JP2003347571A - 光起電力素子及び光起電力装置 - Google Patents
光起電力素子及び光起電力装置Info
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Abstract
防止機能を有する光起電力素子及び光起電力装置を提供
する。 【解決手段】 n型のシリコンウェハ1に、i型の水素
化非晶質シリコン層2及びp型の水素化非晶質シリコン
層3を積層して.pin接合を構成する。水素化非晶質
シリコン層3上に、透光性導電膜としてのITO膜4が
形成されている。ITO膜4上に櫛形の集電極5が形成
され、ITO膜4及び集電極5上には、EVA製の樹脂
膜7を介して、アルカリイオンを含んだカバーガラス8
が設置されている。ITO膜4(透光性導電膜)の(2
22)面の配向度を1.0以上、好ましくは1.2以上
で2.6以下、より好ましくは1.4以上で2.5以下
とする。また、水素化非晶質シリコン層3との界面側に
(321)面の配向を有し、残りの部分は(222)面
の配向を主とする。
Description
な半導体層に透光性導電膜が堆積された構造を持つ太陽
電池、光センサ等の光起電力素子、及び、該光起電力素
子を用いた光起電力装置に関する。
システムの導入が急速に進んでいる。太陽光発電システ
ムに用いられる太陽電池には、例えば、n型の結晶系シ
リコンウェハにi型及びp型の各非晶質半導体層、及
び、Snをドープした酸化インジウム膜(以下、ITO
(Indium Tin Oxide)膜と呼ぶ)からなる透光性導電膜
を順次積層させ、透光性導電膜上に集電極を形成したH
IT(Heterojunction with Intrinsic Thin-layer)型
の光起電力素子、または、ガラス,プラスチック若しく
は表面に絶縁膜を形成した金属板等の絶縁性表面を有す
る基板に、裏面電極、n型,i型及びp型の各非晶質半
導体層、ITO膜からなる透光性導電膜,並びに、集電
極をこの順に形成した光起電力素子などが利用される。
モジュールは、一般に屋外に設置されるため、高い耐環
境信頼性が要求されている。そこで、従来では光起電力
素子を製品としてモジュールに組み込む場合、光起電力
素子を保護する目的でカバーガラスが用いられることが
多く、モジュールとして耐環境性の確保がなされてい
る。
は、一般的に、安価なソーダガラスが利用されており、
高湿度等の条件下では、ソーダガラスに含まれるNa,
Li,K等のアルカリイオンが透光性導電膜及び非晶質
半導体層の中へ拡散し、これらに対して悪影響を及ぼす
ことがある。透光性導電膜にアルカリイオンが拡散した
場合、導電性の低下、及び屈折率の異常等が起こり、ま
た、非晶質半導体層の中にアルカリイオンが拡散した場
合、拡散電位変動が起こり、光起電力素子の特性を劣化
させるという問題が生じている。
にアルカリイオンに対する耐性に優れたものであること
が望ましく、透光性導電膜の改善が求められている。し
かも、光起電力素子の透光性導電膜には、高効率化のた
めに高い光透過率と低い電気抵抗とが要求されている。
しかしながら、一般的には、高い光透過率と低い電気抵
抗とを実現するためには、透光性導電膜の結晶性を向上
させる必要があるが、多結晶体であるITOでは結晶粒
が大きくなり、その分結晶粒界の影響も大きくなる。従
って、粒界を経路としたアルカリイオンの拡散が促進さ
れ、耐環境信頼性が低下する虞がある。
て、カバーガラスと透光性導電膜との間に、アルカリイ
オンに対する拡散防止層(例えばSiO2 層)を設ける
ことも考えられるが、拡散防止層を設ける工程が増え、
コストも余計にかかるという問題がある。
であり、不純物をドープした酸化インジウム膜からなる
透光性導電膜の(222)面の配向度を所定範囲にする
ことにより、エネルギ変換効率を低下させることなく、
アルカリイオンの拡散を防止して、耐環境信頼性を高め
ることができる光起電力素子、及び、該光起電力素子を
用いた光起電力装置を提供することを目的とする。
酸化インジウム膜からなる透光性導電膜の表面における
小傾角粒界を含む領域の割合を所定範囲にすることによ
り、エネルギ変換効率を低下させることなく、アルカリ
イオンの拡散を防止して、耐環境信頼性を高めることが
できる光起電力素子、及び、該光起電力素子を用いた光
起電力装置を提供することにある。
表面粗さを所定範囲にする、または、透光性導電膜の酸
化インジウムの結晶粒界の大きさを所定範囲にすること
により、透光性導電膜と集電極との付着強度を大きくで
きる光起電力素子、及び、該光起電力素子を用いた光起
電力装置を提供することにある。
半導体層との界面側に(321)面の配向を有すること
により、エネルギ変換効率を低下させることなく、アル
カリイオンの拡散を防止して、耐環境信頼性を高めるこ
とができる光起電力素子、及び、該光起電力素子を用い
た光起電力装置を提供することにある。
半導体層との界面側における(222)回折強度に対す
る(321)回折強度の比を所定範囲にすることによ
り、アルカリイオン拡散に対する高い防止率を得ること
ができる光起電力素子、及び、該光起電力素子を用いた
光起電力装置を提供することにある。
素子は、非晶質半導体または微結晶半導体からなる半導
体層の光入射側に透光性導電膜を設けている光起電力素
子において、前記透光性導電膜は不純物をドープした酸
化インジウム膜であり、前記透光性導電膜の(222)
面の配向度が1.0以上であることを特徴とする。
半導体層に、(222)面の配向度が1.0以上である
例えばITO膜からなる透光性導電膜を設けているた
め、透光性導電膜自体が、Na,Li,K等のアルカリ
イオンの拡散を防止する機能を有する。従って、特別の
拡散防止層を設ける必要はなく、安価にアルカリイオン
の拡散を防止する。
において、前記(222)面の配向度が1.2以上、
2.6以下であることを特徴とする。
22)面の配向度を1.2以上、2.6以下とする。よ
って、出力特性に関して90%以上の高いアルカリ耐性
を有する。
において、前記(222)面の配向度が1.4以上、
2.5以下であることを特徴とする。
22)面の配向度を1.4以上、2.5以下とする。よ
って、出力特性に関して95%以上の非常に高いアルカ
リ耐性を有する。
体または微結晶半導体からなる半導体層の光入射側に透
光性導電膜を設けている光起電力素子において、前記透
光性導電膜は不純物をドープした酸化インジウム膜であ
り、前記透光性導電膜の表面の40%以上を、小傾角粒
界を含む領域が占めていることを特徴とする。
ばITO膜)の表面を、小傾角粒界を含む領域が40%
以上占めている。よって、透光性導電膜自体がNa,L
i,K等のアルカリイオンに対する拡散防止層となり、
アルカリイオンの拡散は防止される。
4発明の何れかにおいて、前記透光性導電膜の表面に集
電極を備えており、前記透光性導電膜の表面粗さが1.
1以上、3.0以下であることを特徴とする。
ばITO膜)の表面粗さを1.1以上、3.0以下にし
ている。よって、透光性導電膜に対する集電極の付着強
度が大きくなり、長期信頼性が確保される。
において、前記透光性導電膜に含まれる結晶粒径の大き
さが6nm以上、100nm以下であることを特徴とす
る。
ばITO膜)に含まれる結晶粒径の大きさが6〜100
nmである。よって、透光性導電膜に対する集電極の付
着強度が大きくなり、長期信頼性が確保される。
導体または微結晶半導体からなる半導体層の光入射側に
透光性導電膜を設けている光起電力素子において、前記
透光性導電膜は、不純物をドープした酸化インジウム膜
であり、前記半導体層との界面側に(321)面の配向
を有し、前記半導体層との反対側に(222)面の配向
を有することを特徴とする。
ばITO膜)が半導体層との界面側に(321)面の配
向を有し、他の部分は(222)面の配向を主としてい
る。よって、透光性導電膜自体が、Na,Li,K等の
アルカリイオンに対する拡散防止層となり得る。
において、前記透光性導電膜の前記半導体層側の厚さ1
0nmの部分にあって、X線回折により測定した(22
2)回折強度に対する(321)回折強度の比が0.5
以上、2.5以下であることを特徴とする。
ばITO膜)の半導体層側の厚さ10nmの部分におけ
る(222)回折強度に対する(321)回折強度の比
を0.5以上、2.5以下としている。よって、出力特
性に関して98%以上のアルカリ耐性を有する。
〜8の何れかに記載の光起電力素子と、前記透光性導電
膜の光入射側に設けられており、アルカリイオンを含む
透光性部材とを備えることを特徴とする。
れかに記載の光起電力素子と、Na,Li,K等のアル
カリイオンを含む透光性部材とを備えている。よって、
安価にアルカリイオン拡散防止層が設けられて、しか
も、長期信頼性が確保される。
明において、前記半導体層の光入射側とは反対側に設け
られている樹脂フイルムを更に備えることを特徴とす
る。
に備える。よって、長期信頼性が安価に確保される。
示す図面に基づいて具体的に説明する。図1及び図2
は、本発明の光起電力装置の一例を示す斜視図及び模式
的断面図である。図中1は、単結晶シリコン,多結晶シ
リコン等の結晶系半導体からなるn型の結晶系シリコン
ウェハであり、シリコンウェハ1の表面に、i型の水素
化非晶質シリコン層(以下、i型a−Si:H層とい
う)2及びp型の水素化非晶質シリコン層(以下、p型
a−Si:H層という)3を積層形成して、pin接合
を有する半導体層を構成している。
00)シリコンウェハ1を通常洗浄により不純物を除去
した後、公知のRFプラズマCVD法を用いてi型a−
Si:H層2,p型a−Si:H層3を夫々5nm程度
づづ堆積させ、pin接合を形成する。i型a−Si:
H層2,p型a−Si:H層3を堆積させるときの形成
温度は100〜300℃、反応圧力は5〜100Pa、
RFパワーは1〜500mW/cm2 である。p型a−
Si:H層3を形成する際に用いるp型ドーパントとし
ては、13族元素であるB,Al,GaまたはInの何
れかを利用する。SiH4 等のソースガスに、これらの
少なくとも1つを含む化合物ガスを混合することによ
り、p型に制御することが可能となる。
層3は、RFプラズマCVD法以外に、蒸着法,スパッ
タ法,マイクロ波プラズマCVD法,ECR法,熱CV
D法,LPCVD法等、公知手法を用いて形成すること
ができる。なお、半導体層を形成する半導体は、水素,
フッ素の少なくとも一方を含む非晶質または微結晶のS
i,SiGe,SiGeC,SiC,SiN,SiGe
N,SiSn,SiSnN,SiSnO,SiO,G
e,GeC,GeNの何れかでも良い。
膜としてのITO膜4がスパッタ法により形成されてい
る。SnO2 粉末を5wt%混入したIn2 O3 粉末の
焼結体をターゲットとしてカソードに設置する。シリコ
ンウェハ1/i型a−Si:H層2/p型a−Si:H
層3の積層体をカソードに対して平行に対向配置した
後、チャンバーを真空排気する。加熱ヒータによりこの
積層体の温度(基板温度)が25〜250℃になるよう
に保ち、ArとO2 との混合ガス(Ar流量:200〜
800sccm,O2 流量:0〜30sccm)を流し
て圧力を0.4〜1.3Paに保ち、カソードにDC電
力を0.5〜2kW投入して放電を開始する。積層体を
カソードに対し静止させた状態での成膜速度は約67n
m/minである。
は、堆積速度に依存するため、分圧をパラメータとする
よりも、(分圧)/(堆積速度)をパラメータにとる方
が適切である。O2 については、5×10-5〜5×10
-4Pa・min/nmの範囲が好ましい。5×10-4P
a・min/nm以上では、光吸収は低いが比抵抗が高
くなり、変換効率が低下する。一方、5×10-5Pa・
min/nm以下では、電子濃度が高く、光吸収が高い
膜となり、変換効率が低下する。H2 Oについては、成
膜時に2×10-4Pa・min/nm以下が望ましい。
H2 Oの分圧を2×10-4Pa・min/nm以上にし
た場合、電子濃度が6×1020cm-3以上になり、光吸
収が大きく、比抵抗が高くなる。
不活性ガスまたはこれらの混合気体を用いることもでき
る。また、気体放電はパルス変調DC放電、RF,VH
Fまたはマイクロ波放電でも可能である。混入するSn
O2 の量を変えることにより、ITO膜4に含まれるS
n量を変化させることが可能であるが、Inに対するS
nの量は1〜10at%が好ましく、3〜7at%が更
に好ましい。ターゲットの焼結密度は90%以上が好ま
しい。なお、Snの他に、Zn,As,Ca,Cu,
F,Ge,Mg,S,SiまたはTeの少なくとも1つ
を酸化インジウムへのドーパントとして用いても良い。
電膜)の作製工程における各種の条件(基板温度、A
r,O2 の流量、O2 分圧、カソード電圧など)を制御
することにより、作製されるITO膜4の配向性、特に
p型a−Si:H層3との界面近傍における配向性を制
御できる。本発明の特徴部分であるこの配向性の制御に
関しては、後に詳述する。
が形成されている。エポキシ樹脂に銀の微粉末を練り込
んだ銀ペーストをスクリーン印刷法により、高さ10〜
30μm,幅100〜500μmに形成した後、200
℃,80分で焼成硬化することにより、複数の互いに平
行な枝部を有する櫛形の電極と、これらの櫛形の電極に
流れる電流を集めるためのバスバー電極とからなる集電
極5を形成する。
等の金属膜からなる裏面電極6が形成されている。この
裏面電極6は、公知のスパッタリング、抵抗加熱または
エネルギビームによる蒸着処理によって形成する。
上述したような構成部材を有する光起電力素子をモジュ
ールとして組み込んだものである。ITO膜4及び集電
極5上には、例えばEVA(エチレンビニールアセテー
ト)からなる透光性の樹脂膜7が設けられており、更
に、樹脂膜7上には、長期にわたって光起電力素子を保
護する目的で、Na,Li,K等のアルカリイオンを含
んだカバーガラス8が設置されている。また、裏面電極
6には、例えばEVA製の樹脂層9を介して、裏面保護
フィルム10が設けられている。
価試験の結果に基づいて、本発明におけるITO膜(透
光性導電膜)の配向性とナトリウム耐性との関係を述べ
る。まず、配向性及びナトリウム耐性における種々のパ
ラメータについて説明する。
回折により評価することが可能である。結晶面(pq
r)の配向度Q(pqr) は、以下の式で定義される。 Q(pqr) =(I(pqr) /ΣI(hkl) )/(I* (pqr) /
ΣI* (hkl) ) ここで、I(hkl) は、(hkl)面によるX線回折のピ
ーク強度であり、ΣI(hkl) は、すべてのピーク強度に
ついて和を取ることを意味する。また、I* (hkl) は、
粉末試料に対する(hkl)面のピーク強度である。例
えば、(222)配向しているとは、配向度が粉末試料
による平均的な値より高いこと、即ち、シリコンウェハ
1の表面に対して(222)面が平行になっている結晶
粒の割合がランダムな場合より多いことを意味する。
による回折線の強度を測定し、測定した2つの面の回折
強度の比を求めることにより、求めた強度比はITO膜
における配向性の指標となり得る。
価指標となる耐ナトリウム度は、次のように定義する。
耐ナトリウム度は、0.05%のNaHCO3 水溶液
0.1gをITO膜の表面に塗布し、200℃で3時間
放置した場合の光起電力素子の出力の変化率である。具
体的には、上記処理後の最大出力の測定値(以下、Pma
x ′という)の処理前の最大出力の測定値(以下、P
max という)に対する割合、言い換えると、上記処理後
におけるPmax ′をPmax にて規格化した値、即ち、P
max ′/Pmax を耐ナトリウム度と定義する。
下、SEM像という)を表した写真である。図3(a)
は、水素化非晶質シリコン上に形成したITO膜の表面
のSEM像であり、図3(b)は、同一条件でガラス上
に形成したITO膜の表面のSEM像である。図3
(a)及び(b)を比較した場合、ITO結晶の形状が
全く異なることが分かる。このことからITO膜の被堆
積層が水素化非晶質シリコンとガラスとでは、その上に
堆積したITO膜の特性が全く異なることが理解され
る。
性とナトリウム耐性との関係を示すグラフであり、図4
は(222)配向度とPmax との関係を示すグラフ、図
5は(222)配向度とPmax ′との関係を示すグラ
フ、図6は(222)配向度と耐ナトリウム度
(Pmax ′/Pmax )との関係を示すグラフである。
面に対して(222)配向している場合、特に(22
2)配向度が1.0以上であるときに、ナトリウム耐性
が向上することが分かる。また、(222)配向度が
1.2以上、2.6以下である場合に、0.9以上の高
い耐ナトリウム度が得られており、更に、(222)配
向度が1.4以上、2.5以下である場合に、0.95
以上の非常に高い耐ナトリウム度が得られている。この
ようなことから、ITO膜の(222)配向度を適宜の
値に設定することにより、NaHCO3 水溶液の塗布前
と塗布後とで、殆ど出力が変化せず、ナトリウム拡散に
対して高い抑止効果が得られることが分かる。また、図
5,図6の結果から、(222)配向度が1.4以上、
2.5以下の場合には、0.95以上の非常に高い耐ナ
トリウム度を有し、かつナトリウム耐性試験後の出力が
1.88W以上と非常に高い光起電力素子を提供できる
ことが分かる。
2)配向度との関係を示すグラフ、図8は、カソード電
圧の絶対値と耐ナトリウム度との関係を示すグラフであ
る。図7の結果から、半導体層(p型a−Si:H層)
上にITO膜を堆積させる際のカソード電圧の絶対値を
100Vから400Vとした場合、ITO膜の(22
2)配向度は、1.1〜1.5の狭い範囲で変化するこ
とが分かる。一方、図8の結果から、カソード電圧の絶
対値を100Vから増加させた場合、300Vより大き
い領域でナトリウム耐性が悪くなっていることが分か
る。
化させて、ITO膜の表面のSEM像を撮ることによ
り、ITO膜のミクロな配向性とナトリウム耐性との関
係について調べた。図9は、カソード電圧を変化させた
場合のSEM像を表した写真である。図9(a)及び
(b)は、夫々、カソード電圧−280V及び−380
VにおけるITO膜表面のSEM像を示しているが、結
晶粒の形状が大きく異なることが分かる。カソード電圧
が−280Vである場合、隣り合った結晶粒同士は、そ
の方位が殆ど変わらない小傾角粒界になっており、カソ
ード電圧が−380Vである場合、隣り合った結晶粒同
士の方位があまり揃っていないことが分かる。ここで、
小傾角粒界とは、図10の小傾角粒界の模式図に示すよ
うに、結晶の方位が揃った結晶粒からなる表面形状のこ
とであり、表面のSEM像等により容易に判別すること
が可能である。
トリウム度との関係を示すグラフである。ITO膜の表
面に小傾角粒界が占める割合を変化させた場合、小傾角
粒界の割合が40%に達した付近からナトリウム耐性が
向上し、その割合が50%を超えると0.92以上の非
常に高い耐ナトリウム度が得られていることが分かる。
ナトリウム拡散には、結晶のマクロな配向性に加えて、
ミクロな配向性が重要であることが判明した。隣り合う
結晶粒の方位が略揃っていて、小傾角粒界となっている
場合、ナトリウムの拡散係数を小さくすることができる
と考えられる。即ち、多結晶のITO膜に関し、その表
面が小傾角粒界で分かれた領域が大きい程、ナトリウム
耐性を向上することができる。
との付着強度を調べた。付着強度は、以下の方法で測定
した。半田コートした銅製タブ電極を集電極の上に接触
させた状態で加熱し、タブ電極を集電極に半田付けした
後、タブ電極をITO膜の表面に対して垂直になるよう
に曲げ、集電極がITO膜から剥がされるまで等速で引
き上げる。そのときの引っ張り強度を付着強度と定義す
る。また、ITO膜の表面粗さは、測定領域内のITO
膜の表面積と測定面積との比により定義する。ITO膜
の表面に凹凸形状がない場合、表面粗さの値は1であ
り、凹凸形状がある場合、表面粗さは1より大きな値と
なる。
との関係を示すグラフである。図12から、表面粗さを
増加させた場合、付着強度が上昇することが分かる。I
TO膜の表面粗さが増加した場合、集電極をITO膜か
ら剥がすのに要する引っ張り強度が増加する傾向にあ
る。図12から表面粗さが1.1以上となることが望ま
しい。表面粗さが3.0より大きくなる場合、ITO膜
の表面の凹凸形状が深く、かつ狭くなるため、集電極の
形成時に銀ペーストが凹凸形状の底まで入り込めず、結
果としてITO膜と集電極との付着強度、及び電気的な
接触が低下してしまう。従って、表面粗さは3.0以下
とする必要がある。
って表面粗さを制御しているが、この場合の結晶粒径
は、6〜100nmが好ましく、更に、10〜80nm
がより好ましい。ここで、結晶粒径とは、ITO膜の面
方向の結晶粒の最大長さをいう。なお、ITO膜を堆積
した後、希塩酸等によりエッチングして表面粗さを制御
することも可能である。
1)面及び(222)面の回折強度の比との関係を示す
グラフである。横軸には、ITO膜形成時の基板温度を
とり、縦軸には、ITO膜の界面層(全厚100nmの
ITO膜における半導体層側の厚さ10nmの部分)に
おける(222)面の回折強度に対する(321)面の
回折強度の比をとっている。
た。まず、5at%のSnO2 をドープしたITOター
ゲットを用いて、Ar流量200sccm,酸素流量1
2sccm,圧力0.5Pa,DC電力1kWの条件
で、基板温度を変化させて半導体層(p型a−Si:H
層)の表面にITO膜を100nmの厚さで堆積した。
なお、これらの膜の結晶性をX線回折により評価したと
ころ、100℃以下の基板温度で形成したITO膜では
アモルファスが多く見られるものの(321)面の回折
強度が最も強くなっており、150℃以上の基板温度で
形成したITO膜では(222)面の配向性が強い多結
晶膜になっていることが確認された。
で熱処理を施した後に、35%HCl水溶液により5〜
7分間エッチングしてITO膜の表面部分を除去するこ
とにより、半導体層の表面に約10nmの厚さの界面層
を残した。そして、この界面層のITO膜についてX線
回折により結晶性を評価した。その結果、ITO膜形成
時の基板温度が200℃以上では、界面層は(222)
面に強く配向し、2番目に強い回折強度は(400)面
からの回折線であった。
成したITO膜の界面層では、(321)面による回折
線が出現し、(222)面による回折線の回折強度の次
に強度が強くなり、ITO膜を形成する際の基板温度を
低下させるに伴い(321)回折強度の(222)回折
強度に対する強度比が徐々に大きくなることが分かっ
た。即ち、図13に示した如く、ITO膜を150℃で
形成した場合、(321)面の回折強度は(222)面
の回折強度の略半分になり、ITO膜を100℃で形成
した場合、(321)面の回折強度と(222)面の回
折強度とは略同じになる。そして、ITO膜の形成温度
を100℃以下にした場合、(321)面の回折強度が
(222)面の回折強度に勝り、(321)面が優先的
に配向していることが分かる。
膜の耐ナトリウム度との関係を示すグラフである。図1
4に示した如く、基板温度150℃以下ではPmax とP
max′との間の相対的な変化が小さく、特に、100℃
以下では、極めて良好なナトリウム耐性を確保できてい
ることが明らかである。即ち、(321)面の回折線の
出現とナトリウム耐性との間に相関があり、(321)
面の回折線が半導体層に接するITO膜の界面層に出現
し、その回折強度が1番目または2番目に強くなる条件
にて、良好なナトリウム耐性を実現できることが分か
る。
ccmにした場合のITO膜の形成温度と(321)面
及び(222)面の回折強度比との関係を示すグラフで
ある。図15に示した如く、酸素流量が多い場合、(2
22)回折強度が強くなって逆に(321)回折強度が
弱くなるため、(321)回折強度と(222)回折強
度との強度比は小さくなる。また、高酸素流量条件ほ
ど、(321)回折線が出現するITO膜の形成時の温
度が低くなる傾向も明らかである。以上の結果から、よ
り低温、低酸素流量の条件にて結晶性を予め低くしてI
TO膜を半導体層の表面に形成し、その後の熱処理によ
りITO膜の結晶性を改善することにより、半導体層に
近接するITO膜の界面層で(321)回折線が出現し
やすいことが明らかである。
cmにした場合のITO膜形成時の温度とITO膜の耐
ナトリウム度との関係を示すグラフである。図16に示
した如く、図15の(321)面及び(222)面の回
折強度比の変化と、ナトリウム耐性との間に良い相関関
係があることが確認された。また、ITO膜形成時の温
度を150℃、酸素流量を4sccm及び12sccm
にした場合の出力を比較した場合、12sccmの条件
の方がITO膜の高光透過率により電流が増加し、出力
にして約2%改善することができた。しかしながら、形
成温度150℃、酸素流量12sccmではナトリウム
耐性試験で1.3%ほど特性が低下した。
温(25℃),酸素流量12sccmで形成し、残りの
バルク部分(厚さ90nm)を150℃,酸素流量12
sccmで形成した積層構造を検討した。その結果、本
積層構造を用いた場合はナトリウム耐性試験後の特性低
下が見られず、150℃,酸素流量12sccmの条件
下でITO膜を形成した場合と同等の出力が得られるこ
とにより、半導体層の表面におけるITO膜の界面層の
結晶配向性を制御することが出力とナトリウム耐性との
両立に極めて有効であることが確認された。
あって、光入射側のITO膜のうち、半導体層と接する
側の厚さ10nmの界面層が(321)面の配向を有し
ており、ITO膜のうち界面層を除くバルク層が主に
(222)面に配向している場合、高光透過率、高効率
であり、しかもナトリウム耐性が高い光起電力素子とな
る。
配向性とナトリウム耐性との関係を示すグラフであり、
図17は(222)配向度とPmax との関係を示すグラ
フ、図18は(222)配向度とPmax ′との関係を示
すグラフ、図19は(222)配向度と耐ナトリウム度
(Pmax ′/Pmax )との関係を示すグラフである。
の配向を有する界面層を設けない場合、(222)配向
度が小さくなるとナトリウム耐性試験後の出力Pmax ′
が下がってナトリウム耐性は悪化しているが、これに対
して、(321)面の配向を有する界面層を設ける場合
には、(222)配向度が小さくなってもナトリウム耐
性試験後の出力Pmax ′は下がらず良好なナトリウム耐
性が得られていることが分かる。
ける(321)回折強度及び(222)回折強度の強度
比とナトリウム耐性との関係を示すグラフであり、図2
0は(321)/(222)強度比とPmax との関係を
示すグラフ、図21は(321)/(222)強度比と
Pmax ′との関係を示すグラフ、図22は(321)/
(222)強度比と耐ナトリウム度(Pmax ′/
Pmax )との関係を示すグラフである。
2)強度比が0.5以上、2.5以下である場合に、
0.98以上の高い耐ナトリウム度が得られていること
が分かる。更に、図21,図22の結果から、(32
1)/(222)強度比が1.0以上、2.5以下の場
合に、0.98以上の高い耐ナトリウム度を有し、かつ
ナトリウム耐性試験後において1.88W以上の高い出
力を有する光起電力素子を提供できることが分かる。
対するナトリウム耐性について説明したが、これ以外の
リチウム拡散,カリウム拡散に対しても、本発明はナト
リウム拡散と同様の効果を奏することは確認されてい
る。
ェハにi型a−Si:H層,p型a−Si:H層を積層
してpin接合を形成する構成としたが、これとは導電
型を逆タイプにして、p型のシリコンウェハにi型a−
Si:H層,n型a−Si:H層を積層してnip接合
を構成し、n型a−Si:H層上に本発明のITO膜
(透光性導電膜)を設けるようにしても同様の効果を奏
することは勿論である。
成について説明する。図23は、本発明の光起電力装置
の他の例を示す模式的断面図である。図中11は、ガラ
ス板、プラスチック板、または、表面にポリイミド,S
iO2 等の絶縁膜を形成したAl,SUS等の金属板か
らなる基板である。基板11上には、Ag,Al等の金
属膜からなる裏面電極16が形成されている。裏面電極
16上に、n型,i型,p型の非晶質水素化シリコン層
を順次積層してなる半導体層13が形成されている。
ITO膜14が形成されている。また、ITO膜14上
には、集電極15が形成されている。更に、ITO膜1
4及び集電極15上には、例えばEVA製の透光性の樹
脂膜17が設けられている。樹脂膜17上にNa,L
i,K等のアルカリイオンを含んだカバーガラス18が
設置されている。
TO膜(透光性導電膜)14についても、前述した光起
電力装置のITO膜4と同様のことが適用できる。
ITO膜を形成する場合について説明したが、微結晶半
導体層に形成されるITO膜についても同様の効果を奏
する。また、本発明のITO膜は、基板の反対側から光
を入射する非晶質太陽電池、微結晶太陽電池、及び非晶
質太陽電池と微結晶太陽電池とのハイブリッド構造にお
いても適用することができる。
微結晶の半導体層に、(222)面の配向度が1.0以
上、好ましくは1.2以上で2.6以下、より好ましく
は1.4以上で2.5以下となる透光性導電膜を設ける
ようにしたので、透光性導電膜自体が、カバーガラスか
らのアルカリイオンの拡散を防止する機能を有すること
ができ、特別の拡散防止層を設ける必要はなく、安価に
アルカリイオンの拡散を防止することができる。
0%以上を、小傾角粒界からなる領域が占めるようにし
たので、透光性導電膜自体がアルカリイオンに対する拡
散防止層となり、アルカリイオンの拡散を簡便に防止す
ることができる。
を1.1以上、3.0以下にするようにしたので、透光
性導電膜に対する集電極の付着強度を大きくできて、長
期信頼性を確保することができる。
結晶粒径の大きさを6〜100nmにするようにしたの
で、透光性導電膜に対する集電極の付着強度を大きくで
きて、長期信頼性を確保することができる。
との界面側に(321)面の配向を有し、それ以外の部
分では(222)面の配向を主とするようにしたので、
透光性導電膜自体がアルカリイオンに対する拡散防止層
となり、アルカリイオンの拡散を簡便に防止することが
できる。
側の厚さ10nmの部分(界面層)における(222)
回折強度に対する(321)回折強度の比を0.5以
上、2.5以下とするようにしたので、非常に良好なア
ルカリ耐性を呈することができる。
る。
図である。
る。
フである。
ラフである。
示すグラフである。
関係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
した写真である。
の関係を示すグラフである。
すグラフである。
2)の回折強度比との関係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
場合のITO膜の形成温度と(321)/(222)の
回折強度比との関係を示すグラフである。
場合のITO膜の形成温度と耐ナトリウム度との関係を
示すグラフである。
ラフである。
グラフである。
を示すグラフである。
22)の回折強度比とPmax との関係を示すグラフであ
る。
22)の回折強度比とPmax ′との関係を示すグラフで
ある。
22)の回折強度比と耐ナトリウム度との関係を示すグ
ラフである。
断面図である。
Claims (10)
- 【請求項1】 非晶質半導体または微結晶半導体からな
る半導体層の光入射側に透光性導電膜を設けている光起
電力素子において、前記透光性導電膜は不純物をドープ
した酸化インジウム膜であり、前記透光性導電膜の(2
22)面の配向度が1.0以上であることを特徴とする
光起電力素子。 - 【請求項2】 前記(222)面の配向度が1.2以
上、2.6以下であることを特徴とする請求項1記載の
光起電力素子。 - 【請求項3】 前記(222)面の配向度が1.4以
上、2.5以下であることを特徴とする請求項1記載の
光起電力素子。 - 【請求項4】 非晶質半導体または微結晶半導体からな
る半導体層の光入射側に透光性導電膜を設けている光起
電力素子において、前記透光性導電膜は不純物をドープ
した酸化インジウム膜であり、前記透光性導電膜の表面
の40%以上を、小傾角粒界を含む領域が占めているこ
とを特徴とする光起電力素子。 - 【請求項5】 前記透光性導電膜の表面に集電極を備え
ており、前記透光性導電膜の表面粗さが1.1以上、
3.0以下であることを特徴とする請求項1〜4の何れ
かに記載の光起電力素子。 - 【請求項6】 前記透光性導電膜に含まれる結晶粒径の
大きさが6nm以上、100nm以下であることを特徴
とする請求項5記載の光起電力素子。 - 【請求項7】 非晶質半導体または微結晶半導体からな
る半導体層の光入射側に透光性導電膜を設けている光起
電力素子において、前記透光性導電膜は、不純物をドー
プした酸化インジウム膜であり、前記半導体層との界面
側に(321)面の配向を有し、前記半導体層との反対
側に(222)面の配向を有することを特徴とする光起
電力素子。 - 【請求項8】 前記透光性導電膜の前記半導体層側の厚
さ10nmの部分にあって、X線回折により測定した
(222)回折強度に対する(321)回折強度の比が
0.5以上、2.5以下であることを特徴とする請求項
7記載の光起電力素子。 - 【請求項9】 請求項1〜8の何れかに記載の光起電力
素子と、前記透光性導電膜の光入射側に設けられてお
り、アルカリイオンを含む透光性部材とを備えることを
特徴とする光起電力装置。 - 【請求項10】 前記半導体層の光入射側とは反対側に
設けられている樹脂フイルムを更に備える請求項9記載
の光起電力装置。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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