JP2003342254A - 新規スルホニウム塩化合物及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 波長２２０ｎｍ以下の紫外光に対し透明性が
良く、且つ光反応効率（光酸発生効率）が高い新規な光
酸発生剤として好適なスルホニウム塩化合物及びその製
造方法を提供する。 【解決手段】 下記一般式（Ｉ）に示され且つ一分子中
に二個のカチオン部を有することを特徴とするスルホニ
ウム塩化合物である。 【化１】 （式中、Ｒ_１は炭素数２〜１５の、直鎖又は分岐の２価
または３価の炭化水素基、環状の２価または３価の炭化
水素基、酸素原子を含む直鎖または分岐の２価または３
価の炭化水素基、及び酸素原子を含む環状の２価または
３価の炭化水素基からなる群から選択される基、Ｒ_２は
置換基があってもよい炭素数１〜８のアルキレン基、Ｒ
_３，Ｒ_４は同一または単独に炭素数１〜１０の直鎖又は
分岐のアルキル基、及び炭素数３〜９のシクロアルキル
基からなる群から選択される基であり、Ｒ_３及びＲ_４が
互いにつながって環を形成してもよく、Ｘ⁻は対イオン
を表し、ｌは２あるいは３の整数である。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、放射線の照射によ
り酸を発生する新規な光酸発生剤、特に化学増幅型フォ
トレジスト材料用光酸発生剤として利用できる新規なス
ルホニウム塩化合物及びその製造方法に関し、より具体
的には、露光波長を２２０ｎｍ以下の特にＡｒＦエキシ
マーレーザー光あるいはＦ２エキシマーレーザー光を領
域とする化学増幅型フォトレジスト材料用光酸発生剤と
して好適に利用できる新規なスルホニウム塩化合物及び
その製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイス、例えば、ＤＲＡＭなど
に代表される高集積回路素子では、一層の高密度化、高
集積化、あるいは高速化の要望が高い。それに伴い、各
種電子デバイス製造分野では、ハーフミクロンオーダー
の微細加工技術の確立、例えば、微細パターン形成のた
めのフォトリソグラフィー技術開発に対する要求がます
ます厳しくなっている。フォトリソグラフィー技術にお
いて、パターンの微細化を図る手段の一つは、レジスト
のパターン形成の際に使用する露光光の波長を短くする
方法がある。

【０００３】一般に、光学系の解像度（Ｒ）はレイリー
の式Ｒ＝ｋ・λ／ＮＡ（ここでλは露光光源の波長、Ｎ
Ａはレンズの開口数、ｋはプロセスファクター）で表す
ことが出来る。パターンの微細化を進めるためには、用
いる光学系をより高解像度とする必要があり、すなわち
光学系の解像度Ｒの値を小さくする際には、露光光の波
長λを短くする必要がある。次世代の１ギガビット以上
の集積度を持つＤＲＡＭの製造では、加工寸法が０．１
５μｍ以下となり、更に微細な技術を必要とするため、
ＡｒＦエキシマーレーザー（１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシ
マーレーザー（１５７ｎｍ）などのより短波長の光（遠
紫外光、真空紫外光）の利用が有効であり、かつ必要と
なると考えられている。

【０００４】化学増幅型レジストの特徴は、含有成分で
ある光酸発生剤から光照射によりプロトン酸が発生し、
このプロトン酸が露光後の加熱処理によりレジスト樹脂
等と酸触媒反応を起こすことである。現在では、開発さ
れているレジストの大半は、化学増幅型である。現在使
用されている光酸発生剤の例としては、ジャーナル・オ
ブ・ジ・オーガニック・ケミストリー（Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ ｔｈｅ ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｓｔｒ
ｙ）４３巻、１５号、３０５５〜３０５８頁（１９７８
年）に記載されているＪ．Ｖ．クリベロ（Ｊ．Ｖ．Ｃｒ
ｉｖｅｌｌｏ）らが開発したトリフェニルスルホニウム
塩誘導体が挙げられる。

【０００５】

【発明が開発しようとする課題】既に提案されているＡ
ｒＦエキシマーレーザー用化学増幅型レジストに利用さ
れる光酸発生剤の代表的なものは、トリフェニルスルホ
ニウム塩誘導体である。また、本発明と同様に一分子中
に二個のカチオン部を有する酸発生剤の例としては、特
開平１０−３９５００号公報、特開平１０−２７４８４
５号公報等がある。しかしながら、トリフェニルスルホ
ニウム塩誘導体は２２０ｎｍ以下の光を強く吸収するた
め、トリフェニルスルホニウム塩誘導体を酸発生剤とし
て用いた場合、レジストの透明性が低くなり、それに伴
い解像度が低下するという問題を有している（内藤卓
也、第八回光反応・電子用材料研究会、講演要旨集、１
６〜１８頁（１９９９年））。

【０００６】このため、ＡｒＦエキシマーレーザーに代
表される１３０〜２２０ｎｍの波長の露光に対応したレ
ジスト材料の開発において、研究開発の対象となってい
る課題の一つは、波長２２０ｎｍ以下の紫外光に対して
透明性が良く、かつ光反応効率（光酸発生効率）が高い
光酸発生剤の開発である。

【０００７】本発明は、このような事情に鑑み、ＡｒＦ
エキシマーレーザーに代表される１３０〜２２０ｎｍの
波長の露光に対応した化学増幅型レジスト材料に利用さ
れる新規な光酸発生剤、より具体的には、波長２２０ｎ
ｍ以下の紫外光に対し透明性が良く、且つ光反応効率
（光酸発生効率）が高い新規な光酸発生剤として好適な
スルホニウム塩化合物及びその製造方法を提供すること
を課題とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決するため鋭意研究を進め、種々の新規な構造の
スルホニウム塩化合物を創出し、検討を重ねた結果、所
定のスルホニウム塩化合物は、光反応効率（光酸発生効
率）が高く、加えて、波長２２０ｎｍ以下の紫外光に対
する透明性も優れることを見いだし、本発明を完成する
に至った。

【０００９】すなわち、本発明の第１の態様は、下記一
般式（Ｉ）に示され且つ一分子中に二個のカチオン部を
有することを特徴とするスルホニウム塩化合物にある。

【００１０】

【化４】

【００１１】（式中、Ｒ_１は炭素数２〜１５の、直鎖又
は分岐の２価または３価の炭化水素基、環状の２価また
は３価の炭化水素基、酸素原子を含む直鎖または分岐の
２価または３価の炭化水素基、及び酸素原子を含む環状
の２価または３価の炭化水素基からなる群から選択され
る基、Ｒ_２は置換基があってもよい炭素数１〜８のアル
キレン基、Ｒ_３，Ｒ_４は同一または単独に炭素数１〜１
０の直鎖又は分岐のアルキル基、及び炭素数３〜９のシ
クロアルキル基からなる群から選択される基であり、Ｒ
_３及びＲ_４が互いにつながって環を形成してもよく、Ｘ
⁻は対イオンを表し、ｌは２あるいは３の整数であ
る。）

【００１２】本発明の第２の態様は、第１の態様におい
て、Ｘ⁻で示される対イオンが下記一般式（II）で示さ
れる陰イオンであることを特徴とするスルホニウム塩化
合物にある。

【００１３】

【化５】Ｃ_ｋＨ_ｍＦ_ｎＳＯ_３ ⁻ （II）

【００１４】ここで、式（II）においてｍが０の場合、
ｋは１〜８の正の整数であり、パーフルオロアルキルス
ルホネートイオンから選択される陰イオンである。

【００１５】式（II）においてｎが０の場合、ｋは１〜
１０の正の整数であり、アルキルスルホネートイオン、
ベンゼンスルホネートイオン、及びアルキルベンゼンス
ルホネートイオンからなる群から選択される陰イオンで
ある。

【００１６】式（II）においてｍ及びｎが同時に存在す
る場合、フッ素置換ベンゼンスルホネートイオン、及び
フッ素置換アルキルベンゼンスルホネートイオンからな
る群から選択される陰イオンである。

【００１７】本発明の第３の態様は、第１の態様におい
て、Ｘ⁻で示される対イオンが、Ｃｌ⁻、Ｂｒ⁻、
Ｉ⁻、ＢＦ_４ ⁻、ＡｓＦ_６ ⁻、ＳｂＦ_６ ⁻、及びＰＦ_６
⁻からなる群から選択される陰イオンであることを特徴
とするスルホニウム塩化合物にある。

【００１８】本発明の第４の態様は、第１の態様におい
て、Ｘ⁻で示される対イオンが下記一般式（III）で示
されるビス（パーフルオロアルキルスルホン）イミドイ
オンから選択される陰イオンであることを特徴とするス
ルホニウム塩化合物にある。

【００１９】

【化６】 （Ｃ_ｐＦ_２ｐ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ⁻ （III）

【００２０】（式中ｐは１〜８の正の整数を示す。）

【００２１】本発明の第５の態様は、第１〜４の何れか
の態様のスルホニウム塩化合物を製造する方法であっ
て、アルキルポリオールとハロゲン化アルキロイルハラ
イドとを反応させ、ついで、末端のハロゲンをヨウ素へ
交換後、アルキルスルフィドあるいは環状アルキレンス
ルフィドと反応を行うことを特徴とするスルホニウム塩
化合物の製造方法にある。

【００２２】本発明の第６の態様は、第１〜４の何れか
の態様のスルホニウム塩化合物を製造する方法であっ
て、アルキルジオールとハロゲン化アルキロイルハライ
ドとを反応させ、ついで、末端のハロゲンをヨウ素へ交
換後、アルキルメルカプタンと反応させ、スルフィドを
形成し、その後、スルフィドをアルキル化剤によりアル
キル化することを特徴とするスルホニウム塩化合物の製
造方法にある。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明のスルホニウム塩化
合物について、製造方法を例示しながらさらに詳細に説
明する。

【００２４】本発明のスルホニウム塩化合物を得るため
には、まず、エチレングリコール、ネオペンチルグリコ
ール、シクロヘキサンジオール、シクロヘキサンジメタ
ノール、ジエチレングリコール、ジオキサンジオール、
１，３−プロパンジオール−２，２−ジヘキサン、グリ
セノール、１，１，１−トリメチロールプロパン、１，
２，６−トリヒドロキシヘキサン、１，２，３−ヘプタ
ントリオール等のアルキルポリオールと、クロロアセチ
ルクロライド、２−ブロモプロピオンニルクロライド、
６−ブロモヘキサノイルクロライド等のハロゲン化アル
キロイルハライドとを反応させる。その後、その末端の
ハロゲン元素をヨウ化カリウムでハロゲン交換を行い、
ジメチルスルフィド、ジイソブチルスルフィド、ジブチ
ルスルフィド、テトラメチレンスルフィド等のスルフィ
ドと反応させることにより、上記一般式（Ｉ）の基本構
造を得ることが出来る。

【００２５】他の製造方法としては、まず、ハロゲン交
換後の化合物に、ブチルメルカプタン、イソブチルメル
カプタン、シクロヘキシルメルカプタン等のメルカプタ
ンを反応させ、スルフィドを形成後、スルフィドをジメ
チル硫酸、ジブチル硫酸のようなアルキル化剤を使用し
てアルキル化する方法を挙げることができ、これによ
り、一般式（Ｉ）の基本構造を得ることが出来る。

【００２６】なお、上述した製造方法の例において例示
した好適な化合物は、本発明のスルホニウム塩化合物及
びその製造方法を限定するものではない。

【００２７】本発明のスルホニウム塩化合物において、
上記一般式（Ｉ）のＲ_１としては、Ｒ_１は炭素数２〜１
５の、直鎖又は分岐の２価または３価の炭化水素基、環
状の２価または３価の炭化水素基、酸素原子を含む直鎖
または分岐の２価または３価の炭化水素基、及び酸素原
子を含む環状の２価または３価の炭化水素基からなる群
から選択される基を挙げることができる。

【００２８】具体的には、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基等の直鎖のアルキル基、エチレン基、プ
ロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン
基、ヘプチレン基等の直鎖のアルキレン基、イソプロピ
ル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチ
ル基等の分枝のアルキル基、イソプロピレン基、イソブ
チレン基等の分枝のアルキレン基、シクロペンチル基、
シクロヘキシル基等の単環式のシクロアルキル基、ジエ
チルエーテル基、ジプロピルエーテル基等のエーテル結
合を含む直鎖のアルキレン基、１，４−ジオキサン基等
の酸素原子を含む環状アルキレン基などが好適な基の例
として挙げることができる。

【００２９】Ｒ_２は置換基があってもよい炭素数１〜８
のアルキレン基であり、メチレン基、エチレン基、プロ
ピレン基、ブチレン基などの直鎖状のアルキレン基、イ
ソプロピル基、イソブチル基、イソペンチル基などの分
枝状のアルキレン基などが好適な基の例として挙げるこ
とができる。

【００３０】Ｒ_３，Ｒ_４は同一または単独に炭素数１〜
１０の直鎖又は分岐のアルキル基、及び炭素数３〜９の
シクロアルキル基からなる群から選択される基であり、
Ｒ_３及びＲ_４が互いにつながって環を形成してもよい。

【００３１】Ｒ_３、Ｒ_４としては、具体的にはメチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘ
キシル基、ヘプチル基等の直鎖のアルキル基、イソプロ
ピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の分枝の
アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の
単環式のシクロアルキル基などを好適な基の例として挙
げることができる。また、Ｒ_３及びＲ_４が互いに結合し
て環を形成する場合には、上記炭素骨格を含む二価の
基：−Ｒ_３−Ｒ_４−となる。このような二価の基として
は、Ｒ_３及びＲ_４が飽和炭素骨格を有してつながった炭
素数３〜９のシクロアルキル基、より具体的には、テト
ラメチレン基、ペンタメチレン基などのポリメチレン基
などを好適な基の例として挙げることができる。一般
に、二価の基−Ｒ_３−Ｒ_４−がＳとともに形成する環
は、好ましくは４員環〜８員環、より好ましくは５員環
〜６員環を構成するとよい。

【００３２】なお、以上例示した好適な基は、本発明を
具体的な基に限定するものではない。

【００３３】一般式（Ｉ）で示されるスルホニウム塩化
合物中、Ｘ⁻で示される対イオンは従来より、この種の
光酸発生剤に用いられている陰イオンＸ⁻を選択するこ
とができ、具体的には、上述した一般式（II）及び一般
式（III）を挙げることができる。

【００３４】一般式（II）において、ｍが０の場合に
は、パーフルオロアルキルスルホネートイオンであり、
ｋは１〜８の正の整数が好ましく、このとき、ｎは２ｋ
＋１で示される。具体的には、例えば、ＣＦ_３ＳＯ_３ ⁻
（トリフルオロメタンスルホネートイオン）、Ｃ_４Ｆ_９
ＳＯ_３ ⁻（ノナフルオロブタンスルホネートイオン）、
Ｃ_８Ｆ_１７ＳＯ_３ ⁻（ヘプタデカフルオロオクタンスル
ホネートイオン）等を好適な例として挙げることができ
るが、好適なパーフルオロアルキルスルホネートイオン
はこれらだけに限定されるものではない。

【００３５】一般式（II）において、ｎが０の場合に
は、ｋは１〜１０の正の整数が好ましく、アルキルスル
ホネートイオンの場合には、ｍは２ｋ＋１で示される。
具体的には、例えばＣＨ_３ＳＯ_３ ⁻（メタンスルホネー
トイオン）、Ｃ_２Ｈ_５ＳＯ_３ ⁻（エタンスルホネートイ
オン）、Ｃ_９Ｈ_１９ＳＯ_３ ⁻（１−ノナンスルホネート
イオン）等を好適な例として挙げることができる。ま
た、アルキルスルホネートイオンとして、橋架け環式ア
ルキルスルホネートイオン、例えば、１０−カンファー
スルホネートイオン等を好適な例として挙げることがで
きる。なお、好適なアルキルスルホネートイオンはこれ
らだけに限定されるものではなく、また、好適な橋架け
環式アルキルスルホネートイオンは上述したものに限定
されるものではない。さらに、アルキルスルホネートイ
オン以外にも、ベンゼンスルホネートイオン、及びアル
キルベンゼンスルホネートイオンなどを挙げることがで
きる。

【００３６】一般式（II）において、ｍ及びｎが同時に
存在する場合には、フッ素置換ベンゼンスルホネートイ
オン、フッ素置換アルキルベンゼンスルホネートイオ
ン、フッ素置換アルキルスルホネートイオンなどとな
る。フッ素置換ベンゼンスルホネートイオンの具体例と
しては、例えば、２−フルオロベンゼンスルホネートイ
オン、４−フルオロベンゼンスルホネートイオン、２，
４−ジフルオロベンゼンスルホネートイオン、ペンタフ
ルオロベンゼンスルホネートイオン等を好適な例として
挙げることができるが、好適なフッ素置換ベンゼンスル
ホネートイオンはこれらだけに限定されるものではな
い。また、フッ素置換アルキルベンゼンスルホネートイ
オンとしては、例えば２−トリフルオロメチルベンゼン
スルホネートイオン、４−トリフルオロメチルベンゼン
スルホネートイオン、２，４−ビス（トリフルオロメチ
ル）ベンゼンスルホネートイオン、３，５−ビス（トリ
フルオロメチル）ベンゼンスルホネートイオン等を好適
な例として挙げることができるが、好適なフッ素置換ア
ルキルベンゼンスルホネートイオンはこれらだけに限定
されるものではない。さらに、フッ素置換アルキルスル
ホネートとしては、例えば、１，１，２，３，３，３−
ヘキサフルオロプロパンスルホネートイオンが好適な例
として挙げられるが、好適なフッ素置換アルキルスルホ
ネートイオンはこれだけに限定されるものではない。

【００３７】一方、一般式（III）で示されるのは、例
えば、ビス（パーフルオロアルキルスルホン）イミドイ
オンであり、式中、ｐは１〜８の正の整数であるのが好
ましい。ビス（パーフルオロアルキルスルホン）イミド
イオンとしては、例えば、ビス（トリフルオロメタンス
ルホン）イミドイオン、ビス（ペンタフルオロエタンス
ルホン）イミドイオン等を好適な例として挙げることが
できる。なお、好適なビス（パーフルオロアルキルスル
ホン）イミドイオンはこれらだけに限定されるものでは
ない。

【００３８】本発明において、Ｘ⁻で示される対イオン
としては、その他、ＢＦ_４ ⁻（テトラフルオロボレート
イオン）、ＡｓＦ_６ ⁻（ヘキサフルオロアルセネートイ
オン）、ＳｂＦ_６ ⁻（ヘキサフルオロアンチモネートイ
オン）、ＰＦ_６ ⁻（ヘキサフルオロホスフェートイオ
ン）などのフッ素化物イオン、並びにＣｌ⁻（塩素イオ
ン）、Ｂｒ⁻（臭化イオン）、Ｉ⁻（ヨウ素イオン）等
のハロゲン化物イオン等の無機陰イオンを好ましい対イ
オンの例として挙げることができる。なお、好適な無機
陰イオン種はこれらに限定されるものではない。

【００３９】

【実施例】次に具体例を挙げて、本発明のスルホニウム
塩化合物の製造方法を示す。しかし、本発明はこれらの
例に限定されるものではない。

【００４０】（実施例１） １，２−ビス［（シクロペンタチアニオ）アセチルオキ
シ］プロパン ジ（１，１，２，２，３，３，４，４，
４−ノナフルオロブタンスルホネート） プロピレングリコール０．７６ｇ（０．０１モル）と、
ピリジン１．７４ｇ（０．０２２モル）とをメチルエチ
ルケトン１５．２ｇに溶解し、氷冷下でクロロアセチル
クロライド２．４８ｇ（０．０２２モル）を滴下した。
滴下後、室温で１．５時間熟成し、イオン交換水７．６
０ｇを加えて有機層を分取した。この有機層にヨウ化カ
リウム３．９８ｇ（０．０２４モル）を加えて室温で４
時間反応後、イオン交換水１５．２ｇを加え有機層を分
取した。有機層を濃縮後、テトラヒドロチオフェン９．
７０ｇ（０．１１モル）を加えて室温で３０分撹拌し
た。同温度でジメチル硫酸３．０３ｇ（０．０２４モ
ル）とイオン交換水１５．２ｇとを加え、３０分撹拌し
た後に水層を分取した。この水層を塩化メチレン１５．
２ｇで２回洗浄し、イオン交換水１５．２ｇとノナフル
オロブタンスルホン酸カリウム６．７６ｇ（０．０２モ
ル）を加え、室温で１８時間撹拌した。析出した結晶を
濾別、乾燥し、目的物の粗結晶を６．１７ｇで得た（収
率６６．１％）。

【００４１】この粗結晶をメタノール、酢酸ブチルで再
結晶を行い、^１Ｈ−ＮＭＲより、下記構造式で示される
１，２−ビス［（シクロペンタチアニオ）アセチルオキ
シ］プロパン ジ（１，１，２，２，３，３，４，４，
４−ノナフルオロブタンスルホネート）であることを確
認した。

【００４２】

【化７】

【００４３】^１Ｈ−ＮＭＲ（アセトン−ｄ６、内部標準
物質テトラメチルシラン）：δ（ｐｐｍ） １．３７
（ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，３Ｈ）； ２．４０−２．５３
（ｍ，８Ｈ）； ３．７４−３．８６（ｍ，８Ｈ）；
４．３４（ｄｄ，Ｊ＝１２．０，６．８Ｈｚ，１Ｈ）；
４．５７（ｄｄ，Ｊ＝１２．２，２．７Ｈｚ，１
Ｈ）； ４．６２−４．７１（ｍ，４Ｈ）； ５．３１
−５．３８（ｍ，１Ｈ） ε＝２７０ （１９３ｎｍ）

【００４４】（実施例２） １，３−ビス［（シクロペンタチアニオ）アセチルオキ
シ］ブタン ジ（１，１，２，２，３，３，４，４，４
−ノナフルオロブタンスルホネート） １，３−ブタンジオール１．８０ｇ（０．０２モル）と
ピリジン３．４８ｇ（０．０４４モル）とをメチルイソ
ブチルケトン３６．０ｇに溶解し、氷冷下でクロロアセ
チルクロライド４．９７ｇ（０．０４４モル）を滴下し
た。滴下後、室温で２時間熟成し、イオン交換水１８．
０ｇを加えて有機層を分取した。この有機層にヨウ化カ
リウム１４．６ｇ（０．０８８モル）を加え室温で６時
間反応後、イオン交換水３６．０ｇを加え有機層を分取
した。有機層を濃縮後、テトラヒドロチオフェン１９．
４ｇ（０．２２モル）を加えて室温で３０分撹拌した。
同温度でジメチル硫酸６．０５ｇ（０．０４８モル）と
イオン交換水３６．０ｇを加え３０分撹拌した後に、水
層を分取した。この水層を塩化メチレン３６．０ｇで２
回洗浄し、イオン交換水３６．０ｇとノナフルオロブタ
ンスルホン酸カリウム１３．５ｇ（０．０４モル）を加
え、室温で１４時間撹拌した。析出した結晶を濾別、乾
燥し、目的物の粗結晶を９．８２ｇで得た（収率５１．
９％）。

【００４５】この粗結晶を２−プロパノール、イオン交
換水で再結晶を行い、^１Ｈ−ＮＭＲより、下記構造式で
示される１，３−ビス［（シクロペンタチアニオ）アセ
チルオキシ］ブタン ジ（１，１，２，２，３，３，
４，４，４−ノナフルオロブタンスルホネート）である
ことを確認した。

【００４６】

【化８】

【００４７】^１Ｈ−ＮＭＲ（アセトン−ｄ６、内部標準
物質テトラメチルシラン）：δ（ｐｐｍ） １．３４
（ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，３Ｈ）； ２．０４−２．０９
（ｍ，２Ｈ）； ２．３５−２．５６（ｍ，８Ｈ）；
３．７４−３．８７（ｍ，８Ｈ）； ４．３１−４．４
１（ｍ，２Ｈ）； ４．６３（ｓ，２Ｈ）； ４．６５
（ｄ，Ｊ＝１．２Ｈｚ，２Ｈ）； ５．１４−５．２２
（ｍ，１Ｈ） ε＝３２０ （１９３ｎｍ）

【００４８】（実施例３） １，２−ビス［（シクロペンタチアニオ）アセチルオキ
シ］ブタン ジ（１，１，２，２，３，３，４，４，４
−ノナフルオロブタンスルホネート） １，２−ブタンジオール１．８０ｇ（０．０２モル）と
ピリジン３．４８ｇ（０．０４４モル）とを２−ペンタ
ノン３６．０ｇに溶解し、氷冷下でブロモアセチルブロ
ミド８．８８ｇ（０．０４４モル）を滴下した。滴下
後、室温で４時間熟成し、イオン交換水１８．０ｇを加
えて有機層を分取した。この有機層にヨウ化カリウム
８．７６ｇ（０．０５３モル）を加えて室温で４時間反
応後、イオン交換水３６．０ｇを加え有機層を分取し
た。有機層を濃縮後、テトラヒドロチオフェン１９．４
ｇ（０．２２モル）を加え室温で３０分撹拌した。同温
度でジメチル硫酸６．０５ｇ（０．０４８モル）とイオ
ン交換水３６．０ｇを加え３０分撹拌した後に水層を分
取した。この水層を塩化メチレン３６．０ｇで２回洗浄
し、イオン交換水３６．０ｇとノナフルオロブタンスル
ホン酸カリウム１３．５ｇ（０．０４モル）を加え、室
温で１２時間撹拌した。析出した結晶を濾別、乾燥し、
目的物の粗結晶を１１．６ｇで得た（収率６１．３
％）。

【００４９】この粗結晶を２−プロパノール、イオン交
換水で再結晶を行い、^１Ｈ−ＮＭＲより、下記構造式で
示される１，２−ビス［（シクロペンタチアニオ）アセ
チルオキシ］ブタン ジ（１，１，２，２，３，３，
４，４，４−ノナフルオロブタンスルホネート）である
ことを確認した。

【００５０】

【化９】

【００５１】^１Ｈ−ＮＭＲ（アセトン−ｄ６、内部標準
物質テトラメチルシラン）：δ（ｐｐｍ） ０．９７
（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，３Ｈ）； １．７４−１．８１
（ｍ，２Ｈ）； ２．３５−２．５９（ｍ，２Ｈ）；
３．７２−３．８７（ｍ，８Ｈ）； ４．３５（ｄｄ，
Ｊ＝１２．２， ６．６Ｈｚ，２Ｈ）； ４．６６（ｄ
ｄ，Ｊ＝１２．２，２．７Ｈｚ，２Ｈ）； ４．６６
（ｄ，Ｊ＝３．９Ｈｚ，２Ｈ）； ４．７０（ｄ，Ｊ＝
４．９Ｈｚ，２Ｈ）； ５．２２（ｄｄｄ，Ｊ＝１３．
２， ６．６， ２．７Ｈｚ，１Ｈ） ε＝４５８ （１９３ｎｍ）

【００５２】（実施例４） １，２−ビス［（シクロペンタチアニオ）アセチルオキ
シ］エタン ジ（パーフルオロオクタンスルホネート） エチレングリコール０．２７ｇ（０．００４モル）とピ
リジン１．０４ｇ（０．０１３モル）とをアセトン２．
２ｇに溶解し、アセトン１．４ｇに溶解したクロロアセ
チルクロライド１．０９ｇ（０．０１モル）を氷冷下で
滴下し、室温で２時間熟成した後、３５％塩酸０．４６
ｇ（０．００４モル）とイオン交換水２１．６ｇを添加
し、塩化メチレン２７．４ｇを加えて有機層を分取し
た。この有機層をイオン交換水２１．６ｇで４回洗浄
し、濃縮後アセトン１．３ｇに溶解し、これを５０度に
加熱したヨウ化カリウム１．４６ｇ（０．００９モル）
とアセトン８．１ｇの懸濁液に滴下し５５度で１時間反
応させ、室温まで冷却後、酢酸エチル３．０ｇを加え無
機塩を濾別し、濾液を濃縮した。これに酢酸エチル７．
５ｇを加え、１％チオ硫酸ナトリウム水溶液１２．０ｇ
で１回、０．１％塩酸１２．０ｇで２回、イオン交換水
１２．０ｇで４回洗浄後、濃縮した。濃縮した有機層と
テトラヒドロチオフェン１．０８ｇ（０．０１２モル）
をメタノール８．０ｇに溶解し６０度で１時間反応させ
た。室温まで放冷後、結晶が析出したところにメタノー
ル１９．８７ｇを添加し、さらに１時間同温度で熟成後
濾別した。この結晶をメタノール４．３５ｇに分散さ
せ、ジメチル硫酸１．０ｇ（０．００８モル）を加え６
０度で３０分撹拌した後に室温まで放冷し、イオン交換
水３．２７ｇ、塩化メチレン１０．９ｇとパーフルオロ
オクタンスルホン酸カリウム４．２９ｇ（０．００８モ
ル）を加え、同温度で１７時間撹拌した。これにメタノ
ール６．０ｇとイオン交換水３．０ｇを加え、この反応
液をイオン交換水２００．０ｇに滴下し、析出した結晶
を濾別、乾燥し、目的物３．７９ｇを得た（収率６８．
５％）。

【００５３】^１Ｈ−ＮＭＲより、下記構造式で示される
１，２−ビス［（シクロペンタチアニオ）アセチルオキ
シ］エタン ジ（パーフルオロオクタンスルホネート）
であることを確認した。

【００５４】

【化１０】

【００５５】^１Ｈ−ＮＭＲ（アセトン−ｄ６、内部標準
物質テトラメチルシラン）：δ（ｐｐｍ） ２．３７−
２．５４（ｍ， ８Ｈ）； ３．７４−３．８５（ｍ，
８Ｈ）； ４．５４（ｓ，４Ｈ）； ４．６６（ｓ，４
Ｈ） ε＝２９４（１９３ｎｍ）

【００５６】（実施例５） １，２−ビス［（ジメチルチアニオ）アセチルオキシ］
プロパン ジ（１，１，２，２，３，３，４，４，４−
ノナフルオロブタンスルホネート） プロピレングリコール０．７６ｇ（０．０１モル）とピ
リジン１．７４ｇ（０．０２２モル）とをメチルエチル
ケトン１５．２ｇに溶解し、氷冷下でクロロアセチルク
ロライド２．４８ｇ（０．０２２モル）を滴下した。滴
下後、室温で１．５時間熟成し、イオン交換水７．６０
ｇを加えて有機層を分取した。この有機層にヨウ化カリ
ウム３．９８ｇ（０．０２４モル）を加えて室温で４時
間反応後、イオン交換水１５．２ｇを加え有機層を分取
した。有機層を濃縮後、イオン交換水１２．４ｇ、ジメ
チルスルフィド１．４９ｇ（０．０２４モル）を加え室
温で３０分撹拌した。同温度でジメチル硫酸３．０３ｇ
（０．０２４モル）を加え、１時間撹拌した後に水層を
分取した。この水層を塩化メチレン１５．２ｇで２回洗
浄し、水層にノナフルオロブタンスルホン酸カリウム
６．７６ｇ（０．０２モル）を加え、室温において１８
時間氷冷下で撹拌した。析出した結晶を濾別、乾燥し、
目的物の粗結晶を７．５８ｇで得た（収率８６．１
％）。

【００５７】この粗結晶をイオン交換水、２−プロパノ
ールで再結晶を行い、^１Ｈ−ＮＭＲより、下記構造式で
示される１，２−ビス［（ジメチルチアニオ）アセチル
オキシ］プロパン ジ（１，１，２，２，３，３，４，
４，４−ノナフルオロブタンスルホネート）であること
を確認した。

【００５８】

【化１１】

【００５９】^１Ｈ−ＮＭＲ（アセトン−ｄ６、内部標準
物質テトラメチルシラン）：δ（ｐｐｍ） １．３８
（ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，３Ｈ）； ３．２２（ｓ，１２
Ｈ）；４．３９（ｄｄ，Ｊ＝１２．０，７．６Ｈｚ，１
Ｈ）； ４．５１（ｄｄ，Ｊ＝１２．２，３．０Ｈｚ，
１Ｈ）； ４．７２−４．８５（ｍ，４Ｈ）； ５．３
５−５．４２（ｍ，１Ｈ） ε＝２３９（１９３ｎｍ）

【００６０】（実施例６） １，２−ビス［（ジｎ−ブチルチアニオ）アセチルオキ
シ］プロパン ジ（トリフルオロメタンスルホネート） プロピレングリコール０．７６ｇ（０．０１モル）とピ
リジン１．７４ｇ（０．０２２モル）とをメチルエチル
ケトン１５．２ｇに溶解し、氷冷下でクロロアセチルク
ロライド２．４８ｇ（０．０２２モル）を滴下した。滴
下後、室温で１．５時間熟成し、イオン交換水７．６０
ｇを加えて有機層を分取した。この有機層にヨウ化カリ
ウム３．９８ｇ（０．０２４モル）を加えて室温で４時
間反応後、イオン交換水１５．２ｇを加え有機層を分取
した。有機層を濃縮後、イオン交換水１２．４ｇ、ジｎ
−ブチルスルフィド３．５１ｇ（０．０２４モル）を加
え室温で３０分撹拌した。同温度でジメチル硫酸３．０
３ｇ（０．０２４モル）を加え、１時間撹拌した後に水
層を分取した。この水層を塩化メチレン１５．２ｇで２
回洗浄し、水層にトリフルオロメタンスルホン酸３．０
０ｇ（０．０２モル）を加え、室温において１８時間氷
冷下で撹拌した。析出した結晶を濾別、乾燥し、目的物
の粗結晶を５．４４ｇで得た（収率７２．６％）。

【００６１】この粗結晶を酢酸エチル、２−プロパノー
ルで再結晶を行い、^１Ｈ−ＮＭＲより、下記構造式で示
される１，２−ビス［（ジｎ−ブチルチアニオ）アセチ
ルオキシ］プロパン ジ（トリフルオロメタンスルホネ
ート）であることを確認した。

【００６２】

【化１２】

【００６３】^１Ｈ−ＮＭＲ（アセトン−ｄ６、内部標準
物質テトラメチルシラン）：δ（ｐｐｍ） ０．９８
（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，１２Ｈ）； １．３７（ｄ，Ｊ
＝６．６Ｈｚ，３Ｈ）； １．５０−１．５９（ｍ，８
Ｈ）； １．８７−１．９５（ｍ，８Ｈ）； ３．６
２（ｔ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，８Ｈ）； ４．３３（ｄｄ，
Ｊ＝１２．２，６．８Ｈｚ，１Ｈ）； ４．４９（ｄ
ｄ，Ｊ＝１２．０，２．９Ｈｚ，１Ｈ）； ４．６９−
４．８０（ｍ，４Ｈ）； ５．３５−５．４２（ｍ，１
Ｈ） ε＝２８８（１９３ｎｍ）

【００６４】（実施例７） １，２−ビス［（シクロペンタチアニオ）アセチルオキ
シ］エタン ジ［ビス（ペンタフルオロエタンスルホ
ン）イミド］ エチレングリコール０．７６ｇ（０．０１２モル）とピ
リジン２．９２ｇ（０．０３７モル）とをアセトン６．
７ｇに溶解し、アセトン３．１ｇに溶解したクロロアセ
チルクロライド３．０６ｇ（０．０２７モル）を氷冷下
で滴下した。滴下後、室温で２時間熟成し、塩化メチレ
ン４０．０ｇとイオン交換水２１．２ｇを加えて有機層
を分取した。この有機層をイオン交換水２１．２ｇで４
回洗浄した後濃縮し、アセトン３．８ｇに溶解し、これ
を５０度に加熱したヨウ化カリウム４．１１ｇ（０．０
２５モル）とアセトン２２．８ｇの懸濁液に滴下し、５
５度で１時間攪拌した。室温まで冷却後、酢酸エチル３
２．０ｇを加え、イオン交換水３２．０ｇで５回洗浄
後、濃縮した。濃縮した有機層とテトラヒドロチオフェ
ン３．０３ｇ（０．０３４モル）をメタノール２２．３
ｇに溶解し、６０℃で１時間攪拌し室温まで放冷後、メ
タノール５５．９ｇを添加し、さらに１時間同温度で熟
成後濾別した。この結晶をメタノール１２．３ｇに分散
させ、ジメチル硫酸２．８３ｇ（０．０２２モル）を加
え６０度で１．５時間反応させ、イオン交換水９．５ｇ
に溶解したリチウムビス（ペンタフルオロエタンスルホ
ン）イミド８．６８ｇ（０．０２２モル）を添加し、同
温度で５時間攪拌した後、室温まで冷却後、酢酸エチル
１２０．０ｇとイオン交換水１２０ｇを加え有機層を分
取した。この有機層をイオン交換水６０．０ｇで６回洗
浄した後、濃縮し、ジイソプロピルエーテル１３．０ｇ
を添加し、目的物を結晶化させた。その後室温で１時間
熟成した後濾別、乾燥し、目的物を５．３５ｇ得た（収
率４０．２％）。

【００６５】^１Ｈ−ＮＭＲより、下記構造式で示される
１，２−ビス［（シクロペンタチアニオ）アセチルオキ
シ］エタン ジ［ビス（ペンタフルオロエタンスルホ
ン）イミド］であることを確認した。

【００６６】

【化１３】

【００６７】^１Ｈ−ＮＭＲ（アセトン−ｄ６、内部標準
物質テトラメチルシラン）：δ（ｐｐｍ） ２．４１−
２．５８（ｍ， ８Ｈ）； ３．７９−３．９３（ｍ，
８Ｈ）； ４．５７（ｓ，４Ｈ）； ４．６８（ｓ，４
Ｈ） ε＝４０７ （１９３ｎｍ）

【００６８】（実施例８）１，２，３、−トリス[(シク
ロペンタチアニオ)アセチルオキシ]プロパン トリ(１，
１，２，２，３，３，４，４，４)−ノナフルオロブタ
ンスルホネート) グリセロール０．９２ｇ（０．０１モル）とピリジン
２．８５ｇ（０．０３６モル）をメチルエチルケトン１
８．４ｇに溶解し、氷冷下でクロロアセチルクロライド
４．０７ｇ（０．０３６モル）滴下した。滴下後、室温
で２時間熟成し、イオン交換水１８．４ｇを加えて有機
層を分取した。この有機層にヨウ化カリウム６．２３ｇ
（０．０３６モル）を加え室温で１時間反応後、イオン
交換水１８．４ｇを加え有機層を分取した。有機層にテ
トラヒドロチオフェン３．１７ｇ（０．０３６モル）を
加え室温で１時間撹拌した。同温度でジメチル硫酸３．
７８ｇ（０．０３モル）とイオン交換水１８．４ｇを加
え１時間撹拌した後に水層を分取した。この水層を塩化
メチレン１８．４ｇで洗浄し、イオン交換水９１ｇとノ
ナフルオロブタンスルホン酸カリウム１０．２ｇ（０．
０３モル）を加え、室温で１時間撹拌した。生成したオ
イル層を分液し、２−プロパノール４０ｇとイオン交換
水８０ｇを用いて結晶化した。析出した結晶を濾別、乾
燥し、目的物の粗結晶を５．５９ｇ得た（収率４０．６
％）。

【００６９】この粗結晶を２−プロパノールをイオン交
換水で再結晶し、^１Ｈ−ＮＭＲより、１，２，３−トリ
ス［（シクロペンタチアニオ）アセチルオキシ］プロパ
ントリ（１，１，２，２，３，３，４，４，４）−ノナ
フルオロブタンスルホネートであることを確認した。

【００７０】

【化１４】

【００７１】^１Ｈ−ＮＭＲ（アセトン−ｄ６、内部標準
物質テトラメチルシラン）：δ（ｐｐｍ） ２．３５−
２．５６（ｍ，１２Ｈ）； ３．７２−３．８８（ｍ，
１２Ｈ）； ４．５５−４．６４（ｍ，４Ｈ）； ４．
６９（ｓ，４Ｈ）； ４．７１（ｓ，２Ｈ）； ５．５
４−５．５９（ｍ，１Ｈ） ε＝２４２３（１９３ｎｍ）

【００７２】（実施例９） １，１，１，−トリス［（シクロペンタチアニオ）アセ
チルオキシメチル］エタン トリ（１，１，２，２，
３，３，４，４，４、）−ノナフルオロブタンスルホネ
ート） トリメチロールエタン１．２０ｇ（０．０１モル）とピ
リジン２．８５ｇ（０．０３６モル）をメチルエチルケ
トン２４．０ｇに溶解し、氷冷下でクロロアセチルクロ
ライド４．０７ｇ（０．０３６モル）滴下した。滴下
後、室温で１時間熟成し、イオン交換水２４．０ｇを加
えて有機層を分取した。この有機層にヨウ化カリウム
６．２３ｇ（０．０３６モル）を加え室温で１時間反応
後、イオン交換水２４．０ｇを加え有機層を分取した。
有機層にテトラヒドロチオフェン３．１７ｇ（０．０３
６モル）を加え室温で１時間撹拌した。同温度でジメチ
ル硫酸３．７８ｇ（０．０３モル）とイオン交換水２
４．０ｇを加え１時間撹拌した後に水層を分取した。こ
の水層を塩化メチレン２４．０ｇで洗浄し、イオン交換
水２５５ｇとノナフルオロブタンスルホン酸カリウム１
０．２ｇ（０．０３モル）を加え、室温で２時間撹拌し
た。析出した結晶を濾別、乾燥し、目的物の粗結晶を
６．１９ｇ得た（収率４４．１％）。

【００７３】この粗結晶を２−プロパノール、イオン交
換水で再結晶し、^１Ｈ−ＮＭＲより、１，１，１，−ト
リス［（シクロペンタチアニオ）アセチルオキシメチ
ル］エタン トリ（１，１，２，２，３，３，４，４，
４）−ノナフルオロブタンスルホネート）であることを
確認した。

【００７４】

【化１５】

【００７５】^１Ｈ−ＮＭＲ（アセトン−ｄ６、内部標準
物質テトラメチルシラン）：δ（ｐｐｍ） １．１４
（ｓ，３Ｈ）； ２．３９−２．５２（ｍ，１２Ｈ）；
３．７６−３．８４（ｍ，１２Ｈ）； ４．２８
（ｓ，６Ｈ）； ４．６８（ｓ，６Ｈ） ε＝２８８３（１９３ｎｍ）

【００７６】（実施例１０） １，１，１，−トリス［（シクロペンタチアニオ）アセ
チルオキシメチル］プロパン トリ（１，１，２，２，
３，３，４，４，４）−ノナフルオロブタンスルホネー
ト） トリメチロールプロパン１．３４ｇ（０．０１モル）と
ピリジン２．８５ｇ（０．０３６モル）をメチルエチル
ケトン２６．８ｇに溶解し、氷冷下でクロロアセチルク
ロライド４．０７ｇ（０．０３６モル）滴下した。滴下
後、室温で１時間熟成し、イオン交換水２６．８ｇを加
えて有機層を分取した。この有機層にヨウ化カリウム
６．２３ｇ（０．０３６モル）を加え室温で１時間反応
後、イオン交換水２４．０ｇを加え有機層を分取した。
有機層にテトラヒドロチオフェン３．１７ｇ（０．０３
６モル）を加え室温で２時間撹拌した。同温度でジメチ
ル硫酸３．７８ｇ（０．０３モル）とイオン交換水２
４．０ｇを加え１時間撹拌した後に水層を分取した。こ
の水層を塩化メチレン２６．８ｇで洗浄し、イオン交換
水３２８ｇとノナフルオロブタンスルホン酸カリウム１
０．２ｇ（０．０３モル）を加え、室温で２時間撹拌し
た。析出した結晶を濾別、乾燥し、目的物の粗結晶を
６．９１ｇ得た（収率４８．７％）。

【００７７】この粗結晶を２−プロパノール、イオン交
換水で再結晶し、^１Ｈ−ＮＭＲより、１，１，１，−ト
リス［（シクロペンタチアニオ）アセチルオキシメチ
ル］プロパン トリ（１，１，２，２，３，３，４，
４，４）−ノナフルオロブタンスルホネート）であるこ
とを確認した。

【００７８】

【化１６】

【００７９】^１Ｈ−ＮＭＲ（アセトン−ｄ６、内部標準
物質テトラメチルシラン）：δ（ｐｐｍ） ０．９３
（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，３Ｈ）； １．５９（ｑ，Ｊ＝
７．６Ｈｚ，２Ｈ）； ２．３９−２．５３（ｍ，１２
Ｈ）； ３．７８−３．８４（ｍ，１２Ｈ）； ４．３
０（ｓ，６Ｈ）； ４．６８（ｓ，６Ｈ） ε＝３０６８（１９３ｎｍ）

【００８０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＡｒＦエキシマーレーザーに代表される１３０〜２２０
ｎｍの波長の露光に対応した化学増幅型レジスト材料に
利用される新規な光酸発生剤、より具体的には、波長２
２０ｎｍ以下の紫外光に対し透明性が良く、且つ光反応
効率（光酸発生効率）が高い新規な光酸発生剤を提供す
ることができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池谷 武志 千葉県印旛郡印旛村若萩４−２−１ 東洋 合成工業株式会社感光材研究所内 Ｆターム(参考） 2H025 AA01 AA02 AB16 AC04 AC08 AD03 BE07 BE10 BG00 CA48 4H006 AA00 AA01 AA02 AB92

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（Ｉ）に示され且つ一分子中
   に二個のカチオン部を有することを特徴とするスルホニ
   ウム塩化合物。 【化１】 （式中、Ｒ_１は炭素数２〜１５の、直鎖又は分岐の２価
   または３価の炭化水素基、環状の２価または３価の炭化
   水素基、酸素原子を含む直鎖または分岐の２価または３
   価の炭化水素基、及び酸素原子を含む環状の２価または
   ３価の炭化水素基からなる群から選択される基、Ｒ_２は
   置換基があってもよい炭素数１〜８のアルキレン基、Ｒ
   _３，Ｒ_４は同一または単独に炭素数１〜１０の直鎖又は
   分岐のアルキル基、及び炭素数３〜９のシクロアルキル
   基からなる群から選択される基であり、Ｒ_３及びＲ_４が
   互いにつながって環を形成してもよく、Ｘ⁻は対イオン
   を表し、ｌは２あるいは３の整数である。）
2. 【請求項２】 請求項１において、Ｘ⁻で示される対イ
   オンが下記一般式（II）で示される陰イオンであること
   を特徴とするスルホニウム塩化合物。 【化２】Ｃ_ｋＨ_ｍＦ_ｎＳＯ_３ ⁻ （II） ここで、式（II）においてｍが０の場合、ｋは１〜８の
   正の整数であり、パーフルオロアルキルスルホネートイ
   オンから選択される陰イオンである。式（II）において
   ｎが０の場合、ｋは１〜１０の正の整数であり、アルキ
   ルスルホネートイオン、ベンゼンスルホネートイオン、
   及びアルキルベンゼンスルホネートイオンからなる群か
   ら選択される陰イオンである。式（II）においてｍ及び
   ｎが同時に存在する場合、フッ素置換ベンゼンスルホネ
   ートイオン、及びフッ素置換アルキルベンゼンスルホネ
   ートイオンからなる群から選択される陰イオンである。
3. 【請求項３】 請求項１において、Ｘ⁻で示される対イ
   オンが、Ｃｌ⁻、Ｂｒ⁻、Ｉ⁻、ＢＦ_４ ⁻、Ａｓ
   Ｆ_６ ⁻、ＳｂＦ_６ ⁻、及びＰＦ_６ ⁻からなる群から選択
   される陰イオンであることを特徴とするスルホニウム塩
   化合物。
4. 【請求項４】 請求項１において、Ｘ⁻で示される対イ
   オンが下記一般式（III）で示されるビス（パーフルオ
   ロアルキルスルホン）イミドイオンから選択される陰イ
   オンであることを特徴とするスルホニウム塩化合物。 【化３】 （Ｃ_ｐＦ_２ｐ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ⁻ （III） （式中ｐは１〜８の正の整数を示す。）
5. 【請求項５】 請求項１〜４の何れかのスルホニウム塩
   化合物を製造する方法であって、アルキルポリオールと
   ハロゲン化アルキロイルハライドとを反応させ、つい
   で、末端のハロゲンをヨウ素へ交換後、アルキルスルフ
   ィドあるいは環状アルキレンスルフィドと反応を行うこ
   とを特徴とするスルホニウム塩化合物の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項１〜４の何れかのスルホニウム塩
   化合物を製造する方法であって、アルキルポリオールと
   ハロゲン化アルキロイルハライドとを反応させ、つい
   で、末端のハロゲンをヨウ素へ交換後、アルキルメルカ
   プタンと反応させ、スルフィドを形成し、その後、スル
   フィドをアルキル化剤によりアルキル化することを特徴
   とするスルホニウム塩化合物の製造方法。