JP2003317942A

JP2003317942A - エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法、電子機器

Info

Publication number: JP2003317942A
Application number: JP2002126630A
Authority: JP
Inventors: Hidekazu Kobayashi; 英和小林
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2002-04-26
Filing date: 2002-04-26
Publication date: 2003-11-07

Abstract

(57)【要約】【課題】缶（封止体）の剥がれを防止したエレクトロ
ルミネッセンス装置とその製造方法、及びこのエレクト
ロルミネッセンス装置を表示手段として用いた電子機器
を提供する。【解決手段】一方の面にエレクトロルミネッセンス素
子部３を形成した基板２と、エレクトロルミネッセンス
素子部３を囲んで設けられた接着剤４を介して、基板２
に接着された封止体５とを有したエレクトロルミネッセ
ンス装置１。基板２および封止体５のうちの少なくとも
一方が、その接着剤４との接合箇所の少なくとも一部
に、粗面部８を有している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
ッセンス（以下、ＥＬという）装置と、その製造方法、
並びに電子機器に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＥＬ装置として、例えば有機ＥＬ装置で
は、有機ＥＬ素子の信頼性向上や長寿命化を図るため、
有機ＥＬ素子部を構成する発光層や電極を水分（湿気）
や酸素などの雰囲気ガスから確実に遮断することが重要
とされている。このような水分（湿気）や酸素などを遮
断する封止技術としては、缶封止と呼ばれる方法が従来
より知られている。

【０００３】この缶封止は、ガラスや金属などからなる
封止体を、有機ＥＬ素子部を形成した基板の素子形成面
に接着剤を用いて貼着することにより、水分（湿気）や
酸素などを遮断し、有機ＥＬ素子部を封止する技術であ
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
缶封止の技術では、特に基板として多数の有機ＥＬ素子
部を形成した多数個取りの大判のものを用いた場合、缶
封止後この大判の基板を個々に分割するべくスクライブ
を行うが、その際、ストレスによって缶（封止体）が基
板から剥がれてしまうといった不都合が生じていた。す
なわち、スクライブ工程では、回転する超硬刃によって
基板に深い溝を形成し、その後、この溝で割ることによ
り、個々の基板に分割している。しかしながら、溝形成
後基板を割る際に、この基板にかかるストレスにより、
前述したように缶（封止体）が基板から剥がれてしまう
のである。

【０００５】このような剥がれを防止するため、従来で
は例えば接着剤にカップリング剤等を加え、接着剤の接
着力を高めていた。しかしながら、単にカップリング剤
等を加えただけでは十分な接着力が得られず、前記の缶
の剥がれを確実に防止するまでには至っていない。ま
た、缶の接着力を高めるため、接着剤の接着面積（接着
幅）を広くすることも考えられるが、その場合には広く
した分その表示領域が狭くなり、表示装置としての機能
を低下させることになってしまう。

【０００６】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、缶（封止体）の剥がれを
防止したエレクトロルミネッセンス装置とその製造方
法、及びこのエレクトロルミネッセンス装置を表示手段
として用いた電子機器を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、一方の面に
エレクトロルミネッセンス素子部を形成した基板と、前
記エレクトロルミネッセンス素子部を囲んで設けられた
接着剤を介して、前記基板に接着された封止体と、を有
し、前記基板および封止体のうちの少なくとも一方が、
その接着剤との接合箇所の少なくとも一部に、粗面部を
有することを特徴としている。

【０００８】このエレクトロルミネッセンス装置によれ
ば、基板および封止体のうちの少なくとも一方の接着剤
接合箇所に粗面部を有しているので、この粗面部に接着
する接着剤がいわゆるアンカー効果などによって接着力
が高まっていることにより、基板と封止体との接着力を
高めることができ、したがって基板からの封止体の剥が
れを防止することができる。

【０００９】また、前記エレクトロルミネッセンス装置
においては、前記基板および封止体の両方に、粗面部が
形成されているのが好ましい。このようにすれば、接着
力がより一層高まることにより、基板からの封止体の剥
がれをより確実に防止することができる。

【００１０】また、前記エレクトロルミネッセンス装置
においては、前記基板および封止体が共に略矩形状であ
り、これら略矩形状の角部に粗面部が形成されているの
が好ましい。このようにすれば、略矩形状の基板と封止
体との接着力がより効果的に高められることにより、基
板からの封止体の剥がれをより確実に防止することがで
きる。

【００１１】また、前記エレクトロルミネッセンス装置
においては、封止体の内面の、前記接着剤に囲まれた位
置に凹部が形成され、この凹部内に少なくとも乾燥剤ま
たは脱酸素剤のいずれか一方が設けられているのが好ま
しい。このようにすれば、乾燥剤または脱酸素剤によっ
て水分または酸素が吸収されることにより、エレクトロ
ルミネッセンス素子部の劣化すなわち、寿命低下を抑え
ることができる。

【００１２】本発明のエレクトロルミネッセンス装置の
製造方法は、エレクトロルミネッセンス素子部を形成し
た基板の一方の面に、接着剤を介して封止部材を接着
し、エレクトロルミネッセンス装置を製造する方法であ
って、前記基板および封止体のうちの少なくとも一方
の、接着剤との接合箇所の少なくとも一部を粗面化処理
する工程、を備えてなることを特徴としている。

【００１３】このエレクトロルミネッセンス装置の製造
方法によれば、基板および封止体のうちの少なくとも一
方の接着剤接合箇所に粗面化処理をするので、この粗面
化処理部に接着する接着剤がいわゆるアンカー効果など
によって接着力が高まることにより、基板と封止体との
接着力を高めることができ、したがって基板からの封止
体の剥がれを防止することができる。

【００１４】また、前記エレクトロルミネッセンス装置
の製造方法においては、前記基板および封止体の両方
に、粗面化処理するのが好ましい。このようにすれば、
接着力がより一層高まることにより、基板からの封止体
の剥がれをより確実に防止することができる。

【００１５】また、前記エレクトロルミネッセンス装置
の製造方法においては、前記基板および封止体が共に略
矩形状であり、これら略矩形状の角部に粗面化処理する
のが好ましい。このようにすれば、略矩形状の基板と封
止体との接着力がより効果的に高められることにより、
基板からの封止体の剥がれをより確実に防止することが
できる。

【００１６】また、前記エレクトロルミネッセンス装置
の製造方法においては、前記封止体を基板に接着するに
先立ち、該封止体の内面の、前記接着剤に囲まれる位置
に凹部を形成しておき、この凹部内に少なくとも乾燥剤
または脱酸素剤のいずれか一方を設ける工程、を備えて
いるのが好ましい。このようにすれば、乾燥剤または脱
酸素剤によって水分または酸素を吸収することにより、
エレクトロルミネッセンス素子部の劣化すなわち、寿命
低下を抑えることができる。

【００１７】また、前記エレクトロルミネッセンス装置
の製造方法においては、前記の粗面化処理をサンドブラ
スト加工で行うのが好ましい。このようにすれば、例え
ばガラスなどからなる基板または封止体を容易に粗面化
処理することができ、したがって接着剤の接着力を高め
て基板からの封止体の剥がれを容易に防止することがで
きる。

【００１８】また、前記エレクトロルミネッセンス装置
の製造方法においては、前記の粗面化処理をエッチング
処理で行うのが好ましい。このようにすれば、基板また
は封止体を容易に粗面化処理することができ、したがっ
て接着剤の接着力を高めて基板からの封止体の剥がれを
容易に防止することができる。

【００１９】また、前記エレクトロルミネッセンス装置
の製造方法においては、粗面化処理を型成形で行うのが
好ましい。このようにすれば、例えば金属などからなる
封止体を容易に粗面化処理することができ、したがって
接着剤の接着力を高めて基板からの封止体の剥がれを容
易に防止することができる。

【００２０】本発明の電子機器は、前記エレクトロルミ
ネッセンス装置、あるいは前記製造方法によって得られ
たエレクトロルミネッセンス装置を表示手段とすること
を特徴としている。この電子機器によれば、基板からの
封止体の剥がれが防止されたエレクトロルミネッセンス
装置を表示手段としているので、品質が安定した良好な
ものとなる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳しく説明する。
図１は本発明のエレクトロルミネッセンス装置を有機Ｅ
Ｌパネルなどの有機ＥＬ装置に適用した場合の一実施形
態例を示す図であり、図１において符号１は有機ＥＬ装
置（エレクトロルミネッセンス装置）である。この有機
ＥＬ装置１は、基板２と、この基板２の一方の面に形成
された有機ＥＬ素子部（エレクトロルミネッセンス素子
部）３と、接着剤４を介して前記基板２の一方の面に接
着された封止体５とから概略構成されたものである。

【００２２】基板２としては、ガラスや石英、樹脂等の
透明ないし半透明の材料からなる矩形状のものが好適に
用いられる。すなわち、有機ＥＬ素子では後述する発光
層から発光した光を基板２側から取り出す場合が多いた
め、この基板２としては透明ないし半透明のものが好適
に用いられるのである。ただし、発光した光を基板２と
反対の側から取り出す構成とすることもでき、その場合
には基板２は透明であっても不透明であってもよい。な
お、透明性を有し、さらに水分（湿気）や酸素などの遮
断性（非ガス透過性）を有していることから、ガラスを
用いるのが好ましい。

【００２３】この基板２上に形成される有機ＥＬ素子部
３は、低温ポリシリコンＴＦＴなどの駆動素子部の上
に、陽極、有機ＥＬ層、陰極（いずれも図示せず）が積
層され、構成されたものである。図２、図３はこのよう
な有機ＥＬ素子部の一例の概略構成を説明するための図
であり、これらの図において符号７０は有機ＥＬ素子部
である。この有機ＥＬ素子部７０は、回路図である図２
に示すように透明の表示基板上に、複数の走査線１３１
と、これら走査線１３１に対して交差する方向に延びる
複数の信号線１３２と、これら信号線１３２に並列に延
びる複数の共通給電線１３３とがそれぞれ配線されたも
ので、走査線１３１及び信号線１３２の各交点毎に、画
素（画素領域素）７１が設けられて構成されたものであ
る。

【００２４】信号線１３２に対しては、シフトレジス
タ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを
備えるデータ側駆動回路７２が設けられている。一方、
走査線１３１に対しては、シフトレジスタ及びレベルシ
フタを備える走査側駆動回路７３が設けられている。ま
た、画素領域７１の各々には、走査線１３１を介して走
査信号がゲート電極に供給されるスイッチング薄膜トラ
ンジスタ１４２と、このスイッチング薄膜トランジスタ
１４２を介して信号線１３２から供給される画像信号を
保持する保持容量ｃａｐと、保持容量ｃａｐによって保
持された画像信号がゲート電極に供給されるカレント薄
膜トランジスタ１４３と、このカレント薄膜トランジス
タ１４３を介して共通給電線１３３に電気的に接続した
ときに共通給電線１３３から駆動電流が流れ込む画素電
極１４１と、この画素電極１４１と反射電極１５４との
間に挟み込まれる発光部１４０と、が設けられている。

【００２５】このような構成のもとに、走査線１３１が
駆動されてスイッチング薄膜トランジスタ１４２がオン
となると、そのときの信号線１３２の電位が保持容量ｃ
ａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、カ
レント薄膜トランジスタ１４３のオン・オフ状態が決ま
る。そして、カレント薄膜トランジスタ１４３のチャネ
ルを介して共通給電線１３３から画素電極１４１に電流
が流れ、さらに発光部１４０を通じて反射電極１５４に
電流が流れることにより、発光部１４０は、これを流れ
る電流量に応じて発光するようになる。ここで、各画素
７１の平面構造は、反射電極や有機ＥＬ素子を取り除い
た状態での拡大平面図である図３に示すように、平面形
状が長方形の画素電極１４１の四辺が、信号線１３２、
共通給電線１３３、走査線１３１及び図示しない他の画
素電極用の走査線によって囲まれた配置となっている。

【００２６】接着剤４は、図１に示したように例えばマ
イクロディスペンサ等によって基板２の周囲に環状に塗
布され、硬化せしめられたもので、これにより前記有機
ＥＬ素子部３（７０）を囲むものである。また、この接
着剤４は、基板２と封止体（封止缶）５とを気密に接合
するもので、これら基板２と封止体５との間から有機Ｅ
Ｌ素子部３（７０）に水分（湿気）や酸素が侵入するの
を防ぎ、有機ＥＬ素子部３を構成する発光層や電極を水
分（湿気）や酸素などの雰囲気ガスから確実に遮断し、
その酸化を防止するためのものである。このような接着
剤４としては、熱硬化樹脂や紫外線硬化樹脂等が用いら
れ、特に熱硬化樹脂であるエポキシ樹脂が好適に用いら
れる。

【００２７】封止体５は、ステンレス、アルミニウム又
はその合金等の金属類、ソーダ石灰ガラス、珪酸塩ガラ
ス等のガラス類、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂等の
樹脂類などによって形成された平面視矩形状のものであ
る。この封止体５には、その内面、すなわち有機ＥＬ素
子部３と対向する側の面の、前記接着剤４に囲まれた位
置に凹部６が形成されており、この凹部６内には乾燥剤
７が設けられている。凹部６は、その開口形状が正方形
あるいは矩形に形成されたもので、内壁が開口側に向け
て拡がるテーパ形状となったものである。

【００２８】乾燥剤７としては、接着剤４によって囲ま
れた封止空間内の雰囲気下で吸湿効果を発揮するもので
あれば、特に限定されることはなく種々のものが使用可
能であり、例えば酸化ナトリウム（Ｎａ₂ Ｏ）、酸化カ
リウム（Ｋ₂ Ｏ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化バ
リウム（ＢａＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、硫酸
リチウム（Ｌｉ₂ ＳＯ₄ ）、硫酸ナトリウム（Ｎａ₂ Ｓ
Ｏ₄ ）、硫酸カルシウム（ＣａＳＯ₄ ）、硫酸マグネシ
ウム（ＭｇＳＯ₄ ）、硫酸コバルト（ＣｏＳＯ ₄ ）、硫
酸ガリウム（Ｇａ₂ （ＳＯ₄ ）₃ ）、硫酸チタン（Ｔｉ
（ＳＯ₄ ）₂ ）、硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ₄ ）、塩化カ
ルシウム（ＣａＣｌ₂ ）、塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ
₂ ）、塩化ストロンチウム（ＳｒＣｌ₂ ）、塩化イット
リウム（ＹＣｌ₃ ）、塩化銅（ＣｕＣｌ₂ ）、フッ化セ
シウム（ＣｓＦ）、フッ化タンタル（ＴａＦ₅ ）、フッ
化ニオブ（ＮｂＦ₅ ）、臭化カルシウム（ＣａＢｒ
₂ ）、臭化セリウム（ＣｅＢｒ₃ ）、臭化セレン（Ｓｅ
Ｂｒ₄ ）、臭化バナジウム（ＶＢｒ₂ ）、臭化マグネシ
ウム（ＭｇＢｒ₂ ）、ヨウ化バリウム（ＢａＩ₂ ）、ヨ
ウ化マグネシウム（ＭｇＩ₂ ）、過塩素酸バリウム（Ｂ
ａ（ＣｌＯ₄ ）₂ ）、過塩素酸マグネシウム（Ｍｇ（Ｃ
ｌＯ₄ ）₂ ）等が挙げられる。また、凹部６内に脱酸素
剤を設けてもよい。脱酸素剤としては、活性炭、シリカ
ゲル、活性アルミナ、モレキュラーシーブ、酸化マグネ
シウム、酸化鉄、酸化チタン等が挙げられる。乾燥剤の
み、脱酸素剤のみ、を設けてもよいし、これらの両方を
設けてもよい。または、酸化マグネシウムのように乾燥
と脱酸素の両方の機能を兼ね備える材料を設けてもよ
い。これらの乾燥剤、脱酸素剤が設けられる場所は、封
止体５の凹部内のみに限られず、基板２と封止体５の間
にできる空間のどこかであればよい。

【００２９】また、前記基板２および封止体５には、そ
れぞれその接着剤４との接合箇所に、粗面化処理されて
なる粗面部８が形成されている。ここで、基板２および
封止体５の接着剤４との接合箇所は、いずれもその外
形、すなわち矩形状の外周に沿った環状となっている。
粗面部８は、基板２と封止体５とのうちのいずれか一方
にのみ形成されていてもよいが、両方に形成されている
のが好ましい。また、粗面部８の形成箇所としては、接
着剤４との接合箇所の全域とするのが好ましいものの、
特に基板２側では、図４に示すように端子部分９からの
配線引き込み領域１０を除く位置とするのが好ましい。
また、このように接着剤４との接合箇所の全域に粗面部
８を形成することなく、矩形環状の接合箇所の角部、す
なわちその四隅にのみ粗面部８を形成するようにしても
よい。

【００３０】次に、このような構成の有機ＥＬ装置１の
製造方法に基づき、本発明の製造方法の一例を説明す
る。なお、本例では、基板としてそれぞれ複数個取りの
大判のものを用い、これに封止体５を接着した後ブレイ
クすることにより、個々に分割して有機ＥＬ装置を製造
するようにしている。まず、大判の基板２として、予め
その一方の面、すなわち有機ＥＬ素子部３を形成する側
の面の所定位置に、粗面化処理を施して図５（ａ）に示
すように粗面部８を形成する。また、封止体５について
も、その所定位置に粗面化処理を施して粗面部８を形成
する。

【００３１】基板２および封止体５への粗面部８の形成
方法としては、特に限定されることなく従来公知の種々
の方法が採用可能であり、基板２や封止体５の材質等に
応じて例えばサンドブラスト加工やエッチング処理法、
型成形法が好適に採用される。サンドブラスト加工は、
砂等の砥粒を被加工面に衝突させて加工する方法であ
り、被加工面に対してノズルから砥粒を噴射させつつ該
ノズルあるいは被加工体（基板２または封止体５）を移
動させることにより、所望パターンの粗面部８を形成す
るようにした方法である。エッチング処理法は、反応性
イオンエッチングなどのドライエッチングや、被加工体
の材質に応じた薬品を用いるウエットエッチングなどで
ある。特にウエットエッチングを採用した場合には、こ
れによって形成される粗面が、図６に示すように形成さ
れた凹部１１がその深部において広がった状態となるこ
とにより、後述するように接着剤のアンカー効果が高く
なり、好ましい。なお、このようなエッチング処理法で
は、マスクとして通常のレジスト膜などが用いられる。
また、このようなレジスト膜からなるマスクについて
は、前記のサンドブラスト加工でも用いることができ
る。型成形法は、基板２あるいは封止体５を型成形する
際、予め型に粗面化処理部を形成しておき、この粗面化
処理部の粗面状態を成形後の基板あるいは封止体５に転
写する方法である。

【００３２】このようにして基板２および封止体５にそ
れぞれ（あるいは一方のみに）粗面部８を形成したら、
基板２に対しては有機ＥＬ素子部３を形成し、また封止
体５に対してはその凹部６に乾燥剤７を設ける。乾燥剤
７を封止体５に設ける方法としては、例えば真空蒸着法
やスピンコート法、インクジェット法などの成膜法や塗
布法（付着法）、あるいはシート上に形成された乾燥剤
を貼り付ける方法などが採用可能である。

【００３３】次いで、ディスペンサによる塗布やスクリ
ーン印刷により、図５（ｂ）に示すように基板２の外周
部の所定箇所に接着剤４を設ける。なお、この接着剤４
の配置箇所には前記の粗面部８が含まれている。ここ
で、接着剤４による接着力を安定させるためには、接着
剤４の硬化後の幅を管理する必要がある。接着剤４の塗
布量については塗布時に精度良く管理することができる
ため、加圧後の接着剤厚さを管理することにより、硬化
後の接着剤の幅を管理することができる。加圧後の接着
剤の厚さを管理するための方法としては、接着剤４中に
適宜な粒径のギャップ材をいれることで行うことができ
る。なお、粗面部８を形成したことにより、後述するよ
うに接着剤４による接着力が高くなることから、接着剤
４の硬化後の幅を、従来より狭くすることも可能であ
る。

【００３４】次いで、この基板２を処理チャンバー（図
示せず）に入れてステージ（図示せず）上に載せ、さら
に図５（ｃ）に示すようにこれの上に封止体５を位置決
めしたうえで載せる。このとき、予め処理チャンバー内
を高濃度の窒素雰囲気にし、水分や酸素の濃度が例えば
１００ｐｐｍ以下となるようにしておき、これによって
接着剤４等で封止される封止空間に水分や酸素が極力入
り込まないようにする。

【００３５】このようにして基板２上に複数の封止体５
（あるいは大判の封止体）を載せ、さらにこれらを加圧
装置（図示せず）によって加圧することにより、接着剤
４を所定の厚さになるように押し潰す。次いで、加熱
し、あるいは紫外線を照射することなどにより、接着剤
４を硬化させる。その後、従来と同様にしてスクライブ
工程で基板２をスクライブし、図１に示した個々の有機
ＥＬ装置１を得る。

【００３６】このような製造方法にあっては、基板２お
よび封止体５のうちの少なくとも一方の接着剤接合箇所
に、粗面化処理をして粗面部８を形成するので、この粗
面部８に接着する接着剤４がいわゆるアンカー効果など
によって接着力が高まることにより、基板２と封止体５
との接着力を高めることができる。したがって、例えば
スクライブ工程において基板２を個々に分割した際にス
トレスがかかっても、基板２と封止体５との接着力が高
められていることにより、基板２から封止体５が剥がれ
るのを防止することができる。また、このように接着剤
４による接着力が高くなることから、接着剤４の硬化後
の幅を、従来より狭くすることもでき、その場合に表示
領域を従来より広くし、あるいは装置の小型化を図るこ
とができる。

【００３７】また、基板２および封止体５の両方に、粗
面化処理して粗面部８を形成すれば、接着力をより一層
高めることができ、したがって基板２からの封止体５の
剥がれをより確実に防止することができる。また、基板
２および封止体５のそれぞれの接着剤接合箇所を粗面化
処理しない場合にも、特にその四隅、すなわち矩形の各
角部に粗面化処理すれば、基板２と封止体５との接着力
をより効果的に高めることができ、したがって基板２か
らの封止体５の剥がれをより確実に防止することができ
る。

【００３８】また、封止体５の凹部６内に乾燥剤７を設
けているので、乾燥剤７によって水分を吸収することに
より、有機ＥＬ素子部３の劣化すなわち、寿命低下を抑
えることができる。また、粗面化処理をサンドブラスト
加工で行う場合には、例えばガラスなどからなる基板２
や封止体５を容易に粗面化処理することができ、したが
って接着剤４の接着力を容易に高めることができる。粗
面化処理をエッチング処理で行う場合にも、基板２や封
止体５を容易に粗面化処理することができる。また、特
にウエットエッチングで粗面化処理を行えば、図５に示
したように表面に形成した凹部１１の深部を広げた状態
にすることができ、これにより接着剤４のアンカー効果
を一層高めて基板２からの封止体５の剥がれを確実に防
止することができる。また、粗面化処理を型成形で行う
場合には、例えば金属などからなる封止体５を容易に粗
面化処理することができ、したがって接着剤の接着力を
容易に高めることができる。

【００３９】なお、本発明は前記実施形態例に限定され
ることなく、本発明の要旨を逸脱しない限り種々の変更
が可能である。例えば、前記例の製造方法では、基板２
として複数個取りの大判のものを用いた例を示したが、
単一のパネルに対応した基板を用い、有機ＥＬ装置１を
個々に製造するようにしてもよい。また、前記の実施形
態では、本発明エレクトロルミネッセンス装置を有機Ｅ
Ｌ装置に適用した場合について説明したが、他に例え
ば、無機ＥＬ装置に適用することもできる。

【００４０】次に、本発明の電子機器について説明す
る。本発明の電子機器は、前記のエレクトロルミネッセ
ンス装置、例えば図１に示した有機ＥＬ装置を表示手段
として用いたものである。図７（ａ）は、携帯電話の一
例を示した斜視図である。図７（ａ）において、５００
は携帯電話本体を示し、５０１は前記の有機ＥＬ装置か
らなる表示装置（表示手段）を示している。図７（ｂ）
は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一
例を示した斜視図である。図７（ｂ）において、６００
は情報処理装置、６０１はキーボードなどの入力部、６
０３は情報処理本体、６０２は前記の有機ＥＬ装置から
なる表示装置（表示手段）を示している。図７（ｃ）
は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図
７（ｃ）において、７００は時計本体を示し、７０１は
前記の有機ＥＬ装置からなる表示装置（表示手段）を示
している。図７（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、前記
の有機ＥＬ装置を表示装置（表示手段）として用いたも
のであるので、この表示装置が基板からの封止体の剥が
れが防止されたものとなっていることにより、品質が安
定した良好なものとなる。

【００４１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のエレクト
ロルミネッセンス装置およびその製造方法によれば、基
板および封止体のうちの少なくとも一方の接着剤接合箇
所に粗面部を形成したので、この粗面部に接着する接着
剤がいわゆるアンカー効果などによって接着力が高まる
ことにより、基板と封止体との接着力を高めることがで
き、したがって基板からの封止体の剥がれを防止するこ
とができる。また、接着剤による接着力が高くなること
から、接着剤の硬化後の幅を従来より狭くすることもで
き、その場合に表示領域を従来より広くし、あるいは装
置の小型化を図ることができる。

【００４２】本発明の電子機器によれば、基板からの封
止体の剥がれが防止されたエレクトロルミネッセンス装
置を表示手段としているので、品質が安定した良好なも
のとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のエレクトロルミネッセンス装置を有
機ＥＬ装置に適用した場合の一実施形態例の、概略構成
を示す側断面図である。

【図２】有機ＥＬ素子部の回路図である。

【図３】図２に示した有機ＥＬ素子部における画素部
の平面構造を示す拡大平面図である。

【図４】粗面部の形成箇所を説明するための基板の平
面図である。

【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の有機ＥＬ装置の
製造方法の一例を工程順に説明するための要部側断面図
である。

【図６】ウエットエッチングによって粗面化処理を行
ったときの粗面の状態を説明するための要部側断面拡大
図である。

【図７】本発明の電子機器の具体例を示す図であり、
（ａ）は携帯電話に適用した場合の一例を示す斜視図、
（ｂ）は情報処理装置に適用した場合の一例を示す斜視
図、（ｃ）は腕時計型電子機器に適用した場合の一例を
示す斜視図である。

【符号の説明】

１…有機ＥＬ装置（エレクトロルミネッセンス装置）２…基板３…有機ＥＬ素子部（エレクトロルミネッセンス素子
部）４…接着剤５…封止体６…凹部７…乾燥剤８…粗面部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一方の面にエレクトロルミネッセンス素
子部を形成した基板と、前記エレクトロルミネッセンス素子部を囲んで設けられ
た接着剤を介して、前記基板に接着された封止体と、を有し、前記基板および封止体のうちの少なくとも一方が、その
接着剤との接合箇所の少なくとも一部に、粗面部を有す
ることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】前記基板および封止体の両方に、粗面部
が形成されていることを特徴とする請求項１記載のエレ
クトロルミネッセンス装置。
【請求項３】前記基板および封止体が共に略矩形状で
あり、これら略矩形状の角部に粗面部が形成されている
ことを特徴とする請求項１又は２記載のエレクトロルミ
ネッセンス装置。
【請求項４】封止体の内面の、前記接着剤に囲まれた
位置に凹部が形成され、この凹部内に少なくとも乾燥剤
または脱酸素剤のいずれか一方が設けられていることを
特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のエレクトロ
ルミネッセンス装置。
【請求項５】エレクトロルミネッセンス素子部を形成
した基板の一方の面に、接着剤を介して封止部材を接着
し、エレクトロルミネッセンス装置を製造する方法であ
って、前記基板および封止体のうちの少なくとも一方の、接着
剤との接合箇所の少なくとも一部を粗面化処理する工
程、を備えてなることを特徴とするエレクトロルミネッセン
ス装置の製造方法。
【請求項６】前記粗面化処理する工程は、基板および
封止体の両方に粗面化処理することを特徴とする請求項
５記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項７】前記基板および封止体が共に略矩形状で
あり、前記粗面化処理する工程は、これら略矩形状の角
部に粗面化処理することを特徴とする請求項５又は６記
載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項８】前記封止体を基板に接着するに先立ち、
該封止体の内面の、前記接着剤に囲まれる位置に凹部を
形成しておき、この凹部内に少なくとも乾燥剤または脱
酸素剤のいずれか一方を設ける工程、を備えていること
を特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載のエレクト
ロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項９】前記の粗面化処理をサンドブラスト法で
行うことを特徴とする請求項５〜８のいずれかに記載の
エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１０】前記の粗面化処理をエッチング処理で
行うことを特徴とする請求項５〜８のいずれかに記載の
エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１１】前記の粗面化処理を型成形で行うこと
を特徴とする請求項５〜８のいずれかに記載のエレクト
ロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１２】請求項１〜４のいずれかに記載のエレ
クトロルミネッセンス装置、あるいは請求項５〜１１の
いずれかに記載の製造方法によって得られたエレクトロ
ルミネッセンス装置を表示手段とする電子機器。