JP2003334684A - レーザ加工装置 - Google Patents

レーザ加工装置

Info

Publication number
JP2003334684A
JP2003334684A JP2002146474A JP2002146474A JP2003334684A JP 2003334684 A JP2003334684 A JP 2003334684A JP 2002146474 A JP2002146474 A JP 2002146474A JP 2002146474 A JP2002146474 A JP 2002146474A JP 2003334684 A JP2003334684 A JP 2003334684A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical path
beam splitter
laser
processing
lens
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002146474A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3935775B2 (ja
Inventor
Sadao Mori
貞雄 森
Hiroyuki Sugawara
弘之 菅原
Hiroshi Aoyama
博志 青山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Via Mechanics Ltd
Original Assignee
Hitachi Via Mechanics Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Via Mechanics Ltd filed Critical Hitachi Via Mechanics Ltd
Priority to JP2002146474A priority Critical patent/JP3935775B2/ja
Publication of JP2003334684A publication Critical patent/JP2003334684A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3935775B2 publication Critical patent/JP3935775B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 2つに分離させたレーザ光を1つの加工レン
ズで集光させる場合であっても、加工対象に品質の優れ
る穴を加工することができるレーザ加工装置を提供する
こと。 【解決手段】 ビームスプリッタ5によりレーザ光の一
部を透過させて第1の光路に入射させると共に、残りを
第2の光路に反射させる。そして、ビームスプリッタ8
により第1の光路を通るレーザ光と第2の光路を通るレ
ーザ光の光路を合わせる。この際、第2の光路に配置し
た2次元スキャナ7により第2の光路を通るレーザ光を
予め定める角度偏向させることにより、加工対象20の
2箇所を同時に加工する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザ光を用いて穴
加工、切断などを行うレーザ加工装置に係り、特にレー
ザ光を複数に分離させ、分離させたレーザ光のそれぞれ
を用いて加工対象上の異なる位置に穴を加工するレーザ
加工装置に関する。
【0002】
【従来の技術】レーザ加工装置はレーザ光を用いて、例
えばプリント基板に穴を加工する装置である。
【0003】加工能率を向上させるため、特開平11−
58055号公報(以下、「第1の従来技術」とい
う。)では、レーザ光を位置決めする2次元スキャニン
グ光学系と加工レンズとをN組(Nは複数)設け、レー
ザ発振器から出力されたレーザ光をN本に分割し、分割
したレーザ光を、それぞれプリント基板の異なる位置に
集光させている。このようにすると、N箇所を同時に加
工することができるので、作業能率を向上させことがで
きる。この場合、加工領域の大きさは加工レンズの大き
さで決まるので、加工レンズを等間隔に配置すると共に
プリント基板を共通のXYステージに載置しておく。そ
して、ある加工領域内の加工が終了すると、XYステー
ジを移動させ、次の加工領域を加工レンズに対して位置
決めする動作を加工が終了するまで繰り返す。
【0004】また、特開平11−314188号公報
(以下、「第2の従来技術」という。)や特開2000
−190087号公報(以下、「第3の従来技術」とい
う。)では、2つのスキャニング光学系を1つの加工レ
ンズに対応させ、レーザ光を2分割して2か所を同時に
加工することにより加工能率を向上させている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記第1の従
来技術の場合、高価な加工レンズがN組必要になる。ま
た、N組の加工レンズを活用するためには加工範囲を予
め割り振る必要があり、さらに、加工パターン毎に加工
レンズ間の距離を変える必要もある。
【0006】また、上記第2、第3の従来技術では、2
つの光学的スキャニング光学系を加工レンズに対して最
適位置に配置することがスペース的に困難であるため、
加工ビームをプリント基板に対して垂直に入射させるこ
とができない。このため、加工した穴の軸線がプリント
基板の表面に対して斜めになってしまい、加工品質が低
下する。
【0007】本発明の目的は、上記従来技術における課
題を解決し、2つに分離させたレーザ光を1つの加工レ
ンズで集光させる場合であっても、加工対象に品質の優
れる穴を加工することができるレーザ加工装置を提供す
るにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、レーザ光の光路を第1の光路と第2の光
路に分離する光路分離手段と加工レンズとを備え、前記
第1の光路を通る前記レーザ光と前記第2の光路を通る
前記レーザ光を前記加工レンズにより集光して加工対象
を加工するレーザ加工装置において、分離された前記第
1の光路と前記第2の光路を1つの光路に統合する光路
統合手段と、2組の2次元偏向手段と、を設け、前記2
次元偏向手段の一方を前記第1と第2の光路のいずれか
一方に配置すると共に、前記2次元偏向手段の他方を前
記光路統合手段と前記加工レンズとの間に配置し、前記
第1の光路と前記第2の光路を通る前記レーザ光を1個
の前記加工レンズに入射させることを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】(第1の実施形態)以下、本発明
を図示の実施の形態に基づいて説明する。
【0010】図1は本発明の第1の実施形態に係るレー
ザ加工装置の構成図である。
【0011】レーザ発振器1の光路上には、ミラー2、
開口3、ビーム分割・偏向・合成光学系4、リレー光学
系9、ミラー15、ミラー18、加工レンズ19が配置
されている。
【0012】レーザ発振器1は炭酸ガスレーザであり、
電場が紙面と垂直に振動する直線偏光のレーザ光(波長
10.6μm)を出力する。
【0013】ビーム分割・偏向・合成光学系4は、ビー
ムスプリッタ(図1におけるBS)5、ミラー6、ビー
ムスプリッタ(ここではハーフミラー)8および駆動手
段70により反射面7aを2次元方向に位置決め自在の
2次元スキャナ7とから構成され、ビームスプリッタ5
の透過側にミラー6が、反射側に2次元スキャナ7が配
置されている。薄い板の表面にコーティングが施された
ビームスプリッタ5は、偏光を保った状態で、入射光の
一部を予め定める割合で透過させ、残りを反射する。ビ
ームスプリッタ5とミラー6の開口3の中心軸に対する
角度は45度であり、ビームスプリッタ8はビームスプ
リッタ5と平行に配置されている。
【0014】2次元スキャナ7は、反射面7aの中心が
ビームスプリッタ5の入射面5aおよびミラー6の反射
面の中心を1辺、ミラー6の反射面とビームスプリッタ
8の背面8aを他の1辺とする長方形の頂点に一致する
ように位置決めされている。すなわち、ビームスプリッ
タ5を透過しミラー6を介してビームスプリッタ8の背
面8aに至る光路(以下、「第1の光路」という)の長
さと、反射面7aをビームスプリッタ5の入射面5aと
平行に位置決めした時、ビームスプリッタ5および反射
面7aで反射されビームスプリッタ8を透過して背面8
aに至る光路(以下、「第2の光路」という)の長さと
が等しくなるように構成されている。
【0015】2次元スキャナ7は、例えば特開2001
−305471に開示された2次元スキャナのように、
レーザ光を2次元的に偏向する機能を備えている。そし
て、この実施形態における2次元スキャナ7は、紙面に
垂直な方向(Z方向)を軸として反射されたレーザ光が
ビームスプリッタ8から外れる位置まで回転できるよう
に構成されている。
【0016】リレー光学系9は焦点距離の等しい集光レ
ンズ10、11を焦点距離の2倍の距離を隔てて配置さ
れている。このリレー光学系は、入射光が平行光である
場合、出射光も平行光になる無焦点系であり、アフォー
カル光学系とよばれる。
【0017】そして、リレー光学系9は一方の焦点が反
射面7aの中心に、他方の焦点が第2の加工レンズ19
の前焦点付近に配置されている。
【0018】スキャナ13は、モータ14を制御して、
ミラー15を指定された位置(角度)に位置決めする。
スキャナ16は、モータ17を制御して、ミラー18を
指定された位置(角度)に位置決めする。そして、スキ
ャナ13とスキャナ16により、第2の2次元偏向手段
30を構成している。2次元偏向手段30は加工レンズ
19の前焦点付近に配置されている。すなわち、ミラー
15とミラー18は近接して配置され、両者の中間点が
加工レンズ19の前焦点に一致するように配置されてい
る。
【0019】加工レンズ19は、いわゆるfθレンズで
あり、設計時に設定されたレンズの光軸上の前焦点を通
りレンズの光軸に対して角度θで入射する光線を、レン
ズの後焦点においてレンズの光軸に垂直な面(以下、
「後焦点面」という。)におけるレンズの光軸からfθ
(ただし、fは加工レンズ19の焦点距離である。)の
位置に、垂直に集光する。なお、レンズの光軸に対して
角度θで入射する光線であって前焦点から外れた光線
も、後焦点面のレンズの光軸からfθの位置に集光され
るが、集光されたレーザ光の光軸は後焦点面に対して斜
めになる。
【0020】加工対象20は上面が後焦点面と略同一面
になるようにしてXYステージ21に載置されている。
XYステージ21は、XY方向に移動自在である。
【0021】次にこの実施形態の動作を説明する。
【0022】レーザ発振器1から出力された直線偏光の
レーザ光は、ミラー2を介して開口3を照明する。開口
3を通過したレーザ光はビームスプリッタ5に入射し、
一部はビームスプリッタ5を透過して第1の光路に入
り、残りは反射されて第2の光路に入る。
【0023】ビームスプリッタ5を透過したレーザ光は
ミラー6により反射されてビームスプリッタ8に入射
し、ビームプリッタ8の表面で反射されて集光レンズ1
0、11を透過し、ミラー15、ミラー18に反射され
て加工レンズ19に入射し、ミラー15とミラー18の
角度で決まる加工対象20上の第1の位置に入射する。
このとき、リレー光学系9はアフォーカル光学系であ
り、かつ第1の光路を通るレーザ光はリレー光学系9の
光軸に垂直に入射するので、リレー光学系9の影響は受
けない。しかも、2次元偏向手段30が加工レンズ19
の前焦点付近に配置されているので、レーザ光は加工対
象20に対してほぼ垂直に入射する。
【0024】一方、ビームスプリッタ5で反射されたレ
ーザ光は、反射面7aによりリレー光学系9の光軸に対
して角度θ偏向され、ビームスプリッタ8を透過し、リ
レー光学系9により加工連ステップS19の前焦点付近
に角度−θで入射する。すなわち、反射面7aが実質的
に前焦点の位置にあることになるので、加工レンズ19
に入射した第2の光路を通るレーザ光は、ミラー15と
ミラー18の角度で決まる加工対象20上の第1の位置
を基準にして、反射面7aの角度で決まる距離だけ離れ
た加工対象20上の第2の位置にほぼ垂直に入射する。
【0025】第1の光路と第2の光路の長さは等しいの
で、加工対象20上の第1の位置と第2の位置に結像さ
れる開口4の像の大きさは同じである。
【0026】また、反射面7aと2次元偏向手段30に
よるレーザ光の偏向角度は独立に設定できるので、位置
の異なる2個所を同時に加工することができる。
【0027】したがって、加工能率を向上させることが
できると共に真直度や形状に優れる穴を加工することが
できる。
【0028】また、2次元スキャナ7をミラー15から
離れた位置に配置しても、ミラー15及びミラー18の
大きさを距離に応じて大きくする必要がない。
【0029】なお、加工レンズ19の大きさで決まる加
工領域に含まれる加工箇所が奇数の場合は、反射面7a
の回転角度を大きくして反射面7aで反射されたレーザ
光がビームスプリッタ8から外れるように設定してお
き、2次元偏向手段30でレーザ光を加工箇所に位置決
めすればよい。
【0030】また、この実施形態では開口3を設け、開
口3の像を加工対象20上に結像させるようにしたが、
開口3を設けず、レーザ発振器1から出力された平行な
レーザ光を用いて後焦点面付近で加工するようにしても
よい。このようにすると、開口に起因する回折によるレ
ーザ光の広がりが発生しないので、レーザ光のエネルギ
ーを有効に利用することができる。
【0031】ところで、第2の光路を通るレーザ光は2
次元偏向手段30によって偏向されるため、加工位置か
ら反射面7aの角度を求める演算は複雑になる場合があ
る。しかし、第1の位置と第2の位置との距離が5mm
以下である場合、反射面7aの偏向角度を2次元偏向手
段30の偏向角度を基準にして定めても、実用上問題に
なることはない。
【0032】次に、ビーム分割・偏向・合成光学系の他
の構成例について説明する。
【0033】図2は本発明に係るビーム分割・偏向・合
成光学系の第2の構成例を示す図であり、図1と同じも
のまたは同一機能のものは同一の符号を付して説明を省
略する。
【0034】ビーム分割・偏向・合成光学系41は、ビ
ームスプリッタ5、ミラー6、47、48、2次元スキ
ャナ43および紙面と平行な振動面を持つ光を透過さ
せ、紙面に垂直な振動面を持つ光は反射する偏光ビーム
スプリッタ(図中のPBS)42とから構成されてい
る。そして、ミラー47、48は第1の光路に、また2
次元スキャナ43は第2の光路に配置されている。
【0035】ビームスプリッタ5とミラー6の開口3の
中心軸に対する角度は45度であり、偏光ビームスプリ
ッタ42はビームスプリッタ5と平行に配置されてい
る。
【0036】ミラー48とミラー48の下方に配置され
たミラー47は互いに平行で、紙面に対して45度の方
向に配置されている。
【0037】2次元スキャナ43により位置決めされる
ミラー45の中心とミラー44、47の中心およびビー
ムスプリッタ5の中心は紙面と平行な同一面内に配置さ
れている。また、2次元スキャナ43により位置決めさ
れるミラー46の中心とミラー48の中心は紙面と平行
な同一面内に配置されている。
【0038】そして、第1の光路と第2の光路の長さを
等しくするため、偏光ビームスプリッタ42は、ミラー
48に反射されたレーザ光が背面側の中心に入射するよ
うに配置されている。
【0039】図3は、本発明に係る偏光ビームスプリッ
タの正面図である。
【0040】偏光ビームスプリッタ42は、平板状のゲ
ルマニウム基板51とゲルマニウム基板53を張り合わ
せた構成になっており、ゲルマニウム基板51の表面に
はレーザ発振器1から出力されるレーザ光の波長よりも
小さいピッチのグレーティング(溝)52が多数形成さ
れている。なお、ゲルマニウム基板51、53の対向す
る側とその反対側は無反射コーティングにより反射が抑
制されている。そして、偏光ビームスプリッタ42は、
入射光のP偏光成分(図2の紙面と平行な振動成分)を
透過させ、S偏光成分(図2の紙面と垂直な振動成分)
は反射する。
【0041】次に、この構成例の動作を説明する。
【0042】ビームスプリッタ5の透過光はミラー6に
より紙面内下向きに、ミラー47により紙面と垂直な上
向きに、ミラー48により再度紙面内下向きに、それぞ
れ偏向された後、偏光ビームスプリッタ42の背面側で
反射されてリレー光学系9に入射し、ミラー15とミラ
ー18の角度で決まる加工対象20上の第1の位置に入
射する。
【0043】また、ビームスプリッタ5で反射されたレ
ーザ光は、ミラー45により上向きに、ミラー46によ
り右方向に偏向された後、偏光ビームスプリッタ42を
透過してリレー光学系9に入射し、第1の位置からミラ
ー45とミラー46の角度で決まる距離だけ離れた加工
対象20上の第2の位置に入射する。
【0044】第1の光路と第2の光路の長さは等しいの
で、加工対象20上の第1の位置と第2の位置に結像さ
れる開口4の像の大きさは同じである。
【0045】この実施形態の場合、第1の光路を通り偏
光ビームスプリッタ42で反射されたレーザ光と、第2
の光路を通り偏光ビームスプリッタ42を透過したレー
ザ光の電場の振動方向は同じになるので、上記第1図の
場合に比べて、第1の光路を通るレーザ光と第2の光路
を通るレーザ光を効率よく合成することができる。
【0046】次に、偏光ビームスプリッタ42について
さらに説明する。
【0047】図4は本発明に係る偏光ビームスプリッタ
42の配置方向を説明する図であり、(a)はレーザ光
の入射方向説明図、(b)は(a)のA矢視図である。
【0048】屈折率がnGeであるゲルマニウムの表面に
デューティー比α(溝が形成されていない部分の幅がα
であり、溝の幅すなわち空気の部分の幅が1−α)のグ
レーティング52を形成した場合、グレーティングベク
トルK(グレーティング52に直交する方向)に対して
電場が垂直に振動する光に対する屈折率n1は式1によ
り、また、グレーティングベクトルKに対して電場が平
行に振動する偏光に対する等価屈折率n2は式2により
それぞれ近似することができる。
【0049】
【数1】 そして、偏光の定義より、図4(a)において左方およ
び上方から入射角45度でグレーティング52に入射す
るP偏光のレーザ光に対するグレーティング部の屈折率
pは上記式1におけるn1で、また、S偏光に対するグ
レーティング部の屈折率nsは上記式2におけるn2で与
えられる。
【0050】次に、数値を用いてさらに具体的に説明す
る。
【0051】例えば、nGeを4.0、デューティー比α
を0.8にすると、np=3.61、ns=1.11程度
になる。そして、このとき、グレーティング層の厚さ
(すなわち溝の深さ)をレーザ光の波長λの1/3にす
ると、P偏光の反射光が互いに干渉する結果、P偏光の
反射率はほぼ0に、また、S偏光の反射率は0.8以上
になるので、レーザ光のエネルギは殆ど失われない。
【0052】そして、このように、入射角45度でレー
ザ光を入射させることができる偏光ビームスプリッタを
採用すると、光学系の外形を小形にできると共に、光学
系のアラインメント作業が容易になる。
【0053】ちなみに、一般に使用されている炭酸ガス
レーザ用の偏光ビームスプリッタは入射角を75度程度
にしなければならない。このため、同一の開口に対し、
この実施形態における偏光ビームスプリッタよりも大形
のものを用いる必要があると共に透過方向の光路が長く
なるので、アラインメント作業が面倒になる。
【0054】なお、グレーティングの方向を90度回転
させて配置すると共にピッチを適当に選ぶことにより、
P偏光を透過させ、S偏光を屈折させることができる。
そして、偏光ビームスプリッタ42をこのように構成す
ると、グレーティング52のピッチを図4の場合よりも
比較的粗くでき、製作が容易になる。
【0055】図5は本発明に係る他の偏光ビームスプリ
ッタの配置方向を説明する図であり、(a)はレーザ光
の入射方向説明図、(b)は(a)のB矢視図である。
【0056】この実施形態における偏光ビームスプリッ
タ42は、材質がゲルマニウムの直角プリズム61、6
2を斜辺で張り合わせた構成になっており、直角プリズ
ム61の斜面にはレーザ発振器1から出力されるレーザ
光の波長よりも小さいピッチでグレーティング52が形
成されている。なお、直角プリズム61、62の対向す
る斜面以外の入射面と出射面は無反射コーティングによ
り反射が抑制されている。
【0057】そして、P偏光に対する屈折率npをS偏
光に対する屈折率nsよりも大きくすると共にグレーテ
ィング52を同図に示す方向に配置すると、S偏光をグ
レーティング部で全反射させ、P偏光を透過させること
ができる。また、グレーティング52の方向を図の位置
から90度回転させることにより、P偏光をグレーティ
ング部で全反射させ、S偏光を透過させることができ
る。
【0058】このように、偏光ビームスプリッタ42を
2個の直角プリズムで構成すると、反射あるいは透過す
る偏光を自由に選べることができると共に、反射角をあ
る程度任意に設定できるので光学系のアラインメント作
業が容易になる。
【0059】次に、数値を用いてさらに具体的に説明す
る。
【0060】例えば、直角プリズムの頂角以外の2つの
角を45度、nGeを4.0、デューティー比αを0.6
にすると、np=3.16、ns=1.27になる。ここ
で、グレーティング層の厚さを1.15λにすると、P
偏光の透過率をほぼ1とすることができると共に、S偏
光は全反射(反射率1)される。このように、偏光ビー
ムスプリッタ25を2個の直角プリズムで構成すると、
板型よりも偏光分離特性に優れるものにすることができ
る。
【0061】なお、本発明に係る偏光ビームスプリッタ
42に代えて、通常入手可能な誘電体多層膜を用いた板
形やキューブ型の偏光ビームスプリッタを使用すること
もできる。また、パワーの利用効率は劣るが、偏光特性
を備えていないビームスプリッタを用いることもでき
る。
【0062】なお、偏光ビームスプリッタの反射率と透
過率が入射角に依存する場合には、以下のようにすれば
よい。
【0063】すなわち、反射率の入射角依存性が透過率
の入射角依存性よりも大きい場合には、図2に示すよう
に2次元スキャナ43からの光を透過させる構成とすれ
ばよい。
【0064】また、透過率の入射角依存性が反射率の入
射角依存性よりも大きい場合には、例えば、レーザ発振
器1を90度回転させて配置し、図2において紙面と平
行な偏光で開口3を照射すればよい。
【0065】なお、リレー光学系のレンズの一方をビー
ム分割・偏向・合成光学系4の内部に配置することもで
きる。
【0066】図6はビーム分割・偏向・合成光学系の第
3の構成例を示す構成図であり、図1、2と同じものま
たは同一機能のものは同一の符号を付して説明を省略す
る。
【0067】ビーム分割・偏向・合成光学系90は、1
/2波長板92、偏光ビームスプリッタ42a、ミラー
6、偏光ビームスプリッタ42b、ミラー94、2次元
スキャナ7とから構成されている。偏光ビームスプリッ
タ42a、42bおよびミラー6、94の開口3の中心
軸に対する角度は45度である。そして、ミラー6は第
1の光路に、また2次元スキャナ7は第2の光路に配置
されている。2次元スキャナ7は、反射面7aの中心が
偏光ビームスプリッタ42aの入射面およびミラー6の
反射面の中心を1辺、ミラー6の反射面と偏光ビームス
プリッタ42bの背面42cを他の1辺とする長方形の
頂点に一致するように位置決めされている。
【0068】1/2波長板92は入射光の振動面を45
度回転させる機能を備えている。偏光ビームスプリッタ
42a、42bは入射光のうちP偏光成分(紙面と平行
な振動成分)を透過させ、S偏光成分(紙面と垂直な振
動成分)を反射する。
【0069】次に、この構成例の動作を説明する。
【0070】開口3を透過したレーザ光は1/2波長板
92により振動面を45度回転させられ、P偏光成分は
偏光ビームスプリッタ42aを透過し、ミラー6を介し
て偏光ビームスプリッタ42bに入射し、偏光ビームス
プリッタ42bを透過した後、ミラー94で反射されて
リレー光学系9に入射する。
【0071】一方、S偏光成分は偏光ビームスプリッタ
42aおよび反射面7a、偏光ビームスプリッタ42b
およびミラー94で反射されてリレー光学系9に入射す
る。
【0072】第1の光路と第2の光路の長さは等しいの
で、加工対象20上の第1の位置と第2の位置に結像さ
れる開口4の像の大きさは同じである。
【0073】この第3の構成例の場合も、上記第2の構
成例の場合と同様に、光の利用効率が高いという利点が
ある。
【0074】(第2の実施形態)図7は本発明の第2の
実施形態に係るレーザ加工装置の部分構成図であり、図
1と同じものまたは同一機能のものは説明を省略する。
なお、図示を省略した部分は図1と同じである。
【0075】ビーム分割・偏向・合成光学系99は、ビ
ームスプリッタ5、ミラー6、レンズ10、ビームスプ
リッタ8、2次元スキャナ7、レンズ96とから構成さ
れ、ビームスプリッタ5の透過側にミラー6とレンズ1
0が、反射側に2次元スキャナ7とレンズ96が配置さ
れている。
【0076】2次元スキャナ7は、反射面7aの中心が
ビームスプリッタ5の入射面5aおよびミラー6の反射
面の中心を1辺、ミラー6の反射面とビームスプリッタ
8の背面8aを他の1辺とする長方形の頂点に一致する
ように位置決めされている。
【0077】そして、レンズ10とレンズ11は第1の
リレー光学系を、レンズ96とレンズ11は第2のリレ
ー光学系を構成している。
【0078】レンズ10とレンズ96はビームスプリッ
タ8から等距離の位置であって、焦点距離から外れた位
置に配置されている。
【0079】そして、このように構成すると、2次元偏
向手段7とレンズ96を物理的に近づけることができる
ので、レーザ加工装置内におけるリレー光学系の配置が
容易になり、光学系を小型化できると共に安価に構成す
ることができる。
【0080】また、ビームスプリッタ8をレンズ10と
レンズ96の焦点位置からずらせて設置することによ
り、ビームスプリッタ8が加熱により損傷することを予
防できる。
【0081】なお、動作は上記図1の場合と実質的に同
一であるので、説明を省略する。
【0082】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レーザ光の光路を第1の光路と第2の光路に分離する光
路分離手段と加工レンズとを備え、前記第1の光路を通
る前記レーザ光と前記第2の光路を通る前記レーザ光を
前記加工レンズにより集光して加工対象を加工するレー
ザ加工装置において、分離された前記第1の光路と前記
第2の光路を1つの光路に統合する光路統合手段と、2
組の2次元偏向手段と、を設け、前記2次元偏向手段の
一方を前記第1と第2の光路のいずれか一方に配置する
と共に、前記2次元偏向手段の他方を前記光路統合手段
と前記加工レンズとの間に配置し、前記第1の光路と前
記第2の光路を通る前記レーザ光を1個の前記加工レン
ズに入射させるので、2つに分離させたレーザ光を1つ
の加工レンズで集光させる場合であっても、加工対象に
品質の優れる穴を加工することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に係るレーザ加工装置
の構成図である。
【図2】本発明に係るビーム分割・偏向・合成光学系の
第2の構成例を示す図である。
【図3】本発明に係る偏光ビームスプリッタの正面図で
ある。
【図4】本発明に係る偏光ビームスプリッタの配置方向
を説明する図である。
【図5】本発明に係る他の偏光ビームスプリッタの配置
方向を説明する図である。
【図6】ビーム分割・偏向・合成光学系の第3の構成例
を示す構成図である。
【図7】本発明の第2の実施形態に係るレーザ加工装置
の部分構成図である。
【符号の説明】
5 ビームスプリッタ 7 2次元スキャナ 8 ビームスプリッタ 20 加工対象
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青山 博志 神奈川県海老名市上今泉2100番地 日立ビ アメカニクス株式会社内 Fターム(参考) 2H099 AA17 BA17 CA01 CA08 CA17 DA07 4E068 AF01 CA05 CD02 CD04 CD08 DA11

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レーザ光の光路を第1の光路と第2の光
    路に分離する光路分離手段と加工レンズとを備え、前記
    第1の光路を通る前記レーザ光と前記第2の光路を通る
    前記レーザ光を前記加工レンズにより集光して加工対象
    を加工するレーザ加工装置において、 分離された前記第1の光路と前記第2の光路を1つの光
    路に統合する光路統合手段と、2組の2次元偏向手段
    と、を設け、 前記2次元偏向手段の一方を前記第1と第2の光路のい
    ずれか一方に配置すると共に、前記2次元偏向手段の他
    方を前記光路統合手段と前記加工レンズとの間に配置
    し、 前記第1の光路と前記第2の光路を通る前記レーザ光を
    1個の前記加工レンズに入射させることを特徴とするレ
    ーザ加工装置。
  2. 【請求項2】 リレー光学系を設け、このリレー光学系
    を前記2次元偏向手段の一方と他方との間に配置するこ
    とを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工装置。
  3. 【請求項3】 前記第1の光路の長さと前記第2の光路
    の長さが等しくなるように、前記第1の2次元偏向手段
    を配置することを特徴とする請求項1または請求項2に
    記載のレーザ加工装置。
  4. 【請求項4】 前記リレー光学系はアフォーカル光学系
    であることを特徴とする請求項2または請求項3に記載
    のレーザ加工装置。
JP2002146474A 2002-05-21 2002-05-21 レーザ加工装置 Expired - Fee Related JP3935775B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002146474A JP3935775B2 (ja) 2002-05-21 2002-05-21 レーザ加工装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002146474A JP3935775B2 (ja) 2002-05-21 2002-05-21 レーザ加工装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003334684A true JP2003334684A (ja) 2003-11-25
JP3935775B2 JP3935775B2 (ja) 2007-06-27

Family

ID=29705448

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002146474A Expired - Fee Related JP3935775B2 (ja) 2002-05-21 2002-05-21 レーザ加工装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3935775B2 (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7425471B2 (en) 2004-06-18 2008-09-16 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis with cross-axis offset
US7435927B2 (en) * 2004-06-18 2008-10-14 Electron Scientific Industries, Inc. Semiconductor link processing using multiple laterally spaced laser beam spots with on-axis offset
JP2008290086A (ja) * 2007-05-22 2008-12-04 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
US7633034B2 (en) 2004-06-18 2009-12-15 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots overlapping lengthwise on a structure
US7687740B2 (en) 2004-06-18 2010-03-30 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots delivering multiple blows
US7871903B2 (en) 2002-03-27 2011-01-18 Gsi Group Corporation Method and system for high-speed, precise micromachining an array of devices
US7935941B2 (en) 2004-06-18 2011-05-03 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis on non-adjacent structures
US7955906B2 (en) 2001-03-29 2011-06-07 Gsi Group Corporation Methods and systems for thermal-based laser processing a multi-material device
US8148211B2 (en) 2004-06-18 2012-04-03 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis delivered simultaneously
US8383982B2 (en) 2004-06-18 2013-02-26 Electro Scientific Industries, Inc. Methods and systems for semiconductor structure processing using multiple laser beam spots
KR101257029B1 (ko) * 2004-06-18 2013-04-22 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 다중 레이저 빔 스폿을 이용하는 반도체 구조 가공
JP7475725B1 (ja) 2022-10-19 2024-04-30 エイチアールディー株式会社 ビームローテータ、レーザ加工装置及びレーザ加工方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI459039B (zh) * 2011-05-18 2014-11-01 Uni Via Technology Inc 雷射光束轉換裝置及方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7955906B2 (en) 2001-03-29 2011-06-07 Gsi Group Corporation Methods and systems for thermal-based laser processing a multi-material device
US7871903B2 (en) 2002-03-27 2011-01-18 Gsi Group Corporation Method and system for high-speed, precise micromachining an array of devices
US7923306B2 (en) 2004-06-18 2011-04-12 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots
US7633034B2 (en) 2004-06-18 2009-12-15 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots overlapping lengthwise on a structure
US7687740B2 (en) 2004-06-18 2010-03-30 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots delivering multiple blows
US7425471B2 (en) 2004-06-18 2008-09-16 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis with cross-axis offset
US7935941B2 (en) 2004-06-18 2011-05-03 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis on non-adjacent structures
US7435927B2 (en) * 2004-06-18 2008-10-14 Electron Scientific Industries, Inc. Semiconductor link processing using multiple laterally spaced laser beam spots with on-axis offset
US8148211B2 (en) 2004-06-18 2012-04-03 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis delivered simultaneously
US8383982B2 (en) 2004-06-18 2013-02-26 Electro Scientific Industries, Inc. Methods and systems for semiconductor structure processing using multiple laser beam spots
KR101257029B1 (ko) * 2004-06-18 2013-04-22 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 다중 레이저 빔 스폿을 이용하는 반도체 구조 가공
JP2008290086A (ja) * 2007-05-22 2008-12-04 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
DE102008024468B4 (de) * 2007-05-22 2016-08-18 Disco Corporation Laserbearbeitungsmaschine
JP7475725B1 (ja) 2022-10-19 2024-04-30 エイチアールディー株式会社 ビームローテータ、レーザ加工装置及びレーザ加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3935775B2 (ja) 2007-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3822188B2 (ja) 多重ビームレーザ穴あけ加工装置
TW503677B (en) Laser processing apparatus
JP3935775B2 (ja) レーザ加工装置
JPS59140420A (ja) 半導体レ−ザ−を用いた光源装置
JP2000190087A (ja) 2軸レ―ザ加工機
JP2005177788A (ja) レーザ加工装置
JP7410121B2 (ja) 2つのオフセットレーザビームを提供するための光学装置及び方法
JP4662411B2 (ja) レーザ加工装置
JPS6053857B2 (ja) 半導体レ−ザ光源装置
JP2009210726A (ja) マスクレス露光装置
JP2006349784A (ja) ビーム合成装置
JP2003334685A (ja) レーザ加工装置
KR20060037568A (ko) 듀얼 빔 레이저 가공 시스템
JPH11267873A (ja) レーザ光の走査光学系及びレーザ加工装置
JP5178557B2 (ja) 分光ユニット及びそれを用いたレーザ加工装置
JP2001356488A (ja) レーザ描画装置
JPH04327391A (ja) レーザ加工機
JP4948923B2 (ja) ビーム照射装置、及び、ビーム照射方法
JP2002316289A (ja) レーザ加工装置
JP3220344B2 (ja) 空間光通信装置
JP2003015084A (ja) 偏光光源装置
JP2002307180A (ja) レーザ加工装置
JP2992122B2 (ja) 偏向ビーム発生装置
JP2003181673A (ja) レーザ加工装置
JP3362308B2 (ja) 送受信一体型光通信装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040913

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060824

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061205

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070205

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070306

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070320

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110330

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120330

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120330

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130330

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140330

Year of fee payment: 7

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees