JP2003329724A - 半導体試験装置及び半導体試験方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体試験装置において、被試験体や半導体
試験装置自体の自己発熱による温度変化がある場合に、
温度制御の精度と速度とを向上させる。 【解決手段】 開示される半導体試験装置は、温度槽又
は温度印加ステージ１の温度が目標値になるように温度
制御を行いながら、自己発熱性を有する同一種類の半導
体装置からなる被試験体を複数個反復して試験する半導
体試験装置であって、補正データ作成回路９を備えて、
最初の試験サイクルにおいて、設定温度を目標値として
温度制御を行いながら、所定の動作状態で被試験体の試
験を行ったときの、被試験体の温度の設定値に対する初
期偏差値に応じて設定値を補正した補正値の時間軸デー
タとして補正データを作成してデータ保存部１０に保存
し、次回以降の試験サイクルごとに、保存された補正デ
ータによって定まる温度を目標値として所定時間先行し
て温度制御を行いながら、被試験体の試験を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、ＩＣ（Integrat
ed Circuit）等の半導体装置を恒温状態において試験す
るための、半導体試験装置及び半導体試験方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣ等の半導体装置の試験を行う際に
は、試験条件を一定にするために、内部が恒温状態に保
たれた温度槽、又はステージ上が恒温状態に保たれた温
度印加ステージを有する半導体試験装置を用いて、ＩＣ
等の半導体装置の試験を行うことが必要である。図６
は、従来の半導体試験装置の構成を示したものであっ
て、温度槽又は温度印加ステージ１と、測定部２と、温
度センサ３と、温度検出器４と、温度制御器５と、ヒー
ター・クーラー６と、制御装置７とからなる概略構成を
有することが示されている。

【０００３】温度槽又は温度印加ステージ１は、温度制
御を行われることによって、槽内又はステージ上を予め
設定された温度に保つことができるように構成されてい
る。測定部２は、その上に試験を行うべきＩＣ等の半導
体装置（以下、被試験体と略す）（不図示）を装着する
ことによって、所要の試験を行うことができるようにな
っている。温度センサ３は、例えば、被試験体を取り付
けた製品の場合はそれが置かれた雰囲気の温度を測定
し、あるいはＩＣ単体の場合は、それを搭載したステー
ジの温度を測定する等の方法で、測定部２上に装着され
た被試験体の温度を測定することによって、被試験体の
温度に対応して変化する信号を発生する。

【０００４】温度検出器４は、温度センサ３からの信号
によって、被試験体の温度を検出した信号を発生する。
温度制御器５は、温度検出器４からの検出温度が、予め
設定されている目標温度に追従するように制御信号を発
生する。ヒーター・クーラー６は、温度制御器６からの
制御信号に応じて、ヒーターによって熱を発生し、又は
クーラーによって熱を吸収することによって、温度槽又
は温度印加ステージ１の温度を変化させる。制御装置７
は、半導体試験装置の全体の制御を行う。

【０００５】このように、従来の半導体試験措置におい
ては、温度センサ３，温度検出器４によって被試験体の
温度を検出し、被試験体の温度が変化して検出温度と目
標温度との間に温度差が生じたとき、この温度差が０に
近づくように、温度制御器５からの制御信号に応じてヒ
ーター・クーラー６を制御して被試験体の雰囲気の温度
が予め設定された目標値になるようにすることによっ
て、被試験体の温度を一定に保つようにしている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、半導体
試験装置に対する従来の温度制御方法は、目標温度に対
して被試験体の温度の変化が発生してから温度制御を開
始する、フィードバック制御によって行われていた。そ
のため、従来の半導体試験装置では、被試験体の温度を
安定させるためには、被試験体が収容されている温度槽
又は温度印加ステージの温度を制御する、フィードバッ
ク制御の精度と速度とを向上させることが必要である
が、温度槽又は温度印加ステージは通常、大きな熱慣性
を有しているため、このような性能向上には限界があっ
て、温度槽又は温度印加ステージの温度を迅速にかつ充
分に安定させることが困難であるとともに、特に、被試
験体や半導体試験装置自体の自己発熱による温度変化が
ある場合には、温度制御の精度と速度を向上させること
が一層困難になるという問題があった。

【０００７】この発明は上述の事情に鑑みてなされたも
のであって、半導体試験装置において、被試験体や半導
体試験装置自体の自己発熱による温度変化がある場合で
も、被試験体の温度を迅速にかつ充分に安定に、設定さ
れた目標温度に追従させることが可能な、半導体試験装
置及び半導体試験方法を提供することを目的としてい
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１記載の発明は半導体試験装置に係り、被試
験体の試験環境の温度が目標値になるように温度制御を
行いながら、自己発熱性を有する同一種類の被試験体を
複数個反復して試験するための半導体試験装置であっ
て、補正データ作成手段を備えて、最初の試験サイクル
において、設定温度を目標値として温度制御を行いなが
ら、所定の動作状態で被試験体の試験を行ったときの、
該被試験体の温度の上記設定温度に対する初期偏差値を
求めて、該初期偏差値に応じて上記設定温度を補正した
補正値の時間軸データとして補正データを作成して保存
し、次回以降の試験サイクルごとに、上記補正データに
よって定まる温度を目標値として所定時間先行して上記
試験環境の温度制御を行いながら、上記被試験体の試験
を行うように構成されていることを特徴としている。

【０００９】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の半導体試験装置に係り、上記補正値を、次式に従っ
て求めることを特徴としている。補正値＝（設定値−初
期偏差値）＊αただし、αは、上記被試験体の試験環境
の特性に応じて定める任意の係数。

【００１０】また、請求項３記載の発明は、請求項１又
は２記載の半導体試験装置に係り、上記先行して温度制
御を行う時間を、上記被試験体の試験環境の特性に応じ
て任意に定めることを特徴としている。

【００１１】また、請求項４記載の発明は、請求項１乃
至３のいずれか一に記載の半導体試験装置に係り、上記
補正データによって定まる温度を目標値とする温度制御
と、上記設定値を目標値とする温度制御とを任意に切り
替えて実行可能なように構成されていることを特徴とし
ている。

【００１２】また、請求項５記載の発明は、請求項１乃
至４のいずれか一に記載の半導体試験装置に係り、上記
半導体試験装置が、ハンドリング手段を備えて、試験サ
イクルの開始時、上記被試験体を測定部に装着して試験
を開始するとともに、試験サイクルの終了時、試験が終
了した被試験体を上記測定部から除去する処理を、被試
験体ごとに順次繰り返して行うこができるように構成さ
れていることを特徴としている。

【００１３】また、請求項６記載の発明は、請求項１乃
至５のいずれか一に記載の半導体試験装置に係り、上記
半導体試験装置が、監視カメラを介して上記試験環境に
おける被試験体の動作状態を監視する動作状態検出手段
を備えて、最初の試験サイクルにおいて、被試験体の上
記動作状態に応じて試験を行って上記補正データを作成
するとともに、次回以降の試験サイクルにおいて、被試
験体の上記動作状態に応じて上記補正データに従って温
度制御を行って被試験体を試験することを特徴としてい
る。

【００１４】また、請求項７記載の発明は、半導体試験
方法に係り、被試験体の試験環境の温度が目標値になる
ように温度制御を行いながら、自己発熱性を有する同一
種類の被試験体を複数個反復して試験するための半導体
試験装置において、最初の試験サイクルで、設定温度を
目標値として温度制御を行いながら、所定の動作状態で
被試験体の試験を行ったときの、該被試験体の温度の上
記設定温度に対する初期偏差値を求めて、該初期偏差値
に応じて上記設定温度を補正した補正値の時間軸データ
として補正データを作成して保存し、次回以降の試験サ
イクルごとに、上記補正データによって定まる温度を目
標値として所定時間先行して上記試験環境の温度制御を
行いながら、上記被試験体の試験を行うことを特徴とし
ている。

【００１５】また、請求項８記載の発明は、請求項７記
載の半導体試験方法に係り、ハンドリング手段を備え
て、試験サイクルの開始時、上記被試験体を測定部に装
着して試験を開始するとともに、試験サイクルの終了
時、試験が終了した被試験体を上記測定部から除去する
処理を、被試験体ごとに順次繰り返して行うことを特徴
としている。

【００１６】また、請求項９記載の発明は、請求項７又
は８記載の半導体試験方法に係り、監視カメラを介して
上記試験環境における被試験体の動作状態を監視して、
最初の試験サイクルにおいて、被試験体の上記動作状態
に応じて試験を行って上記補正データを作成するととも
に、次回以降の試験サイクルにおいて、被試験体の上記
動作状態に応じて上記補正データに従って温度制御を行
って被試験体を試験することを特徴としている。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態について説明する。説明は、実施例を用い
て具体的に行う。 ◇第１実施例 図１は、この発明の第１実施例である半導体試験装置の
構成を示すブロック図、図２は、本実施例の半導体試験
装置の動作を示すフローチャート、図３は、本実施例の
半導体試験装置における補正データ作成の手順を説明す
る図である。

【００１８】この例の半導体試験装置は、図１に示すよ
うに、温度槽又は温度印加ステージ１と、測定部２と、
温度センサ３と、温度検出器４と、温度制御器５Ａと、
ヒーター・クーラー６と、制御装置７Ａと、デバイス測
定状況センサ８と、補正データ作成回路９と、データ保
存部１０と、データ使用切り替え器１１とから概略構成
されている。これらのうち、温度槽又は温度印加ステー
ジ１，測定部２，温度センサ３，温度検出器４，ヒータ
ー・クーラー６は、図６に示された従来例の場合と同様
なので、以下においては、これらについての詳細な説明
を省略する。

【００１９】温度制御器５Ａは、データ使用切り替え器
１１からの温度制御信号に基づいてヒーター・クーラー
６の動作を制御することによって、温度槽又は温度印加
ステージ１の温度制御を行う。制御装置７Ａは、半導体
試験装置の全体の動作を制御する以外に、デバイス測定
状況センサ８に対して、温度槽又は温度印加ステージ１
に対する動作指令の発生状況を通知する。デバイス測定
状況センサ８は、制御装置７Ａからの通知に基づいて、
測定部２の被試験体において、温度変化を生じる可能性
のある動作状態の変化（例えば試験の開始と終了）の発
生を示す測定状況信号を発生する。

【００２０】補正データ作成回路９は、デバイス測定状
況センサ８からの測定状況信号に応じて、被試験体の温
度が目標温度に正しく追従するように、温度槽又は温度
印加ステージ１における温度制御の目標温度を補正する
ためのデータを作成する。データ保存部１０は、補正デ
ータ作成回路９において作成された補正用データを保存
する。データ使用切り替え器１１は、温度制御器５Ａに
おいて、温度制御の目標温度として、設定値を使用する
か、又はデータ保存部１０に保存されている補正データ
を使用するか否かを切り替える。

【００２１】図２は、この例の半導体試験装置におけ
る、温度槽又は温度印加ステージ１における、温度補正
データの取得と、補正データ取得後の温度制御とを説明
するものである。半導体試験装置において、複数の同種
の被試験体に対する第１回目の試験を行うとき（図２ス
テップＳ１）は、従来の温度制御方法によって、温度槽
又は温度印加ステージ１の温度を設定値に保った状態
で、被試験体に対する補正データ取得の処理を開始する
（図２ステップＳ２）。

【００２２】被試験体の試験が終了したとき、得られた
補正データをデータ保存部１０に保存した（図２ステッ
プＳ３）のち、被試験体の残りの有無を検出して（図２
ステップＳ４）、残りがあったときは、以後の試験に補
正データを使用するか否かに応じて（図２ステップＳ
５）、補正データを使用するときは、第１回目の試験で
得られた補正データを使用して温度槽又は温度印加ステ
ージ１の温度制御を行った状態で、被試験体に対する試
験を行う。また、補正データを使用しないときは、従来
と同様の温度制御を行う。

【００２３】以下、図１，図２を参照して、この例の半
導体試験装置の動作を説明する。図１に示された半導体
試験装置によって、ＩＣ等の半導体装置の試験を行う際
は、被試験体である半導体装置を、温度槽又は温度印加
ステージ１内の測定部２に装着する。そして、温度セン
サ３と温度検出器４によって、測定部２における被試験
体の温度を測定する。この場合の被試験体の温度は、例
えば被試験体を搭載するステージの温度によって検出す
るか、あるいはなんらかの方法によって、被試験体自体
の温度を検出してもよい。

【００２４】最初、データ使用切り替え器１１によって
目標温度として設定値を選択し、温度検出器４からの検
出温度値が設定値に追従するように、温度制御器５を介
してヒーター・クーラー６を動作させる温度制御を行う
ことによって、温度槽内又は温度印加ステージ１上を設
定温度に保つようにする。この状態で、第１回目の試験
を行う。このとき、補正データ作成回路９は、デバイス
測定状況センサ８からの被試験体の試験の開始と終了を
示す信号に応じて、１サイクルの試験シーケンスに対応
する、被試験体の測定温度の初期値を時間軸データとし
て求める。

【００２５】この初期値の時間軸データは、試験時にお
ける被試験体の自己発熱又は半導体試験装置自体の動作
に伴う発熱等によって、設定値に基づく温度制御下にお
ける１サイクルの試験シーケンス中に生じた、被試験体
の温度の設定値からの変化（初期偏差値）を含んでい
る。 初期値＝設定値＋初期偏差値 …（１）

【００２６】補正データ作成回路９は、初期値のデータ
から（１）式の関係によって初期偏差値のデータを分離
し、初期偏差値のデータから、例えば、次式の関係によ
って、新たな目標値とするための補正値を、試験開始か
ら所定時間（ｔ１）ごとに連続して算出し、この補正値
の時間軸データとして補正データを求めて、データ保存
部１０に保存する。なお、この際の時間ｔ１は、半導体
試験装置の温度検出能力及び制御性能等を考慮して、任
意に設定される。 補正値＝（設定値−初期偏差値）＊α …（２） ここでαは、温度槽又は温度印加ステージ１の熱効率等
の特性を考慮して、任意に定められる係数である。

【００２７】次に、第２回目の試験を行う。このとき
は、データ使用切り替え器１１によって、補正データ作
成回路９がデータ保存部１０から読み出した補正データ
を選択し、温度制御器５Ａは、時間軸に従って補正デー
タによって定まる補正値を目標値として温度制御を行
う。この場合の温度制御は、試験サイクルの開始時から
所定時間（ｔ）だけ先行して行われる。なお、この際に
おける先行する時間ｔは、温度槽又は温度印加ステージ
１の熱慣性等の特性を考慮して、任意に設定される。

【００２８】以降、第２回目と同じ手順によって温度制
御を繰り返し行うことによって、残りのすべての被試験
体に対する試験を実行する。

【００２９】図３は、本実施例の半導体試験装置におけ
る、補正データの作成と、補正データによる被試験体の
試験結果を説明するものであって、（Ａ）は初期値のデ
ータ、（Ｂ）は補正値のデータ、（Ｃ）は補正データを
用いて温度制御を行ったときの被試験体の温度（補正後
値）のデータをそれぞれ示している。

【００３０】図３に示すように、第１回目の試験時、設
定値を目標温度として温度制御を行った状態で、被試験
体が温度槽又は温度印加ステージ１に挿入されて試験が
開始されたときから、試験が終了して被試験体が取り出
されるときまで、ｔ１時間間隔で、被試験体の温度を連
続的に検出することによって、（Ａ）に示す初期値のデ
ータが得られる。次に、初期値から（１）式の演算によ
って初期偏差値を求め、この初期偏差値と設定値とから
（２）式の演算で補正値を求めることによって、（Ｂ）
に示す補正値の時間軸データが得られる。さらに、第２
回目以降、（Ｂ）に示す補正値のデータを目標値とし
て、ｔ時間先行して温度槽又は温度印加ステージ１の温
度制御を行って、被試験体の試験を行うことによって、
（Ｃ）に示すような補正後値のデータが得られる。

【００３１】このように、この例の半導体試験装置によ
れば、被試験体の試験時、被試験体の温度変化を示す初
期偏差値に従って設定値を補正して得た補正データに応
じて目標温度を時間の経過とともに変更しながら、被試
験体を収容する温度槽又は温度印加ステージの温度制御
を行うので、被試験体や半導体試験装置自体の自己発熱
による被試験体の温度変化がある場合でも、被試験体の
温度制御の精度と速度とを向上させることができるとと
もに、被試験体の温度変化を抑制することができるの
で、被試験体であるＩＣ等の半導体装置の試験精度を向
上させることができるようになる。

【００３２】◇第２実施例 図４は、この発明の第２実施例である半導体試験装置の
構成を示すブロック図である。この例の半導体試験装置
は、図４に示すように、温度槽又は温度印加ステージ１
と、測定部２と、温度センサ３と、温度検出器４と、温
度制御器５Ａと、ヒーター・クーラー６と、制御装置７
Ａと、デバイス測定状況センサ８Ａと、補正出データ作
成回路９と、データ保存部１０と、データ使用切り替え
器１１と、ハンドリング装置１２とから概略構成されて
いる。これらのうち、デバイス測定状況センサ８Ａとハ
ンドリング装置１２とを除く各部は、図１に示された第
１実施例の場合と同様なので、以下においては、これら
についての詳細な説明を省略する。

【００３３】デバイス測定状況センサ８Ａは、制御装置
７Ａとの間で通信を行って、制御装置７Ａからの通知に
基づいて、測定部２におけるにおいて、温度変化を生じ
る可能性のある動作状態の変化の発生を示す測定状況信
号を発生して、補正データ作成回路９とハンドリング装
置１２に通知するとともに、ハンドリング装置１２にお
ける被試験体の装着と除去等の状態の変化を示す信号を
受け取る。ハンドリング装置１２は、制御装置７Ａから
の動作指示に基づいて、測定部２に対する被試験体の装
着と除去の操作を行う。

【００３４】以下、図４を参照して、この例の半導体試
験装置の動作を説明する。この例の半導体試験装置にお
いては、ハンドリング装置１２を備えているので、温度
槽又は温度印加ステージ１の内部に予め用意されている
複数の被試験体を、試験サイクルの開始ごとに１個ずつ
測定部２に装着して、予め定められた試験サイクルに基
づいて試験を行うとともに、試験サイクルの終了時、測
定部２から試験ずみの被試験体を除去して別の場所に収
納する処理を自動的に連続して行うことができる。

【００３５】このように、この例の半導体試験装置によ
れば、ハンドリング装置を備えた半導体試験装置の場合
でも、ハンドリング装置によって、被試験体の装着と除
去の処理を繰り返して行いながら、第１実施例の場合と
同様の処理を行うことができるので、半導体装置の試験
効率を向上させることができるようになる。

【００３６】◇第３実施例 図５は、この発明の第３実施例である半導体試験装置の
構成を示すブロック図である。この例の半導体試験装置
は、図５に示すように、温度槽又は温度印加ステージ１
と、測定部２と、温度センサ３と、温度検出器４と、温
度制御器５Ａと、ヒーター・クーラー６と、制御装置７
と、補正データ作成回路９Ａと、データ保存部１０と、
データ使用切り替え器１１と、監視カメラ１３と、装置
動作状態センサ１４とから概略構成されている。これら
のうち、補正データ作成回路９Ａと、監視カメラ１３
と、装置動作状態センサ１４とを除く各部は、図６に示
された従来例又は図１に示された第１実施例の場合と同
様なので、以下においては、これらについての詳細な説
明を省略する。

【００３７】補正データ作成回路９Ａは、装置動作状態
センサ１４からの測定部２における動作状態を示す信号
に応じて、被試験体の温度が目標温度に正しく追従する
ように、温度槽又は温度印加ステージ１における温度を
補正するためのデータを作成する。監視カメラ１３は、
温度槽又は温度印加ステージ１における、被試験体を含
む測定部２の状況を撮影する。装置動作状態センサ１４
は、監視カメラ１３からの映像に基づいて、被試験体を
含む測定部２における動作状態を示す信号を発生する。

【００３８】以下、図５を参照して、この例の半導体試
験装置の動作を説明する。この例の半導体試験装置にお
いては、監視カメラ１３と装置動作状態センサ１４とに
よって、温度槽又は温度印加ステージ１の測定部２にお
ける、被試験体の状態を検出した信号を発生する。

【００３９】そして、第１回目の試験時、補正データ作
成回路９Ａにおいて、設定値を目標温度として温度制御
を行ったときの温度検出器４からの温度データと、装置
動作状態センサ１４からの被試験体の状態を検出したデ
ータとに応じて、被試験体の温度が目標温度に正しく追
従するように、温度槽又は温度印加ステージ１における
温度を被写体の状態に対応して補正するための補正値の
データを作成して、データ保存部１０に保存する。この
場合の補正値の算出方法は、第１実施例の場合と同様で
ある。

【００４０】次に、第２回目以降の試験時、データ使用
切り替え器１１によって、補正データ作成回路９Ａがデ
ータ保存部１０から読み出した補正データを選択し、温
度制御器５Ａがこの補正データを目標値として、所定時
間ｔだけ先行して温度制御を行う処理を、被試験体ごと
に繰り返して行う。

【００４１】このように、この例の半導体試験装置によ
れば、監視カメラ１３と装置動作状態センサ１４とによ
って、温度槽又は温度印加ステージ１の測定部２におけ
る被試験体の状態を検出しながら試験サイクルを実行し
て補正データを作成するので、半導体試験装置の構成，
動作と無関係に、被試験体に対する測定状態に応じて温
度槽又は温度印加ステージ１の温度を補正しながら試験
を行うので、被試験体の温度制御の精度と速度とを向上
させることができるとともに、被試験体の温度変化を抑
制することができるので、被試験体であるＩＣ等の半導
体装置の試験精度を向上させることができる。

【００４２】以上、この発明の実施例を図面により詳述
してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られたもの
ではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変
更等があってもこの発明に含まれる。例えば、上述の各
実施例において補正データを目標値として使用して温度
制御を実行する代わりに、データ使用切り替え器１１に
よって目標温度として設定値を選択することによって、
従来と同様の温度制御を行うことも可能である。また、
このような従来方法の温度制御と、各実施例に示された
補正データを使用した温度制御とを併用することも可能
であって、この場合は、例えば試験休止期間には従来方
法による温度制御を行い、試験中は本発明の温度制御を
行うように、時間的に切り替えて実行すればよい。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体試
験装置及び半導体試験方法によれば、被試験体の試験
時、被試験体や半導体試験装置自体の自己発熱による温
度変化がある場合でも、時間軸化した温度補正データを
用いて被試験体を収容する温度槽又は温度印加ステージ
の温度制御を行うので、被試験体の温度を迅速にかつ充
分に設定値に追従させることができるので、半導体試験
装置の温度制御の精度と速度とを向上させることができ
る。また、この際、被試験体の温度変化を抑制すること
ができるので、被試験体であるＩＣ等の半導体装置の試
験精度を向上させることができる。

【００４４】さらにこの例の半導体試験装置によれば、
ハンドリング装置を備えた半導体試験装置の場合でも、
同様の効果を得られるので、半導体装置の試験効率を向
上させることができる。また、この例の半導体試験装置
によれば、監視カメラを介して被試験体の動作状態を検
出することによって、半導体試験装置の構成，動作に無
関係に、被試験体の動作状態を把握しながら試験を行う
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例である半導体試験装置の構
成を示すブロック図である。

【図２】同実施例の半導体試験装置の動作を示すフロー
チャートである。

【図３】同実施例の半導体試験装置における補正データ
作成の手順を説明する図である。

【図４】本発明の第２実施例である半導体試験装置の構
成を示すブロック図である。

【図５】本発明の第３実施例である半導体試験装置の構
成を示すブロック図である。

【図６】従来の半導体試験装置の構成を示す図である。

【符号の説明】

１ 温度槽又は温度印加ステージ（試験環境） ２ 測定部 ３ 温度センサ ４ 温度検出器 ５Ａ 温度制御器 ６ ヒーター・クーラー ７，７Ａ 制御装置 ８ デバイス測定状況センサ ９，９Ａ 補正データ作成回路（補正データ作成手
段） １０ データ保存部 １１ データ使用切り替え器 １２ ハンドリング装置（ハンドリング手段） １３ 監視カメラ １４ 装置動作状態センサ（動作状態検出手段）

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被試験体の試験環境の温度が目標値にな
   るように温度制御を行いながら、自己発熱性を有する同
   一種類の被試験体を複数個反復して試験するための半導
   体試験装置であって、 補正データ作成手段を備えて、最初の試験サイクルにお
   いて、設定温度を目標値として温度制御を行いながら、
   所定の動作状態で被試験体の試験を行ったときの、該被
   試験体の温度の前記設定温度に対する初期偏差値を求め
   て、該初期偏差値に応じて前記設定温度を補正した補正
   値の時間軸データとして補正データを作成して保存し、 次回以降の試験サイクルごとに、前記補正データによっ
   て定まる温度を目標値として所定時間先行して前記試験
   環境の温度制御を行いながら、前記被試験体の試験を行
   うように構成されていることを特徴とする半導体試験装
   置。
2. 【請求項２】 前記補正値を、次式に従って求めること
   を特徴とする請求項１記載の半導体試験装置。 補正値＝（設定値−初期偏差値）＊α ただし、αは、前記被試験体の試験環境の特性に応じて
   定める任意の係数。
3. 【請求項３】 前記先行して温度制御を行う時間を、前
   記被試験体の試験環境の特性に応じて任意に定めること
   を特徴とする請求項１又は２記載の半導体試験装置。
4. 【請求項４】 前記補正データによって定まる温度を目
   標値とする温度制御と、前記設定値を目標値とする温度
   制御とを任意に切り替えて実行可能なように構成されて
   いることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記
   載の半導体試験装置。
5. 【請求項５】 前記半導体試験装置が、ハンドリング手
   段を備えて、試験サイクルの開始時、前記被試験体を測
   定部に装着して試験を開始するとともに、試験サイクル
   の終了時、試験が終了した被試験体を前記測定部から除
   去する処理を、被試験体ごとに順次繰り返して行うこが
   できるように構成されていることを特徴とする請求項１
   乃至４のいずれか一に記載の半導体試験装置。
6. 【請求項６】 前記半導体試験装置が、監視カメラを介
   して前記試験環境における被試験体の動作状態を監視す
   る動作状態検出手段を備えて、最初の試験サイクルにお
   いて、被試験体の前記動作状態に応じて試験を行って前
   記補正データを作成するとともに、次回以降の試験サイ
   クルにおいて、被試験体の前記動作状態に応じて前記補
   正データに従って温度制御を行って被試験体を試験する
   ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一に記載の
   半導体試験装置。
7. 【請求項７】 被試験体の試験環境の温度が目標値にな
   るように温度制御を行いながら、自己発熱性を有する同
   一種類の被試験体を複数個反復して試験するための半導
   体試験装置において、最初の試験サイクルで、設定温度
   を目標値として温度制御を行いながら、所定の動作状態
   で被試験体の試験を行ったときの、該被試験体の温度の
   前記設定温度に対する初期偏差値を求めて、該初期偏差
   値に応じて前記設定温度を補正した補正値の時間軸デー
   タとして補正データを作成して保存し、次回以降の試験
   サイクルごとに、前記補正データによって定まる温度を
   目標値として所定時間先行して前記試験環境の温度制御
   を行いながら、前記被試験体の試験を行うことを特徴と
   する半導体試験方法。
8. 【請求項８】 ハンドリング手段を備えて、試験サイク
   ルの開始時、前記被試験体を測定部に装着して試験を開
   始するとともに、試験サイクルの終了時、試験が終了し
   た被試験体を前記測定部から除去する処理を、被試験体
   ごとに順次繰り返して行うことを特徴とする請求項７記
   載の半導体試験方法。
9. 【請求項９】 監視カメラを介して前記試験環境におけ
   る被試験体の動作状態を監視して、最初の試験サイクル
   において、被試験体の前記動作状態に応じて試験を行っ
   て前記補正データを作成するとともに、次回以降の試験
   サイクルにおいて、被試験体の前記動作状態に応じて前
   記補正データに従って温度制御を行って被試験体を試験
   することを特徴とする請求項７又は８記載の半導体試験
   方法。