JP2004055052A - 蒸着テープの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】次世代磁気テープの狭トラックピッチ化に対応できる、テープ長手方向に生じる収縮量が緩和されて経時においても寸法変化が小さく、オフトラック量がトラック幅の半分以下である蒸着テープの製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性支持体の一主面上に磁性層、保護層と、他主面上にバックコート層を順次形成した後、（１）ヒートロール温度：１９０〜２３０℃、ホットロール処理時の張力：１０〜３０Ｎ／ｍとする条件、または（２）巻取り時の張力：１０〜３０Ｎ／ｍ、次工程までの放置時間：７２時間以下とする条件のいずれかでテープ長手方向に生じる収縮量を緩和させつつカッピング量を矯正するホットロール処理工程を導入する。ホットロール処理工程後に非磁性支持体の一主面側および他主面側最外表面に潤滑剤を塗布する。
【選択図】　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ミニコンピュータやパーソナルコンピュータなどのオフィスコンピュータやその他の各種用途におけるコンピュータの記憶媒体、特に外部記憶媒体として用いられる大容量の蒸着テープに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ミニコンピュータ、パーソナルコンピュータなどのオフィスコンピュータの普及に伴って、外部記憶媒体としてコンピュータデータを記録するための磁気テープ、いわゆるテープストリーマーの研究が盛んに行われている。このような用途の磁気テープの実用化に際しては、特にコンピュータの小型化、情報処理能力の増大と相まって記録の大容量化、小型化を達成するために記録容量の向上が強く要求されている。一方、ビデオカセット用の磁気記録媒体としては、ビデオカセットの小型化に伴い、より一層のコンパクト化と長時間記録化が望まれている。
【０００３】
また、磁気テープの使用環境の広がりにより種々の環境条件下、特に変動の激しい温湿度条件下などでの使用における、データ保存に対する信頼性、更に高速での繰り返し使用による多数回走行におけるデータの安定した記録、読み出し等の性能に対する信頼性なども従来にも増して要求されている。
【０００４】
一般に、磁気テープは、合成樹脂などの可撓性材料の非磁性支持体上に磁性層が設けられた構成である。そして、上述したような用途に対応する大きな記録容量（体積記録容量）を達成するためには、磁性層を強磁性の金属磁性薄膜にすることにより磁性層自体の記録密度を高めると共に、磁気テープの全厚を薄くすることが有効な方法であるとされている。すなわち、磁気テープとしては、非磁性支持体上に金属磁性薄膜を成膜した、いわゆる蒸着テープが有効である。
【０００５】
このような非磁性支持体上に金属磁性薄膜を成膜した磁気テープ（蒸着テープ）において、更なる高容量化を進める手法としてテープのトラックピッチを狭めて記録密度を上げる検討が進んでおり、例えばデータストレージ用途として１００ＧＢｙｔｅを目標にした開発が行われている。
【０００６】
しかしながら、トラックピッチを狭めると蒸着テープの寸法変化に対して非常に敏感になり、記録後において蒸着テープが収縮して規定以上の寸法変化が生じた場合、再生時のヘッドトレースが正規のトラックから外れてしまうという問題（オフトラック）が発生する。この場合、記録された情報が正常に再生されず、データストレージメディアとして致命的な欠陥となってしまう。
【０００７】
ここで上記オフトラックとは、信号が記録されたテープの寸法が経時で変化した場合の記録時と再生時におけるトラックのズレ量を示す。
一般に、蒸着テープは、長手方向に張力をかけた状態で製造されるため、テープが引っ張られた状態（伸びた状態）でカセットに組み込まれる。このようにテープが伸びた状態でデータが記録されると、テープは高温環境下や長期保存により、クリープ回復で元の寸法に戻ろうとするるため、長時間経過後に記録を再生した際、記録時のトラックの角度と再生時のトラックの角度が変化する。この角度のズレを長さで表した指標がオフトラック量である。
【０００８】
これまでの知見から、オフトラック量はトラック幅の１／２程度に抑える必要がある。この範囲を超えると再生時にヘッドが正規のトラックをトレースすることができず、データを再生できなくなるという記録媒体としては致命的な状態に至る。
現在、開発が進められているテープストレージの主要規格である次世代フォーマット、例えばＡＩＴ３フォーマットでのトラック幅は５．５μｍであるため、この場合のオフトラック量は２．７５μｍ以下が必要とされ、このような非常に小さい値に抑える技術開発が求められている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記のような技術要請に応えるためになされたもので、その目的は次世代磁気テープの狭トラックピッチ化に対応できる、テープ長手方向に生じる収縮量が緩和されて経時においても寸法変化が小さく、オフトラック量がトラック幅の半分以下である蒸着テープの製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明に係る蒸着テープの製造方法は、非磁性支持体上に金属磁性薄膜が形成された後で導入される熱処理工程、すなわち、カッピング量を矯正（調整）するためにヒートロール表面上を接触走行させつつ加熱下に張力をかけてホットロール処理を施した後、張力付与下に巻取るホットロール処理工程において、下記（１）または（２）の条件で処理することにより、テープ長手方向に生じる収縮量を緩和させたものである。
（１）前記ヒートロール温度を１９０〜２３０℃とし、前記ホットロール処理時の張力を１０〜３０Ｎ／ｍとする。
（２）前記巻取り時の張力を１０〜３０Ｎ／ｍとし、次工程までの放置時間を７２時間以下とする。
以下、本発明について具体的に説明する。
【００１１】
請求項１に係る発明は、非磁性支持体上に金属磁性薄膜を有する蒸着テープを連続的に供給して、ヒートロール表面上を接触走行させつつ加熱下に張力をかけてホットロール処理を施した後、張力付与下に巻取るホットロール処理工程を備えた蒸着テープの製造方法において、前記ヒートロール温度を１９０〜２３０℃とし、前記ホットロール処理時の張力を１０〜３０Ｎ／ｍとすることを特徴とする蒸着テープの製造方法である。
【００１２】
請求項１の構成によれば、蒸着テープにシワ発生や切断などの異常を生じることなく適切なカッピング量の矯正効果が得られると共に、テープ長手方向に生じる収縮量が緩和され、経時における寸法変化も小さく、オフトラック量がトラック幅の半分以下に抑制される。これによって、長時間保管においてもデータ保存に対する信頼性が得られるほか、高速での繰り返し使用（多数回走行）におけるデータの安定した記録、読み出しが実現できる。
【００１３】
請求項２に係る発明は、非磁性支持体上に金属磁性薄膜を有する蒸着テープを連続的に供給して、ヒートロール表面上を接触走行させつつ加熱下に張力をかけてホットロール処理を施した後、張力付与下に巻取るホットロール処理工程を備えた蒸着テープの製造方法において、前記巻取り時の張力を１０〜３０Ｎ／ｍとし、次工程までの放置時間を７２時間以下とすることを特徴とする蒸着テープの製造方法である。
【００１４】
請求項２の構成によれば、蒸着テープにシワ発生や切断などの異常を生じず、また生産性を落とすことなくカッピング量の矯正が実施されると共に、テープ長手方向に生じる収縮量が緩和され、経時における寸法変化も小さく、オフトラック量がトラック幅の半分以下に抑制される。これによって、長時間保管におけるデータ保存に対する信頼性、多数回走行におけるデータの安定した記録、読み出しの信頼性が確保される。
【００１５】
請求項３に係る発明は、前記蒸着テープのオフトラック量が２．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の蒸着テープの製造方法である。
【００１６】
請求項４に係る発明は、前記蒸着テープがＡＩＴ３フォーマット対応であることを特徴とする請求項１または２に記載の蒸着テープの製造方法である。
【００１７】
前記請求項３および請求項４によれば、テープストレージの主要規格である次世代フォーマットにおけるトラック幅に対して要求されるオフトラック量を満たす蒸着テープが製造され、ＡＩＴ３フォーマットのトラック幅５．５μｍに対しても対応することができる。
【００１８】
請求項５に係る発明は、非磁性支持体の一主面上に、少なくとも金属磁性薄膜を成膜する工程と、保護層を成膜する工程と、前記非磁性支持体の金属磁性薄膜が成膜される側と反対側の他主面上にバックコート層を成膜する工程と、該金属磁性薄膜、保護層およびバックコート層が形成された前記非磁性支持体を、ヒートロール表面上を接触走行させつつ加熱下に張力をかけてホットロール処理を施し、張力付与下に巻取るホットロール処理工程とを備えた蒸着テープの製造方法であって、前記ヒートロール温度を１９０〜２３０℃とし、前記ホットロール処理時の張力を１０〜３０Ｎ／ｍとしてテープ長手方向に生じる収縮量を緩和させることを特徴とする蒸着テープの製造方法である。
【００１９】
請求項５の構成によれば、非磁性支持体上に金属磁性薄膜、保護層およびバックコート層が形成された後にホットロール処理工程が導入されるので、その後の工程で好ましくない張力や加熱などのストレスに曝されることがない。ホットロール処理工程では、ヒートロール温度とホットロール処理時の張力とを制御してホットロール処理が加えられカッピング量の矯正が行われつつ、テープ長手方向に生じる収縮量が緩和されるので、蒸着テープに異常を生じることなく経時における寸法変化の小さい蒸着テープが製造される。
【００２０】
請求項６に係る発明は、非磁性支持体の一主面上に、少なくとも金属磁性薄膜を成膜する工程と、保護層を成膜する工程と、前記非磁性支持体の金属磁性薄膜が成膜される側と反対側の他主面上にバックコート層を成膜する工程と、該金属磁性薄膜、保護層およびバックコート層が形成された前記非磁性支持体を、ヒートロール表面上を接触走行させつつ加熱下に張力をかけてホットロール処理を施し、張力付与下に巻取るホットロール処理工程とを備えた蒸着テープの製造方法であって、前記巻取り時の張力を１０〜３０Ｎ／ｍとし、次工程までの放置時間を７２時間以下としてテープ長手方向に生じる収縮量を緩和させることを特徴とする蒸着テープの製造方法である。
【００２１】
請求項６の構成によれば、非磁性支持体上に金属磁性薄膜、保護層およびバックコート層が形成された後にホットロール処理工程が導入されるので、その後の工程で好ましくない張力や加熱などのストレスに曝されることがない。ホットロール処理工程では、巻取り時の張力と次工程までの放置時間とを制御してカッピング量の矯正が行われつつ、テープ長手方向に生じる収縮量が緩和されるので蒸着テープに異常を生じることがないほか、次工程までの放置時間がコントロールされることによって、オフトラック量がトラック幅の半分以下に維持される。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明の製造方法は、非磁性支持体上に金属磁性薄膜からなる磁性層が形成された後に、適宜の製造段階で導入されるテープの反り（カッピング）を矯正するためのホットロール処理工程における処理条件を適切に制御することによって、テープ長手方向に生じる収縮量を緩和させるものである。
前述のように上記ホットロール処理工程は、非磁性支持体上に金属磁性薄膜を有する蒸着テープを連続的に供給して、ヒートロール表面上を接触走行させつつ加熱下に張力をかけてホットロール処理を施した後、張力付与下に巻取る工程からなるものである。
【００２３】
以下、図１に例示するフロー、および図２に例示する磁気記録媒体の概略断面図を参考にしながら本発明の蒸着テープの製造方法を更に説明する。なお、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他の態様が取り得る。
【００２４】
先ず、本発明における前記ホットロール処理工程は、磁性層形成後の適宜の製造段階で導入されるが、図１のフローに示す例では、図２の非磁性支持体１の一主面Ａ上に磁性層２と、保護層３とが順次形成され、更に磁性層２が形成された側と反対側の他主面Ｂ上にバックコート層４が形成された後に導入して行われる場合である。
更に、図１に示すようにホットロール処理工程後に保護層３上およびバックコート層４上に潤滑剤５が塗布されてもよい。このようにして図２に示す概略断面図の層構成からなる蒸着テープが作製される。
【００２５】
上記ホットロール処理工程のホットロール処理においては、前記のように非磁性支持体１の一主面Ａ上に磁性層２、保護層３が、他主面Ｂ上にバックコート層４が形成された媒体（被処理体）に対して、図３の概略構成図に示すような熱処理システム、すなわちホットロール装置３０を用いて加熱処理が行われる。
ホットロール装置３０は、上記構成の被処理体３１を連続走行させながら金属磁性薄膜からなる磁性層２側に熱処理を施すようになされたものであり、詳細は以下のように行われる。
【００２６】
図３において、被処理体３１が反時計回りに回転する巻出しロール３３から、反時計回りに定速回転する巻取りロール３４に向かって順次走行するようになされている。この被処理体３１が巻出しロール３３側から巻取りロール３４側に走行する中途部には、当該被処理体３１に熱処理を施すヒートロール３２が配設されている。ヒートロール３２は、例えば、直径が２５０ｍｍ程度の金属製の円筒であり、内部に加熱手段（加熱誘導コイルなど）を備え、ロール表面温度（１００〜３００℃程度の範囲）をコントロールできるようになされている。熱処理時には、ニップロール３５によって被処理体３１がヒートロール３２に密着する構成となっている。
【００２７】
また、巻出しロール３３とヒートロール３２の中途部にはガイドロール３６ａ、３６ｂ、３６ｃが配設されており、ダンサーロール３７によって、被処理体３１に適当な張力を与えつつ、円滑な走行ができるようになされている。
なお、巻出しロール３３、巻取りロール３４、ヒートロール３２、ガイドロール３６ａ、３６ｂ、３６ｃ、ダンサーロール３７は、それぞれ被処理体３１の幅と略同じ長さからなる円筒状をなすものである。
【００２８】
上記ホットロール装置３０によりホットロール処理を施した後、張力付与下に巻取ることによってホットロール処理工程が実施される。そして、このホットロール処理工程において、本発明の目的とするテープ長手方向に生じる収縮量を緩和するためには、前述のように下記（１）あるいは（２）のいずれかの条件に設定する必要がある。
（１）ヒートロール温度：１９０〜２３０℃、ホットロール処理時の張力：１０〜３０Ｎ／ｍ、
（２）巻取り時の張力：１０〜３０Ｎ／ｍ、次工程までの放置時間：７２時間以下
【００２９】
上記条件（１）の場合、ヒートロール温度が１９０〜２３０℃の範囲外では、カッピングの矯正効果が得られず、そのためカッピング量が規格を超えてしまい（規格外）、蒸着テープとしての信頼性が得られなくなってしまう。
また、ホットロール処理時の張力が１０Ｎ／ｍよりも低い場合には、テープ（非磁性支持体）の走行安定性が悪化してシワが発生したり、テープが切断したりする問題が発生する。一方、ホットロール処理時の張力が３０Ｎ／ｍよりも大きい場合には、収縮量が緩和されずオフトラック量がＡＩＴ３フォーマットで要求される２．０μｍ以下を達成できない。
【００３０】
上記条件（２）の場合、巻取り時の張力を１０〜３０Ｎ／ｍとする理由は、１０Ｎ／ｍよりも低い場合には、テープにシワが発生したり、テープが切断したりして走行安定性が悪化し、また巻取り時の張力が３０Ｎ／ｍよりも大きい場合には、収縮量が緩和されずオフトラック量が２．０μｍ以下を達成できず、ＡＩＴ３フォーマットに対応できないためである。
また、次工程までの放置時間が７２時間を超えるとオフトラック量がＡＩＴ３フォーマットで要求される２．０μｍ以下を達成できない。更に７２時間を越えるようなリードタイムでは生産性が悪化してしまい現実的な生産時間を逸脱してしまう。
【００３１】
次に、図２に示した蒸着テープの各構成層について更に詳しく説明する。
非磁性支持体１に使用される基体としては、通常、蒸着テープの基体として用いられている公知の材料を適用することができる。例えば、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレートなどのポリエステルフィルム、あるいは芳香族ポリアミドなどのポリアミドフィルムを用いることができる。なお、これらのフィルムには突起が形成され、表面粗さがコントロールされたものであってもよい。
【００３２】
また、金属磁性薄膜からなる磁性層２に用いられる材料としては、Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金等、従来公知の強磁性金属材料をいずれも使用することができ、これらの強磁性金属材料を真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空蒸着薄膜形成技術によって、上記非磁性支持体１上に被着させることで形成することができる。
例として、図４に示す連続巻取り式真空蒸着装置を用いて金属磁性薄膜からなる磁性層２を形成する場合について説明する。
【００３３】
〈連続巻取り式真空蒸着装置による磁性層の形成プロセス〉
連続巻取り式真空蒸着装置４０においては、真空室４６内に、巻出しロール４１と巻取りロール４５とが設けられており、これらの間に非磁性支持体１が順次走行するようになされている。これら巻出しロール４１と巻取りロール４５との間において、非磁性支持体１が走行する途中には、冷却キャン４７が設けられている。この冷却キャン４７には、図示しない冷却装置が設けられ、周面を走行する非磁性支持体１の温度上昇による熱変形等を抑制している。なお、真空室４６には必要によりガスを導入するためのガス導入管４８が設けられている。
【００３４】
真空室４６内には、冷却キャン４７の下方にルツボ４３が設けられており、ルツボ４３内には、強磁性金属材料４４が充填されている。一方、真空室４６の側壁部には、ルツボ４３内に充填された強磁性金属材料４４を加熱蒸発させるための電子銃４２が設けられ、これより放出される電子線Ｅの照射によって蒸発した強磁性金属材料４４が非磁性支持体１の表面に金属磁性薄膜として蒸着し、図２に示した磁性層２が形成される。
【００３５】
次に、図２に示した層構成のように磁性層２上にカーボンからなる保護層３を形成する。保護層３は、磁気ヘッドの接触による磨耗や損傷等、外部からのストレスに対して蒸着テープを保護するために設けられる。
【００３６】
この保護層３に用いる材料としては、通常の蒸着テープに使用されているものを用いることができるが、例えば硬度の高いカーボン（Ｃ）等を主体とする薄膜材料が好ましく使用できる。このようなカーボン薄膜の成膜は、真空成膜技術（マグネトロンスパッタ法、ＣＶＤ法など）によって行うことができる。
例として、図５に示すマグネトロンスパッタリング装置５０を用いてカーボンからなる保護層３を形成する場合について説明する。
【００３７】
〈マグネトロンスパッタリング装置による保護層の形成プロセス〉
図５の概略構成図に示すマグネトロンスパッタリング装置５０においては、真空室５８内に、巻出しロール５１と巻取りロール５７とが設けられ、これら巻出しロール５１と巻取りロール５７との間で、被処理テープ５２が順次走行するようになされている。
これら巻出しロール５１から巻取りロール５７に被処理テープ５２が走行する途中には、円筒状の回転可能な対向電極用の冷却キャン５３が設けられている。
【００３８】
また、真空室５８内には、冷却キャン５３と対向する位置にターゲット５４が設けられている。ターゲット５４は、図２に示す保護層４の材料となるものであり、例えばカーボンが用いられる。
これらターゲット５４は、カソード電極を構成するバッキングプレート５５に支持されている。そして、バッキングプレート５５の裏面には、磁場を形成するマグネット５６が配設されている。
【００３９】
このマグネトロンスパッタリング装置５０において、ガス導入管５９から希ガス（例えばＡｒガス）を導入するとともに、冷却キャン５３をアノード、バッキングプレート５５をカソードとして電圧を印加すると、プラズマ化したＡｒガスによりターゲット５４から原子がはじき出され、マグネット５６によって形成される磁場により効果的に前記磁性層２上に保護膜３が形成される。
【００４０】
次に、図２の層構成に示すように上記磁性層２、保護層３が形成された側とは反対側の非磁性支持体１の他主面上にバックコート層４を形成する。
バックコート層４の形成に用いる材料としては、一般にバックコート層用として使用されるものであれば如何なるものであってもよく、例えばカーボン、金属の酸化物または炭化物あるいは窒化物等が挙げられる。
【００４１】
また、バックコート層４は、上記カーボン等の材料を有機バインダーと共に分散混合し、非磁性支持体１の他主面Ｂ表面に塗布することで成膜することができる。また、ＣＶＤやスパッタ法等の真空蒸着法などの薄膜形成プロセスによって成膜してもよい。
例として、図６に示すバックコート層塗布コーター６０を用いてバックコート層４を形成する場合について以下に説明する。
【００４２】
〈バックコート層塗布コーターによるバックコート層の形成プロセス〉
バックコート層塗布コーター６０においては、巻出しロール６１と巻取りロール６８とが設けられており、これらの間に被処理媒体６４が順次走行するようになされている。被処理媒体６４が走行する途中には、コーターヘッド６２と、ドライヤー６６が設けられている。
巻出しロール６１から送り出された被処理媒体６４の前記磁性層２、保護層３が形成された側とは反対側の非磁性支持体１他主面Ｂ上に、グラビアロール６３により、バックコート層用塗料をコーティングし、サクションロール６５を経由してドライヤー６６に導き、ノズル６７の加熱手段によって塗料を乾燥してバックコート層４が形成される。
【００４３】
上記のようにして非磁性支持体１の一主面Ａ上に磁性層２、保護層３、および他主面Ｂ上にバックコート層４がそれぞれ形成された後、前述のようにホットロール処理工程において、ヒートロール表面上を接触走行させつつ加熱下に張力をかけてホットロール処理を施した後、張力付与下に巻取られる。
図１のフロー例では、上記ホットロール処理工程でカッピング量の矯正が行われた後、潤滑剤５（図２）が塗布される。
【００４４】
潤滑剤５は、磁性層２形成側とバックコート層４形成側の最外表面に塗布形成され、これによって蒸着テープ表面の摩擦係数を低減し、走行性や耐久性を向上させることができる。
この潤滑剤５に用いる材料としては、通常の薄膜磁性記録媒体用として使用されているものを用いることができるが、中でも、例えばパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を好ましく用いることができる。
【００４５】
【実施例】
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。ただし、本発明はなんら実施例に限定されるものではない。
【００４６】
実験例１〜３０
以下のような手順と製法で、前記図２に示した蒸着テープ構成と同様にして各構成層を形成し、実験例１〜３０それぞれの評価用蒸着テープを作製した。
【００４７】
〔磁性層の形成〕
非磁性支持体１として、幅１ｍ、長さ５０００ｍのポリアミドフィルム（東レ株式会社製）を用いて、前記図４に示した概略構成図からなる連続巻取り式真空蒸着装置４０により下記条件でコバルト（Ｃｏ）金属磁性薄膜からなる磁性層２を形成した。
すなわち、先ずポリアミドフィルムを真空室４６内にセッティングし、その内部が１０^−３Ｐａ程度の圧力となるように真空排気した。そして、ガス導入管４８から酸素ガスを導入して微量の酸素存在下で、蒸着源として強磁性金属材料４４にＣｏを用い、蒸着の入射角を磁性支持体１の法線方向に対して４５〜９０°とする条件で連続真空斜め蒸着を行った。その際、非磁性支持体１を−４０℃程度まで冷却した冷却キャン４７上で５０ｍ／ｍｉｎの速度で走行させつつ、Ｃｏ金属磁性薄膜の厚みが１８０ｎｍとなるように電子銃４２のパワーをコントロールして磁性層２を形成した。
【００４８】
〔保護層の形成〕
次に、前記図５に示した概略構成図からなるマグネトロンスパッタリング装置５０を用いて保護層３を形成した。
上記Ｃｏ金属磁性薄膜が形成されたポリアミドフィルム（被処理テープ５２）を真空室５８内にセッティングし、その内部を１０^−４Ｐａ程度の圧力まで真空排気した後、アルゴンガス（Ａｒ）を導入して０．８Ｐａ程度の圧力にした。そして−４０℃程度まで冷却した冷却キャン５３上で５ｍ／ｍｉｎの速度で走行させつつ、Ｃｏ金属磁性薄膜からなる磁性層２上に厚みが８ｎｍ程度のカーボンからなる保護層３を形成した。
【００４９】
〔バックコート層の形成〕
続いて、下記組成からなるバックコート層用塗料を調製し、この塗料を用いて前記図６に示した概略構成図からなるバックコート層塗布コーター６０により、上記磁性層２が形成された側と反対の非磁性支持体１の他主面上に、塗布および乾燥を行いバックコート層４を形成した。なお、ドライヤー温度は１２０℃とし、張力は５０Ｎ／ｍに設定して塗布、乾燥を行った。
【００５０】

【００５１】
〔ホットロール処理工程／ホットロール処理〕
次に、上記のようにして非磁性支持体１の一主面Ａ上に磁性層２、保護層３を、他主面Ｂ上にバックコート層４を形成した後、前記図３に示した概略構成図からなるホットロール装置３０を用いてホットロール処理を行った。
実験例１〜３０のホットロール処理条件は、ホットロール処理時の張力をそれぞれ５Ｎ、１０Ｎ、２０Ｎ、３０Ｎ、４０Ｎ、５０Ｎに変え、各ホットロール処理時の張力におけるヒートロール温度を１７０℃、１９０℃、２１０℃、２３０℃、２５０℃に変化させて割り付けたものである（例えば、実験例１：張力５Ｎ、温度１７０℃、実験例２：張力５Ｎ、温度１９０℃、〜実験例３０：張力５０Ｎ、温度２５０℃）。
【００５２】
なお、ホットロール処理における走行速度は１００ｍ／ｍｉｎとし、ヒートロールへの抱角は５０°とした。また、張力はヒートロール後のダンサーロールを調整することで調節した。
【００５３】
ホットロール処理後、巻取り時の張力を８０Ｎ／ｍとして各テープを巻取った。そしてこのテープを７２時間放置した後、次工程である潤滑剤の塗布を行った。
【００５４】
〔潤滑剤の塗布〕
ホットロール処理を施した上記各テープの磁性層２側およびバックコート層４側最外表面に、潤滑剤５としてパーフルオロポリエーテル化合物を１０ｎｍの厚みとなるように塗布した。潤滑剤乾燥時のドライヤー温度は８０℃、走行時の張力は８０Ｎ／ｍとした。
【００５５】
〔パンケーキへの裁断〕
以上のような製法とプロセスで各構成層が形成された広幅、長尺の実験例１〜３０の蒸着テープ原反（ジャンボロール）を図７に示す裁断装置７０を用いて所望する幅、長さに裁断してパンケーキ（円形状のハブに巻き取られた形態）を得た。
裁断時の巻取り張力は６０ｇ／８ｍｍ、タッチロール圧力は２００ｇ／８ｍｍ、走行速度は２００ｍ／ｍｉｎとし、パンケーキへの巻取り長は５０００ｍとして評価用蒸着テープを作製した。なお、図７に示す裁断装置７０の概略構成は以下のようである。
【００５６】
裁断装置７０においては、ジャンボロールロール７１（巻きだし）から送り出された蒸着テープ原反７７が走行する途中に裁断ユニット７２が設けられており、この裁断ユニット７２を通過する際に蒸着テープ原反７７は、上刃７３と下刃７４からなる裁断手段により所望する幅に裁断され、タッチロール７５を介してパンケーキ７６に巻取られる。
上記裁断装置７０により裁断した実験例１〜３０の評価用蒸着テープをカセットに組込み、オフトラック量の測定を行った。
【００５７】
＜評価＞
上記で作製した各評価用蒸着テープを図８に概念を示すオフトラックの測定方法により、下記（Ｉ）、（ＩＩ）の手順でテープの寸法変化による記録時と再生時におけるトラックの幅方向のズレ量であるオフトラックの評価を行った。
測定方法：
（Ｉ）評価用蒸着テープをＡＩＴカセットに組み込んで信号を記録後、温度６０℃、湿度２０％Ｒｈの環境下で２４時間保存。
（ＩＩ）保存完了後、取り出したＡＩＴカセットに組み込んだテープの出力波形（オシロスコープ）を測定。
【００５８】
上記（Ｉ）の保存環境は、ＡＩＴドライブの動作保証範囲で最も厳しいと考えられる条件を基にして設定している。また、テープの寸法変化が飽和し切る時間として２４時間保存を設定している。この状態でオフトラック評価を行うことにより、データとしては最悪値を得ることができる。
【００５９】
（ＩＩ）において、図８（ａ）の保存後に示すようにオシロスコープ上の波形で、ヘッドの入口側でトラックを合せる（出力Ａ）と、出口側で出力が低下（出力Ｂ）する。これは、上記温湿環境で保存したため、図８の（ｂ）に示すように、主に長手方向にテープが収縮してトラックの角度がズレ、これによりトラックズレＴｐが生じたことによる。この出口部分でのトラックの幅方向のズレ量をオフトラックと定義し、テープの寸法安定度の指針としている。
オフトラック量は、上記ヘッドの入口側出力Ａと出口側出力Ｂ、およびトラックピッチＴｐから、オフトラック量（μｍ）＝（Ａ−Ｂ）÷Ａ×Ｔｐとして求められる。
【００６０】
なお、これまでの研究結果から、オフトラックはパンケーキの巻取り長とパンケーキ形態での保存期間の影響を受けることが分かっている。これは高分子材料（例えば、ポリアミドフィルム等）のクリープ特性に由来している。この点を考慮してオフトラックの測定精度をあげるため、測定は裁断後７日間経過したパンケーキを採用し、測定ポイントは最悪点となるパンケーキ最外周部とすることで統一して評価を行った。
評価結果を表１および図９に示す。
【００６１】
【表１】

【００６２】
＜評価結果＞
上記表１および図９に示したように、温湿環境に保存した後のオフトラック量はホットロール処理時のヒートロール温度およびホットロール処理時の張力と密接な関係が見られ、ホットロール処理時の張力が低いほど小さくなると共に、ヒートロール温度が高温であるほど小さくなることが分かった。
また、ヒートロール温度が１７０℃以下の場合、および２５０℃以上の場合には、ホットロール処理本来の目的であるカッピングの矯正効果が得られず、いずれの評価用蒸着テープも規格のカッピング量を超えてしまった。
【００６３】
ホットロール処理時の張力の影響については、表１に示したように５Ｎ／ｍではテープ（非磁性支持体）の走行安定性が悪化し、シワやベースの切断が発生するという問題が生じた。このことから、ホットロール処理に要求される現実的な張力としては、１０Ｎ／ｍ以上が必要であることが分かった。
更に、ホットロール処理時の張力が４０Ｎ／ｍ以上では、オフトラック量が目標とする２．０μｍを超えてしまうことが判明した。
【００６４】
以上の結果から、ＡＩＴ３フォーマットとして必要なオフトラック量２．０μｍを達成し、なおかつカッピングを適切な規定範囲に収めるためには、ヒートロール温度およびホットロール処理時の張力を、目標とする２．０μｍを満たす実験例７、８、９、実験例１２、１３、１４、実験例１７、１８、１９から、以下の範囲の条件に設定する必要があることが確認された。
ヒートロール温度　：　１９０〜２３０℃
ホットロール処理時の張力　：　１０〜３０Ｎ／ｍ
【００６５】
実験例３１〜６５
先ず、幅１ｍ、長さ５０００ｍのポリアミドフィルム（東レ株式会社製）を非磁性支持体として用い、この非磁性支持体上に前記実験例（１〜３０）の手順および製法と同様にして順次、磁性層、保護層、バックコート層を前記図２に示した構成で形成し、各テープ（実験例３１〜６５用）を作製した。
【００６６】
〔ホットロール処理工程／ホットロール処理および巻取り時の張力〕
次に、上記のようにして非磁性支持体１の一主面Ａ上に磁性層２、保護層３を、他主面Ｂ上にバックコート層４を形成した各テープを、前記図３に示した概略構成図からなるホットロール装置３０を用いてホットロール処理を行った。
【００６７】
各テープ（実験例３１〜６５用）のホットロール処理時の張力は、ヒートロール後のダンサーロールを調整し、５０Ｎ／ｍの一定とした。また、ホットロール処理における走行速度は１００ｍ／ｍｉｎとし、ヒートロールへの抱角は５０°とした。ヒートロール温度は、所望するカッピング量に合わせて適宜調整した。
【００６８】
次に、ホットロール処理後における、巻取り時の張力条件をそれぞれ５Ｎ／ｍ、１０Ｎ／ｍ、２０Ｎ／ｍ、３０Ｎ／ｍ、４０Ｎ／ｍ、５０Ｎ／ｍ、７０Ｎ／ｍに変えて各テープを巻き取った。
そして、それぞれの張力で巻取られたテープを、次工程までの放置時間として１時間、６時間、２４時間、７２時間、１６８時間の条件で放置した後、各テープの磁性層２側およびバックコート層４側最外表面に、潤滑剤５としてパーフルオロポリエーテル化合物を１０ｎｍの厚みとなるように塗布した。潤滑剤乾燥時のドライヤー温度は８０℃、走行時の張力は８０Ｎ／ｍとした。以上の条件で各実験例３１〜６５の評価用蒸着テープを作製した。
【００６９】
上記実験例３１〜６５の評価用蒸着テープについて、前記実験例の評価方法に準拠してオフトラック量の評価を行った。評価結果を表２および図１０に示す。
【００７０】
【表２】

【００７１】
〈評価結果〉
表２および図１０に示したように、オフトラック量は巻取り時の張力と、巻取り後における次工程までの放置時間と密接な関係が見られる。すなわち、オフトラック量は、巻取り時の張力が低いほど小さくなり、また次工程までの放置時間が短いほど小さくなることが分かった。
【００７２】
ここで次工程までの放置時間が１６８時間では、オフトラック量が目標とする２．０μｍを超えてしまうことが分かった。また、７２時間を超えるような放置時間では、リードタイムの面で生産性が悪化するため、現実的な製造時間として適用するには長すぎてしまい問題である。
なお、次工程までの放置時間が１時間の場合には、製造設備に付帯する制約や操作などに要する時間から判断すると、場合によっては放置時間としてやや短時間の傾向はある。
【００７３】
巻取り時の張力の影響については、表２に示したように５Ｎ／ｍではテープ（非磁性支持体）の走行安定性が悪化し、シワやベースの切断が発生した。ホットロール処理工程の巻取り時に要求される現実的な張力としては、１０Ｎ／ｍ以上が必要であることが分かった。
【００７４】
以上の結果から、ＡＩＴ３フォーマットとして必要なオフトラック量２．０μｍを達成し、なおかつカッピングを適切な規定範囲に収めるためには、ホットロール処理工程の巻取り時の張力および次工程までの放置時間を、以下の範囲の条件に設定する必要があることが確認された（実験例３６、３７、３８、３９、実験例４１、４２、４３、４４、実験例４６、４７、４８、４９）。
巻取り時の張力　：　１０〜３０Ｎ／ｍ
次工程までの放置期間　：　７２時間以下
【００７５】
前記一連の実験例から、本発明の条件で製造された蒸着テープは、ＡＩＴ３フォーマットのトラック幅に適応したオフトラック量を有しており、データ記録後にテープが経時において寸法変化した場合でも本来の特性を損なうことなく、データの再生を可能にすることが確認できた。
【００７６】
【発明の効果】
本発明の蒸着テープの製造方法によれば、ホットロール処理工程のホットロール処理におけるヒートロール温度を１９０〜２３０℃とし、ホットロール処理時の張力を１０〜３０Ｎ／ｍとするか、あるいはホットロール処理工程の巻取り時の張力を１０〜３０Ｎ／ｍとし、次工程までの放置時間を７２時間以下とするか、いずれかの条件により、テープ長手方向に生じる収縮量が緩和して、ＡＩＴ３フォーマットのトラック幅に適応したオフトラック量２．０μｍが達成されると共に、適切なカッピング量の矯正が行われ、データ記録後にテープが経時で寸法変化した場合でも本来の特性を損なうことなく、データの再生を可能にする蒸着テープが提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】発明の実施の形態において本発明の製造方法に関するホットロール処理工程を説明するための一例を示すフロー図である。
【図２】発明の実施の形態および実施例における蒸着テープの層構成を示す概略断面図である。
【図３】発明の実施の形態および実施例におけるホットロール処理に用いるホットロール装置の概略構成図である。
【図４】発明の実施の形態および実施例における磁性層を形成するための連続巻取り式真空蒸着装置の概略構成図である。
【図５】発明の実施の形態および実施例における保護層を形成するためのマグネトロンスパッタリング装置の概略構成図である。
【図６】発明の実施の形態および実施例におけるバックコート層を形成するためのバックコート層塗布コーターの概略構成図である。
【図７】実施例において蒸着テープ原反をパンケーキに裁断するための裁断装置の概略構成図である。
【図８】実施例の評価においてオシロスコープ出力波形からオフトラック量を測定する方法を模式的に示した概念図である。
【図９】実験例１〜３０のホットロール処理工程におけるホットロール処理時の張力とオフトラック量との関係をヒートロール温度をパラメータとして示した図である。
【図１０】実験例３１〜６５のホットロール処理工程における巻取り時の張力とオフトラック量との関係を次工程までの放置時間をパラメータとして示した図である。
【符号の説明】
１……非磁性支持体、２……磁性層、３……保護層、４……バックコート層、５…潤滑剤、３０……ホットロール装置、３１……被処理体、３２……ヒートロール、３３……巻出しロール、３４……巻取りロール、３５……ニップロール、３６ａ……ガイドロール、３６ｂ……ガイドロール、３６ｃ……ガイドロール、３７……ダンサーロール、４０……連続巻取り式真空蒸着装置、４１……巻出しロール、４２……電子銃、４３……ルツボ、４４……強磁性金属材料、４５……巻取りロール、４６……真空室、４７……冷却キャン、４８……ガス導入管、５０……マグネトロンスパッタリング装置、５１……巻出しロール、５２……被処理テープ、５３……冷却キャン、５４……ターゲット、５５……バッキングプレート、５６……マグネット、５７……巻取りロール、５８……真空室、５９……ガス導入管、６０……バックコート層塗布コーター、６１……巻出しロール、６２……コーターヘッド、６３……グラビアロール、６４……被処理媒体、６５……サクションロール、６６……ドライヤー、６７……ノズル、６８……巻取りロール、７０……裁断装置、７１……ジャンボロール、７２……裁断ユニット、７３……上刃、７４……下刃、７５……タッチロール、７６……パンケーキ、７７……蒸着テープ原反、Ａ……一主面、Ｂ……他主面、Ｅ……電子線

Claims (6)

1. 非磁性支持体上に金属磁性薄膜を有する蒸着テープを連続的に供給して、ヒートロール表面上を接触走行させつつ加熱下に張力をかけてホットロール処理を施した後、張力付与下に巻取るホットロール処理工程を備えた蒸着テープの製造方法において、前記ヒートロール温度を１９０〜２３０℃とし、前記ホットロール処理時の張力を１０〜３０Ｎ／ｍとすることを特徴とする蒸着テープの製造方法。
2. 非磁性支持体上に金属磁性薄膜を有する蒸着テープを連続的に供給して、ヒートロール表面上を接触走行させつつ加熱下に張力をかけてホットロール処理を施した後、張力付与下に巻取るホットロール処理工程を備えた蒸着テープの製造方法において、前記巻取り時の張力を１０〜３０Ｎ／ｍとし、次工程までの放置時間を７２時間以下とすることを特徴とする蒸着テープの製造方法。
3. 前記蒸着テープのオフトラック量が２．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の蒸着テープの製造方法。
4. 前記蒸着テープがＡＩＴ３フォーマット対応であることを特徴とする請求項１または２に記載の蒸着テープの製造方法。
5. 非磁性支持体の一主面上に、少なくとも金属磁性薄膜を成膜する工程と、該磁性薄膜上に保護層を成膜する工程と、前記非磁性支持体の金属磁性薄膜が成膜される側と反対側の他主面上にバックコート層を成膜する工程と、該金属磁性薄膜、保護層およびバックコート層が形成された前記非磁性支持体を、ヒートロール表面上を接触走行させつつ加熱下に張力をかけてホットロール処理を施し、張力付与下に巻取るホットロール処理工程とを備えた蒸着テープの製造方法であって、
   前記ヒートロール温度を１９０〜２３０℃とし、前記ホットロール処理時の張力を１０〜３０Ｎ／ｍとすることを特徴とする蒸着テープの製造方法。
6. 非磁性支持体の一主面上に、少なくとも金属磁性薄膜を成膜する工程と、該磁性薄膜上に保護層を成膜する工程と、前記非磁性支持体の金属磁性薄膜が成膜される側と反対側の他主面上にバックコート層を成膜する工程と、該金属磁性薄膜、保護層およびバックコート層が形成された前記非磁性支持体を、ヒートロール表面上を接触走行させつつ加熱下に張力をかけてホットロール処理を施し、張力付与下に巻取るホットロール処理工程とを備えた蒸着テープの製造方法であって、
   前記巻取り時の張力を１０〜３０Ｎ／ｍとし、次工程までの放置時間を７２時間以下とすることを特徴とする蒸着テープの製造方法。

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