JP2003317219A

JP2003317219A - 磁気記録媒体及びその製造方法

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Publication number: JP2003317219A
Application number: JP2002118979A
Authority: JP
Inventors: Yasuyoshi Sato; 泰美佐藤; Jota Ito; 条太伊藤
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2002-04-22
Filing date: 2002-04-22
Publication date: 2003-11-07
Also published as: US7241471B2; US20030215671A1; US7217468B2; US20040240111A1

Abstract

(57)【要約】【課題】酸素を導入しながら、金属磁性薄膜を形成す
る真空蒸着プロセスによって得られる磁気記録媒体およ
びその製造方法において、ＡＩＴ３フォーマットに適用
できる低ノイズでありながら高出力が得られる高記録容
量の磁気記録媒体並びにその製造方法を提供する。【解決手段】真空蒸着プロセスを適用して非磁性支持
体の走行速度を１５０ｍ／ｍｉｎ以上、２００ｍ／ｍｉ
ｎ以下の範囲に制御し、連続的に高速走行させながら該
非磁性支持体上に酸素ガスの導入下、Ｃｏ金属磁性薄膜
を設け、該Ｃｏ金属磁性薄膜の保磁力Ｈｃを１００ｋＡ
／ｍ以上、１１５ｋＡ／ｍ以下とし、かつ角型比Ｒｓを
０．７９以上とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ミニコンピュータ
やパーソナルコンピュータなどのオフィスコンピュータ
やその他の各種用途におけるコンピュータの記憶媒体、
特に外部記憶媒体として用いられる大容量の磁気テープ
に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ミニコンピュータ、パーソナルコ
ンピュータなどのオフィスコンピュータの普及に伴っ
て、外部記憶媒体としてコンピュータデータを記録する
ための磁気テープ、いわゆるテープストリーマーの研究
が盛んに行われている。このような用途の磁気テープの
実用化に際しては、特にコンピュータの小型化、情報処
理能力の増大と相まって記録の大容量化、小型化を達成
するために記録容量の向上が強く要求されている。ま
た、磁気テープの使用環境の広がりによる幅広い環境条
件下、特に変動の激しい温湿度条件下などでの使用、デ
ータ保存に対する信頼性、更に高速での繰り返し使用に
よる多数回走行におけるデータの安定した記録、読み出
し等の性能に対する信頼性なども従来にも増して要求さ
れている。

【０００３】一般に、磁気テープは、合成樹脂などの可
撓性材料の非磁性支持体上に磁性層が設けられた構成で
ある。そして、上述したような用途に対応する大きな記
録容量（体積記録容量）を達成するためには、磁性層を
強磁性の金属磁性薄膜にすることにより磁性層自体の記
録密度を高めると共に、磁気テープの全厚を薄くするこ
とが有効な方法であるとされている。すなわち、磁気テ
ープとしては、非磁性支持体上に金属磁性薄膜を成膜し
た、いわゆる蒸着テープが有効である。

【０００４】このような金属磁性薄膜を成膜した蒸着テ
ープの非磁性支持体としては、一般にポリエステル、主
としてポリエチレンテレフタレートフィルムが用いられ
ている。特に、ホームビデオカセットテープ、例えば８
ｍｍテープに用いられる非磁性支持体としては、厚さ７
〜１０μｍ程度のポリエチレンテレフタレートフィルム
が用いられ、コンピュータのデータバックアップ用のテ
ープストリーマーには厚さ５〜７μｍ程度のポリエチレ
ンフィルムが用いられている。また、ビデオテープに使
用される磁気記録媒体の記録時間を延長するための方法
としては、例えば、特開平６−２１５３５０号公報に記
載されるように、非磁性支持体としてポリエステルを主
成分とし、更に具体的にはポリエチレンナフタレートを
用いるのが望ましいとされている。しかし、ビデオカセ
ットテープの長時間記録化、テープストリーマーの大容
量化に対して、更に記録媒体の厚さを薄くすることが要
求されている。

【０００５】また、昨今の情報量の増大化に伴い、テー
プストリーマーにおいても、大容量化が要求されており
磁気記録密度の向上、すなわち記録波長の短波長化、狭
トラックピッチ化が強く要求されている。しかしなが
ら、短波長化、狭トラックピッチ化はともに出力やＳ／
Ｎの低下ををもたらすため、ヘッド性能向上とともにテ
ープのさらなる高出力化、高Ｓ／Ｎ化が要求されてい
る。

【０００６】８ｍｍ幅の蒸着テープを記録媒体として使
用するテープストリーマーフォーマットとして、テープ
ストレージの主要規格の一つにＡＩＴ（Advanced Inte
lligent Tape：ソニー株式会社が開発した規格およびテ
ープドライブの名称）があるが、この規格において、次
世代フォーマットとしてＡＩＴ３（１００ＧＢ／巻程
度）が出現している。このＡＩＴ３規格では、従来のＡ
ＩＴ２（５０ＧＢ／巻程度）に対して更に高容量化が求
められ、トラックピッチを従来の半分に狭めることで２
倍の高容量化を実現するものであるが、この高容量化に
伴って従来のＡＩＴ２より更に高出力のテープが求めら
れている。

【０００７】高容量磁気テープとして、例えばＣｏのよ
うな強磁性金属あるいはその合金からなる蒸着薄膜が形
成された記録媒体が用いられるが、上記のような高出力
化に対応するものとして、金属磁性薄膜を磁性層として
形成する際に、その製造工程、すなわち蒸着プロセスで
酸素を導入する方法がある。このような非磁性支持体上
に酸素を導入しながら金属磁性体、例えばＣｏを蒸着す
る方法としては、図１に例示するような連続巻取り式真
空蒸着装置１０を用いて蒸着を行うことができる。図１
中、非磁性支持体１は、連続的に巻き出しロール２から
供給され、酸素導入管４から供給される微量の酸素の存
在下に金属磁性体３（Ｃｏ）が該非磁性支持体１の表面
に蒸着して金属磁性薄膜が形成され、巻き取り取りロー
ル５で巻き取られる。このように酸素を導入することに
よって、蒸着時に成長するＣｏ結晶が微細化され残留磁
化Ｍｒが大きくなって出力が向上する。

【０００８】しかし、上記のような酸素導入下でＣｏの
蒸着を行う場合、導入酸素量があまり少ないと結晶の微
細化が進行せず、このため金属磁性薄膜からなる磁性層
の出力は低下し、ノイズが大きくなるという問題があ
る。一方、導入酸素量が多過ぎると、微細化が進み低ノ
イズとなるとともに抗磁力、すなわち保持力Ｈｃの上昇
によって自己減磁が減少して高出力となるが、その出力
増加には極大値があり、高出力化の限界がある。出力の
極大値に対応する酸素量以上に導入量を増加させて保磁
力Ｈｃを大きくすると、逆に残留磁化Ｍｒが低下して出
力が低下するという問題がある。

【０００９】また、導入酸素によって磁性膜表面には酸
化膜が生じるが、この酸化膜は導入酸素量の少ない方が
薄くなり高出力に繋がる。しかし、前述のように酸素量
が少ないと蒸着金属磁性体（Ｃｏ）の微細化が進まず、
出力の低下を生じるというように相反する方向に働く。

【００１０】上記のように酸素導入により非磁性支持体
上に金属磁性薄膜を形成する磁気テープの場合、保磁力
Ｈｃと残留磁化Ｍｒとに関する特性を両立し、低ノイ
ズ、すなわち高Ｓ／Ｎで高出力を達成することが課題と
なっていた。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な問題点に鑑みなされたもので、その目的は酸素を導入
しながら、金属磁性薄膜を形成する真空蒸着プロセスに
よって得られる磁気記録媒体の前記問題点を解決し、保
磁力Ｈｃを維持しつつ、残留磁化Ｍｒを向上して、低ノ
イズでありながら、高出力が得られる高記録容量の磁気
記録媒体並びにその製造方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は前記のような技
術的背景に基づいて創案されたものであり、酸素ガスの
導入下に金属磁性体の蒸着を行う真空蒸着プロセスを適
用して、非磁性支持体上に連続的に金属磁性薄膜からな
る磁性層を設けるに際して、該非磁性支持体を従来より
も高速で走行させながら、金属磁性体を蒸着させるため
の出力を調整することにより、金属結晶の微細化と、磁
性膜の酸化度とを制御し、これによって保磁力Ｈｃと角
型比Ｒｓとの特性を適性な値に制御することができ、低
ノイズ化と高出力化とを可能とすることを見出し本発明
に到達した。なお角型比Ｒｓは、残留磁化Ｍｒと飽和磁
化Ｍｓとの比（Ｍｒ／Ｍｓ）で表され、残留磁化Ｍｒの
大きさに直接関わる特性である。また、金属磁性体には
合金を含むが、特にＣｏやＣｏ合金が本発明の磁気記録
媒体として有用である。

【００１３】請求項１の発明は、非磁性支持体上に少な
くとも金属磁性薄膜からなる磁性層を設けた蒸着型の磁
性記録媒体であって、前記金属磁性薄膜の保磁力Ｈｃが
１００ｋＡ／ｍ以上、１１５ｋＡ／ｍ以下であり、かつ
角型比Ｒｓが０．７９以上であることを特徴とする磁気
記録媒体である。

【００１４】請求項２の発明は、前記非磁性支持体がポ
リアミドフィルムであることを特徴とする請求項１に記
載の磁気記録媒体である。

【００１５】請求項３の発明は、前記磁気記録媒体が磁
気記録システムのＡＩＴ３フォーマットに対応した記録
媒体であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録
媒体である。

【００１６】請求項１〜３によれば、酸素ガスの導入下
に金属磁性体の蒸着を行う真空蒸着プロセスによって、
蒸着された金属磁性薄膜の保磁力Ｈｃを１００ｋＡ／ｍ
以上、１１５ｋＡ／ｍ以下とし、かつ角型比Ｒｓを０．
７９以上とすることができる。これによって低ノイズ化
と高出力化が達成され、次世代テープストレージの主要
規格であるＡＩＴ３フォーマット（１００ＧＢ／巻程
度）に対応できる記録周波数２Ｔ（２１．５５ＭＨｚ）
でＡＩＴ２フォーマット比＋１．５ｄＢ以上の出力が得
られる高密度の磁気記録媒体が提供される。また、非磁
性支持体としてポリアミドフィルムを使用することによ
り、高強度で磁気テープの膜厚が薄くできるため、大容
量で長時間記録の可能な磁気記録媒体が提供される。

【００１７】請求項４の発明は、非磁性支持体を連続的
に走行させながら、酸素ガスの導入下に金属磁性体の蒸
着を行う真空蒸着プロセスによって、該非磁性支持体上
に少なくとも金属磁性薄膜からなる磁性層を設け、前記
金属磁性薄膜の保磁力Ｈｃを１００ｋＡ／ｍ以上、１１
５ｋＡ／ｍ以下とし、かつ角型比Ｒｓを０．７９以上と
する磁気記録媒体の製造方法であって、前記非磁性支持
体の走行速度を１５０ｍ／ｍｉｎ以上、２００ｍ／ｍｉ
ｎ以下とすることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法
である。

【００１８】上記のように、酸素ガスの導入下に金属磁
性体の蒸着を行う真空蒸着プロセスを適用し、連続的に
走行させながら非磁性支持体上に金属磁性薄膜からなる
磁性層を設けるに際して、該非磁性支持体の走行速度を
１５０ｍ／ｍｉｎ以上、２００ｍ／ｍｉｎ以下の範囲に
制御して高速とすることにより、金属結晶の微細化が促
進されるとともに、磁性膜の酸化度が従来よりも低く制
御される。その結果、表面酸化膜の厚みが減少して隙間
損失が低減し、保磁力Ｈｃを維持しつつ、残留磁化Ｍｒ
が向上して、低ノイズでありながら高出力が得られる磁
気記録媒体の製造方法が提供される。なお、本発明にお
いては、次世代ＡＩＴフォーマットに対応できる出力
１．５ｄＢを達成するためハイレート蒸着法を導入した
結果として、磁気記録媒体の保持力Ｈｃは従来の出力最
適条件よりもやや下がる傾向にある。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、図２に示す磁気記録媒体の
構成例、図３に示す磁気記録媒体の概略製造工程フロ
ー、および各構成層の形成方法例を参考にしながら本発
明を更に説明する。なお、本発明の磁気記録媒体は、以
下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要
旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。

【００２０】図２に例示するように、本発明の磁気記録
媒体の構成は、非磁性支持体１と、この非磁性支持体１
の一主面１ａ上に成膜された金属磁性薄膜からなる磁性
層２２と、磁性層２２の表面上に成膜された保護層２３
と、非磁性支持体１の他主面１ｂ上に形成されたバック
コート層２４とからなるものである。このような構成の
磁気記録媒体は、例えば図３に示す概略製造工程フロー
に従って作製される。

【００２１】上記磁気記録媒体の非磁性支持体１として
は、合成樹脂などの可撓性材料（フィルム等）が好まし
く、特にポリアミドフィルムが好適である。このポリア
ミドフィルムを非磁性支持体１として用いた場合には、
前記ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタ
レートフィルムに比べ強度が高いため、磁気記録媒体の
厚さを薄くすることが可能であり、テープストリーマー
の大容量化への対応に適している。また、金属磁性薄膜
からなる磁性層２２としては、強磁性金属が好ましく、
特にＣｏやＣｏ合金が好ましい。以下に、各工程につい
て順に詳しく説明する。

【００２２】［磁性層の形成］前記のように本発明にお
いては、酸素ガスの導入下に金属磁性体の蒸着を行う真
空蒸着プロセスを適用して連続的に走行させながら非磁
性支持体１上に強磁性の金属磁性薄膜からなる磁性層２
２を設けるに際して、非磁性支持体１の走行速度を適正
な範囲で制御しながら従来（１００ｍ／ｍｉｎ程度）よ
りも速い走行速度で蒸着を行う。磁性層２２の形成を前
記図１に示した連続巻き取り式真空蒸着装置１０を用い
て蒸着する場合を例として説明する。非磁性支持体１と
して用いられるポリアミドフィルム（フィルム）は、巻
き出しロール２から供給され冷却キャン６の外周表面に
沿って走行し、巻き取りロール５で連続的に巻き取られ
るように装着される。この連続走行の際、電子銃８から
放射された電子によって加熱されたるつぼ７内の金属磁
性体３、例えばＣｏが蒸発して非磁性支持体１上に付着
し、磁性層２２が形成される。この磁性層２２の形成の
際に酸素導入管４から導入された酸素によって適度に酸
化され、磁性金属結晶（Ｃｏ結晶）の微細化が行われ
る。

【００２３】上記るつぼ７内の金属磁性体３、例えばＣ
ｏを蒸着させる場合、蒸着条件として、非磁性支持体１
の走行速度を従来条件よりも高速にし、電子銃８に投入
する電力量を増加して電子ビーム出力を増し、従来と同
じ厚さの金属磁性薄膜を形成すると、従来法よりもＣｏ
結晶の微細化が進むばかりでなく、より少ない膜酸化度
で出力特性の最大値が得られるとともに、出力特性を較
べると、更に高出力が得られることが判明した。なお、
出力特性は従来と同波長での比較である。上記のような
従来よりも高速度での蒸着と抑制した膜酸化度、すなわ
ち従来よりも低い膜酸化度とする制御により、磁性層の
高い出力を得る方法、いわゆる「ハイレート蒸着法」に
よって本発明の磁気記録媒体が得られる。

【００２４】このようなハイレート蒸着法によって出力
を所望の値１．５ｄＢ以上とするには、非磁性支持体１
として用いられるフィルムの走行速度は１５０ｍ／ｍｉ
ｎ以上とすることが必要であるが、好ましくは１５０ｍ
／ｍｉｎ以上、２００ｍ／ｍｉｎ以下である。１５０ｍ
／ｍｉｎよりも遅いと所望の出力１．５ｄＢ以上を得る
ことができない。走行速度が２００ｍ／ｍｉｎよりも速
いと通常の装置能力の限界を超え、所定の金属磁性薄膜
の厚さを得るのが困難となる。また、保磁力Ｈｃが１０
０ｋＡ／ｍよりも小さいか、１１５ｋＡ／ｍよりも大き
いと、出力１．５ｄＢ以上を達成することができず、角
型比Ｒｓが０．７９よりも小さいと同様に出力１．５ｄ
Ｂ以上を満足することができない。

【００２５】［保護層の形成］次に、図４に示すような
マグネトロンスパッタリング装置３０を用いて、磁性層
２２を形成したフィルム３２の磁性層２２表面に保護層
２３を形成する。すなわち、マグネトロンスパッタリン
グ装置３０内に磁性層２２が形成されたフィルム３２を
巻き出しロール３１から冷却キャン３４外周を経由して
巻き取りロール３５に到るように装着した後、真空排気
装置３９によって装置内を１０^−４Ｐａ程度に減圧し、
ガス導入管３３から例えばＡｒガス等の不活性ガスを導
入する。この際の装置内圧力は０．８Ｐａ程度に保たれ
る。次に、フィルムを−４０℃程度に冷却した冷却キャ
ン３４上を走行させながら、バッキングプレート３７上
のターゲット３６（例えば、カーボン）のスパッタリン
グによって磁性層２２上に保護膜２３を形成する。カー
ボン膜からなる保護膜２３の厚さは８ｎｍ程度とするの
が好ましい。また、走行速度は１５ｍ／分程度である。

【００２６】［バックコート層の形成］次いで、磁性層
２２が設けられた非磁性支持体１（フィルム）の一主面
１ａとは反対面の他主面１ｂ上にバックコート層２４を
形成する。バックコート層２４は、例えばカーボンとバ
インダー用の樹脂を各種溶剤で溶かした、いわゆる塗料
を用いて形成することができる。このような塗料の処方
に用いられるバインダー樹脂としては、記録媒体として
の特性を満たすものであればいずれでも用いられるが、
例えばポリエステルポリウレタンなどがある。バックコ
ート層用塗料をポリアミドフィルムの他主面１ｂ上に塗
布・乾燥することによってバックコート層２４を形成す
ることができる。

【００２７】［そり補正］バックコート層を形成した
後、図５に概略装置構成を示すようなホットロール装置
４０によって、テープのそり（カッピング）を補正する
熱処理、すなわちホットロール処理を行う。図５におい
て、ヒートロール４２は内部に加熱手段、例えば加熱誘
導コイル等を備えた直径が２５０ｍｍ程度の金属製の円
筒状ロールであり、所定の温度範囲でロールの表面温度
を自由にコントロールできるようにしてある。なお、温
度範囲としては１００℃〜３００℃程度に制御される。
巻き出しロール４１から供給された磁性層２２およびカ
ーボン保護層２３を形成済みのフィルム４４は、回転す
るヒートロール４２の表面にフィルムの磁性層２２面側
を接触させつつ走行してそりが補正され、巻き取りロー
ル４３で巻き取られる。

【００２８】［潤滑剤処理］そり補正の後、フィルム上
に形成されたカーボン保護層２３表面に潤滑剤を塗布す
る。潤滑剤としてはパーフルオロポリエーテル系などが
好ましく用いられ、塗布厚さは１０ｎｍ程度である。こ
の潤滑剤塗布により、優れた走行性、耐摩耗性、耐久性
などの特性が付与される。

【００２９】上記のような工程で非磁性支持体１のポリ
アミドフィルム上に金属磁性薄膜からなる磁性層２２、
保護層２３、バックコート層２４および潤滑剤が形成さ
れてなるテープ原反が製作される。製作されたテープ原
反を８ｍｍ幅にスリットすることにより、磁気テープが
得られる。また、磁気テープをＡＩＴカセット本体に収
納すればＡＩＴ用カセットテープが得られる。

【００３０】

【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
する。ただし、本発明はなんら実施例に限定されるもの
ではない。

【００３１】実験例１〜２６図６に示す層構成の磁気記録媒体を前記図３に示す概略
製造工程フローと同様にして作製した。すなわち図６の
磁気記録媒体は、ポリアミドフィルム（東レ株式会社
製）からなる非磁性支持体１と、この非磁性支持体１の
一主面１ａ上に成膜されたＣｏ磁性薄膜（下層）５２ａ
とＣｏ磁性薄膜（上層）５２ｂとの２層からなる磁性層
５２と、磁性層５２上に成膜されたカーボンからなる保
護層５３と、非磁性支持体１の他主面１ｂ上に形成され
たカーボンブラックからなるバックコート層５４とを備
えた構成からなるものである。上記各構成層のプロセス
条件を下記に示す。

【００３２】まず、前記図１に示す連続巻き取り式真空
蒸着装置１０を用いて、本発明のハイレート蒸着法によ
って、非磁性支持体１の一主面１ａに２層の蒸着膜を形
成した。すなわち、非磁性支持体１として幅１ｍ、長さ
１００００ｍのポリアミドフィルム（フィルム）を用
い、これを連続巻き取り式真空蒸着装置１０内に装着
し、装置内部が１０^−３Ｐａの真空状態となるように排
気した。そして、表１に示すようにフィルムの走行速度
と酸素導入量を変化させて、それぞれフィルムを連続的
に走行させながら連続真空斜め蒸着法により、フィルム
表面にＣｏ金属磁性薄膜（Ｃｏ磁性薄膜）を形成した。

【００３３】酸素は、酸素導入管１１から導入し、蒸着
の入射角はポリアミドフィルムの法線方向に対して９０
〜４５度までとし、冷却キャン６は−４０℃に温度調整
した。また、Ｃｏ磁性薄膜の厚さが常に０．１０μｍな
るように電子銃８に投入する電力を変化させ電子ビーム
の強さを調節して作製した。このような条件でＣｏ磁性
薄膜（下層）５２ａを形成した後、フィルムを巻き戻し
て、Ｃｏ磁性薄膜（下層）２ａ表面上に、前記下層と同
様の条件でＣｏ磁性薄膜（上層）２ｂを蒸着した。上層
の厚さも０．１０μｍとなるよう電子ビーム出力を調節
した。なお、フィルムの走行速度が２００ｍ／ｍｉｎを
超える場合には装置の性能上の限界により所定の金属磁
性膜厚さが得られないため、これ以上の高速度での実験
は行わなかった。

【００３４】

【表１】

【００３５】次に、上記表１の各条件で得られたそれぞ
れの蒸着フィルムの磁性層５２表面上に前記図４に示し
た構成のマグネトロンスパッタリング装置３０を用いて
ＤＣスパッタ法によりカーボン保護層５３を形成した。
スパッタリング条件は、前記実施の形態で説明したと同
様に、装置内部が１０^−４Ｐａになるまで減圧した後、
Ａｒガスを導入して０．８Ｐａに調整した。冷却キャン
の温度は−４０℃に調節し、走行速度は１５ｍ／分とし
て磁性層５２表面上にカーボン膜を厚みが８ｎｍとなる
ように制御してカーボン保護層５３を形成した。

【００３６】フィルム上に磁性層５２、保護層５３を形
成した後、下記組成からなるバックコート層用塗料を調
製し、この塗料を用いてそれぞれのフィルムのＣｏ磁性
薄膜が成膜された面とは反対側の他主面１ｂに塗布・乾
燥してカーボンを含むバックコート層５４を形成した。

【００３７】〈バックコート層用塗料組成〉カーボンブラック（旭社製：＃５０）１００重量部ポリエステルポリウレタン（＊１）１００重量部メチルエチルケトン（＊２）５００重量部トルエン（＊２）５００重量部（＊１）：ニッポラン社製：商品名Ｎ−２３０４（＊２）：溶剤

【００３８】更に、上記条件で各層が形成されたそれぞ
れのフィルム（サンプルテープ群）について前記図５に
示した構成のホットロール装置４０によって、そり（カ
ッピング）を補正するためにホットロール処理を行っ
た。条件は実施の形態で示したと同様であり、ヒートロ
ール４２の直径は２５０ｍｍの金属製円筒で、内部の加
熱誘導コイルにより１００℃〜３００℃の範囲でロール
表面温度を制御して行った。上記ホットロール処理を行
った各サンプルテープ群の保護層５３表面に、潤滑剤と
してパーフルオロポリエーテルを約１０ｎｍの厚みとな
るように塗布した。

【００３９】＜評価＞上記のようにしてポリアミドフイ
ルム製の非磁性支持体１上に磁性層５２、カーボン保護
層５３、バックコート層５４を形成し、潤滑剤を塗布し
たテープ原反を８ｍｍ幅のサンプルテープに裁断し、Ａ
ＩＴカセットに組み込んでＡＩＴ３ドライブで記録周波
数２Ｔ（２１．５５ＭＨｚ）での出力の測定を行った。
また磁気特性をＶＳＭ（振動試料型磁力計）で測定し
た。結果を表２、図７、図８に示す。なお、表２には表
１に記載の前記各非磁性支持体の走行速度を併記する。

【００４０】

【表２】

【００４１】図７において、横軸はＶＳＭで測定した保
磁力Ｈｃを示し、縦軸はＡＩＴ３の記録周波数２Ｔ（２
１．５５ＭＨｚ）における出力を示す。また、図８にお
いて、横軸はＶＳＭで測定した保磁力Ｈｃを示し、縦軸
は角型比Ｒｓを示す。ＡＩＴ３フォーマットにおいて要
求される出力は、記録周波数２Ｔ（２１．５５ＭＨｚ）
で１．５ｄＢ以上であるが、表１、図７および８から、
この出力条件を満たす範囲は非磁性支持体の走行速度を
１５０ｍ／ｍｉｎ、１７０ｍ／ｍｉｎ、２００ｍ／ｍｉ
ｎとした場合で、保磁力Ｈｃが１００ｋＡ／ｍ以上、１
１５ｋＡ／ｍ以下であり、かつ角型比Ｒｓが０．７９以
上であることが分かる。走行速度が１００ｍ／ｍｉｎ、
１３０ｍ／ｍｉｎの場合には、ＡＩＴ３フォーマットに
要求される出力１．５ｄＢが得られなかった。

【００４２】

【発明の効果】酸素ガスの導入下に強磁性金属を蒸着す
る真空蒸着プロセスにより、連続的に走行させながら非
磁性支持体上に金属磁性薄膜からなる磁性層を設けるに
際して、従来よりも高速度走行とする「ハイレート蒸着
法」を適用することによって、金属結晶の微細化が促進
されるとともに、磁性膜の酸化度が従来よりも低く制御
され、表面酸化膜の厚みが減少して隙間損失が低減す
る。前記非磁性支持体の走行速度を１５０ｍ／ｍｉｎ以
上、２００ｍ／ｍｉｎ以下とし、蒸着出力条件を適性に
制御することにより、低ノイズで高出力の得られる保磁
力Ｈｃと角型比Ｒｓが実現できる。すなわち、非磁性支
持体上に形成された金属磁性薄膜の保磁力Ｈｃを１００
ｋＡ／ｍ以上、１１５ｋＡ／ｍ以下とし、かつ角型比Ｒ
ｓを０．７９以上とすることにより、１．５ｄＢ以上の
出力が得られ、これによって次世代テープストレージの
主要規格であるＡＩＴ３フォーマット（１００ＧＢ／巻
程度）に対応できる磁気記録媒体が提供される。また、
非磁性支持体としてポリアミドフィルムを使用すること
により、高強度で磁気テープの膜厚が薄くできるため、
大容量で長時間記録の可能な磁気記録媒体が提供され
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の詳細な説明および実施例における金属
磁性薄膜からなる磁性層を形成するための連続巻き取り
式真空蒸着装置を示す模式図である。

【図２】本発明の実施の形態における磁気記録媒体を説
明するための構成例を示す層構成断面図である。

【図３】本発明の実施の形態および実施例における磁気
記録媒体の製造工程を示す概略製造工程フロー図であ
る。

【図４】本発明の実施の形態および実施例における保護
層を形成するためのマグネトロンスパッタリング装置を
示す模式図である。

【図５】本発明の実施の形態および実施例におけるそり
補正のための熱処理を施すホットロール装置概略構成を
示す模式図である。

【図６】本発明の実施例における磁気記録媒体の層構成
を示す断面図である。

【図７】本発明の実施例における磁気記録媒体の保磁力
ＨｃとＡＩＴ３フォーマットによる記録周波数２Ｔ（２
１．５５ＭＨｚ）での出力との関係を示す図である。

【図８】本発明の実施例における磁気記録媒体の保磁力
Ｈｃと角型比Ｒｓとの関係を示す図である。

【符号の説明】

１……非磁性支持体、１ａ……一主面、１ｂ……他主
面、２……巻き出しロール、３……金属磁性体、４……
酸素導入管、５……巻き取りロール、６……冷却キャ
ン、７……るつぼ、８……電子銃、１０……連続巻き取
り式真空蒸着装置、２０……磁気記録媒体、２２……磁
性層、２３……保護層、２４……バックコート層、３０
……マグネトロンスパッタリング装置、３１……巻き出
しロール、３２……フィルム、３３……ガス導入管、３
４……冷却キャン、３５……巻き取りロール、３６……
ターゲット、３７……パッキングプレート、３８……マ
グネット、３９……真空排気装置、４０……ホットロー
ル装置、４１……巻き出しロール、４２……ヒートロー
ル、４３……巻き取りロール、４４……フィルム、５０
……磁気記録媒体、５２……磁性層、５２ａ……Ｃｏ磁
性薄膜（下層）、５２ｂ……Ｃｏ磁性薄膜（上層）、５
３……カーボン保護層、５４……バックコート層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性支持体上に少なくとも金属磁性薄
膜からなる磁性層を設けた蒸着型の磁気記録媒体であっ
て、前記金属磁性薄膜の保磁力Ｈｃが１００ｋＡ／ｍ以
上、１１５ｋＡ／ｍ以下であり、かつ角型比Ｒｓが０．
７９以上であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】前記非磁性支持体がポリアミドフィルム
であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒
体。
【請求項３】前記磁気記録媒体が磁気記録システムの
ＡＩＴ３フォーマットに対応した記録媒体であることを
特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】非磁性支持体を連続的に走行させなが
ら、酸素ガスの導入下に金属磁性体の蒸着を行う真空蒸
着プロセスによって、該非磁性支持体上に少なくとも金
属磁性薄膜からなる磁性層を設け、前記金属磁性薄膜の
保磁力Ｈｃを１００ｋＡ／ｍ以上、１１５ｋＡ／ｍ以下
とし、かつ角型比Ｒｓを０．７９以上とする磁気記録媒
体の製造方法であって、前記非磁性支持体の走行速度を
１５０ｍ／ｍｉｎ以上、２００ｍ／ｍｉｎ以下とするこ
とを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。