JP2003344785A - マイクロミラー素子 - Google Patents

マイクロミラー素子

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JP2003344785A JP2002151549A JP2002151549A JP2003344785A JP 2003344785 A JP2003344785 A JP 2003344785A JP 2002151549 A JP2002151549 A JP 2002151549A JP 2002151549 A JP2002151549 A JP 2002151549A JP 2003344785 A JP2003344785 A JP 2003344785A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ミラー面の数の増加に伴う素子の大型化を抑
制可能なマイクロミラー素子を提供すること。 【解決手段】 マイクロミラー素子Ｘ１において、フレ
ーム部１３０と、ミラー部を有する可動部１１０，１２
０と、フレーム部１３０および可動部１１０，１２０を
連結するトーションバー１５０とが形成されているマイ
クロミラー基板１００と、配線パターン２１０が形成さ
れている配線基板２００と、マイクロミラー基板１００
および配線基板２００を離隔させつつフレーム部１３０
および配線パターン２１０を電気的に接続するための導
電スペーサ３００とを備えることとする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の光ファイバ
間の光路の切り換えを行う光スイッチング装置などに組
み込まれる素子であって、光反射によって光の進行方向
を変更するためのマイクロミラー素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光通信技術が様々な分野で広く利
用されるようになってきた。光通信においては、光ファ
イバを媒体として光信号が伝送され、光信号の伝送経路
を或るファイバから他のファイバへと切換えるために
は、一般に、いわゆる光スイッチング装置が使用されて
いる。良好な光通信を達成するうえで光スイッチング装
置に求められる特性としては、切換え動作における、大
容量性、高速性、高信頼性などが挙げられる。これらの
観点より、光スイッチング装置に組み込まれるスイッチ
ング素子としては、マイクロマシニング技術によって作
製されるマイクロミラー素子が注目を集めている。マイ
クロミラー素子によると、光スイッチング装置における
入力側の光伝送路と出力側の光伝送路との間で、光信号
を電気信号に変換せずに光信号のままでスイッチング処
理を行うことができ、上述の特性を得るうえで好適だか
らである。
【０００３】マイクロマシニング技術で作製したマイク
ロミラー素子を用いた光スイッチング装置は、例えば、
国際公開ＷＯ００／２０８９９号公報や、論文Fully Pr
ovisioned 112×112 Micro-Mechanical Optical Crossc
onnect with 35.8Tb/sec Demonstrated Capacity (Pro
c. 25th Optical Fiber Communication Conf. Baltimor
e. PD12(2000))などに開示されている。
【０００４】図１８は、一般的な光スイッチング装置５
００の概略構成を表す。光スイッチング装置５００は、
一対のマイクロミラーアレイ５０１，５０２と、入力フ
ァイバアレイ５０３と、出力ファイバアレイ５０４と、
複数のマイクロレンズ５０５，５０６とを備える。入力
ファイバアレイ５０３は所定数の入力ファイバ５０３ａ
からなり、マイクロミラーアレイ５０１には、各入力フ
ァイバ５０３ａに対応するマイクロミラー素子５０１ａ
が複数配設されている。同様に、出力ファイバアレイ５
０４は所定数の出力ファイバ５０４ａからなり、マイク
ロミラーアレイ５０２には、各出力ファイバ５０４ａに
対応するマイクロミラー素子５０２ａが複数配設されて
いる。マイクロミラー素子５０１ａ，５０２ａは、各
々、光を反射するためのミラー面を有し、当該ミラー面
の向きを制御できるように構成されている。複数のマイ
クロレンズ５０５は、各々、入力ファイバ５０３ａの端
部に対向するように配置されている。同様に、複数のマ
イクロレンズ５０６は、各々、出力ファイバ５０４ａの
端部に対向するように配置されている。
【０００５】光伝送時において、入力ファイバ５０３ａ
から出射される光Ｌ１は、対応するマイクロレンズ５０
５を通過することによって、相互に平行光とされ、マイ
クロミラーアレイ５０１へ向かう。光Ｌ１は、対応する
マイクロミラー素子５０１ａで反射し、マイクロミラー
アレイ５０２へと偏向される。このとき、マイクロミラ
ー素子５０１ａのミラー面は、光Ｌ１を所望のマイクロ
ミラー素子５０２ａに入射させるように、予め所定の方
向を向いている。次に、光Ｌ１は、マイクロミラー素子
５０２ａで反射し、出力ファイバアレイ５０４へと偏向
される。このとき、マイクロミラー素子５０２ａのミラ
ー面は、所望の出力ファイバ５０４ａに光Ｌ１を入射さ
せるように、予め所定の方向を向いている。
【０００６】このように、光スイッチング装置５００に
よると、各入力ファイバ５０３ａから出射した光Ｌ１
は、マイクロミラーアレイ５０１，５０２における偏向
によって、所望の出力ファイバ５０４ａに到達する。す
なわち、入力ファイバ５０３ａと出力ファイバ５０４ａ
は１対１で接続される。そして、マイクロミラー素子５
０１ａ，５０２ａにおける偏向角度を適宜変更すること
によって、光Ｌ１が到達する出力ファイバ５０４ａが切
換えられる。
【０００７】図１９は、他の一般的な光スイッチング装
置６００の概略構成を表す。光スイッチング装置６００
は、マイクロミラーアレイ６０１と、固定ミラー６０２
と、入出力ファイバアレイ６０３と、複数のマイクロレ
ンズ６０４とを備える。入出力ファイバアレイ６０３は
所定数の入力ファイバ６０３ａおよび所定数の出力ファ
イバ６０３ｂからなり、マイクロミラーアレイ６０１に
は、各ファイバ６０３ａ，６０３ｂに対応するマイクロ
ミラー素子６０１ａが複数配設されている。マイクロミ
ラー素子６０１ａは、各々、光を反射するためのミラー
面を有し、当該ミラー面の向きを制御できるように構成
されている。複数のマイクロレンズ６０４は、各々、各
ファイバ６０３ａ，６０３ｂの端部に対向するように配
置されている。
【０００８】光伝送時において、入力ファイバ６０３ａ
から出射された光Ｌ２は、マイクロレンズ６０４を介し
てマイクロミラーアレイ６０１に向かって出射する。光
Ｌ２は、対応する第１のマイクロミラー素子６０１ａで
反射されることによって固定ミラー６０２へと偏向さ
れ、固定ミラー６０２で反射された後、第２のマイクロ
ミラー素子６０１ａに入射する。このとき、第１のマイ
クロミラー素子６０１ａのミラー面は、光Ｌ２を所望の
第２のマイクロミラー素子６０１ａに入射させるよう
に、予め所定の方向を向いている。次に、光Ｌ２は、第
２のマイクロミラー素子６０１ａで反射されることによ
って、入出力ファイバアレイ６０３へと偏向される。こ
のとき、第２のマイクロミラー素子６０１ａのミラー面
は、光Ｌ２を所望の出力ファイバ６０３ｂに入射させる
ように、予め所定の方向を向いている。
【０００９】このように、光スイッチング装置６００に
よると、各入力ファイバ６０３ａから出射した光Ｌ２
は、マイクロミラーアレイ６０１および固定ミラー６０
２における偏向によって、所望の出力ファイバ６０３ｂ
に到達する。すなわち、入力ファイバ６０３ａと出力フ
ァイバ６０３ｂは１対１で接続される。そして、第１お
よび第２のマイクロミラー素子６０１ａにおける偏向角
度を適宜変更することによって、光Ｌ２が到達する出力
ファイバ６０３ｂが切換えられる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述のような光スイッ
チング装置５００，６００においては、光通信網が大規
模化するほどファイバ数は増加し、従って、マイクロミ
ラーアレイに組み込まれるマイクロミラー素子ないしミ
ラー面の数も増加する。ミラー面の数が増加するほど、
当該ミラー面を駆動するために必要な配線の量は増加す
るので、単一のマイクロミラーアレイにおいて、配線形
成に必要な面積は増大する。同一基板に対してミラー面
とともに配線パターンを形成する場合、配線形成領域が
拡大するほど、ミラー面間のピッチを大きくする必要が
ある。その結果、当該基板ないしマイクロミラーアレイ
が大きなものとなってしまう。また、ミラー面の数が増
加すると、同一基板に対してミラー面とともに配線パタ
ーンを形成すること自体が困難となる傾向にある。
【００１１】本発明は、このような事情のもとで考え出
されたものであって、ミラー面の数の増加に伴う素子の
大型化を抑制可能なマイクロミラー素子に関する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
【００１３】本発明の第１の側面によるとマイクロミラ
ー素子が提供される。このマイクロミラー素子は、フレ
ーム部と、ミラー部を有する可動部と、フレーム部およ
び可動部を連結するトーションバーとが形成されている
マイクロミラー基板と、配線パターンが形成されている
配線基板と、マイクロミラー基板および配線基板を離隔
させつつフレーム部および配線パターンを電気的に接続
するための導電スペーサと、を備えることを特徴とす
る。
【００１４】本発明の第１の側面に係るマイクロミラー
素子では、ミラー部を有する可動部と、これを駆動する
ために必要な配線とは、別々の基板に形成されている。
したがって、可動部と配線とを同一基板に形成すること
に起因してマイクロミラー素子が大型化してしまうこと
はない。例えば、複数のミラー部ないし可動部を有する
場合であっても、マイクロミラー基板に形成されるミラ
ー部の数の増加に伴って当該ミラー部の形成ピッチが大
きくなることは、適切に回避することができる。また、
マイクロミラー基板においては、可動部を駆動するため
の導電経路が、フレーム部ないし固定部に適宜形成され
ており、当該導電経路と配線基板上の配線とは、導電ス
ペーサにより電気的に接続されている。そのため、可動
部とこれを駆動するために必要な配線とが別々の基板に
形成されておっても、当該配線を介しての当該可動部の
駆動を行うことができる。加えて、可動部が形成されて
いるマイクロミラー基板と、配線が形成されている配線
基板とは、導電スペーサにより離隔されている。そのた
め、可動部を有するマイクロミラー基板に隣接する配線
基板を具備しておっても、マイクロミラー基板と配線基
板との間の離隔距離を導電スペーサにより充分に確保す
ることによって、配線基板が可動部に当接して当該可動
部の動作を妨げてしまうことは回避される。このよう
に、本発明の第１の側面によると、マイクロミラー素子
の大型化を抑制しつつ、マイクロミラー素子の可動部の
駆動を適切に行うことができるのである。
【００１５】本発明の第２の側面によると別のマイクロ
ミラー素子が提供される。このマイクロミラー素子は、
フレーム部と、ミラー部を有する可動部と、フレーム部
および可動部を連結するトーションバーとを備える複数
のマイクロミラーユニットが一体的に形成されているマ
イクロミラー基板と、配線パターンが形成されている配
線基板と、マイクロミラー基板および配線基板を離隔さ
せつつフレーム部および配線パターンを電気的に接続す
るための導電スペーサと、を備えることを特徴とする。
【００１６】本発明の第２の側面に係るマイクロミラー
素子では、複数の可動部と、各可動部を駆動するための
配線とは、別々の基板に形成されている。したがって、
可動部と配線とを同一基板に形成することに起因してマ
イクロミラー素子が大型化してしまうことはない。すな
わち、マイクロミラー基板に形成されるミラー部の数が
増加しても、当該ミラー部の形成ピッチを一定に維持す
ることができ、その結果、素子の過度な大型化を抑制す
ることができる。また、マイクロミラー基板において
は、各可動部を駆動するための導電経路が、各フレーム
部ないし固定部に適宜形成されており、当該導電経路と
配線基板上の配線とは、導電スペーサにより電気的に接
続されている。そのため、各可動部とこれを駆動するた
めに必要な配線とが別々の基板に形成されておっても、
当該配線を介しての当該可動部の駆動を行うことができ
る。加えて、各可動部が形成されているマイクロミラー
基板と、対応する配線が形成されている配線基板とは、
導電スペーサにより離隔されている。そのため、可動部
を有するマイクロミラー基板に隣接する配線基板を具備
しておっても、マイクロミラー基板と配線基板との間の
離隔距離を導電スペーサにより充分に確保することによ
って、配線基板が可動部に当接して当該可動部の動作を
妨げてしまうことは回避される。このように、本発明の
第２の側面によると、マイクロミラー素子の大型化を抑
制しつつ、マイクロミラーユニットの可動部の駆動を適
切に行うことができるのである。
【００１７】本発明の第１および第２の側面において、
好ましくは、導電スペーサは、単一のバンプ、または、
積み重なる複数のバンプからなる。好ましくは、導電ス
ペーサは、電極パッドを介して配線パターンおよび／ま
たはフレーム部に接続している。このような構成に代え
て、又は、このような構成とともに、導電スペーサは、
導電性接着剤を介して配線パターンおよび／またはフレ
ーム部に接続しているのが好ましい。これらの構成によ
り、導電スペーサを介しての配線パターンとフレーム部
との電気的接続を適切に達成することができる。
【００１８】好ましい実施の形態においては、導電スペ
ーサと電極パッドは融着している。好ましい他の実施の
形態においては、導電スペーサと電極パッドは圧接して
いる。これらの構成により、配線基板に形成されている
電極パッド及び／又はフレーム部に形成されている電極
パッドと導電スペーサとの電気的接続および機械的接合
を適切に達成することができる。
【００１９】好ましくは、配線基板は、マイクロミラー
基板に対向する第１の面を有し、当該第１の面には、可
動部の進入を許容する退避部が形成されている。配線基
板に対してこのような退避部を設けることにより、マイ
クロミラー基板と配線基板との間において導電スペーサ
により確保されるべき離隔距離を低減することができ
る。その結果、導電スペーサのサイズを低減することが
可能となる。
【００２０】好ましくは、配線基板は、第１の面とは反
対の第２の面を有し、当該第２の面には、配線パターン
の一部が形成されている。より好ましくは、配線基板
は、第１の面に形成されている配線パターンと第２の面
に形成されている配線パターンとを電気的に接続するよ
うに、配線基板を貫通する導電連絡部を有する。本発明
では、配線基板の第２の面に対して配線パターンを形成
してもよい。特に配線基板の第１の面に退避部を形成す
る場合、配線パターンを第２の面に形成することによっ
て、配線形成領域を充分に確保することができる。
【００２１】好ましくは、マイクロミラー基板と配線基
板との間に接着剤が介在する。好ましくは、フレーム部
と配線基板との間に追加スペーサが介在する。より好ま
しくは、追加スペーサはバンプである。このように、マ
イクロミラー基板と配線基板との間における、導電スペ
ーサによる機械的連結の強度、および、導電スペーサの
スペーサとしての機能を補強してもよい。
【００２２】好ましくは、可動部は第１櫛歯電極部を有
し、フレーム部は、第１櫛歯電極部との間に静電力を生
じさせることにより可動部を変位させるための第２櫛歯
電極部を有する。本発明のマイクロミラー素子は、この
ような櫛歯電極型として構成されているのが好ましい。
【００２３】可動部は、トーションバーを介してフレー
ム部に連結された中継フレームと、当該中継フレームか
ら離隔するミラー形成部と、当該中継フレームおよびミ
ラー形成部を連結する中継トーションバーを備え、中継
トーションバーは、トーションバーの延び方向に対して
交差する方向に延びている。本発明のマイクロミラー素
子は、このような２軸型として構成されているのが好ま
しい。２軸型マイクロミラーにおいては、１軸型マイク
ロミラーよりも、可動部を駆動するために必要な配線量
は多い。しかしながら、本発明に係るマイクロミラー素
子においては、上述したように、配線量の増加はミラー
部の形成ピッチに不当な影響を与えない。２軸型マイク
ロミラー素子においては、ミラー形成部は第３櫛歯電極
部を有し、中継フレームは、第３櫛歯電極部との間に静
電力を生じさせることによりミラー形成部を変位させる
ための第４櫛歯電極部を有するのが好ましい。
【００２４】好ましくは、マイクロミラー基板は、絶縁
膜および／または空隙により相互に絶縁された複数の区
画を有し、当該複数の区画の一部は、導電スペーサと電
気的に接続している。このような構成により、マイクロ
ミラー基板において、良好な導電経路を形成することが
できる。
【００２５】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施形態
に係るマイクロミラー素子Ｘ１の斜視図である。図２
は、マイクロミラー素子Ｘ１の分解斜視図である。図３
は、図１の線III−IIIに沿った断面図である。
【００２６】マイクロミラー素子Ｘ１は、マイクロミラ
ー基板１００と、配線基板２００と、これらの間に介在
する導電スペーサ３００とを備える。マイクロミラー基
板１００は、ミラー形成部１１０と、これを囲む内フレ
ーム１２０と、内フレーム１２０を囲む外フレーム１３
０と、ミラー形成部１１０および内フレーム１２０を連
結する一対のトーションバー１４０と、内フレーム１２
０および外フレーム１３０を連結する一対のトーション
バー１５０とを備える。一対のトーションバー１４０
は、内フレーム１２０に対するミラー形成部１１０の回
転動作の回転軸心Ａ１を規定する。一対のトーションバ
ー１５０は、外フレーム１３０に対する内フレーム１２
０およびこれに伴うミラー形成部１１０の回転動作の回
転軸心Ａ２を規定する。回転軸心Ａ１と回転軸心Ａ２は
略直交している。このように、マイクロミラー基板１０
０には、２軸型のマイクロミラーが形成されている。
【００２７】本実施形態のマイクロミラー基板１００
は、厚さ１００μｍの第１シリコン層と、厚さ１００μ
ｍの第２シリコン層と、これらに挟まれた厚さ１μｍの
絶縁層とからなる積層構造を有するＳＯＩ（Silicon on
Insulator）ウエハから、マイクロマシニング技術によ
り形成されたものである。具体的には、マイクロミラー
基板１００は、フォトリソグラフィ、ＤＲＩＥ（Deep R
eactive Ion Etching）などのドライエッチング技術、
ウエットエッチング技術などを用いて、第１シリコン
層、第２シリコン層、および絶縁層の一部をエッチング
除去することにより形成されたものである。第１シリコ
ン層および第２シリコン層は、シリコンに対してＰやＡ
ｓなどのｎ型不純物やＢなどのｐ型不純物がドープされ
て導電性が付与されている。ただし、本発明では、マイ
クロミラー基板１００は、他の形態の基板から作製して
もよい。
【００２８】ミラー形成部１１０は、その上面にミラー
面（図示略）が薄膜形成されている。また、ミラー形成
部１１０の相対向する２つの側面には、櫛歯電極１１０
ａ，１１０ｂが設けられている。ミラー形成部１１０
は、第１シリコン層に由来する。
【００２９】内フレーム１２０は、内フレーム主部１２
１と、一対の電極基台１２２と、これらの間の絶縁層と
からなる積層構造を有し、内フレーム主部１２１と電極
基台１２２は、絶縁層によって電気的に分断されてい
る。一対の電極基台１２２には、内方に延出する櫛歯電
極１２２ａ、１２２ｂが設けられている。内フレーム主
部１２１には、外方に延出する櫛歯電極１２１ａ，１２
１ｂが設けられている。櫛歯電極１２２ａ，１２２ｂ
は、ミラー形成部１１０の櫛歯電極１１０ａ，１１０ｂ
の下方に位置しており、ミラー形成部１１０の回転動作
時において櫛歯電極１１０ａ，１１０ｂと当接しないよ
うに配置されている。内フレーム主部１２１は第１シリ
コン層に由来し、一対の電極基台１２２は第２シリコン
層に由来する。
【００３０】各トーションバー１４０は、ミラー形成部
１１０と内フレーム主部１２１とに接続しており、第１
シリコン層に由来する。
【００３１】外フレーム１３０は、第１外フレーム部１
３１と、第２外フレーム部１３２と、これらの間の絶縁
層とからなる積層構造を有し、第１外フレーム部１３１
と第２外フレーム部１３２は、絶縁層によって電気的に
分断されている。第２外フレーム部１３２には、図４に
表すように、空隙を介して第１アイランド１３４、第２
アイランド１３５、第３アイランド１３６、および、第
４アイランド１３７が設けられている。第１〜第４アイ
ランド１３４〜１３７には、各々、電極パッド１３８ａ
〜１３８ｄが設けられている。電極パッド１３８ａ〜１
３８ｄは、ＡｕまたはＡｌよりなる。第３アイランド１
３６および第４アイランド１３７には、各々、内方に延
出する櫛歯電極１３２ａ、１３２ｂが設けられている。
櫛歯電極１３２ａ，１３２ｂは、各々、内フレーム主部
１２１の櫛歯電極１２１ａ，１２１ｂの下方に位置して
いるが、内フレーム１２０の回転動作時において、櫛歯
電極１２１ａ，１２１ｂの歯と当接しないように配置さ
れている。第１外フレーム部１３１は第１シリコン層に
由来し、第２外フレーム部１３２は第２シリコン層に由
来する。
【００３２】各トーションバー１５０は、上層１５１
と、下層１５２と、これらの間の絶縁層とからなる積層
構造を有し、上層１５１と下層１５２は、絶縁層によっ
て電気的に分断されている。上層１５１は、内フレーム
主部１２１と第１外フレーム部１３１とに接続し、下層
１５２は、電極基台１２２と第２外フレーム部１３２と
に接続している。上層１５１は第１シリコン層に由来
し、下層１５２は第２シリコン層に由来する。
【００３３】配線基板２００は第１面２０１および第２
面２０２を有する。第１面２０１には、所定の配線パタ
ーン２１０が形成されている。配線パターン２１０に
は、導通接続用の４つの電極パッド２１１ａ〜２１１ｄ
および外部接続用の４つの電極パッド２１２ａ〜２１２
ｄが含まれる。電極パッド２１１ａ〜２１１ｄは、マイ
クロミラー基板に設けられている電極パッド１３８ａ〜
１３８ｄに対応する位置に配置されている。配線基板２
００の本体は、厚さ３００μｍのシリコン基板やセラミ
ックス基板などである。配線パターン２１０は、配線基
板２００の第１面２０１に対して金属材料を成膜した後
にこれをパターニングすることによって、形成される。
金属材料としては、ＡｕやＡｌを用いることができる。
また、成膜手法としては、スパッタリング法やめっき法
を採用することができる。
【００３４】導電スペーサ３００は、マイクロミラー基
板の電極パッド１３８ａ〜１３８ｄと配線基板の電極パ
ッド２１１ａ〜２１１ｄとの間に介在している。本実施
形態では、導電スペーサ３００は、Ａｕボールバンプが
２段に積み重なった構造を有し、電極パッド２１１ａ〜
２１１ｄとは融着しており、電極パッド１３８ａ〜１３
８ｄとは導電性接着剤３０３を介して接合している。Ａ
ｕボールバンプ間は、超音波ボンディングにより接合さ
れている。
【００３５】このような構成のマイクロミラー素子Ｘ１
において、第１外フレーム部１３１をグランド接続する
と、第１外フレーム部１３１と同一のシリコン系材料に
より一体的に成形されている、即ち第１シリコン層由来
のトーションバー１５０の上層１５１、内フレーム主部
１２１、トーションバー１４０およびミラー形成部１１
０を介して、櫛歯電極１１０ａ、１１０ｂと櫛歯電極１
２１ａ、１２１ｂとがグランド接続されることとなる。
この状態において、櫛歯電極１２２ａまたは櫛歯電極１
２２ｂに所望の電位を付与し、櫛歯電極１１０ａと櫛歯
電極１２２ａとの間、または、櫛歯電極１１０ｂと櫛歯
電極１２２ｂとの間に静電力を発生させることによっ
て、ミラー形成部１１０を、回転軸心Ａ１まわりに揺動
させることができる。また、櫛歯電極１３２ａまたは櫛
歯電極１３２ｂに所望の電位を付与し、櫛歯電極１２１
ａと櫛歯電極１３２ａとの間、または、櫛歯電極１２１
ｂと櫛歯電極１３２ｂとの間に静電力を発生させること
によって、内フレーム１２０およびミラー形成部１１０
を、回転軸心Ａ２まわりに揺動させることができる。
【００３６】櫛歯電極１２２ａへの電位の付与は、図２
〜図４を併せて参照するとよく理解できるように、配線
基板２００の電極パッド２１２ａ、電極パッド２１１
ａ、その上の導電スペーサ３００、マイクロミラー基板
１００の電極パッド１３８ａ、第１アイランド１３４、
これに接続しているトーションバー１５０の下層１５
２、これに接続している電極基台１２２を介して行うこ
とができる。櫛歯電極１２２ｂへの電位の付与は、配線
基板２００の電極パッド２１２ｂ、電極パッド２１１
ｂ、その上の導電スペーサ３００、マイクロミラー基板
１００の電極パッド１３８ｂ、第２アイランド１３５、
これに接続しているトーションバー１５０の下層１５
２、これに接続している電極基台１２２を介して行うこ
とができる。櫛歯電極１３２ａへの電位の付与は、配線
基板２００の電極パッド２１２ｃ、電極パッド２１１
ｃ、その上の導電スペーサ３００、マイクロミラー基板
１００の電極パッド１３８ｃ、第３アイランド１３６を
介して行うことができる。櫛歯電極１３２ｂへの電位の
付与は、配線基板２００の電極パッド２１２ｄ、電極パ
ッド２１１ｄ、その上の導電スペーサ３００、マイクロ
ミラー基板１００の電極パッド１３８ｄ、第４アイラン
ド１３７を介して行うことができる。このように４つの
導電経路を介して所定の電位を付与することにより、ミ
ラー形成部１１０を所定の方向に向けることができる。
【００３７】このような電位の付与によりミラー形成部
１１０および／または内フレーム１２０を揺動駆動させ
ると、これら可動部の何れかの端部は、配線基板２００
に向かって変位する。例えば、内フレーム１２０におけ
る電極基台１２２の長さＬ３が６００μｍである場合、
内フレーム１２０が回転軸心Ａ２まわりに５°回転する
と、電極基台１２２の端部は、非回転時の位置から６０
μｍ下がることとなる。このような内フレームの変位を
阻害しないように、マイクロミラー基板１００および配
線基板２００は離隔している必要がある。したがって、
本実施形態では、導電スペーサ３００の高さは例えば１
００μｍとされている。
【００３８】このように、マイクロミラー素子Ｘ１は、
マイクロミラー素子の大型化を抑制しつつ、マイクロミ
ラー素子の可動部の駆動を適切に行うための構成を有す
る。具体的には、導電スペーサ３００により、マイクロ
ミラー基板１００に形成されている導電経路と、配線基
板２００に形成されている配線パターン２１０とが電気
的に接続されている。それとともに、導電スペーサ３０
０により、マイクロミラー基板１００および配線基板２
００の良好な離隔状態が達成されている。また、ミラー
形成部１１０および内フレーム１２０からなる可動部を
駆動するための配線は、当該可動部が形成されているマ
イクロミラー基板１００には形成されていないため、マ
イクロミラー基板１００ひいてはマイクロミラー素子Ｘ
１の小型化が達成されている。
【００３９】図５は、本発明の第２の実施形態に係るマ
イクロミラー素子Ｘ２の斜視図である。図６は、マイク
ロミラー素子Ｘ２の分解斜視図である。図７は、図５の
線VII−VIIに沿った部分断面図である。
【００４０】マイクロミラー素子Ｘ２は、マイクロミラ
ー基板１００と、配線基板２００と、これらの間に介在
する導電スペーサ３００とを備える。マイクロミラー基
板１００には、合計９個のマイクロミラーユニットＸ
２’と、これらを囲む共通外フレーム１３０’とを備え
る。マイクロミラーユニットＸ２’は、ミラー形成部１
１０と、これを囲む内フレーム１２０と、ミラー形成部
１１０および内フレーム１２０を連結する一対のトーシ
ョンバー１４０と、内フレーム１２０および共通外フレ
ーム１３０’を連結する一対のトーションバー１５０と
を備える。マイクロミラーユニットＸ２’のミラー形成
部１１０、内フレーム１２０、トーションバー１４０，
１５０は、マイクロミラー素子Ｘ１のそれと同様の構成
を有している。共通外フレーム１３０’は、各マイクロ
ミラーユニットＸ２’ごとに、マイクロミラー素子Ｘ１
の外フレーム１３０と同様の構成を有する。
【００４１】配線基板２００は第１面２０１および第２
面２０２を有する。第１面２０１には、各マイクロミラ
ーユニットＸ２’を個別に駆動するように配線パターン
２１０が形成されている。配線パターン２１０には、各
マイクロミラーユニットＸ２’に対応する導通接続用の
４つの電極パッド２１１ａ〜２１１ｄおよび外部接続用
の４つの電極パッド２１２ａ〜２１２ｄが含まれる。電
極パッド２１１ａ〜２１１ｄは、各マイクロミラーユニ
ットＸ２’に設けられている電極パッド１３８ａ〜１３
８ｄに相対する位置に配置されている。配線基板２００
に関する他の構成については、マイクロミラー素子Ｘ１
に関して上述したのと同様である。
【００４２】導電スペーサ３００は、マイクロミラー基
板の電極パッド１３８ａ〜１３８ｄと配線基板の電極パ
ッド２１１ａ〜２１１ｄとの間に介在している。導電ス
ペーサ３００に関する他の構成については、マイクロミ
ラー素子Ｘ１に関して上述したのと同様である。
【００４３】このように、マイクロミラー素子Ｘ２は、
単一のマイクロミラー基板１００および単一の配線基板
２００において、９個のマイクロミラー素子Ｘ１が一体
的に形成されたものに相当する。したがって、マイクロ
ミラー素子Ｘ２においては、マイクロミラー素子Ｘ１に
関して上述したのと同様に、各マイクロミラーユニット
Ｘ２’を駆動して、マイクロミラーユニットＸ２’の可
動部すなわちミラー形成部１１０および内フレーム１２
０を揺動することができる。
【００４４】このように、マイクロミラー素子Ｘ２は、
マイクロミラー素子の大型化を抑制しつつ、マイクロミ
ラー素子の可動部の駆動を適切に行うための構成を有す
る。具体的には、マイクロミラー素子Ｘ２においては、
導電スペーサ３００により、マイクロミラー基板１００
に形成されている導電経路と、配線基板２００に形成さ
れている配線パターン２１０とが電気的に接続されてい
る。それとともに、導電スペーサ３００により、マイク
ロミラー基板１００および配線基板２００の良好な離隔
状態が達成されている。また、ミラー形成部１１０およ
び内フレーム１２０からなる可動部を駆動するための配
線は、当該可動部が形成されているマイクロミラー基板
１００には形成されていないため、マイクロミラー基板
１００ひいてはマイクロミラー素子Ｘ２の小型化が達成
されている。本実施形態では、マイクロミラー基板１０
０において、合計９個のマイクロミラーユニットＸ２’
が形成されているが、本発明では、これよりも多い数の
マイクロミラーユニットＸ２’をマイクロミラー基板１
００に一体成形する場合においても、第２の実施形態に
関して上述した効果が奏される。
【００４５】図８〜図１２は、マイクロミラー素子Ｘ２
の製造工程を表す。マイクロミラー素子Ｘ２の製造にお
いては、まず、図８に示すように、基板２００’の上に
配線パターン２１０を形成することによって、配線基板
２００を作製する。具体的には、基板２００’に対し
て、スパッタリング法やめっき法により、金属材料を成
膜し、所定のマスクを介して当該金属膜をパターニング
する。このとき形成される配線パターン２１０には、電
極パッド２１１ａ〜２１１ｄおよび電極パッド２１２ａ
〜２１２ｄが含まれる。基板２００’としては、Ｓｉな
どの半導体基板、セラミックス基板、ガラス基板などを
用いることができる。配線用の金属材料としては、Ａｕ
やＡｌを用いることができる。
【００４６】次に、図９に示すように、電極パッド２１
１ａ〜２１１ｄの上に、ワイヤボンダを用いて、Ａｕ製
のボールバンプ３０１を形成する。本工程以降の説明に
おいては、マイクロミラー素子Ｘ２のモデル断面を参照
して説明する。次に、図１０に示すように、ワイヤボン
ダを用いて、ボールバンプ３０１の上にＡｕ製のボール
バンプ３０２を形成し、これによって導電スペーサ３０
０を形成する。ボールバンプ３０１，３０２の形成にお
いては、ワイヤボンダを用いた形成プロセス上、ボール
バンプ３０１，３０２の頂部には、図９および図１０に
示すような微小な突部が形成される。
【００４７】次に、図１１に示すように、レベリングを
行うことにより、導電スペーサ３００の高さを揃える。
具体的には、ボールバンプ３０２の頂部をガラス板等の
平坦な面に対して押し付けることによって、ボールバン
プ３０２の有していた微小突部を押し潰し、導電スペー
サ３００の高さを一様にする。マイクロミラー素子Ｘ１
に関して上述したように、ミラー形成部１１０を含む可
動部は、配線基板２００に向かって例えば６０μｍ程度
下がる。そのため、駆動時において当該可動部が配線基
板２００に当接しないようにするためには、マイクロミ
ラー基板１００と配線基板２００との間を例えば６０μ
ｍ以上離隔する必要がある。本実施形態では、ボールバ
ンプを２段に重ねることによって、そのような所望の離
隔状態が確保されている。具体的には、２段のボールバ
ンプ３０１，３０２からなりレベリング工程を経た導電
スペーサ３００により達成される離間距離は、例えば１
００μｍである。ただし、本発明では、マイクロミラー
基板１００と配線基板２００との間に要求される離隔距
離に応じて、導電スペーサを構成するボールバンプの数
は適宜選択することができる。
【００４８】次に、図１２に示すように、導電スペーサ
３００ないしボールバンプ３０２の頂部に対して、熱硬
化性の導電性接着剤３０３を塗布する。例えば、導電性
接着剤３０３を厚さ２５μｍに均一に塗布した平坦な基
板に対して、導電スペーサ３００を介して配線基板２０
０を合わせることによって、導電スペーサ３００の頂部
に導電性接着剤３０３を転写することができる。
【００４９】次に、フリップチップボンダを用いて、別
途形成されるマイクロミラー基板１００と配線基板２０
０とを位置合わせしつつマイクロミラー基板１００を配
線基板２００上に載置した後、加圧および加熱しなが
ら、図７に示すように、マイクロミラー基板１００と配
線基板２００とを導電スペーサ３００を介して接合す
る。このとき、導電性接着剤３０３が硬化することによ
り、導電スペーサ３００がマイクロミラー基板１００の
電極パッド１３８ａ〜１３８ｄに接合される。その結
果、配線基板２００の配線パターン２１０と、マイクロ
ミラー基板１００の電極パッド１３８ａ〜１３８ｄが電
気的に接続される。このようにして、マイクロミラー素
子Ｘ２が製造される。
【００５０】図１３および図１４は、図１２に続く別の
工程を表す。まず、図１３に示す工程では、図１２に示
す工程を経た配線基板２００に対して、熱硬化性の接着
剤４０１を塗布する。接着剤４０１としては、例えばエ
ポキシ系の接着剤を使用することができる。接着剤４０
１は、導電スペーサ３００を被覆しないように、且つ、
マイクロミラー基板１００の共通外フレーム１３０’に
対向することとなる配線基板２００の所定の箇所にて、
所定の量が塗布される。
【００５１】次に、図１４に示すように、フリップチッ
プボンダを用いて、別途形成されるマイクロミラー基板
１００と配線基板２００とを位置合わせしつつマイクロ
ミラー基板１００を配線基板２００上に載置した後、加
圧および加熱しながら、マイクロミラー基板１００と配
線基板２００とを導電スペーサ３００を介して接合す
る。このとき、導電性接着剤３０３が硬化することによ
り、導電スペーサ３００がマイクロミラー基板１００の
電極パッド１３８ａ〜１３８ｄに接合される。その結
果、配線基板２００の配線パターン２１０と、マイクロ
ミラー基板１００の電極パッド１３８ａ〜１３８ｄが電
気的に接続される。マイクロミラー基板１００を配線基
板２００上に載置するとき、接着剤４０１の粘着力によ
り、マイクロミラー基板１００は配線基板２００に対し
て仮固定される。また、加圧および加熱を経て、マイク
ロミラー基板１００の共通外フレーム１３０’と配線基
板２００との間で接着剤４０１が硬化した後には、当該
接着剤４０１は、マイクロミラー基板１００と配線基板
２００との接合を補強する働きを担う。このようにして
マイクロミラー素子Ｘ２を作製してもよい。
【００５２】また、マイクロミラー素子Ｘ２において
は、図１５に示すように、マイクロミラー基板１００と
配線基板２００との間において、追加スペーサ３００’
を形成してもよい。この場合、追加スペーサ３００’
は、マイクロミラー基板１００の共通外フレーム１３
０’と配線基板２００の間に形成される。追加スペーサ
３００’は、ハンダバンプ、金属めっき、ドライフィル
ムレジスト、および、ガラス製または樹脂製の球状スペ
ーサなどにより構成することができる。ハンダバンプな
どの金属材料により追加スペーサ３００’を構成する場
合には、共通外フレーム１３０’および配線基板２００
の追加スペーサ形成箇所において、予め金属パッドを形
成しておくのが好ましい。共通外フレーム１３０’およ
び配線基板２００と追加スペーサ３００’との間におい
て充分な接合強度を得るためである。また、ハンダバン
プなどの金属材料により追加スペーサ３００’を構成す
る場合には、配線基板２００上の配線パターン２１０と
マイクロミラー基板１００に形成されている導電経路と
が、追加スペーサ３００’によりショートしないよう
に、追加スペーサ３００’を形成する。
【００５３】導電スペーサ３００の電極パッド２１１ａ
〜２１１ｄおよび／または電極パッド１３８ａ〜１３８
ｄに対する接合については、上述のような方法に代え
て、ＡｕパッドとＡｕバンプとの間の超音波ボンディン
グにより達成してもよい。或は、パッドと導電スペーサ
３００を圧接することにより達成してもよい。この場
合、マイクロミラー基板１００と配線基板２００の機械
的接合は、他の箇所に形成される例えば図１４に示すよ
うな接着剤４０１により達成される。導電スペーサ３０
０については、Ａｕ製のバンプボール３０１，３０２に
代えて、図１６に示すように、単一のハンダバンプ３０
４を採用することもできる。めっき法やスクリーン印刷
法により電極上に供給するハンダバンプ形成材料を調整
することにより、単一のハンダバンプ３０４により導電
スペーサ３００を形成することが可能である。
【００５４】図１７は、本発明の第３の実施形態に係る
マイクロミラー素子Ｘ３の部分断面図である。マイクロ
ミラー素子Ｘ３は、配線基板２００についてはマイクロ
ミラー素子Ｘ２と異なる構成を有し、マイクロミラー基
板１００および導電スペーサ３００についてはマイクロ
ミラー素子Ｘ２と同様の構成を有する。ただし、本実施
形態では、導電スペーサ３００としては単一ハンダバン
プ３０４を採用する。
【００５５】マイクロミラー素子Ｘ３の配線基板２００
は、第１の面２０１および第２の面２０２を有する。第
１の面２０１には、退避部２０３が形成されている。こ
の退避部２０３は、マイクロミラー基板１００のミラー
形成部１１０や内フレーム１２０の進入を許容するよう
な箇所および深さで形成されている。このように退避部
２０３が形成されているため、同一サイズのミラー形成
部１１０および内フレーム１２０を前提とすると、マイ
クロミラー素子Ｘ３の導電スペーサ３００に要求される
高さは、マイクロミラー素子Ｘ１およびマイクロミラー
素子Ｘ２の導電スペーサ３００に要求される高さよりも
低い。したがって、比較的低い単一のハンダバンプ３０
４によっても、導電スペーサ３００としての機能を良好
に果たすことができる。
【００５６】退避部２０３の形成によって、配線基板２
００の第１の面２０１において、配線パターン２１０を
形成するための領域は小さくなる。これに対応するべ
く、マイクロミラー素子Ｘ３では、配線パターン２１０
は、配線基板２００の第２の面２０２にも形成されてい
る。このような構成の配線パターン２１０においては、
第１の面２０１の配線パターン２１０と第２の面２０２
の配線パターン２１０は、配線基板２００を貫通する導
電連絡部２２０によって電気的に接続されている。第１
の面２０１の配線パターン２１０は、導電スペーサ３０
０が接合する電極パッド２１１ａ〜２１１ｄのみとして
もよい。また、第２の面２０２の配線パターン２１０に
は、外部接続用の電極パッド２１２ａ〜２１２ｄが含ま
れる。電極パッド２１２には、外部接続用の例えばハン
ダバンプ２３０が形成されている。
【００５７】上述の第１〜第３の実施形態では、２軸型
であって櫛歯電極型のマイクロミラーについて示した
が、本発明では、平行平板型マイクロミラー等について
実施してもよい。また、上述のマイクロミラー素子Ｘ２
の製造方法においては、マイクロミラー基板１００と配
線基板２００の接合の前に、導体スペーサ３００を配線
基板２００に対して形成しておく手法を説明したが、本
発明では、マイクロミラー基板１００と配線基板２００
の接合の前に、導電スペーサ３００は、マイクロミラー
基板２００に対して形成しておいてもよい。或は、両基
板に対して導電スペーサ３００の一部を形成しておき、
マイクロミラー基板１００と配線基板２００の接合の際
に導電スペーサ３００が形成される手法を採用してもよ
い。マイクロミラー素子Ｘ１，Ｘ３は、これらの手法を
含むマイクロミラー素子Ｘ２に関して説明した製造方法
と同様な方法により、製造することができる。
【００５８】以上のまとめとして、本発明の構成および
そのバリエーションを以下に付記として列挙する。
【００５９】（付記１）フレーム部と、ミラー部を有す
る可動部と、前記フレーム部および前記可動部を連結す
るトーションバーとが形成されているマイクロミラー基
板と、配線パターンが形成されている配線基板と、前記
マイクロミラー基板および前記配線基板を離隔させつつ
前記フレーム部および前記配線パターンを電気的に接続
するための導電スペーサと、を備えることを特徴とす
る、マイクロミラー素子。 （付記２）フレーム部と、ミラー部を有する可動部と、
前記フレーム部および前記可動部を連結するトーション
バーとを備える複数のマイクロミラーユニットが一体的
に形成されているマイクロミラー基板と、配線パターン
が形成されている配線基板と、前記マイクロミラー基板
および前記配線基板を離隔させつつ前記フレーム部およ
び前記配線パターンを電気的に接続するための導電スペ
ーサと、を備えることを特徴とする、マイクロミラー素
子。 （付記３）前記導電スペーサは、単一のバンプ、また
は、積み重なる複数のバンプからなる、付記１または２
に記載のマイクロミラー素子。 （付記４）前記導電スペーサは、電極パッドを介して前
記配線パターンおよび／または前記フレーム部に接続し
ている、付記１から３のいずれか１つに記載のマイクロ
ミラー素子。 （付記５）前記導電スペーサは、導電性接着剤を介して
前記配線パターンおよび／または前記フレーム部に接続
している、付記１から４のいずれか１つに記載のマイク
ロミラー素子。 （付記６）前記導電スペーサと前記電極パッドは融着し
ている、付記４に記載のマイクロミラー素子。 （付記７）前記導電スペーサと前記電極パッドは圧接し
ている、付記４に記載のマイクロミラー素子。 （付記８）前記配線基板は、前記マイクロミラー基板に
対向する第１の面を有し、当該第１の面には、前記可動
部の進入を許容する退避部が形成されている、付記１か
ら７のいずれか１つに記載のマイクロミラー素子。 （付記９）前記配線基板は、前記第１の面とは反対の第
２の面を有し、当該第２の面には、前記配線パターンの
一部が形成されている、付記８に記載のマイクロミラー
素子。 （付記１０）前記配線基板は、前記第１の面に形成され
ている配線パターンと前記第２の面に形成されている配
線パターンとを電気的に接続するように、前記配線基板
を貫通する導電連絡部を有する、付記９に記載のマイク
ロミラー素子。 （付記１１）前記マイクロミラー基板と前記配線基板と
の間に接着剤が介在する、付記１から１０のいずれか１
つに記載のマイクロミラー素子。 （付記１２）前記フレーム部と前記配線基板との間に追
加スペーサが介在する、付記１から１１のいずれか１つ
に記載のマイクロミラー素子。 （付記１３）前記追加スペーサはバンプである、付記１
２に記載のマイクロミラー素子。 （付記１４）前記可動部は第１櫛歯電極部を有し、前記
フレーム部は、前記第１櫛歯電極部との間に静電力を生
じさせることにより前記可動部を変位させるための第２
櫛歯電極部を有する、付記１から１３のいずれか１つに
記載のマイクロミラー素子。 （付記１５）前記可動部は、前記トーションバーを介し
て前記フレーム部に連結された中継フレームと、当該中
継フレームから離隔するミラー形成部と、当該中継フレ
ームおよびミラー形成部を連結する中継トーションバー
とを備え、前記中継トーションバーは、前記トーション
バーの延び方向に対して交差する方向に延びている、付
記１から１４のいずれか１つに記載のマイクロミラー素
子。 （付記１６）前記ミラー形成部は第３櫛歯電極部を有
し、前記中継フレームは、前記第３櫛歯電極部との間に
静電力を生じさせることにより前記ミラー形成部を変位
させるための第４櫛歯電極部を有する、付記１５に記載
のマイクロミラー素子。 （付記１７）前記マイクロミラー基板は、絶縁膜および
／または空隙により相互に絶縁された複数の区画を有
し、当該複数の区画の一部は、前記導電スペーサと電気
的に接続している、付記１から１６のいずれか１つに記
載のマイクロミラー素子。
【００６０】
【発明の効果】本発明によると、ミラー面の数の増加に
伴う素子の大型化を抑制可能なマイクロミラー素子が得
られる。このようなマイクロミラー素子によると、大規
模な光通信網に組み込まれる光スイッチング装置を小型
に構成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るマイクロミラー
素子の斜視図である。
【図２】図１に示すマイクロミラー素子の分解斜視図で
ある。
【図３】図１に示すマイクロミラー素子の断面図であ
る。
【図４】図１に示すマイクロミラー素子のマイクミラー
基板の裏面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係るマイクロミラー
素子の斜視図である。
【図６】図５に示すマイクロミラー素子の分解斜視図で
ある。
【図７】図５に示すマイクロミラー素子の部分断面図で
ある。
【図８】図５に示すマイクロミラー素子の製造工程一部
を表す。
【図９】図８に続く工程を表す。
【図１０】図９に続く工程を表す。
【図１１】図１０に続く工程を表す。
【図１２】図１１に続く工程を表す。
【図１３】図１２に続く別の工程を表す。
【図１４】図１３に続く工程を表す。
【図１５】マイクロミラー基板と配線基板との間に追加
スペーサが介在する場合の断面図である。
【図１６】導電スペーサの別の態様を表す。
【図１７】本発明の第３の実施形態に係るマイクロミラ
ー素子の部分断面図である。
【図１８】光スイッチング装置の一例の概略構成図であ
る。
【図１９】光スイッチング装置の他の例の概略構成図で
ある。
【符号の説明】
Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３ マイクロミラー素子 Ｘ２’ マイクロミラーユニット １００ マイクロミラー基板 １１０ ミラー形成部 １２０ 内フレーム １３０ 外フレーム １３０’ 共通外フレーム １３８ａ〜１３８ｄ 電極パッド １４０，１５０ トーションバー ２００ 配線基板 ２１０ 配線パターン ２１１ａ〜２１１ｄ，２１２ａ〜２１２ｄ 電極パッ
ド ３００ 導電スペーサ ３００’ 追加スペーサ ３０１，３０２ ボールバンプ ３０３ 導電性接着剤 ４０１ 接着剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 曽根田 弘光 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 上田 知史 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 奥田 久雄 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 佐脇 一平 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 壷井 修 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 水野 義博 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 高馬 悟覚 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 中村 義孝 長野県須坂市大字小山460番地 富士通メ ディアデバイス株式会社内 (72)発明者 山岸 文雄 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2H041 AA16 AB14 AB15 AC06 AZ02 AZ03 AZ08 5K069 AA16 DB36 DC08 EA27 EA30

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 フレーム部と、ミラー部を有する可動部
    と、前記フレーム部および前記可動部を連結するトーシ
    ョンバーとが形成されているマイクロミラー基板と、 配線パターンが形成されている配線基板と、 前記マイクロミラー基板および前記配線基板を離隔させ
    つつ前記フレーム部および前記配線パターンを電気的に
    接続するための導電スペーサと、を備えることを特徴と
    する、マイクロミラー素子。
  2. 【請求項２】 フレーム部と、ミラー部を有する可動部
    と、前記フレーム部および前記可動部を連結するトーシ
    ョンバーとを備える複数のマイクロミラーユニットが一
    体的に形成されているマイクロミラー基板と、 配線パターンが形成されている配線基板と、 前記マイクロミラー基板および前記配線基板を離隔させ
    つつ前記フレーム部および前記配線パターンを電気的に
    接続するための導電スペーサと、を備えることを特徴と
    する、マイクロミラー素子。
  3. 【請求項３】 前記導電スペーサは、単一のバンプ、ま
    たは、積み重なる複数のバンプからなる、請求項１また
    は２に記載のマイクロミラー素子。
  4. 【請求項４】 前記導電スペーサは、電極パッドを介し
    て前記配線パターンおよび／または前記フレーム部に接
    続している、請求項１から３のいずれか１つに記載のマ
    イクロミラー素子。
  5. 【請求項５】 前記導電スペーサは、導電性接着剤を介
    して前記配線パターンおよび／または前記フレーム部に
    接続している、請求項１から４のいずれか１つに記載の
    マイクロミラー素子。
  6. 【請求項６】 前記配線基板は、前記マイクロミラー基
    板に対向する第１の面を有し、当該第１の面には、前記
    可動部の進入を許容する退避部が形成されている、請求
    項１から５のいずれか１つに記載のマイクロミラー素
    子。
  7. 【請求項７】 前記マイクロミラー基板と前記配線基板
    との間に接着剤が介在する、請求項１から６のいずれか
    １つに記載のマイクロミラー素子。
  8. 【請求項８】 前記可動部は第１櫛歯電極部を有し、前
    記フレーム部は、前記第１櫛歯電極部との間に静電力を
    生じさせることにより前記可動部を変位させるための第
    ２櫛歯電極部を有する、請求項１から７のいずれか１つ
    に記載のマイクロミラー素子。
  9. 【請求項９】 前記可動部は、前記トーションバーを介
    して前記フレーム部に連結された中継フレームと、当該
    中継フレームから離隔するミラー形成部と、当該中継フ
    レームおよびミラー形成部を連結する中継トーションバ
    ーとを備え、前記中継トーションバーは、前記トーショ
    ンバーの延び方向に対して交差する方向に延びている、
    請求項１から８のいずれか１つに記載のマイクロミラー
    素子。
  10. 【請求項１０】 前記マイクロミラー基板は、絶縁膜お
    よび／または空隙により相互に絶縁された複数の区画を
    有し、当該複数の区画の一部は、前記導電スペーサと電
    気的に接続している、請求項１から９のいずれか１つに
    記載のマイクロミラー素子。
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US10/331,500 US6806992B2 (en) 2002-05-24 2002-12-31 Micro mirror unit including mirror substrate and wiring substrate spaced by conductive spacer
TW092100023A TWI234006B (en) 2002-05-24 2003-01-02 Micro mirror unit including mirror substrate and wiring substrate spaced by conductive spacer
DE60308752T DE60308752T2 (de) 2002-05-24 2003-01-15 Mikrospiegeleinheit mit einem Spiegelsubstrat und einem davon durch ein leitendes Abstandselement getrenntes Verdrahtungssubstrat
KR1020030002605A KR100923846B1 (ko) 2002-05-24 2003-01-15 마이크로 미러 소자
EP03000825A EP1369730B1 (en) 2002-05-24 2003-01-15 Micro mirror unit including mirror substrate and wiring substrate spaced by conductive spacer
CNB031023215A CN1207593C (zh) 2002-05-24 2003-01-30 包括由导电衬垫隔开的镜面基片和布线基片的微镜面单元

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TW (1) TWI234006B (ja)

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6906849B1 (en) 2004-05-14 2005-06-14 Fujitsu Limited Micro-mirror element
JP2005316043A (ja) * 2004-04-28 2005-11-10 Yokohama Tlo Co Ltd マイクロミラー素子及びその製造方法
JP2006300976A (ja) * 2005-04-15 2006-11-02 Fujitsu Ltd マイクロ可動素子および光スイッチング装置
JP2007518223A (ja) * 2003-12-30 2007-07-05 コミツサリア タ レネルジー アトミーク 発散制御機能を有したハイブリッド型マルチビーム電子放出デバイス
JP2008068396A (ja) * 2006-09-12 2008-03-27 Asml Netherlands Bv Ｍｅｍｓデバイスおよびアッセンブリ方法
JP2009260247A (ja) * 2008-03-19 2009-11-05 Fujitsu Ltd 電子部品及び電子部品の製造方法
US20100085623A1 (en) * 2008-10-08 2010-04-08 Fujitsu Limited Micro movable device and optical switching apparatus
JP2010089233A (ja) * 2008-10-10 2010-04-22 Fujitsu Ltd マイクロ可動素子および光スイッチング装置
JP2010515095A (ja) * 2006-12-26 2010-05-06 ティエンシェン・ジョウ 高フィルファクターアレイ用の微小電気機械システムマイクロミラーおよびこの方法
US7880951B2 (en) 2007-03-30 2011-02-01 Fujitsu Limited Micro oscillating device and micro oscillating device array
US8218219B2 (en) 2008-07-02 2012-07-10 Fujitsu Limited Micro-mirror array and optical switch
JP2013061658A (ja) * 2007-01-19 2013-04-04 Pixtronix Inc Ｍｅｍｓディスプレイ装置
KR20140073238A (ko) * 2012-12-06 2014-06-16 엘지이노텍 주식회사 멤스 소자 및 흔들림 보정 장치
US9082353B2 (en) 2010-01-05 2015-07-14 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling display apparatus
US9087486B2 (en) 2005-02-23 2015-07-21 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling display apparatus
US9116344B2 (en) 2008-10-27 2015-08-25 Pixtronix, Inc. MEMS anchors
US9128277B2 (en) 2006-02-23 2015-09-08 Pixtronix, Inc. Mechanical light modulators with stressed beams
US9134552B2 (en) 2013-03-13 2015-09-15 Pixtronix, Inc. Display apparatus with narrow gap electrostatic actuators
US9135868B2 (en) 2005-02-23 2015-09-15 Pixtronix, Inc. Direct-view MEMS display devices and methods for generating images thereon
US9158106B2 (en) 2005-02-23 2015-10-13 Pixtronix, Inc. Display methods and apparatus
US9176318B2 (en) 2007-05-18 2015-11-03 Pixtronix, Inc. Methods for manufacturing fluid-filled MEMS displays
US9177523B2 (en) 2005-02-23 2015-11-03 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling display apparatus
US9229222B2 (en) 2005-02-23 2016-01-05 Pixtronix, Inc. Alignment methods in fluid-filled MEMS displays
US9261694B2 (en) 2005-02-23 2016-02-16 Pixtronix, Inc. Display apparatus and methods for manufacture thereof
US9336732B2 (en) 2005-02-23 2016-05-10 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling display apparatus
US9500853B2 (en) 2005-02-23 2016-11-22 Snaptrack, Inc. MEMS-based display apparatus
WO2024201848A1 (ja) * 2023-03-29 2024-10-03 ｓａｎｔｅｃ Ｈｏｌｄｉｎｇｓ株式会社 光スイッチ

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6952301B2 (en) * 1995-06-19 2005-10-04 Reflectivity, Inc Spatial light modulators with light blocking and absorbing areas
US6906847B2 (en) * 2000-12-07 2005-06-14 Reflectivity, Inc Spatial light modulators with light blocking/absorbing areas
KR100486716B1 (ko) * 2002-10-18 2005-05-03 삼성전자주식회사 2-ｄ 액튜에이터 및 그 제조방법
US7405860B2 (en) * 2002-11-26 2008-07-29 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulators with light blocking/absorbing areas
US7375874B1 (en) 2003-03-22 2008-05-20 Active Optical Mems Inc. Light modulator with integrated drive and control circuitry
US6914711B2 (en) * 2003-03-22 2005-07-05 Active Optical Networks, Inc. Spatial light modulator with hidden comb actuator
US7015885B2 (en) 2003-03-22 2006-03-21 Active Optical Networks, Inc. MEMS devices monolithically integrated with drive and control circuitry
JP4427298B2 (ja) * 2003-10-28 2010-03-03 富士通株式会社 多段バンプの形成方法
JP2005164859A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Olympus Corp 光偏向器アレイ
MX2007001764A (es) 2004-08-12 2007-07-11 Interdigital Tech Corp Metodo y aparato para implementar una codificacion por bloques en espacio y frecuencia.
US7224508B2 (en) * 2004-09-13 2007-05-29 Space Photonics, Inc. MEMS-based optical communications beam steering apparatus
KR100624436B1 (ko) * 2004-10-19 2006-09-15 삼성전자주식회사 2축 액츄에이터 및 그 제조방법
DE602005011475D1 (de) 2004-11-09 2009-01-15 Koninkl Philips Electronics Nv Array von räumlichen lichtmodulatoren und verfahren zur herstellung einer räumlichen lichtmodulationsvorrichtung
JP4365308B2 (ja) * 2004-12-02 2009-11-18 富士通株式会社 マイクロ揺動素子
JP4138736B2 (ja) * 2004-12-02 2008-08-27 富士通株式会社 マイクロ揺動素子
JP4573664B2 (ja) * 2005-02-16 2010-11-04 富士通株式会社 マイクロ揺動素子およびその製造方法
WO2008069176A1 (ja) * 2006-12-05 2008-06-12 Panasonic Corporation アクチュエータ
US8224189B1 (en) 2007-02-02 2012-07-17 Sunlight Photonics Inc. Retro-directive target for free-space optical communication and method of producing the same
DE102007030994A1 (de) 2007-07-04 2009-01-08 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Bauelement und Verfahren zur Schwingungsanregung eines Schwingungselements eines mikromechanischen Bauelements
CN101359159B (zh) * 2007-07-30 2010-06-02 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 投影光学系统
DE102007037555A1 (de) 2007-08-09 2009-02-12 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Bauelement und Verfahren zur Schwingungsanregung eines Schwingungselements eines mikromechanischen Bauelements
EP2191227A4 (en) * 2007-08-10 2017-04-19 Board of Regents, The University of Texas System Forward-imaging optical coherence tomography (oct) systems and probe
FR2924856B1 (fr) * 2007-12-11 2012-02-10 Memscap Condensateur a capacite variable comprenant un peigne mobile et un peigne fixe interdigites, accelerometre et gyrometre comprenant un tel condensateur
US8160452B1 (en) 2008-01-07 2012-04-17 Space Photonics, Inc. Rapid acquisition, pointing and tracking optical system for free space optical communications
DE102008007345B4 (de) * 2008-02-04 2016-10-06 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102008001232A1 (de) 2008-04-17 2009-10-22 Robert Bosch Gmbh Elektrodenkamm, mikromechanisches Bauteil und Herstellungsverfahren für einen Elektrodenkamm und für ein mikromechanisches Bauteil
DE102008001663B4 (de) 2008-05-08 2017-11-02 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Bauteil und Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil
JP4980990B2 (ja) * 2008-06-25 2012-07-18 パナソニック株式会社 可動構造体及びそれを用いたマイクロミラー素子
WO2009157509A1 (ja) * 2008-06-25 2009-12-30 パナソニック電工株式会社 可動構造体及びそれを用いた光走査ミラー
JP5487960B2 (ja) * 2009-12-28 2014-05-14 船井電機株式会社 振動ミラー素子および振動ミラー素子の製造方法
US10551613B2 (en) * 2010-10-20 2020-02-04 Tiansheng ZHOU Micro-electro-mechanical systems micromirrors and micromirror arrays
EP2745536B1 (en) 2011-08-16 2016-02-24 Empire Technology Development LLC Techniques for generating audio signals
US20140126034A1 (en) * 2012-11-07 2014-05-08 Canon Kabushiki Kaisha Variable shape mirror and method of manufacturing the same
DE102013206377B4 (de) 2013-04-11 2021-07-29 Robert Bosch Gmbh Mikromechanische Struktur und entsprechendes Herstellungsverfahren
DE102013224631A1 (de) * 2013-11-29 2015-06-03 Robert Bosch Gmbh Mikrospiegel und Herstellungsverfahren für zumindest einen in einer Mikrospiegelvorrichtung anordbaren oder angeordneten Mikrospiegel
WO2015119626A1 (en) * 2014-02-08 2015-08-13 Empire Technology Development Llc Mems-based structure for pico speaker
WO2015119629A2 (en) 2014-02-08 2015-08-13 Empire Technology Development Llc Mems dual comb drive
KR101783602B1 (ko) * 2016-06-24 2017-10-10 고려대학교 산학협력단 나노 스케일을 갖는 분석 장비의 보정 표준 시편
FR3058830B1 (fr) * 2016-11-14 2018-11-30 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de realisation collective d’une pluralite de puces optoelectroniques
US10268037B2 (en) * 2017-04-27 2019-04-23 Google Llc Interdigitating vertical dampers for MEMS-based actuators
CN110703430A (zh) * 2019-11-28 2020-01-17 无锡微视传感科技有限公司 二维静电扫描微镜
GB202009957D0 (en) * 2020-06-30 2020-08-12 Ams Sensors Singapore Pte Ltd Spacer for an optical device
CN114019675B (zh) * 2021-09-29 2022-11-01 北京理工大学 二维微镜
US20230375822A1 (en) * 2022-05-20 2023-11-23 Microsoft Technology Licensing, Llc Flip chip micromirror technology

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5583688A (en) * 1993-12-21 1996-12-10 Texas Instruments Incorporated Multi-level digital micromirror device
US5999306A (en) * 1995-12-01 1999-12-07 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing spatial light modulator and electronic device employing it
US6061323A (en) * 1996-07-30 2000-05-09 Seagate Technology, Inc. Data storage system having an improved surface micro-machined mirror
JPH11142753A (ja) 1997-11-04 1999-05-28 Seiko Epson Corp 変形可能ミラーデバイスの製造方法
KR100300965B1 (ko) * 1998-09-10 2001-10-29 윤종용 정전기력을 이용한 광디스크 드라이브의 미소 거울 구동기 및 그 제작 방법
WO2000020899A2 (en) 1998-09-15 2000-04-13 Xros, Inc. Flexible, modular, compact fiber optic switch
JP3065611B1 (ja) * 1999-05-28 2000-07-17 三菱電機株式会社 マイクロミラ―装置およびその製造方法
KR100708077B1 (ko) * 2000-05-01 2007-04-16 삼성전자주식회사 화상표시장치용 마이크로미러 디바이스
US20020131146A1 (en) * 2000-07-20 2002-09-19 Nayna Networks, Inc. (A Delaware Corporation) Integrated mirror array and circuit device
AU2001286745A1 (en) 2000-08-27 2002-03-13 Corning Intellisense Corporation Magnetically actuated micro-electro-mechanical apparatus and method of manufacture
US6431714B1 (en) * 2000-10-10 2002-08-13 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Micro-mirror apparatus and production method therefor
US6519075B2 (en) 2000-11-03 2003-02-11 Agere Systems Inc. Packaged MEMS device and method for making the same
US6720682B2 (en) * 2001-06-14 2004-04-13 Lightbay Networks Corporation Actuator assembly for tilting a mirror or like object
JP2003015064A (ja) * 2001-07-04 2003-01-15 Fujitsu Ltd マイクロミラー素子
US7203393B2 (en) * 2002-03-08 2007-04-10 Movaz Networks, Inc. MEMS micro mirrors driven by electrodes fabricated on another substrate

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007518223A (ja) * 2003-12-30 2007-07-05 コミツサリア タ レネルジー アトミーク 発散制御機能を有したハイブリッド型マルチビーム電子放出デバイス
JP2005316043A (ja) * 2004-04-28 2005-11-10 Yokohama Tlo Co Ltd マイクロミラー素子及びその製造方法
JP4651302B2 (ja) * 2004-04-28 2011-03-16 よこはまティーエルオー株式会社 マイクロミラー素子の製造方法
US6906849B1 (en) 2004-05-14 2005-06-14 Fujitsu Limited Micro-mirror element
US9229222B2 (en) 2005-02-23 2016-01-05 Pixtronix, Inc. Alignment methods in fluid-filled MEMS displays
US9500853B2 (en) 2005-02-23 2016-11-22 Snaptrack, Inc. MEMS-based display apparatus
US9336732B2 (en) 2005-02-23 2016-05-10 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling display apparatus
US9274333B2 (en) 2005-02-23 2016-03-01 Pixtronix, Inc. Alignment methods in fluid-filled MEMS displays
US9261694B2 (en) 2005-02-23 2016-02-16 Pixtronix, Inc. Display apparatus and methods for manufacture thereof
US9177523B2 (en) 2005-02-23 2015-11-03 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling display apparatus
US9158106B2 (en) 2005-02-23 2015-10-13 Pixtronix, Inc. Display methods and apparatus
US9135868B2 (en) 2005-02-23 2015-09-15 Pixtronix, Inc. Direct-view MEMS display devices and methods for generating images thereon
US9087486B2 (en) 2005-02-23 2015-07-21 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling display apparatus
JP4550653B2 (ja) * 2005-04-15 2010-09-22 富士通株式会社 マイクロ可動素子および光スイッチング装置
JP2006300976A (ja) * 2005-04-15 2006-11-02 Fujitsu Ltd マイクロ可動素子および光スイッチング装置
US9128277B2 (en) 2006-02-23 2015-09-08 Pixtronix, Inc. Mechanical light modulators with stressed beams
JP2008068396A (ja) * 2006-09-12 2008-03-27 Asml Netherlands Bv Ｍｅｍｓデバイスおよびアッセンブリ方法
JP2010515095A (ja) * 2006-12-26 2010-05-06 ティエンシェン・ジョウ 高フィルファクターアレイ用の微小電気機械システムマイクロミラーおよびこの方法
JP2013061658A (ja) * 2007-01-19 2013-04-04 Pixtronix Inc Ｍｅｍｓディスプレイ装置
US7880951B2 (en) 2007-03-30 2011-02-01 Fujitsu Limited Micro oscillating device and micro oscillating device array
US9176318B2 (en) 2007-05-18 2015-11-03 Pixtronix, Inc. Methods for manufacturing fluid-filled MEMS displays
JP2009260247A (ja) * 2008-03-19 2009-11-05 Fujitsu Ltd 電子部品及び電子部品の製造方法
US8218219B2 (en) 2008-07-02 2012-07-10 Fujitsu Limited Micro-mirror array and optical switch
US9348135B2 (en) * 2008-10-08 2016-05-24 Drnc Holdings, Inc. Micro movable device and optical switching apparatus
US20100085623A1 (en) * 2008-10-08 2010-04-08 Fujitsu Limited Micro movable device and optical switching apparatus
US9244269B2 (en) 2008-10-10 2016-01-26 Drnc Holdings, Inc. Micro movable device and optical switching apparatus
JP2010089233A (ja) * 2008-10-10 2010-04-22 Fujitsu Ltd マイクロ可動素子および光スイッチング装置
US9182587B2 (en) 2008-10-27 2015-11-10 Pixtronix, Inc. Manufacturing structure and process for compliant mechanisms
US9116344B2 (en) 2008-10-27 2015-08-25 Pixtronix, Inc. MEMS anchors
US9082353B2 (en) 2010-01-05 2015-07-14 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling display apparatus
KR20140073238A (ko) * 2012-12-06 2014-06-16 엘지이노텍 주식회사 멤스 소자 및 흔들림 보정 장치
KR102029783B1 (ko) 2012-12-06 2019-10-08 엘지이노텍 주식회사 멤스 소자 및 흔들림 보정 장치
US9134552B2 (en) 2013-03-13 2015-09-15 Pixtronix, Inc. Display apparatus with narrow gap electrostatic actuators
WO2024201848A1 (ja) * 2023-03-29 2024-10-03 ｓａｎｔｅｃ Ｈｏｌｄｉｎｇｓ株式会社 光スイッチ

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