JP2003342556A - 研磨用組成物 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気ディスク用基盤の研磨加工で用いた際に
磁気ディスク用基盤の外周部の面ダレを抑制することが
できる研磨用組成物を提供する。 【解決手段】 イソプレンスルホン酸又はその塩を単量
体単位として有する重合体及び下記一般式（１）で表さ
れる化合物のうち少なくともいずれか一方、研磨材、研
磨促進剤、並びに水を混合して研磨用組成物を調製す
る。 【化１】 （式中、Ｘは活性水素原子を有する化合物とアルキレン
オキシドから誘導されたポリエーテルポリオールの残基
（ただし、ポリエーテル鎖中にオキシエチレン基を２０
〜９０重量％含む。）、ｍは２〜８の数（＝前記ポリエ
ーテルポリオール１分子中の水酸基の数）、Ｙは二価の
炭化水素基、Ｚは活性水素原子を有する一価の化合物の
残基、ｎは３以上の数をそれぞれ示す。）
磁気ディスク用基盤の外周部の面ダレを抑制することが
できる研磨用組成物を提供する。 【解決手段】 イソプレンスルホン酸又はその塩を単量
体単位として有する重合体及び下記一般式（１）で表さ
れる化合物のうち少なくともいずれか一方、研磨材、研
磨促進剤、並びに水を混合して研磨用組成物を調製す
る。 【化１】 （式中、Ｘは活性水素原子を有する化合物とアルキレン
オキシドから誘導されたポリエーテルポリオールの残基
（ただし、ポリエーテル鎖中にオキシエチレン基を２０
〜９０重量％含む。）、ｍは２〜８の数（＝前記ポリエ
ーテルポリオール１分子中の水酸基の数）、Ｙは二価の
炭化水素基、Ｚは活性水素原子を有する一価の化合物の
残基、ｎは３以上の数をそれぞれ示す。）
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク用基
盤などの研磨加工で用いられる研磨用組成物に関するも
のである。 【０００２】 【従来の技術】一般に磁気ディスクを製造する工程にお
いては、うねりや凹凸を除去して平滑化するために磁気
ディスク用基盤の研磨加工が行なわれる。この磁気ディ
スク用基盤の研磨加工で用いられる研磨用組成物として
は、各種の研磨材に研磨促進剤やその他の添加剤を組み
合わせた種々のものが提案されている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】ところで、コンピュー
タの小型化・高性能化に伴って磁気ディスクには更なる
高容量化が求められている。しかし、磁気ディスク用基
盤の研磨加工に従来の研磨用組成物を用いた場合には、
磁気ディスク用基盤の外周部が過剰に研磨されることに
よって同外周部に面ダレが生じるおそれがあり、これが
磁気ディスクの高容量化を妨げる一因になっていた。 【０００４】本発明は、上記のような従来技術に存在す
る問題点に着目してなされたものである。その目的とす
るところは、磁気ディスク用基盤の研磨加工で用いた際
に磁気ディスク用基盤の外周部の面ダレを抑制すること
ができる研磨用組成物を提供することにある。 【０００５】 【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項１に記載の発明は、研磨材、研磨促進剤及
び水を含有する研磨用組成物であって、さらに、イソプ
レンスルホン酸又はその塩を単量体単位として有する重
合体、及び下記一般式（１）で表される化合物のうち少
なくともいずれか一方を含有することを要旨とする。 【０００６】 【化２】 （式中、Ｘは活性水素原子を有する化合物とアルキレン
オキシドから誘導されたポリエーテルポリオールの残基
（ただし、ポリエーテル鎖中にオキシエチレン基を２０
〜９０重量％含む。）、ｍは２〜８の数（＝前記ポリエ
ーテルポリオール１分子中の水酸基の数）、Ｙは二価の
炭化水素基、Ｚは活性水素原子を有する一価の化合物の
残基、ｎは３以上の数をそれぞれ示す。） 【０００７】 【発明の実施の形態】（第１実施形態）以下、本発明を
具体化した第１実施形態について説明する。 【０００８】本実施形態の研磨用組成物は、下記一般式
（１）で表される化合物、研磨材、研磨促進剤及び水か
ら構成されている。 【０００９】 【化３】 （式中、Ｘは活性水素原子を有する化合物とアルキレン
オキシドから誘導されたポリエーテルポリオールの残基
（ただし、ポリエーテル鎖中にオキシエチレン基を２０
〜９０重量％含む。）、ｍは２〜８の数（＝前記ポリエ
ーテルポリオール１分子中の水酸基の数）、Ｙは二価の
炭化水素基、Ｚは活性水素原子を有する一価の化合物の
残基、ｎは３以上の数をそれぞれ示す。）はじめに、上
記一般式（１）で表される化合物について説明する。 【００１０】上記一般式（１）で表される化合物は、被
研磨物のエッジ部分（被研磨物が磁気ディスク用基盤で
あればその外周部）に面ダレが生じるのを抑制する働き
を有する。 【００１１】上記一般式（１）で表される化合物の具体
例としては、ポリウレタン系の界面活性剤であるＡＫＺ
Ｏ ＮＯＢＥＬ社製ＢＥＲＭＯＤＯＬ ＰＵＲシリー
ズ、旭電化工業株式会社製のアデカノールＵＨシリー
ズ、及びＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ社製のプライマル
シリーズ等が挙げられる。 【００１２】研磨用組成物に含まれる上記一般式（１）
で表される化合物の量は、０．００１〜１重量％が好ま
しく、０．００５〜０．５重量％がより好ましく、０．
００５〜０．３重量％が最も好ましい。 【００１３】次に、研磨材について説明する。研磨材
は、機械的作用により被研磨物を研磨する働きを有す
る。研磨材の具体例としては、α−アルミナ、δ−アル
ミナ、θ−アルミナ、κ−アルミナ、フュームドアルミ
ナなどの酸化アルミニウム；コロイダルシリカ、フュー
ムドシリカなどの二酸化ケイ素；二酸化セリウム、三酸
化二セリウムなど六方晶系、等軸晶系又は面心立方晶系
の酸化セリウム；フュームドジルコニアなど単斜晶系、
正方晶系又は非晶質の酸化ジルコニウム；一酸化チタ
ン、三酸化二チタン、二酸化チタン、フュームドチタニ
アなどの酸化チタン；α−窒化ケイ素、β−窒化ケイ
素、アモルファス窒化ケイ素などの窒化ケイ素；α−炭
化ケイ素、β−炭化ケイ素、アモルファス炭化ケイ素な
どの炭化ケイ素等が挙げられる。なお、研磨用組成物
は、研磨材を一種類のみ含有するものであっても、二種
類以上含有するものであってもよい。 【００１４】研磨材の粒径は、被研磨物の種類や研磨条
件などによって好ましい範囲が異なるが、一般的に、二
酸化ケイ素であれば、ＢＥＴ法で測定される表面積から
求められる平均粒子径で０．００５〜０．５μｍが好ま
しく、０．０１〜０．３μｍがより好ましい。酸化アル
ミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、窒化ケイ素
又は炭化ケイ素であれば、レーザー回折式粒度測定機
（例えばＣｏｕｌｔｅｒ社製ＬＳ−２３０）で測定され
る平均粒子径（Ｄ５０％）で０．０５〜２μｍが好まし
く、０．１〜１．５μｍがより好ましい。酸化セリウム
であれば、走査型電子顕微鏡での観察から求められる平
均粒子径で０．０１〜０．５μｍが好ましく、０．０５
〜０．４５μｍがより好ましい。 【００１５】研磨用組成物に含まれる研磨材の量は、
０．１〜４０重量％が好ましく、１〜２５重量％がより
好ましい。次に、研磨促進剤について説明する。 【００１６】研磨促進剤は、化学的作用により被研磨物
を研磨する働きを有する。研磨促進剤の具体例として
は、リンゴ酸、グリコール酸、コハク酸、クエン酸、マ
レイン酸、イタコン酸、マロン酸、イミノ二酢酸、グル
コン酸、乳酸、マンデル酸、クロトン酸、ニコチン酸、
酢酸、グリシン、アラニン、チオ酢酸、メルカプトコハ
ク酸、カルボキシエチルチオコハク酸、硝酸アルミニウ
ム、硫酸アルミニウム、硝酸鉄（III）などが挙げられ
る。その中でも、リンゴ酸、グリコール酸、コハク酸又
はクエン酸が好ましく、コハク酸が特に好ましい。な
お、研磨用組成物は、研磨促進剤を一種類のみ含有する
ものであっても、二種類以上含有するものであってもよ
い。 【００１７】研磨用組成物に含まれる研磨促進剤の量
は、０．０１〜２５重量％が好ましく、０．１〜２０重
量％がより好ましく、０．２〜１０重量％が最も好まし
い。次に、水について説明する。 【００１８】分散媒及び溶媒としての役割を担う水は、
不純物をできるだけ含まないものが好ましく、具体的に
はイオン交換水をフィルターろ過したもの、あるいは蒸
留水が好ましい。 【００１９】以上説明した上記一般式（１）で表される
化合物、研磨材、研磨促進剤及び水から構成される研磨
用組成物のｐＨは、２〜７が好ましい。また研磨用組成
物は、水に、上記一般式（１）で表される化合物、研磨
材、研磨促進剤を混合して溶解・分散させることによっ
て調製される。分散の方法は任意であり、例えば翼式撹
押機による撹拌、超音波分散が挙げられる。 【００２０】本実施形態によって得られる作用効果につ
いて、以下に記載する。 （１）本実施形態の研磨用組成物を被研磨物の研磨加工
に用いれば、被研磨物のエッジ部分に面ダレが生じるの
を抑制することができる。特に被研磨物が磁気ディスク
用基盤であれば、その外周部に面ダレが生じるのを抑制
することができ、ひいては磁気ディスクの高容量化に寄
与することができる。本実施形態の研磨用組成物が被研
磨物のエッジ部分に面ダレが生じるのを抑制することが
できるのは、研磨用組成物に含まれている上記一般式
（１）で表される化合物によって、研磨パッドと被研磨
物との間の摩擦が適度に緩和されることで、被研磨物の
エッジ部分の過剰な研磨が抑制されるためと推測され
る。 【００２１】（２）研磨用組成物に含まれる上記一般式
（１）で表される化合物の量を０．００１重量％以上と
すれば、被研磨物の面ダレを十分に抑制しうる研磨用組
成物を提供することができる。また、０．００５重量％
以上とすれば、研磨用組成物による面ダレ抑制効果を特
に高めることができる。 【００２２】（３）研磨用組成物に含まれる上記一般式
（１）で表される化合物の量を１重量％以下とすれば、
過剰添加による研磨速度の極端な低下とコストの増大を
防止することができる。また、０．５重量％以下とすれ
ば上記の効果を一段と高めることができ、０．３重量％
以下とすれば上記の効果をさらに高めることができる。 【００２３】（４）研磨材の平均粒子径を、二酸化ケイ
素なら０．００５μｍ以上、酸化アルミニウム、酸化ジ
ルコニウム、酸化チタン、窒化ケイ素又は炭化ケイ素な
ら０．０５μｍ以上、酸化セリウムなら０．０１μｍ以
上とすれば、研磨材の粒径が過小なことに起因して研磨
速度が極端に低下するのを防止することができる。この
平均粒子径を、二酸化ケイ素なら０．０１μｍ以上、酸
化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、窒化
ケイ素又は炭化ケイ素なら０．１μｍ以上、酸化セリウ
ムなら０．０５μｍ以上とすれば、上記の効果を一段と
高めることができる。 【００２４】（５）研磨材の平均粒子径を、二酸化ケイ
素又は酸化セリウムなら０．５μｍ以下、酸化アルミニ
ウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、窒化ケイ素又は
炭化ケイ素なら２μｍ以下とすれば、研磨材の粒径が過
大なことに起因して被研磨物の仕上がり面の表面粗さが
大きくなるのを防止することができる。また、研磨材の
粒径が過大なことに起因して被研磨物の仕上がり面にス
クラッチが発生するのも防止することができる。この平
均粒子径を、二酸化ケイ素なら０．３μｍ以下、酸化ア
ルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、窒化ケイ
素又は炭化ケイ素なら１．５μｍ以下、酸化セリウムな
ら０．４５μｍ以下とすれば、被研磨物の仕上がり面の
表面粗さが大きくなるのを防止する効果を一段と高める
ことができる。 【００２５】（６）研磨用組成物に含まれる研磨材の量
を０．１重量％以上とすれば、研磨材の含有量が過少な
ことに起因して研磨速度が低下するのを防止することが
できる。この含有量を１重量％以上とすれば、上記の効
果を一段と高めることができる。 【００２６】（７）研磨用組成物に含まれる研磨材の量
を４０重量％以下とすれば、研磨材の含有量が過多なこ
とに起因して、粘性が増大して取扱性が低下したり、研
磨パッドが目詰まりしたり、被研磨物の仕上がり面に表
面欠陥が生じたりするのを防止することができる。この
含有量を２５重量％以下とすれば、上記の効果を一段と
高めることができる。 【００２７】（８）研磨促進剤をリンゴ酸、グリコール
酸、コハク酸又はクエン酸とすれば、研磨速度を上げる
ことができるほか、被研磨物の仕上がり面に表面欠陥が
生じるのを抑制することができる。研磨促進剤をコハク
酸とすれば、上記の効果を一段と高めることができる。 【００２８】（９）研磨用組成物に含まれる研磨促進剤
の量を０．０１重量％以上とすれば、研磨促進剤の含有
量が過少なことに起因して研磨速度が低下するのを防止
することができる。この含有量を０．１重量％以上とす
れば上記の効果を一段と高めることができ、０．２重量
％以上とすればさらにその効果を向上させることができ
る。 【００２９】（１０）研磨用組成物に含まれる研磨促進
剤の量を２５重量％以下とすれば、研磨促進剤の含有量
が過多なことに起因してコストが増大するのを防止する
ことができる。また、この含有量を２０重量％以下とす
れば上記の効果を一段と高めることができ、１０重量％
以下とすれば上記の効果をさらに高めることができる。 【００３０】（１１）研磨用組成物のｐＨを２以上とす
れば、研磨加工の際に研磨用組成物によって研磨機など
が浸蝕されるのを抑制することができる。 （１２）研磨用組成物のｐＨを７以下とすれば、研磨用
組成物がアルカリ性であることに起因して、研磨速度が
低下したり、被研磨物の仕上がり面の表面粗さが大きく
なったり、仕上がり面にスクラッチが発生したりするの
を防止することができる。 【００３１】（第２実施形態）以下、本発明を具体化し
た第２実施形態について説明する。なお、この第２実施
形態の研磨用組成物は、前記第１実施形態の研磨用組成
物に含有されている上記一般式（１）で表される化合物
を、イソプレンスルホン酸又はその塩を単量体単位とし
て有する重合体に置き換えた点でのみ相違するので、以
下、その相違点を中心にして説明する。 【００３２】本実施形態の研磨用組成物は、イソプレン
スルホン酸又はその塩を単量体単位として有する重合体
（以下、単に「重合体」ともいう。）、研磨材、研磨促
進剤及び水から構成されている。 【００３３】前記重合体は、前記第１実施形態における
一般式（１）で表される化合物と同様、被研磨物のエッ
ジ部分（被研磨物が磁気ディスク用基盤であればその外
周部）に面ダレが生じるのを抑制する働きを有する。 【００３４】前記重合体を構成するイソプレンスルホン
酸又はその塩以外の単量体単位としては、例えば、イソ
プレンやアクリル酸などが挙げられる。研磨用組成物に
含まれる前記重合体の量は、０．００１〜１重量％が好
ましく、０．００５〜０．５重量％がより好ましく、
０．００５〜０．３重量％が最も好ましい。 【００３５】本実施形態によれば、先に第１実施形態の
説明の中で記載した（４）〜（１２）の作用効果が得ら
れるほか、以下の作用効果が得られる。 （１３）本実施形態の研磨用組成物を被研磨物の研磨加
工に用いれば、被研磨物のエッジ部分に面ダレが生じる
のを抑制することができる。特に被研磨物が磁気ディス
ク用基盤であれば、その外周部に面ダレが生じるのを抑
制することができ、ひいては磁気ディスクの高容量化に
寄与することができる。本実施形態の研磨用組成物が被
研磨物のエッジ部分に面ダレが生じるのを抑制すること
ができるのは、研磨用組成物に含まれている前記重合体
によって、研磨パッドと被研磨物との間の摩擦が適度に
緩和されることで、被研磨物のエッジ部分の過剰な研磨
が抑制されるためと推測される。 【００３６】（１４）研磨用組成物に含まれる前記重合
体の量を０．００１重量％以上とすれば、被研磨物の面
ダレを十分に抑制しうるだけでなく十分な研磨速度を発
揮しうる研磨用組成物を提供することができる。また、
０．００５重量％以上とすれば、研磨用組成物による面
ダレ抑制効果を特に高めることができる。 【００３７】（１５）研磨用組成物に含まれる前記重合
体の量を１重量％以下とすれば、過剰添加による研磨速
度の極端な低下とコストの増大を防止することができ
る。また、０．５重量％以下とすれば上記の効果を一段
と高めることができ、０．３重量％以下とすれば上記の
効果をさらに高めることができる。 【００３８】なお、前記実施形態を次のように変更して
構成することもできる。 ・ 前記第１実施形態の研磨用組成物に、イソプレンス
ルホン酸又はその塩を単量体単位として有する重合体を
加えてもよい。 【００３９】・ 前記第２実施形態の研磨用組成物に、
上記一般式（１）で表される化合物を加えてもよい。 ・ 前記実施形態の研磨用組成物に、従来の研磨用組成
物で一般的に使用されている各種の添加剤を加えてもよ
い。例えば、セルロース、カルボキシメチルセルロー
ス、ヒドロキシエチルセルロースなどのセルロース類；
エタノール、プロパノール、エチレングリコールなどの
水溶性アルコール類；アルキルベンゼンスルホン酸ソー
ダ、ナフタリンスルホン酸のホルマリン縮合物などの界
面活性剤；リグニンスルホン酸塩、ポリアクリル酸塩な
どの有機ポリアニオン系物質；ポリビニルアルコールな
どの水溶性高分子（乳化剤）類；ジメチルグリオキシ
ム、ジチゾン、オキシン、アセチルアセトン、ＥＤＴ
Ａ、ＮＴＡなどのキレート剤；アルギン酸ナトリウム、
炭酸水素カリウムなどの殺菌剤；硫酸アルミニウム、硫
酸ニッケル、硝酸アルミニウム、硝酸ニッケル、硝酸
鉄、モリブデン酸アンモニウムなどの無機塩類；高級脂
肪酸アミン類、スルホン酸塩、防錆剤などの水溶性加工
油類等を加えてもよい。 【００４０】・ 研磨用組成物を比較的高濃度の原液と
して調製し、研磨加工に用いるときに水で希釈して使用
するようにしてもよい。このように構成すれば、貯蔵時
及び輸送時の取扱性を向上させることができる。 【００４１】・ 前記実施形態の研磨用組成物を、磁気
ディスク用基盤以外の被研磨物の研磨加工で用いてもよ
い。 【００４２】 【実施例】次に、実施例及び比較例を挙げて本発明をさ
らに具体的に説明する。２０重量％の酸化アルミニウム
（平均粒子径０．８μｍ）と下記表１に示す研磨促進剤
及び面ダレ抑制剤をイオン交換水に混合して実施例１〜
３１，比較例１〜４の研磨用組成物をそれぞれ調製し
た。そして、各例の研磨用組成物を用いて下記の研磨条
件で磁気ディスク用基盤を研磨加工し、面ダレ（ロール
オフ）、面ダレ（ダブオフ）、研磨速度の各項目に関し
て次のようにして測定・評価を行なった。その結果を下
記表１に示す。 【００４３】（研磨条件） 被研磨物：φ３．５″（≒９５ｍｍ）無電解Ｎｉ−Ｐサ
ブストレート、マシン：両面研磨機（定盤径φ７２０ｍ
ｍ）、研磨パッド：ＢＥＬＬＡＴＲＩＸ Ｎ００４８
（カネボウ株式会社製）、研磨荷重：１００ｇ／ｃｍ2
（≒１０ｋＰａ）、上定盤回転数：２４ｒｐｍ、下定盤
回転数：１６ｒｐｍ、研磨用組成物の供給量：１５０ｍ
ｌ／ｍｉｎ、研磨量：両面の取り代にして３μｍ （面ダレ（ロールオフ））ＭｉｃｒｏＸＡＭ（Ｐｈａｓ
ｅＳｈｉｆｔ社（米国）製）を用いて、研磨加工後の磁
気ディスク用基盤の外周部でロールオフ（Ｒｏｌｌ−Ｏ
ｆｆ）の値を測定した。そして、以下に示す計算式に基
づいてロールオフ低減効果〔％〕を求め、ロールオフ低
減効果が２０％を越えるものを◎、１０％を越え２０％
以下のものを○、０％を越え１０％以下のものを△、０
％以下のものを×と評価した。ロールオフ低減効果
〔％〕＝（１−ロールオフ値／比較例１のロールオフ
値）×１００ なお、ここでいうロールオフとは、次のように定義され
るものである。すなわち、磁気ディスク用基盤の外周縁
から中心に向かって０．３０ｍｍの距離にある基盤表面
上の点をＡ、基盤の外周縁から中心に向かって３．８０
ｍｍの距離にある基盤表面上の点をＢとしたときの、点
Ａ，Ｂ間の基盤表面の断面曲線と直線ＡＢとの間の最大
距離がロールオフである（図１（ａ）参照）。 【００４４】（面ダレ（ダブオフ））ＭｉｃｒｏＸＡＭ
（同上）を用いて、研磨加工後の磁気ディスク用基盤の
外周部でダブオフ（Ｄｕｂ−Ｏｆｆ）の値を測定した。
そして、以下に示す計算式に基づいてダブオフ低減効果
〔％〕を求め、ダブオフ低減効果が２０％を越えるもの
を◎、１０％を越え２０％以下のものを○、０％を越え
１０％以下のものを△、０％以下のものを×と評価し
た。ダブオフ低減効果〔％〕＝（１−ダブオフ値／比較
例１のダブオフ値）×１００ なお、ここでいうダブオフとは、次のように定義される
ものである。すなわち、磁気ディスク用基盤の外周縁か
ら中心に向かって４．３０ｍｍの距離にある基盤表面上
の点をＣ、基盤の外周縁から中心に向かって３．３０ｍ
ｍの距離にある基盤表面上の点をＤ、基盤の外周縁から
中心に向かって０．３０ｍｍの距離にある基盤表面上の
点をＥとする。そして、点Ｃ，Ｄ間の基盤表面の断面曲
線から最小二乗法で直線Ｌを引き、その直線Ｌの基盤外
周側への延長線上にあって基盤の外周縁から中心に向か
って０．３０ｍｍの距離にある点をＣ´としたときの、
Ｅ−Ｃ´間の距離がダブオフである（図１（ｂ）参
照）。 【００４５】（研磨速度）以下に示す計算式に基づいて
研磨速度の値を求め、研磨速度が０．７０μｍ／ｍｉｎ
以上のものを◎、０．６５μｍ／ｍｉｎ以上０．７０μ
ｍ／ｍｉｎ未満のものを○、０．６０μｍ／ｍｉｎ以上
０．６５μｍ／ｍｉｎ未満のものを△、０．６０μｍ／
ｍｉｎ未満のものを×と評価した。研磨速度〔μｍ／ｍ
ｉｎ〕＝研磨加工による磁気ディスク用基盤の重量減
〔ｇ〕÷（磁気ディスク用基盤の被研磨面の面積〔ｃｍ
2〕×ニッケル−リンメッキの密度〔ｇ／ｃｍ3〕×加工
時間〔ｍｉｎ〕）×１００００ 【００４６】 【表１】 なお、表１中の「面ダレ抑制剤」の「種類」欄に示すＡ
は一般式（１）で表される化合物、Ｂ１はイソプレンス
ルホン酸とアクリル酸の共重合体、Ｂ２はイソプレンス
ルホン酸とイソプレンの共重合体を表わす。また、「面
ダレ抑制剤」の「粘度」欄に示す値は、面ダレ抑制剤の
有効成分が３０重量％となるように調整した面ダレ抑制
剤水溶液を、２５℃に保持し、ＢＨ型回転粘度計（Ａは
６号ローター１０回転値、Ｂ１およびＢ２は３号ロータ
ー６２．５回転値）により測定した粘度を表す。 【００４７】次に、前記実施形態から把握できる技術的
思想について以下に記載する。 ・ イソプレンスルホン酸又はその塩を単量体単位とし
て有する重合体、及び下記一般式（１）で表される化合
物の含有量が、０．００１〜１重量％であることを特徴
とする請求項1に記載に研磨用組成物。 【００４８】・ 研磨促進剤の含有量が、０．０１〜２
５重量％であることを特徴とする請求項１に記載の研磨
用組成物。 ・ 磁気ディスク用基盤の研磨加工で用いられるもので
ある請求項１に記載の研磨用組成物。 【００４９】・ イソプレンスルホン酸又はその塩を単
量体単位として有する重合体が、イソプレンスルホン酸
とアクリル酸の共重合体、あるいはイソプレンスルホン
酸とイソプレンの共重合体であることを特徴とする請求
項１に記載の研磨用組成物。 【００５０】 【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
磁気ディスク用基盤の研磨加工で用いた際に磁気ディス
ク用基盤の外周部の面ダレを抑制することができる。
盤などの研磨加工で用いられる研磨用組成物に関するも
のである。 【０００２】 【従来の技術】一般に磁気ディスクを製造する工程にお
いては、うねりや凹凸を除去して平滑化するために磁気
ディスク用基盤の研磨加工が行なわれる。この磁気ディ
スク用基盤の研磨加工で用いられる研磨用組成物として
は、各種の研磨材に研磨促進剤やその他の添加剤を組み
合わせた種々のものが提案されている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】ところで、コンピュー
タの小型化・高性能化に伴って磁気ディスクには更なる
高容量化が求められている。しかし、磁気ディスク用基
盤の研磨加工に従来の研磨用組成物を用いた場合には、
磁気ディスク用基盤の外周部が過剰に研磨されることに
よって同外周部に面ダレが生じるおそれがあり、これが
磁気ディスクの高容量化を妨げる一因になっていた。 【０００４】本発明は、上記のような従来技術に存在す
る問題点に着目してなされたものである。その目的とす
るところは、磁気ディスク用基盤の研磨加工で用いた際
に磁気ディスク用基盤の外周部の面ダレを抑制すること
ができる研磨用組成物を提供することにある。 【０００５】 【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項１に記載の発明は、研磨材、研磨促進剤及
び水を含有する研磨用組成物であって、さらに、イソプ
レンスルホン酸又はその塩を単量体単位として有する重
合体、及び下記一般式（１）で表される化合物のうち少
なくともいずれか一方を含有することを要旨とする。 【０００６】 【化２】 （式中、Ｘは活性水素原子を有する化合物とアルキレン
オキシドから誘導されたポリエーテルポリオールの残基
（ただし、ポリエーテル鎖中にオキシエチレン基を２０
〜９０重量％含む。）、ｍは２〜８の数（＝前記ポリエ
ーテルポリオール１分子中の水酸基の数）、Ｙは二価の
炭化水素基、Ｚは活性水素原子を有する一価の化合物の
残基、ｎは３以上の数をそれぞれ示す。） 【０００７】 【発明の実施の形態】（第１実施形態）以下、本発明を
具体化した第１実施形態について説明する。 【０００８】本実施形態の研磨用組成物は、下記一般式
（１）で表される化合物、研磨材、研磨促進剤及び水か
ら構成されている。 【０００９】 【化３】 （式中、Ｘは活性水素原子を有する化合物とアルキレン
オキシドから誘導されたポリエーテルポリオールの残基
（ただし、ポリエーテル鎖中にオキシエチレン基を２０
〜９０重量％含む。）、ｍは２〜８の数（＝前記ポリエ
ーテルポリオール１分子中の水酸基の数）、Ｙは二価の
炭化水素基、Ｚは活性水素原子を有する一価の化合物の
残基、ｎは３以上の数をそれぞれ示す。）はじめに、上
記一般式（１）で表される化合物について説明する。 【００１０】上記一般式（１）で表される化合物は、被
研磨物のエッジ部分（被研磨物が磁気ディスク用基盤で
あればその外周部）に面ダレが生じるのを抑制する働き
を有する。 【００１１】上記一般式（１）で表される化合物の具体
例としては、ポリウレタン系の界面活性剤であるＡＫＺ
Ｏ ＮＯＢＥＬ社製ＢＥＲＭＯＤＯＬ ＰＵＲシリー
ズ、旭電化工業株式会社製のアデカノールＵＨシリー
ズ、及びＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ社製のプライマル
シリーズ等が挙げられる。 【００１２】研磨用組成物に含まれる上記一般式（１）
で表される化合物の量は、０．００１〜１重量％が好ま
しく、０．００５〜０．５重量％がより好ましく、０．
００５〜０．３重量％が最も好ましい。 【００１３】次に、研磨材について説明する。研磨材
は、機械的作用により被研磨物を研磨する働きを有す
る。研磨材の具体例としては、α−アルミナ、δ−アル
ミナ、θ−アルミナ、κ−アルミナ、フュームドアルミ
ナなどの酸化アルミニウム；コロイダルシリカ、フュー
ムドシリカなどの二酸化ケイ素；二酸化セリウム、三酸
化二セリウムなど六方晶系、等軸晶系又は面心立方晶系
の酸化セリウム；フュームドジルコニアなど単斜晶系、
正方晶系又は非晶質の酸化ジルコニウム；一酸化チタ
ン、三酸化二チタン、二酸化チタン、フュームドチタニ
アなどの酸化チタン；α−窒化ケイ素、β−窒化ケイ
素、アモルファス窒化ケイ素などの窒化ケイ素；α−炭
化ケイ素、β−炭化ケイ素、アモルファス炭化ケイ素な
どの炭化ケイ素等が挙げられる。なお、研磨用組成物
は、研磨材を一種類のみ含有するものであっても、二種
類以上含有するものであってもよい。 【００１４】研磨材の粒径は、被研磨物の種類や研磨条
件などによって好ましい範囲が異なるが、一般的に、二
酸化ケイ素であれば、ＢＥＴ法で測定される表面積から
求められる平均粒子径で０．００５〜０．５μｍが好ま
しく、０．０１〜０．３μｍがより好ましい。酸化アル
ミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、窒化ケイ素
又は炭化ケイ素であれば、レーザー回折式粒度測定機
（例えばＣｏｕｌｔｅｒ社製ＬＳ−２３０）で測定され
る平均粒子径（Ｄ５０％）で０．０５〜２μｍが好まし
く、０．１〜１．５μｍがより好ましい。酸化セリウム
であれば、走査型電子顕微鏡での観察から求められる平
均粒子径で０．０１〜０．５μｍが好ましく、０．０５
〜０．４５μｍがより好ましい。 【００１５】研磨用組成物に含まれる研磨材の量は、
０．１〜４０重量％が好ましく、１〜２５重量％がより
好ましい。次に、研磨促進剤について説明する。 【００１６】研磨促進剤は、化学的作用により被研磨物
を研磨する働きを有する。研磨促進剤の具体例として
は、リンゴ酸、グリコール酸、コハク酸、クエン酸、マ
レイン酸、イタコン酸、マロン酸、イミノ二酢酸、グル
コン酸、乳酸、マンデル酸、クロトン酸、ニコチン酸、
酢酸、グリシン、アラニン、チオ酢酸、メルカプトコハ
ク酸、カルボキシエチルチオコハク酸、硝酸アルミニウ
ム、硫酸アルミニウム、硝酸鉄（III）などが挙げられ
る。その中でも、リンゴ酸、グリコール酸、コハク酸又
はクエン酸が好ましく、コハク酸が特に好ましい。な
お、研磨用組成物は、研磨促進剤を一種類のみ含有する
ものであっても、二種類以上含有するものであってもよ
い。 【００１７】研磨用組成物に含まれる研磨促進剤の量
は、０．０１〜２５重量％が好ましく、０．１〜２０重
量％がより好ましく、０．２〜１０重量％が最も好まし
い。次に、水について説明する。 【００１８】分散媒及び溶媒としての役割を担う水は、
不純物をできるだけ含まないものが好ましく、具体的に
はイオン交換水をフィルターろ過したもの、あるいは蒸
留水が好ましい。 【００１９】以上説明した上記一般式（１）で表される
化合物、研磨材、研磨促進剤及び水から構成される研磨
用組成物のｐＨは、２〜７が好ましい。また研磨用組成
物は、水に、上記一般式（１）で表される化合物、研磨
材、研磨促進剤を混合して溶解・分散させることによっ
て調製される。分散の方法は任意であり、例えば翼式撹
押機による撹拌、超音波分散が挙げられる。 【００２０】本実施形態によって得られる作用効果につ
いて、以下に記載する。 （１）本実施形態の研磨用組成物を被研磨物の研磨加工
に用いれば、被研磨物のエッジ部分に面ダレが生じるの
を抑制することができる。特に被研磨物が磁気ディスク
用基盤であれば、その外周部に面ダレが生じるのを抑制
することができ、ひいては磁気ディスクの高容量化に寄
与することができる。本実施形態の研磨用組成物が被研
磨物のエッジ部分に面ダレが生じるのを抑制することが
できるのは、研磨用組成物に含まれている上記一般式
（１）で表される化合物によって、研磨パッドと被研磨
物との間の摩擦が適度に緩和されることで、被研磨物の
エッジ部分の過剰な研磨が抑制されるためと推測され
る。 【００２１】（２）研磨用組成物に含まれる上記一般式
（１）で表される化合物の量を０．００１重量％以上と
すれば、被研磨物の面ダレを十分に抑制しうる研磨用組
成物を提供することができる。また、０．００５重量％
以上とすれば、研磨用組成物による面ダレ抑制効果を特
に高めることができる。 【００２２】（３）研磨用組成物に含まれる上記一般式
（１）で表される化合物の量を１重量％以下とすれば、
過剰添加による研磨速度の極端な低下とコストの増大を
防止することができる。また、０．５重量％以下とすれ
ば上記の効果を一段と高めることができ、０．３重量％
以下とすれば上記の効果をさらに高めることができる。 【００２３】（４）研磨材の平均粒子径を、二酸化ケイ
素なら０．００５μｍ以上、酸化アルミニウム、酸化ジ
ルコニウム、酸化チタン、窒化ケイ素又は炭化ケイ素な
ら０．０５μｍ以上、酸化セリウムなら０．０１μｍ以
上とすれば、研磨材の粒径が過小なことに起因して研磨
速度が極端に低下するのを防止することができる。この
平均粒子径を、二酸化ケイ素なら０．０１μｍ以上、酸
化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、窒化
ケイ素又は炭化ケイ素なら０．１μｍ以上、酸化セリウ
ムなら０．０５μｍ以上とすれば、上記の効果を一段と
高めることができる。 【００２４】（５）研磨材の平均粒子径を、二酸化ケイ
素又は酸化セリウムなら０．５μｍ以下、酸化アルミニ
ウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、窒化ケイ素又は
炭化ケイ素なら２μｍ以下とすれば、研磨材の粒径が過
大なことに起因して被研磨物の仕上がり面の表面粗さが
大きくなるのを防止することができる。また、研磨材の
粒径が過大なことに起因して被研磨物の仕上がり面にス
クラッチが発生するのも防止することができる。この平
均粒子径を、二酸化ケイ素なら０．３μｍ以下、酸化ア
ルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、窒化ケイ
素又は炭化ケイ素なら１．５μｍ以下、酸化セリウムな
ら０．４５μｍ以下とすれば、被研磨物の仕上がり面の
表面粗さが大きくなるのを防止する効果を一段と高める
ことができる。 【００２５】（６）研磨用組成物に含まれる研磨材の量
を０．１重量％以上とすれば、研磨材の含有量が過少な
ことに起因して研磨速度が低下するのを防止することが
できる。この含有量を１重量％以上とすれば、上記の効
果を一段と高めることができる。 【００２６】（７）研磨用組成物に含まれる研磨材の量
を４０重量％以下とすれば、研磨材の含有量が過多なこ
とに起因して、粘性が増大して取扱性が低下したり、研
磨パッドが目詰まりしたり、被研磨物の仕上がり面に表
面欠陥が生じたりするのを防止することができる。この
含有量を２５重量％以下とすれば、上記の効果を一段と
高めることができる。 【００２７】（８）研磨促進剤をリンゴ酸、グリコール
酸、コハク酸又はクエン酸とすれば、研磨速度を上げる
ことができるほか、被研磨物の仕上がり面に表面欠陥が
生じるのを抑制することができる。研磨促進剤をコハク
酸とすれば、上記の効果を一段と高めることができる。 【００２８】（９）研磨用組成物に含まれる研磨促進剤
の量を０．０１重量％以上とすれば、研磨促進剤の含有
量が過少なことに起因して研磨速度が低下するのを防止
することができる。この含有量を０．１重量％以上とす
れば上記の効果を一段と高めることができ、０．２重量
％以上とすればさらにその効果を向上させることができ
る。 【００２９】（１０）研磨用組成物に含まれる研磨促進
剤の量を２５重量％以下とすれば、研磨促進剤の含有量
が過多なことに起因してコストが増大するのを防止する
ことができる。また、この含有量を２０重量％以下とす
れば上記の効果を一段と高めることができ、１０重量％
以下とすれば上記の効果をさらに高めることができる。 【００３０】（１１）研磨用組成物のｐＨを２以上とす
れば、研磨加工の際に研磨用組成物によって研磨機など
が浸蝕されるのを抑制することができる。 （１２）研磨用組成物のｐＨを７以下とすれば、研磨用
組成物がアルカリ性であることに起因して、研磨速度が
低下したり、被研磨物の仕上がり面の表面粗さが大きく
なったり、仕上がり面にスクラッチが発生したりするの
を防止することができる。 【００３１】（第２実施形態）以下、本発明を具体化し
た第２実施形態について説明する。なお、この第２実施
形態の研磨用組成物は、前記第１実施形態の研磨用組成
物に含有されている上記一般式（１）で表される化合物
を、イソプレンスルホン酸又はその塩を単量体単位とし
て有する重合体に置き換えた点でのみ相違するので、以
下、その相違点を中心にして説明する。 【００３２】本実施形態の研磨用組成物は、イソプレン
スルホン酸又はその塩を単量体単位として有する重合体
（以下、単に「重合体」ともいう。）、研磨材、研磨促
進剤及び水から構成されている。 【００３３】前記重合体は、前記第１実施形態における
一般式（１）で表される化合物と同様、被研磨物のエッ
ジ部分（被研磨物が磁気ディスク用基盤であればその外
周部）に面ダレが生じるのを抑制する働きを有する。 【００３４】前記重合体を構成するイソプレンスルホン
酸又はその塩以外の単量体単位としては、例えば、イソ
プレンやアクリル酸などが挙げられる。研磨用組成物に
含まれる前記重合体の量は、０．００１〜１重量％が好
ましく、０．００５〜０．５重量％がより好ましく、
０．００５〜０．３重量％が最も好ましい。 【００３５】本実施形態によれば、先に第１実施形態の
説明の中で記載した（４）〜（１２）の作用効果が得ら
れるほか、以下の作用効果が得られる。 （１３）本実施形態の研磨用組成物を被研磨物の研磨加
工に用いれば、被研磨物のエッジ部分に面ダレが生じる
のを抑制することができる。特に被研磨物が磁気ディス
ク用基盤であれば、その外周部に面ダレが生じるのを抑
制することができ、ひいては磁気ディスクの高容量化に
寄与することができる。本実施形態の研磨用組成物が被
研磨物のエッジ部分に面ダレが生じるのを抑制すること
ができるのは、研磨用組成物に含まれている前記重合体
によって、研磨パッドと被研磨物との間の摩擦が適度に
緩和されることで、被研磨物のエッジ部分の過剰な研磨
が抑制されるためと推測される。 【００３６】（１４）研磨用組成物に含まれる前記重合
体の量を０．００１重量％以上とすれば、被研磨物の面
ダレを十分に抑制しうるだけでなく十分な研磨速度を発
揮しうる研磨用組成物を提供することができる。また、
０．００５重量％以上とすれば、研磨用組成物による面
ダレ抑制効果を特に高めることができる。 【００３７】（１５）研磨用組成物に含まれる前記重合
体の量を１重量％以下とすれば、過剰添加による研磨速
度の極端な低下とコストの増大を防止することができ
る。また、０．５重量％以下とすれば上記の効果を一段
と高めることができ、０．３重量％以下とすれば上記の
効果をさらに高めることができる。 【００３８】なお、前記実施形態を次のように変更して
構成することもできる。 ・ 前記第１実施形態の研磨用組成物に、イソプレンス
ルホン酸又はその塩を単量体単位として有する重合体を
加えてもよい。 【００３９】・ 前記第２実施形態の研磨用組成物に、
上記一般式（１）で表される化合物を加えてもよい。 ・ 前記実施形態の研磨用組成物に、従来の研磨用組成
物で一般的に使用されている各種の添加剤を加えてもよ
い。例えば、セルロース、カルボキシメチルセルロー
ス、ヒドロキシエチルセルロースなどのセルロース類；
エタノール、プロパノール、エチレングリコールなどの
水溶性アルコール類；アルキルベンゼンスルホン酸ソー
ダ、ナフタリンスルホン酸のホルマリン縮合物などの界
面活性剤；リグニンスルホン酸塩、ポリアクリル酸塩な
どの有機ポリアニオン系物質；ポリビニルアルコールな
どの水溶性高分子（乳化剤）類；ジメチルグリオキシ
ム、ジチゾン、オキシン、アセチルアセトン、ＥＤＴ
Ａ、ＮＴＡなどのキレート剤；アルギン酸ナトリウム、
炭酸水素カリウムなどの殺菌剤；硫酸アルミニウム、硫
酸ニッケル、硝酸アルミニウム、硝酸ニッケル、硝酸
鉄、モリブデン酸アンモニウムなどの無機塩類；高級脂
肪酸アミン類、スルホン酸塩、防錆剤などの水溶性加工
油類等を加えてもよい。 【００４０】・ 研磨用組成物を比較的高濃度の原液と
して調製し、研磨加工に用いるときに水で希釈して使用
するようにしてもよい。このように構成すれば、貯蔵時
及び輸送時の取扱性を向上させることができる。 【００４１】・ 前記実施形態の研磨用組成物を、磁気
ディスク用基盤以外の被研磨物の研磨加工で用いてもよ
い。 【００４２】 【実施例】次に、実施例及び比較例を挙げて本発明をさ
らに具体的に説明する。２０重量％の酸化アルミニウム
（平均粒子径０．８μｍ）と下記表１に示す研磨促進剤
及び面ダレ抑制剤をイオン交換水に混合して実施例１〜
３１，比較例１〜４の研磨用組成物をそれぞれ調製し
た。そして、各例の研磨用組成物を用いて下記の研磨条
件で磁気ディスク用基盤を研磨加工し、面ダレ（ロール
オフ）、面ダレ（ダブオフ）、研磨速度の各項目に関し
て次のようにして測定・評価を行なった。その結果を下
記表１に示す。 【００４３】（研磨条件） 被研磨物：φ３．５″（≒９５ｍｍ）無電解Ｎｉ−Ｐサ
ブストレート、マシン：両面研磨機（定盤径φ７２０ｍ
ｍ）、研磨パッド：ＢＥＬＬＡＴＲＩＸ Ｎ００４８
（カネボウ株式会社製）、研磨荷重：１００ｇ／ｃｍ2
（≒１０ｋＰａ）、上定盤回転数：２４ｒｐｍ、下定盤
回転数：１６ｒｐｍ、研磨用組成物の供給量：１５０ｍ
ｌ／ｍｉｎ、研磨量：両面の取り代にして３μｍ （面ダレ（ロールオフ））ＭｉｃｒｏＸＡＭ（Ｐｈａｓ
ｅＳｈｉｆｔ社（米国）製）を用いて、研磨加工後の磁
気ディスク用基盤の外周部でロールオフ（Ｒｏｌｌ−Ｏ
ｆｆ）の値を測定した。そして、以下に示す計算式に基
づいてロールオフ低減効果〔％〕を求め、ロールオフ低
減効果が２０％を越えるものを◎、１０％を越え２０％
以下のものを○、０％を越え１０％以下のものを△、０
％以下のものを×と評価した。ロールオフ低減効果
〔％〕＝（１−ロールオフ値／比較例１のロールオフ
値）×１００ なお、ここでいうロールオフとは、次のように定義され
るものである。すなわち、磁気ディスク用基盤の外周縁
から中心に向かって０．３０ｍｍの距離にある基盤表面
上の点をＡ、基盤の外周縁から中心に向かって３．８０
ｍｍの距離にある基盤表面上の点をＢとしたときの、点
Ａ，Ｂ間の基盤表面の断面曲線と直線ＡＢとの間の最大
距離がロールオフである（図１（ａ）参照）。 【００４４】（面ダレ（ダブオフ））ＭｉｃｒｏＸＡＭ
（同上）を用いて、研磨加工後の磁気ディスク用基盤の
外周部でダブオフ（Ｄｕｂ−Ｏｆｆ）の値を測定した。
そして、以下に示す計算式に基づいてダブオフ低減効果
〔％〕を求め、ダブオフ低減効果が２０％を越えるもの
を◎、１０％を越え２０％以下のものを○、０％を越え
１０％以下のものを△、０％以下のものを×と評価し
た。ダブオフ低減効果〔％〕＝（１−ダブオフ値／比較
例１のダブオフ値）×１００ なお、ここでいうダブオフとは、次のように定義される
ものである。すなわち、磁気ディスク用基盤の外周縁か
ら中心に向かって４．３０ｍｍの距離にある基盤表面上
の点をＣ、基盤の外周縁から中心に向かって３．３０ｍ
ｍの距離にある基盤表面上の点をＤ、基盤の外周縁から
中心に向かって０．３０ｍｍの距離にある基盤表面上の
点をＥとする。そして、点Ｃ，Ｄ間の基盤表面の断面曲
線から最小二乗法で直線Ｌを引き、その直線Ｌの基盤外
周側への延長線上にあって基盤の外周縁から中心に向か
って０．３０ｍｍの距離にある点をＣ´としたときの、
Ｅ−Ｃ´間の距離がダブオフである（図１（ｂ）参
照）。 【００４５】（研磨速度）以下に示す計算式に基づいて
研磨速度の値を求め、研磨速度が０．７０μｍ／ｍｉｎ
以上のものを◎、０．６５μｍ／ｍｉｎ以上０．７０μ
ｍ／ｍｉｎ未満のものを○、０．６０μｍ／ｍｉｎ以上
０．６５μｍ／ｍｉｎ未満のものを△、０．６０μｍ／
ｍｉｎ未満のものを×と評価した。研磨速度〔μｍ／ｍ
ｉｎ〕＝研磨加工による磁気ディスク用基盤の重量減
〔ｇ〕÷（磁気ディスク用基盤の被研磨面の面積〔ｃｍ
2〕×ニッケル−リンメッキの密度〔ｇ／ｃｍ3〕×加工
時間〔ｍｉｎ〕）×１００００ 【００４６】 【表１】 なお、表１中の「面ダレ抑制剤」の「種類」欄に示すＡ
は一般式（１）で表される化合物、Ｂ１はイソプレンス
ルホン酸とアクリル酸の共重合体、Ｂ２はイソプレンス
ルホン酸とイソプレンの共重合体を表わす。また、「面
ダレ抑制剤」の「粘度」欄に示す値は、面ダレ抑制剤の
有効成分が３０重量％となるように調整した面ダレ抑制
剤水溶液を、２５℃に保持し、ＢＨ型回転粘度計（Ａは
６号ローター１０回転値、Ｂ１およびＢ２は３号ロータ
ー６２．５回転値）により測定した粘度を表す。 【００４７】次に、前記実施形態から把握できる技術的
思想について以下に記載する。 ・ イソプレンスルホン酸又はその塩を単量体単位とし
て有する重合体、及び下記一般式（１）で表される化合
物の含有量が、０．００１〜１重量％であることを特徴
とする請求項1に記載に研磨用組成物。 【００４８】・ 研磨促進剤の含有量が、０．０１〜２
５重量％であることを特徴とする請求項１に記載の研磨
用組成物。 ・ 磁気ディスク用基盤の研磨加工で用いられるもので
ある請求項１に記載の研磨用組成物。 【００４９】・ イソプレンスルホン酸又はその塩を単
量体単位として有する重合体が、イソプレンスルホン酸
とアクリル酸の共重合体、あるいはイソプレンスルホン
酸とイソプレンの共重合体であることを特徴とする請求
項１に記載の研磨用組成物。 【００５０】 【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
磁気ディスク用基盤の研磨加工で用いた際に磁気ディス
ク用基盤の外周部の面ダレを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 （ａ）はロールオフを説明するための図、
（ｂ）はダブオフを説明するための図。
（ｂ）はダブオフを説明するための図。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 杉山 博保
愛知県西春日井郡西枇杷島町地領２丁目１
番地の１ 株式会社フジミインコーポレー
テッド内
(72)発明者 大脇 寿樹
愛知県西春日井郡西枇杷島町地領２丁目１
番地の１ 株式会社フジミインコーポレー
テッド内
Ｆターム(参考） 3C058 AA07 AC04 CB01 DA17
5D112 GA14
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 研磨材、研磨促進剤及び水を含有する研
磨用組成物であって、さらに、イソプレンスルホン酸又
はその塩を単量体単位として有する重合体、及び下記一
般式（１）で表される化合物のうち少なくともいずれか
一方を含有することを特徴とする研磨用組成物。 【化１】 （式中、Ｘは活性水素原子を有する化合物とアルキレン
オキシドから誘導されたポリエーテルポリオールの残基
（ただし、ポリエーテル鎖中にオキシエチレン基を２０
〜９０重量％含む。）、ｍは２〜８の数（＝前記ポリエ
ーテルポリオール１分子中の水酸基の数）、Ｙは二価の
炭化水素基、Ｚは活性水素原子を有する一価の化合物の
残基、ｎは３以上の数をそれぞれ示す。）
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