JP2003318681A - 増幅回路及び光通信装置 - Google Patents
増幅回路及び光通信装置Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/3084—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in receivers or transmitters for electromagnetic waves other than radiowaves, e.g. lightwaves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ゲインを調整しバイアス電位を安定させること
ができる増幅回路及び光通信装置を提供すること。 【解決手段】光受信アンプ３３は、プリアンプ４１、メ
インアンプ４２、比較器としてのコンパレータ４３、自
動ゲイン調整（ＡＧＣ）回路４４、自動バイアス調整
（ＡＢＣ）回路４５を有している。ＡＧＣ回路４４は、
メインアンプ４２の出力信号ＶRPに基づいて、該出力信
号ＶRPの電圧を所定の電圧に近づけるように電流電圧変
換抵抗ＲFMの抵抗値を変更してプリアンプ４１のゲイン
を調整する。そして、ＡＢＣ回路４５は、メインアンプ
４２の出力信号ＶRPに基づいてプリアンプ４１の出力点
におけるバイアス電流を調整する。
ができる増幅回路及び光通信装置を提供すること。 【解決手段】光受信アンプ３３は、プリアンプ４１、メ
インアンプ４２、比較器としてのコンパレータ４３、自
動ゲイン調整（ＡＧＣ）回路４４、自動バイアス調整
（ＡＢＣ）回路４５を有している。ＡＧＣ回路４４は、
メインアンプ４２の出力信号ＶRPに基づいて、該出力信
号ＶRPの電圧を所定の電圧に近づけるように電流電圧変
換抵抗ＲFMの抵抗値を変更してプリアンプ４１のゲイン
を調整する。そして、ＡＢＣ回路４５は、メインアンプ
４２の出力信号ＶRPに基づいてプリアンプ４１の出力点
におけるバイアス電流を調整する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は増幅回路及び光通信
装置に関するものである。近年、ＰＤＡ(Personal Digi
tal Assistants )等の携帯端末、携帯電話等の電子機器
には、赤外線データ通信機能が付加されている、即ち赤
外線を用い空間を介してデータの送受信を行う光通信装
置が搭載されている。また、コンピュータ等には、光フ
ァイバ等の通信媒体を介してデータの送受信を行う光通
信装置が搭載されている。これらの光通信装置では、低
価格化と高性能化が求められている。
装置に関するものである。近年、ＰＤＡ(Personal Digi
tal Assistants )等の携帯端末、携帯電話等の電子機器
には、赤外線データ通信機能が付加されている、即ち赤
外線を用い空間を介してデータの送受信を行う光通信装
置が搭載されている。また、コンピュータ等には、光フ
ァイバ等の通信媒体を介してデータの送受信を行う光通
信装置が搭載されている。これらの光通信装置では、低
価格化と高性能化が求められている。
【０００２】
【従来の技術】図２０は、第一従来例の光受信アンプ１
０のブロック回路図である。光受信アンプ１０はフォト
ダイオードＰＤが接続され、該フォトダイオードＰＤは
受光量に対応した受信電流ＩPDを生成し、光受信アンプ
１０は受信電流ＩPDに基づく受信信号ＲＸを出力する。
０のブロック回路図である。光受信アンプ１０はフォト
ダイオードＰＤが接続され、該フォトダイオードＰＤは
受光量に対応した受信電流ＩPDを生成し、光受信アンプ
１０は受信電流ＩPDに基づく受信信号ＲＸを出力する。
【０００３】光受信アンプ１０は、プリアンプ１１、メ
インアンプ１２、コンパレータ１３を備えている。プリ
アンプ１１は、抵抗Ｒ１とダイオードＤ１を含み、抵抗
Ｒ１は、一端に動作電源ＶREG が供給され、他端がフォ
トダイオードＰＤに接続されている。ダイオードＤ１
は、抵抗Ｒ１に流れる電流に対して順方向に並列に接続
されている。このプリアンプ１１は、受信電流ＩPDを電
圧信号ＶFMに変換する。入力光量の変化に応じた受信電
流ＩPDの変化量ΔＩPDに対する電圧信号ＶFMの変化量Δ
ＶFMは、ΔＶFM＝ΔＩPD×Ｒ１となる。動作電源ＶREG
は、光受信アンプ１０を形成したＩＣの内部又は外部に
設けた電源フィルタを介して供給される電源、又は定電
圧電源から供給される電源である。
インアンプ１２、コンパレータ１３を備えている。プリ
アンプ１１は、抵抗Ｒ１とダイオードＤ１を含み、抵抗
Ｒ１は、一端に動作電源ＶREG が供給され、他端がフォ
トダイオードＰＤに接続されている。ダイオードＤ１
は、抵抗Ｒ１に流れる電流に対して順方向に並列に接続
されている。このプリアンプ１１は、受信電流ＩPDを電
圧信号ＶFMに変換する。入力光量の変化に応じた受信電
流ＩPDの変化量ΔＩPDに対する電圧信号ＶFMの変化量Δ
ＶFMは、ΔＶFM＝ΔＩPD×Ｒ１となる。動作電源ＶREG
は、光受信アンプ１０を形成したＩＣの内部又は外部に
設けた電源フィルタを介して供給される電源、又は定電
圧電源から供給される電源である。
【０００４】メインアンプ１２は、電圧信号ＶFMを増幅
した信号ＶＡを出力し、コンパレータ１３はメインアン
プ１２の出力信号ＶＡをしきい値電圧ＶTHに基づいて２
値化した受信信号ＲＸを出力する。
した信号ＶＡを出力し、コンパレータ１３はメインアン
プ１２の出力信号ＶＡをしきい値電圧ＶTHに基づいて２
値化した受信信号ＲＸを出力する。
【０００５】図２１は、第二従来例の光受信アンプ２０
のブロック回路図である。尚、第一従来例と同様に作用
する素子については同じ符号を付して説明する。この光
受信アンプ２０は、第一従来例と同様に、受光量に応じ
てフォトダイオードＰＤに流れる受信電流ＩPDに基づく
受信信号ＲＸを出力する。
のブロック回路図である。尚、第一従来例と同様に作用
する素子については同じ符号を付して説明する。この光
受信アンプ２０は、第一従来例と同様に、受光量に応じ
てフォトダイオードＰＤに流れる受信電流ＩPDに基づく
受信信号ＲＸを出力する。
【０００６】光受信アンプ２０は差動型アンプであり、
プリアンプ２１、バッファ回路２２、バンドパスフィル
タ２３、メインアンプ２４、コンパレータ２５、ＤＣ光
キャンセル回路２６を備えている。
プリアンプ２１、バッファ回路２２、バンドパスフィル
タ２３、メインアンプ２４、コンパレータ２５、ＤＣ光
キャンセル回路２６を備えている。
【０００７】プリアンプ２１は差動出力を持ち、抵抗Ｒ
２，Ｒ３、トランジスタＱ１〜Ｑ４、電流源２７，２８
を含む。第１抵抗Ｒ２と第１トランジスタＱ１と第１電
流源２７は動作電源ＶREG と低電位電源との間に直列に
接続され、第２抵抗Ｒ３と第２トランジスタＱ２と第２
電流源２８は動作電源ＶREG と低電位電源との間に直列
に接続されている。両トランジスタＱ１，Ｑ２のベース
には所定のバイアス電圧ＶB が印加されている。第１ト
ランジスタＱ１と第１電流源２７の間にはフォトダイオ
ードＰＤが接続されている。
２，Ｒ３、トランジスタＱ１〜Ｑ４、電流源２７，２８
を含む。第１抵抗Ｒ２と第１トランジスタＱ１と第１電
流源２７は動作電源ＶREG と低電位電源との間に直列に
接続され、第２抵抗Ｒ３と第２トランジスタＱ２と第２
電流源２８は動作電源ＶREG と低電位電源との間に直列
に接続されている。両トランジスタＱ１，Ｑ２のベース
には所定のバイアス電圧ＶB が印加されている。第１ト
ランジスタＱ１と第１電流源２７の間にはフォトダイオ
ードＰＤが接続されている。
【０００８】第１，第２抵抗Ｒ２，Ｒ３と第１，第２ト
ランジスタＱ１，Ｑ２の間には第３，第４トランジスタ
Ｑ３，Ｑ４のエミッタがそれぞれ接続され、両トランジ
スタＱ３，Ｑ４のコレクタには高電位電源Ｖccが供給さ
れ、両トランジスタＱ３，Ｑ４のベースには所定のクラ
ンプ電圧Ｖｃが印加されている。
ランジスタＱ１，Ｑ２の間には第３，第４トランジスタ
Ｑ３，Ｑ４のエミッタがそれぞれ接続され、両トランジ
スタＱ３，Ｑ４のコレクタには高電位電源Ｖccが供給さ
れ、両トランジスタＱ３，Ｑ４のベースには所定のクラ
ンプ電圧Ｖｃが印加されている。
【０００９】このプリアンプ２１は、受信電流ＩPDを電
流−電圧変換し、第１抵抗Ｒ２と第１トランジスタＱ１
の間と、第２抵抗Ｒ３と第２トランジスタＱ２の間とか
ら、それぞれメイン側とリファレンス側の電圧信号ＶF
M，ＶFPを出力する。
流−電圧変換し、第１抵抗Ｒ２と第１トランジスタＱ１
の間と、第２抵抗Ｒ３と第２トランジスタＱ２の間とか
ら、それぞれメイン側とリファレンス側の電圧信号ＶF
M，ＶFPを出力する。
【００１０】無信号時（信号光の入射が無いとき）、ク
ランプ電圧Ｖｃと第３，第４トランジスタＱ３，Ｑ４の
ベースエミッタ電圧ＶBEと電圧信号ＶFMは、（ＶC −Ｖ
BE＞ＶFM）の状態にあり、トランジスタＱ３，Ｑ４はオ
フしている。そして、トランジスタＱ３，Ｑ４は大入力
信号時にオンして電圧信号ＶFM，ＶFPを所定電圧にクラ
ンプする。
ランプ電圧Ｖｃと第３，第４トランジスタＱ３，Ｑ４の
ベースエミッタ電圧ＶBEと電圧信号ＶFMは、（ＶC −Ｖ
BE＞ＶFM）の状態にあり、トランジスタＱ３，Ｑ４はオ
フしている。そして、トランジスタＱ３，Ｑ４は大入力
信号時にオンして電圧信号ＶFM，ＶFPを所定電圧にクラ
ンプする。
【００１１】入力光量の変化に応じた受信電流ＩPDの変
化量ΔＩPDに対する電圧信号ＶFMの変化量ΔＶFMは、Δ
ＶFM＝ΔＩPD×Ｒ２となる。バッファ回路２２、バンド
パスフィルタ２３、メインアンプ２４によりプリアンプ
２１の差動出力の差電圧ΔＶF （＝ΔＶFP−ΔＶFM）を
増幅する。コンパレータ２５は、メインアンプ２４の差
動出力を２値化した受信信号ＲＸを出力する。
化量ΔＩPDに対する電圧信号ＶFMの変化量ΔＶFMは、Δ
ＶFM＝ΔＩPD×Ｒ２となる。バッファ回路２２、バンド
パスフィルタ２３、メインアンプ２４によりプリアンプ
２１の差動出力の差電圧ΔＶF （＝ΔＶFP−ΔＶFM）を
増幅する。コンパレータ２５は、メインアンプ２４の差
動出力を２値化した受信信号ＲＸを出力する。
【００１２】ＤＣ光キャンセル回路２６は、太陽光等の
ＤＣ光（フォトダイオードＰＤに流れる受信電流ＩPDの
直流成分を生成する光）によってフォトダイオードＰＤ
に流れる受信電流ＩPDに含まれる直流成分（ＤＣ成分）
の影響を打ち消すために設けられている。このＤＣ成分
は、通信周波数を含む所定の周波数帯より低い周波数成
分を含む。ＤＣ光キャンセル回路２６は電圧信号ＶFM，
ＶFPに含まれる直流成分に応じてそれを打ち消すように
生成した電流をプリアンプ２１の入力にフィードバック
する。
ＤＣ光（フォトダイオードＰＤに流れる受信電流ＩPDの
直流成分を生成する光）によってフォトダイオードＰＤ
に流れる受信電流ＩPDに含まれる直流成分（ＤＣ成分）
の影響を打ち消すために設けられている。このＤＣ成分
は、通信周波数を含む所定の周波数帯より低い周波数成
分を含む。ＤＣ光キャンセル回路２６は電圧信号ＶFM，
ＶFPに含まれる直流成分に応じてそれを打ち消すように
生成した電流をプリアンプ２１の入力にフィードバック
する。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、入力光に、
目的の信号以外の成分がある場合に、光受信アンプ１
０，２０の総合ゲインを下げてＳ／Ｎ比を向上する必要
がある。ゲインを下げる手段として、一般的には自動ゲ
イン調整（ＡＧＣ）回路が用いられる。より効果的で簡
単にゲインを下げる方法として、プリアンプ１１内の電
流電圧変換抵抗Ｒ１（プリアンプ２１の抵抗Ｒ２，Ｒ
３）の抵抗値をＡＧＣ回路によって調整する方法があ
る。しかし、これら抵抗Ｒ１〜Ｒ３の抵抗値を調整する
と、抵抗値によってバイアス電圧が変化してしまい。後
段のアンプに接続すべき適正なバイアス電位からはずれ
るという問題があった。特に、低い電源電圧にて光受信
アンプ１０，２０を動作させる場合、アンプ間のバイア
スレベルに余裕が無くなってしまう。
目的の信号以外の成分がある場合に、光受信アンプ１
０，２０の総合ゲインを下げてＳ／Ｎ比を向上する必要
がある。ゲインを下げる手段として、一般的には自動ゲ
イン調整（ＡＧＣ）回路が用いられる。より効果的で簡
単にゲインを下げる方法として、プリアンプ１１内の電
流電圧変換抵抗Ｒ１（プリアンプ２１の抵抗Ｒ２，Ｒ
３）の抵抗値をＡＧＣ回路によって調整する方法があ
る。しかし、これら抵抗Ｒ１〜Ｒ３の抵抗値を調整する
と、抵抗値によってバイアス電圧が変化してしまい。後
段のアンプに接続すべき適正なバイアス電位からはずれ
るという問題があった。特に、低い電源電圧にて光受信
アンプ１０，２０を動作させる場合、アンプ間のバイア
スレベルに余裕が無くなってしまう。
【００１４】プリアンプ１１，２１内の電流電圧変換抵
抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３の抵抗値をＡＧＣ回路にて調整する
方法の場合、減衰量（ゲインの変化量）は−３０ｄＢΩ
程度である。光入力信号が大きい（入力光量が多い）場
合は、更にゲインを下げる必要がありその手段が必要と
なる。しかし、このような手段は回路規模が大きいた
め、小さな規模の回路を追加して大幅にゲインを下げる
ことが難しいという問題があった。
抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３の抵抗値をＡＧＣ回路にて調整する
方法の場合、減衰量（ゲインの変化量）は−３０ｄＢΩ
程度である。光入力信号が大きい（入力光量が多い）場
合は、更にゲインを下げる必要がありその手段が必要と
なる。しかし、このような手段は回路規模が大きいた
め、小さな規模の回路を追加して大幅にゲインを下げる
ことが難しいという問題があった。
【００１５】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、その目的はゲインを調整しバイアス
電位を安定させることができる増幅回路及び光通信装置
を提供することにある。
れたものであって、その目的はゲインを調整しバイアス
電位を安定させることができる増幅回路及び光通信装置
を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明は、電圧信号に基づくゲイン
調整信号を生成するゲイン調整回路と、ゲイン調整信号
に基づいてバイアス調整信号を生成するバイアス調整回
路とを備え、ゲイン調整信号にて第１の増幅器に備えら
れた電流電圧変換抵抗の抵抗値を調整し、バイアス調整
信号にて第１の増幅器の出力点におけるバイアス電流を
調整する。従って、ゲイン調整によるバイアス電位のＤ
Ｃ的な変動が押さえられる。
め、請求項１に記載の発明は、電圧信号に基づくゲイン
調整信号を生成するゲイン調整回路と、ゲイン調整信号
に基づいてバイアス調整信号を生成するバイアス調整回
路とを備え、ゲイン調整信号にて第１の増幅器に備えら
れた電流電圧変換抵抗の抵抗値を調整し、バイアス調整
信号にて第１の増幅器の出力点におけるバイアス電流を
調整する。従って、ゲイン調整によるバイアス電位のＤ
Ｃ的な変動が押さえられる。
【００１７】ゲイン調整回路は、請求項２に記載の発明
のように、電圧信号のピークレベルを保持するピークホ
ールド回路と、ピークホールド回路の出力信号を増幅し
てゲイン調整信号を生成する出力回路と、ゲインをリセ
ットするべくピークホールド回路の保持電荷を放電する
放電回路とを有し、放電回路は、ピークホールド回路の
出力信号と基準信号とが入力された電流出力型増幅器で
あり、該増幅器の出力信号がピークホールド回路の出力
信号が入力される端子に帰還される。
のように、電圧信号のピークレベルを保持するピークホ
ールド回路と、ピークホールド回路の出力信号を増幅し
てゲイン調整信号を生成する出力回路と、ゲインをリセ
ットするべくピークホールド回路の保持電荷を放電する
放電回路とを有し、放電回路は、ピークホールド回路の
出力信号と基準信号とが入力された電流出力型増幅器で
あり、該増幅器の出力信号がピークホールド回路の出力
信号が入力される端子に帰還される。
【００１８】バイアス調整回路は、請求項３に記載の発
明のように、電流電圧変換抵抗と同じ電気的特性を持
ち、ゲイン調整信号にてその抵抗値が調整される可変抵
抗と、入力端子に接続された抵抗の抵抗値と該抵抗に流
れる第１の電流の電流値との積を、可変抵抗の抵抗値と
該可変抵抗に流れる第２の電流の電流値の積と等しくす
るように可変抵抗に接続された電流源に流れる電流量を
調整する信号をバイアス調整信号として出力する増幅器
とを備えた。
明のように、電流電圧変換抵抗と同じ電気的特性を持
ち、ゲイン調整信号にてその抵抗値が調整される可変抵
抗と、入力端子に接続された抵抗の抵抗値と該抵抗に流
れる第１の電流の電流値との積を、可変抵抗の抵抗値と
該可変抵抗に流れる第２の電流の電流値の積と等しくす
るように可変抵抗に接続された電流源に流れる電流量を
調整する信号をバイアス調整信号として出力する増幅器
とを備えた。
【００１９】請求項４に記載の発明は、電圧信号に基づ
いて第２の増幅器のゲインを調整する第２のゲイン調整
回路を備えた。従って、よりゲインの調整が容易にな
る。請求項５に記載の発明は、第１及び第２の増幅器の
間に挿入接続された帯域通過フィルタと、電圧信号に基
づいて帯域通過フィルタの周波数特性を調整する第２の
ゲイン調整回路とを備えた。従って、通信モードに応じ
て受信特性が変更される。
いて第２の増幅器のゲインを調整する第２のゲイン調整
回路を備えた。従って、よりゲインの調整が容易にな
る。請求項５に記載の発明は、第１及び第２の増幅器の
間に挿入接続された帯域通過フィルタと、電圧信号に基
づいて帯域通過フィルタの周波数特性を調整する第２の
ゲイン調整回路とを備えた。従って、通信モードに応じ
て受信特性が変更される。
【００２０】請求項６に記載の発明は、電流電圧変換抵
抗にコンデンサを接続して低域通過フィルタを構成し
た。従って、ゲインとともにフィルタの低域通過特性が
調整される。
抗にコンデンサを接続して低域通過フィルタを構成し
た。従って、ゲインとともにフィルタの低域通過特性が
調整される。
【００２１】第２のゲイン調整回路は、請求項７に記載
の発明のように、第１のゲイン調整回路によるゲイン調
整の限界付近から動作を開始する。第２のゲイン調整回
路によるゲインの調整は入力信号が充分に大きくなった
時点から動作するため、精度を必要とせず、回路規模が
小さくなる。
の発明のように、第１のゲイン調整回路によるゲイン調
整の限界付近から動作を開始する。第２のゲイン調整回
路によるゲインの調整は入力信号が充分に大きくなった
時点から動作するため、精度を必要とせず、回路規模が
小さくなる。
【００２２】請求項８に記載の発明は、信号光を受ける
第１の受光素子と、第１の受光素子に流れる受信電流が
入力電流として供給される請求項１〜７のうちの何れか
一に記載の増幅回路を含む受信回路とをモールドしてな
る光通信装置であって、信号光の一部を受ける第２の受
光素子を備え、増幅回路は、第２の受光素子に流れる電
流に基づいて第１の増幅器を含むゲインを調整するべく
第２のゲイン調整信号を生成する第２のゲイン調整回路
を備えた。受信光により生じるリーク電流を検出してゲ
インを調整することができる。
第１の受光素子と、第１の受光素子に流れる受信電流が
入力電流として供給される請求項１〜７のうちの何れか
一に記載の増幅回路を含む受信回路とをモールドしてな
る光通信装置であって、信号光の一部を受ける第２の受
光素子を備え、増幅回路は、第２の受光素子に流れる電
流に基づいて第１の増幅器を含むゲインを調整するべく
第２のゲイン調整信号を生成する第２のゲイン調整回路
を備えた。受信光により生じるリーク電流を検出してゲ
インを調整することができる。
【００２３】第２の受光素子は、請求項９に記載の発明
のように、信号光が照射される非素子形成領域と半導体
基板により形成されるダイオードである。従って、半導
体基板の大きさが増大しない。
のように、信号光が照射される非素子形成領域と半導体
基板により形成されるダイオードである。従って、半導
体基板の大きさが増大しない。
【００２４】
【発明の実施の形態】（第一実施形態）以下、本発明を
具体化した第一実施形態を図１〜図５に従って説明す
る。
具体化した第一実施形態を図１〜図５に従って説明す
る。
【００２５】図４は、光通信装置の概略構成図である。
光通信装置３０は、発光ダイオードＬＤ、フォトダイオ
ードＰＤ、送受信回路３１を備える。送受信回路３１
は、増幅回路，受信回路としての光送信アンプ３２、送
信回路としての光受信アンプ３３を含む。
光通信装置３０は、発光ダイオードＬＤ、フォトダイオ
ードＰＤ、送受信回路３１を備える。送受信回路３１
は、増幅回路，受信回路としての光送信アンプ３２、送
信回路としての光受信アンプ３３を含む。
【００２６】光送信アンプ３２は、出力端子に発光ダイ
オードＬＤが接続され、送信信号ＴＸが入力される。光
送信アンプ３２は、送信信号ＴＸに応答して生成した送
信電流ＩLDを発光ダイオードＬＤに供給する。発光ダイ
オードＬＤは、パルス状の送信電流ＩLDに基づいて発光
及び消光を繰り返す。
オードＬＤが接続され、送信信号ＴＸが入力される。光
送信アンプ３２は、送信信号ＴＸに応答して生成した送
信電流ＩLDを発光ダイオードＬＤに供給する。発光ダイ
オードＬＤは、パルス状の送信電流ＩLDに基づいて発光
及び消光を繰り返す。
【００２７】光受信アンプ３３は、入力端子にフォトダ
イオードＰＤが接続される。フォトダイオードＰＤは、
受信した光に対応した受信電流ＩPDを生成する。受信ア
ンプ３３は、受信電流ＩPDを電流−電圧（Ｉ−Ｖ）変換
して受信電圧を生成し、その受信電圧を２値化して生成
した受信信号ＲＸを出力する。
イオードＰＤが接続される。フォトダイオードＰＤは、
受信した光に対応した受信電流ＩPDを生成する。受信ア
ンプ３３は、受信電流ＩPDを電流−電圧（Ｉ−Ｖ）変換
して受信電圧を生成し、その受信電圧を２値化して生成
した受信信号ＲＸを出力する。
【００２８】図１は、光受信アンプ３３のブロック回路
図である。光受信アンプ３３は、プリアンプ４１、メイ
ンアンプ４２、比較器としてのコンパレータ４３、自動
ゲイン調整（ＡＧＣ）回路４４、自動バイアス調整（Ａ
ＢＣ）回路４５を有している。
図である。光受信アンプ３３は、プリアンプ４１、メイ
ンアンプ４２、比較器としてのコンパレータ４３、自動
ゲイン調整（ＡＧＣ）回路４４、自動バイアス調整（Ａ
ＢＣ）回路４５を有している。
【００２９】フォトダイオードＰＤはプリアンプ４１の
入力端子に接続されている。プリアンプ４１は、フォト
ダイオードＰＤが生成する受信電流ＩPDを電圧信号ＶFM
に電流−電圧（Ｉ−Ｖ）変換する。
入力端子に接続されている。プリアンプ４１は、フォト
ダイオードＰＤが生成する受信電流ＩPDを電圧信号ＶFM
に電流−電圧（Ｉ−Ｖ）変換する。
【００３０】メインアンプ４２は、電圧信号ＶFMを増幅
した信号ＶRPを出力する。コンパレータ４３は、メイン
アンプ４２の出力信号ＶRPをしきい値電圧ＶTHに基づい
て２値化した受信信号ＲＸを出力する。
した信号ＶRPを出力する。コンパレータ４３は、メイン
アンプ４２の出力信号ＶRPをしきい値電圧ＶTHに基づい
て２値化した受信信号ＲＸを出力する。
【００３１】ＡＧＣ回路４４は、コンパレータ４３の入
力信号、即ちメインアンプ４２の出力信号ＶRPの電圧が
該コンパレータ４３の２値化に適した電圧とするよう
に、光受信アンプ３３のゲインを調整する、詳しくはプ
リアンプ４１のゲインを調整するために設けられてい
る。ゲインが大きすぎると、信号ＶRPを２値化した受信
信号ＲＸのパルス幅が規格外のパルス幅になる（受信信
号ＲＸのパルス幅が太る）等の問題が発生するからであ
る。
力信号、即ちメインアンプ４２の出力信号ＶRPの電圧が
該コンパレータ４３の２値化に適した電圧とするよう
に、光受信アンプ３３のゲインを調整する、詳しくはプ
リアンプ４１のゲインを調整するために設けられてい
る。ゲインが大きすぎると、信号ＶRPを２値化した受信
信号ＲＸのパルス幅が規格外のパルス幅になる（受信信
号ＲＸのパルス幅が太る）等の問題が発生するからであ
る。
【００３２】ＡＧＣ回路４４は、メインアンプ４２の出
力信号ＶRPを入力し、該出力信号ＶRPの電圧に基づいて
プリアンプ４１の出力信号（電圧信号ＶFM）を所定の電
圧に制御するように生成したゲイン調整信号ＶAGC を出
力する。プリアンプ４１は、その調整信号ＶAGC に応答
してＩ−Ｖ変換におけるゲインを変更する、即ち受信電
流ＩPDの電流値に対する電圧信号ＶFMの電圧値を変更す
る。
力信号ＶRPを入力し、該出力信号ＶRPの電圧に基づいて
プリアンプ４１の出力信号（電圧信号ＶFM）を所定の電
圧に制御するように生成したゲイン調整信号ＶAGC を出
力する。プリアンプ４１は、その調整信号ＶAGC に応答
してＩ−Ｖ変換におけるゲインを変更する、即ち受信電
流ＩPDの電流値に対する電圧信号ＶFMの電圧値を変更す
る。
【００３３】ＡＢＣ回路４５は、プリアンプ４１から出
力される電圧信号ＶFMに生じるバイアス電圧を調整する
ために設けられている。ＡＢＣ回路４５は、ＡＧＣ回路
４４から出力される調整信号ＶAGC を入力し、該調整信
号ＶAGC に基づいてプリアンプ４１から出力される電圧
信号ＶFMに生じるバイアス電圧の変化（電圧信号ＶFMの
直流的（ＤＣ的）な電位変化）を小さくするように生成
したバイアス調整信号ＶABC を出力する。
力される電圧信号ＶFMに生じるバイアス電圧を調整する
ために設けられている。ＡＢＣ回路４５は、ＡＧＣ回路
４４から出力される調整信号ＶAGC を入力し、該調整信
号ＶAGC に基づいてプリアンプ４１から出力される電圧
信号ＶFMに生じるバイアス電圧の変化（電圧信号ＶFMの
直流的（ＤＣ的）な電位変化）を小さくするように生成
したバイアス調整信号ＶABC を出力する。
【００３４】プリアンプ４１は、電流電圧変換抵抗とし
ての抵抗ＲFM、ダイオードＤ１、電流源４６を有してい
る。抵抗ＲFMは、第１端子に動作電源ＶREG が供給さ
れ、第２端子が電流源４６の第１端子に接続され、電流
源４６の第２端子は低電位電源に接続されている。ダイ
オードＤ１は、アノードが抵抗ＲFMの第１端子に接続さ
れ、カソードが抵抗ＲFMの第２端子に接続されている。
そして、抵抗ＲFMと電流源４６との間にフォトダイオー
ドＰＤが接続されている。電流源４６は、フォトダイオ
ードＰＤに流れる受信電流ＩPDを電圧信号ＶFMに変換す
る抵抗ＲFMに所定のバイアス電流Ｉ１を流す。
ての抵抗ＲFM、ダイオードＤ１、電流源４６を有してい
る。抵抗ＲFMは、第１端子に動作電源ＶREG が供給さ
れ、第２端子が電流源４６の第１端子に接続され、電流
源４６の第２端子は低電位電源に接続されている。ダイ
オードＤ１は、アノードが抵抗ＲFMの第１端子に接続さ
れ、カソードが抵抗ＲFMの第２端子に接続されている。
そして、抵抗ＲFMと電流源４６との間にフォトダイオー
ドＰＤが接続されている。電流源４６は、フォトダイオ
ードＰＤに流れる受信電流ＩPDを電圧信号ＶFMに変換す
る抵抗ＲFMに所定のバイアス電流Ｉ１を流す。
【００３５】本実施形態の抵抗ＲFMは、制御信号に応答
して抵抗値を変更する抵抗値可変素子であり、このよう
な素子は例えばＰチャネルＭＯＳ型トランジスタにより
実現される。該トランジスタは、制御端子（ゲート）に
印加される電流又は電圧に応じて抵抗値を変更する。
尚、抵抗ＲFMとして、ＭＯＳ型トランジスタとパッシブ
な抵抗との合成抵抗を用いても良い。また、バイポーラ
トランジスタを用いても良い。
して抵抗値を変更する抵抗値可変素子であり、このよう
な素子は例えばＰチャネルＭＯＳ型トランジスタにより
実現される。該トランジスタは、制御端子（ゲート）に
印加される電流又は電圧に応じて抵抗値を変更する。
尚、抵抗ＲFMとして、ＭＯＳ型トランジスタとパッシブ
な抵抗との合成抵抗を用いても良い。また、バイポーラ
トランジスタを用いても良い。
【００３６】また、本実施形態の電流源４６は、制御信
号に応答して電流量を変更する電流値変更機能を有して
いる。この機能は、例えば電流源４６を構成するトラン
ジスタの制御端子（ゲート又はベース）に印加する電圧
又は電流を変更することで実現される。
号に応答して電流量を変更する電流値変更機能を有して
いる。この機能は、例えば電流源４６を構成するトラン
ジスタの制御端子（ゲート又はベース）に印加する電圧
又は電流を変更することで実現される。
【００３７】即ち、抵抗ＲFMにはゲイン調整信号ＶAGC
が供給され、電流源４６にはバイアス調整信号ＶABC が
供給されている。そして、抵抗ＲFMは、ゲイン調整信号
ＶAGC の電圧値に応答して抵抗値を変更し、電流源４６
は、バイアス調整信号ＶABCの電圧値に応答して電流Ｉ
１の電流値を変更する。
が供給され、電流源４６にはバイアス調整信号ＶABC が
供給されている。そして、抵抗ＲFMは、ゲイン調整信号
ＶAGC の電圧値に応答して抵抗値を変更し、電流源４６
は、バイアス調整信号ＶABCの電圧値に応答して電流Ｉ
１の電流値を変更する。
【００３８】例えば、メインアンプ４２の出力信号ＶRP
の電圧値が所定の電圧値より大きい場合、ＡＧＣ回路４
４はプリアンプ４１のゲインを下げるようにゲイン調整
信号ＶAGC を生成し、抵抗ＲFMはそのゲイン調整信号Ｖ
AGC に応答してその抵抗値を小さくする。ＡＢＣ回路４
５は、ゲイン調整信号ＶAGC に基づいてバイアス調整信
号ＶABC を生成し、電流源４６はそのバイアス調整信号
ＶABC に応答して電流Ｉ１を多くする。
の電圧値が所定の電圧値より大きい場合、ＡＧＣ回路４
４はプリアンプ４１のゲインを下げるようにゲイン調整
信号ＶAGC を生成し、抵抗ＲFMはそのゲイン調整信号Ｖ
AGC に応答してその抵抗値を小さくする。ＡＢＣ回路４
５は、ゲイン調整信号ＶAGC に基づいてバイアス調整信
号ＶABC を生成し、電流源４６はそのバイアス調整信号
ＶABC に応答して電流Ｉ１を多くする。
【００３９】プリアンプ４１は、抵抗ＲFMと電流源４６
の間の電圧値を持つ電圧信号ＶFMを出力する。そして、
抵抗ＲFMの抵抗値の変化に対応して電流源４６が流す電
流Ｉ１の電流量を変更することで、抵抗ＲＦＭと電流源
４６の間のノードの電位をほぼ一定とすることができ
る。
の間の電圧値を持つ電圧信号ＶFMを出力する。そして、
抵抗ＲFMの抵抗値の変化に対応して電流源４６が流す電
流Ｉ１の電流量を変更することで、抵抗ＲＦＭと電流源
４６の間のノードの電位をほぼ一定とすることができ
る。
【００４０】即ち、ＡＧＣ回路４４は、メインアンプ４
２の出力信号ＶRPに基づいて、該出力信号ＶRPの電圧を
所定の電圧に近づけるように電流電圧変換抵抗ＲFMの抵
抗値を変更してプリアンプ４１のゲインを調整する。そ
して、ＡＢＣ回路４５は、メインアンプ４２の出力信号
ＶRPに基づいて、電圧信号ＶFMのＤＣ的な電位変化を小
さくするようにプリアンプ４１の出力点におけるバイア
ス電流を調整する。
２の出力信号ＶRPに基づいて、該出力信号ＶRPの電圧を
所定の電圧に近づけるように電流電圧変換抵抗ＲFMの抵
抗値を変更してプリアンプ４１のゲインを調整する。そ
して、ＡＢＣ回路４５は、メインアンプ４２の出力信号
ＶRPに基づいて、電圧信号ＶFMのＤＣ的な電位変化を小
さくするようにプリアンプ４１の出力点におけるバイア
ス電流を調整する。
【００４１】図２は、ＡＧＣ回路４４の回路図である。
ＡＧＣ回路４４は、ピークホールド回路５１、アンプ５
２、抵抗ＲG を備えている。ピークホールド回路５１
は、アンプ５３、ダイオードＤPH、コンデンサＣPHを備
えている。アンプ５３の出力端子はダイオードＤPHのア
ノードに接続され、ダイオードＤPHのカソードはアンプ
５３の反転入力端子とコンデンサＣPHの第１端子に接続
され、コンデンサＣPHの第２端子は低電位電源に接続さ
れている。アンプ５３の非反転入力端子にはメインアン
プ４２の出力信号ＶRPが入力されている。このように構
成されたピークホールド回路５１は、入力信号ＶRPのピ
ークレベルを保持した信号ＶPHを出力する。
ＡＧＣ回路４４は、ピークホールド回路５１、アンプ５
２、抵抗ＲG を備えている。ピークホールド回路５１
は、アンプ５３、ダイオードＤPH、コンデンサＣPHを備
えている。アンプ５３の出力端子はダイオードＤPHのア
ノードに接続され、ダイオードＤPHのカソードはアンプ
５３の反転入力端子とコンデンサＣPHの第１端子に接続
され、コンデンサＣPHの第２端子は低電位電源に接続さ
れている。アンプ５３の非反転入力端子にはメインアン
プ４２の出力信号ＶRPが入力されている。このように構
成されたピークホールド回路５１は、入力信号ＶRPのピ
ークレベルを保持した信号ＶPHを出力する。
【００４２】アンプ５２は、非反転入力端子にピークホ
ールド回路５１から出力される信号ＶPHが入力され、反
転入力端子に基準信号ＶREF が入力される。アンプ５２
の出力端子は抵抗ＲG を介して図１の抵抗ＲFMの第１端
子に接続されている。従って、抵抗ＲG には抵抗ＲFMの
第１端子における電圧ＶFRが印加される。基準信号ＶRE
F の電位は、プリアンプ４１のバイアス電圧を決定す
る。
ールド回路５１から出力される信号ＶPHが入力され、反
転入力端子に基準信号ＶREF が入力される。アンプ５２
の出力端子は抵抗ＲG を介して図１の抵抗ＲFMの第１端
子に接続されている。従って、抵抗ＲG には抵抗ＲFMの
第１端子における電圧ＶFRが印加される。基準信号ＶRE
F の電位は、プリアンプ４１のバイアス電圧を決定す
る。
【００４３】アンプ５２は、電流出力型アンプであり、
ピークホールド回路５１の出力信号ＶPHと基準信号ＶRE
F の電位差に応じた電流ＩG を抵抗ＲG に流し、それに
よる電圧を持つゲイン調整信号ＶAGC を出力する。
ピークホールド回路５１の出力信号ＶPHと基準信号ＶRE
F の電位差に応じた電流ＩG を抵抗ＲG に流し、それに
よる電圧を持つゲイン調整信号ＶAGC を出力する。
【００４４】図３は、ＡＢＣ回路４５の回路図である。
ＡＢＣ回路４５は、アンプ５５、第１電流源５６、第２
電流源５７、第１抵抗ＲA 、第２抵抗ＲFAを有してい
る。
ＡＢＣ回路４５は、アンプ５５、第１電流源５６、第２
電流源５７、第１抵抗ＲA 、第２抵抗ＲFAを有してい
る。
【００４５】第１抵抗ＲA は固定抵抗であり、その第１
端子には動作電源ＶREG が供給され、第２端子は電流源
５６の第１端子に接続され、電流源５６の第２端子は低
電位電源に接続されている。第１抵抗ＲA と第１電流源
５６の間のノードはアンプ５５の非反転入力端子に接続
され、反転入力端子は第２抵抗ＲFAに接続されている。
端子には動作電源ＶREG が供給され、第２端子は電流源
５６の第１端子に接続され、電流源５６の第２端子は低
電位電源に接続されている。第１抵抗ＲA と第１電流源
５６の間のノードはアンプ５５の非反転入力端子に接続
され、反転入力端子は第２抵抗ＲFAに接続されている。
【００４６】第２抵抗ＲFAは第１端子に動作電源ＶREG
が供給され、第２端子がアンプ５５の反転入力端子に接
続され、第３端子にゲイン調整信号ＶAGC が印加されて
いる。第２抵抗ＲFAは、図１の電流電圧変換抵抗ＲFMと
実質的に同じ特性を持つ抵抗値可変素子であり、その抵
抗値をゲイン調整信号ＶAGC によって抵抗ＲFMの抵抗値
と実質的に同一又は比例した抵抗値に変更する。
が供給され、第２端子がアンプ５５の反転入力端子に接
続され、第３端子にゲイン調整信号ＶAGC が印加されて
いる。第２抵抗ＲFAは、図１の電流電圧変換抵抗ＲFMと
実質的に同じ特性を持つ抵抗値可変素子であり、その抵
抗値をゲイン調整信号ＶAGC によって抵抗ＲFMの抵抗値
と実質的に同一又は比例した抵抗値に変更する。
【００４７】第２抵抗ＲFAの第２端子は第２電流源５７
に接続されている。第２電流源５７は、第１端子が第２
抵抗ＲFAに接続され、第２端子が低電位電源に接続さ
れ、第３端子がアンプ５５の出力端子に接続されてい
る。
に接続されている。第２電流源５７は、第１端子が第２
抵抗ＲFAに接続され、第２端子が低電位電源に接続さ
れ、第３端子がアンプ５５の出力端子に接続されてい
る。
【００４８】第２電流源５７は、図１の電流源４６と同
様に、制御信号に応答して電流量を変更する電流値変更
機能を有し、その電気的特性は電流源４６と実質的に同
一である。従って、第２電流源５７は、アンプ５５の出
力信号に応じた電流ＩFAを流す。そして、アンプ５５は
バイアス調整信号ＶABC を出力する。
様に、制御信号に応答して電流量を変更する電流値変更
機能を有し、その電気的特性は電流源４６と実質的に同
一である。従って、第２電流源５７は、アンプ５５の出
力信号に応じた電流ＩFAを流す。そして、アンプ５５は
バイアス調整信号ＶABC を出力する。
【００４９】上記のように構成されたＡＢＣ回路４５
は、第２電流源５７に流す電流ＩFAを調整し、（ＲA ・
ＩA ）＝（ＲFA・ＩFA）となるような電圧を有するバイ
アス調整信号ＶABC を出力する。尚、式の各項は、その
各項が符号として付された素子の電気的特性値（抵抗
値、電流値など）であり、以下の式も同様とする。
は、第２電流源５７に流す電流ＩFAを調整し、（ＲA ・
ＩA ）＝（ＲFA・ＩFA）となるような電圧を有するバイ
アス調整信号ＶABC を出力する。尚、式の各項は、その
各項が符号として付された素子の電気的特性値（抵抗
値、電流値など）であり、以下の式も同様とする。
【００５０】このバイアス調整信号ＶABC は、図１の電
流源４６に供給され、該電圧によりバイアス電流Ｉ1 を
調整する。従って、ＡＢＣ回路４５は、電流源４６を制
御してバイアス電流Ｉ1 を調整し、第１抵抗ＲA と第１
電流源５６の間のノードの電圧ＶA とプリアンプ４１の
出力信号ＶFMの電圧をＤＣ的に等しく（ＶA ＝ＶFM＝
（ＲFM・Ｉ1 ））する。
流源４６に供給され、該電圧によりバイアス電流Ｉ1 を
調整する。従って、ＡＢＣ回路４５は、電流源４６を制
御してバイアス電流Ｉ1 を調整し、第１抵抗ＲA と第１
電流源５６の間のノードの電圧ＶA とプリアンプ４１の
出力信号ＶFMの電圧をＤＣ的に等しく（ＶA ＝ＶFM＝
（ＲFM・Ｉ1 ））する。
【００５１】次に、上記のように構成された光受信アン
プ３３の作用を図５に従って説明する。今、フォトダイ
オードＰＤに、入射した信号光に応答してパルス状の受
信電流ＩPDが流れる。図１のプリアンプ４１は受信電流
ＩPDを電流−電圧変換して生成した電圧信号ＶFMを出力
し、メインアンプ４２はその電圧信号ＶFMを増幅した信
号ＶRPを出力する。ＡＧＣ回路４４は、図２のピークホ
ールド回路５１にて保持した電圧を持つ信号ＶPHに基づ
いて生成したゲイン調整信号ＶAGC を出力する。
プ３３の作用を図５に従って説明する。今、フォトダイ
オードＰＤに、入射した信号光に応答してパルス状の受
信電流ＩPDが流れる。図１のプリアンプ４１は受信電流
ＩPDを電流−電圧変換して生成した電圧信号ＶFMを出力
し、メインアンプ４２はその電圧信号ＶFMを増幅した信
号ＶRPを出力する。ＡＧＣ回路４４は、図２のピークホ
ールド回路５１にて保持した電圧を持つ信号ＶPHに基づ
いて生成したゲイン調整信号ＶAGC を出力する。
【００５２】メインアンプ４２の出力信号ＶRPの電圧が
所望の電圧より大きい場合、ＡＧＣ回路４４は、プリア
ンプ４１のゲインを下げるべく抵抗ＲFMの抵抗値を小さ
くするように生成したゲイン調整信号ＶAGC を出力す
る。
所望の電圧より大きい場合、ＡＧＣ回路４４は、プリア
ンプ４１のゲインを下げるべく抵抗ＲFMの抵抗値を小さ
くするように生成したゲイン調整信号ＶAGC を出力す
る。
【００５３】ＡＢＣ回路４５は、ゲイン調整信号ＶAGC
により抵抗ＲFMが変化した抵抗分Δｒに応じて、電流源
４６が流すバイアス電流Ｉ1 を電流Δｉ変更するように
バイアス調整信号ＶABC を生成する。従って、プリアン
プ４１から出力される電圧信号ＶFMは、 ＶFM＝（ＲFM・Ｉ1 ）≒（ＲFM＋Δｒ）・（Ｉ1 ＋Δ
ｉ） となり、該電圧信号ＶFMのＤＣ的な変動が小さくなる。
により抵抗ＲFMが変化した抵抗分Δｒに応じて、電流源
４６が流すバイアス電流Ｉ1 を電流Δｉ変更するように
バイアス調整信号ＶABC を生成する。従って、プリアン
プ４１から出力される電圧信号ＶFMは、 ＶFM＝（ＲFM・Ｉ1 ）≒（ＲFM＋Δｒ）・（Ｉ1 ＋Δ
ｉ） となり、該電圧信号ＶFMのＤＣ的な変動が小さくなる。
【００５４】尚、図５に破線にてＡＢＣ回路４５を備え
ていない光受信アンプにおいてプリアンプから出力され
る電圧信号の波形を、本実施形態における電圧信号ＶFM
と重ねて示す。
ていない光受信アンプにおいてプリアンプから出力され
る電圧信号の波形を、本実施形態における電圧信号ＶFM
と重ねて示す。
【００５５】以上記述したように、本実施形態によれ
ば、以下の効果を奏する。 （１）光受信アンプ３３は、プリアンプ４１、メインア
ンプ４２、比較器としてのコンパレータ４３、自動ゲイ
ン調整（ＡＧＣ）回路４４、自動バイアス調整（ＡＢ
Ｃ）回路４５を有している。ＡＧＣ回路４４は、メイン
アンプ４２の出力信号ＶRPに基づいて、該出力信号ＶRP
の電圧を所定の電圧に近づけるように電流電圧変換抵抗
ＲFMの抵抗値を変更してプリアンプ４１のゲインを調整
する。そして、ＡＢＣ回路４５は、メインアンプ４２の
出力信号ＶRPに基づいてプリアンプ４１の出力点におけ
るバイアス電流を調整するようにした。その結果、プリ
アンプ４１のゲインを調整するとともに、その調整によ
る、電圧信号ＶFMのＤＣ的な電位変化を小さくすること
ができる。
ば、以下の効果を奏する。 （１）光受信アンプ３３は、プリアンプ４１、メインア
ンプ４２、比較器としてのコンパレータ４３、自動ゲイ
ン調整（ＡＧＣ）回路４４、自動バイアス調整（ＡＢ
Ｃ）回路４５を有している。ＡＧＣ回路４４は、メイン
アンプ４２の出力信号ＶRPに基づいて、該出力信号ＶRP
の電圧を所定の電圧に近づけるように電流電圧変換抵抗
ＲFMの抵抗値を変更してプリアンプ４１のゲインを調整
する。そして、ＡＢＣ回路４５は、メインアンプ４２の
出力信号ＶRPに基づいてプリアンプ４１の出力点におけ
るバイアス電流を調整するようにした。その結果、プリ
アンプ４１のゲインを調整するとともに、その調整によ
る、電圧信号ＶFMのＤＣ的な電位変化を小さくすること
ができる。
【００５６】（２）ＡＧＣ回路４４はプリアンプ４１の
電流電圧変換抵抗ＲFMの抵抗値を変更してゲインを調整
し、ＡＢＣ回路４５は抵抗ＲFMに直列に接続された電流
源４６の電流値を調整するようにした。その結果、トラ
ンジスタを縦積みにしないため、即ち抵抗ＲFMや電流源
４６に対して調整するためのトランジスタを直列に接続
する必要がないため、低い電源電圧で動作させることが
可能となる。
電流電圧変換抵抗ＲFMの抵抗値を変更してゲインを調整
し、ＡＢＣ回路４５は抵抗ＲFMに直列に接続された電流
源４６の電流値を調整するようにした。その結果、トラ
ンジスタを縦積みにしないため、即ち抵抗ＲFMや電流源
４６に対して調整するためのトランジスタを直列に接続
する必要がないため、低い電源電圧で動作させることが
可能となる。
【００５７】尚、前記実施形態は、以下の態様に変更し
てもよい。 ・上記実施形態において、ＡＧＣ回路４４の構成を適宜
変更して実施しても良い。
てもよい。 ・上記実施形態において、ＡＧＣ回路４４の構成を適宜
変更して実施しても良い。
【００５８】図６は、別の自動ゲイン調整回路の回路図
である。変更された構成部分について説明する。ＡＧＣ
回路６１は、ピークホールド回路５１、第１アンプ５
２、第１抵抗ＲG、第２アンプ６２、電流源６３、第２
抵抗ＲFGを備えている。第１アンプ５２の出力端子は第
２アンプ６２の反転入力端子と第２抵抗ＲFGに接続され
ている。第２アンプ６２は、非反転入力端子が電流源６
３の第１端子に接続され、電流源６３の第２端子は低電
位電源に接続されている。また、第２アンプ６２の非反
転入力端子は第１抵抗ＲG を介して図１の抵抗ＲFMの第
１端子に接続されている。第２抵抗ＲFGは抵抗値可変素
子であり、図１の電流電圧変換抵抗ＲFMと実質的に同じ
特性を持つ抵抗値可変素子であり、その抵抗値をゲイン
調整信号ＶAGC によって抵抗ＲFMの抵抗値と実質的に同
一又は比例した抵抗値に変更する。第２抵抗ＲFGは、第
１端子が図１の抵抗ＲFMの第１端子に接続され、第２端
子が第１アンプ５２の出力端子に接続され、第３端子が
第２アンプ６２の出力端子に接続されている。
である。変更された構成部分について説明する。ＡＧＣ
回路６１は、ピークホールド回路５１、第１アンプ５
２、第１抵抗ＲG、第２アンプ６２、電流源６３、第２
抵抗ＲFGを備えている。第１アンプ５２の出力端子は第
２アンプ６２の反転入力端子と第２抵抗ＲFGに接続され
ている。第２アンプ６２は、非反転入力端子が電流源６
３の第１端子に接続され、電流源６３の第２端子は低電
位電源に接続されている。また、第２アンプ６２の非反
転入力端子は第１抵抗ＲG を介して図１の抵抗ＲFMの第
１端子に接続されている。第２抵抗ＲFGは抵抗値可変素
子であり、図１の電流電圧変換抵抗ＲFMと実質的に同じ
特性を持つ抵抗値可変素子であり、その抵抗値をゲイン
調整信号ＶAGC によって抵抗ＲFMの抵抗値と実質的に同
一又は比例した抵抗値に変更する。第２抵抗ＲFGは、第
１端子が図１の抵抗ＲFMの第１端子に接続され、第２端
子が第１アンプ５２の出力端子に接続され、第３端子が
第２アンプ６２の出力端子に接続されている。
【００５９】第１アンプ５２は、ピークホールド回路５
１の出力信号ＶPHと基準信号ＶREFの電位差に応じた電
流ＩFGを出力端子に流し込む。この電流ＩFGにより、Ｒ
G ・ＩG ＝ＲFG・ＩFGとなるように生成されたゲイン調
整信号ＶAGC が第２アンプ６２から出力される。従っ
て、プリアンプ４１の抵抗ＲFMは電流ＩFGに比例してそ
の抵抗値が変化する。このように、電流ＩFGによって可
変抵抗ＲFGの抵抗値調整が容易にできる。
１の出力信号ＶPHと基準信号ＶREFの電位差に応じた電
流ＩFGを出力端子に流し込む。この電流ＩFGにより、Ｒ
G ・ＩG ＝ＲFG・ＩFGとなるように生成されたゲイン調
整信号ＶAGC が第２アンプ６２から出力される。従っ
て、プリアンプ４１の抵抗ＲFMは電流ＩFGに比例してそ
の抵抗値が変化する。このように、電流ＩFGによって可
変抵抗ＲFGの抵抗値調整が容易にできる。
【００６０】図７は、別の自動ゲイン調整回路の回路図
である。ＡＧＣ回路７１は、ピークホールド回路５１、
アンプ５２、抵抗ＲG 、放電回路７２を備えている。放
電回路７２は電流源又は固定抵抗にて構成され、ピーク
ホールド回路５１の出力端子と低電位電源との間に接続
されている。放電回路７２は、プリアンプ４１のゲイン
を元に戻す（リセットする）ために設けられ、ピークホ
ールド回路５１を構成するコンデンサＣPHに蓄積された
電荷を放電する。この放電回路７２により、連続した入
力信号がこなくなった後や、入力信号が小さくなった場
合にゲインを元に戻すことができる。
である。ＡＧＣ回路７１は、ピークホールド回路５１、
アンプ５２、抵抗ＲG 、放電回路７２を備えている。放
電回路７２は電流源又は固定抵抗にて構成され、ピーク
ホールド回路５１の出力端子と低電位電源との間に接続
されている。放電回路７２は、プリアンプ４１のゲイン
を元に戻す（リセットする）ために設けられ、ピークホ
ールド回路５１を構成するコンデンサＣPHに蓄積された
電荷を放電する。この放電回路７２により、連続した入
力信号がこなくなった後や、入力信号が小さくなった場
合にゲインを元に戻すことができる。
【００６１】図８は、別の自動ゲイン調整回路の回路図
であり、図９は、その動作波形図である。ＡＧＣ回路８
１は、ピークホールド回路５１、第１アンプ５２、抵抗
ＲG 、放電回路としての第２アンプ８２を備えている。
であり、図９は、その動作波形図である。ＡＧＣ回路８
１は、ピークホールド回路５１、第１アンプ５２、抵抗
ＲG 、放電回路としての第２アンプ８２を備えている。
【００６２】第１アンプ５２は、反転入力端子に第１基
準信号ＶREF1が入力される。基準信号ＶREF1の電位は、
図１のプリアンプ４１のバイアス電圧を決定する。第１
アンプ５２は、電流出力型アンプであり、ピークホール
ド回路５１の出力信号ＶPHと基準信号ＶREF1の電位差に
応じた電流ＩG を抵抗ＲG に流し、それによる電圧を持
つゲイン調整信号ＶAGC を出力する。
準信号ＶREF1が入力される。基準信号ＶREF1の電位は、
図１のプリアンプ４１のバイアス電圧を決定する。第１
アンプ５２は、電流出力型アンプであり、ピークホール
ド回路５１の出力信号ＶPHと基準信号ＶREF1の電位差に
応じた電流ＩG を抵抗ＲG に流し、それによる電圧を持
つゲイン調整信号ＶAGC を出力する。
【００６３】第２アンプ８２は、非反転入力端子がピー
クホールド回路５１の出力端子に接続され、反転入力端
子に第２基準信号ＶREF2が入力される。第２アンプ８２
は電流出力型アンプであり、出力端子が非反転入力端子
に接続されている。
クホールド回路５１の出力端子に接続され、反転入力端
子に第２基準信号ＶREF2が入力される。第２アンプ８２
は電流出力型アンプであり、出力端子が非反転入力端子
に接続されている。
【００６４】第２アンプ８２は、ピークホールド回路５
１の出力信号ＶPHと第２基準信号ＶREF2の電位差を増幅
した電流ＩDSを出力する。その電流ＩDSは第２アンプ８
２の非反転入力端子に帰還される。従って、電流ＩDS
は、アンプ内部のカレントミラーなどで、例えば、１／
１０＾６（１０の６乗）にて出力され、この電流ＩDS
は、ピークホールド回路５１を構成するコンデンサＣPH
の放電電流となる。この放電電流ＩDSは、 ＩDS＝gm・（ＶDS−ＶREF2） （但し、gm：第２アンプ８２のコンダクタンス） となる。従って、図９に示すように、出力信号ＶPHの電
圧値が大きい（コンデンサＣPHの充電電荷が多い）場合
は放電電流ＩDSの電流量が大きく、その電圧値が小さい
場合は放電電流ＩDSの電流量も小さくなる。
１の出力信号ＶPHと第２基準信号ＶREF2の電位差を増幅
した電流ＩDSを出力する。その電流ＩDSは第２アンプ８
２の非反転入力端子に帰還される。従って、電流ＩDS
は、アンプ内部のカレントミラーなどで、例えば、１／
１０＾６（１０の６乗）にて出力され、この電流ＩDS
は、ピークホールド回路５１を構成するコンデンサＣPH
の放電電流となる。この放電電流ＩDSは、 ＩDS＝gm・（ＶDS−ＶREF2） （但し、gm：第２アンプ８２のコンダクタンス） となる。従って、図９に示すように、出力信号ＶPHの電
圧値が大きい（コンデンサＣPHの充電電荷が多い）場合
は放電電流ＩDSの電流量が大きく、その電圧値が小さい
場合は放電電流ＩDSの電流量も小さくなる。
【００６５】このように、このＡＧＣ回路８１は、第２
アンプ８２によって図７のＡＧＣ回路７１に比べて放電
電流、放電時間の設定が容易にできる。これに対し、ピ
ークホールド回路５１を構成するコンデンサＣPHをＩＣ
チップ内に搭載する場合は、その容量値を大きくできな
いため、放電電流の制御が難しい。また、図７に示す電
流源や抵抗からなる放電回路７２はホールドレベル（信
号ＶPHの電位）に合わせて放電電流を調整することがで
きないからである。
アンプ８２によって図７のＡＧＣ回路７１に比べて放電
電流、放電時間の設定が容易にできる。これに対し、ピ
ークホールド回路５１を構成するコンデンサＣPHをＩＣ
チップ内に搭載する場合は、その容量値を大きくできな
いため、放電電流の制御が難しい。また、図７に示す電
流源や抵抗からなる放電回路７２はホールドレベル（信
号ＶPHの電位）に合わせて放電電流を調整することがで
きないからである。
【００６６】図１０は、別の自動ゲイン調整回路の回路
図である。ＡＧＣ回路９１は、ピークホールド回路５
１、アンプ９２、抵抗ＲG 、第１，第２電流源９３，９
４を備えている。
図である。ＡＧＣ回路９１は、ピークホールド回路５
１、アンプ９２、抵抗ＲG 、第１，第２電流源９３，９
４を備えている。
【００６７】アンプ９２は電圧出力型アンプであり、出
力端子は第１，第２電流源９３，９４に接続されてい
る。第１電流源９３は、第１端子がアンプ９２の非反転
入力端子に接続され、第２端子が低電位電源に接続され
ている。第２電流源９４は、第１端子が抵抗ＲG に接続
され、第２端子が低電位電源に接続されている。
力端子は第１，第２電流源９３，９４に接続されてい
る。第１電流源９３は、第１端子がアンプ９２の非反転
入力端子に接続され、第２端子が低電位電源に接続され
ている。第２電流源９４は、第１端子が抵抗ＲG に接続
され、第２端子が低電位電源に接続されている。
【００６８】第１，第２電流源９３，９４は、構成する
トランジスタがアンプ９２の出力素子とミラー接続さ
れ、それぞれ電流ＩDS，ＩG を流す。第１電流源９３が
流す電流ＩDSは、第２電流源９４が流す電流ＩG の１／
ｎ（例えばｎ＝１０＾６）に設定されている。第１電流
源９３は、ピークホールド回路５１を構成するコンデン
サＣPHの電荷を放電する放電回路として機能し、第２電
流源９４はゲイン調整信号ＶAGC を生成するために機能
する。
トランジスタがアンプ９２の出力素子とミラー接続さ
れ、それぞれ電流ＩDS，ＩG を流す。第１電流源９３が
流す電流ＩDSは、第２電流源９４が流す電流ＩG の１／
ｎ（例えばｎ＝１０＾６）に設定されている。第１電流
源９３は、ピークホールド回路５１を構成するコンデン
サＣPHの電荷を放電する放電回路として機能し、第２電
流源９４はゲイン調整信号ＶAGC を生成するために機能
する。
【００６９】このように構成されたＡＧＣ回路９１は、
出力電流ＩG と放電電流ＩDSを決める基準電位が同じに
なってしまい、互いに任意に設定できないが、図８の第
２アンプ８２を省略することができるため、回路素子数
や消費電流を減らすことができる。
出力電流ＩG と放電電流ＩDSを決める基準電位が同じに
なってしまい、互いに任意に設定できないが、図８の第
２アンプ８２を省略することができるため、回路素子数
や消費電流を減らすことができる。
【００７０】・上記実施形態において、ＡＢＣ回路４５
の構成を適宜変更して実施しても良い。例えば、図３の
アンプ５５を電流出力型とし、その出力用のトランジス
タ流れる電流をカレントミラーにて図１に示す電流源４
６に流れる電流を調整するようにしても良い。
の構成を適宜変更して実施しても良い。例えば、図３の
アンプ５５を電流出力型とし、その出力用のトランジス
タ流れる電流をカレントミラーにて図１に示す電流源４
６に流れる電流を調整するようにしても良い。
【００７１】また、図６に示す電流ＩFGをカレントミラ
ー回路にて受け取り、それを増幅した電流を同じくカレ
ントミラーにて図１に示す電流源４６に流れる電流を調
整するようにしてもよい。この場合、回路構成が簡略化
できる。
ー回路にて受け取り、それを増幅した電流を同じくカレ
ントミラーにて図１に示す電流源４６に流れる電流を調
整するようにしてもよい。この場合、回路構成が簡略化
できる。
【００７２】（第二実施形態）以下、本発明を具体化し
た第二実施形態を図１１に従って説明する。尚、説明の
便宜上、上記実施形態と同様の構成については同一の符
号を付してその説明を一部省略する。
た第二実施形態を図１１に従って説明する。尚、説明の
便宜上、上記実施形態と同様の構成については同一の符
号を付してその説明を一部省略する。
【００７３】図１１は、本実施形態の光受信アンプのブ
ロック回路図である。光受信アンプ１００は差動型アン
プであり、プリアンプ１０１、バッファ回路１０２、バ
ンドパスフィルタ（帯域通過フィルタ：ＢＰＦ）１０
３、メインアンプ１０４、コンパレータ１０５、ＤＣ光
キャンセル回路１０６、自動ゲイン調整（ＡＧＣ）回路
４４、自動バイアス調整（ＡＢＣ）回路４５を備えてい
る。
ロック回路図である。光受信アンプ１００は差動型アン
プであり、プリアンプ１０１、バッファ回路１０２、バ
ンドパスフィルタ（帯域通過フィルタ：ＢＰＦ）１０
３、メインアンプ１０４、コンパレータ１０５、ＤＣ光
キャンセル回路１０６、自動ゲイン調整（ＡＧＣ）回路
４４、自動バイアス調整（ＡＢＣ）回路４５を備えてい
る。
【００７４】プリアンプ１０１、バッファ回路１０２、
バンドパスフィルタ１０３、メインアンプ１０４は差動
出力を持つ。プリアンプ１０１は、第１，第２抵抗ＲF
M，ＲFP、第１〜第４トランジスタＱ１〜Ｑ４、第１，
第２電流源１０７，１０８を含む。第１抵抗ＲFMと第１
トランジスタＱ１と第１電流源１０７は動作電源ＶREG
と低電位電源との間に直列に接続され、第２抵抗ＲFPと
第２トランジスタＱ２と第２電流源１０８は動作電源Ｖ
REG と低電位電源との間に直列に接続されている。第
１，第２トランジスタＱ１，Ｑ２のベースには所定のバ
イアス電圧ＶB が印加されている。第１トランジスタＱ
１と電流源１０７の間のノードにはフォトダイオードＰ
Ｄが接続されている。
バンドパスフィルタ１０３、メインアンプ１０４は差動
出力を持つ。プリアンプ１０１は、第１，第２抵抗ＲF
M，ＲFP、第１〜第４トランジスタＱ１〜Ｑ４、第１，
第２電流源１０７，１０８を含む。第１抵抗ＲFMと第１
トランジスタＱ１と第１電流源１０７は動作電源ＶREG
と低電位電源との間に直列に接続され、第２抵抗ＲFPと
第２トランジスタＱ２と第２電流源１０８は動作電源Ｖ
REG と低電位電源との間に直列に接続されている。第
１，第２トランジスタＱ１，Ｑ２のベースには所定のバ
イアス電圧ＶB が印加されている。第１トランジスタＱ
１と電流源１０７の間のノードにはフォトダイオードＰ
Ｄが接続されている。
【００７５】第１，第２抵抗ＲFM，ＲFPと第１，第２ト
ランジスタＱ１，Ｑ２の間には第３，第４トランジスタ
Ｑ３，Ｑ４のエミッタがそれぞれ接続され、両トランジ
スタＱ３，Ｑ４のコレクタには高電位電源Ｖccが供給さ
れ、両トランジスタＱ３，Ｑ４のベースには所定のクラ
ンプ電圧Ｖｃが印加されている。
ランジスタＱ１，Ｑ２の間には第３，第４トランジスタ
Ｑ３，Ｑ４のエミッタがそれぞれ接続され、両トランジ
スタＱ３，Ｑ４のコレクタには高電位電源Ｖccが供給さ
れ、両トランジスタＱ３，Ｑ４のベースには所定のクラ
ンプ電圧Ｖｃが印加されている。
【００７６】プリアンプ１０１は、フォトダイオードＰ
Ｄに流れる受信電流ＩPDを電流−電圧変換し、第１抵抗
ＲFMと第１トランジスタＱ１の間と、第２抵抗ＲFPと第
２トランジスタＱ２の間とから、メイン側電圧信号ＶFM
とリファレンス側電圧信号ＶFPを出力する。そして、バ
ッファ回路１０２、バンドパスフィルタ１０３、メイン
アンプ１０４は、それぞれメイン側信号とリファレンス
側信号を出力する。
Ｄに流れる受信電流ＩPDを電流−電圧変換し、第１抵抗
ＲFMと第１トランジスタＱ１の間と、第２抵抗ＲFPと第
２トランジスタＱ２の間とから、メイン側電圧信号ＶFM
とリファレンス側電圧信号ＶFPを出力する。そして、バ
ッファ回路１０２、バンドパスフィルタ１０３、メイン
アンプ１０４は、それぞれメイン側信号とリファレンス
側信号を出力する。
【００７７】ＡＧＣ回路４４にはメインアンプ１０４か
ら出力されるリファレンス側信号が入力される。尚、Ａ
ＧＣ回路４４にメインアンプ１０４から出力されるメイ
ン側信号を入力しても良い。また、ＡＧＣ回路４４にバ
ッファ回路１０２から出力されるメイン側信号又はリフ
ァレンス側信号を入力しても良い。
ら出力されるリファレンス側信号が入力される。尚、Ａ
ＧＣ回路４４にメインアンプ１０４から出力されるメイ
ン側信号を入力しても良い。また、ＡＧＣ回路４４にバ
ッファ回路１０２から出力されるメイン側信号又はリフ
ァレンス側信号を入力しても良い。
【００７８】第１，第２抵抗ＲFM，ＲFPは、第一実施形
態と同様に、制御信号に応答して抵抗値を変更する抵抗
値可変素子であり、このような素子は例えばＰチャネル
ＭＯＳ型トランジスタによりそれぞれ実現される。そし
て、第１抵抗ＲFMは第２抵抗ＲFPと同一の電気的特性を
持つ。
態と同様に、制御信号に応答して抵抗値を変更する抵抗
値可変素子であり、このような素子は例えばＰチャネル
ＭＯＳ型トランジスタによりそれぞれ実現される。そし
て、第１抵抗ＲFMは第２抵抗ＲFPと同一の電気的特性を
持つ。
【００７９】第１，第２電流源１０７，１０８は、制御
信号に応答して電流量を変更する電流値変更機能を有し
ている。この機能は、例えば第１，第２電流源１０７，
１０８を構成するトランジスタの制御端子（ゲート又は
ベース）に印加する電圧又は電流を変更することで実現
される。そして、第１電流源１０７は第２電流源１０８
と同一の電気的特性を持つ。
信号に応答して電流量を変更する電流値変更機能を有し
ている。この機能は、例えば第１，第２電流源１０７，
１０８を構成するトランジスタの制御端子（ゲート又は
ベース）に印加する電圧又は電流を変更することで実現
される。そして、第１電流源１０７は第２電流源１０８
と同一の電気的特性を持つ。
【００８０】即ち、第１，第２抵抗ＲFM，ＲFPにはＡＧ
Ｃ回路４４からゲイン調整信号ＶAGC が供給され、電流
源４６にはＡＢＣ回路４５からゲイン調整信号ＶAGC に
基づくバイアス調整信号ＶABC が供給されている。そし
て、第１，第２抵抗ＲFM，ＲFPは、ゲイン調整信号ＶAG
C の電圧値に応答して抵抗値を変更し、電流源４６は、
バイアス調整信号ＶABC の電圧値に応答して電流Ｉ１の
電流値を変更する。
Ｃ回路４４からゲイン調整信号ＶAGC が供給され、電流
源４６にはＡＢＣ回路４５からゲイン調整信号ＶAGC に
基づくバイアス調整信号ＶABC が供給されている。そし
て、第１，第２抵抗ＲFM，ＲFPは、ゲイン調整信号ＶAG
C の電圧値に応答して抵抗値を変更し、電流源４６は、
バイアス調整信号ＶABC の電圧値に応答して電流Ｉ１の
電流値を変更する。
【００８１】無信号時（信号光の入射が無いとき）、ク
ランプ電圧Ｖｃと第３，第４トランジスタＱ３，Ｑ４の
ベースエミッタ電圧ＶBEと電圧信号ＶFMは、（ＶC −Ｖ
BE＞ＶFM）の状態にあり、第３，第４トランジスタＱ
３，Ｑ４はオフしている。そして、第３，第４トランジ
スタＱ３，Ｑ４は大入力信号時にオンして電圧信号ＶF
M，ＶFPを所定電圧にクランプする。
ランプ電圧Ｖｃと第３，第４トランジスタＱ３，Ｑ４の
ベースエミッタ電圧ＶBEと電圧信号ＶFMは、（ＶC −Ｖ
BE＞ＶFM）の状態にあり、第３，第４トランジスタＱ
３，Ｑ４はオフしている。そして、第３，第４トランジ
スタＱ３，Ｑ４は大入力信号時にオンして電圧信号ＶF
M，ＶFPを所定電圧にクランプする。
【００８２】バッファ回路１０２、バンドパスフィルタ
１０３、メインアンプ１０４によりプリアンプ１０１の
差動出力の差電圧ΔＶF （＝ΔＶFP−ΔＶFM）を増幅す
る。コンパレータ１０５は、メインアンプ１０４の差動
出力を２値化した受信信号ＲＸを出力する。
１０３、メインアンプ１０４によりプリアンプ１０１の
差動出力の差電圧ΔＶF （＝ΔＶFP−ΔＶFM）を増幅す
る。コンパレータ１０５は、メインアンプ１０４の差動
出力を２値化した受信信号ＲＸを出力する。
【００８３】ＤＣ光キャンセル回路１０６は、太陽光等
のＤＣ光（フォトダイオードＰＤに流れる受信電流ＩPD
の直流成分を生成する光）によってフォトダイオードＰ
Ｄに流れる受信電流ＩPDに含まれる直流成分（ＤＣ成
分）の影響を打ち消すために設けられている。このＤＣ
成分は、通信周波数を含む所定の周波数帯より低い周波
数成分を含む。ＤＣ光キャンセル回路１０６は電圧信号
ＶFM，ＶFPに含まれる直流成分に応じてそれを打ち消す
ように生成した電流をプリアンプ１０１の入力にフィー
ドバックする。
のＤＣ光（フォトダイオードＰＤに流れる受信電流ＩPD
の直流成分を生成する光）によってフォトダイオードＰ
Ｄに流れる受信電流ＩPDに含まれる直流成分（ＤＣ成
分）の影響を打ち消すために設けられている。このＤＣ
成分は、通信周波数を含む所定の周波数帯より低い周波
数成分を含む。ＤＣ光キャンセル回路１０６は電圧信号
ＶFM，ＶFPに含まれる直流成分に応じてそれを打ち消す
ように生成した電流をプリアンプ１０１の入力にフィー
ドバックする。
【００８４】以上記述したように、本実施形態によれ
ば、差動出力を持つ光受信アンプ１００においても、プ
リアンプ１０１のゲインを調整し、該調整による電圧信
号ＶFMのＤＣ的な電位変化を小さくすることができる。
ば、差動出力を持つ光受信アンプ１００においても、プ
リアンプ１０１のゲインを調整し、該調整による電圧信
号ＶFMのＤＣ的な電位変化を小さくすることができる。
【００８５】（第三実施形態）以下、本発明を具体化し
た第三実施形態を図１２に従って説明する。尚、説明の
便宜上、上記各実施形態と同様の構成については同一の
符号を付してその説明を一部省略する。
た第三実施形態を図１２に従って説明する。尚、説明の
便宜上、上記各実施形態と同様の構成については同一の
符号を付してその説明を一部省略する。
【００８６】図１２は、本実施形態の光受信アンプのブ
ロック回路図である。光受信アンプ１１０は差動型アン
プであり、プリアンプ１１１、バッファ回路１０２、バ
ンドパスフィルタ１０３、メインアンプ１０４、コンパ
レータ１０５、ＤＣ光キャンセル回路１０６、自動ゲイ
ン調整（ＡＧＣ）回路４４、自動バイアス調整（ＡＢ
Ｃ）回路４５を備えている。
ロック回路図である。光受信アンプ１１０は差動型アン
プであり、プリアンプ１１１、バッファ回路１０２、バ
ンドパスフィルタ１０３、メインアンプ１０４、コンパ
レータ１０５、ＤＣ光キャンセル回路１０６、自動ゲイ
ン調整（ＡＧＣ）回路４４、自動バイアス調整（ＡＢ
Ｃ）回路４５を備えている。
【００８７】プリアンプ１１１、バッファ回路１０２、
バンドパスフィルタ１０３、メインアンプ１０４は差動
出力を持つ。プリアンプ１１１は、第１，第２，第３抵
抗ＲFM，ＲFP，ＲFC、第１〜第４トランジスタＱ１〜Ｑ
４、第１，第２,第３電流源１１２，１１３，１１４、
コンデンサＣF を含む。
バンドパスフィルタ１０３、メインアンプ１０４は差動
出力を持つ。プリアンプ１１１は、第１，第２，第３抵
抗ＲFM，ＲFP，ＲFC、第１〜第４トランジスタＱ１〜Ｑ
４、第１，第２,第３電流源１１２，１１３，１１４、
コンデンサＣF を含む。
【００８８】第１抵抗ＲFMと第２抵抗ＲFPは第１端子が
互いに接続され、その接続点は第３抵抗ＲFCを介して動
作電源ＶREG に接続されている。第１抵抗ＲFMの第２端
子は第１トランジスタＱ１を介して第１電流源１１２の
第１端子に接続され、第１電流源１１２の第２端子は低
電位電源に接続されている。第２抵抗ＲFPの第２端子は
第２トランジスタＱ２を介して第２電流源１１３の第１
端子に接続され、第２電流源１１３の第２端子は低電位
電源に接続されている。第１，第２トランジスタＱ１，
Ｑ２のベースには所定のバイアス電圧ＶB が印加されて
いる。第１トランジスタＱ１と電流源１０７の間のノー
ドにはフォトダイオードＰＤが接続されている。
互いに接続され、その接続点は第３抵抗ＲFCを介して動
作電源ＶREG に接続されている。第１抵抗ＲFMの第２端
子は第１トランジスタＱ１を介して第１電流源１１２の
第１端子に接続され、第１電流源１１２の第２端子は低
電位電源に接続されている。第２抵抗ＲFPの第２端子は
第２トランジスタＱ２を介して第２電流源１１３の第１
端子に接続され、第２電流源１１３の第２端子は低電位
電源に接続されている。第１，第２トランジスタＱ１，
Ｑ２のベースには所定のバイアス電圧ＶB が印加されて
いる。第１トランジスタＱ１と電流源１０７の間のノー
ドにはフォトダイオードＰＤが接続されている。
【００８９】第１，第２抵抗ＲFM，ＲFPと第１，第２ト
ランジスタＱ１，Ｑ２の間には第３，第４トランジスタ
Ｑ３，Ｑ４のエミッタがそれぞれ接続され、両トランジ
スタＱ３，Ｑ４のコレクタには高電位電源Ｖccが供給さ
れ、両トランジスタＱ３，Ｑ４のベースには所定のクラ
ンプ電圧Ｖｃが印加されている。
ランジスタＱ１，Ｑ２の間には第３，第４トランジスタ
Ｑ３，Ｑ４のエミッタがそれぞれ接続され、両トランジ
スタＱ３，Ｑ４のコレクタには高電位電源Ｖccが供給さ
れ、両トランジスタＱ３，Ｑ４のベースには所定のクラ
ンプ電圧Ｖｃが印加されている。
【００９０】第１，第２抵抗ＲFM，ＲFPの接続点には第
３電流源１１４の第１端子が接続され、第３電流源１１
４の第２端子は低電位電源に接続されている。また、そ
の接続点にはコンデンサＣF の第１端子が接続され、コ
ンデンサＣF の第２端子は低電位電源に接続されてい
る。
３電流源１１４の第１端子が接続され、第３電流源１１
４の第２端子は低電位電源に接続されている。また、そ
の接続点にはコンデンサＣF の第１端子が接続され、コ
ンデンサＣF の第２端子は低電位電源に接続されてい
る。
【００９１】第１，第２抵抗ＲFM，ＲFPは抵抗値可変素
子であり、それぞれにゲイン調整信号ＶAGC が供給され
ている。第３抵抗ＲFCは抵抗値固定素子である。第１，
第２電流源１１２，１１３は定電流源であり、それぞれ
電流Ｉ1 ，Ｉ2を流す。第３電流源１１４は可変電流源
であり、供給されるバイアス調整信号ＶABC に応じた電
流Ｉ3 を流す。
子であり、それぞれにゲイン調整信号ＶAGC が供給され
ている。第３抵抗ＲFCは抵抗値固定素子である。第１，
第２電流源１１２，１１３は定電流源であり、それぞれ
電流Ｉ1 ，Ｉ2を流す。第３電流源１１４は可変電流源
であり、供給されるバイアス調整信号ＶABC に応じた電
流Ｉ3 を流す。
【００９２】この電流Ｉ3 はＡＢＣ回路４５にて生成さ
れるバイアス調整信号ＶABC による第１，第２抵抗ＲF
M，ＲFPの抵抗値の変化に応じて調整され、それによっ
てプリアンプ１１１の差動出力である電圧信号ＶFM，Ｖ
FPのＤＣ的な電位を調整できる。
れるバイアス調整信号ＶABC による第１，第２抵抗ＲF
M，ＲFPの抵抗値の変化に応じて調整され、それによっ
てプリアンプ１１１の差動出力である電圧信号ＶFM，Ｖ
FPのＤＣ的な電位を調整できる。
【００９３】メイン側電圧信号ＶFMのＤＣ成分の変化Δ
ＶFMは、ΔＶFM＝ΔＶFR＝（ＲFC・ΔＩ3 ）となるの
で、抵抗ＲFCと電流Ｉ3 によってバイアス電位を設定し
やすくなる。
ＶFMは、ΔＶFM＝ΔＶFR＝（ＲFC・ΔＩ3 ）となるの
で、抵抗ＲFCと電流Ｉ3 によってバイアス電位を設定し
やすくなる。
【００９４】尚、コンデンサＣF は、第３抵抗ＲFCの抵
抗値が小さい場合は無くてもよい。しかし、第３抵抗Ｒ
FCの抵抗値が大きい場合は、差動のリファレンス側電圧
信号ＶFPが同位相となってゆれるため、差動出力が減少
してしまう。このため、コンデンサＣF を接続すること
で、そのゆれを抑えることができる。
抗値が小さい場合は無くてもよい。しかし、第３抵抗Ｒ
FCの抵抗値が大きい場合は、差動のリファレンス側電圧
信号ＶFPが同位相となってゆれるため、差動出力が減少
してしまう。このため、コンデンサＣF を接続すること
で、そのゆれを抑えることができる。
【００９５】以上記述したように、本実施形態によれ
ば、以下の効果を奏する。 （１）電流電圧変換抵抗ＲFM，ＲFPの接続点に固定抵抗
ＲFCを接続し、その接続点に第３電流源１１４を接続す
る。そして、第１，第２抵抗ＲFM，ＲFPの抵抗値を変更
してゲインを調整し、第３電流源１１４の電流Ｉ3 を変
更した。その結果、電圧信号ＶFM，ＶFPのＤＣ的な電位
変化を小さくし、電圧信号ＶFM，ＶFPのＤＣ的な電位を
調整することができる。
ば、以下の効果を奏する。 （１）電流電圧変換抵抗ＲFM，ＲFPの接続点に固定抵抗
ＲFCを接続し、その接続点に第３電流源１１４を接続す
る。そして、第１，第２抵抗ＲFM，ＲFPの抵抗値を変更
してゲインを調整し、第３電流源１１４の電流Ｉ3 を変
更した。その結果、電圧信号ＶFM，ＶFPのＤＣ的な電位
変化を小さくし、電圧信号ＶFM，ＶFPのＤＣ的な電位を
調整することができる。
【００９６】（第四実施形態）以下、本発明を具体化し
た第四実施形態を図１３に従って説明する。尚、説明の
便宜上、上記各実施形態と同様の構成については同一の
符号を付してその説明を一部省略する。
た第四実施形態を図１３に従って説明する。尚、説明の
便宜上、上記各実施形態と同様の構成については同一の
符号を付してその説明を一部省略する。
【００９７】図１３は、本実施形態の光受信アンプのブ
ロック回路図である。光受信アンプ１２０は差動型アン
プであり、プリアンプ１２１、バッファ回路１０２、バ
ンドパスフィルタ１０３、メインアンプ１０４、コンパ
レータ１０５、ＤＣ光キャンセル回路１０６、自動ゲイ
ン調整（ＡＧＣ）回路４４、自動バイアス調整（ＡＢ
Ｃ）回路４５を備えている。
ロック回路図である。光受信アンプ１２０は差動型アン
プであり、プリアンプ１２１、バッファ回路１０２、バ
ンドパスフィルタ１０３、メインアンプ１０４、コンパ
レータ１０５、ＤＣ光キャンセル回路１０６、自動ゲイ
ン調整（ＡＧＣ）回路４４、自動バイアス調整（ＡＢ
Ｃ）回路４５を備えている。
【００９８】プリアンプ１２１、バッファ回路１０２、
バンドパスフィルタ１０３、メインアンプ１０４は差動
出力を持つ。プリアンプ１２１は、第１，第２，第３抵
抗ＲFM，ＲFP，ＲFC、第１〜第５トランジスタＱ１〜Ｑ
５、第１，第２,第３電流源１１２，１１３，１１４、
コンデンサＣF を含む。
バンドパスフィルタ１０３、メインアンプ１０４は差動
出力を持つ。プリアンプ１２１は、第１，第２，第３抵
抗ＲFM，ＲFP，ＲFC、第１〜第５トランジスタＱ１〜Ｑ
５、第１，第２,第３電流源１１２，１１３，１１４、
コンデンサＣF を含む。
【００９９】第三実施形態と異なる点について説明す
る。第１抵抗ＲFMと第２抵抗ＲFPは第１端子が互いに接
続され、その接続点には第５トランジスタＱ５が接続さ
れている。第５トランジスタＱ５はＮＰＮトランジスタ
であり、エミッタが第１，第２抵抗ＲFM，ＲFPに接続さ
れ、コレクタに動作電源ＶREG が供給され、ベースに第
３抵抗ＲFCとコンデンサＣF と第３電流源１１４が接続
されている。尚、第５トランジスタＱ５をＮチャネルＭ
ＯＳトランジスタとしてもよい。
る。第１抵抗ＲFMと第２抵抗ＲFPは第１端子が互いに接
続され、その接続点には第５トランジスタＱ５が接続さ
れている。第５トランジスタＱ５はＮＰＮトランジスタ
であり、エミッタが第１，第２抵抗ＲFM，ＲFPに接続さ
れ、コレクタに動作電源ＶREG が供給され、ベースに第
３抵抗ＲFCとコンデンサＣF と第３電流源１１４が接続
されている。尚、第５トランジスタＱ５をＮチャネルＭ
ＯＳトランジスタとしてもよい。
【０１００】この光受信アンプ１２０は、第３抵抗ＲFC
と第５トランジスタＱ５を介してバイアスを調整するも
のである。この光受信アンプ１２０は、第三実施形態の
光受信アンプ１１０に比べて、第３抵抗ＲFCの抵抗値を
大きくすることができるため、バイアス電流Ｉ3 の調整
幅が小さくて済む。
と第５トランジスタＱ５を介してバイアスを調整するも
のである。この光受信アンプ１２０は、第三実施形態の
光受信アンプ１１０に比べて、第３抵抗ＲFCの抵抗値を
大きくすることができるため、バイアス電流Ｉ3 の調整
幅が小さくて済む。
【０１０１】第５トランジスタＱ５はエミッタフォロワ
として働き、ＤＣ的には電圧シフトである。バイアス電
流Ｉ3 の電流値によって第５トランジスタＱ５のベース
電位を調整し、電圧信号ＶFMのＤＣ的な電位を調整でき
る。従って、プリアンプ１２１から出力される電圧信号
ＶFMとメインアンプ１０４から出力される信号ＶFRは、 ＶFM＝ＶFR−ＲFM・Ｉ1 ＶFR＝ＶREG −（ＲFC・Ｉ3 ）−ＶBE(Q5) となる。
として働き、ＤＣ的には電圧シフトである。バイアス電
流Ｉ3 の電流値によって第５トランジスタＱ５のベース
電位を調整し、電圧信号ＶFMのＤＣ的な電位を調整でき
る。従って、プリアンプ１２１から出力される電圧信号
ＶFMとメインアンプ１０４から出力される信号ＶFRは、 ＶFM＝ＶFR−ＲFM・Ｉ1 ＶFR＝ＶREG −（ＲFC・Ｉ3 ）−ＶBE(Q5) となる。
【０１０２】以上記述したように、本実施形態によれ
ば、以下の効果を奏する。 （１）電流電圧変換抵抗ＲFM，ＲFPの接続点にトランジ
スタＱ５を接続し、その制御端子に固定抵抗ＲFCと第３
電流源１１４を接続する。そして、第１，第２抵抗ＲF
M，ＲFPの抵抗値を変更してゲインを調整し、第３電流
源１１４の電流Ｉ3 を変更した。その結果、第三実施形
態に比べて抵抗ＲFCの抵抗値を大きくできるため、調整
するバイアス電流を少なくすることができる。
ば、以下の効果を奏する。 （１）電流電圧変換抵抗ＲFM，ＲFPの接続点にトランジ
スタＱ５を接続し、その制御端子に固定抵抗ＲFCと第３
電流源１１４を接続する。そして、第１，第２抵抗ＲF
M，ＲFPの抵抗値を変更してゲインを調整し、第３電流
源１１４の電流Ｉ3 を変更した。その結果、第三実施形
態に比べて抵抗ＲFCの抵抗値を大きくできるため、調整
するバイアス電流を少なくすることができる。
【０１０３】（第五実施形態）以下、本発明を具体化し
た第五実施形態を図１４に従って説明する。尚、説明の
便宜上、上記各実施形態と同様の構成については同一の
符号を付してその説明を一部省略する。
た第五実施形態を図１４に従って説明する。尚、説明の
便宜上、上記各実施形態と同様の構成については同一の
符号を付してその説明を一部省略する。
【０１０４】図１４は、本実施形態の光受信アンプのブ
ロック回路図である。光受信アンプ１３０は複数の自動
ゲイン調整（ＡＧＣ）回路を含む。即ち、光受信アンプ
１３０は、プリアンプ１３１、バッファ回路１３２、バ
ンドパスフィルタ１３３、メインアンプ１３４、コンパ
レータ１３５、第１自動ゲイン調整（ＡＧＣ１）回路１
３６、第２自動ゲイン調整（ＡＧＣ２）回路１３７を備
えている。
ロック回路図である。光受信アンプ１３０は複数の自動
ゲイン調整（ＡＧＣ）回路を含む。即ち、光受信アンプ
１３０は、プリアンプ１３１、バッファ回路１３２、バ
ンドパスフィルタ１３３、メインアンプ１３４、コンパ
レータ１３５、第１自動ゲイン調整（ＡＧＣ１）回路１
３６、第２自動ゲイン調整（ＡＧＣ２）回路１３７を備
えている。
【０１０５】尚、本実施形態の光受信アンプ１３０は、
図示しないが、上記の各実施形態と同様に、自動バイア
ス調整（ＡＢＣ）回路４５を備えている。また、ＤＣ光
キャンセル回路２６を備えている。
図示しないが、上記の各実施形態と同様に、自動バイア
ス調整（ＡＢＣ）回路４５を備えている。また、ＤＣ光
キャンセル回路２６を備えている。
【０１０６】プリアンプ１３１、バッファ回路１３２、
バンドパスフィルタ１３３、メインアンプ１３４は差動
出力を持つ。プリアンプ１３１は、上記第二〜第四実施
形態のプリアンプ１０１，１１１，１２１のうちの何れ
かの構成を持ち、入力端子に接続されたフォトダイオー
ドＰＤに流れる受信電流ＩPDを電流−電圧変換して生成
したメイン側電圧信号ＶFMとリファレンス側電圧信号Ｖ
FPを出力する。図中、プリアンプ１３１内に示された抵
抗ＲF は、上記各実施形態のプリアンプ１０１，１１
１，１２１を構成する第１及び第２抵抗ＲFM，ＲFPであ
る。
バンドパスフィルタ１３３、メインアンプ１３４は差動
出力を持つ。プリアンプ１３１は、上記第二〜第四実施
形態のプリアンプ１０１，１１１，１２１のうちの何れ
かの構成を持ち、入力端子に接続されたフォトダイオー
ドＰＤに流れる受信電流ＩPDを電流−電圧変換して生成
したメイン側電圧信号ＶFMとリファレンス側電圧信号Ｖ
FPを出力する。図中、プリアンプ１３１内に示された抵
抗ＲF は、上記各実施形態のプリアンプ１０１，１１
１，１２１を構成する第１及び第２抵抗ＲFM，ＲFPであ
る。
【０１０７】プリアンプ１３１から出力される電圧信号
ＶFM，ＶFPはバッファ回路１３２、バンドパスフィルタ
１３３を介してメインアンプ１３４に入力され、メイン
アンプ１３４は入力信号を増幅してメイン側信号ＶRMと
リファレンス側信号ＶRPを出力する。コンパレータ１３
５は、メインアンプ１３４から入力する信号ＶRM，ＶRP
を２値化した受信信号ＲＸを出力する。
ＶFM，ＶFPはバッファ回路１３２、バンドパスフィルタ
１３３を介してメインアンプ１３４に入力され、メイン
アンプ１３４は入力信号を増幅してメイン側信号ＶRMと
リファレンス側信号ＶRPを出力する。コンパレータ１３
５は、メインアンプ１３４から入力する信号ＶRM，ＶRP
を２値化した受信信号ＲＸを出力する。
【０１０８】第１ＡＧＣ回路１３６はプリアンプ１３１
のゲインを調整するために設けられ、第２ＡＧＣ回路１
３７はメインアンプ１３４のゲインを調整するために設
けられている。
のゲインを調整するために設けられ、第２ＡＧＣ回路１
３７はメインアンプ１３４のゲインを調整するために設
けられている。
【０１０９】第１ＡＧＣ回路１３６は図２に示すＡＧＣ
回路４４と同じ回路構成を持ち、メインアンプ１３４か
ら入力されるリファレンス側信号ＶRPに基づいて第１ゲ
イン調整信号ＶAGC1を生成する。第１ＡＧＣ回路１３６
にて生成された第１ゲイン調整信号ＶAGC1はプリアンプ
１３１に供給され、該プリアンプ１３１の抵抗ＲF の抵
抗値が調整される。尚、第１ＡＧＣ回路１３６の構成
を、図６〜図８，図１０のＡＧＣ回路６１，７１，８
１，９１と同じ回路構成としても良い。
回路４４と同じ回路構成を持ち、メインアンプ１３４か
ら入力されるリファレンス側信号ＶRPに基づいて第１ゲ
イン調整信号ＶAGC1を生成する。第１ＡＧＣ回路１３６
にて生成された第１ゲイン調整信号ＶAGC1はプリアンプ
１３１に供給され、該プリアンプ１３１の抵抗ＲF の抵
抗値が調整される。尚、第１ＡＧＣ回路１３６の構成
を、図６〜図８，図１０のＡＧＣ回路６１，７１，８
１，９１と同じ回路構成としても良い。
【０１１０】第２ＡＧＣ回路１３７は、第１ＡＧＣ回路
１３６によるプリアンプ１３１のゲインの調整量が限界
付近になってから動作し始めるように構成されている。
例えば、第１及び第２ＡＧＣ回路１３６，１３７はメイ
ンアンプ１３４の出力信号ＶRPに応答して動作を開始す
るためのしきい値を持ち、それぞれのしきい値を上記の
ごとく動作するように設定する。
１３６によるプリアンプ１３１のゲインの調整量が限界
付近になってから動作し始めるように構成されている。
例えば、第１及び第２ＡＧＣ回路１３６，１３７はメイ
ンアンプ１３４の出力信号ＶRPに応答して動作を開始す
るためのしきい値を持ち、それぞれのしきい値を上記の
ごとく動作するように設定する。
【０１１１】そして、第２ＡＧＣ回路１３７は、入力信
号が充分に大きくなった時点で動作するので、あまり精
度が必要ではなく、第１ＡＧＣ回路１３６による調整に
比べてシンプルな方法でゲインを下げることが可能とな
る。その方法には、例えば、メインアンプ１３４の差動
入力間に接続した可変抵抗の抵抗値を調整する、差動対
を用いたメインアンプの場合にはその差動対の動作電流
を調整する、等がある。また、光受信アンプ１３０の総
合ゲインを実質的に調整する方法として、コンパレータ
１３５のしきい値電圧を調整して検出感度を減衰させる
などの方法がある。
号が充分に大きくなった時点で動作するので、あまり精
度が必要ではなく、第１ＡＧＣ回路１３６による調整に
比べてシンプルな方法でゲインを下げることが可能とな
る。その方法には、例えば、メインアンプ１３４の差動
入力間に接続した可変抵抗の抵抗値を調整する、差動対
を用いたメインアンプの場合にはその差動対の動作電流
を調整する、等がある。また、光受信アンプ１３０の総
合ゲインを実質的に調整する方法として、コンパレータ
１３５のしきい値電圧を調整して検出感度を減衰させる
などの方法がある。
【０１１２】これらの方法により、第１及び第２ＡＧＣ
回路１３６，１３７を段階的に動作させて光受信アンプ
１３０のゲインを調整することで、光受信アンプ１３０
の回路規模を、各アンプのゲインをバランスよく下げる
場合に比べて小さくすることができる。
回路１３６，１３７を段階的に動作させて光受信アンプ
１３０のゲインを調整することで、光受信アンプ１３０
の回路規模を、各アンプのゲインをバランスよく下げる
場合に比べて小さくすることができる。
【０１１３】以上記述したように、本実施形態によれ
ば、以下の効果を奏する。 （１）第１ＡＧＣ回路１３６によりプリアンプ１３１の
ゲインを調整し、第２ＡＧＣ回路１３７によりメインア
ンプ１３４のゲインを調整するようにした。その結果、
光受信アンプ１３０の総合ゲインを調整することができ
る。
ば、以下の効果を奏する。 （１）第１ＡＧＣ回路１３６によりプリアンプ１３１の
ゲインを調整し、第２ＡＧＣ回路１３７によりメインア
ンプ１３４のゲインを調整するようにした。その結果、
光受信アンプ１３０の総合ゲインを調整することができ
る。
【０１１４】（２）第２ＡＧＣ回路１３７は、第１ＡＧ
Ｃ回路１３６によるプリアンプ１３１のゲイン調整が限
界付近になってから動作するように設定されている。そ
の結果、第２ＡＧＣ回路１３７は第１ＡＧＣ回路１３６
に比べて精度を必要とせず、回路規模を小さくすること
ができる。
Ｃ回路１３６によるプリアンプ１３１のゲイン調整が限
界付近になってから動作するように設定されている。そ
の結果、第２ＡＧＣ回路１３７は第１ＡＧＣ回路１３６
に比べて精度を必要とせず、回路規模を小さくすること
ができる。
【０１１５】尚、前記実施形態は、以下の態様に変更し
てもよい。 ・第２ＡＧＣ回路１３７によりバッファ回路１３２のゲ
インを調整するようにしてもよい。
てもよい。 ・第２ＡＧＣ回路１３７によりバッファ回路１３２のゲ
インを調整するようにしてもよい。
【０１１６】・第１ＡＧＣ回路１３６の入力端子をバッ
ファ回路１３２の出力端子に接続し、該バッファ回路１
３２の出力信号に基づいてプリアンプ１３１のゲインを
調整するようにしてもよい。また、第２ＡＧＣ回路１３
７の入力端子をバッファ回路１３２の出力端子に接続
し、該バッファ回路１３２の出力信号に基づいてバッフ
ァ回路１３２のゲインを調整するようにしてもよい。
ファ回路１３２の出力端子に接続し、該バッファ回路１
３２の出力信号に基づいてプリアンプ１３１のゲインを
調整するようにしてもよい。また、第２ＡＧＣ回路１３
７の入力端子をバッファ回路１３２の出力端子に接続
し、該バッファ回路１３２の出力信号に基づいてバッフ
ァ回路１３２のゲインを調整するようにしてもよい。
【０１１７】（第六実施形態）以下、本発明を具体化し
た第六実施形態を図１５に従って説明する。尚、説明の
便宜上、上記各実施形態と同様の構成については同一の
符号を付してその説明を一部省略する。
た第六実施形態を図１５に従って説明する。尚、説明の
便宜上、上記各実施形態と同様の構成については同一の
符号を付してその説明を一部省略する。
【０１１８】図１５は、本実施形態の光受信アンプのブ
ロック回路図である。光受信アンプ１４０は、図１３に
示す第四実施形態の光受信アンプ１２０に対して第２自
動ゲイン調整（ＡＧＣ）回路を追加したものである。即
ち、光受信アンプ１４０は差動型アンプであり、プリア
ンプ１２１、バッファ回路１０２、バンドパスフィルタ
１０３、メインアンプ１０４、コンパレータ１０５、Ｄ
Ｃ光キャンセル回路１０６、第１ＡＧＣ回路４４、ＡＢ
Ｃ回路４５、第２ＡＧＣ回路１４１を備えている。
ロック回路図である。光受信アンプ１４０は、図１３に
示す第四実施形態の光受信アンプ１２０に対して第２自
動ゲイン調整（ＡＧＣ）回路を追加したものである。即
ち、光受信アンプ１４０は差動型アンプであり、プリア
ンプ１２１、バッファ回路１０２、バンドパスフィルタ
１０３、メインアンプ１０４、コンパレータ１０５、Ｄ
Ｃ光キャンセル回路１０６、第１ＡＧＣ回路４４、ＡＢ
Ｃ回路４５、第２ＡＧＣ回路１４１を備えている。
【０１１９】プリアンプ１２１、バッファ回路１０２、
バンドパスフィルタ１０３、メインアンプ１０４は差動
出力を持つ。プリアンプ１２１は、第１，第２，第３抵
抗ＲFM，ＲFP，ＲFC、第１〜第５トランジスタＱ１〜Ｑ
５、第１，第２,第３電流源１１２，１１３，１１４、
コンデンサＣF を含む。
バンドパスフィルタ１０３、メインアンプ１０４は差動
出力を持つ。プリアンプ１２１は、第１，第２，第３抵
抗ＲFM，ＲFP，ＲFC、第１〜第５トランジスタＱ１〜Ｑ
５、第１，第２,第３電流源１１２，１１３，１１４、
コンデンサＣF を含む。
【０１２０】第１ＡＧＣ回路４４は、メインアンプ１０
４の出力信号（図ではリファレンス側信号ＶRP）を入力
して第１ゲイン調整信号ＶAGC1を出力する。ＡＢＣ回路
４５は、第１ゲイン調整信号ＶAGC1を入力し、プリアン
プ１２１のバイアスを調整するように生成したバイアス
調整信号ＶABC を出力する。
４の出力信号（図ではリファレンス側信号ＶRP）を入力
して第１ゲイン調整信号ＶAGC1を出力する。ＡＢＣ回路
４５は、第１ゲイン調整信号ＶAGC1を入力し、プリアン
プ１２１のバイアスを調整するように生成したバイアス
調整信号ＶABC を出力する。
【０１２１】第２ＡＧＣ回路１４１は、バッファ回路１
０２の出力信号（図ではリファレンス側信号）を入力し
て第２ゲイン調整信号ＶAGC2を生成する。この第２ゲイ
ン調整信号ＶAGC2は、バイアス調整信号ＶABC とともに
プリアンプ１２１を構成する第３電流源１１４に印加さ
れ、その第３電流源１１４はバイアス調整信号ＶABCと
第２ゲイン調整信号ＶAGC2の合成電圧に応じた電流Ｉ3
を流す。
０２の出力信号（図ではリファレンス側信号）を入力し
て第２ゲイン調整信号ＶAGC2を生成する。この第２ゲイ
ン調整信号ＶAGC2は、バイアス調整信号ＶABC とともに
プリアンプ１２１を構成する第３電流源１１４に印加さ
れ、その第３電流源１１４はバイアス調整信号ＶABCと
第２ゲイン調整信号ＶAGC2の合成電圧に応じた電流Ｉ3
を流す。
【０１２２】第１ＡＧＣ回路４４が抵抗ＲFM，ＲFPの抵
抗値をほぼ限界まで小さくした後、第２ＡＧＣ回路１４
１が動作してゲインを調整するように生成した第２ゲイ
ン調整信号ＶAGC2を出力する。第３電流源１１４がバイ
アス調整信号ＶABC と第２ゲイン調整信号ＶAGC2に応答
して電流Ｉ3 の電流量を増やしていくと、バイアス電位
がずれるため、電圧信号ＶFMの電位が下がる。すると、
クランプ用の第３，第４トランジスタＱ３，Ｑ４にコレ
クタ電流が流れ、エミッタ抵抗ｒｅ（コレクタ−エミッ
タ間の抵抗成分）が小さくなる。
抗値をほぼ限界まで小さくした後、第２ＡＧＣ回路１４
１が動作してゲインを調整するように生成した第２ゲイ
ン調整信号ＶAGC2を出力する。第３電流源１１４がバイ
アス調整信号ＶABC と第２ゲイン調整信号ＶAGC2に応答
して電流Ｉ3 の電流量を増やしていくと、バイアス電位
がずれるため、電圧信号ＶFMの電位が下がる。すると、
クランプ用の第３，第４トランジスタＱ３，Ｑ４にコレ
クタ電流が流れ、エミッタ抵抗ｒｅ（コレクタ−エミッ
タ間の抵抗成分）が小さくなる。
【０１２３】この時、電圧信号ＶFMの出力端子から見た
抵抗分は、エミッタ抵抗ｒｅと抵抗ＲFMとを並列接続し
た抵抗分となる。この抵抗分がプリアンプ１２１におけ
る電流電圧変換抵抗として機能し、第１，第２抵抗ＲF
M，ＲFP単体の抵抗値を小さくする場合に比べて電流電
圧変換抵抗値を大幅に小さくでき、ゲインを大きく調整
することができる。
抵抗分は、エミッタ抵抗ｒｅと抵抗ＲFMとを並列接続し
た抵抗分となる。この抵抗分がプリアンプ１２１におけ
る電流電圧変換抵抗として機能し、第１，第２抵抗ＲF
M，ＲFP単体の抵抗値を小さくする場合に比べて電流電
圧変換抵抗値を大幅に小さくでき、ゲインを大きく調整
することができる。
【０１２４】尚、バイアス電位がずれ、クランプ用の第
３，第４トランジスタＱ３，Ｑ４にコレクタ電流が流れ
るが、入力信号が充分に大きい場合は、プリアンプ１２
１のゲインが小さいためバイアス電位がずれても受信信
号ＲＸに影響はない。
３，第４トランジスタＱ３，Ｑ４にコレクタ電流が流れ
るが、入力信号が充分に大きい場合は、プリアンプ１２
１のゲインが小さいためバイアス電位がずれても受信信
号ＲＸに影響はない。
【０１２５】以上記述したように、本実施形態によれ
ば、以下の効果を奏する。 （１）ＡＢＣ回路４５にて生成したバイアス調整信号Ｖ
ABC と、第２ＡＧＣ回路１４１にて生成した第２ゲイン
調整信号ＶAGC2とによりプリアンプ１２１の第３電流源
１１４の電流Ｉ3 を調整するようにした。電流Ｉ3 の電
流量を増やしていくと、クランプ用の第３，第４トラン
ジスタＱ３，Ｑ４にコレクタ電流が流れ、エミッタ抵抗
ｒｅ（コレクタ−エミッタ間の抵抗成分）が小さくな
る。そして、電圧信号ＶFMの出力端子から見た抵抗分
は、エミッタ抵抗ｒｅと抵抗ＲFMとを並列接続した抵抗
分となる。この抵抗分がプリアンプ１２１における電流
電圧変換抵抗として機能するため、第１，第２抵抗ＲF
M，ＲFP単体の抵抗値を小さくする場合に比べて電流電
圧変換抵抗値を大幅に小さくでき、ゲインを大きく調整
することができる。
ば、以下の効果を奏する。 （１）ＡＢＣ回路４５にて生成したバイアス調整信号Ｖ
ABC と、第２ＡＧＣ回路１４１にて生成した第２ゲイン
調整信号ＶAGC2とによりプリアンプ１２１の第３電流源
１１４の電流Ｉ3 を調整するようにした。電流Ｉ3 の電
流量を増やしていくと、クランプ用の第３，第４トラン
ジスタＱ３，Ｑ４にコレクタ電流が流れ、エミッタ抵抗
ｒｅ（コレクタ−エミッタ間の抵抗成分）が小さくな
る。そして、電圧信号ＶFMの出力端子から見た抵抗分
は、エミッタ抵抗ｒｅと抵抗ＲFMとを並列接続した抵抗
分となる。この抵抗分がプリアンプ１２１における電流
電圧変換抵抗として機能するため、第１，第２抵抗ＲF
M，ＲFP単体の抵抗値を小さくする場合に比べて電流電
圧変換抵抗値を大幅に小さくでき、ゲインを大きく調整
することができる。
【０１２６】（第七実施形態）以下、本発明を具体化し
た第七実施形態を図１６，図１７に従って説明する。
尚、説明の便宜上、上記各実施形態と同様の構成につい
ては同一の符号を付してその説明を一部省略する。
た第七実施形態を図１６，図１７に従って説明する。
尚、説明の便宜上、上記各実施形態と同様の構成につい
ては同一の符号を付してその説明を一部省略する。
【０１２７】図１６は、本実施形態の光受信アンプのブ
ロック回路図である。光受信アンプ１５０は、プリアン
プ１５１、バッファ回路１０２、バンドパスフィルタ１
０３、メインアンプ１０４、コンパレータ１０５、第１
ＡＧＣ回路（ＡＧＣ１）１５２、第２ＡＧＣ回路（ＡＧ
Ｃ２）１５３、抵抗ＲDP、光検出手段としてのダイオー
ドＤP を含む。光受信アンプ１５０を構成する各素子は
１つの半導体基板上に形成されている。そして、この光
受信アンプ１５０は、それに接続されたフォトダイオー
ドＰＤとともに、光透過性樹脂にてモールドされてい
る。
ロック回路図である。光受信アンプ１５０は、プリアン
プ１５１、バッファ回路１０２、バンドパスフィルタ１
０３、メインアンプ１０４、コンパレータ１０５、第１
ＡＧＣ回路（ＡＧＣ１）１５２、第２ＡＧＣ回路（ＡＧ
Ｃ２）１５３、抵抗ＲDP、光検出手段としてのダイオー
ドＤP を含む。光受信アンプ１５０を構成する各素子は
１つの半導体基板上に形成されている。そして、この光
受信アンプ１５０は、それに接続されたフォトダイオー
ドＰＤとともに、光透過性樹脂にてモールドされてい
る。
【０１２８】プリアンプ１５１は図１４のプリアンプ１
３１と実質的に同一の機能を持ち、第１ＡＧＣ回路１５
２は図１４の第１ＡＧＣ回路１３６と同様に動作してメ
インアンプ１０４の出力信号ＶRPに基づいて生成した第
１ゲイン調整信号ＶAGC1をプリアンプ１５１に供給す
る。
３１と実質的に同一の機能を持ち、第１ＡＧＣ回路１５
２は図１４の第１ＡＧＣ回路１３６と同様に動作してメ
インアンプ１０４の出力信号ＶRPに基づいて生成した第
１ゲイン調整信号ＶAGC1をプリアンプ１５１に供給す
る。
【０１２９】第２ＡＧＣ回路１５３はその入力端子が抵
抗ＲDPとダイオードＤP のカソードとに接続され、抵抗
ＲDPには高電位電源Ｖccが供給され、ダイオードＤP の
アノードは低電位電源と接続されている。
抗ＲDPとダイオードＤP のカソードとに接続され、抵抗
ＲDPには高電位電源Ｖccが供給され、ダイオードＤP の
アノードは低電位電源と接続されている。
【０１３０】ダイオードＤP は、フォトダイオードＰＤ
に入射される信号光が照射される位置に形成されてい
る。そして、このダイオードＤP は、ＩＣチップ上の回
路ブロック間やパッド周りなどの素子が形成されていな
い領域（非素子形成領域）、上記信号光が照射される領
域を接続して形成した大きな面積の島領域（Ｎ型）と、
半導体基盤（Ｐ型）との間に形成されるダイオードであ
る。
に入射される信号光が照射される位置に形成されてい
る。そして、このダイオードＤP は、ＩＣチップ上の回
路ブロック間やパッド周りなどの素子が形成されていな
い領域（非素子形成領域）、上記信号光が照射される領
域を接続して形成した大きな面積の島領域（Ｎ型）と、
半導体基盤（Ｐ型）との間に形成されるダイオードであ
る。
【０１３１】このダイオードＤP は、フォトダイオード
ＰＤに入射される信号光が照射され、該信号光に応答し
て電流ＩDPを流す。第２ＡＧＣ回路１５３は、その電流
ＩDPに基づいてプリアンプ１５１のゲインを調整するよ
うに生成した第２ゲイン調整信号ＶAGC2を出力する。
ＰＤに入射される信号光が照射され、該信号光に応答し
て電流ＩDPを流す。第２ＡＧＣ回路１５３は、その電流
ＩDPに基づいてプリアンプ１５１のゲインを調整するよ
うに生成した第２ゲイン調整信号ＶAGC2を出力する。
【０１３２】プリアンプ１５１は、第１及び第２ＡＧＣ
回路１５２，１５３から供給される第１及び第２ゲイン
調整信号ＶAGC1，ＶAGC2に応答して抵抗ＲF の抵抗値を
変更し、それによりゲインが変更される。
回路１５２，１５３から供給される第１及び第２ゲイン
調整信号ＶAGC1，ＶAGC2に応答して抵抗ＲF の抵抗値を
変更し、それによりゲインが変更される。
【０１３３】このように光受信アンプ１５０を構成する
ことで、チップ面積の増加を抑え、信号光による光リー
クを検出してリーク電流が大きい場合にゲインを下げる
ことができる。これは、以下の問題点を解決する。
ことで、チップ面積の増加を抑え、信号光による光リー
クを検出してリーク電流が大きい場合にゲインを下げる
ことができる。これは、以下の問題点を解決する。
【０１３４】例えば、光空間通信などにおいては、受信
側の光を受信する部分は、フォトダイオードと光受信ア
ンプのＩＣを同一の光透過性樹脂でモールドすることが
一般的である。そして、光空間通信においては、送信側
と受信側が近接する場合があり、この場合は、送信側の
光がフォトダイオードだけではなく、ＩＣチップにも過
大な信号光が照射される。ＩＣでは、過大な信号光によ
りリーク電流が流れ、動作点がずれるなどの問題が起こ
るので、ゲインが高い場合は誤動作を起こしやすい。
側の光を受信する部分は、フォトダイオードと光受信ア
ンプのＩＣを同一の光透過性樹脂でモールドすることが
一般的である。そして、光空間通信においては、送信側
と受信側が近接する場合があり、この場合は、送信側の
光がフォトダイオードだけではなく、ＩＣチップにも過
大な信号光が照射される。ＩＣでは、過大な信号光によ
りリーク電流が流れ、動作点がずれるなどの問題が起こ
るので、ゲインが高い場合は誤動作を起こしやすい。
【０１３５】以上記述したように、本実施形態によれ
ば、以下の効果を奏する。 （１）第２ＡＧＣ回路１５３はフォトダイオードＰＤに
入射される信号光が照射される位置に形成されたダイオ
ードＤP に流れる電流ＩDPに基づいてプリアンプ１５１
のゲインを調整するように生成した第２ゲイン調整信号
ＶAGC2を出力する。この電流ＩDPは、受信光が強い場合
に多く流れる。従って、信号光によるリーク電流を検出
してプリアンプ１５１のゲインを下げることで、そのリ
ーク電流による誤動作を防止することができる。
ば、以下の効果を奏する。 （１）第２ＡＧＣ回路１５３はフォトダイオードＰＤに
入射される信号光が照射される位置に形成されたダイオ
ードＤP に流れる電流ＩDPに基づいてプリアンプ１５１
のゲインを調整するように生成した第２ゲイン調整信号
ＶAGC2を出力する。この電流ＩDPは、受信光が強い場合
に多く流れる。従って、信号光によるリーク電流を検出
してプリアンプ１５１のゲインを下げることで、そのリ
ーク電流による誤動作を防止することができる。
【０１３６】（２）ダイオードＤP は、ＩＣチップ上の
回路ブロック間やパッド周りなどの素子が形成されてい
ない領域（非素子形成領域）、上記信号光が照射される
領域を接続して形成した大きな面積の島領域（Ｎ型）
と、半導体基盤（Ｐ型）との間に形成されるダイオード
である。従って、チップ面積の増加を抑えることができ
る。
回路ブロック間やパッド周りなどの素子が形成されてい
ない領域（非素子形成領域）、上記信号光が照射される
領域を接続して形成した大きな面積の島領域（Ｎ型）
と、半導体基盤（Ｐ型）との間に形成されるダイオード
である。従って、チップ面積の増加を抑えることができ
る。
【０１３７】尚、前記実施形態は、以下の態様に変更し
てもよい。 ・上記実施形態では、チップ上に形成した光検出手段と
してのダイオードＤPを用いて大入力信号レベルを検出
したが、他の方法を用いてそれを検出するようにしても
よい。
てもよい。 ・上記実施形態では、チップ上に形成した光検出手段と
してのダイオードＤPを用いて大入力信号レベルを検出
したが、他の方法を用いてそれを検出するようにしても
よい。
【０１３８】例えば、通常のＰＮダイオードを光検出手
段として用いても良い。また、送信用の発光ダイオード
ＬＤをモニタするフォトダイオードを用いても良い。
段として用いても良い。また、送信用の発光ダイオード
ＬＤをモニタするフォトダイオードを用いても良い。
【０１３９】また、送信用の発光ダイオードＬＤを光検
出手段として用いて用いても良い。図１７は、その場合
の光通信装置の概略構成図である。光通信装置（光通信
モジュール）１６０は、発光ダイオードＬＤとフォトダ
イオードＰＤと送受信回路１６１とを備え、それらは同
一の光透過性樹脂にてモールドされている。送受信回路
１６１は、光送信アンプ１６２、光受信アンプ１６３、
切替回路としてのスイッチ回路１６４を含む。
出手段として用いて用いても良い。図１７は、その場合
の光通信装置の概略構成図である。光通信装置（光通信
モジュール）１６０は、発光ダイオードＬＤとフォトダ
イオードＰＤと送受信回路１６１とを備え、それらは同
一の光透過性樹脂にてモールドされている。送受信回路
１６１は、光送信アンプ１６２、光受信アンプ１６３、
切替回路としてのスイッチ回路１６４を含む。
【０１４０】光送信アンプ１６２は、スイッチ回路１６
４を介して出力端子に発光ダイオードＬＤが接続され、
送信信号ＴＸが入力される。光送信アンプ１６２は、送
信信号ＴＸに応答して生成した送信電流ＩLDをスイッチ
回路１６４を介して発光ダイオードＬＤに供給する。発
光ダイオードＬＤは、パルス状の送信電流ＩLDに基づい
て発光及び消光を繰り返す。
４を介して出力端子に発光ダイオードＬＤが接続され、
送信信号ＴＸが入力される。光送信アンプ１６２は、送
信信号ＴＸに応答して生成した送信電流ＩLDをスイッチ
回路１６４を介して発光ダイオードＬＤに供給する。発
光ダイオードＬＤは、パルス状の送信電流ＩLDに基づい
て発光及び消光を繰り返す。
【０１４１】光受信アンプ１６３は、入力端子にフォト
ダイオードＰＤが接続される。フォトダイオードＰＤ
は、受信した光に対応した受信電流ＩPDを生成する。光
受信アンプ１６３は、受信電流ＩPDを電流−電圧（Ｉ−
Ｖ）変換して受信電圧を生成し、その受信電圧を２値化
して生成した受信信号ＲＸを出力する。
ダイオードＰＤが接続される。フォトダイオードＰＤ
は、受信した光に対応した受信電流ＩPDを生成する。光
受信アンプ１６３は、受信電流ＩPDを電流−電圧（Ｉ−
Ｖ）変換して受信電圧を生成し、その受信電圧を２値化
して生成した受信信号ＲＸを出力する。
【０１４２】また、光受信アンプ１６３はスイッチ回路
１６４を介して発光ダイオードＬＤに接続されている。
スイッチ回路１６４は、送受信動作に応じて発光ダイオ
ードＬＤを光送信アンプ１６２又は光受信アンプ１６３
と接続する。例えば、スイッチ回路１６４は、送信動作
時（例えば光送信アンプ１６２から送信電流ＩLDが供給
される間）、発光ダイオードＬＤを光送信アンプ１６２
に接続し、それ以外の時にはそれを光受信アンプ１６３
に接続する。
１６４を介して発光ダイオードＬＤに接続されている。
スイッチ回路１６４は、送受信動作に応じて発光ダイオ
ードＬＤを光送信アンプ１６２又は光受信アンプ１６３
と接続する。例えば、スイッチ回路１６４は、送信動作
時（例えば光送信アンプ１６２から送信電流ＩLDが供給
される間）、発光ダイオードＬＤを光送信アンプ１６２
に接続し、それ以外の時にはそれを光受信アンプ１６３
に接続する。
【０１４３】光受信アンプ１６３は図１６の光受信アン
プ１５０と同様に構成され、ダイオードＤP に代えて発
光ダイオードＬＤが接続されている。即ち、第２ＡＧＣ
回路１５３の入力端子はスイッチ回路１６４を介して発
光ダイオードＬＤに接続される。
プ１５０と同様に構成され、ダイオードＤP に代えて発
光ダイオードＬＤが接続されている。即ち、第２ＡＧＣ
回路１５３の入力端子はスイッチ回路１６４を介して発
光ダイオードＬＤに接続される。
【０１４４】即ち、発光ダイオードＬＤは、送信動作時
に発光手段として機能し、それ以外の時には光検出手段
として機能する。このように光通信装置１６０を構成し
ても、上記実施形態と同様に光入力が大きい場合にプリ
アンプのゲインを下げて誤動作を防止することができ
る。
に発光手段として機能し、それ以外の時には光検出手段
として機能する。このように光通信装置１６０を構成し
ても、上記実施形態と同様に光入力が大きい場合にプリ
アンプのゲインを下げて誤動作を防止することができ
る。
【０１４５】（第八実施形態）以下、本発明を具体化し
た第八実施形態を図１８，図１９に従って説明する。
尚、説明の便宜上、上記各実施形態と同様の構成につい
ては同一の符号を付してその説明を一部省略する。
た第八実施形態を図１８，図１９に従って説明する。
尚、説明の便宜上、上記各実施形態と同様の構成につい
ては同一の符号を付してその説明を一部省略する。
【０１４６】図１８は、本実施形態の光受信アンプのブ
ロック回路図である。光受信アンプ１７０は差動型アン
プであり、プリアンプ１７１、バッファ回路１７２、バ
ンドパスフィルタ１７３、メインアンプ１７４、コンパ
レータ１７５、第１及び第２ＡＧＣ回路１７６，１７
７、図示しないＡＢＣ回路及びＤＣ光キャンセル回路を
備えている。プリアンプ１７１、バッファ回路１７２、
バンドパスフィルタ１７３、メインアンプ１７４は差動
出力を持つ。
ロック回路図である。光受信アンプ１７０は差動型アン
プであり、プリアンプ１７１、バッファ回路１７２、バ
ンドパスフィルタ１７３、メインアンプ１７４、コンパ
レータ１７５、第１及び第２ＡＧＣ回路１７６，１７
７、図示しないＡＢＣ回路及びＤＣ光キャンセル回路を
備えている。プリアンプ１７１、バッファ回路１７２、
バンドパスフィルタ１７３、メインアンプ１７４は差動
出力を持つ。
【０１４７】プリアンプ１７１は、上記第二〜第四実施
形態のプリアンプ１０１，１１１，１２１のうちの何れ
かの構成に、コンデンサＣL が追加されている。図中、
プリアンプ１３１内に示された抵抗ＲF は、上記各実施
形態のプリアンプ１０１，１１１，１２１を構成する第
１及び第２抵抗ＲFM，ＲFPである。この抵抗ＲF とコン
デンサＣL によりローパスフィルタが構成されている。
形態のプリアンプ１０１，１１１，１２１のうちの何れ
かの構成に、コンデンサＣL が追加されている。図中、
プリアンプ１３１内に示された抵抗ＲF は、上記各実施
形態のプリアンプ１０１，１１１，１２１を構成する第
１及び第２抵抗ＲFM，ＲFPである。この抵抗ＲF とコン
デンサＣL によりローパスフィルタが構成されている。
【０１４８】第１ＡＧＣ回路１７６はプリアンプ１７１
のゲインと周波数特性を調整するために設けられ、第２
ＡＧＣ回路１７７はバンドパスフィルタ１７３の周波数
特性を調整するために設けられている。尚、第２ＡＧＣ
回路１７７の出力信号によりメインアンプ１７４又はコ
ンパレータ１７５の周波数特性を調整するようにしても
良い。
のゲインと周波数特性を調整するために設けられ、第２
ＡＧＣ回路１７７はバンドパスフィルタ１７３の周波数
特性を調整するために設けられている。尚、第２ＡＧＣ
回路１７７の出力信号によりメインアンプ１７４又はコ
ンパレータ１７５の周波数特性を調整するようにしても
良い。
【０１４９】第１ＡＧＣ回路１７６は図２に示すＡＧＣ
回路４４と同じ回路構成を持ち、メインアンプ１７４か
ら入力されるリファレンス側信号ＶRPに基づいて第１ゲ
イン調整信号ＶAGC1を生成する。第１ＡＧＣ回路１３６
にて生成された第１ゲイン調整信号ＶAGC1はプリアンプ
１３１に供給され、該プリアンプ１３１の抵抗ＲF の抵
抗値が調整される。尚、第１ＡＧＣ回路１３６の構成
を、図６〜図８，図１０のＡＧＣ回路６１，７１，８
１，９１と同じ回路構成としても良い。
回路４４と同じ回路構成を持ち、メインアンプ１７４か
ら入力されるリファレンス側信号ＶRPに基づいて第１ゲ
イン調整信号ＶAGC1を生成する。第１ＡＧＣ回路１３６
にて生成された第１ゲイン調整信号ＶAGC1はプリアンプ
１３１に供給され、該プリアンプ１３１の抵抗ＲF の抵
抗値が調整される。尚、第１ＡＧＣ回路１３６の構成
を、図６〜図８，図１０のＡＧＣ回路６１，７１，８
１，９１と同じ回路構成としても良い。
【０１５０】抵抗ＲF の抵抗値を小さくすると、コンデ
ンサＣL との関係でローパスフィルタのカット周波数ｆ
L が高くなる。例えば、抵抗ＲF の抵抗値が１／２にな
るとカットオフ周波数ｆL は２倍になる。そして、抵抗
ＲF の抵抗値を更に小さくすると、プリアンプ１７１自
体の周波数特性にってカットオフ周波数が頭打ちにな
る。
ンサＣL との関係でローパスフィルタのカット周波数ｆ
L が高くなる。例えば、抵抗ＲF の抵抗値が１／２にな
るとカットオフ周波数ｆL は２倍になる。そして、抵抗
ＲF の抵抗値を更に小さくすると、プリアンプ１７１自
体の周波数特性にってカットオフ周波数が頭打ちにな
る。
【０１５１】変調方式によってベースバンド周波数が、
ある決められた周波数の場合、ノイズ耐量を向上させる
ため、通常バンドパスフィルタを入れて帯域制限を行
う。例えば、光空間通信の１方式であるＩｒＤＡ（赤外
線通信）通信においては、ベースバンド周波数と受信距
離について明確な規定があり、低速１１５Ｋｂｐｓ（パ
ルス幅が１．６３ｕｓ）の方式と、高速１．１５２Ｍｂ
ｐｓ（パルス幅が２１７ｎｓ）の方式がある。規定によ
ると高速１．１５２Ｍｂｐｓに比べて、低速１１５Ｋｂ
ｐｓの場合は受信感度が２．５倍必要である。
ある決められた周波数の場合、ノイズ耐量を向上させる
ため、通常バンドパスフィルタを入れて帯域制限を行
う。例えば、光空間通信の１方式であるＩｒＤＡ（赤外
線通信）通信においては、ベースバンド周波数と受信距
離について明確な規定があり、低速１１５Ｋｂｐｓ（パ
ルス幅が１．６３ｕｓ）の方式と、高速１．１５２Ｍｂ
ｐｓ（パルス幅が２１７ｎｓ）の方式がある。規定によ
ると高速１．１５２Ｍｂｐｓに比べて、低速１１５Ｋｂ
ｐｓの場合は受信感度が２．５倍必要である。
【０１５２】このような通信方式に対応する場合におい
て、ＡＧＣ回路によりゲインを調整すると同時に光受信
アンプの周波数特性をも可変する方法を用いる。例え
ば、あらかじめ、前述の低速１１５Ｋｂｐｓに合わせて
周波数特性を調整しておく。光入力信号が大きい場合
は、ローパスフィルタのカット周波数が高域側へ移動す
るため、高速１．１５２Ｍｂｐｓに適したアンプの周波
数特性になる。
て、ＡＧＣ回路によりゲインを調整すると同時に光受信
アンプの周波数特性をも可変する方法を用いる。例え
ば、あらかじめ、前述の低速１１５Ｋｂｐｓに合わせて
周波数特性を調整しておく。光入力信号が大きい場合
は、ローパスフィルタのカット周波数が高域側へ移動す
るため、高速１．１５２Ｍｂｐｓに適したアンプの周波
数特性になる。
【０１５３】以上のように、低速モードに比べて高速モ
ードの方がゲイン小さくて良い場合において、高い感度
が必要なモードではカットオフ周波数が低域側に設定す
ることで、帯域制限によってノイズマージンを大きくす
ることができる。光入力が大きい場合は、カットオフ周
波数を高域側にシフトする。この場合、ＡＧＣ回路によ
ってゲインが下がるので、ノイズマージンを大きくする
ことができる。
ードの方がゲイン小さくて良い場合において、高い感度
が必要なモードではカットオフ周波数が低域側に設定す
ることで、帯域制限によってノイズマージンを大きくす
ることができる。光入力が大きい場合は、カットオフ周
波数を高域側にシフトする。この場合、ＡＧＣ回路によ
ってゲインが下がるので、ノイズマージンを大きくする
ことができる。
【０１５４】図１９（ａ）はプリアンプ１７１の回路
図、図１９（ｂ）はバンドパスフィルタ１７３の回路図
である。プリアンプ１７１は、第１，第２，第３抵抗Ｒ
FM，ＲFP，ＲFC、第１〜第４トランジスタＱ１〜Ｑ４、
第１，第２,第３電流源１１２，１１３，１１４、コン
デンサＣF 、コンデンサＣLF，ＣLPを含む。プリアンプ
１７１は、図１２に示すプリアンプ１１１と同様の接続
状態に対してコンデンサＣLF，ＣLPが接続されている。
コンデンサＣLF，ＣLPは、第１端子が抵抗ＲFM，ＲFPに
それぞれ接続され、第２端子が低電位電源に接続されて
いる。
図、図１９（ｂ）はバンドパスフィルタ１７３の回路図
である。プリアンプ１７１は、第１，第２，第３抵抗Ｒ
FM，ＲFP，ＲFC、第１〜第４トランジスタＱ１〜Ｑ４、
第１，第２,第３電流源１１２，１１３，１１４、コン
デンサＣF 、コンデンサＣLF，ＣLPを含む。プリアンプ
１７１は、図１２に示すプリアンプ１１１と同様の接続
状態に対してコンデンサＣLF，ＣLPが接続されている。
コンデンサＣLF，ＣLPは、第１端子が抵抗ＲFM，ＲFPに
それぞれ接続され、第２端子が低電位電源に接続されて
いる。
【０１５５】バンドパスフィルタ１７３は、コンデンサ
Ｃ１，Ｃ２、抵抗Ｒ１，Ｒ２、可変抵抗ＶＲを含む。第
１コンデンサＣ１と第１抵抗Ｒ１とから構成されるハイ
パスフィルタと、第２コンデンサＣ２と第２抵抗Ｒ２と
から構成されるロウパスフィルタ（低域通過フィルタ：
ＬＰＦ）とを直列接続してバンドパスフィルタを構成し
ている。第２抵抗Ｒ２には並列に可変抵抗ＶＲが接続さ
れ、該可変抵抗ＶＲには第２ゲイン調整信号ＶAGC2が供
給され、該第２調整信号ＶAGC2により可変抵抗ＶＲの抵
抗値が調整されてロウパスフィルタのカットオフ周波数
が変更され、それによりバンドパスフィルタの中心周波
数ｆｃが変更される。
Ｃ１，Ｃ２、抵抗Ｒ１，Ｒ２、可変抵抗ＶＲを含む。第
１コンデンサＣ１と第１抵抗Ｒ１とから構成されるハイ
パスフィルタと、第２コンデンサＣ２と第２抵抗Ｒ２と
から構成されるロウパスフィルタ（低域通過フィルタ：
ＬＰＦ）とを直列接続してバンドパスフィルタを構成し
ている。第２抵抗Ｒ２には並列に可変抵抗ＶＲが接続さ
れ、該可変抵抗ＶＲには第２ゲイン調整信号ＶAGC2が供
給され、該第２調整信号ＶAGC2により可変抵抗ＶＲの抵
抗値が調整されてロウパスフィルタのカットオフ周波数
が変更され、それによりバンドパスフィルタの中心周波
数ｆｃが変更される。
【０１５６】以上記述したように、本実施形態によれ
ば、以下の効果を奏する。 （１）プリアンプ１７１を構成する電流電圧変換抵抗Ｒ
FMにコンデンサＣL を接続してロウパスフィルタを構成
し、抵抗ＲFMの抵抗値を第１ＡＧＣ回路１７６により変
更するようにした。その結果、プリアンプ１７１のゲイ
ンを調整するとともに、ロウパスフィルタの周波数特性
を調整する（プリアンプ１７１のゲインを下げ、ロウパ
スフィルタの遮断周波数を高域側へシフトする）ことが
できる。
ば、以下の効果を奏する。 （１）プリアンプ１７１を構成する電流電圧変換抵抗Ｒ
FMにコンデンサＣL を接続してロウパスフィルタを構成
し、抵抗ＲFMの抵抗値を第１ＡＧＣ回路１７６により変
更するようにした。その結果、プリアンプ１７１のゲイ
ンを調整するとともに、ロウパスフィルタの周波数特性
を調整する（プリアンプ１７１のゲインを下げ、ロウパ
スフィルタの遮断周波数を高域側へシフトする）ことが
できる。
【０１５７】（２）第２ＡＧＣ回路１７７によりバンド
パスフィルタ１７３の周波数特性を調整することができ
る。以上の様々な実施の形態をまとめると、以下のよう
になる。 （付記１） 入力電流を第１の電圧信号に変換する第１
の増幅器と、該第１の電圧信号を増幅した第２の電圧信
号を出力する第２の増幅器とを備えた増幅回路におい
て、前記電圧信号に基づくゲイン調整信号を生成する第
１のゲイン調整回路と、前記ゲイン調整信号に基づいて
バイアス調整信号を生成するバイアス調整回路とを備
え、前記ゲイン調整信号にて前記第１の増幅器に備えら
れた電流電圧変換抵抗の抵抗値を調整し、前記バイアス
調整信号にて前記第１の増幅器の出力点におけるバイア
ス電流を調整することを特徴とする増幅回路。 （付記２） 前記第１の増幅器は、前記電流電圧変換抵
抗と直列に接続され該電流電圧変換抵抗にバイアス電流
を流す電流源を有し、前記バイアス調整回路は前記電流
源の電流量を調整することを特徴とする付記１記載の増
幅回路。 （付記３） 前記第１の増幅器は、前記電流電圧変換抵
抗と並列に接続された電流源を有し、該接続点が抵抗を
介して高電位電源に接続され、前記バイアス調整回路は
該電流源の電流量を調整することを特徴とする付記１記
載の増幅回路。 （付記４） 前記電流電圧変換抵抗はバイポーラトラン
ジスタまたはＭＯＳ型トランジスタを介して高電位電源
に接続され、該トランジスタの制御端子と高電位電源と
の間に接続された抵抗と、前記制御端子と低電位側電源
との間に接続された電流源とを有し、前記バイアス調整
回路は該電流源の電流量を調整することを特徴とする付
記１記載の増幅回路。 （付記５） 前記第１の増幅器は前記入力電流が大電流
のときに前記出力電圧を所定電位にクランプするクラン
プ回路を有していることを特徴とする付記１〜４のうち
の何れか一に記載の増幅回路。 （付記６） 前記第１のゲイン調整回路は、前記電圧信
号のピークレベルを保持するピークホールド回路と、前
記ピークホールド回路の出力信号を増幅してゲイン調整
信号を生成する出力回路とを有し、該出力回路は、前記
ピークホールド回路の出力信号を増幅する増幅器と、前
記電流電圧変換抵抗と同じ電気的特性を持つ可変抵抗
と、前記可変抵抗に前記ピークホールド回路の出力信号
に応じた第１の電流を流す第１の増幅器と、入力端子に
接続された抵抗の抵抗値と該抵抗に流れる第２の電流の
電流値との積を、前記可変抵抗の抵抗値と前記第１の電
流の電流値の積と等しくするように前記可変抵抗に供給
する信号を前記ゲイン調整信号として出力する増幅器と
を備えたことを特徴とする付記１〜５のうちの何れか一
に記載の増幅回路。 （付記７） 前記第１のゲイン調整回路は、前記電圧信
号のピークレベルを保持するピークホールド回路と、前
記ピークホールド回路の出力信号を増幅してゲイン調整
信号を生成する出力回路と、前記ゲインをリセットする
べく前記ピークホールド回路の保持電荷を放電する放電
回路とを有し、前記放電回路は、前記ピークホールド回
路の出力信号と基準信号とが入力された電流出力型増幅
器であり、該増幅器の出力信号が前記ピークホールド回
路の出力信号が入力される端子に帰還されることを特徴
とする付記１〜６のうちの何れか一に記載の増幅回路。 （付記８） 前記第１のゲイン調整回路は、前記電圧信
号のピークレベルを保持するピークホールド回路と、前
記ピークホールド回路の出力信号を増幅してゲイン調整
信号を生成する出力回路と、前記ゲインをリセットする
べく前記ピークホールド回路の保持電荷を放電する放電
回路とを有し、前記出力回路は、前記ピークホールド回
路の出力信号と基準信号とが入力された増幅器と、前記
電流電圧変換抵抗と並列に接続された抵抗に該増幅器の
出力信号に応じた電流を流す第１の電流源とを備え、前
記放電回路は、前記ピークホールド回路の出力端子と低
電位電源との間に接続され前記第１の電流源とカレント
ミラー接続された第２の電流源であることを特徴とする
付記１〜６のうちの何れか一に記載の増幅回路。 （付記９） 前記バイアス調整回路は、前記電流電圧変
換抵抗と同じ電気的特性を持ち、前記ゲイン調整信号に
てその抵抗値が調整される可変抵抗と、入力端子に接続
された抵抗の抵抗値と該抵抗に流れる第１の電流の電流
値との積を、前記可変抵抗の抵抗値と該可変抵抗に流れ
る第２の電流の電流値の積と等しくするように前記可変
抵抗に接続された電流源に流れる電流量を調整する信号
を前記バイアス調整信号として出力する増幅器とを備え
たことを特徴とする付記１〜８のうちの何れか一に記載
の増幅回路。 （付記１０） 前記電圧信号に基づいて前記第２の増幅
器のゲインを調整する第２のゲイン調整回路を備えたこ
とを特徴とする付記１〜９のうちの何れか一に記載の増
幅回路。 （付記１１） 前記電圧信号に基づいて第２のゲイン調
整信号を生成する第２のゲイン調整回路を備え、前記バ
イアス調整回路の出力信号と前記第２のゲイン調整信号
に基づいて前記第１の増幅器の出力点におけるバイアス
電流を調整することを特徴とする付記１〜９のうちの何
れか一に記載の増幅回路。 （付記１２） 前記第１及び第２の増幅器の間に挿入接
続された帯域通過フィルタと、前記電圧信号に基づいて
前記帯域通過フィルタの周波数特性を調整する第２のゲ
イン調整回路とを備えたことを特徴とする付記１〜９の
うちの何れか一に記載の増幅回路。 （付記１３） 前記電流電圧変換抵抗にコンデンサを接
続して低域通過フィルタを構成したことを特徴とする付
記１〜１２のうちの何れか一に記載の増幅回路。 （付記１４） 前記第２のゲイン調整回路は、前記第１
のゲイン調整回路によるゲイン調整の限界付近から動作
を開始することを特徴とする付記１０〜１３のうちの何
れか一に記載の増幅回路。 （付記１５） 信号光を受ける第１の受光素子と、前記
第１の受光素子に流れる受信電流が前記入力電流として
供給される付記１〜１４のうちの何れか一に記載の増幅
回路を含む受信回路とをモールドしてなる光通信装置で
あって、前記信号光の一部を受ける第２の受光素子を備
え、前記増幅回路は、前記第２の受光素子に流れる電流
に基づいて前記第１の増幅器を含むゲインを調整するべ
く第２のゲイン調整信号を生成する第２のゲイン調整回
路を備えたことを特徴とする光通信装置。 （付記１６） 前記第２の受光素子は、前記信号光が照
射される非素子形成領域と半導体基板により形成される
ダイオードであることを特徴とする付記１５記載の光通
信装置。 （付記１７） 前記第２の受光素子は、光送信用の発光
素子であり、送信信号に基づいて前記発光素子に送信電
流を供給する送信回路と、前記発光素子を通信動作に応
じて前記送信回路と前記受信回路とに切替接続する切替
回路と、を備えたことを特徴とする付記１５記載の光通
信装置。
パスフィルタ１７３の周波数特性を調整することができ
る。以上の様々な実施の形態をまとめると、以下のよう
になる。 （付記１） 入力電流を第１の電圧信号に変換する第１
の増幅器と、該第１の電圧信号を増幅した第２の電圧信
号を出力する第２の増幅器とを備えた増幅回路におい
て、前記電圧信号に基づくゲイン調整信号を生成する第
１のゲイン調整回路と、前記ゲイン調整信号に基づいて
バイアス調整信号を生成するバイアス調整回路とを備
え、前記ゲイン調整信号にて前記第１の増幅器に備えら
れた電流電圧変換抵抗の抵抗値を調整し、前記バイアス
調整信号にて前記第１の増幅器の出力点におけるバイア
ス電流を調整することを特徴とする増幅回路。 （付記２） 前記第１の増幅器は、前記電流電圧変換抵
抗と直列に接続され該電流電圧変換抵抗にバイアス電流
を流す電流源を有し、前記バイアス調整回路は前記電流
源の電流量を調整することを特徴とする付記１記載の増
幅回路。 （付記３） 前記第１の増幅器は、前記電流電圧変換抵
抗と並列に接続された電流源を有し、該接続点が抵抗を
介して高電位電源に接続され、前記バイアス調整回路は
該電流源の電流量を調整することを特徴とする付記１記
載の増幅回路。 （付記４） 前記電流電圧変換抵抗はバイポーラトラン
ジスタまたはＭＯＳ型トランジスタを介して高電位電源
に接続され、該トランジスタの制御端子と高電位電源と
の間に接続された抵抗と、前記制御端子と低電位側電源
との間に接続された電流源とを有し、前記バイアス調整
回路は該電流源の電流量を調整することを特徴とする付
記１記載の増幅回路。 （付記５） 前記第１の増幅器は前記入力電流が大電流
のときに前記出力電圧を所定電位にクランプするクラン
プ回路を有していることを特徴とする付記１〜４のうち
の何れか一に記載の増幅回路。 （付記６） 前記第１のゲイン調整回路は、前記電圧信
号のピークレベルを保持するピークホールド回路と、前
記ピークホールド回路の出力信号を増幅してゲイン調整
信号を生成する出力回路とを有し、該出力回路は、前記
ピークホールド回路の出力信号を増幅する増幅器と、前
記電流電圧変換抵抗と同じ電気的特性を持つ可変抵抗
と、前記可変抵抗に前記ピークホールド回路の出力信号
に応じた第１の電流を流す第１の増幅器と、入力端子に
接続された抵抗の抵抗値と該抵抗に流れる第２の電流の
電流値との積を、前記可変抵抗の抵抗値と前記第１の電
流の電流値の積と等しくするように前記可変抵抗に供給
する信号を前記ゲイン調整信号として出力する増幅器と
を備えたことを特徴とする付記１〜５のうちの何れか一
に記載の増幅回路。 （付記７） 前記第１のゲイン調整回路は、前記電圧信
号のピークレベルを保持するピークホールド回路と、前
記ピークホールド回路の出力信号を増幅してゲイン調整
信号を生成する出力回路と、前記ゲインをリセットする
べく前記ピークホールド回路の保持電荷を放電する放電
回路とを有し、前記放電回路は、前記ピークホールド回
路の出力信号と基準信号とが入力された電流出力型増幅
器であり、該増幅器の出力信号が前記ピークホールド回
路の出力信号が入力される端子に帰還されることを特徴
とする付記１〜６のうちの何れか一に記載の増幅回路。 （付記８） 前記第１のゲイン調整回路は、前記電圧信
号のピークレベルを保持するピークホールド回路と、前
記ピークホールド回路の出力信号を増幅してゲイン調整
信号を生成する出力回路と、前記ゲインをリセットする
べく前記ピークホールド回路の保持電荷を放電する放電
回路とを有し、前記出力回路は、前記ピークホールド回
路の出力信号と基準信号とが入力された増幅器と、前記
電流電圧変換抵抗と並列に接続された抵抗に該増幅器の
出力信号に応じた電流を流す第１の電流源とを備え、前
記放電回路は、前記ピークホールド回路の出力端子と低
電位電源との間に接続され前記第１の電流源とカレント
ミラー接続された第２の電流源であることを特徴とする
付記１〜６のうちの何れか一に記載の増幅回路。 （付記９） 前記バイアス調整回路は、前記電流電圧変
換抵抗と同じ電気的特性を持ち、前記ゲイン調整信号に
てその抵抗値が調整される可変抵抗と、入力端子に接続
された抵抗の抵抗値と該抵抗に流れる第１の電流の電流
値との積を、前記可変抵抗の抵抗値と該可変抵抗に流れ
る第２の電流の電流値の積と等しくするように前記可変
抵抗に接続された電流源に流れる電流量を調整する信号
を前記バイアス調整信号として出力する増幅器とを備え
たことを特徴とする付記１〜８のうちの何れか一に記載
の増幅回路。 （付記１０） 前記電圧信号に基づいて前記第２の増幅
器のゲインを調整する第２のゲイン調整回路を備えたこ
とを特徴とする付記１〜９のうちの何れか一に記載の増
幅回路。 （付記１１） 前記電圧信号に基づいて第２のゲイン調
整信号を生成する第２のゲイン調整回路を備え、前記バ
イアス調整回路の出力信号と前記第２のゲイン調整信号
に基づいて前記第１の増幅器の出力点におけるバイアス
電流を調整することを特徴とする付記１〜９のうちの何
れか一に記載の増幅回路。 （付記１２） 前記第１及び第２の増幅器の間に挿入接
続された帯域通過フィルタと、前記電圧信号に基づいて
前記帯域通過フィルタの周波数特性を調整する第２のゲ
イン調整回路とを備えたことを特徴とする付記１〜９の
うちの何れか一に記載の増幅回路。 （付記１３） 前記電流電圧変換抵抗にコンデンサを接
続して低域通過フィルタを構成したことを特徴とする付
記１〜１２のうちの何れか一に記載の増幅回路。 （付記１４） 前記第２のゲイン調整回路は、前記第１
のゲイン調整回路によるゲイン調整の限界付近から動作
を開始することを特徴とする付記１０〜１３のうちの何
れか一に記載の増幅回路。 （付記１５） 信号光を受ける第１の受光素子と、前記
第１の受光素子に流れる受信電流が前記入力電流として
供給される付記１〜１４のうちの何れか一に記載の増幅
回路を含む受信回路とをモールドしてなる光通信装置で
あって、前記信号光の一部を受ける第２の受光素子を備
え、前記増幅回路は、前記第２の受光素子に流れる電流
に基づいて前記第１の増幅器を含むゲインを調整するべ
く第２のゲイン調整信号を生成する第２のゲイン調整回
路を備えたことを特徴とする光通信装置。 （付記１６） 前記第２の受光素子は、前記信号光が照
射される非素子形成領域と半導体基板により形成される
ダイオードであることを特徴とする付記１５記載の光通
信装置。 （付記１７） 前記第２の受光素子は、光送信用の発光
素子であり、送信信号に基づいて前記発光素子に送信電
流を供給する送信回路と、前記発光素子を通信動作に応
じて前記送信回路と前記受信回路とに切替接続する切替
回路と、を備えたことを特徴とする付記１５記載の光通
信装置。
【０１５８】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
ゲインを調整しバイアス電位を安定させることができる
増幅回路及び光通信装置を提供することができる。
ゲインを調整しバイアス電位を安定させることができる
増幅回路及び光通信装置を提供することができる。
【図１】 第一実施形態の光受信アンプのブロック回路
図である。
図である。
【図２】 自動ゲイン調整回路の回路図である。
【図３】 自動バイアス調整回路の回路図である。
【図４】 光通信装置の概略構成図である。
【図５】 第一実施形態の動作波形図である。
【図６】 別の自動ゲイン調整回路の回路図である。
【図７】 別の自動ゲイン調整回路の回路図である。
【図８】 別の自動ゲイン調整回路の回路図である。
【図９】 図８の動作波形図である。
【図１０】 別の自動ゲイン調整回路の回路図である。
【図１１】 第二実施形態の光受信アンプのブロック回
路図である。
路図である。
【図１２】 第三実施形態の光受信アンプのブロック回
路図である。
路図である。
【図１３】 第四実施形態の光受信アンプのブロック回
路図である。
路図である。
【図１４】 第五実施形態の光受信アンプのブロック回
路図である。
路図である。
【図１５】 第六実施形態の光受信アンプのブロック回
路図である。
路図である。
【図１６】 第七実施形態の光受信アンプのブロック回
路図である。
路図である。
【図１７】 別の光通信装置の概略構成図である。
【図１８】 第八実施形態の光受信アンプのブロック回
路図である。
路図である。
【図１９】 プリアンプ回路とバンドパスフィルタの回
路図である。
路図である。
【図２０】 第一従来例の光受信アンプのブロック回路
図である。
図である。
【図２１】 第二従来例の光受信アンプのブロック回路
図である。
図である。
４１ 第１の増幅器としてのプリアンプ
４２ 第２の増幅器としてのメインアンプ
４４ ゲイン調整回路
４５ バイアス調整回路
ＶABC バイアス調整信号
ＶAGC ゲイン調整信号
ＶAGC2 第２のゲイン調整信号
ＶFM 第１の電圧信号
ＶRP 第２の電圧信号
ＰＤ 第１の受光素子としてのフォトダイオード
ＤP 第２の受光素子としてのダイオード
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０４Ｂ 10/26
10/28
Ｆターム(参考） 5J092 AA01 AA56 CA00 CA81 FA10
FA17 HA02 HA19 HA25 HA26
HA29 HA44 KA03 KA05 KA07
KA12 KA17 KA19 KA21 KA23
KA38 KA42 KA44 MA01 MA11
TA01 TA06 UL02 UL07
5J100 JA01 LA00 LA13 QA01 SA02
5J500 AA01 AA56 AC00 AC81 AF10
AF17 AH02 AH19 AH25 AH26
AH29 AH44 AK03 AK05 AK07
AK12 AK17 AK19 AK21 AK23
AK38 AK42 AK44 AM01 AM11
AT01 AT06 LU02 LU07
5K102 AA52 MA02 MB17 MC25 MD01
MD03 RD01 RD02 RD05
Claims (9)
- 【請求項１】 入力電流を第１の電圧信号に変換する第
１の増幅器と、該第１の電圧信号を増幅した第２の電圧
信号を出力する第２の増幅器とを備えた増幅回路におい
て、 前記電圧信号に基づくゲイン調整信号を生成する第１の
ゲイン調整回路と、 前記ゲイン調整信号に基づいてバイアス調整信号を生成
するバイアス調整回路とを備え、 前記ゲイン調整信号にて前記第１の増幅器に備えられた
電流電圧変換抵抗の抵抗値を調整し、前記バイアス調整
信号にて前記第１の増幅器の出力点におけるバイアス電
流を調整することを特徴とする増幅回路。 - 【請求項２】 前記第１のゲイン調整回路は、前記電圧
信号のピークレベルを保持するピークホールド回路と、
前記ピークホールド回路の出力信号を増幅してゲイン調
整信号を生成する出力回路と、前記ゲインをリセットす
るべく前記ピークホールド回路の保持電荷を放電する放
電回路とを有し、 前記放電回路は、前記ピークホールド回路の出力信号と
基準信号とが入力された電流出力型増幅器であり、該増
幅器の出力信号が前記ピークホールド回路の出力信号が
入力される端子に帰還されることを特徴とする請求項１
記載の増幅回路。 - 【請求項３】 前記バイアス調整回路は、 前記電流電圧変換抵抗と同じ電気的特性を持ち、前記ゲ
イン調整信号にてその抵抗値が調整される可変抵抗と、 入力端子に接続された抵抗の抵抗値と該抵抗に流れる第
１の電流の電流値との積を、前記可変抵抗の抵抗値と該
可変抵抗に流れる第２の電流の電流値の積と等しくする
ように前記可変抵抗に接続された電流源に流れる電流量
を調整する信号を前記バイアス調整信号として出力する
増幅器とを備えたことを特徴とする請求項１記載の増幅
回路。 - 【請求項４】 前記電圧信号に基づいて前記第２の増幅
器のゲインを調整する第２のゲイン調整回路を備えたこ
とを特徴とする請求項１〜３のうちの何れか一項記載の
増幅回路。 - 【請求項５】 前記第１及び第２の増幅器の間に挿入接
続された帯域通過フィルタと、 前記電圧信号に基づいて前記帯域通過フィルタの周波数
特性を調整する第２のゲイン調整回路とを備えたことを
特徴とする請求項１〜３のうちの何れか一項記載の増幅
回路。 - 【請求項６】 前記電流電圧変換抵抗にコンデンサを接
続して低域通過フィルタを構成したことを特徴とする請
求項１〜５のうちの何れか一項記載の増幅回路。 - 【請求項７】 前記第２のゲイン調整回路は、前記第１
のゲイン調整回路によるゲイン調整の限界付近から動作
を開始することを特徴とする請求項４〜６のうちの何れ
か一項記載の増幅回路。 - 【請求項８】 信号光を受ける第１の受光素子と、前記
第１の受光素子に流れる受信電流が前記入力電流として
供給される請求項１〜７のうちの何れか一に記載の増幅
回路を含む受信回路とをモールドしてなる光通信装置で
あって、 前記信号光の一部を受ける第２の受光素子を備え、 前記増幅回路は、前記第２の受光素子に流れる電流に基
づいて前記第１の増幅器を含むゲインを調整するべく第
２のゲイン調整信号を生成する第２のゲイン調整回路を
備えたことを特徴とする光通信装置。 - 【請求項９】 前記第２の受光素子は、前記信号光が照
射される非素子形成領域と半導体基板により形成される
ダイオードであることを特徴とする請求項８記載の光通
信装置。
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|---|---|---|---|
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