JP2003501554A - 銅合金 - Google Patents
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- C22C—ALLOYS
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Abstract
(57)【要約】
本発明は、銅−マグネシウム−燐合金に関する。第1の実施例では、本発明に係る銅−マグネシウム−燐合金は、実質的に、マグネシウムが約0.01〜約0.25wt%、燐が約0.01〜約0.2wt%、銀が約0.001〜約0.1wt%、鉄が0.01〜約0.25wt%、及び残部が銅及び不可避不純物よりなる。好適には、マグネシウムの燐に対する比は、1.0よりも大きい。第2の実施形態においては、本発明に係る銅−マグネシウム−燐合金は、実質的に、マグネシウムが約0.01〜約0.25wt%、燐が約0.01〜0.2wt%、添加してもしなくてもよいが銀が約0.001〜約0.1wt%、ニッケルとコバルトとその混合物のいずれかから選択される少なくとも一つの元素を約0.05〜約0.2wt%含有され、残部が銅及び不可避不純物となっている。
Description
【0001】
(発明の背景)
本発明は、マグネシウムと燐とを含有し、90%以上のIACS電気伝導率を
示すとともに実質的に強度特性が向上した銅合金に関する。
示すとともに実質的に強度特性が向上した銅合金に関する。
【0002】
従来、銅は、他の元素との合金にすることで強度の向上が図られてきた。わず
かな例外を除いては、添加物を用いると、強度特性の向上に比較して、電気伝導
率の特性が不釣り合いになることが難点となっていた。純粋な銅において引っ張
り強度は60ksiでピークとなり、この強度で100%IACS電気伝導率を
有する。従って、純粋な銅は、強度×電気伝導率ファクターは6000(60×
100)単位となっている。黄銅は、銅合金のうち非常に古くから知られている
ものであり、104ksiまでの強度を得ることができる一方、通常は電気伝導
率が非常に落ち込んでしまうという難点がある。黄銅のなかでも最もポピュラー
であるカートリッジ黄銅は、強度×電気伝導率ファクターは、3000単位未満
である。ブロンズや銅−ニッケル合金等の他の合金も、その強度×電気伝導率フ
ァクターは、純粋な銅に比較して非常に低い。
かな例外を除いては、添加物を用いると、強度特性の向上に比較して、電気伝導
率の特性が不釣り合いになることが難点となっていた。純粋な銅において引っ張
り強度は60ksiでピークとなり、この強度で100%IACS電気伝導率を
有する。従って、純粋な銅は、強度×電気伝導率ファクターは6000(60×
100)単位となっている。黄銅は、銅合金のうち非常に古くから知られている
ものであり、104ksiまでの強度を得ることができる一方、通常は電気伝導
率が非常に落ち込んでしまうという難点がある。黄銅のなかでも最もポピュラー
であるカートリッジ黄銅は、強度×電気伝導率ファクターは、3000単位未満
である。ブロンズや銅−ニッケル合金等の他の合金も、その強度×電気伝導率フ
ァクターは、純粋な銅に比較して非常に低い。
【0003】
添加元素の少ない合金は、電気伝導率が90%IACSであり、強度と伝導率
との組み合わせとしては最も良好となっている。例えば、ジルコニウム銅は、強
度70ksiで対応する電気伝導率が90%IACSであるストリップを得るこ
とができる。これらの合金における強度×電気伝導率ファクターのピークは、6
300単位程度である。しかし、これらの合金は、製造が非常に困難で、特性の
変動が大きいという難点があり、かつ、良好な成形性も得られていない。
との組み合わせとしては最も良好となっている。例えば、ジルコニウム銅は、強
度70ksiで対応する電気伝導率が90%IACSであるストリップを得るこ
とができる。これらの合金における強度×電気伝導率ファクターのピークは、6
300単位程度である。しかし、これらの合金は、製造が非常に困難で、特性の
変動が大きいという難点があり、かつ、良好な成形性も得られていない。
【0004】
従来から、マグネシウムと燐を含有した合金が知られている。例えば、Finlay
等に付与された米国特許第3,677,745号には、0.01〜5.0wt%
のマグネシウムと、0.002〜4.25wt%を含有する銅合金が開示されて
いる。この特許には、また、銀及び/またはカドミウムをそれぞれ0.02〜0
.2wt%、0.01〜2.0wt%で選択的に付加しうる銅−マグネシウム−
燐合金が開示されている。
等に付与された米国特許第3,677,745号には、0.01〜5.0wt%
のマグネシウムと、0.002〜4.25wt%を含有する銅合金が開示されて
いる。この特許には、また、銀及び/またはカドミウムをそれぞれ0.02〜0
.2wt%、0.01〜2.0wt%で選択的に付加しうる銅−マグネシウム−
燐合金が開示されている。
【0005】
Finlay等により開示されたタイプの合金は、以下の特性を達成することができ
る。
る。
【0006】
i)引っ張り強度(Tensile.Strength:T.S.)90ksi、70%IACS
電気伝導率(強度×電気伝導率ファクター=6,300) ii)T.S.55ksi、95%ICAS電気伝導率(強度×電気伝導率ファクター
=5,225) iii)T.S.80ksi、70%ICAS電気伝導率(強度×電気伝導率ファクタ
ー=5,600) これらの合金は、強度と電気伝導率の最良の組み合わせを示し、純粋な銅を超
える場合もある。これらの合金は、成形性もよいが、耐熱性に限界がある。高電
気伝導率の合金は、継続期間が短い高温にさらされる状況にて用いられる。これ
らの合金は、710°Fでも実質的にその強度が維持されるものの、たとえ数分
であっても800°Fに晒されると、その強度がかなり落ちてしまう。
電気伝導率(強度×電気伝導率ファクター=6,300) ii)T.S.55ksi、95%ICAS電気伝導率(強度×電気伝導率ファクター
=5,225) iii)T.S.80ksi、70%ICAS電気伝導率(強度×電気伝導率ファクタ
ー=5,600) これらの合金は、強度と電気伝導率の最良の組み合わせを示し、純粋な銅を超
える場合もある。これらの合金は、成形性もよいが、耐熱性に限界がある。高電
気伝導率の合金は、継続期間が短い高温にさらされる状況にて用いられる。これ
らの合金は、710°Fでも実質的にその強度が維持されるものの、たとえ数分
であっても800°Fに晒されると、その強度がかなり落ちてしまう。
【0007】
Knorr等に付与された米国特許第4,605,532号には、約0.3〜1.
6wt%の鉄を有し、この鉄の半分量までをニッケル、マンガン、コバルトまた
はこれらの任意混合物で置換することが可能で、約0.01〜約0.2wt%の
マグネシウムを有し、約0.10〜約0.40wt%の燐を有し、約0.5wt%
の錫またはアンチモンまたはこれらの混合物を有するとともに残部が銅である合
金が示されている。このKnorr等に付与された合金は、燐:マグネシウムの比率
が高いことに基づくものであり、少なくともこの比率は1.5:1で、好適には
2.5:1以上である。この結果、Knorr等による合金におけるすべてのマグネ
シウムは、燐と結合しているということができ、鉄及びコバルトのようなその他
の成分は、その大半が固溶体中に残されている。その結果、電気伝導率が悪くな
っている。
6wt%の鉄を有し、この鉄の半分量までをニッケル、マンガン、コバルトまた
はこれらの任意混合物で置換することが可能で、約0.01〜約0.2wt%の
マグネシウムを有し、約0.10〜約0.40wt%の燐を有し、約0.5wt%
の錫またはアンチモンまたはこれらの混合物を有するとともに残部が銅である合
金が示されている。このKnorr等に付与された合金は、燐:マグネシウムの比率
が高いことに基づくものであり、少なくともこの比率は1.5:1で、好適には
2.5:1以上である。この結果、Knorr等による合金におけるすべてのマグネ
シウムは、燐と結合しているということができ、鉄及びコバルトのようなその他
の成分は、その大半が固溶体中に残されている。その結果、電気伝導率が悪くな
っている。
【0008】
また、Knorr等による合金は、1〜3ミクロンの範囲のサイズの粗粒子を含む
。その結果、Knorr等による合金は、成形性、延性、耐軟化性に乏しく、強度×
電気伝導率ファクターが低い。
。その結果、Knorr等による合金は、成形性、延性、耐軟化性に乏しく、強度×
電気伝導率ファクターが低い。
【0009】
Guerlet等に付与された米国特許第4,427,627号は、銅合金であって
実質的に0.10〜0.50wt%のコバルトと、0.04〜0.25wt%の燐とを
含有して残部が銅である合金を開示している。添加物であるコバルトと燐とは、
コバルト:燐が2.5:1〜5:1、好適には2.5:1〜3.5:1の範囲と
される。ニッケル及び/または鉄を、コバルトの一部と置換してもよいが、ニッ
ケルと鉄とは、0.15wt%より多量に存在してはならず、ニッケルは0.05
wt%未満、鉄は、0.10wt%未満である。Guerlet等による合金は、以下の添
加物のうち一つ以上:0.01〜0.35wt%、好適には0.01〜0.15mwt
%のマグネシウム、0.01〜0.70wt%、好適には0.01〜0.25wt%の
カドミウム、0.01〜0.35wt%、好適には0.01〜0.15wt%の銀、0
.01〜0.70wt%、好適には0.01〜0.2wt%の亜鉛、及び0.01〜0
.25wt%、好適には0.01〜0.1wt%の錫、を含有することができる。この
特許に開示される合金は、成形性、延性、耐軟化性等の物理特性を向上させてな
おかつ高強度特性及び/または電気伝導率を維持するために特定のサイズのマグ
ネシウム燐化物及び/または鉄燐化物パーティクルを形成することの重要性が理
解されていない点にある。
実質的に0.10〜0.50wt%のコバルトと、0.04〜0.25wt%の燐とを
含有して残部が銅である合金を開示している。添加物であるコバルトと燐とは、
コバルト:燐が2.5:1〜5:1、好適には2.5:1〜3.5:1の範囲と
される。ニッケル及び/または鉄を、コバルトの一部と置換してもよいが、ニッ
ケルと鉄とは、0.15wt%より多量に存在してはならず、ニッケルは0.05
wt%未満、鉄は、0.10wt%未満である。Guerlet等による合金は、以下の添
加物のうち一つ以上:0.01〜0.35wt%、好適には0.01〜0.15mwt
%のマグネシウム、0.01〜0.70wt%、好適には0.01〜0.25wt%の
カドミウム、0.01〜0.35wt%、好適には0.01〜0.15wt%の銀、0
.01〜0.70wt%、好適には0.01〜0.2wt%の亜鉛、及び0.01〜0
.25wt%、好適には0.01〜0.1wt%の錫、を含有することができる。この
特許に開示される合金は、成形性、延性、耐軟化性等の物理特性を向上させてな
おかつ高強度特性及び/または電気伝導率を維持するために特定のサイズのマグ
ネシウム燐化物及び/または鉄燐化物パーティクルを形成することの重要性が理
解されていない点にある。
【0010】
Futatsuka等に付与された米国特許第4,750,029号は、半導体デバイ
ス用の銅ベースのリード材(lead material)を開示する。この材料は、実質的に
、約0.05〜0.25wt%の錫と、0.01〜0.2wt%の銀と、0.02
5〜0.1wt%の燐と、0.05〜0.2wt%のマグネシウムとを含有し、残部が
銅及び検出不能な不純物となっている。P/Mg比は、0.60〜0.85の範
囲内にあり、マグネシウムと燐との化合物あるいはMg3P2が形成されるよう
になっている。この種の合金は、通常、強度×電気伝導率ファクターが低いこと
が特徴的となっている。
ス用の銅ベースのリード材(lead material)を開示する。この材料は、実質的に
、約0.05〜0.25wt%の錫と、0.01〜0.2wt%の銀と、0.02
5〜0.1wt%の燐と、0.05〜0.2wt%のマグネシウムとを含有し、残部が
銅及び検出不能な不純物となっている。P/Mg比は、0.60〜0.85の範
囲内にあり、マグネシウムと燐との化合物あるいはMg3P2が形成されるよう
になっている。この種の合金は、通常、強度×電気伝導率ファクターが低いこと
が特徴的となっている。
【0011】
その他の銅−マグネシウム−燐合金は、特開昭55−47337号及び特開昭
59−20439号に開示されている。特開昭55−47337号には、銅合金
であって0.004〜0.7%の燐と、0.01〜0.1%のマグネシウムと0
.01〜0.5%のクロムとを含有し、残部が銅であるものが開示されている。
この種の合金は、アニール後の状態で電気伝導率が80〜90%IACSの範囲
内にある。しかし、強度×電気伝導率ファクターは、所望の値よりも小さい。ま
た、特開昭59−20439号には、銅合金であって2〜5%の鉄と、0.2〜
1.0%のマグネシウムと、0.3〜1.0%の燐とを含有し、残部が銅である
ものが開示されている。この種の合金は、強度特性は高いが、電気伝導率は非常
に低い。特開昭53−19920号は、銅合金であって燐を0.004〜0.0
4%、マグネシウム、シリコン、マンガン、砒素、及び亜鉛のいずれか一種以上
を0.01〜02.0%含有し、残部が銅であるものが開示されている。この範
囲での合金は、80〜90%IACSを示すが、強度特性に乏しいという難点が
ある。
59−20439号に開示されている。特開昭55−47337号には、銅合金
であって0.004〜0.7%の燐と、0.01〜0.1%のマグネシウムと0
.01〜0.5%のクロムとを含有し、残部が銅であるものが開示されている。
この種の合金は、アニール後の状態で電気伝導率が80〜90%IACSの範囲
内にある。しかし、強度×電気伝導率ファクターは、所望の値よりも小さい。ま
た、特開昭59−20439号には、銅合金であって2〜5%の鉄と、0.2〜
1.0%のマグネシウムと、0.3〜1.0%の燐とを含有し、残部が銅である
ものが開示されている。この種の合金は、強度特性は高いが、電気伝導率は非常
に低い。特開昭53−19920号は、銅合金であって燐を0.004〜0.0
4%、マグネシウム、シリコン、マンガン、砒素、及び亜鉛のいずれか一種以上
を0.01〜02.0%含有し、残部が銅であるものが開示されている。この範
囲での合金は、80〜90%IACSを示すが、強度特性に乏しいという難点が
ある。
【0012】
Hensel等に付与された米国特許第2,171,697号は、銅−マグネシウム
−銀合金を開示している。この合金では、銀が0.05〜15%、マグネシウム
は0.05〜3%含有される。この特許においては、その第1頁に、銅−マグネ
シウム合金は、ベリリウム、カルシウム、亜鉛、カドミウム、インジウム、ホウ
素、アルミニウム、シリコン、チタン、ジルコニウム、錫、鉛、トリウム、ウラ
ニウム、リチウム、燐、バナジウム、砒素、セレン、テルル、マンガン、鉄、コ
バルト、ニッケル、及びクロムを微量含み、上記範囲内で銀を添加することによ
ってこの合金の特性を向上することができると記載される。この特許には、マグ
ネシウム燐化物及び/または鉄燐化物を形成して所望の物理特性のセットを得る
という必要性は、明らかに理解されていない。
−銀合金を開示している。この合金では、銀が0.05〜15%、マグネシウム
は0.05〜3%含有される。この特許においては、その第1頁に、銅−マグネ
シウム合金は、ベリリウム、カルシウム、亜鉛、カドミウム、インジウム、ホウ
素、アルミニウム、シリコン、チタン、ジルコニウム、錫、鉛、トリウム、ウラ
ニウム、リチウム、燐、バナジウム、砒素、セレン、テルル、マンガン、鉄、コ
バルト、ニッケル、及びクロムを微量含み、上記範囲内で銀を添加することによ
ってこの合金の特性を向上することができると記載される。この特許には、マグ
ネシウム燐化物及び/または鉄燐化物を形成して所望の物理特性のセットを得る
という必要性は、明らかに理解されていない。
【0013】
近年、オーリン社(Olin corporation)は、米国特許第5,868,877号を
取得した。この特許は、銅−鉄−マグネシウム−燐合金であって、オーリン社の
従来技術に係る合金C197と同じ組成を有するものに関する。オーリン社は、
また、新しい合金、19710及び19720を開発しており、既に市場に投入
している。これらの合金は、燐、マグネシウム、鉄、ニッケル、コバルト及び/
またはマンガンを含有するが、銀は含有されていない。合金19710は、0.
03〜0.6wt%のマグネシウム、0.07〜0.15wt%の燐、0.05〜0.
40wt%の鉄、ニッケルとコバルトとがあわせて最大0.1wt%、0.05wt%の
マンガン、及び残部が銅となっている。合金19720は、0.06〜0.20
%のマグネシウム、0.05〜0.15%の燐、0.05〜0.50%の鉄、及
び残部が鉄となっている。この合金19720は、公表されたデータによると、
ソフトコンディションで電気伝導率が80%IACS、ハードテンパー即ち焼き
戻し硬化での引っ張り強度は60〜70ksiである。 これらの合金の存在にも関わらず、高い電気伝導率、高強度特性、及び優れた
延性、成形性、及び耐軟化性を示す合金が求められている。
取得した。この特許は、銅−鉄−マグネシウム−燐合金であって、オーリン社の
従来技術に係る合金C197と同じ組成を有するものに関する。オーリン社は、
また、新しい合金、19710及び19720を開発しており、既に市場に投入
している。これらの合金は、燐、マグネシウム、鉄、ニッケル、コバルト及び/
またはマンガンを含有するが、銀は含有されていない。合金19710は、0.
03〜0.6wt%のマグネシウム、0.07〜0.15wt%の燐、0.05〜0.
40wt%の鉄、ニッケルとコバルトとがあわせて最大0.1wt%、0.05wt%の
マンガン、及び残部が銅となっている。合金19720は、0.06〜0.20
%のマグネシウム、0.05〜0.15%の燐、0.05〜0.50%の鉄、及
び残部が鉄となっている。この合金19720は、公表されたデータによると、
ソフトコンディションで電気伝導率が80%IACS、ハードテンパー即ち焼き
戻し硬化での引っ張り強度は60〜70ksiである。 これらの合金の存在にも関わらず、高い電気伝導率、高強度特性、及び優れた
延性、成形性、及び耐軟化性を示す合金が求められている。
【0014】
(発明の概要)
従って、本発明は、引っ張り強度が80ksiに達することができ、かつ電気
伝導率が90%IACS以上である銅合金を提供することを目的とする。
伝導率が90%IACS以上である銅合金を提供することを目的とする。
【0015】
また、本発明は、上述の銅合金であって、同様の合金に比較して、曲げにおい
て、R/T比(厚みに対する半径比:radius to thickness)で測定したときの成
形性が良いものを提供することを目的とする。
て、R/T比(厚みに対する半径比:radius to thickness)で測定したときの成
形性が良いものを提供することを目的とする。
【0016】
また、本発明は、延性が良くかつ軟化に対する耐性の高い銅合金を提供する事
を目的とする。
を目的とする。
【0017】
上述の目的は、本発明に係る合金によって達成される。
【0018】
第1の実施例においては、本発明に係る銅−マグネシウム−燐合金は、実質的
に、マグネシウムが約0.01〜約0.25wt%、燐が約0.01〜約0.2wt%
、銀が約0.001〜約0.1wt%、鉄が0.01〜約0.25wt%、及び残部が
銅及び不可避不純物(inevitable impurities)よりなる。好適には、マグネシウ
ムの燐に対する比は、1.0よりも大きい。
に、マグネシウムが約0.01〜約0.25wt%、燐が約0.01〜約0.2wt%
、銀が約0.001〜約0.1wt%、鉄が0.01〜約0.25wt%、及び残部が
銅及び不可避不純物(inevitable impurities)よりなる。好適には、マグネシウ
ムの燐に対する比は、1.0よりも大きい。
【0019】
第2の実施形態においては、本発明に係る銅−マグネシウム−燐合金は、実質
的に、マグネシウムが約0.01〜約0.25wt%、燐が約0.01〜0.2wt%
、添加してもしなくてもよいが銀が約0.001〜約0.1wt%、ニッケルとコ
バルトとその混合物のいずれかから選択される少なくとも一つの元素を約0.0
5〜約0.2wt%含有され、残部が銅及び不可避不純物となっている。 本発明に係る銅合金のその他の詳細、及びその製造方法、その他の利点及び目
的等は、以下の記述及び添付図面によって示される。
的に、マグネシウムが約0.01〜約0.25wt%、燐が約0.01〜0.2wt%
、添加してもしなくてもよいが銀が約0.001〜約0.1wt%、ニッケルとコ
バルトとその混合物のいずれかから選択される少なくとも一つの元素を約0.0
5〜約0.2wt%含有され、残部が銅及び不可避不純物となっている。 本発明に係る銅合金のその他の詳細、及びその製造方法、その他の利点及び目
的等は、以下の記述及び添付図面によって示される。
【0020】
(発明の詳細な説明)
本発明に係る合金は、銅−マグネシウム−燐合金(copper-magnesium-phospho
rous alloys)である。このような合金は、高強度、高電気伝導率、強度×伝導フ
ァクターが高いこと(high strength x conductivity factors)、延性(ductili
ty)及び成形性が向上していること、並びに耐軟化性(resistance to softening
)が向上していることにより特徴づけられる。
rous alloys)である。このような合金は、高強度、高電気伝導率、強度×伝導フ
ァクターが高いこと(high strength x conductivity factors)、延性(ductili
ty)及び成形性が向上していること、並びに耐軟化性(resistance to softening
)が向上していることにより特徴づけられる。
【0021】
本発明に係る合金は、第1の実施形態では、以下のような銅ベース合金を含む
。即ち、実質的に、マグネシウムを約0.01〜0.25wt%、好適には約0
.07〜0.15wt%、リンを約0.01〜0.2wt%、銀を約0.001
〜約0.1wt%、鉄を約0.01〜0.25wt%、好適には約0.01〜約
0.2wt%、及び非常に好適には約0.01〜0.05wt%含み、残部は銅
及び不可避不純物である。これらの合金は、通常、合金マトリクスに均一に分布
した燐化物パーティクルを有し、この燐化物パーティクルのピークサイズは、約
0.2ミクロンとなっている。これらの燐化物パーティクルは、合金の強度を上
げる一方で、その成形性及び延性に何ら悪影響を及ぼさない。
。即ち、実質的に、マグネシウムを約0.01〜0.25wt%、好適には約0
.07〜0.15wt%、リンを約0.01〜0.2wt%、銀を約0.001
〜約0.1wt%、鉄を約0.01〜0.25wt%、好適には約0.01〜約
0.2wt%、及び非常に好適には約0.01〜0.05wt%含み、残部は銅
及び不可避不純物である。これらの合金は、通常、合金マトリクスに均一に分布
した燐化物パーティクルを有し、この燐化物パーティクルのピークサイズは、約
0.2ミクロンとなっている。これらの燐化物パーティクルは、合金の強度を上
げる一方で、その成形性及び延性に何ら悪影響を及ぼさない。
【0022】
これらの合金は、少なくとも一種の添加成分を含んでも良く、この添加成分と
しては、錫、シリコン、及びこれらの任意混合物のいずれかが挙げられる。この
少なくとも一種の添加成分は、約0.2wt%未満含まれるようにしてもよい。
通常、これらの添加成分は、少なくとも0.001wt%添加される。
しては、錫、シリコン、及びこれらの任意混合物のいずれかが挙げられる。この
少なくとも一種の添加成分は、約0.2wt%未満含まれるようにしてもよい。
通常、これらの添加成分は、少なくとも0.001wt%添加される。
【0023】
これらの合金は、ホウ素、ベリリウム、カルシウム、クロム、ジルコニウム、
チタニウム及びこれらの任意混合物のいずれかから選択される少なくとも一種の
元素を0.1wt%まで含有しても良い。
チタニウム及びこれらの任意混合物のいずれかから選択される少なくとも一種の
元素を0.1wt%まで含有しても良い。
【0024】
更にまた、これらの合金は、ニッケル、コバルト及びこれらの任意混合物のい
ずれかから選択される追加構成成分を約0.2%まで含有してもよい。本発明の
好適実施形態においては、ニッケルとコバルトの少なくとも一方を約0.05%
〜約0.2%、また、最も好適には、少なくともニッケルとコバルトの少なくと
も一方を約0.11%〜約0.20%含有する。
ずれかから選択される追加構成成分を約0.2%まで含有してもよい。本発明の
好適実施形態においては、ニッケルとコバルトの少なくとも一方を約0.05%
〜約0.2%、また、最も好適には、少なくともニッケルとコバルトの少なくと
も一方を約0.11%〜約0.20%含有する。
【0025】
上述の量の鉄によって、合金の強度が増し、ファイングレインストラクチャー
、つまり良好な粒子構造の生成を促進する。上述の量のニッケル及び/またはコ
バルトは、粒子のリファイニング及び燐化物の生成によって強度を向上させるこ
とから、望ましい添加物である。加えて、これらの金属は、導電性を向上させる
効果を有する。
、つまり良好な粒子構造の生成を促進する。上述の量のニッケル及び/またはコ
バルトは、粒子のリファイニング及び燐化物の生成によって強度を向上させるこ
とから、望ましい添加物である。加えて、これらの金属は、導電性を向上させる
効果を有する。
【0026】
上述の燐添加物によって、金属を、酸化されない状態のままに保つことができ
、上述の燐添加物の添加限度内で、浸食されていない金属を鋳造することが可能
となる。キャスト合金(cast alloy)の熱処理によって、燐は、鉄、及び/または
鉄とニッケル、及び/または鉄とマグネシウム、及び/またはこれらの元素の組み
合わせとの燐化物を形成する。これらの物質がマトリクス内に完全に固溶体で存
在する場合には電気伝導率の損失が生じるが、上述のようにすることで、この損
失を実質的に減少させることができる。例えば、0.01wt%の燐が固溶体で存
在すると、電気伝導率を8%IACS減少させる。0.01wt%の鉄は、ソリュ
ーション(固溶体)で存在すると、電気伝導率を更に5.5%IACS減少させる
ことになるであろう。従って、90%IACS以上の電気伝導率を達成するには
、固溶体内の鉄及び/または燐を最小限に抑えることが必要である。
、上述の燐添加物の添加限度内で、浸食されていない金属を鋳造することが可能
となる。キャスト合金(cast alloy)の熱処理によって、燐は、鉄、及び/または
鉄とニッケル、及び/または鉄とマグネシウム、及び/またはこれらの元素の組み
合わせとの燐化物を形成する。これらの物質がマトリクス内に完全に固溶体で存
在する場合には電気伝導率の損失が生じるが、上述のようにすることで、この損
失を実質的に減少させることができる。例えば、0.01wt%の燐が固溶体で存
在すると、電気伝導率を8%IACS減少させる。0.01wt%の鉄は、ソリュ
ーション(固溶体)で存在すると、電気伝導率を更に5.5%IACS減少させる
ことになるであろう。従って、90%IACS以上の電気伝導率を達成するには
、固溶体内の鉄及び/または燐を最小限に抑えることが必要である。
【0027】
上述の結果を達成するために、マグネシウムが上述の範囲で添加される。更に
、このマグネシウムは、Mg:P比、即ちMgのPに対する比が少なくとも1.
0、好適には1.0より大きくなるように添加される。更に、合金の元素の組成
は、電気伝導率に影響から、P、Fe、Co(添加される場合)が燐化物として最
大限に存在し、固溶体の状態のものの存在量が0または最小限になるように選択
される。一方、マグネシウムは、固溶体の状態で残されても電気伝導率の損失が
小さいものであり、固溶体にマグネシウムがある程度残留する量で添加される。
この残留マグネシウムによって、鉄、コバルト及びニッケルと結合していない燐
がすべてマグネシウムと結合してマグネシウム燐化物のパーティクルを形成する
ようにされる。
、このマグネシウムは、Mg:P比、即ちMgのPに対する比が少なくとも1.
0、好適には1.0より大きくなるように添加される。更に、合金の元素の組成
は、電気伝導率に影響から、P、Fe、Co(添加される場合)が燐化物として最
大限に存在し、固溶体の状態のものの存在量が0または最小限になるように選択
される。一方、マグネシウムは、固溶体の状態で残されても電気伝導率の損失が
小さいものであり、固溶体にマグネシウムがある程度残留する量で添加される。
この残留マグネシウムによって、鉄、コバルト及びニッケルと結合していない燐
がすべてマグネシウムと結合してマグネシウム燐化物のパーティクルを形成する
ようにされる。
【0028】
本発明により製造された合金は、固溶状態での鉄の量は無視できる程度であり
、固溶状態での燐は、わずか0.0036wt%(合金に対しては約5%の燐が添加
される)である。更に、この合金は、約0.035wt%のマグネシウムが固溶状態
で含まれる。これに比較して、0.108%のマグネシウム、0.068%の燐
、及び0.04%の銀及び残部が銅及び不可避不純物を含有するマグネシウム−
燐−銀−銅合金は、約0.0067%の燐(添加した燐の約10%)と、約0.0
37%のマグネシウムとが固溶体に含まれ、その結果電気伝導率が低くなってい
る。
、固溶状態での燐は、わずか0.0036wt%(合金に対しては約5%の燐が添加
される)である。更に、この合金は、約0.035wt%のマグネシウムが固溶状態
で含まれる。これに比較して、0.108%のマグネシウム、0.068%の燐
、及び0.04%の銀及び残部が銅及び不可避不純物を含有するマグネシウム−
燐−銀−銅合金は、約0.0067%の燐(添加した燐の約10%)と、約0.0
37%のマグネシウムとが固溶体に含まれ、その結果電気伝導率が低くなってい
る。
【0029】
本発明に係る合金は、非常に好適には、熱処理されてマグネシウム燐化物パー
ティクルが約500〜約2000オングストロームで形成され、鉄燐化物パーテ
ィクルが2つの範囲、つまり、そのパーティクルのサイズが約1000〜約20
00オングストロームの範囲にある粗粒範囲と、そのパーティクルのサイズが約
250〜約600オングストロームの範囲にある細粒範囲と、で形成される。マ
グネシウム燐化物パーティクル及び上述の鉄燐化物パーティクルは、合金マトリ
クスにわたって均一に分散される。本発明に係る銅合金の好適実施形態では、粗
粒鉄燐化物パーティクル:細粒鉄燐化物パーティクルは、約1:3〜約1:6で
ある。上述のようなサイズでかつ分散された細粒鉄燐化物パーティクルが存在す
ることで、本発明に係る合金に、より良い延性及び成形性が得られる。また、こ
れらのサイズ及び分散によって、より良い耐軟化性が得られる。より細かいパー
ティクルによって、同量の合金元素よりもパーティクル数が増えるからである。
ティクルが約500〜約2000オングストロームで形成され、鉄燐化物パーテ
ィクルが2つの範囲、つまり、そのパーティクルのサイズが約1000〜約20
00オングストロームの範囲にある粗粒範囲と、そのパーティクルのサイズが約
250〜約600オングストロームの範囲にある細粒範囲と、で形成される。マ
グネシウム燐化物パーティクル及び上述の鉄燐化物パーティクルは、合金マトリ
クスにわたって均一に分散される。本発明に係る銅合金の好適実施形態では、粗
粒鉄燐化物パーティクル:細粒鉄燐化物パーティクルは、約1:3〜約1:6で
ある。上述のようなサイズでかつ分散された細粒鉄燐化物パーティクルが存在す
ることで、本発明に係る合金に、より良い延性及び成形性が得られる。また、こ
れらのサイズ及び分散によって、より良い耐軟化性が得られる。より細かいパー
ティクルによって、同量の合金元素よりもパーティクル数が増えるからである。
【0030】
本発明により製造された合金は、冷間加工条件では、80ksiを超える強度
を示し、電気伝導率は90%IACSであった。本発明に係る合金の電気伝導率
は、ソフトテンパー即ち穏やかな焼き戻しにおいては、95%IACSに達する
ことができる。
を示し、電気伝導率は90%IACSであった。本発明に係る合金の電気伝導率
は、ソフトテンパー即ち穏やかな焼き戻しにおいては、95%IACSに達する
ことができる。
【0031】
本発明に係る合金は、図示のようにして製造することが可能である。この合金
は、従来知られている連続又は非連続鋳造技術を適宜用いて鋳造することが可能
である。例えば、これらの合金は、ホリゾンタル鋳造技術(層鋳造技術)、ダイレ
クト−チル鋳造技術、縦打ち鋳造技術即ちバーティカル鋳造技術及びその他の技
術によって製造することが可能である。鋳造後、約1200°F〜約1600°F
の範囲で所望のゲージで合金を熱間加工によって処理することもできる。熱間加
工には、ホットローリングやその他の適切な従来技術をも含んでもよい。熱間加
工後の通常のゲージは、約0.400インチ〜約0.600インチの範囲内であ
る。
は、従来知られている連続又は非連続鋳造技術を適宜用いて鋳造することが可能
である。例えば、これらの合金は、ホリゾンタル鋳造技術(層鋳造技術)、ダイレ
クト−チル鋳造技術、縦打ち鋳造技術即ちバーティカル鋳造技術及びその他の技
術によって製造することが可能である。鋳造後、約1200°F〜約1600°F
の範囲で所望のゲージで合金を熱間加工によって処理することもできる。熱間加
工には、ホットローリングやその他の適切な従来技術をも含んでもよい。熱間加
工後の通常のゲージは、約0.400インチ〜約0.600インチの範囲内であ
る。
【0032】
熱間加工の後、必要で有れば合金を急冷し、必要で有ればホモジナイズ、即ち
均質化を約1200°F〜約1600°Fで少なくとも1時間行ってもよい。その
後、一端あたり0.020インチ〜約0.050インチの物質を除去するために
ミリングを行ってもよい。従来知られている任意の適切な装置及び技術を用いる
ことで、任意の急冷、均質化、ミリングを行うことができる。
均質化を約1200°F〜約1600°Fで少なくとも1時間行ってもよい。その
後、一端あたり0.020インチ〜約0.050インチの物質を除去するために
ミリングを行ってもよい。従来知られている任意の適切な装置及び技術を用いる
ことで、任意の急冷、均質化、ミリングを行うことができる。
【0033】
ミリングの後に、本発明に係る合金は、冷間加工することもでき、例えばミリ
ングされたものから最終ゲージへと冷間圧延を行うことができ、この際には、約
700°F〜1200°Fの温度範囲で1〜20時間、合金が所望のテンパー(tem
per)即ち焼き入れ状態あるいは焼き戻し状態となるまでアニーリングオペレーシ
ョンを少なくとも一回行う。各アニーリングには、一時間あたり20〜200°
Fの冷却レートでの低速クーリングが含まれるようにしてもよい。通常、中間の
アニーリングとともに一連の冷間圧延ステップがなされる。合金が最終ゲージに
まで霊感圧延された後に、合金は、約300〜約750°Fで少なくとも1時間
張力緩和アニーリングを行うようにしてもよい。
ングされたものから最終ゲージへと冷間圧延を行うことができ、この際には、約
700°F〜1200°Fの温度範囲で1〜20時間、合金が所望のテンパー(tem
per)即ち焼き入れ状態あるいは焼き戻し状態となるまでアニーリングオペレーシ
ョンを少なくとも一回行う。各アニーリングには、一時間あたり20〜200°
Fの冷却レートでの低速クーリングが含まれるようにしてもよい。通常、中間の
アニーリングとともに一連の冷間圧延ステップがなされる。合金が最終ゲージに
まで霊感圧延された後に、合金は、約300〜約750°Fで少なくとも1時間
張力緩和アニーリングを行うようにしてもよい。
【0034】
この合金の処理は、熱間加工ステップを含むものとして説明されているが、必
要でなければこのステップを省略してもよい。
要でなければこのステップを省略してもよい。
【0035】
本発明のこの第1実施形態に係る合金の例示的試験例としては、(1)マグネシ
ウムを実質的に約0.1〜約0.25wt%、燐を約0.01〜約0.2wt%、銀を
約0.001〜約0.1wt%、鉄を約0.01〜約0.25wt%、ニッケル及び/
またはコバルトの少なくとも一方を0.2wt%まで、錫、シリコン及びこれらの
混合物のいずれかから選択される第1の添加物を約0.2wt%まで、カルシウム
、ホウ素、ベリリウム、ジルコニウム、クロム、チタン、及びこれらの任意混合
物のいずれかから選択される第2の添加物を約0.1wt%まで含有し、残部が銅
及び不可避不純物よりなる銅ベース合金、(2)マグネシウムを約0.01〜約0
.25wt%、燐を約0.01wt%〜約0.2wt%、銀を約0.001〜約0.05w
t%未満、鉄を約0.01〜約0.05wt%、ニッケル及び/またはコバルトの少な
くとも一方を約0.05wt%〜約0.2wt%、錫、シリコン及びこれらの混合物の
いずれかから選択される第1の添加物を約0.2wt%まで、カルシウム、ホウ素
、ベリリウム、ジルコニウム、チタン、クロム、及びこれらの任意混合物のいず
れかから選択される第2の添加物を約0.1wt%まで含有し、残部が銅及び不可
避不純物よりなる銅ベース合金、(3)マグネシウムを約0.01〜約0.25wt
%、燐を約0.01wt%〜約0.2wt%、銀を約0.1wt%まで、鉄を約0.05〜
約0.20wt%、ニッケル及び/またはコバルトの少なくとも一方を約0.05wt
%〜約0.2wt%、錫、シリコン及びこれらの混合物のいずれかから選択される第
1の添加物を約0.2wt%まで、カルシウム、ホウ素、ベリリウム、クロム、ジ
ルコニウム、チタン、及びこれらの任意混合物のいずれかから選択される第2の
添加物を約0.1wt%まで含有し、残部が銅及び不可避不純物よりなる銅ベース
合金、(4)マグネシウムを約0.01〜約0.25wt%、燐を約0.01wt%〜約
0.2wt%、銀を約0.001〜約0.1wt%、鉄を約0.05〜約0.25wt%
、ニッケル及びコバルトの少なくとも一方を約0.05wt%〜約0.2wt%、ホウ
素、ベリリウム、カルシウム、クロム、チタン、ジルコニウム及びこれらの任意
混合物のいずれかから選択される第1の添加物を0.1wt%まで、シリコン、錫
及びこれらの混合物から選択される第2の添加物を約0.2wt%まで含有し、残
部が銅及び不可避不純物よりなる銅ベース合金、が挙げられる。
ウムを実質的に約0.1〜約0.25wt%、燐を約0.01〜約0.2wt%、銀を
約0.001〜約0.1wt%、鉄を約0.01〜約0.25wt%、ニッケル及び/
またはコバルトの少なくとも一方を0.2wt%まで、錫、シリコン及びこれらの
混合物のいずれかから選択される第1の添加物を約0.2wt%まで、カルシウム
、ホウ素、ベリリウム、ジルコニウム、クロム、チタン、及びこれらの任意混合
物のいずれかから選択される第2の添加物を約0.1wt%まで含有し、残部が銅
及び不可避不純物よりなる銅ベース合金、(2)マグネシウムを約0.01〜約0
.25wt%、燐を約0.01wt%〜約0.2wt%、銀を約0.001〜約0.05w
t%未満、鉄を約0.01〜約0.05wt%、ニッケル及び/またはコバルトの少な
くとも一方を約0.05wt%〜約0.2wt%、錫、シリコン及びこれらの混合物の
いずれかから選択される第1の添加物を約0.2wt%まで、カルシウム、ホウ素
、ベリリウム、ジルコニウム、チタン、クロム、及びこれらの任意混合物のいず
れかから選択される第2の添加物を約0.1wt%まで含有し、残部が銅及び不可
避不純物よりなる銅ベース合金、(3)マグネシウムを約0.01〜約0.25wt
%、燐を約0.01wt%〜約0.2wt%、銀を約0.1wt%まで、鉄を約0.05〜
約0.20wt%、ニッケル及び/またはコバルトの少なくとも一方を約0.05wt
%〜約0.2wt%、錫、シリコン及びこれらの混合物のいずれかから選択される第
1の添加物を約0.2wt%まで、カルシウム、ホウ素、ベリリウム、クロム、ジ
ルコニウム、チタン、及びこれらの任意混合物のいずれかから選択される第2の
添加物を約0.1wt%まで含有し、残部が銅及び不可避不純物よりなる銅ベース
合金、(4)マグネシウムを約0.01〜約0.25wt%、燐を約0.01wt%〜約
0.2wt%、銀を約0.001〜約0.1wt%、鉄を約0.05〜約0.25wt%
、ニッケル及びコバルトの少なくとも一方を約0.05wt%〜約0.2wt%、ホウ
素、ベリリウム、カルシウム、クロム、チタン、ジルコニウム及びこれらの任意
混合物のいずれかから選択される第1の添加物を0.1wt%まで、シリコン、錫
及びこれらの混合物から選択される第2の添加物を約0.2wt%まで含有し、残
部が銅及び不可避不純物よりなる銅ベース合金、が挙げられる。
【0036】
以下の試験例は、本発明に係る合金により得られる特性を説明するために示さ
れるものである。
れるものである。
【0037】
試験例1
マグネシウムを0.0807%、燐を0.0668%、銀を0.0014%、
鉄を0.1121%を含有し、残部が銅及び不可避不純物である、本発明に係る
第1の合金(以下、合金Aと記載する)をキャスティング即ち鋳造した。マグネシ
ウムを0.108%、燐を0.068%、銀を0.04%含有し、残部が銅及び
不可避不純物である第二の合金(以下、合金Bと記載する)を鋳造した。これら双
方の合金は、9''厚に鋳造された。その後、1554°Fで各合金を熱間圧延して
0.590''に薄くし、急冷し、0.530''にミリングし、0.157''に冷
間圧延し、790°Fで4時間アニーリングした。このアニーリングの後、2つ
の合金のコイルを冷間圧延して0.080''とし、7.5時間の均熱時間で90
0°Fでアニーリングし、冷間圧延して0.040''とし、11時間の均熱時間
で850°Fでアニーリングし、その後に0.0315''〜0.010''の範囲
のゲージで冷間圧延した。
鉄を0.1121%を含有し、残部が銅及び不可避不純物である、本発明に係る
第1の合金(以下、合金Aと記載する)をキャスティング即ち鋳造した。マグネシ
ウムを0.108%、燐を0.068%、銀を0.04%含有し、残部が銅及び
不可避不純物である第二の合金(以下、合金Bと記載する)を鋳造した。これら双
方の合金は、9''厚に鋳造された。その後、1554°Fで各合金を熱間圧延して
0.590''に薄くし、急冷し、0.530''にミリングし、0.157''に冷
間圧延し、790°Fで4時間アニーリングした。このアニーリングの後、2つ
の合金のコイルを冷間圧延して0.080''とし、7.5時間の均熱時間で90
0°Fでアニーリングし、冷間圧延して0.040''とし、11時間の均熱時間
で850°Fでアニーリングし、その後に0.0315''〜0.010''の範囲
のゲージで冷間圧延した。
【0038】
各合金の引っ張り強度及び電気伝導率を、異なるゲージで測定した。その結果
を表1に示す。
を表1に示す。
【0039】
【表1】
上述のことから以下のことが示される:
i)本発明に係る合金の引っ張り強度は、各温度において、一貫して他方の合金
よりも高い値を示した。また、伝導率が純粋な銅に近づくにつれて合金が非常に
リーンに、即ち薄くなるということから、この差異は非常に重要である。
よりも高い値を示した。また、伝導率が純粋な銅に近づくにつれて合金が非常に
リーンに、即ち薄くなるということから、この差異は非常に重要である。
【0040】
ii)本発明に係る合金の電気伝導率は、同様なリダクション及びテンパーにお
いて、一貫して高くなっている。
いて、一貫して高くなっている。
【0041】
iii)各テンパーにおける強度電気伝導率ファクターは、本発明に係る合金が高
い。本発明に係る合金の平均は、他方の合金に比較して、約7%高い。他方の合
金は、既存の高電気伝導率銅合金に比較して、既に強度及び電気伝導率のピーク
を示していることから、このことは、非常に重要である。 試験例2 試験例1に示される組成を有する本発明に係る合金は、0.160''ソフトニ
ング即ち軟化され、0.030''に圧延され、900°Fで10時間アニーリン
グされ、その後に0.003''ゲージに圧延された。このように処理された合金
は、82.65ksiの引っ張り強度を示し、伸び率(elongation)3.0%、電気
伝導率90.15%IACS、及び強度×電気伝導率ファクター7,451を示した
。このことから、純粋な銅に比較して強度×電気伝導率ファクターが約24%向
上していて、現在最も優秀な合金に比較して約16.5%向上していることが示
される。
い。本発明に係る合金の平均は、他方の合金に比較して、約7%高い。他方の合
金は、既存の高電気伝導率銅合金に比較して、既に強度及び電気伝導率のピーク
を示していることから、このことは、非常に重要である。 試験例2 試験例1に示される組成を有する本発明に係る合金は、0.160''ソフトニ
ング即ち軟化され、0.030''に圧延され、900°Fで10時間アニーリン
グされ、その後に0.003''ゲージに圧延された。このように処理された合金
は、82.65ksiの引っ張り強度を示し、伸び率(elongation)3.0%、電気
伝導率90.15%IACS、及び強度×電気伝導率ファクター7,451を示した
。このことから、純粋な銅に比較して強度×電気伝導率ファクターが約24%向
上していて、現在最も優秀な合金に比較して約16.5%向上していることが示
される。
【0042】
試験例3
リーンな銅合金は、強度と電気伝導率の良好な組み合わせが得られるが、これ
らの合金の問題点となるのは、高温での耐軟化性である。
らの合金の問題点となるのは、高温での耐軟化性である。
【0043】
多くの用途において、パーツは、数分という短い周期で比較的高温にさらされ
る。このように熱にさらされたときにどれくらい強度が残っているかということ
は、これらの用途において非常に重要である。
る。このように熱にさらされたときにどれくらい強度が残っているかということ
は、これらの用途において非常に重要である。
【0044】
試験例1に示される合金A、Bのサンプルを、異なるテンパー(圧延され3分
間塩浴として)にて、2つの異なる温度に3分間さらされた。
間塩浴として)にて、2つの異なる温度に3分間さらされた。
【0045】
第1の温度は、710°Fであり、第2の温度は800°Fであった。表2にそ
の結果を示す。
の結果を示す。
【0046】
【表2】
上述の結果から、本発明に係る合金は、710°F及び800°Fにさらされた
後に、より高い強度であることが示される。800°Fにさらされた場合、本発
明に係る合金は、710°Fの場合に比較して、どのテンパーでも初期強度から
10〜12%の範囲内の非常に小さな落ち込みしかしめさなかった。他方の合金
は、強度が10〜35%落ち込みを示した。明らかに、これらの結果から、本発
明に係る合金は、耐熱軟化性が向上していることが示される。
後に、より高い強度であることが示される。800°Fにさらされた場合、本発
明に係る合金は、710°Fの場合に比較して、どのテンパーでも初期強度から
10〜12%の範囲内の非常に小さな落ち込みしかしめさなかった。他方の合金
は、強度が10〜35%落ち込みを示した。明らかに、これらの結果から、本発
明に係る合金は、耐熱軟化性が向上していることが示される。
【0047】
試験例4
試験例1に示される合金のサンプルを、グッドウェイベンズ(goodoway bends)
とバッドウェイベンズ(badway bends)にて、厚みの10倍の幅にてサンプルを曲
げることで成形性の試験が行われた。2つの異なる焼き戻し(temper)、エクスト
ラハードとエクストラスプリングにおける結果を、以下の表3に示す。表3で用
いられるように、”MBR/t”は、クラックが生じないで曲げることができる
最小半径を示す。
とバッドウェイベンズ(badway bends)にて、厚みの10倍の幅にてサンプルを曲
げることで成形性の試験が行われた。2つの異なる焼き戻し(temper)、エクスト
ラハードとエクストラスプリングにおける結果を、以下の表3に示す。表3で用
いられるように、”MBR/t”は、クラックが生じないで曲げることができる
最小半径を示す。
【0048】
【表3】
上述の結果から、本発明に係る合金は、高い強度を有する一方で優れた成形性
を維持していることが示される。
を維持していることが示される。
【0049】
試験例1の合金のマイクロストラクチャーも調べた。その結果、合金Aは合金
Bに比較してマグネシウム燐化物パーティクルが2倍であることがわかった。更
に、合金A中の鉄燐化物パーティクル数は、マグネシウム燐化物パーティクルの
2倍であった。
Bに比較してマグネシウム燐化物パーティクルが2倍であることがわかった。更
に、合金A中の鉄燐化物パーティクル数は、マグネシウム燐化物パーティクルの
2倍であった。
【0050】
本発明に係る合金の他の実施例は、実質的に、マグネシウムを約0.005〜
約0.25wt%、燐を約0.005wt%〜約0.2wt%、ニッケル、コバルト及び
その混合物から選択される少なくとも一つの元素を約0.05wt%〜約0.2wt%
、好適には約0.11%〜約0.20%含有し、残部が銅及び不可避不純物より
なる銅ベース合金である。これらの合金は、典型的には、合金マトリクスに燐化
物パーティクルが均一に分散されており、その燐化物パーティクルのピークサイ
ズは、約0.2ミクロンである。これら燐化物パーティクルは、合金を強化する
一方、その成形性及び延性には、何ら悪影響を及ぼさない。
約0.25wt%、燐を約0.005wt%〜約0.2wt%、ニッケル、コバルト及び
その混合物から選択される少なくとも一つの元素を約0.05wt%〜約0.2wt%
、好適には約0.11%〜約0.20%含有し、残部が銅及び不可避不純物より
なる銅ベース合金である。これらの合金は、典型的には、合金マトリクスに燐化
物パーティクルが均一に分散されており、その燐化物パーティクルのピークサイ
ズは、約0.2ミクロンである。これら燐化物パーティクルは、合金を強化する
一方、その成形性及び延性には、何ら悪影響を及ぼさない。
【0051】
所望で有れば、銀を約0.00〜約0.1wt%合金に加えることができる。
【0052】
これらの合金は、錫、シリコン、及びその混合物から選択される少なくとも一
つの添加元素を含むようにしてもよい。この少なくとも一つの添加元素は、約0
.2wt%未満で含有させることもできる。通常、これらの元素の一つは、少なく
とも約0.001wt%が添加される。
つの添加元素を含むようにしてもよい。この少なくとも一つの添加元素は、約0
.2wt%未満で含有させることもできる。通常、これらの元素の一つは、少なく
とも約0.001wt%が添加される。
【0053】
これらの合金は、ホウ素、ベリリウム、カルシウム、ジルコニウム、クロム、
チタン、及びこれらの混合物から選択される約0.1wt%までの少なくとも1つ
の添加元素を含むこともできる。
チタン、及びこれらの混合物から選択される約0.1wt%までの少なくとも1つ
の添加元素を含むこともできる。
【0054】
所望であれば、鉄を約0.01〜約0.05wt%これらの合金に添加すること
で、強度を向上させることができる。
で、強度を向上させることができる。
【0055】
上述の範囲の量でのニッケル及び/又はコバルトは、粒を精細にすることで強
度を向上することから、添加が望ましい。加えて、電気伝導率にも良い影響を与
える。コバルトが添加される場合、Co:Pの比が4:1〜6:1の間となるよう
に加えることが好ましい。
度を向上することから、添加が望ましい。加えて、電気伝導率にも良い影響を与
える。コバルトが添加される場合、Co:Pの比が4:1〜6:1の間となるよう
に加えることが好ましい。
【0056】
上述の燐の添加により、金属が酸化されない状態のままに維持され、燐に設定
された限度内で、清浄な金属を鋳造することが可能となる。鋳造された合金の熱
処理により、燐は、ニッケル及びマグネシウム及び/またはコバルト及びマグネ
シウム及び/またはこれらの元素の組み合わせと燐化物を形成し、電気伝導率の
損失を少なくさせる。もしもこれらの物質が完全にマトリクス中に固溶体で存在
すると、電気伝導率の損失が生じてしまう。例えば、燐が0.01%固溶体中に
存在すると、電気伝導率は8%IACS低下する。コバルトが0.01%固溶体
中に存在すると、電気伝導率が更に4.0%IACS低下する。ニッケルが0.
01%固溶体中に存在すると、電気伝導率が更に1.0IACS低下する。
された限度内で、清浄な金属を鋳造することが可能となる。鋳造された合金の熱
処理により、燐は、ニッケル及びマグネシウム及び/またはコバルト及びマグネ
シウム及び/またはこれらの元素の組み合わせと燐化物を形成し、電気伝導率の
損失を少なくさせる。もしもこれらの物質が完全にマトリクス中に固溶体で存在
すると、電気伝導率の損失が生じてしまう。例えば、燐が0.01%固溶体中に
存在すると、電気伝導率は8%IACS低下する。コバルトが0.01%固溶体
中に存在すると、電気伝導率が更に4.0%IACS低下する。ニッケルが0.
01%固溶体中に存在すると、電気伝導率が更に1.0IACS低下する。
【0057】
従って、90%以上のIACS電気伝導率を達成するには、ソリューションあ
るいは固溶体中に存在する燐及びその他の合金中の元素の存在量をできる限り小
さくする必要がある。
るいは固溶体中に存在する燐及びその他の合金中の元素の存在量をできる限り小
さくする必要がある。
【0058】
上述の目的を達成するために、マグネシウムが上述の範囲で合金に添加される
。更に、マグネシウムは、Mg:P比が1.0以上になるよう添加される。更に
、合金を形成する元素の組成は、電気伝導率の影響から、P,Co及び/または
Ni(添加された場合)が燐化物として最大限に存在し、ソリューションには存
在しないか、あるいは最小限となるように選択される。一方、マグネシウムは、
ソリューションに残っていたとしても、電気伝導率の低下は非常に小さいので、
マグネシウムがソリューションにある程度残留するような比率で添加される。こ
の残留マグネシウムによって、コバルトやニッケル等の元素と結合していない燐
がすべてマグネシウムと結合する(マグネシウム燐化物ッパーティクルが形成さ
れる)ことが確実となる。
。更に、マグネシウムは、Mg:P比が1.0以上になるよう添加される。更に
、合金を形成する元素の組成は、電気伝導率の影響から、P,Co及び/または
Ni(添加された場合)が燐化物として最大限に存在し、ソリューションには存
在しないか、あるいは最小限となるように選択される。一方、マグネシウムは、
ソリューションに残っていたとしても、電気伝導率の低下は非常に小さいので、
マグネシウムがソリューションにある程度残留するような比率で添加される。こ
の残留マグネシウムによって、コバルトやニッケル等の元素と結合していない燐
がすべてマグネシウムと結合する(マグネシウム燐化物ッパーティクルが形成さ
れる)ことが確実となる。
【0059】
本発明に係る合金は、熱処理されて、約500〜約2000オングストローム
のマグネシウム燐化物パーティクルを形成する。マグネシウム燐化物パーティク
ルは、合金マトリクス中に均一に分散される。
のマグネシウム燐化物パーティクルを形成する。マグネシウム燐化物パーティク
ルは、合金マトリクス中に均一に分散される。
【0060】
本発明に係る合金は、冷間加工された状態では、80ksiを超える強度を示し
、電気伝導率は90%IACSとなる。本発明に係る合金の電気伝導率は、ソフ
トテンパー(穏やかな焼き戻し)では、95%IACSに達しうる。
、電気伝導率は90%IACSとなる。本発明に係る合金の電気伝導率は、ソフ
トテンパー(穏やかな焼き戻し)では、95%IACSに達しうる。
【0061】
本発明に係る合金は、図に示す用に得られる。この合金は、従来知られている
任意の適当な連続式あるいは非連続式の鋳造技術を用いて製造することができる
。例えば、この合金は、平打ち方式あるいはホリゾンタルキャスティング技術、
ダイレクト−チルキャスティング技術、縦打ち方式あるいはバーティカルキャス
ティング技術等を用いて鋳造することができる。鋳造後、この合金を所望のゲー
ジにて約1200°F〜1600°Fで熱間加工することもできる。熱間加工には
、熱間圧延だけでなく、その他の任意の適当な技術を含んでも良い。熱間加工後
の典型的なゲージは、約0.400インチ〜約0.600インチである。
任意の適当な連続式あるいは非連続式の鋳造技術を用いて製造することができる
。例えば、この合金は、平打ち方式あるいはホリゾンタルキャスティング技術、
ダイレクト−チルキャスティング技術、縦打ち方式あるいはバーティカルキャス
ティング技術等を用いて鋳造することができる。鋳造後、この合金を所望のゲー
ジにて約1200°F〜1600°Fで熱間加工することもできる。熱間加工には
、熱間圧延だけでなく、その他の任意の適当な技術を含んでも良い。熱間加工後
の典型的なゲージは、約0.400インチ〜約0.600インチである。
【0062】
熱間加工の後に、所望により、合金を焼き入れし、必要で有れば1200°F
〜1600°Fで少なくとも1時間均質化する。その後、合金をミリングして、
片側0.020インチ〜約0.050インチの物質を除去する。焼き入れ、均質
化、及びミリングは、従来知られている任意の適切な装置や技術を用いることで
行うことができる。 ミリングの後に、本発明に係る合金を冷間加工、例えば冷間圧延等を行ってミ
リングされた状態からフィニッシュゲージとし、合金が所望の焼き戻し状態とな
るまで、約700°F〜1200°Fの範囲の温度で1〜20時間のアニーリング
を少なくとも一回行うようにしてもよい。各アニーリングには、一時間あたり2
0〜200°Fの冷却率での穏やかな冷却を含むようにしてもよい。通常、中間
アニーリングを伴う一連の冷間圧延ステップが行われる。合金がファイナルゲー
ジに冷間圧延された後に、合金に応力緩和アニーリングを約300〜約750°
Fで少なくとも1時間行うようにしてもよい。
〜1600°Fで少なくとも1時間均質化する。その後、合金をミリングして、
片側0.020インチ〜約0.050インチの物質を除去する。焼き入れ、均質
化、及びミリングは、従来知られている任意の適切な装置や技術を用いることで
行うことができる。 ミリングの後に、本発明に係る合金を冷間加工、例えば冷間圧延等を行ってミ
リングされた状態からフィニッシュゲージとし、合金が所望の焼き戻し状態とな
るまで、約700°F〜1200°Fの範囲の温度で1〜20時間のアニーリング
を少なくとも一回行うようにしてもよい。各アニーリングには、一時間あたり2
0〜200°Fの冷却率での穏やかな冷却を含むようにしてもよい。通常、中間
アニーリングを伴う一連の冷間圧延ステップが行われる。合金がファイナルゲー
ジに冷間圧延された後に、合金に応力緩和アニーリングを約300〜約750°
Fで少なくとも1時間行うようにしてもよい。
【0063】
以上、合金の処理には熱間加工が含まれるとして説明したが、このステップは
、必要でなければ、省略することが可能である。
、必要でなければ、省略することが可能である。
【0064】
本発明の他の実施例により得ることができる例示的な実施例としては、(1)実
質的にマグネシウムを約0.07〜約0.25wt%、燐を約0.01wt%〜約0.
2wt%、ニッケル及びコバルトの少なくとも一方を約0.2wt%まで、残部が銅及
び不可避不純物よりなる銅ベース合金であってマグネシウム:燐の比が1.0よ
り大きいもの、(2)実質的にマグネシウムを約0.005〜約0.06wt%未満
、燐を約0.005wt%〜約0.05wt%、ニッケル及びコバルトの少なくとも一
方を約0.2wt%まで、鉄を約0.05wt%未満、残部が銅及び不可避不純物より
なる銅ベース合金であってマグネシウム:燐の比が1.0より大きいもの、が挙
げられる。
質的にマグネシウムを約0.07〜約0.25wt%、燐を約0.01wt%〜約0.
2wt%、ニッケル及びコバルトの少なくとも一方を約0.2wt%まで、残部が銅及
び不可避不純物よりなる銅ベース合金であってマグネシウム:燐の比が1.0よ
り大きいもの、(2)実質的にマグネシウムを約0.005〜約0.06wt%未満
、燐を約0.005wt%〜約0.05wt%、ニッケル及びコバルトの少なくとも一
方を約0.2wt%まで、鉄を約0.05wt%未満、残部が銅及び不可避不純物より
なる銅ベース合金であってマグネシウム:燐の比が1.0より大きいもの、が挙
げられる。
【0065】
他の合金との比較での、本発明の合金における強度の向上、電気伝導率の向上
、良好な成形性、及び耐軟化性の向上は、マグネシウム及び燐の沈澱量を増加さ
せることにより説明される。上述した第1の合金の実施例では、これらの特性の
向上は、鉄燐化物として更に多くの燐が結合していること、及び上述のパティキ
ュラーサイズでの鉄燐化物の存在にもよるものである。
、良好な成形性、及び耐軟化性の向上は、マグネシウム及び燐の沈澱量を増加さ
せることにより説明される。上述した第1の合金の実施例では、これらの特性の
向上は、鉄燐化物として更に多くの燐が結合していること、及び上述のパティキ
ュラーサイズでの鉄燐化物の存在にもよるものである。
【0066】
本発明によれば、上述の本願発明の利点、目的及び手段を満足する銅−マグネ
シウムー燐合金が得られていることは明白である。本発明は、特定の実施例によ
り説明されたが、その他のバリエーション、代替物、及び修正等が当業者によっ
て行い得ることは明らかである。従って、このようなバリエーション、代替例、
修正例等は、本願発明の趣旨及び範囲内に属するものである。
シウムー燐合金が得られていることは明白である。本発明は、特定の実施例によ
り説明されたが、その他のバリエーション、代替物、及び修正等が当業者によっ
て行い得ることは明らかである。従って、このようなバリエーション、代替例、
修正例等は、本願発明の趣旨及び範囲内に属するものである。
【図1】
本発明に係る銅合金の処理の概要の説明図である。
【手続補正書】特許協力条約第34条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成13年6月20日(2001.6.20)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考)
C22F 1/00 681 C22F 1/00 681
682 682
683 683
685 685Z
686 686B
691 691B
692 692A
694 694B
(81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY,
DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I
T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ
,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML,
MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K
E,LS,MW,MZ,SD,SL,SZ,TZ,UG
,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,
RU,TJ,TM),AE,AG,AL,AM,AT,
AU,AZ,BA,BB,BG,BR,BY,CA,C
H,CN,CR,CU,CZ,DE,DK,DM,DZ
,EE,ES,FI,GB,GD,GE,GH,GM,
HR,HU,ID,IL,IN,IS,JP,KE,K
G,KP,KR,KZ,LC,LK,LR,LS,LT
,LU,LV,MA,MD,MG,MK,MN,MW,
MX,MZ,NO,NZ,PL,PT,RO,RU,S
D,SE,SG,SI,SK,SL,TJ,TM,TR
,TT,TZ,UA,UG,US,UZ,VN,YU,
ZA,ZW
(72)発明者 バーガヴァ、アショク ケイ.
アメリカ合衆国,コネチカット 06410,
チェシア,チャールズ ドライブ 393
Claims (37)
- 【請求項1】 マグネシウムを約0.01〜約0.25wt%、リンを約0.
01〜約0.2wt%、銀を約0.001〜約0.1wt%、鉄を約0.01〜
0.25wt%含み、残部が銅及び不可避不純物である、銅ベース合金。 - 【請求項2】 更に、ニッケル、コバルト及びこれらの混合物のうちから選択
される添加物を約0.2wt%まで、錫、シリコン及びこれらの混合物から選択さ
れる少なくとも一つの添加成分を約0.2wt%まで、及び、ホウ素、ベリリウム
、カルシウム、クロム、ジルコニウム、チタン、及びこれらの任意混合物から選
択される少なくとも一つの添加成分を約0.1wt%まで含む、請求項1記載の銅
ベース合金。 - 【請求項3】 前記ニッケル、コバルト及び/またはその混合物から選択され
る添加物は、約0.11〜約0.20wt%の量で存在する、請求項2記載の銅ベ
ース合金。 - 【請求項4】 前記マグネシウムは、約0.07〜約0.15wt%の範囲で添
加される、請求項1記載の銅ベース合金。 - 【請求項5】 前記鉄は、約0.01〜約0.2の範囲で添加される、請求項
1記載の銅ベース合金。 - 【請求項6】 前記鉄添加物は、約0.01〜最大0.05wt%の範囲で存在
し、前記ニッケル、コバルト及び/またはその混合物から選択される前記添加物
は、約0.05%〜約0.2%の選択された添加物で存在する、請求項1記載の
銅ベース合金。 - 【請求項7】 錫、シリコン、及びその混合物から選択される少なくとも一つ
の添加成分を約0.2wt%まで含み、ホウ素、ベリリウム、カルシウム、クロム
、ジルコニウム、チタン及びこれらの任意混合物から選択される少なくとも一つ
の他の添加成分を約0.1wt%まで含む、請求項6記載の銅ベース合金。 - 【請求項8】 前記鉄の量は、約0.05wt%〜約0.25wt%の範囲内にあり
、かつ、前記合金は、更に、ニッケル、コバルト及びその混合物から選択される
添加剤を約0.05%〜約0.2%含む、請求項1記載の銅ベース合金。 - 【請求項9】 ニッケル、コバルト及び/またはこれらの混合物から選択され
る前記添加物は、約0.11〜約0.20wt%の範囲内であり、前記合金は、更
に、錫、シリコン、及びこれらの混合物から選択される少なくとも一つの添加成
分を約0.2wt%まで含み、ホウ素、ベリリウム、カルシウム、クロム、ジルコ
ニウム、チタン及びこれらの任意混合物から選択される少なくとも一つの他の添
加成分を約0.1wt%まで含む、請求項8記載の銅ベース合金。 - 【請求項10】 錫、シリコン、及びこれらの混合物から選択される少なくと
も一つの添加成分を約0.2wt%まで含み、ホウ素、ベリリウム、カルシウム、
クロム、ジルコニウム、チタン及びこれらの混合物から選択された少なくとも一
つの他の添加成分を約0.1wt%まで含む、請求項8記載の銅ベース合金。 - 【請求項11】 前記マグネシウム:燐の比は、1.0より大きく、前記合金
は、無視し得る量の鉄及び前記燐添加物を固溶体で約5%未満含み、かつ、前記
合金は、マグネシウムを約0.035%以下含む、請求項1記載の銅ベース合金
。 - 【請求項12】 前記合金は、そのパーティクルサイズが約500〜約200
0オングストロームであるマグネシウム燐化物パーティクルと、鉄燐化物パーテ
ィクルと、を含み、前記鉄燐化物パーティクルは、そのパーティクルサイズが約
1000オングストローム〜約2000オングストロームの範囲内にある粗粒鉄
燐化物パーティクルと、そのパーティクルサイズが約250オングストローム〜
約600オングストロームの範囲内にある細粒鉄燐化物パーティクルと、を含む
、請求項1記載の銅ベース合金。 - 【請求項13】 前記合金は、マトリクスを含み、前記マグネシウム燐化物パ
ーティクル及び前記鉄燐化物パーティクルは、前記マトリクスに均一に分散され
ており、前記粗粒鉄燐化物パーティクルと前記細粒鉄燐化物パーティクルとの比
は、約1:3〜約1:6である、請求項12記載の銅ベース合金。 - 【請求項14】 引っ張り強度が80ksiを超え、電気伝導率が90%IAC
Sより大きく、強度×電気伝導率ファクターが7400よりも大きく、180度
でのバッドウェイMBR/tが2.0以下で、180度でのグッドウェイMBR/tが0.
5、及び、90度でのバッドウェイMBR/tが0.5以下で、90度でのグッドウ
ェイMBR/tが約0である、請求項1記載の銅ベース合金。 - 【請求項15】 マグネシウムを約0.07〜約0.25wt%、燐を約0.0
1〜約0.2wt%、ニッケル、コバルト、及びこれらの混合物から選択される少
なくとも一つの成分を約0.05〜約0.2wt%含み、残部が銅及び不可避不純
物であり、前記マグネシウムの燐に対する比が1.0より大きいことを特徴とす
る銅ベース合金。 - 【請求項16】 更に、鉄を約0.01〜約0.05wt%含む、請求項15記
載の銅合金。 - 【請求項17】 更に銀を約0.001〜約0.1wt%含む、請求項15記載
の銅合金。 - 【請求項18】 前記ニッケル、コバルト、及びこれらの混合物から選択され
る少なくとも一つの成分は、約0.11〜約0.20wt%存在し、前記合金は、
更に、錫、シリコン、及びこれらの混合物から選択される少なくとも一つの添加
成分を約0.2wt%まで含み、かつ、ホウ素、ベリリウム、カルシウム、クロム
、ジルコニウム、チタン、及びこれらの任意混合物から選択される更に少なくと
も一つの添加成分を約0.1wt%まで含む、請求項15記載の銅ベース合金。 - 【請求項19】 引っ張り強度が80ksiを超え、ソフト焼き戻しで電気伝導
率が90%I.A.C.S.より大きく、強度×電気伝導率ファクターが7400よ
りも大きく、180度でのバッドウェイMBR/tが2.0以下で、180度でのグ
ッドウェイMBR/tが0.5、及び、90度でのバッドウェイMBR/tが0.5以下で
、90度でのグッドウェイMBR/tが約0である、請求項15記載の銅ベース合金
。 - 【請求項20】 銅ベース合金であって、マグネシウムを約0.01〜約0.
25wt%、燐を約0.01〜約0.2wt%、鉄を約0.05wt%まで、ニッケル、
コバルト、及びこれらの混合物から選択される添加物を約0.2wt%まで含み、
残部が銅及び不可避不純物であるとともに、前記合金は、前記マグネシウムの燐
に対する比が約1.0より大きいことを特徴とする銅ベース合金。 - 【請求項21】 更に、錫、シリコン、及びこれらの混合物から選択される添
加物を約0.2wt%まで含み、ホウ素、ベリリウム、カルシウム、クロム、チタ
ン、ジルコニウム、及びこれらの任意混合物から選択される添加物を約0.1wt
%まで含む、請求項20記載の銅ベース合金。 - 【請求項22】 ニッケル、コバルト及びこれらの混合物から選択される前記
添加物は、約0.11〜約0.20wt%の範囲にある、請求項20記載の銅ベー
ス合金。 - 【請求項23】 銅ベース合金であって、マグネシウムを約0.005wt%か
ら最大約0.06wt%、燐を約0.005wt%〜最大約0.05wt%、鉄を約0.
05wt%未満、ニッケル、コバルト、及びこれらの混合物から選択される添加物
を約0.2wt%まで含み、残部が銅及び不可避不純物であるとともに、前記合金
は、マグネシウムの燐に対する比が最小で1.0であることを特徴とする銅ベー
ス合金。 - 【請求項24】 前記マグネシウムの燐に対する比が1.0より大きい、請求
項23記載の銅ベース合金。 - 【請求項25】 ニッケル、コバルト及びこれらの混合物から選択される前記
添加物は、約0.11〜約0.20wt%の範囲にある、請求項23記載の銅ベー
ス合金。 - 【請求項26】 更に、錫、シリコン、及びこれらの混合物から選択される添
加物を約0.2wt%まで含み、ホウ素、ベリリウム、カルシウム、クロム、チタ
ン、ジルコニウム、及びこれらの任意混合物から選択される添加物を約0.1wt
%まで含む、請求項23記載の銅ベース合金。 - 【請求項27】 電気伝導率が少なくとも90%IACSで、引っ張り強度が
80ksiである銅ベース合金の製造方法であって、 実質的に、マグネシウムを約0.1〜約0.25wt%、リンを約0.01〜
約0.2wt%、銀を約0.001〜約0.1wt%、鉄を約0.01〜0.2
5wt%含み、残部が銅及び不可避不純物である合金を鋳造するステップと、 マグネシウム燐化物パーティクルが約500〜約2000オングストロームで
存在し、かつ約1000〜約2000オングストロームの粗粒鉄燐化物パーティ
クルと、約250〜約600オングストロームの細粒鉄燐化物パーティクルが形
成されるように前記鋳造された合金を熱処理するステップと、を有する方法。 - 【請求項28】 前記熱処理ステップは、少なくとも一回、前記鋳造された合
金を焼き入れして前記合金を約1200°F〜1600°Fの範囲で少なくとも1
時間均質化する、請求項27記載の方法。 - 【請求項29】 前記熱処理ステップは、前記鋳造された合金を約1200°
F〜1600°Fで熱間加工するステップを含む、請求項27記載の方法。 - 【請求項30】 前記熱処理ステップは、更に、前記合金をフィニッシュゲー
ジに冷間加工するステップを含み、前記冷間加工するステップは、約700°F
〜約1200°Fの温度範囲で1〜20時間行われる中間アニーリングを少なく
とも1回含んだマルチプル冷間圧延ステップを実行することを含む、請求項29
記載の方法。 - 【請求項31】 更に、前記各アニーリングの後に前記合金に一時間あたり2
0〜200°Fの穏やかな冷却を行い、かつ、フィニッシュゲージで約300°F
〜約750°Fにて少なくとも1時間応力除去アニーリングを前記合金に対して
行うことを特徴とする、請求項30記載の方法。 - 【請求項32】 電気伝導率が少なくとも90%IACSで引っ張り強度が8
0ksiである銅ベース合金の製造方法であって、 実質的に、マグネシウムを約0.07〜約0.25wt%、リンを約0.01
〜約0.2wt%、ニッケル、コバルト、及びこれらの混合物から選択される少
なくとも一つの成分を約0.2wt%までの実効量、鉄を約0.5wt%まで含み、残
部が銅及び不可避不純物である合金であってマグネシウムの燐に対する比が少な
くとも1.0である合金を鋳造するステップと、 約500〜約2000オングストロームで前記合金のマトリクスに均一に分散
されたマグネシウム燐化物パーティクルが形成されるように前記鋳造された合金
を熱処理するステップと、を含むことを特徴とする方法。 - 【請求項33】 前記熱処理ステップは、少なくとも一回、前記鋳造された合
金を焼き入れして前記合金を約1200°F〜1600°Fの範囲で少なくとも1
時間均質化するステップを含む、請求項32記載の方法。 - 【請求項34】 前記熱処理ステップは、約1200°F〜約1600°Fで前
記合金を熱間加工するステップを含む、請求項32記載の方法。 - 【請求項35】 前記熱処理ステップは、更に、前記合金をフィニッシュゲー
ジに冷間加工するステップを含み、前記冷間加工するステップは、約700°F
〜約1200°Fの温度範囲で1〜20時間行われる中間アニーリングを少なく
とも1回含んだマルチプル冷間圧延ステップを実行することを含む、請求項32
記載の方法。 - 【請求項36】 更に、前記各アニーリングの後に前記合金に一時間あたり2
0〜200°Fの穏やかな冷却を行い、かつ、フィニッシュゲージで約300°F
〜約750°Fにて少なくとも1時間応力除去アニーリングを前記合金に対して
行うことを特徴とする、請求項35記載の方法。 - 【請求項37】 マグネシウムを約0.01〜約0.25wt%、燐を約0.0
1wt%〜約0.2wt%、銀を約0.001wt%〜約0.1wt%、鉄を約0.05〜約
0.25wt%、ニッケル、コバルト及び/またはこれらの混合物から選択される第
1の添加物を約0.05wt%〜約0.2wt%、ホウ素、ベリリウム、カルシウム、
クロム、チタン、ジルコニウム及びこれらの任意混合物のいずれかから選択され
る第2の添加物を約0.1wt%まで、シリコン、錫、及びこれらの混合物から選
択される第3の添加物を約0.2wt%まで含み、残部が銅及び不可避不純物であ
る銅ベース合金。
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JPS5832220B2 (ja) | 1976-08-09 | 1983-07-12 | 古河電気工業株式会社 | 耐軟化性銅合金 |
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JPS5547337A (en) | 1978-10-02 | 1980-04-03 | Hitachi Cable Ltd | Heat resisting highly conductive copper alloy |
JPS58199835A (ja) * | 1982-05-19 | 1983-11-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電気又は電子機器用銅合金 |
JPS59232244A (ja) * | 1983-06-16 | 1984-12-27 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 耐軟化高伝導性銅合金 |
US4605532A (en) | 1984-08-31 | 1986-08-12 | Olin Corporation | Copper alloys having an improved combination of strength and conductivity |
JPS6160846A (ja) | 1984-08-31 | 1986-03-28 | Tamagawa Kikai Kinzoku Kk | 半導体装置用銅合金リ−ド材 |
IT1196620B (it) | 1986-09-11 | 1988-11-16 | Metalli Ind Spa | Lega metallica a base di rame di tipo perfezionato,particolarmente per la costruzione di componenti elettronici |
US4908275A (en) | 1987-03-04 | 1990-03-13 | Nippon Mining Co., Ltd. | Film carrier and method of manufacturing same |
JPH01263238A (ja) * | 1988-04-12 | 1989-10-19 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 高強度高導電性銅合金 |
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JP3796784B2 (ja) | 1995-12-01 | 2006-07-12 | 三菱伸銅株式会社 | コネクタ製造用銅合金薄板およびその薄板で製造したコネクタ |
US5820701A (en) * | 1996-11-07 | 1998-10-13 | Waterbury Rolling Mills, Inc. | Copper alloy and process for obtaining same |
JP3418301B2 (ja) * | 1997-01-09 | 2003-06-23 | 古河電気工業株式会社 | 打抜加工性に優れた電気電子機器用銅合金 |
US5868877A (en) * | 1997-07-22 | 1999-02-09 | Olin Corporation | Copper alloy having improved stress relaxation |
JPH1180863A (ja) * | 1997-09-10 | 1999-03-26 | Kobe Steel Ltd | 耐応力緩和特性及びばね性が優れた銅合金 |
US5893953A (en) * | 1997-09-16 | 1999-04-13 | Waterbury Rolling Mills, Inc. | Copper alloy and process for obtaining same |
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