセンがある。
物の全体積基準で10〜80体積%であり、より好ましくは30〜80体積%、
特に30〜70体積%である。
)、非伝導性(非導電性)フィラー、放射線架橋剤(しばしばプロラド(pro
rad)または架橋促進剤と呼ばれ、例えばトリアリルイソシアヌレートがある
)等の架橋剤、安定剤、分散助剤、カップリング剤、酸掃去剤(例えば、CaC
O3)、難燃剤(または難燃性付与剤)、アーク抑制剤、着色剤、または他のポ
リマー等の付加的な成分を含んで成ってよい。一般的に、これらの成分は、組成
物の全体積の20体積%以下、例えば10体積%以下を占めている。
対する導電性ポリマー組成物の融点における(即ち、第1結晶性ポリマーの融点
(Tm1)における)体積抵抗率(ρm)の比(ρm/ρ20)は、少なくとも
50、例えば少なくとも100、特に少なくとも300、より特に少なくとも1
000である。
般的に100オーム−cm以下、例えば10オーム−cm以下、特に1オーム−
cm以下、より特に0.5オーム−cm以下、一層特に0.25オーム−cm以
下、最も特に0.15オーム−cm以下である。組成物の体積抵抗率(ρ20)
は用途に依存し、また、どのタイプの電気デバイスを必要とするかに依存する。
組成物を回路保護デバイスとして用いる場合が好ましいのであるが、その場合に
は、組成物はより低い抵抗率を有している。
。
装置に仕込み、高温で混練し、溶融混合物(即ち、導電性ポリマー組成物)を得
る。混練温度は、第1結晶性ポリマーおよび第2結晶性ポリマーの融点より高い
温度であり、一般的に120〜250℃である。混合装置は、シングル・スクリ
ュー・エクストルーダーもしくはツイン・スクリュー・エクストルーダー等のエ
クストルーダー(または押出機)、またはバンバリー(商標)・ミキサー(Ba
nburyTM mixer)もしくはブラベンダー(商標)・ミキサー(Br
abenderTM mixer)等の別タイプの混合機であってよい。
heet die)を用いた押出しをすることにより、または溶融混合物を圧延
、即ちローラー間またはプレート間に溶融物を通してシート状に薄くすることに
より容易に達成され得る。圧延シートの厚さは、ローラーが回転する速度並びに
プレートもしくはローラー間の距離によって決まる。一般的にポリマー・シート
は0.025〜3.8mm、好ましくは0.051〜2.5mmの厚さを有して
いる。ポリマー・シートは、いずれの幅を有するものでもよい。その幅は、ダイ
の形状、または材料の体積、および圧延速度によって決まり、しばしば0.10
〜0.45m、例えば0.15〜0.31mである。
よりラミネート(または積層品)を形成する。ラミネートを切断して電気デバイ
スとする場合、金属箔の層(1または複数の層)は電極として作用する。一般的
に、金属箔は0.13mm以下、好ましくは0.076mm以下、特に0.05
1mm以下、例えば0.025mmの厚さを有する。一般的に、金属箔の幅は、
ポリマー・シートの幅とほぼ同じであるが、ある適用に対しては、各々がポリマ
ー・シートの幅よりもずっと小さい幅を有する、2またはそれ以上のより幅の狭
いリボン(またはストリップ)の形態の金属箔を適用することが望ましいことが
ある。適当な金属箔には、ニッケル、銅、真鍮(または黄銅)、アルミニウム、
モリブデンおよびアロイ(または合金)、またはこれらの材料の2種またはそれ
以上を同じ層または異なる層に含んで成る箔が含まれる。金属箔は、少なくとも
1つの電着面を有してよく、好ましくは電着ニッケルまたは銅であってよい。あ
る用途に対しては、金属箔と接触させる前に、例えばスプレーまたははけ塗り(
brushing)により、接着性組成物(即ち、タイ・レイヤー(または接着
性のある層、tie layer))をポリマー・シートに塗布(または適用)
してよい。更に加工または貯蔵するために、ラミネートをリール(または巻取機
)に巻きつけたり、別々のピース(または部材)にスライス(または分割)して
よい。一般的にラミネートの厚さは0.076〜4.1mmである。
、特に回路保護デバイスを形成するために用いることができる。デバイスをラミ
ネートから切り取ることができる。この用途において、用語「切り取る」は、デ
バイスをラミネートから離隔または分離するあらゆる方法を含むものとして用い
ている。
たはストラップ(または帯金)形態の、付加的な金属リードを箔電極に取り付け
ることができる。更に、デバイスの熱の出力を調節する要素、例えば1またはそ
れ以上の伝導性(または導電性)ターミナル(または端子)を用いることができ
る。これらのターミナルは、直接的に、または半田もしくは伝導性接着剤等の中
間層により電極に取り付けられる、例えばスチール(または鋼)、銅、または真
鍮等の金属プレート形態、またはフィン(fin)形態であってよい。ある用途
においては、デバイスを直接的に回路板に取り付けることが好ましい。
架橋および/または熱処理等の、様々な加工技術に付すことが望ましい。化学的
手段によって、または例えば電子ビームもしくはCo60照射源を用いる照射に
よって架橋を実施することができる。架橋の程度は、組成物の必要とされる用途
に依存するが、一般的に200Mrads相当量より小さく、好ましくは実質的
により小さく、例えば1〜20Mrads相当量、好ましくは1〜15Mrad
s相当量、特に、低電圧(即ち、60ボルトより低い)回路保護の用途では2〜
10Mrads相当量である。一般的に、デバイスを少なくとも2Mrads相
当量まで架橋する。
くは5オームより低い、特に2オームより低い、より特に1オームより低い、特
別に0.5オームより低い、より特別に0.1オームより低い、最も特別に0.
05オームより低い抵抗を有する回路保護デバイスであることが好ましい。本発
明の方法により製造されるラミネートは、低い抵抗率を有し得る伝導性(または
導電性)ポリマー組成物を有して成るので、それを、例えば0.001〜0.1
00オームの非常に低い抵抗を有するデバイスを製造するのに用いることができ
る。
)、PTCサーミスタ、温度センサー等に用いることができる。
体積抵抗率が減少する場合であっても、本発明の導電性ポリマー組成物は、低い
溶融粘度を有し、良好なPTC変態を呈する。本発明の導電性ポリマー組成物は
良好な加工性を有し、従って、PTCデバイスの厚さをより小さくでき、導電性
ポリマー組成物層および電極層の積層速度をより速くできる。更に、PTCデバ
イスは、導電性ポリマー組成物層と電極層との間で良好な付着性を有している。
本発明は、小さいサイズで、軽量で、低い電気抵抗を有するPTCデバイスを提
供する。
れ以上のレジスター(または抵抗体もしくは抵抗器)等の負荷、およびデバイス
を含んで成る電気回路にしばしば用いられる。本発明のデバイスを回路の他の構
成要素に接続するために、例えばワイヤーまたはストラップ形態の1またはそれ
以上の付加的な金属リードを金属箔電極に取り付けることを必要とすることもあ
る。更に、デバイスの熱出力を調節する要素、即ち、1またはそれ以上の伝導性
(または導電性)ターミナルを用いることができる。これらのターミナルは、直
接的、または、半田もしくは伝導性接着剤等の中間層により電極に取り付けられ
る、例えばスチール、銅、または真鍮等の金属プレート形態、または、フィン形
態であってよい。
を構成する成分量は体積(体積%)で示す)。
: (体積抵抗率)=[(試験片の抵抗)×(電極の面積)] ÷[(試験片の厚さ)−(電極箔の厚さ)×2]
抗率(ρm)を決定した。
60B)を備えた60ccのラボ・プラストミル50C150(東洋精機製作所
株式会社(Toyo Seiki Seisakusyo Kabushiki
Kaisha)により製造)に75%の充填率で仕込み、210℃、40rp
mで15分間混錬した。その後、プレス機(またはプレス成形機)により約0.
5mmの厚さを有するシートを製造した。シートの両面上に粗面を有するニッケ
ル箔(福田金属箔粉工業株式会社(Fukuda Kinzoku Hakuf
un Kogyo Kabushiki Kaisha)により製造)を210
℃で熱圧し、そして、打抜きして6.35mmの直径を有するディスクを得た。
ディスクに照射(γ線:7Mrad)することによりディスクを架橋させた。デ
ィスクを温度サイクルに付し、抵抗値を安定させた。その後、20℃での抵抗、
厚さ、および試験片(即ち、ディスク)の温度に依存する抵抗変化を測定した。
原料の混錬の終了時にラボ・プラストミルに加えたトルクを最終トルクとみなし
た。結果を表1および表2に示す。
子量をGPCにより測定し、全ての結晶度および融点をDSCにより測定した。 第1結晶性ポリマー:約350000の重量平均分子量、80%の結晶度、13
7℃の融点、および0.96g/cm3の密度を有する高密度のポリエチレン。 第2結晶性ポリマー(a):約8000の重量平均分子量、84%の結晶度、1
27℃の融点、および0.97g/cm3の密度を有するポリエチレン。 第2結晶性ポリマー(b):約4000の重量平均分子量、90%の結晶度、1
26℃の融点、および0.98g/cm3の密度を有するポリエチレン。 第2結晶性ポリマー(c):約900の重量平均分子量、83%の結晶度、11
6℃の融点、および0.95g/cm3の密度を有するポリエチレン。 パラフィン・ワックス:361の平均分子量(ガスクロマトグラフィーにより測
定)、71%の結晶度、55℃の融点、および0.902g/cm3の密度を有
するパラフィン・ワックス。 カーボン・ブラック:80cc/100gのDBP量、34mg/gの沃素−吸
収量、およびpH7を有するファーネス・ブラック。
は、比較例1より低い20℃での体積抵抗率を示した。実施例1は、比較例1よ
り小さい最終トルクを有しており、従って、実施例1は、比較例1より良好な加
工性を有していた。実施例1は、比較例1より大きい体積抵抗率の比(ρm/ρ 20 )を示した。
たが、比較例1は、カーボン・ブラックをより多量に要し、混錬時により大きい
最終トルクを有し、また、実施例2〜4より劣る体積抵抗率の比(ρm/ρ20 )を示した。
施例3は、比較例2の体積抵抗率の半分より低い20℃での体積抵抗率を示し、
本発明による改良が見られる程十分な体積抵抗率(ρm/ρ20)を示した。
がら、実施例3において第2結晶性ポリマーを加えることにより、混錬時の最終
トルクにおいて改良が見られ、20℃での十分な体積抵抗率および十分な体積抵
抗率の比(ρm/ρ20)を示した。
く、従って、加工性は良好であった。実施例1の最終トルクは、カーボン・ブラ
ックを40体積%用いた比較例3の最終トルクと殆ど同じであった。更に、実施
例1は比較例3より良好なρ20を示した。
Claims (14)
- 【請求項1】 電気抵抗挙動について正の温度係数(PTC)を示す導電性
ポリマー組成物であって、 (1)(i)少なくとも50000の重量平均分子量を有する、少なくとも50
体積%の第1結晶性ポリマー、および (ii)多くとも10000の重量平均分子量を有する、多くとも50体
積%の第2結晶性ポリマー を含んで成るポリマー混合物、ならびに (2)ポリマー混合物中に分散した粒状導電性フィラー を含んで成る導電性ポリマー組成物。 - 【請求項2】 粒状導電性フィラーが、導電性ポリマー組成物の30〜80
体積%を占める、請求項1に記載の組成物。 - 【請求項3】 20℃において、大きくとも1.0オーム−cmの体積抵抗
率を有する、請求項1に記載の組成物。 - 【請求項4】 導電性ポリマー組成物の20℃での体積抵抗率(ρ20)に
対する導電性ポリマー組成物の融点での体積抵抗率(ρm)の比(ρm/ρ20 )は少なくとも50である、請求項1に記載の組成物。 - 【請求項5】 第1結晶性ポリマーは少なくとも20%の結晶度を有する、
請求項1に記載の組成物。 - 【請求項6】 第2結晶性ポリマーは少なくとも50%の結晶度を有する、
請求項1に記載の組成物。 - 【請求項7】 第1結晶性ポリマーは、オレフィンまたはオレフィン誘導体
から選択される少なくとも1種のモノマーを原料とするポリマーであり、好まし
くはエチレンのホモポリマーまたはコポリマーである、請求項1に記載の組成物
。 - 【請求項8】 第2結晶性ポリマーは、エチレンのホモポリマーまたはコポ
リマーである、請求項1に記載の組成物。 - 【請求項9】 第1結晶性ポリマーと第2結晶性ポリマーとの間の融点の差
は大きくとも50℃である、請求項1に記載の組成物。 - 【請求項10】 粒状導電性フィラーは、カーボン・ブラック、グラファイ
ト、他の炭素質材料、金属、金属酸化物、導電性セラミック、導電性ポリマーま
たはそれらの組合せである、請求項1に記載の組成物。 - 【請求項11】 (A)請求項1に記載の導電性ポリマー組成物を有して成
るPTC素子、および (B)PTC素子に電流を流すために、電源に接続できる2つの電極 を有して成るPTCデバイス。 - 【請求項12】 ポリマー組成物が架橋されている、請求項11に記載のデ
バイス。 - 【請求項13】 20℃において大きくとも1.0オームの抵抗を有する、
請求項11に記載のデバイス。 - 【請求項14】 (I)(A)請求項1に記載の導電性ポリマー組成物を有
して成るPTC素子、および (B)PTC素子に電流を流すために、電源に接続できる2つの電極 を有して成るPTCデバイス (II)電源、ならびに (III)デバイスおよび電源と直列に接続される負荷 を有して成る電気回路。
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