JP7132301B2 - 調整可能な入力範囲を有するトランスインピーダンス増幅器 - Google Patents
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Description
本出願は、「調整可能な入力範囲を有するトランスインピーダンス増幅器」と題された、2019年9月25日に出願された米国特許出願第62/905,772号に関連しており、その開示は参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
第1の増幅回路であって、前記シングルエンド電流入力に基づいて前記第1の増幅回路によって生成された第1の増幅器出力を提供するための出力を有する第1の増幅回路と、
出力オフセット電流を生成するように構成された出力オフセット電流生成回路と、
第1の入力および第2の入力を含む差動入力を有する第2の増幅回路であって、
前記第1の増幅器出力に基づく信号を前記第1の入力で受信することと、
前記出力オフセット電流に基づく信号を前記第2の入力で受信することとに基づき、前記差動電圧出力を生成するように構成された第2の増幅回路と、
前記第1の増幅回路の前記出力に結合され、さらに、前記出力オフセット電流に基づいて前記第1の増幅器出力の最小電圧値または最大電圧値の一方を設定するように構成された制御信号に結合されたクランプ回路と、を備える、システムを提供する。
本開示のシステム、方法、およびデバイスは、各々、いくつかの革新的な態様を有し、それらのうちの1つも、本明細書に開示されるすべての望ましい属性に単独で責任を負うものではない。本明細書に記載の主題の1つ以上の実装態様の詳細が、以下の説明および添付の図面に記載される。
本明細書で提案されるプログラマブルクランプ回路を使用して実現される調整可能な入力範囲を有する多段TIAを示す目的で、まず、多段TIAが使用され得る設定、ならびにそのようなTIAが使用されるときに作用し得る現象を理解することが有用であり得る。以下の基礎情報は、本開示が適切に説明され得る根拠として見なされ得る。そのような情報は、説明の目的のためにのみ提供され、したがって、本開示の広範な範囲およびその潜在的な用途を何らかの方法で限定すると解釈されるべきではない。
図3は、I0=0に対する増幅器A2の例示的入力波形の例示310および増幅器A2の例示的出力波形の例示320を提供する。例示310の実線312は、I0=0のときに増幅器A2の負入力IN-に提供される信号を示す。例示310の破線314は、I0=0のときに増幅器A2の正入力IN+に提供される信号を示す。例示320の実線322は、I0=0のときに増幅器A2の負出力OUT-に提供される信号を示す。例示320の破線324は、I0=0のときの増幅器A2の正出力OUT+に提供される信号を示す。
前述が示すように、出力オフセット電流I0は、増幅器A2の入力線形範囲のより良い利用を可能にする電圧を差動増幅器A2の正入力で生成するために、レプリカ増幅器A1に提供され得る。上述したように、最適出力オフセット電流I0optは、増幅器A0の出力の線形範囲の半分、すなわち、上記式(1)によって規定される線形範囲電流の半分に等しくし得、これにより、増幅器A2の正入力に最適電圧VREFoptがもたらされ、最適電圧は、上記式(2)に従って、Vmin,A0とVmax,A0の平均である。さまざまな実施形態において、本明細書に記載のごとき増幅器A0、A1、およびA2を有するTIA104の構成は、異なるADC(または入力として増幅器A2からの差動出力を受け取る他の異なる電子部品)と共に使用され得、異なるADCは異なる入力範囲を有し得、結果的に、多段TIA104の第2の段は異なる入力範囲を有し得る。加えて、差動ADCの入力範囲がTIAの入力範囲よりも小さい場合、TIAの入力範囲は、TIAの出力がADCの入力範囲を超えないように制限されるべきである。したがって、最適出力オフセット電流I0optの値は、多段TIA104の実装態様に応じて変化し得る。したがって、多段TIAは、出力オフセット電流I0が、外部信号、例えば外部電圧信号によって制御され得るように構成され得る。そのような電圧信号は、デジタル-アナログ変換器(DAC)からの出力として、またはそのような制御信号を生成するのに好適な任意の他の回路によって提供され得る。次いで、電圧-電流変換器を使用して、外部電圧信号を出力オフセット電流I0に変換し得る。
VCLHI=Vout,A1+dV、 (4)
式中、用語VCLHIの略語「CLHI」は、電圧VCLHIが高圧(HI)クランプ(CL)電圧であることを示す。式(4)は、以下のように書き換えられ得る。
VCLLO=Vout,A1-dV。 (8)
式(8)は、以下のように書き換えられ得る。
本明細書に記載のごとき調整可能な入力範囲を有する多段TIAは、任意の種類のシステムで使用され得る。そのようなシステムの1つの実施例を、本開示のいくつかの実施形態による、例示的レーザー測距、例えばLIDARシステム1200のブロック図を提供する図12に示す。図12に示されたように、システム1200は、送信器信号チェーン1210、受信器信号チェーン1230、プロセッサ1250、およびコントローラ1260を含み得る。場合によっては、受信器信号チェーン1230は、送信器信号チェーン1210とは別個に実装することができる。図12に示されたように、送信器信号チェーン1210は、デジタル-アナログ変換器(DAC)1212、ローパスフィルタ(LPF)1214、プログラマブル利得増幅器(PGA)1216、レーザードライバ1218、およびレーザー1220を含み得る。受信器チェーン1230は、光学センサ、例えばフォトダイオード(PD)1232、トランスインピーダンス増幅器(TIA)1234、LPF1236、アナログ-デジタル変換器(ADC)ドライバ1238、およびADC1240を含み得る。場合によっては、受信器チェーンは、TIA1234とLPF1236との間に結合されたPGAを含むことができる。そのようなPGAは、ADCドライバ1238の代わりに、またはそれに加えて実装され得る。
以下の段落は、本明細書に開示されたさまざまな実施形態の実施例を提供する。
本明細書で説明された原理および利点は、TIA出力の制限が行われる必要があり得る任意のデバイスに使用することができる。例えば、本開示の態様は、さまざまな測距システムに実装することができる。例えば、本開示の態様は、例えば、自動車LIDAR、産業LIDAR、宇宙LIDAR、軍事LIDARなどの任意の適切なLIDARシステムに実装することができる。LIDARシステムは、受信器または送信器および受信器を含むことができる。LIDARシステムは、自動車などの車両、無人飛行マシンなどのドローン、自律型ロボット、または宇宙車両と統合することができる。LIDARシステムは、レーザー光を発光および/または受光することができる。LIDARシステムは、3次元感知用途に使用することができる。LIDARシステムは、拡張現実技術と共に使用することができる。さらに、本開示の態様は、さまざまな電子デバイスに実装することができる。電子デバイスの例としては、これらに限定されないが、電子製品、集積回路などの電子製品の部品、自動車エレクトロニクスなどの車両エレクトロニクスなどを挙げることができる。さらに、電子デバイスは、未仕上げ製品を含むことができる。
1220 レーザー
1238 ADCドライバ
1250 プロセッサ
1260 コントローラ
1302 プロセッサ
1308 ローカルメモリ
1310 大容量記憶装置
1312 入力デバイス
1314 出力デバイス
1316 ネットワークアダプタ
1318 アプリケーション
Claims (18)
- シングルエンド電流入力を差動電圧出力に変換するように構成された、システムであって、
第1の増幅回路であって、前記シングルエンド電流入力に基づいて前記第1の増幅回路によって生成された第1の増幅器出力を提供するための出力を有する第1の増幅回路と、
出力オフセット電流を生成するように構成された出力オフセット電流生成回路であって、前記出力オフセット電流は、プロセス、電圧および温度の変動にわたって前記第1の増幅器出力を追跡するものであり、前記差動電圧出力は、前記出力オフセット電流に基づく、出力オフセット電流生成回路と、
第1の入力および第2の入力を含む差動入力を有する第2の増幅回路であって、
前記第1の増幅器出力に基づく信号を前記第1の入力で受信することと、
前記出力オフセット電流に基づく信号を前記第2の入力で受信することとに基づき、前記差動電圧出力を生成するように構成された第2の増幅回路と、
前記第1の増幅回路の前記出力に結合され、さらに、前記出力オフセット電流に基づいて前記第1の増幅器出力の最小電圧値または最大電圧値の一方を設定するように構成された制御信号に結合されたクランプ回路であって、
前記第1の増幅回路は、第1のトランジスタと第2のトランジスタとを含み、前記クランプ回路は、第3のトランジスタを含み、
前記第1のトランジスタ、前記第2のトランジスタ、および前記第3のトランジスタの各々は、第1の端子、第2の端子、および第3の端子を含み、
前記第3のトランジスタの前記第1の端子は前記第2のトランジスタの前記第3の端子に結合され、
前記最小電圧値または前記最大電圧値の一方は、前記第3のトランジスタの前記第1の端子の電圧と前記第3の端子の電圧との間の電圧差に基づき、前記第3の端子の電圧は、前記出力オフセット電流と前記第2のトランジスタの前記第1の端子の電圧と前記第3の端子の電圧との電圧差に基づく、クランプ回路と、を備える、システム。 - 前記第2のトランジスタの前記第1の端子は前記第1の増幅回路の前記出力に結合され、
前記第1の増幅回路は、前記シングルエンド電流入力を前記第1のトランジスタの前記第3の端子で受け取るように構成され、
前記第1のトランジスタの前記第2の端子は前記第2のトランジスタの前記第3の端子に結合されている、請求項1に記載のシステム。 - 制御電圧信号は前記最大電圧値を設定し、
前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタの各々はN型トランジスタであり、
前記第3のトランジスタはP型トランジスタである、請求項2に記載のシステム。 - 前記制御信号は、前記第1の増幅回路および前記クランプ回路のための正電源電圧に基づく、請求項3に記載のシステム。
- 制御電圧信号は最小電圧値を設定し、
前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタの各々はP型トランジスタであり、
前記第3のトランジスタはN型トランジスタである、請求項2に記載のシステム。 - 前記制御信号は、前記第1の増幅回路および前記クランプ回路のための負電源電圧に基づく、請求項5に記載のシステム。
- 前記制御信号は、前記第1のトランジスタの前記第1の端子と前記第3の端子との間の電圧差にさらに基づいて、前記第1の増幅器出力の前記最小電圧値または前記最大電圧値の一方を設定するように構成されている、請求項2に記載のシステム。
- 前記制御信号は、前記第1のトランジスタの前記第3の端子に結合された第1の端子を有し、かつ前記第2のトランジスタの前記第1の端子に結合された第2の端子を有するフィードバック構成要素の抵抗にさらに基づいて、前記第1の増幅器出力の前記最小電圧値または前記最大電圧値の一方を設定するように構成されている、請求項2に記載のシステム。
- 前記第1のトランジスタ、前記第2のトランジスタ、および前記第3のトランジスタのうちのバイポーラトランジスタである任意のトランジスタについて、前記第1の端子はエミッタ端子であり、前記第2の端子はコレクタ端子であり、前記第3の端子はベース端子である、請求項2に記載のシステム。
- 前記第1のトランジスタ、前記第2のトランジスタ、および前記第3のトランジスタのうちの電界効果トランジスタ(FET)である任意のトランジスタについて、前記第1の端子はソース端子であり、前記第2の端子はドレイン端子であり、前記第3の端子はゲート端子である、請求項2に記載のシステム。
- 前記制御信号は制御電圧信号である、請求項1に記載のシステム。
- 前記制御信号は制御電流信号である、請求項1に記載のシステム。
- 前記システムは、アナログ-デジタル変換器のドライバである、請求項1に記載のシステム。
- シングルエンド電流入力を差動電圧出力に変換するように構成された、システムであって、
前記シングルエンド電流入力を受け取り、前記シングルエンド電流入力に基づいてシングルエンド出力を生成するように構成された第1の段と、
最大電圧値が出力オフセット電流に基づく場合、前記シングルエンド出力が前記最大電圧値を超えたときに、
あるいは最小電圧値が前記出力オフセット電流に基づく場合、前記シングルエンド出力が前記最小電圧値を下回ったときに、前記シングルエンド出力をクランプすることによって、クランプされたシングルエンド出力を生成するように構成されたクランプ回路であって、前記出力オフセット電流は、プロセス、電圧および温度の変動にわたって前記シングルエンド出力を追跡するものであり、前記差動電圧出力は、前記出力オフセット電流に基づく、クランプ回路と、
第2の段であって、
前記クランプされたシングルエンド出力に基づく信号を前記第2の段の差動入力の第1の入力として受信し、
前記出力オフセット電流に基づく信号を前記第2の段の前記差動入力の第2の入力として受信し、
前記差動入力に基づいて前記差動電圧出力を生成するように構成されている第2の段と、を含み、
前記第1の段は、第1のトランジスタと第2のトランジスタとを含み、前記クランプ回路は、第3のトランジスタを含み、
前記第1のトランジスタ、前記第2のトランジスタ、および前記第3のトランジスタの各々は、第1の端子、第2の端子、および第3の端子を含み、
前記第3のトランジスタの前記第1の端子は前記第2のトランジスタの前記第3の端子に結合され、
前記最小電圧値または前記最大電圧値の一方は、前記第3のトランジスタの前記第1の端子の電圧と前記第3の端子の電圧との間の電圧差に基づき、前記第3の端子の電圧は、前記出力オフセット電流と前記第2のトランジスタの前記第1の端子の電圧と前記第3の端子の電圧との電圧差に基づく、システム。 - 前記シングルエンド出力、前記クランプされたシングルエンド出力、および前記出力オフセット電流に基づく信号の各々は、電圧信号である、請求項14に記載のシステム。
- 前記第1の段は、
前記シングルエンド電流入力を受け取るための入力を有し、かつ前記シングルエンド出力を提供するための出力を有する増幅器と、
前記増幅器の前記入力に結合された第1の端子を有し、かつ前記増幅器の前記出力に結合された第2の端子を有する、フィードバック抵抗器と、を含む、請求項14に記載のシステム。 - 前記出力オフセット電流を生成するように構成された回路をさらに備える、請求項14に記載のシステム。
- 前記回路は、制御電圧に結合され、前記回路は、前記制御電圧に基づいて前記出力オフセット電流を生成するように構成された電圧-電流変換器である、請求項17に記載のシステム。
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---|---|---|---|---|
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JP2009212702A (ja) | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Sharp Corp | 受光増幅回路、光ピックアップ装置および光ディスク装置 |
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