JP2003321762A - 窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板及びその製造方法並びに電解コンデンサ - Google Patents
窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板及びその製造方法並びに電解コンデンサInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 漏れ電流を顕著に低減することができて小型
でかつ大容量の電解コンデンサの提供を可能ならしめる
Ａｌ−Ｎｂ系合金薄板及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 Ａｌ−Ｎｂ系合金からなる薄板の表層部
に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子６の表面の少
なくとも一部を窒化してＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化層４を形
成した構成とする。本構成の薄板は、溶融Ａｌ−Ｎｂ系
合金を、窒素ガス含有率が２０ vol％以上である不活性
雰囲気下においてロールに吹き付けて急冷凝固させてる
ことによって製造できる。この薄板をエッチング、化成
処理すれば、核部Ａｌ−Ｎｂの周囲に窒化層を介して酸
化皮膜が形成された３層構造となり、該窒化層の存在に
より漏れ電流の発生が防止される。
でかつ大容量の電解コンデンサの提供を可能ならしめる
Ａｌ−Ｎｂ系合金薄板及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 Ａｌ−Ｎｂ系合金からなる薄板の表層部
に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子６の表面の少
なくとも一部を窒化してＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化層４を形
成した構成とする。本構成の薄板は、溶融Ａｌ−Ｎｂ系
合金を、窒素ガス含有率が２０ vol％以上である不活性
雰囲気下においてロールに吹き付けて急冷凝固させてる
ことによって製造できる。この薄板をエッチング、化成
処理すれば、核部Ａｌ−Ｎｂの周囲に窒化層を介して酸
化皮膜が形成された３層構造となり、該窒化層の存在に
より漏れ電流の発生が防止される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電解コンデンサ
用電極材料として好適に用いられる窒化物を有するＡｌ
−Ｎｂ系合金薄板及びその製造方法並びに該薄板を用い
た電解コンデンサに関する。
用電極材料として好適に用いられる窒化物を有するＡｌ
−Ｎｂ系合金薄板及びその製造方法並びに該薄板を用い
た電解コンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電気機器のデジタル化が進むのに
伴い、例えば携帯電話やパーソナルコンピューター等の
電子機器に使用されるコンデンサとしては小型で大容量
のものが望まれている。このようなコンデンサの中でア
ルミニウム型電解コンデンサの電極箔としては、従来の
アルミニウム材料からＡｌ−Ｚｒ系合金、Ａｌ−Ｎｂ系
合金等に代替することが特開平１−１２４２１２号公報
で提案されている。具体的には、例えばＡｌ−Ｎｂ系合
金は、Ａｌ−Ｎｂ固溶相の中にＡｌ−Ｎｂ金属間化合物
微粒子が析出した構成であり、これがエッチング処理・
化成処理されるとこのＡｌ−Ｎｂ金属間化合物（３）の
表面に酸化皮膜層（Ａｌ−Ｎｂ−Ｏ系）（５）が形成さ
れたものとなる（図６参照）。これらＺｒやＮｂの酸化
皮膜の誘電率は、アルミニウムの酸化皮膜の誘電率より
も相当に大きく、これによりコンデンサとして大きな静
電容量を確保できるものとなることが期待される。中で
も、Ｎｂの酸化皮膜の誘電率は特に大きいことから、Ａ
ｌ−Ｎｂ系合金からなる電極箔は、小型でかつ大容量
（静電容量）のコンデンサを構成できるものとして、か
なり注目されていた時期があった。
伴い、例えば携帯電話やパーソナルコンピューター等の
電子機器に使用されるコンデンサとしては小型で大容量
のものが望まれている。このようなコンデンサの中でア
ルミニウム型電解コンデンサの電極箔としては、従来の
アルミニウム材料からＡｌ−Ｚｒ系合金、Ａｌ−Ｎｂ系
合金等に代替することが特開平１−１２４２１２号公報
で提案されている。具体的には、例えばＡｌ−Ｎｂ系合
金は、Ａｌ−Ｎｂ固溶相の中にＡｌ−Ｎｂ金属間化合物
微粒子が析出した構成であり、これがエッチング処理・
化成処理されるとこのＡｌ−Ｎｂ金属間化合物（３）の
表面に酸化皮膜層（Ａｌ−Ｎｂ−Ｏ系）（５）が形成さ
れたものとなる（図６参照）。これらＺｒやＮｂの酸化
皮膜の誘電率は、アルミニウムの酸化皮膜の誘電率より
も相当に大きく、これによりコンデンサとして大きな静
電容量を確保できるものとなることが期待される。中で
も、Ｎｂの酸化皮膜の誘電率は特に大きいことから、Ａ
ｌ−Ｎｂ系合金からなる電極箔は、小型でかつ大容量
（静電容量）のコンデンサを構成できるものとして、か
なり注目されていた時期があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記Ａ
ｌ−Ｎｂ系合金からなる電極箔を用いて構成された電解
コンデンサは、漏れ電流が大きく生じるという致命的な
問題を抱えていた。従って、業界においても従来のアル
ミニウム型電解コンデンサ、Ａｌ−Ｚｒ系合金型電解コ
ンデンサと比較しても性能的に相当に劣るという評価が
一般的となっていた。このような背景から、これまでに
Ａｌ−Ｎｂ系合金からなる電極箔を用いた小型で大容量
の電解コンデンサは実用化されるに至っていないのが現
状であった。
ｌ−Ｎｂ系合金からなる電極箔を用いて構成された電解
コンデンサは、漏れ電流が大きく生じるという致命的な
問題を抱えていた。従って、業界においても従来のアル
ミニウム型電解コンデンサ、Ａｌ−Ｚｒ系合金型電解コ
ンデンサと比較しても性能的に相当に劣るという評価が
一般的となっていた。このような背景から、これまでに
Ａｌ−Ｎｂ系合金からなる電極箔を用いた小型で大容量
の電解コンデンサは実用化されるに至っていないのが現
状であった。
【０００４】この発明は、かかる技術的背景に鑑みてな
されたものであって、漏れ電流を顕著に低減することが
できて小型でかつ大容量の電解コンデンサの提供を可能
ならしめるＡｌ−Ｎｂ系合金薄板及びその製造方法を提
供すると共に、漏れ電流が少なく小型で大容量の電解コ
ンデンサを提供することを目的とする。
されたものであって、漏れ電流を顕著に低減することが
できて小型でかつ大容量の電解コンデンサの提供を可能
ならしめるＡｌ−Ｎｂ系合金薄板及びその製造方法を提
供すると共に、漏れ電流が少なく小型で大容量の電解コ
ンデンサを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明者は鋭意研究の結果、Ａｌ−Ｎｂ系合金薄板
の表層部に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子の表
面の少なくとも一部を窒化した構成とすることにより、
漏れ電流を顕著に低減できることを見出すに至り、この
発明を完成したものである。
に、本発明者は鋭意研究の結果、Ａｌ−Ｎｂ系合金薄板
の表層部に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子の表
面の少なくとも一部を窒化した構成とすることにより、
漏れ電流を顕著に低減できることを見出すに至り、この
発明を完成したものである。
【０００６】この発明に係る窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ
系合金薄板は、Ａｌ−Ｎｂ系合金からなる薄板であっ
て、薄板の表層部に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微
粒子の表面の少なくとも一部が窒化されていることを特
徴とするものである。この薄板を化成処理して形成され
る酸化皮膜（Ａｌ−Ｎｂ−Ｏ系）は誘電率が非常に大き
いので、大きな静電容量を確保できる。また、薄板の表
層部に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子の表面の
少なくとも一部が窒化されているので、漏れ電流の発生
を効果的に防止することができる。これにより小型でか
つ大容量の電解コンデンサの提供が可能となる。
系合金薄板は、Ａｌ−Ｎｂ系合金からなる薄板であっ
て、薄板の表層部に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微
粒子の表面の少なくとも一部が窒化されていることを特
徴とするものである。この薄板を化成処理して形成され
る酸化皮膜（Ａｌ−Ｎｂ−Ｏ系）は誘電率が非常に大き
いので、大きな静電容量を確保できる。また、薄板の表
層部に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子の表面の
少なくとも一部が窒化されているので、漏れ電流の発生
を効果的に防止することができる。これにより小型でか
つ大容量の電解コンデンサの提供が可能となる。
【０００７】上記表層部に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化
合物微粒子の表面の全体が窒化されているのが好まし
く、これにより漏れ電流量をさらに低減できる。従っ
て、より大容量の電解コンデンサの提供が可能となる。
合物微粒子の表面の全体が窒化されているのが好まし
く、これにより漏れ電流量をさらに低減できる。従っ
て、より大容量の電解コンデンサの提供が可能となる。
【０００８】また、この発明の別の窒化物を有するＡｌ
−Ｎｂ系合金薄板は、Ａｌ−Ｎｂ系合金からなる薄板で
あって、薄板のエッチング対象領域に存在するＡｌ−Ｎ
ｂ金属間化合物微粒子の表面の少なくとも一部が窒化さ
れていることを特徴とするものである。この薄板を化成
処理して形成される酸化皮膜（Ａｌ−Ｎｂ−Ｏ系）は誘
電率が非常に大きいので、大きな静電容量を確保でき
る。また、薄板のエッチング対象領域に存在するＡｌ−
Ｎｂ金属間化合物微粒子の表面の少なくとも一部が窒化
されているので、漏れ電流の発生を効果的に防止するこ
とができる。更に、薄板の表層部のみならず、薄板のエ
ッチング対象領域においてもＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微
粒子の表面の少なくとも一部が窒化されているので、漏
れ電流の発生が確実に防止され得る。これにより小型で
かつ大容量の電解コンデンサの提供が可能となる。
−Ｎｂ系合金薄板は、Ａｌ−Ｎｂ系合金からなる薄板で
あって、薄板のエッチング対象領域に存在するＡｌ−Ｎ
ｂ金属間化合物微粒子の表面の少なくとも一部が窒化さ
れていることを特徴とするものである。この薄板を化成
処理して形成される酸化皮膜（Ａｌ−Ｎｂ−Ｏ系）は誘
電率が非常に大きいので、大きな静電容量を確保でき
る。また、薄板のエッチング対象領域に存在するＡｌ−
Ｎｂ金属間化合物微粒子の表面の少なくとも一部が窒化
されているので、漏れ電流の発生を効果的に防止するこ
とができる。更に、薄板の表層部のみならず、薄板のエ
ッチング対象領域においてもＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微
粒子の表面の少なくとも一部が窒化されているので、漏
れ電流の発生が確実に防止され得る。これにより小型で
かつ大容量の電解コンデンサの提供が可能となる。
【０００９】上記薄板のエッチング対象領域に存在する
Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子の表面の全体が窒化され
ているのが好ましく、これにより漏れ電流量をさらに低
減できる。従って、より大容量の電解コンデンサの提供
が可能となる。
Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子の表面の全体が窒化され
ているのが好ましく、これにより漏れ電流量をさらに低
減できる。従って、より大容量の電解コンデンサの提供
が可能となる。
【００１０】上記いずれの構成においても、Ｎｂの含有
率は、薄板全体に対して３質量％以上であるのが好まし
く、この場合には静電容量をさらに大きくすることがで
きる利点がある。
率は、薄板全体に対して３質量％以上であるのが好まし
く、この場合には静電容量をさらに大きくすることがで
きる利点がある。
【００１１】また、Ｎ（窒素）の含有率は、前記窒化さ
れたＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子全体に対して２０〜
１０００００質量ｐｐｍとするのが好ましい。このよう
な範囲とすることで、漏れ電流量を一層低減できるの
で、一層大容量の電解コンデンサの提供が可能となる。
れたＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子全体に対して２０〜
１０００００質量ｐｐｍとするのが好ましい。このよう
な範囲とすることで、漏れ電流量を一層低減できるの
で、一層大容量の電解コンデンサの提供が可能となる。
【００１２】また、薄板の厚さは２０〜５００μｍとす
るのが好ましく、これにより小型で大容量の電解コンデ
ンサとしてより軽量化されたものを提供できる。
るのが好ましく、これにより小型で大容量の電解コンデ
ンサとしてより軽量化されたものを提供できる。
【００１３】また、この発明の別の窒化物を有するＡｌ
−Ｎｂ系合金薄板は、上記いずれかの構成に係る窒化物
を有するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板がエッチングされてなる
ことを特徴とするものである。エッチングにより表面積
が大きく拡大されるので、漏れ電流の発生が効果的に防
止された小型大容量の電解コンデンサの提供が可能とな
る。
−Ｎｂ系合金薄板は、上記いずれかの構成に係る窒化物
を有するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板がエッチングされてなる
ことを特徴とするものである。エッチングにより表面積
が大きく拡大されるので、漏れ電流の発生が効果的に防
止された小型大容量の電解コンデンサの提供が可能とな
る。
【００１４】上記エッチング倍率は１０〜２００倍であ
るのが好ましく、この場合には静電容量をさらに一層大
きくすることができる利点がある。
るのが好ましく、この場合には静電容量をさらに一層大
きくすることができる利点がある。
【００１５】また、この発明の別の窒化物を有するＡｌ
−Ｎｂ系合金薄板は、上記エッチングされたＡｌ−Ｎｂ
系合金薄板を化成処理して得られたものである。化成処
理によって誘電率の大きい酸化皮膜が形成されるので、
漏れ電流の発生が効果的に防止された小型大容量の電解
コンデンサの提供が可能となる。
−Ｎｂ系合金薄板は、上記エッチングされたＡｌ−Ｎｂ
系合金薄板を化成処理して得られたものである。化成処
理によって誘電率の大きい酸化皮膜が形成されるので、
漏れ電流の発生が効果的に防止された小型大容量の電解
コンデンサの提供が可能となる。
【００１６】また、この発明の別の窒化物を有するＡｌ
−Ｎｂ系合金薄板は、Ａｌ−Ｎｂ系合金からなる薄板で
あって、薄板の表層部に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合
物微粒子が、内核部Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の周囲にＡ
ｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化層を介してＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮
膜層が形成された３層構造であることを特徴とする。Ａ
ｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子において、内核部Ａｌ−Ｎ
ｂとＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜層との間にＡｌ−Ｎｂ−
Ｎ系窒化層が介在された構成であり、この窒化層の存在
によって漏れ電流の発生が効果的に防止されるものとな
る。これにより、小型でかつ大容量の電解コンデンサの
提供が可能となる。
−Ｎｂ系合金薄板は、Ａｌ−Ｎｂ系合金からなる薄板で
あって、薄板の表層部に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合
物微粒子が、内核部Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の周囲にＡ
ｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化層を介してＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮
膜層が形成された３層構造であることを特徴とする。Ａ
ｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子において、内核部Ａｌ−Ｎ
ｂとＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜層との間にＡｌ−Ｎｂ−
Ｎ系窒化層が介在された構成であり、この窒化層の存在
によって漏れ電流の発生が効果的に防止されるものとな
る。これにより、小型でかつ大容量の電解コンデンサの
提供が可能となる。
【００１７】この発明に係る電解コンデンサは、上記い
ずれかの窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板を、陽極
及び／又は陰極に用いて構成されたことを特徴とするも
のである。これにより、漏れ電流の発生が効果的に防止
された小型でかつ大容量の電解コンデンサとなる。
ずれかの窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板を、陽極
及び／又は陰極に用いて構成されたことを特徴とするも
のである。これにより、漏れ電流の発生が効果的に防止
された小型でかつ大容量の電解コンデンサとなる。
【００１８】上記電解コンデンサにおいて、化成処理で
形成された酸化皮膜の主成分は、Ａｌ2 Ｏ3 及びＮｂ2
Ｏ5 からなる群より選ばれる１種または２種の化合物で
あるのが好ましい。これにより酸化皮膜の誘電率が一層
大きくなるので、電解コンデンサの静電容量をさらに向
上させることができる。なお、「主成分」の語は、上記
特定化合物（２種の場合は併せて）が５０質量％以上を
占める状態を意味するものとする。
形成された酸化皮膜の主成分は、Ａｌ2 Ｏ3 及びＮｂ2
Ｏ5 からなる群より選ばれる１種または２種の化合物で
あるのが好ましい。これにより酸化皮膜の誘電率が一層
大きくなるので、電解コンデンサの静電容量をさらに向
上させることができる。なお、「主成分」の語は、上記
特定化合物（２種の場合は併せて）が５０質量％以上を
占める状態を意味するものとする。
【００１９】また、上記電解コンデンサにおいて、陰極
としては、電解液、有機半導体及び無機半導体からなる
群より選ばれる１種または２種以上の物質が用いられて
いるのが好ましい。
としては、電解液、有機半導体及び無機半導体からなる
群より選ばれる１種または２種以上の物質が用いられて
いるのが好ましい。
【００２０】この発明に係る窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ
系合金薄板の製造方法（第１製造方法）は、溶融金属を
回転しているロールに吹き付けて急冷凝固させることに
よって金属の薄板を得る製造方法において、前記溶融金
属として溶融Ａｌ−Ｎｂ系合金を用いるものとし、かつ
少なくとも溶融金属を急冷凝固させる雰囲気を、窒素ガ
ス含有率が２０ vol％以上である不活性雰囲気とするこ
とを特徴とする。少なくとも溶融金属を急冷凝固させる
雰囲気を、窒素ガス含有率が２０ vol％以上である不活
性雰囲気としているので、得られる薄板の表層部に存在
するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子の表面の少なくとも
一部を窒化することができる。従って、得られた薄板を
用いれば漏れ電流の発生を効果的に防止することができ
るので、小型でかつ大容量の電解コンデンサの提供が可
能となる。また、薄板の製造と窒化処理を同時に行うこ
とができるので、生産性に非常に優れている。
系合金薄板の製造方法（第１製造方法）は、溶融金属を
回転しているロールに吹き付けて急冷凝固させることに
よって金属の薄板を得る製造方法において、前記溶融金
属として溶融Ａｌ−Ｎｂ系合金を用いるものとし、かつ
少なくとも溶融金属を急冷凝固させる雰囲気を、窒素ガ
ス含有率が２０ vol％以上である不活性雰囲気とするこ
とを特徴とする。少なくとも溶融金属を急冷凝固させる
雰囲気を、窒素ガス含有率が２０ vol％以上である不活
性雰囲気としているので、得られる薄板の表層部に存在
するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子の表面の少なくとも
一部を窒化することができる。従って、得られた薄板を
用いれば漏れ電流の発生を効果的に防止することができ
るので、小型でかつ大容量の電解コンデンサの提供が可
能となる。また、薄板の製造と窒化処理を同時に行うこ
とができるので、生産性に非常に優れている。
【００２１】上記製造方法において、不活性雰囲気にお
ける窒素ガス含有率は４０ vol％（体積％）以上である
のが好ましい。この場合には、得られる薄板において窒
化物の生成量を増大できるので、漏れ電流量が一層低減
され、ひいては一層大容量の電解コンデンサの提供が可
能となる。
ける窒素ガス含有率は４０ vol％（体積％）以上である
のが好ましい。この場合には、得られる薄板において窒
化物の生成量を増大できるので、漏れ電流量が一層低減
され、ひいては一層大容量の電解コンデンサの提供が可
能となる。
【００２２】上記製造方法において、不活性雰囲気にお
ける窒素ガス以外のガスとしてアルゴン、ヘリウム等の
不活性ガスを用いる場合には、酸化等の反応を生じさせ
ることなく窒化反応を確実に行わしめることができる。
ける窒素ガス以外のガスとしてアルゴン、ヘリウム等の
不活性ガスを用いる場合には、酸化等の反応を生じさせ
ることなく窒化反応を確実に行わしめることができる。
【００２３】さらに、上記いずれかの製造方法で得られ
た窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板を、窒素ガス含
有率が２０ vol％以上である不活性雰囲気中で高温加熱
するのが好ましい。これによって、窒化物の生成量をさ
らに増やすことができ、漏れ電流の発生が一層効果的に
防止される薄板を製造できる。
た窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板を、窒素ガス含
有率が２０ vol％以上である不活性雰囲気中で高温加熱
するのが好ましい。これによって、窒化物の生成量をさ
らに増やすことができ、漏れ電流の発生が一層効果的に
防止される薄板を製造できる。
【００２４】この発明に係る別の窒化物を有するＡｌ−
Ｎｂ系合金薄板の製造方法（第２製造方法）は、Ａｌ−
Ｎｂ系合金薄板を製造する工程と、得られたＡｌ−Ｎｂ
系合金薄板を、窒素ガス含有率が２０ vol％以上である
不活性雰囲気中で高温加熱することにより、前記薄板の
表層部に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子の表面
の少なくとも一部を窒化する工程とを包含することを特
徴とする。上記窒化工程において、薄板の表層部に存在
するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子の表面の少なくとも
一部を窒化することができる。従って、得られた薄板を
用いれば漏れ電流の発生を効果的に防止することができ
るので、小型でかつ大容量の電解コンデンサの提供が可
能となる。
Ｎｂ系合金薄板の製造方法（第２製造方法）は、Ａｌ−
Ｎｂ系合金薄板を製造する工程と、得られたＡｌ−Ｎｂ
系合金薄板を、窒素ガス含有率が２０ vol％以上である
不活性雰囲気中で高温加熱することにより、前記薄板の
表層部に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子の表面
の少なくとも一部を窒化する工程とを包含することを特
徴とする。上記窒化工程において、薄板の表層部に存在
するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子の表面の少なくとも
一部を窒化することができる。従って、得られた薄板を
用いれば漏れ電流の発生を効果的に防止することができ
るので、小型でかつ大容量の電解コンデンサの提供が可
能となる。
【００２５】また、この発明に係る別の窒化物を有する
Ａｌ−Ｎｂ系合金薄板の製造方法（第３製造方法）は、
Ａｌ−Ｎｂ系合金薄板を製造する工程と、得られたＡｌ
−Ｎｂ系合金薄板をエッチングする工程と、前記エッチ
ング後のＡｌ−Ｎｂ系合金薄板を、窒素ガス含有率が２
０ vol％以上である不活性雰囲気中で高温加熱すること
により、前記薄板の表層部に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間
化合物微粒子の表面の少なくとも一部を窒化する工程と
を包含することを特徴とする。上記窒化工程において、
薄板の表層部に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子
の表面の少なくとも一部を窒化することができる。従っ
て、得られた薄板を用いれば漏れ電流の発生を効果的に
防止することができるので、小型でかつ大容量の電解コ
ンデンサの提供が可能となる。また、この第３製造方法
では、薄板のエッチングを行ってから窒化処理を行うも
のである。エッチングの際にはアルミのマトリックスの
方がＡｌ−Ｎｂ金属間化合物よりも溶解されやすいの
で、エッチング後に窒化処理を行った方が、外に露出し
たＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化物が多くなり、これにより漏れ
電流の発生を一層効果的に防止できる利点がある。な
お、前記高温加熱の温度は５００〜６００℃の範囲に設
定するのが好ましい。
Ａｌ−Ｎｂ系合金薄板の製造方法（第３製造方法）は、
Ａｌ−Ｎｂ系合金薄板を製造する工程と、得られたＡｌ
−Ｎｂ系合金薄板をエッチングする工程と、前記エッチ
ング後のＡｌ−Ｎｂ系合金薄板を、窒素ガス含有率が２
０ vol％以上である不活性雰囲気中で高温加熱すること
により、前記薄板の表層部に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間
化合物微粒子の表面の少なくとも一部を窒化する工程と
を包含することを特徴とする。上記窒化工程において、
薄板の表層部に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子
の表面の少なくとも一部を窒化することができる。従っ
て、得られた薄板を用いれば漏れ電流の発生を効果的に
防止することができるので、小型でかつ大容量の電解コ
ンデンサの提供が可能となる。また、この第３製造方法
では、薄板のエッチングを行ってから窒化処理を行うも
のである。エッチングの際にはアルミのマトリックスの
方がＡｌ−Ｎｂ金属間化合物よりも溶解されやすいの
で、エッチング後に窒化処理を行った方が、外に露出し
たＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化物が多くなり、これにより漏れ
電流の発生を一層効果的に防止できる利点がある。な
お、前記高温加熱の温度は５００〜６００℃の範囲に設
定するのが好ましい。
【００２６】また、この発明の別の窒化物を有するＡｌ
−Ｎｂ系合金薄板は、上記いずれかの製造方法で製造さ
れた窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板であって、薄
板の表層部に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子の
表面の少なくとも一部が窒化されていることを特徴とす
るものであり、窒化物の存在により漏れ電流の発生が効
果的に防止されるので、小型でかつ大容量の電解コンデ
ンサの提供が可能となる。本構成の薄板において、Ｎｂ
の含有率が薄板全体に対して３質量％以上である場合に
は、静電容量をさらに大きくできる利点がある。また、
Ｎの含有率が、窒化されたＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒
子全体に対して２０〜１０００００質量ｐｐｍである場
合には、漏れ電流量が一層低減されるので一層の大容量
化を図ることができる。更に、薄板の厚さが２０〜５０
０μｍである場合には、さらなる軽量化を図ることがで
きる利点がある。
−Ｎｂ系合金薄板は、上記いずれかの製造方法で製造さ
れた窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板であって、薄
板の表層部に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子の
表面の少なくとも一部が窒化されていることを特徴とす
るものであり、窒化物の存在により漏れ電流の発生が効
果的に防止されるので、小型でかつ大容量の電解コンデ
ンサの提供が可能となる。本構成の薄板において、Ｎｂ
の含有率が薄板全体に対して３質量％以上である場合に
は、静電容量をさらに大きくできる利点がある。また、
Ｎの含有率が、窒化されたＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒
子全体に対して２０〜１０００００質量ｐｐｍである場
合には、漏れ電流量が一層低減されるので一層の大容量
化を図ることができる。更に、薄板の厚さが２０〜５０
０μｍである場合には、さらなる軽量化を図ることがで
きる利点がある。
【００２７】
【発明の実施の形態】この発明の窒化物を有するＡｌ−
Ｎｂ系合金薄板の一実施形態を図１、２に示す。このＡ
ｌ−Ｎｂ系合金薄板（１）は、該薄板の表層部（２０）
に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（析出物、デ
ンドライト）（６）の表面の少なくとも一部が窒化され
た構成を備えている。即ち、図２に示すように、薄板の
表層部（２０）に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒
子（６）は、Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物（３）を核部とし
て、その周囲の少なくとも一部にＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化
物（４）が形成された構成であり、特に本実施形態で
は、Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物（３）からなる核部の周囲
全体にＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化層（４）が形成されてい
る。
Ｎｂ系合金薄板の一実施形態を図１、２に示す。このＡ
ｌ−Ｎｂ系合金薄板（１）は、該薄板の表層部（２０）
に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（析出物、デ
ンドライト）（６）の表面の少なくとも一部が窒化され
た構成を備えている。即ち、図２に示すように、薄板の
表層部（２０）に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒
子（６）は、Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物（３）を核部とし
て、その周囲の少なくとも一部にＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化
物（４）が形成された構成であり、特に本実施形態で
は、Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物（３）からなる核部の周囲
全体にＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化層（４）が形成されてい
る。
【００２８】このように表層部（２０）に存在するＡｌ
−Ｎｂ金属間化合物微粒子（６）の表面の少なくとも一
部が窒化されることによって、漏れ電流の発生が効果的
に防止されるものとなる。中でも、本実施形態のよう
に、表層部（２０）に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物
微粒子（６）の表面の全体が窒化されている場合には、
漏れ電流量をさらに低減できるので、より大容量（静電
容量）の電解コンデンサを提供できる。
−Ｎｂ金属間化合物微粒子（６）の表面の少なくとも一
部が窒化されることによって、漏れ電流の発生が効果的
に防止されるものとなる。中でも、本実施形態のよう
に、表層部（２０）に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物
微粒子（６）の表面の全体が窒化されている場合には、
漏れ電流量をさらに低減できるので、より大容量（静電
容量）の電解コンデンサを提供できる。
【００２９】前記Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（６）
は、Ａｌ−Ｎｂ固溶相の中に析出（晶出）して形成され
たものである。
は、Ａｌ−Ｎｂ固溶相の中に析出（晶出）して形成され
たものである。
【００３０】なお、Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子
（６）は、通常は薄板（１）の全体に分散して存在して
おり、そのうち少なくとも表層部（２０）に存在するＡ
ｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（６）の表面の少なくとも
一部が窒化されていれば、漏れ電流発生防止効果が得ら
れるものとなる。
（６）は、通常は薄板（１）の全体に分散して存在して
おり、そのうち少なくとも表層部（２０）に存在するＡ
ｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（６）の表面の少なくとも
一部が窒化されていれば、漏れ電流発生防止効果が得ら
れるものとなる。
【００３１】上記実施形態では、薄板（１）の表層部に
存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（６）に対して
のみ、その表面の少なくとも一部が窒化された構成が採
用されているが、特に好ましいのは、更に厚さ方向に深
く入った領域、即ち薄板（１）のエッチング対象領域に
存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（６）に対し
て、その表面の少なくとも一部が窒化された構成を採用
するのが好ましい。この場合には、図３、４に示すよう
に、エッチング処理及び化成処理を経ることによって表
面に露出したＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（７）は、
Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物（３）とＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化
皮膜層（５）との間に、Ａｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化物または
窒化層（４）が介在した構成を備えたものとなるので、
漏れ電流の発生を確実に防止することができる。勿論、
薄板（１）の全体にわたってＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微
粒子（６）の表面の少なくとも一部が窒化された構成を
採用しても良い。
存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（６）に対して
のみ、その表面の少なくとも一部が窒化された構成が採
用されているが、特に好ましいのは、更に厚さ方向に深
く入った領域、即ち薄板（１）のエッチング対象領域に
存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（６）に対し
て、その表面の少なくとも一部が窒化された構成を採用
するのが好ましい。この場合には、図３、４に示すよう
に、エッチング処理及び化成処理を経ることによって表
面に露出したＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（７）は、
Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物（３）とＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化
皮膜層（５）との間に、Ａｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化物または
窒化層（４）が介在した構成を備えたものとなるので、
漏れ電流の発生を確実に防止することができる。勿論、
薄板（１）の全体にわたってＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微
粒子（６）の表面の少なくとも一部が窒化された構成を
採用しても良い。
【００３２】この発明において、Ｎｂの含有率は薄板
（１）全体に対して３質量％以上とするのが好ましい。
３質量％未満では、Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の含有量
（生成量）が十分でなく、十分に大きい静電容量を確保
するのが困難となるので、好ましくない。３質量％以上
であれば、どのような組成比率であっても、ＮｂＡ
ｌ3 、Ｎｂ2 Ａｌ、Ｎｂ3 Ａｌのいずれかの金属間化合
物を生成し得て、十分に大きい静電容量を確保できる。
中でも、５〜９０質量％に設定されるのが好ましく、特
に好ましいのは７〜８５質量％の範囲である。
（１）全体に対して３質量％以上とするのが好ましい。
３質量％未満では、Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の含有量
（生成量）が十分でなく、十分に大きい静電容量を確保
するのが困難となるので、好ましくない。３質量％以上
であれば、どのような組成比率であっても、ＮｂＡ
ｌ3 、Ｎｂ2 Ａｌ、Ｎｂ3 Ａｌのいずれかの金属間化合
物を生成し得て、十分に大きい静電容量を確保できる。
中でも、５〜９０質量％に設定されるのが好ましく、特
に好ましいのは７〜８５質量％の範囲である。
【００３３】また、Ｎの含有率は、窒化されたＡｌ−Ｎ
ｂ金属間化合物微粒子全体に対して２０〜１０００００
質量ｐｐｍであるのが好ましい。２０質量ｐｐｍ未満で
は、漏れ電流発生の防止効果が十分に得られなくなるの
で好ましくないし、一方１０００００質量ｐｐｍを超え
るような窒化物の形成は困難である。中でも、５０〜５
００００質量ｐｐｍに設定されるのが好ましく、特に好
ましいのは５００〜２００００質量ｐｐｍである。Ｎの
含有率は、ＬＥＣＯ社製の酸素窒素分析器にて窒素を分
析して求めることができる。
ｂ金属間化合物微粒子全体に対して２０〜１０００００
質量ｐｐｍであるのが好ましい。２０質量ｐｐｍ未満で
は、漏れ電流発生の防止効果が十分に得られなくなるの
で好ましくないし、一方１０００００質量ｐｐｍを超え
るような窒化物の形成は困難である。中でも、５０〜５
００００質量ｐｐｍに設定されるのが好ましく、特に好
ましいのは５００〜２００００質量ｐｐｍである。Ｎの
含有率は、ＬＥＣＯ社製の酸素窒素分析器にて窒素を分
析して求めることができる。
【００３４】また、薄板（１）の厚さは２０〜５００μ
ｍの範囲とするのが好ましい。２０μｍ未満では、得ら
れた薄板において所々に孔が発生することが多いので、
好ましくない。一方、５００μｍを超えると、重量が増
大して電解コンデンサとして十分な軽量性を確保できな
くなるので、好ましくない。中でも、薄板（１）の厚さ
は５０〜２００μｍの範囲とするのがより好ましい。
ｍの範囲とするのが好ましい。２０μｍ未満では、得ら
れた薄板において所々に孔が発生することが多いので、
好ましくない。一方、５００μｍを超えると、重量が増
大して電解コンデンサとして十分な軽量性を確保できな
くなるので、好ましくない。中でも、薄板（１）の厚さ
は５０〜２００μｍの範囲とするのがより好ましい。
【００３５】この発明に係る窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ
系合金薄板（１）を、電解コンデンサ用の電極箔として
用いる場合には、通常、該Ａｌ−Ｎｂ系合金薄板（１）
をエッチング処理して、望ましくは更に化成処理を施し
て用いる。
系合金薄板（１）を、電解コンデンサ用の電極箔として
用いる場合には、通常、該Ａｌ−Ｎｂ系合金薄板（１）
をエッチング処理して、望ましくは更に化成処理を施し
て用いる。
【００３６】このようなエッチング処理、化成処理を経
たＡｌ−Ｎｂ系合金薄板（２）を図３、図４に示す。こ
のＡｌ−Ｎｂ系合金薄板（２）では、薄板（２）のエッ
チング対象領域（２１）に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化
合物微粒子（７）が、内核部Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物
（３）の周囲にＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化層（４）を介して
Ａｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜層（５）が形成された３層構
造を有している。このようなＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化層
（４）が介在されているので、漏れ電流の発生を確実に
防止することができる。なお、本実施形態では、窒化物
の層（４）が形成されているが、特にこのような層状の
ものに限定されるものではなく、内核部Ａｌ−Ｎｂ金属
間化合物（３）とＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜層（５）の
間の一部に窒化物が存在する態様であっても、漏れ電流
発生防止効果は得られる。
たＡｌ−Ｎｂ系合金薄板（２）を図３、図４に示す。こ
のＡｌ−Ｎｂ系合金薄板（２）では、薄板（２）のエッ
チング対象領域（２１）に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化
合物微粒子（７）が、内核部Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物
（３）の周囲にＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化層（４）を介して
Ａｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜層（５）が形成された３層構
造を有している。このようなＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化層
（４）が介在されているので、漏れ電流の発生を確実に
防止することができる。なお、本実施形態では、窒化物
の層（４）が形成されているが、特にこのような層状の
ものに限定されるものではなく、内核部Ａｌ−Ｎｂ金属
間化合物（３）とＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜層（５）の
間の一部に窒化物が存在する態様であっても、漏れ電流
発生防止効果は得られる。
【００３７】上記エッチング処理の際のエッチング倍率
は１０〜２００倍とするのが好ましい。１０倍未満では
十分な静電容量が得られなくなるので好ましくない。ま
た、２００倍を超えるエッチング倍率でのエッチングを
施すのは困難である。中でも、エッチング処理の際のエ
ッチング倍率は５０〜１５０倍とするのが一層好まし
い。なお、エッチング処理の条件は特に限定されない。
エッチング倍率は、Ｎ2を吸着させてその吸着量により
表面積を算出する方法（ベット法）で求める。
は１０〜２００倍とするのが好ましい。１０倍未満では
十分な静電容量が得られなくなるので好ましくない。ま
た、２００倍を超えるエッチング倍率でのエッチングを
施すのは困難である。中でも、エッチング処理の際のエ
ッチング倍率は５０〜１５０倍とするのが一層好まし
い。なお、エッチング処理の条件は特に限定されない。
エッチング倍率は、Ｎ2を吸着させてその吸着量により
表面積を算出する方法（ベット法）で求める。
【００３８】上記化成処理としては、特に限定されるも
のではないが、例えばホウ酸浴あるいはアジピン酸浴中
での化成処理等が挙げられる。この化成処理の条件も特
に限定されない。
のではないが、例えばホウ酸浴あるいはアジピン酸浴中
での化成処理等が挙げられる。この化成処理の条件も特
に限定されない。
【００３９】この発明に係る電解コンデンサは、上記窒
化物を有するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板（１）（２）を、陽
極及び／又は陰極に用いて構成されたものである。この
発明の窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板を電極に用
いているので、漏れ電流の発生が効果的に防止されて、
小型でかつ大容量の電解コンデンサとなる。
化物を有するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板（１）（２）を、陽
極及び／又は陰極に用いて構成されたものである。この
発明の窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板を電極に用
いているので、漏れ電流の発生が効果的に防止されて、
小型でかつ大容量の電解コンデンサとなる。
【００４０】上記電解コンデンサにおいて、酸化皮膜
（５）の主成分は、Ａｌ2 Ｏ3 及びＮｂ2 Ｏ5 からなる
群より選ばれる１種または２種の化合物であるのが好ま
しい。これにより、酸化皮膜（５）の誘電率が一層大き
くなるので、電解コンデンサとしての静電容量をさらに
向上させることができる。
（５）の主成分は、Ａｌ2 Ｏ3 及びＮｂ2 Ｏ5 からなる
群より選ばれる１種または２種の化合物であるのが好ま
しい。これにより、酸化皮膜（５）の誘電率が一層大き
くなるので、電解コンデンサとしての静電容量をさらに
向上させることができる。
【００４１】上記電解コンデンサにおいて、陰極として
は、電解液、有機半導体及び無機半導体からなる群より
選ばれる１種または２種以上の物質が用いられているの
が好ましい。
は、電解液、有機半導体及び無機半導体からなる群より
選ばれる１種または２種以上の物質が用いられているの
が好ましい。
【００４２】この発明に係る窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ
系合金薄板（１）は、例えば次のような製造方法で製造
できる。
系合金薄板（１）は、例えば次のような製造方法で製造
できる。
【００４３】まず、第１の製造方法について説明する。
図５に示すように、チャンバー（３０）内において、る
つぼ容器（３１）内の溶融Ａｌ−Ｎｂ系合金（３４）
を、ノズル（３２）を介して、回転しているロール（３
３）に吹き付けて、合金（３４）を急冷凝固させること
によって薄板（１）を得る。この際、少なくとも溶融金
属を急冷凝固させる雰囲気（３５）を、窒素ガス含有率
が２０ vol％以上である不活性雰囲気とすることが必要
であり、このような条件下で急冷凝固させることで、得
られる薄板（１）の表層部（２０）に存在するＡｌ−Ｎ
ｂ金属間化合物微粒子（６）の表面の少なくとも一部を
窒化することができる、即ちこの発明の窒化物を有する
Ａｌ−Ｎｂ系合金薄板（１）を製造することができる。
また、本第１製造方法によれば、薄板の製造と窒化処理
を同時に行うことができるので、生産性に非常に優れる
という利点がある。前記窒素ガス含有率が２０ vol％未
満の場合には、窒化物の生成量が少なくなり、漏れ電流
発生防止効果が十分に得られなくなる。
図５に示すように、チャンバー（３０）内において、る
つぼ容器（３１）内の溶融Ａｌ−Ｎｂ系合金（３４）
を、ノズル（３２）を介して、回転しているロール（３
３）に吹き付けて、合金（３４）を急冷凝固させること
によって薄板（１）を得る。この際、少なくとも溶融金
属を急冷凝固させる雰囲気（３５）を、窒素ガス含有率
が２０ vol％以上である不活性雰囲気とすることが必要
であり、このような条件下で急冷凝固させることで、得
られる薄板（１）の表層部（２０）に存在するＡｌ−Ｎ
ｂ金属間化合物微粒子（６）の表面の少なくとも一部を
窒化することができる、即ちこの発明の窒化物を有する
Ａｌ−Ｎｂ系合金薄板（１）を製造することができる。
また、本第１製造方法によれば、薄板の製造と窒化処理
を同時に行うことができるので、生産性に非常に優れる
という利点がある。前記窒素ガス含有率が２０ vol％未
満の場合には、窒化物の生成量が少なくなり、漏れ電流
発生防止効果が十分に得られなくなる。
【００４４】前記ロール（３３）としては、水冷式等の
冷却ロールを用いるのが好ましい。
冷却ロールを用いるのが好ましい。
【００４５】なお、本実施形態では、チャンバー（３
０）内の全体の雰囲気を、窒素ガス含有率が２０ vol％
以上である不活性雰囲気としている。
０）内の全体の雰囲気を、窒素ガス含有率が２０ vol％
以上である不活性雰囲気としている。
【００４６】上記第１製造方法において、少なくとも溶
融金属を急冷凝固させる雰囲気（３５）を、窒素ガス含
有率が４０ vol％以上である不活性雰囲気とするのが、
好ましい。このような条件で製造する場合には、得られ
る薄板（１）において窒化物の生成量を増大できるの
で、漏れ電流量を一層低減することができ、ひいては一
層大容量の電解コンデンサの提供が可能となる。
融金属を急冷凝固させる雰囲気（３５）を、窒素ガス含
有率が４０ vol％以上である不活性雰囲気とするのが、
好ましい。このような条件で製造する場合には、得られ
る薄板（１）において窒化物の生成量を増大できるの
で、漏れ電流量を一層低減することができ、ひいては一
層大容量の電解コンデンサの提供が可能となる。
【００４７】前記不活性雰囲気として、窒素ガス以外の
ガスを用いる場合には、アルゴン、ヘリウム等の不活性
ガスを用いるのが好ましく、これにより酸化等の反応を
生じさせることなく目的とする窒化反応を確実に行わし
めることができる。
ガスを用いる場合には、アルゴン、ヘリウム等の不活性
ガスを用いるのが好ましく、これにより酸化等の反応を
生じさせることなく目的とする窒化反応を確実に行わし
めることができる。
【００４８】上記第１製造方法で得られた窒化物を有す
るＡｌ−Ｎｂ系合金薄板（１）は、更に窒素ガス含有率
が２０ vol％以上である不活性雰囲気中で高温加熱する
のが好ましい。このような追加処理を行うことで、窒化
物の生成量をさらに増やすことができるので、漏れ電流
の発生を一層効果的に防止できる薄板（１）を製造でき
る。なお、前記高温加熱の温度は５００〜６００℃の範
囲に設定するのが好ましい。
るＡｌ−Ｎｂ系合金薄板（１）は、更に窒素ガス含有率
が２０ vol％以上である不活性雰囲気中で高温加熱する
のが好ましい。このような追加処理を行うことで、窒化
物の生成量をさらに増やすことができるので、漏れ電流
の発生を一層効果的に防止できる薄板（１）を製造でき
る。なお、前記高温加熱の温度は５００〜６００℃の範
囲に設定するのが好ましい。
【００４９】次に、第２の製造方法について説明する。
まず、Ａｌ−Ｎｂ系合金薄板を製造する。この製造方法
は、特に限定されず、例えば圧延により薄板を製造して
も良いし、或いはアルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰
囲気中において、溶融Ａｌ−Ｎｂ系合金（３４）を、回
転しているロール（３３）に吹き付けて、合金（３４）
を急冷凝固させることによって薄板（窒化物の形成な
し）を製造しても良い。
まず、Ａｌ−Ｎｂ系合金薄板を製造する。この製造方法
は、特に限定されず、例えば圧延により薄板を製造して
も良いし、或いはアルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰
囲気中において、溶融Ａｌ−Ｎｂ系合金（３４）を、回
転しているロール（３３）に吹き付けて、合金（３４）
を急冷凝固させることによって薄板（窒化物の形成な
し）を製造しても良い。
【００５０】次いで、得られたＡｌ−Ｎｂ系合金薄板
を、窒素ガス含有率が２０ vol％以上である不活性雰囲
気中で高温加熱することにより、薄板（１）の表層部
（２０）に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子
（６）の表面の少なくとも一部を窒化する。これによ
り、この発明の窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板
（１）を製造できる。なお、前記高温加熱の温度は５０
０〜６００℃の範囲に設定するのが好ましい。
を、窒素ガス含有率が２０ vol％以上である不活性雰囲
気中で高温加熱することにより、薄板（１）の表層部
（２０）に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子
（６）の表面の少なくとも一部を窒化する。これによ
り、この発明の窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板
（１）を製造できる。なお、前記高温加熱の温度は５０
０〜６００℃の範囲に設定するのが好ましい。
【００５１】
【実施例】次に、この発明の具体的実施例について説明
する。
する。
【００５２】＜実施例１＞Ｎｂ含有率が９５質量％のＡ
ｌ−Ｎｂ系合金（Ａｌ：５質量％、Ｎｂ：９５質量％）
をるつぼ容器（３１）内で溶かし、チャンバー（３０）
内の雰囲気をアルゴン４０ vol％／窒素６０ vol％の雰
囲気に設定した状態で、このＡｌ−Ｎｂ系合金溶湯（３
４）を、ロール周速２０ｍ／秒で回転する銅製水冷式単
ロール（３３）の周面に吹き付けて急冷凝固させること
によって、窒素含有率１００００質量ｐｐｍ、厚さ１０
０μｍの薄板（６）を作成した。この薄板（６）を５％
塩酸溶液で直流３０クーロン／ｃｍ2 でエッチング（エ
ッチング倍率１００倍）した後、アジピン酸アンモニウ
ム水溶液によって２５Ｖの化成を行って、電極用箔を作
製した。この箔を用いて後述する構成の電解コンデンサ
を作製した。
ｌ−Ｎｂ系合金（Ａｌ：５質量％、Ｎｂ：９５質量％）
をるつぼ容器（３１）内で溶かし、チャンバー（３０）
内の雰囲気をアルゴン４０ vol％／窒素６０ vol％の雰
囲気に設定した状態で、このＡｌ−Ｎｂ系合金溶湯（３
４）を、ロール周速２０ｍ／秒で回転する銅製水冷式単
ロール（３３）の周面に吹き付けて急冷凝固させること
によって、窒素含有率１００００質量ｐｐｍ、厚さ１０
０μｍの薄板（６）を作成した。この薄板（６）を５％
塩酸溶液で直流３０クーロン／ｃｍ2 でエッチング（エ
ッチング倍率１００倍）した後、アジピン酸アンモニウ
ム水溶液によって２５Ｖの化成を行って、電極用箔を作
製した。この箔を用いて後述する構成の電解コンデンサ
を作製した。
【００５３】＜実施例２〜６、２３＞Ａｌ−Ｎｂ系合金
としてＮｂ含有率が表１に示す割合であるものを用いた
以外は、実施例１と同様にして、薄板を経て電極用箔を
作製し、前記と同様にして電解コンデンサを作製した。
としてＮｂ含有率が表１に示す割合であるものを用いた
以外は、実施例１と同様にして、薄板を経て電極用箔を
作製し、前記と同様にして電解コンデンサを作製した。
【００５４】＜実施例７〜１２、２４＞Ｎｂ含有率が１
２質量％のＡｌ−Ｎｂ系合金（Ａｌ：８８質量％、Ｎ
ｂ：１２質量％）をるつぼ容器（３１）内で溶かし、チ
ャンバー（３０）内の雰囲気をアルゴン４０ vol％／窒
素６０ vol％の雰囲気に設定した状態で、このＡｌ−Ｎ
ｂ系合金溶湯（３４）を、回転する銅製水冷式単ロール
（３３）の周面に吹き付けて急冷凝固させることによっ
て、厚さ１００μｍの薄板（６）を作成した。この時、
溶湯温度、ロール周速を調整することによって、表１に
示す窒素含有率（質量ｐｐｍ）を備えた薄板を得た。こ
の薄板（６）を５％塩酸溶液で直流３０クーロン／ｃｍ
2 でエッチング（エッチング倍率１００倍）した後、ア
ジピン酸アンモニウム水溶液によって２５Ｖの化成を行
って、電極用箔を作製した。この箔を用いて後述する構
成の電解コンデンサを作製した。
２質量％のＡｌ−Ｎｂ系合金（Ａｌ：８８質量％、Ｎ
ｂ：１２質量％）をるつぼ容器（３１）内で溶かし、チ
ャンバー（３０）内の雰囲気をアルゴン４０ vol％／窒
素６０ vol％の雰囲気に設定した状態で、このＡｌ−Ｎ
ｂ系合金溶湯（３４）を、回転する銅製水冷式単ロール
（３３）の周面に吹き付けて急冷凝固させることによっ
て、厚さ１００μｍの薄板（６）を作成した。この時、
溶湯温度、ロール周速を調整することによって、表１に
示す窒素含有率（質量ｐｐｍ）を備えた薄板を得た。こ
の薄板（６）を５％塩酸溶液で直流３０クーロン／ｃｍ
2 でエッチング（エッチング倍率１００倍）した後、ア
ジピン酸アンモニウム水溶液によって２５Ｖの化成を行
って、電極用箔を作製した。この箔を用いて後述する構
成の電解コンデンサを作製した。
【００５５】＜実施例１３〜１６、２５＞Ｎｂ含有率が
１２質量％のＡｌ−Ｎｂ系合金をるつぼ容器（３１）内
で溶かし、チャンバー（３０）内の雰囲気をアルゴン４
０ vol％／窒素６０ vol％の雰囲気に設定した状態で、
このＡｌ−Ｎｂ系合金溶湯（３４）を、ロール周速２０
ｍ／秒で回転する銅製水冷式単ロール（３３）の周面に
吹き付けて急冷凝固させることによって、窒素含有率１
００００質量ｐｐｍの薄板（６）を作成した。この時、
ノズル（３２）から滴下する溶湯量及びノズルとロール
の間隔を調整することによって、表１に示す厚さの薄板
を得た。この薄板（６）を５％塩酸溶液で直流３０クー
ロン／ｃｍ2 でエッチング（エッチング倍率１００倍）
した後、アジピン酸アンモニウム水溶液によって２５Ｖ
の化成を行って、電極用箔を作製した。この箔を用いて
後述する構成で電解コンデンサを作製した。
１２質量％のＡｌ−Ｎｂ系合金をるつぼ容器（３１）内
で溶かし、チャンバー（３０）内の雰囲気をアルゴン４
０ vol％／窒素６０ vol％の雰囲気に設定した状態で、
このＡｌ−Ｎｂ系合金溶湯（３４）を、ロール周速２０
ｍ／秒で回転する銅製水冷式単ロール（３３）の周面に
吹き付けて急冷凝固させることによって、窒素含有率１
００００質量ｐｐｍの薄板（６）を作成した。この時、
ノズル（３２）から滴下する溶湯量及びノズルとロール
の間隔を調整することによって、表１に示す厚さの薄板
を得た。この薄板（６）を５％塩酸溶液で直流３０クー
ロン／ｃｍ2 でエッチング（エッチング倍率１００倍）
した後、アジピン酸アンモニウム水溶液によって２５Ｖ
の化成を行って、電極用箔を作製した。この箔を用いて
後述する構成で電解コンデンサを作製した。
【００５６】＜実施例１７〜２０、２６＞Ｎｂ含有率が
１２質量％のＡｌ−Ｎｂ系合金をるつぼ容器（３１）内
で溶かし、チャンバー（３０）内の雰囲気をアルゴン４
０ vol％／窒素６０ vol％の雰囲気に設定した状態で、
このＡｌ−Ｎｂ系合金溶湯（３４）を、ロール周速２０
ｍ／秒で回転する銅製水冷式単ロール（３３）の周面に
吹き付けて急冷凝固させることによって、窒素含有率１
００００質量ｐｐｍ、厚さ１００μｍの薄板（６）を作
成した。次に、この薄板（６）を５％塩酸溶液によって
表１に示す各エッチング倍率でエッチングした後、アジ
ピン酸アンモニウム水溶液によって２５Ｖの化成を行っ
て、電極用箔を作製した。この箔を用いて後述する構成
の電解コンデンサを作製した。
１２質量％のＡｌ−Ｎｂ系合金をるつぼ容器（３１）内
で溶かし、チャンバー（３０）内の雰囲気をアルゴン４
０ vol％／窒素６０ vol％の雰囲気に設定した状態で、
このＡｌ−Ｎｂ系合金溶湯（３４）を、ロール周速２０
ｍ／秒で回転する銅製水冷式単ロール（３３）の周面に
吹き付けて急冷凝固させることによって、窒素含有率１
００００質量ｐｐｍ、厚さ１００μｍの薄板（６）を作
成した。次に、この薄板（６）を５％塩酸溶液によって
表１に示す各エッチング倍率でエッチングした後、アジ
ピン酸アンモニウム水溶液によって２５Ｖの化成を行っ
て、電極用箔を作製した。この箔を用いて後述する構成
の電解コンデンサを作製した。
【００５７】＜実施例２１、２２、比較例１＞Ｎｂ含有
率が１２質量％のＡｌ−Ｎｂ系合金をるつぼ容器（３
１）内で溶かし、チャンバー（３０）内の雰囲気を表１
に示す雰囲気（窒素ガス含有率が所定比率）に設定した
状態で、このＡｌ−Ｎｂ系合金溶湯（３４）を、ロール
周速２０ｍ／秒で回転する銅製水冷式単ロール（３３）
の周面に吹き付けて急冷凝固させることによって、窒素
含有率１００００質量ｐｐｍ、厚さ１００μｍの薄板
（６）を作成した。この薄板（６）を５％塩酸溶液で直
流３０クーロン／ｃｍ2 でエッチング（エッチング倍率
１００倍）した後、アジピン酸アンモニウム水溶液によ
って２５Ｖの化成を行って、電極用箔を作製した。この
箔を用いて後述する構成の電解コンデンサを作製した。
率が１２質量％のＡｌ−Ｎｂ系合金をるつぼ容器（３
１）内で溶かし、チャンバー（３０）内の雰囲気を表１
に示す雰囲気（窒素ガス含有率が所定比率）に設定した
状態で、このＡｌ−Ｎｂ系合金溶湯（３４）を、ロール
周速２０ｍ／秒で回転する銅製水冷式単ロール（３３）
の周面に吹き付けて急冷凝固させることによって、窒素
含有率１００００質量ｐｐｍ、厚さ１００μｍの薄板
（６）を作成した。この薄板（６）を５％塩酸溶液で直
流３０クーロン／ｃｍ2 でエッチング（エッチング倍率
１００倍）した後、アジピン酸アンモニウム水溶液によ
って２５Ｖの化成を行って、電極用箔を作製した。この
箔を用いて後述する構成の電解コンデンサを作製した。
【００５８】＜実施例２７＞Ｎｂ含有率が１２質量％の
Ａｌ−Ｎｂ系合金をるつぼ容器（３１）内で溶かし、チ
ャンバー（３０）内の雰囲気をアルゴン９５ vol％以上
の雰囲気に設定した状態で、このＡｌ−Ｎｂ系合金溶湯
（３４）を、ロール周速２０ｍ／秒で回転する銅製水冷
式単ロール（３３）の周面に吹き付けて急冷凝固させる
ことによって、厚さ１００μｍの薄板を作成した。次
に、この薄板を５％塩酸溶液によってエッチング倍率が
１００倍になるようにエッチングした。次に、このエッ
チング後の薄板をアルゴン４０ vol％／窒素６０ vol％
の雰囲気中で５５０℃に加熱した。その後、アジピン酸
アンモニウム水溶液によって２５Ｖの化成を行って、電
極用箔を作製した。この箔を用いて後述する構成の電解
コンデンサを作製した。
Ａｌ−Ｎｂ系合金をるつぼ容器（３１）内で溶かし、チ
ャンバー（３０）内の雰囲気をアルゴン９５ vol％以上
の雰囲気に設定した状態で、このＡｌ−Ｎｂ系合金溶湯
（３４）を、ロール周速２０ｍ／秒で回転する銅製水冷
式単ロール（３３）の周面に吹き付けて急冷凝固させる
ことによって、厚さ１００μｍの薄板を作成した。次
に、この薄板を５％塩酸溶液によってエッチング倍率が
１００倍になるようにエッチングした。次に、このエッ
チング後の薄板をアルゴン４０ vol％／窒素６０ vol％
の雰囲気中で５５０℃に加熱した。その後、アジピン酸
アンモニウム水溶液によって２５Ｖの化成を行って、電
極用箔を作製した。この箔を用いて後述する構成の電解
コンデンサを作製した。
【００５９】＜コンデンサの作製方法（コンデンサの構
成）＞エッチング・化成処理後の電極用箔から５×３．
５ｍｍの小片を切り出し、この小片における長さ方向の
端部位置から１ｍｍ中に入り込んだ位置から２ｍｍ中に
入り込んだ位置にかけて幅１ｍｍ×長さ３．５ｍｍで、
その表裏面のいずれにもポリメチルメタクリレート樹脂
で分割部を作製した。この分割部で区画された２つの区
画のうち大きい面積の区画部（３ｍｍ×３．５ｍｍ）を
再度アジピン酸アンモニウム水溶液によって化成した
後、ポリピロール（酸化剤を過硫酸アンモニウム、ドー
パントをアンソラキノンスルフォン酸ナトリウムとし、
ドーパントの存在下、ピロールと酸化剤との反応を繰り
返した）を陰極としてエッチング細孔に充填すると共
に、その表面にも析出させた。更に、カーボンペース
ト、銀ペーストを順に積層した後、別途準備したリード
フレームの所定箇所に接続し、エポキシ樹脂で封止する
ことによって、作動電圧１０Ｖのチップ状電解コンデン
サを作製した。
成）＞エッチング・化成処理後の電極用箔から５×３．
５ｍｍの小片を切り出し、この小片における長さ方向の
端部位置から１ｍｍ中に入り込んだ位置から２ｍｍ中に
入り込んだ位置にかけて幅１ｍｍ×長さ３．５ｍｍで、
その表裏面のいずれにもポリメチルメタクリレート樹脂
で分割部を作製した。この分割部で区画された２つの区
画のうち大きい面積の区画部（３ｍｍ×３．５ｍｍ）を
再度アジピン酸アンモニウム水溶液によって化成した
後、ポリピロール（酸化剤を過硫酸アンモニウム、ドー
パントをアンソラキノンスルフォン酸ナトリウムとし、
ドーパントの存在下、ピロールと酸化剤との反応を繰り
返した）を陰極としてエッチング細孔に充填すると共
に、その表面にも析出させた。更に、カーボンペース
ト、銀ペーストを順に積層した後、別途準備したリード
フレームの所定箇所に接続し、エポキシ樹脂で封止する
ことによって、作動電圧１０Ｖのチップ状電解コンデン
サを作製した。
【００６０】上記のようにして得られた各電解コンデン
サに対して下記評価を行った。
サに対して下記評価を行った。
【００６１】＜評価＞各コンデンサのＣＶ積（μＦＶ／
ｃｍ2 ）およびＬＣ値（漏れ電流量）を測定した。これ
らの結果を表１に示す。なお、測定値は、いずれもコン
デンサ３０個の測定値の平均値である。
ｃｍ2 ）およびＬＣ値（漏れ電流量）を測定した。これ
らの結果を表１に示す。なお、測定値は、いずれもコン
デンサ３０個の測定値の平均値である。
【００６２】
【表１】
【００６３】＜結果＞表１から明らかなように、この発
明に係る実施例１〜２７の電解コンデンサは、漏れ電流
が非常に少なく、小型で大容量のものとなることを確認
した。これに対して、比較例１の電解コンデンサは漏れ
電流が大きいものであった。
明に係る実施例１〜２７の電解コンデンサは、漏れ電流
が非常に少なく、小型で大容量のものとなることを確認
した。これに対して、比較例１の電解コンデンサは漏れ
電流が大きいものであった。
【００６４】なお、Ｎｂの含有率が好適範囲（３質量％
以上）にある実施例１〜６の電解コンデンサは、該好適
範囲を逸脱する実施例２３の電解コンデンサよりも一段
と大きい容量を有していた。
以上）にある実施例１〜６の電解コンデンサは、該好適
範囲を逸脱する実施例２３の電解コンデンサよりも一段
と大きい容量を有していた。
【００６５】また、Ｎの含有率が好適範囲（２０〜１０
００００質量ｐｐｍ）にある実施例３、７〜１２の電解
コンデンサは、該好適範囲を逸脱する実施例２４の電解
コンデンサよりも漏れ電流が一層小さいものとなってい
た。
００００質量ｐｐｍ）にある実施例３、７〜１２の電解
コンデンサは、該好適範囲を逸脱する実施例２４の電解
コンデンサよりも漏れ電流が一層小さいものとなってい
た。
【００６６】また、薄板厚さが好適範囲（２０〜５００
μｍ）にある実施例３、１３〜１６の電解コンデンサ
は、該好適範囲を逸脱する実施例２５の電解コンデンサ
よりも軽量性に優れていた。
μｍ）にある実施例３、１３〜１６の電解コンデンサ
は、該好適範囲を逸脱する実施例２５の電解コンデンサ
よりも軽量性に優れていた。
【００６７】また、エッチング倍率が好適範囲（１０〜
２００倍）にある実施例３、１７〜２０の電解コンデン
サは、該好適範囲を逸脱する実施例２６の電解コンデン
サよりも一段と大きい容量を有していた。
２００倍）にある実施例３、１７〜２０の電解コンデン
サは、該好適範囲を逸脱する実施例２６の電解コンデン
サよりも一段と大きい容量を有していた。
【００６８】
【発明の効果】請求項１に係る発明によれば、漏れ電流
の発生を効果的に防止できるので、この薄板を用いて電
解コンデンサを構成すれば、小型でかつ大容量のものを
提供できる。
の発生を効果的に防止できるので、この薄板を用いて電
解コンデンサを構成すれば、小型でかつ大容量のものを
提供できる。
【００６９】請求項２に係る発明によれば、漏れ電流を
さらに低減できて、これにより一層大容量の電解コンデ
ンサの提供が可能となる。
さらに低減できて、これにより一層大容量の電解コンデ
ンサの提供が可能となる。
【００７０】請求項３に係る発明によれば、漏れ電流の
発生を一層効果的に防止できるので、この薄板を用いて
電解コンデンサを構成すれば、小型でかつより大容量の
ものを提供できる。
発生を一層効果的に防止できるので、この薄板を用いて
電解コンデンサを構成すれば、小型でかつより大容量の
ものを提供できる。
【００７１】請求項４に係る発明によれば、漏れ電流を
さらに低減できて、これにより一層大容量の電解コンデ
ンサの提供が可能となる。
さらに低減できて、これにより一層大容量の電解コンデ
ンサの提供が可能となる。
【００７２】請求項５、６、７に係る発明によれば、静
電容量をさらに大きくすることができる利点がある。
電容量をさらに大きくすることができる利点がある。
【００７３】請求項８、９、１０に係る発明によれば、
漏れ電流をさらに一層低減することができる。
漏れ電流をさらに一層低減することができる。
【００７４】請求項１１、１２に係る発明によれば、こ
れを用いて電解コンデンサを構成すれば、小型大容量で
あり、しかもより軽量化されたものの提供が可能とな
る。
れを用いて電解コンデンサを構成すれば、小型大容量で
あり、しかもより軽量化されたものの提供が可能とな
る。
【００７５】請求項１３に係る発明によれば、エッチン
グにより表面積が大きく拡大されるので、漏れ電流の発
生が効果的に防止された小型大容量の電解コンデンサの
提供が可能となる。
グにより表面積が大きく拡大されるので、漏れ電流の発
生が効果的に防止された小型大容量の電解コンデンサの
提供が可能となる。
【００７６】請求項１４、１５に係る発明によれば、静
電容量をさらに一層大きくできる利点がある。
電容量をさらに一層大きくできる利点がある。
【００７７】請求項１６に係る発明によれば、化成処理
によって誘電率の大きい酸化皮膜が形成されるので、漏
れ電流の発生が効果的に防止された小型大容量の電解コ
ンデンサの提供が可能となる。
によって誘電率の大きい酸化皮膜が形成されるので、漏
れ電流の発生が効果的に防止された小型大容量の電解コ
ンデンサの提供が可能となる。
【００７８】請求項１７に係る発明によれば、核部Ａｌ
−Ｎｂ金属間化合物と酸化皮膜層との間に窒化層が介在
されているので、漏れ電流の発生が効果的に防止された
小型大容量の電解コンデンサの提供が可能となる。
−Ｎｂ金属間化合物と酸化皮膜層との間に窒化層が介在
されているので、漏れ電流の発生が効果的に防止された
小型大容量の電解コンデンサの提供が可能となる。
【００７９】請求項１８に係る発明によれば、漏れ電流
の発生が効果的に防止された小型大容量の電解コンデン
サとなる。
の発生が効果的に防止された小型大容量の電解コンデン
サとなる。
【００８０】請求項１９に係る発明によれば、電解コン
デンサとしてその静電容量をさらに向上させることがで
きる。
デンサとしてその静電容量をさらに向上させることがで
きる。
【００８１】請求項２０に係る発明によれば、漏れ電流
の発生が効果的に防止された小型大容量の電解コンデン
サとなる。
の発生が効果的に防止された小型大容量の電解コンデン
サとなる。
【００８２】請求項２１に係る製造方法によれば、得ら
れる薄板の表層部に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微
粒子の表面の少なくとも一部を窒化することができる。
従って、得られた薄板を用いれば漏れ電流の発生を効果
的に防止することができるので、小型でかつ大容量の電
解コンデンサの提供が可能となる。また、この製造方法
は、薄板の製造と窒化処理を同時に行うことができるの
で、生産性に非常に優れている。
れる薄板の表層部に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微
粒子の表面の少なくとも一部を窒化することができる。
従って、得られた薄板を用いれば漏れ電流の発生を効果
的に防止することができるので、小型でかつ大容量の電
解コンデンサの提供が可能となる。また、この製造方法
は、薄板の製造と窒化処理を同時に行うことができるの
で、生産性に非常に優れている。
【００８３】請求項２２に係る製造方法によれば、得ら
れる薄板において窒化物の生成量を増大できる。従っ
て、漏れ電流量が一層低減されるので、一層大容量の電
解コンデンサの提供が可能となる。
れる薄板において窒化物の生成量を増大できる。従っ
て、漏れ電流量が一層低減されるので、一層大容量の電
解コンデンサの提供が可能となる。
【００８４】請求項２３に係る製造方法によれば、酸化
等の反応を生じさせることなく窒化反応を確実に行わし
めることができる。
等の反応を生じさせることなく窒化反応を確実に行わし
めることができる。
【００８５】請求項２４に係る製造方法によれば、窒化
物の生成量をさらに増やすことができ、漏れ電流の発生
が一層効果的に防止される薄板を製造できる。
物の生成量をさらに増やすことができ、漏れ電流の発生
が一層効果的に防止される薄板を製造できる。
【００８６】請求項２５に係る製造方法によれば、得ら
れる薄板の表層部に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微
粒子の表面の少なくとも一部を窒化することができる。
従って、得られた薄板を用いれば漏れ電流の発生を効果
的に防止することができるので、小型でかつ大容量の電
解コンデンサの提供が可能となる。
れる薄板の表層部に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微
粒子の表面の少なくとも一部を窒化することができる。
従って、得られた薄板を用いれば漏れ電流の発生を効果
的に防止することができるので、小型でかつ大容量の電
解コンデンサの提供が可能となる。
【００８７】請求項２６に係る発明によれば、得られる
薄板の表層部に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子
の表面の少なくとも一部を窒化することができる。従っ
て、得られた薄板を用いれば漏れ電流の発生を効果的に
防止することができるので、小型でかつ大容量の電解コ
ンデンサの提供が可能となる。また、エッチング後に窒
化処理を行うので、露出したＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化物が
多くなり、これにより漏れ電流の発生を一層効果的に防
止できる。
薄板の表層部に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子
の表面の少なくとも一部を窒化することができる。従っ
て、得られた薄板を用いれば漏れ電流の発生を効果的に
防止することができるので、小型でかつ大容量の電解コ
ンデンサの提供が可能となる。また、エッチング後に窒
化処理を行うので、露出したＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化物が
多くなり、これにより漏れ電流の発生を一層効果的に防
止できる。
【００８８】請求項２７に係る発明によれば、窒化物の
存在により漏れ電流の発生が効果的に防止されるので、
小型でかつ大容量の電解コンデンサの提供が可能とな
る。
存在により漏れ電流の発生が効果的に防止されるので、
小型でかつ大容量の電解コンデンサの提供が可能とな
る。
【００８９】請求項２８に係る発明によれば、静電容量
をさらに大きくすることができる利点がある。
をさらに大きくすることができる利点がある。
【００９０】請求項２９に係る発明によれば、漏れ電流
をさらに一層低減することができる。
をさらに一層低減することができる。
【００９１】請求項３０に係る発明によれば、これを用
いて電解コンデンサを構成すれば、小型大容量でありつ
つ、より軽量化できる。
いて電解コンデンサを構成すれば、小型大容量でありつ
つ、より軽量化できる。
【図１】この発明の一実施形態に係る窒化物を有するＡ
ｌ−Ｎｂ系合金薄板を示す拡大側面図である。
ｌ−Ｎｂ系合金薄板を示す拡大側面図である。
【図２】図１におけるＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子の
模式的断面図である。
模式的断面図である。
【図３】エッチング処理、化成処理を経たＡｌ−Ｎｂ系
合金薄板を示す拡大側面図である。
合金薄板を示す拡大側面図である。
【図４】図３におけるＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子の
模式的断面図である。
模式的断面図である。
【図５】この発明の製造方法の概略説明図である。
【図６】比較例１におけるＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒
子を示す模式的断面図である。
子を示す模式的断面図である。
１…窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板
２…酸化皮膜が形成された、窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ
系合金薄板 ３…Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物 ４…Ａｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化層 ５…Ａｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜層 ６…Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（エッチング・化成
処理前） ７…Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（エッチング・化成
処理後） ２０…表層部 ２１…エッチング対象領域 ３３…冷却ロール
系合金薄板 ３…Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物 ４…Ａｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化層 ５…Ａｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜層 ６…Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（エッチング・化成
処理前） ７…Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（エッチング・化成
処理後） ２０…表層部 ２１…エッチング対象領域 ３３…冷却ロール
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フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｃ２２Ｃ 27/02 １０２ Ｃ２２Ｃ 27/02 １０２Ｚ
Ｃ２２Ｆ 1/04 Ｃ２２Ｆ 1/04 Ｋ
Ｃ２３Ｃ 28/04 Ｃ２３Ｃ 28/04
Ｃ２３Ｆ 1/00 Ｃ２３Ｆ 1/00 Ｚ
Ｃ２５Ｄ 11/04 Ｃ２５Ｄ 11/04 Ｅ
Ｈ０１Ｇ 9/028 Ｈ０１Ｇ 9/04 ３０１
9/04 ３０１ ３０４
３０４ Ｃ２２Ｆ 1/00 Ａ
9/042 ６０１
9/055 ６２２
// Ｃ２２Ｆ 1/00 ６６１Ｚ
６０１ ６８０
６２２ ６８１
６６１ ６８４Ｚ
６８０ ６９１Ｂ
６８１ Ｈ０１Ｇ 9/04 ３３１
６８４ ３４６
６９１ 9/02 ３３１
Ｆターム(参考） 4E004 DB02 NC08 TA06 TB04
4K028 AA02 AB02 AC08
4K044 AA06 AB02 BA12 BA18 BB03
BC14 CA04 CA12 CA17
4K057 WA05 WB05 WE08 WG10 WK10
WN01
Claims (30)
- 【請求項１】 Ａｌ−Ｎｂ系合金からなる薄板であっ
て、薄板の表層部に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微
粒子の表面の少なくとも一部が窒化されていることを特
徴とする窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板。 - 【請求項２】 前記表層部に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間
化合物微粒子の表面の全体が窒化されている請求項１に
記載の窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板。 - 【請求項３】 Ａｌ−Ｎｂ系合金からなる薄板であっ
て、薄板のエッチング対象領域に存在するＡｌ−Ｎｂ金
属間化合物微粒子の表面の少なくとも一部が窒化されて
いることを特徴とする窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ系合金
薄板。 - 【請求項４】 前記薄板のエッチング対象領域に存在す
るＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子の表面の全体が窒化さ
れている請求項３に記載の窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ系
合金薄板。 - 【請求項５】 Ｎｂの含有率が薄板全体に対して３質量
％以上である請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化
物を有するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板。 - 【請求項６】 Ｎｂの含有率が薄板全体に対して５〜９
０質量％である請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒
化物を有するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板。 - 【請求項７】 Ｎｂの含有率が薄板全体に対して７〜８
５質量％である請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒
化物を有するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板。 - 【請求項８】 Ｎの含有率が、前記窒化されたＡｌ−Ｎ
ｂ金属間化合物微粒子全体に対して２０〜１０００００
質量ｐｐｍである請求項１〜７のいずれか１項に記載の
窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板。 - 【請求項９】 Ｎの含有率が、前記窒化されたＡｌ−Ｎ
ｂ金属間化合物微粒子全体に対して５０〜５００００質
量ｐｐｍである請求項１〜７のいずれか１項に記載の窒
化物を有するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板。 - 【請求項１０】 Ｎの含有率が、前記窒化されたＡｌ−
Ｎｂ金属間化合物微粒子全体に対して５００〜２０００
０質量ｐｐｍである請求項１〜７のいずれか１項に記載
の窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板。 - 【請求項１１】 薄板の厚さが２０〜５００μｍである
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の窒化物を有する
Ａｌ−Ｎｂ系合金薄板。 - 【請求項１２】 薄板の厚さが５０〜２００μｍである
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の窒化物を有する
Ａｌ−Ｎｂ系合金薄板。 - 【請求項１３】 請求項１〜１２に記載の窒化物を有す
るＡｌ−Ｎｂ系合金薄板がエッチングされてなることを
特徴とする窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板。 - 【請求項１４】 エッチング倍率が１０〜２００倍であ
る請求項１３に記載の窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ系合金
薄板。 - 【請求項１５】 エッチング倍率が５０〜１５０倍であ
る請求項１３に記載の窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ系合金
薄板。 - 【請求項１６】 請求項１３〜１５のいずれか１項に記
載の窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板を化成処理し
て得られた窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板。 - 【請求項１７】 Ａｌ−Ｎｂ系合金からなる薄板であっ
て、薄板の表層部に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微
粒子が、内核部Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の周囲にＡｌ−
Ｎｂ−Ｎ系窒化層を介してＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜層
が形成された３層構造であることを特徴とする窒化物を
有するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板。 - 【請求項１８】 請求項１３〜１７に記載の窒化物を有
するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板を、陽極及び／又は陰極に用
いて構成されたことを特徴とする電解コンデンサ。 - 【請求項１９】 前記化成処理で形成された酸化皮膜の
主成分が、Ａｌ2 Ｏ 3 及びＮｂ2 Ｏ5 からなる群より選
ばれる１種または２種の化合物である請求項１８に記載
の電解コンデンサ。 - 【請求項２０】 前記陰極として、電解液、有機半導体
及び無機半導体からなる群より選ばれる１種または２種
以上の物質が用いられている請求項１８または１９に記
載の電解コンデンサ。 - 【請求項２１】 溶融金属を回転しているロールに吹き
付けて急冷凝固させることによって金属の薄板を得る製
造方法において、 前記溶融金属として溶融Ａｌ−Ｎｂ系合金を用いるもの
とし、かつ少なくとも溶融金属を急冷凝固させる雰囲気
を、窒素ガス含有率が２０ vol％以上である不活性雰囲
気とすることを特徴とする窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ系
合金薄板の製造方法。 - 【請求項２２】 前記不活性雰囲気における窒素ガス含
有率が４０ vol％以上である請求項２１に記載の窒化物
を有するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板の製造方法。 - 【請求項２３】 前記不活性雰囲気における窒素ガス以
外のガスとしてアルゴン、ヘリウム等の不活性ガスを用
いる請求項２１または２２に記載の窒化物を有するＡｌ
−Ｎｂ系合金薄板の製造方法。 - 【請求項２４】 請求項２１〜２３のいずれか１項に記
載の製造方法で得られた窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ系合
金薄板を、窒素ガス含有率が２０ vol％以上である不活
性雰囲気中で高温加熱することを特徴とする窒化物を有
するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板の製造方法。 - 【請求項２５】 Ａｌ−Ｎｂ系合金薄板を製造する工程
と、 得られたＡｌ−Ｎｂ系合金薄板を、窒素ガス含有率が２
０ vol％以上である不活性雰囲気中で高温加熱すること
により、前記薄板の表層部に存在するＡｌ−Ｎｂ金属間
化合物微粒子の表面の少なくとも一部を窒化する工程と
を包含することを特徴とする窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ
系合金薄板の製造方法。 - 【請求項２６】 Ａｌ−Ｎｂ系合金薄板を製造する工程
と、 得られたＡｌ−Ｎｂ系合金薄板をエッチングする工程
と、 前記エッチング後のＡｌ−Ｎｂ系合金薄板を、窒素ガス
含有率が２０ vol％以上である不活性雰囲気中で高温加
熱することにより、前記薄板の表層部に存在するＡｌ−
Ｎｂ金属間化合物微粒子の表面の少なくとも一部を窒化
する工程とを包含することを特徴とする窒化物を有する
Ａｌ−Ｎｂ系合金薄板の製造方法。 - 【請求項２７】 請求項２１〜２６のいずれか１項に記
載の製造方法で製造された窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ系
合金薄板であって、薄板の表層部に存在するＡｌ−Ｎｂ
金属間化合物微粒子の表面の少なくとも一部が窒化され
ていることを特徴とする窒化物を有するＡｌ−Ｎｂ系合
金薄板。 - 【請求項２８】 Ｎｂの含有率が薄板全体に対して３質
量％以上である請求項２７に記載の窒化物を有するＡｌ
−Ｎｂ系合金薄板。 - 【請求項２９】 Ｎの含有率が、前記窒化されたＡｌ−
Ｎｂ金属間化合物微粒子全体に対して２０〜１００００
０質量ｐｐｍである請求項２７または２８に記載の窒化
物を有するＡｌ−Ｎｂ系合金薄板。 - 【請求項３０】 薄板の厚さが２０〜５００μｍである
請求項２７〜２９のいずれか１項に記載の窒化物を有す
るＡｌ−Ｎｂ系合金薄板。
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