JP2003313158A - ヒドロキシアミノ化合物及び/又はアミノオキシ化合物の製造方法 - Google Patents

ヒドロキシアミノ化合物及び/又はアミノオキシ化合物の製造方法

Info

Publication number
JP2003313158A
JP2003313158A JP2002120795A JP2002120795A JP2003313158A JP 2003313158 A JP2003313158 A JP 2003313158A JP 2002120795 A JP2002120795 A JP 2002120795A JP 2002120795 A JP2002120795 A JP 2002120795A JP 2003313158 A JP2003313158 A JP 2003313158A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
compound
aminooxy
hydroxyamino
triflate
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002120795A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4390424B2 (ja
Inventor
Takashi Yamamoto
尚 山本
儀恵 ▲椴▼山
Yoshie Todoyama
Akira Yanagisawa
章 柳澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Science and Technology Agency
Original Assignee
Japan Science and Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Science and Technology Corp filed Critical Japan Science and Technology Corp
Priority to JP2002120795A priority Critical patent/JP4390424B2/ja
Publication of JP2003313158A publication Critical patent/JP2003313158A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4390424B2 publication Critical patent/JP4390424B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/52Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts

Landscapes

  • Catalysts (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 生物活性物質の合成の応用への期待が高いニ
トロソ化合物への位置選択的求核付加反応及びニトロソ
化合物への位置選択的求核付加反応用触媒を提供する。 【解決手段】 ニトロソ化合物と、シリルエノールエー
テル化合物とを、ルイス酸触媒存在下において、反応さ
せ、ヒドロキシアミノ化合物、又はアミノオキシ化合物
のいずれかを選択的に合成する。ルイス酸触媒のうち、
金属フッ化物、好ましくは、フッ化銀、又は、フッ化
銅、特に好ましくは、これらのBINAP錯体を用いて
ヒドロキシアミノ化合物を選択的に合成し、好ましく
は、トリフラート、又は金属塩化物、特に、銀トリフラ
ート、銅トリフラート、四塩化チタン、又は三塩化鉄の
いずれかを用いてアミノオキシ化合物を選択的に合成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ニトロソ化合物へ
の位置選択的求核付加反応によりニトロソ化合物からヒ
ドロキシアミノ化合物及び/又はアミノオキシ化合物を
製造する方法や、ニトロソ化合物への位置選択的求核付
加反応用触媒に関し、好ましくは、ヒドロキシアミノ化
合物又はアミノオキシ化合物を選択的に製造する方法
や、ニトロソ化合物への位置選択的求核付加反応用触媒
に関する。
【0002】
【従来の技術】生理活性物質の多くはその分子内にヘテ
ロ原子、とりわけ窒素原子および酸素原子を含んでお
り、医薬、農薬、工業薬品等の技術分野において有用な
種々の化合物を合成するため、窒素原子および酸素原子
を分子内に導入する新しい有機合成反応の開発が活発に
行なわれている。求電子的アミノ化反応およびヒドロキ
シ化反応は発展期を迎え、特に、求核付加反応の求電子
剤の中でも、C=O結合を有するカルボニル化合物やC
=N結合を有するイミン類については、特徴的な新反応
が数多く見出されている。しかしながら、N=O結合に
対する求核付加反応についてはほとんど検討がなされて
いない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、分子
内に窒素原子、酸素原子等のヘテロ原子を有する生理活
性物質の合成へ導くことができる化合物の合成におい
て、N=O結合を有するニトロソ化合物を出発物質とし
て、過酷な条件を必要とせずに容易に目的とするヒドロ
キシアミノ化合物やアミノオキシ化合物を得ることがで
きる製造方法や、これら化合物のうちいずれか一方の化
合物を選択的に得ることができるヒドロキシアミノ化合
物及び/又はアミノオキシ化合物の製造方法や、ニトロ
ソ化合物への位置選択的求核付加反応用触媒を提供する
ことにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、独自の方
法によりN=O結合に対する求核付加反応について、鋭
意研究を行った。まず、式(IV)に示すトリメチルシリ
ルエノールエーテル1aとニトロソベンゼンの混合溶液
に、ルイス酸触媒として10mol%のトリエチルシリ
ルトリフラートを作用させ、0℃、1時間撹拌したとこ
ろ、アミノオキシ化合物2aが94%の収率で得られ
た。一方、ルイス酸触媒としてトリエチルシリルトリフ
ラートに代わりフッ化銀・(±)BINAPを作用させ
た場合は、ヒドロキシアミノ化合物3aのみが得られ
た。
【0005】
【化4】
【0006】続いて様々なルイス酸を用いて、同様の反
応を行ったところ、ルイス酸触媒としてシリルトリフラ
ート、銀トリフラート、銅トリフラート、四塩化チタ
ン、又は、三塩化鉄を用いた場合は、アミノオキシ化合
物のみが高収率で選択的に得られるのに対し、フッ化
銀、フッ化銅を用いた場合はヒドロキシアミノ化合物が
高収率で生成された。また、ルイス酸触媒としてホウ素
化合物を用いると、どちらの化合物も得られた。以上の
結果から、ニトロソベンゼンは様々なルイス酸触媒の存
在下において、ヒドロキシアミノ化及びアミノオキシ化
のいずれの反応に対しても優れた求電子性を示すことが
分かった。さらに、特定のルイス酸触媒においては、ニ
トロソ基に対して、アザフィリック、あるいはオキソフ
ィリックのいずれかに作用し、ヒドロキシアミノケトン
化合物、又はアミノオキシケトン化合物のいずれか一方
のみを高収率で選択的に得ることに成功した。
【0007】また、基質一般性についての検討を行な
い、アミノオキシ化合物を与える代表的なルイス酸触媒
としてシリルトリフラートを、ヒドロキシアミノ化合物
を与える触媒としてフッ化銀・BINAPを用いて、基
質に対する位置選択性の一般性について検討を行った。
その結果、アミノオキシ化合物はシリルトリフラート触
媒存在下で、中程度の収率であるものの、種々のシリル
エノールエーテルに対して高選択的に得られた。一方、
ヒドロキシアミノ化合物はフッ化銀・BINAP触媒を
用いて主生成物として与えられるが、収率および選択性
については、種々のシリルエノールエーテルに対して若
干の違いがみられた。以上のことから、N=O結合を有
するニトロソ化合物に対する求核付加反応では、ルイス
酸触媒存在下において、ニトロソ化合物がヒドロキシア
ミノ化反応又はアミノオキシ化反応に対しても優れた求
電子性を示すことに着目し、触媒として特定のルイス酸
を用いることにより、どちらか一方の反応のみを選択的
に進行させ得ることを見い出した。本発明は、上記知見
に基づいて完成するに至ったものである。
【0008】すなわち本発明は、ニトロソ化合物と、一
般式(I)
【0009】
【化5】
【0010】[式中、R1は、置換基を有していてもよい
C1〜C6の非環状炭化水素基、又はC3〜C6の環状
炭化水素基を表し、R2は、水素原子又はメチル基を表
し、R3は、水素原子、置換基を有していてもよいC1
〜C6の非環状炭化水素基、又はC3〜C6の環状炭化
水素基を表し、R1とR3とは結合してC5〜C8の環を
形成してもよく、R4、R5、R6は、独立して、C1〜
C3のアルキル基を表す。]で示されるシリルエノール
エーテル化合物とを、ルイス酸触媒存在下に反応させ、
一般式(II)
【0011】
【化6】
【0012】[式中、R1、R2、R3は、一般式(I)に
おけるR1、R2、R3と同じものを表し、R7は、炭化水
素基を表す。]で示されるヒドロキシアミノ化合物、及
び/又は、一般式(III)
【0013】
【化7】
【0014】[式中、R1、R2、R3は、一般式(I)に
おけるR1、R2、R3と同じものを表し、R7は、炭化水
素基を表す。]で示されるアミノオキシ化合物を合成す
ることを特徴とするヒドロキシアミノ化合物及び/又は
アミノオキシ化合物の製造方法に関し(請求項1)、好
ましくは、一般式(I)〜(III)におけるR1が、C4
〜C6の非環状炭化水素基を表すことを特徴とする請求
項1記載のヒドロキシアミノ化合物及び/又はアミノオ
キシ化合物の製造方法(請求項2)や、一般式(I)〜
(III)におけるR3が、水素原子を表すことを特徴とす
る請求項1または2記載のヒドロキシアミノ化合物及び
/又はアミノオキシ化合物の製造方法(請求項3)や、
ニトロソ化合物が、置換基を有していてもよいニトロソ
ベンゼンであることを特徴とする請求項1〜3のいずれ
か記載のヒドロキシアミノ化合物及び/又はアミノオキ
シ化合物の製造方法(請求項4)や、ニトロソ化合物
が、ニトロソイソブタンであることを特徴とする請求項
1〜3のいずれか記載のヒドロキシアミノ化合物及び/
又はアミノオキシ化合物の製造方法(請求項5)や、一
般式(I)におけるR4、R5、R6が、メチル基を表す
ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか記載のヒドロ
キシアミノ化合物及び/又はアミノオキシ化合物の製造
方法(請求項6)や、所定のルイス酸触媒を用いて、ヒ
ドロキシアミノ化合物又はアミノオキシ化合物を選択的
に合成することを特徴とする請求項1〜6のいずれか記
載のヒドロキシアミノ化合物及び/又はアミノオキシ化
合物の製造方法(請求項)7や、所定のルイス酸触媒とし
て、金属フッ化物を用いてヒドロキシアミノ化合物を選
択的に合成することを特徴とする請求項7記載のヒドロ
キシアミノ化合物及び/又はアミノオキシ化合物の製造
方法(請求項8)や、金属フッ化物が、フッ化銀又はフ
ッ化銅であることを特徴とする請求項8記載のヒドロキ
シアミノ化合物及び/又はアミノオキシ化合物の製造方
法(請求項9)や、金属フッ化物が、BINAP錯体で
あることを特徴とする請求項8又は9記載のヒドロキシ
アミノ化合物及び/又はアミノオキシ化合物の製造方法
(請求項10)や、所定のルイス酸触媒として、トリフ
ラート又は金属塩化物を用いてアミノオキシ化合物を選
択的に合成することを特徴とする請求項1〜7のいずれ
か記載のヒドロキシアミノ化合物及び/又はアミノオキ
シ化合物の製造方法(請求項11)や、トリフラート
が、シリルトリフラート、銀トリフラート、又は銅トリ
フラートであることを特徴とする請求項11記載のヒド
ロキシアミノ化合物及び/又はアミノオキシ化合物の製
造方法(請求項12)や、 金属塩化物が、四塩化チタ
ン又は三塩化鉄であることを特徴とする請求項11記載
のヒドロキシアミノ化合物及び/又はアミノオキシ化合
物の製造方法(請求項13)に関する。
【0015】また、本発明は、ルイス酸を有効成分とし
て含有することを特徴とするニトロソ化合物への位置選
択的求核付加反応用触媒(請求項14)に関し、好まし
くは、ルイス酸が金属フッ化物であって、ヒドロキシア
ミノ化合物を選択的に合成することを特徴とする請求項
14記載のニトロソ化合物への位置選択的求核付加反応
用触媒(請求項15)や、金属フッ化物が、フッ化銀又
はフッ化銅であることを特徴とする請求項15記載のニ
トロソ化合物への位置選択的求核付加反応用触媒(請求
項16)や、金属フッ化物が、BINAP錯体であるこ
とを特徴とする請求項15又は16記載のニトロソ化合
物への位置選択的求核付加反応用触媒(請求項17)や、
ルイス酸がトリフラート又は金属塩化物であって、アミ
ノオキシ化合物を選択的に合成することを特徴とする請
求項14記載のニトロソ化合物への位置選択的求核付加
反応用触媒(請求項18)や、トリフラートが、シリル
トリフラート、銀トリフラート、又は銅トリフラートで
あることを特徴とする請求項18記載のニトロソ化合物
への位置選択的求核付加反応用触媒(請求項19)や、
金属塩化物が、四塩化チタン又は三塩化鉄であることを
特徴とする請求項18記載のニトロソ化合物への位置選
択的求核付加反応用触媒(請求項20)に関する。
【0016】
【発明の実施の形態】本発明のヒロドキシアミノ化合物
及び/又はアミノオキシ化合物の製造方法は、ニトロソ
化合物と、一般式(I)(式中、R1は、置換基を有し
ていてもよいC1〜C6の非環状炭化水素基、又はC3
〜C6の環状炭化水素基を表し、R2は、水素原子又は
メチル基を表し、R3は、水素原子、置換基を有してい
てもよいC1〜C6の非環状炭化水素基、又はC3〜C
6の環状炭化水素基を表し、R 1とR3とは結合してC5
〜C8の環を形成してもよく、R4、R5、R6は、独立
して、C1〜C3のアルキル基を表す。)で示されるシ
リルエノールエーテル化合物とを、ルイス酸触媒存在下
に反応させ、一般式(II)(式中、R1、R2、R 3は、
一般式(I)におけるR1、R2、R3と同じものを表
し、R7は、炭化水素基を表す。)で示されるヒドロキ
シアミノ化合物、及び/又は、一般式(III)(式中、
1、R2、R3は、一般式(I)におけるR1、R2、R3
と同じものを表し、R7は、炭化水素基を表す。)で示
されるアミノオキシ化合物を合成する製造方法であれ
ば、特に限定されるものではなく、ニトロソ化合物と、
一般式(I)で示されるシリルエノールエーテル化合物
とを、ルイス酸触媒存在下に反応させ、ニトロソ化合物
への位置選択的求核付加反応を利用して、一般式(II)
で示されるヒドロキシアミノ化合物、及び/又は、一般
式(III)で示されるアミノオキシ化合物を合成する方
法である。
【0017】本発明に用いられるニトロソ化合物は、ル
イス酸触媒の存在下、顕著な求電子性を有し、求核付加
反応を生ぜしめるニトロソ基を有するものであれば、特
に限定されるものではなく、脂肪族ニトロソ化合物、芳
香族ニトロソ化合物のいずれであってもよい。脂肪族ニ
トロソ化合物としては、アルキルニトロソ化合物が挙げ
られ、ニトロソ基が第三級炭素原子に結合しているもの
が好ましく、具体的には、2−ニトロソイソブタン、2
−ニトロソ−2−メチルペンタン等を例示することがで
きる。また、芳香族ニトロソ化合物としては、ニトロソ
ベンゼンを例示することができ、芳香族ニトロソ化合物
に置換基を有するものであってもよい。かかる置換基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、n−ブチル基、イソブチル基、s−ブチル基、t
−ブチル基等のアルキル基や、メトキシ基、エトキシ
基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキ
シ基、s−ブトキシ基、イソブトキシ基、t−ブトキシ
基、フェノキシ基、ベンジルオキシ基、フェネチルオキ
シ基等のアルコキシ基や、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素
等のハロゲン原子などを例示することができる。
【0018】かかる置換基を有する芳香族ニトロソ化合
物としては、具体的には、o−ニトロソトルエン、m−
ニトロソトルエン、p−ニトロソトルエン、3,5−ジ
メチルニトロソベンゼン、o−ニトロソエチルベンゼ
ン、o−ニトロソスチレン、o−ニトロソアニソール、
m−ニトロソアニソール、p−ニトロソアニソール、o
−ニトロソフェネトール、m−ニトロソフェネトール、
p−ニトロソフェネトール、o−フルオロニトロソベン
ゼン、m−フルオロニトロソベンゼン、p−フルオロニ
トロソベンゼン、o−クロロニトロソベンゼン、m−ク
ロロニトロソベンゼン、p−クロロニトロソベンゼン、
0−ブロモニトロソベンゼン、m−ブロモニトロソベン
ゼン、p−ブロモニトロソベンゼン等を例示することが
できる。
【0019】本発明に使用されるシリルエノールエーテ
ルは、一般式(I)で表され、式中、R1は、置換基を
有していてもよいC1〜C6の非環状化水素基、又はC
3〜C6の環状炭化水素基を表し、R2は水素原子、又
はC1〜C3のアルキル基を表し、R3は、水素原子、
置換基を有していてもよいC1〜C6の非環状化水素
基、又はC3〜C6の環状炭化水素基を表し、R1とR3
とは相互に結合してC5〜C8の環を形成してもよい。
かかるシリルエノールエーテルの一般式(I)における
1としては、置換基を有していてもよいC1〜C6非
環状炭化水素基、C3〜C6の環状炭化水素基のいずれ
かであれば特に限定されるものではないが、R1はC4
〜C6の非環状炭化水素基又は環状炭化水素基が好まし
く、また、R3としては、水素原子、置換基を有してい
てもよいC1〜C6非環状炭化水素基、C3〜C6の環
状炭化水素基のいずれかであれば特に限定されるもので
はない。一般式(I)におけるR 1、R3で表わされるC
1〜C6非環状炭化水素基としては、メチル基、エチル
基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、
n−ヘキシル基等のアルキル基や、ビニル基、アリル
基、2−プロペニル基、2−ブテニル基、2−ペンテニ
ル基、2−ヘプチニル基等のアルケニル基や、プロパル
ギル基等のアルキニル基等を具体的に挙げることがで
き、C3〜C6の環状炭化水素基としては、シクロプロ
ピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘ
キシル基等の脂環式炭化水素基や、フェニル基の芳香族
炭化水素基を具体的に挙げることができるが、R1とし
ては、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基
等のアルキル基や、2−ブテニル基、2−ペンテニル
基、2−ヘプチニル基等のアルケニル基等のC4〜C6
の非環状炭化水素や、シクロブチル基、シクロペンチル
基、シクロヘキシル基、フェニル基等のC4〜C6の環
状炭化水素基が好ましい。
【0020】更に、一般式(I)中、R1、R3が表すC
1〜C6非環状炭化水素や、C3〜C6の環状炭化水素
基における置換基としては、特に制限されるものではな
いが、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロ
ピル基等のアルキル基や、メトキシ基、エトキシ基等の
アルコキシ基などや、シクロプロピル基、シクロヘキシ
ル基等の脂肪族炭化水素基や、フェニル基、o−トリル
基、m−トリル基、p−トリル基、2,4−キシル基、
2,4,6−メシチル基、o−クメニル基、m−クメニ
ル基、p−クメニル基、ベンジル基、フェネチル基等の
芳香族炭化水素基などの環状炭化水素基を挙げることが
できる。
【0021】また、一般式(I)におけるR1とR3とが
相互に結合して形成するC5〜C8の環としては、1位
の炭素に不飽和結合を有する脂環式炭化水素環を有する
ものであれば、特に制限されるものではなく、かかるC
5〜C8の環としては、1−シクロペンテニル基、1−
シクロヘキシニル基、1−シクロヘプチニル基、1−シ
クロオクチニル基、ビシクロ[2.2.1]−1−ヘプチ
ニル基、ビシクロ[2.2.1]−2−ヘプチニル基等を
挙げることができる。
【0022】更に、R1とR3とが相互に結合して形成す
るC5〜C8の環における置換基としては、上記R1
3が表す1〜C6の非環状炭化水素基や、C3〜C6
の環状炭化水素基における置換基と同様の置換基を挙げ
ることができ、かかる置換基のうち、環状の置換基はR
1とR3とが相互に結合して形成するC5〜C8の環に縮
合したものであってもよい。
【0023】また、シリルエノールエーテルの一般式
(I)におけるR2は、水素原子又はメチル基を表し、
4、R5、R6は、相互に独立して、C1〜C3のアル
キル基を表すものであれば、特に制限されるものではな
い。R4、R5、R6のC1〜C3のアルキル基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基を挙げることがで
きる。
【0024】このようなシリルエノールエーテルとして
は、具体的には、1−トリメチルシリルオキシ−1−
(n−ブチル)エチレン、1−トリメチルシリルオキシ
−1−(n−ブチル)−2−メチルエチレン、1−トリ
メチルシリルオキシ−1−(n−ペンチル)エチレン、
1−トリメチルシリルオキシ−1−(n−ペンチル)−
2−メチルエチレン、1−トリメチルシリル−1−(n
−ヘキシル)エチレン、1−トリメチルシリルオキシ−
1−(n−ヘキシル)−2−メチルエチレン、1−トリ
メチルシリルオキシ−1−シクロペンチルエチレン、1
−トリメチルシリルオキシ−1−シクロペンチル−2−
メチルエチレン、1−トリメチルシリルオキシ−1−シ
クロヘキシルエチレン、1−トリメチルシリルオキシ−
1−シクロヘキシル−2−メチルエチレン、1−トリメ
チルシリルオキシ−1−フェニルエチレン、1−トリメ
チルシリルオキシ−1−フェニル−2−メチルエチレ
ン、1−トリメチルシリルオキシ−1−シクロペンテ
ン、1−トリメチルシリルオキシ−2−メチル−1−シ
クロペンテン、1−トリメチルシリルオキシ−1−イン
デン、1−トリメチルシリルオキシ−2−メチル−1−
インデン、1−トリメチルシリルオキシ−1−シクロヘ
キセン、1−トリメチルシリルオキシ−2−メチル−1
−シクロヘキセン、1−トリメチルシリルオキシ−2,
6,6−トリメチル−1−シクロヘキセンを挙げること
ができる。
【0025】本発明に用いられるルイス酸触媒として
は、ニトロソ化合物の窒素原子又は酸素原子に対して電
子対受容体として作用するものであれば、特に限定され
るものではないが、ルイス酸触媒としては、トリフラー
トや、金属フッ化物、金属塩化物等が好ましい。
【0026】本発明の所定のルイス酸であるトリフラー
トは、トリフルオロメタンスルホン酸のエステル(RO
SO2CF3)や、金属塩(MOSO2CF3)であり、式
(V)で表されるシリルトリフラートや、銀トリフラー
ト(AgOSO2CF3)や、銅トリフラート(Cu(O
SO2CF32)等が好適である。
【0027】
【化8】
【0028】式(V)中、R8、R9、R10は独立して、
C1〜C4のアルキル基を表し、かかるアルキル基とし
て、具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル
基、イソプロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基等を
例示することができ、トリフラートは公知の方法に準じ
て生成することができ、市販のものを適用することがで
きる。
【0029】このようなアルキルシリルトリフラートと
して、具体的には、トリメチルシリルトリフラート、ト
リエチルシリルトリフラート、t−ブチルジメチルシリ
ルトリフラート等を例示することができる。
【0030】本発明の所定のルイス酸である金属塩化物
としては、いずれの金属の塩化物であってもよいが、四
塩化チタン、三塩化鉄が好ましい。また、本発明の金属
フッ化物としては、いずれの金属フッ化物であってもよ
いが、フッ化銀、フッ化銅が好ましい。かかるフッ化銀
や、フッ化銅はBINAPとの錯体としてもよい。BI
NAPは、2,2′−ビス(ジフェニルホスフィノ)−
1,1′−ビナフチル類であって、ビナフトールに、塩
基存在下、パーフルオロアルキルスルホニルハライド又
はパーフルオロアルカンスルホン酸無水物を反応させ
て、ジパーフルオロアルキルスルホネートを得、これを
塩基及びニッケル触媒の存在下、ジフェニルホスフィン
と反応させる等、公知の方法に準じて生成することがで
きる。得られたBINAPから錯体を形成するには、B
INAPをメタノール等の溶液とし、この溶液にフッ化
銀、フッ化銅等を添加する等の公知の方法によることが
できる。また、BINAPは市販のものを適用し、金属
フッ化物や、金属塩化物のBINAP錯体を容易に生成
することができる。
【0031】上記ルイス酸触媒として、シリルトリフラ
ート又は金属塩化物を用いた場合は、式(V)に示すよ
うに、
【0032】
【化9】
【0033】ニトロソベンゼンが単量体から二量体であ
るニトロオキシドに変化するために、ルイス酸が末端の
酸素原子を活性化し、もう片方の酸素原子への求核攻撃
が進行し、o−アルキル化体が生成すると考えられる。
一方、上記ルイス酸触媒として、フッ化銀を用いた場合
は、式(VI)に示すように、
【0034】
【化10】
【0035】まず、単量体であるニトロソベンゼンの酸
素原子へのフッ化銀の配位により、窒素原子へのシリル
エノールエーテルの求核攻撃が進行する、または、フッ
化銀の添加により銀エノラートが生成し、銀エノラート
とニトロソベンゼンとの反応が起こり、N−アルキル化
体が得られると考えられる。また、ルイス酸触媒として
ホウ素化合物を触媒として使用すると、アミノオキシ化
合物及びヒドロキシアミノ化合物の合計の収率を高く得
ることができるが、反応生成物は双方が混在したものと
なり、ホウ素化合物はいずれか一方を選択的に生成させ
る触媒として適用できるものではない。これらのルイス
酸触媒の使用量としては、1〜10mol%の範囲が好
ましく、特に、5mol%程度がより好ましい。
【0036】本発明のの製造方法に用いられる溶媒とし
ては、特に制限されるものではないが、使用するニトロ
ソ化合物、シリルエノールエーテルや、反応生成物のア
ミノオキシ化合物、ニトリルや、触媒との関係におい
て、適宜選択することができる。溶媒としては、ジエチ
ルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、
ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香環をもつ溶媒、
アセトニトリル等のニトリル溶媒等を使用することがで
き、これらの溶媒の1種又は2種以上を混合して使用す
ることができる。これらのうちで、特に、メタノール、
1,2−ジクロロプロパン等が好ましい。
【0037】本発明のニトロソ化合物への位置選択的求
核付加反応は、上記ニトロソ化合物とシリルエノールエ
ーテルとを、ルイス酸触媒の存在下で行なう反応であれ
ば、特に限定されるものではないが、アルゴン等の不活
性ガス雰囲気中、上記のニトロソ化合物の溶媒溶液に、
シリルエノールエーテル化合物を、ニトロソ化合物1m
olに対して、1mol%程度添加し、この混合溶液
に、ルイス酸触媒である金属フッ化物1〜10mol
%、好ましくは5mol%程度を、−78℃〜室温、好
ましくは0℃前後の温度で添加することにより、ニトロ
ソ化合物の窒素原子に選択的求核付加反応が生じ、ヒド
ロキシアミノ化合物が選択的に生成される。他方、アル
ゴン等の不活性ガス雰囲気中、上記のニトロソ化合物の
溶媒溶液に、シリルエノールエーテル化合物を、ニトロ
ソ化合物1molに対して、1mol%程度添加し、こ
の混合溶液に、シリルトリフラート、金属塩化物1〜1
0mol%、好ましくは5mol%程度を、−78℃〜
室温、好ましくは0℃前後の温度範囲で添加することに
より、ニトロソ化合物の酸素原子に選択的求核付加反応
が生じ、アミノオキシ化合物が選択的に生成される。反
応後、飽和食塩水を添加して反応を終了させることがで
き、得られたヒドロキシアミノ化合物や、アミノオキシ
化合物の精製は、公知の従来の方法で行うことができ
る。
【0038】本発明のニトロソ化合物への位置選択的求
核付加反応によって、ニトロソ化合物から選択的に生成
されるヒドロキシアミノ化合物としては、具体的には、
2−(N−フェニルヒドロキシアミノ)−1−シクロペ
ンタノン、2−メチル−2−(N−フェニルヒドロキシ
アミノ)−1−シクロペンタノン、2−(N−フェニル
ヒドロキシアミノ)−1−インダノン、2−メチル−2
−(N−フェニルヒドロキシアミノ)−1−インダノ
ン、2−(N−o−トリルヒドロキシアミノ)−1−シ
クロペンタノン、2−(N−p−トリルヒドロキシアミ
ノ)−1−シクロペンタノン、2−[N−(3,5−キ
シル)ヒドロキシアミノ]−1−シクロペンタノン、2
−[N−(p−クロロフェニル)ヒドロキシアミノ]−1
−シクロペンタノン、2−[N−(p−ブロモフェニ
ル)ヒドロキシアミノ]−1−シクロペンタノン、2−
[N−(o−アニソール)ヒドロキシアミノ]−1−シク
ロペンタノン、2−[N−(p−アニソール)ヒドロキ
シアミノ]−1−シクロペンタノン、2−(N−フェニ
ルヒドロキシアミノ)−1−シクロヘキサノン、2−メ
チル−2−(N−フェニルヒドロキシアミノ)−1−シ
クロヘキサノン、2−(N−フェニルヒドロキシアミ
ノ)−1−ベンゾ[e]シクロヘキサノン、2−メチル−
2−(N−フェニルヒドロキシアミノ)−1−ベンゾ
[e]シクロヘキサノン、2−(N−o−トリルヒドロキ
シアミノ)−1−シクロヘキサノン、2−(N−p−ト
リルヒドロキシアミノ)−1−シクロヘキサノン、2−
[N−(3,5−キシル)ヒドロキシアミノ]−1−シク
ロヘキサノン、2−[N−(p−クロロフェニル)ヒド
ロキシアミノ]−1−シクロヘキサノン、2−[N−(p
−ブロモフェニル)ヒドロキシアミノ]−1−シクロヘ
キサノン、2−[N−(o−アニソール)ヒドロキシア
ミノ]−1−シクロヘキサノン、2−[N−(p−アニソ
ール)ヒドロキシアミノ]−1−シクロヘキサノンを例
示することができる。
【0039】更に、生成されるヒドロキシアミノ化合物
としては、具体的には、2−(N−フェニルヒドロキシ
アミノ)−1−シクロヘプタノン、2−メチル−2−
(N−フェニルヒドロキシアミノ)−1−シクロヘプタ
ノン、2−(N−フェニルヒドロキシアミノ)−1−ベ
ンゾ[f]シクロヘプタノン、2−メチル−2−(N−フ
ェニルヒドロキシアミノ)−1−ベンゾ[f]シクロヘプ
タノン、2−(N−o−トリルヒドロキシアミノ)−1
−シクロヘプタノン、2−(N−p−トリルヒドロキシ
アミノ)−1−シクロヘプタノン、2−[N−(3,5
−キシル)ヒドロキシアミノ]−1−シクロヘプタノ
ン、2−[N−(p−クロロフェニル)ヒドロキシアミ
ノ]−1−シクロヘプタノン、2−[N−(p−ブロモフ
ェニル)ヒドロキシアミノ]−1−シクロヘプタノン、
2−[N−(o−アニソール)ヒドロキシアミノ]−1−
シクロヘプタノン、2−[N−(p−アニソール)ヒド
ロキシアミノ]−1−シクロヘプタノン、2−(N−フ
ェニルヒドロキシアミノ)−1−シクロオクタノン、2
−メチル−2−(N−フェニルヒドロキシアミノ)−1
−シクロオクタノン、2−(N−フェニルヒドロキシア
ミノ)−1−ベンゾ[g]シクロオクタノン、2−メチル
−2−(N−フェニルヒドロキシアミノ)−1−ベンゾ
[g]シクロオクタノン、2−(N−o−トリルヒドロキ
シアミノ)−1−シクロオクタノン、2−(N−p−ト
リルヒドロキシアミノ)−1−シクロオクタノン、2−
[N−(3,5−キシル)ヒドロキシアミノ]−1−シク
ロオクタノン、2−[N−(p−クロロフェニル)ヒド
ロキシアミノ]−1−シクロオクタノン、2−[N−(p
−ブロモフェニル)ヒドロキシアミノ]−1−シクロオ
クタノン、2−[N−(o−アニソール)ヒドロキシア
ミノ]−1−シクロオクタノン、2−[N−(p−アニソ
ール)ヒドロキシアミノ]−1−シクロオクタノンを例
示することができる。
【0040】更に、生成されるヒドロキシアミノ化合物
としては、N,N−(2−オキソ−1,3,3−トリメ
チルブチル)フェニルヒドロキシアミン、N,N−(2
−オキソ−1,3,3−トリメチルブチル)−o−トリ
ルヒドロキシアミン、N,N−(2−オキソ−1,3,
3−トリメチルブチル)−p−トリルヒドロキシアミ
ン、N,N−(2−オキソ−1,3,3−トリメチルブ
チル)−(3,5−キシル)ヒドロキシアミン、N,N
−(2−オキソ−1,3,3−トリメチルブチル)−
(p−クロロフェニル)ヒドロキシアミン、N,N−
(2−オキソ−1,3,3−トリメチルブチル)−(p
−ブロモフェニル)ヒドロキシアミン、N,N−(2−
オキソ−1,3,3−トリメチルブチル)−(o−アニ
ソール)ヒドロキシアミン、N,N−(2−オキソ−
1,3,3−トリメチルブチル)−(p−アニソール)
ヒドロキシアミン、N,N−(2−オキソ−2−フェニ
ル−1−メチルエチル)フェニルヒドロキシアミン、
N,N−(2−オキソ−2−フェニル−1−メチルエチ
ル)−o−トリルヒドロキシアミン、N,N−(2−オ
キソ−2−フェニル−1−メチルエチル)−p−トリル
ヒドロキシアミン、N,N−(2−オキソ−2−フェニ
ル−1−メチルエチル)−(3,5−キシル)ヒドロキ
シアミン、N,N−(2−オキソ−2−フェニル−1−
メチルエチル)−(p−クロロフェニル)ヒドロキシア
ミン、N,N−(2−オキソ−2−フェニル−1−メチ
ルエチル)−(p−ブロモフェニル)ヒドロキシアミ
ン、N,N−(2−オキソ−2−フェニル−1−メチル
エチル)−(o−アニソール)ヒドロキシアミン、N,
N−(2−オキソ−2−フェニル−1−メチルエチル)
−(p−アニソール)ヒドロキシアミンを例示すること
ができる。
【0041】また、本発明のニトロソ化合物への位置選
択的求核付加反応によって、ニトロソ化合物から選択的
に生成されるアミノオキシ化合物としては、具体的に
は、2−(N−フェニルアミノオキシ)−1−シクロペ
ンタノン、2−メチル−2−(N−フェニルアミノオキ
シ)−1−シクロペンタノン、2−(N−フェニルアミ
ノオキシ)−1−インダノン、2−メチル−2−(N−
フェニルアミノオキシ)−1−インダノン、2−(N−
o−トリルアミノオキシ)−1−シクロペンタノン、2
−(N−p−トリルアミノオキシ)−1−シクロペンタ
ノン、2−[N−(3,5−キシル)アミノオキシ]−1
−シクロペンタノン、2−[N−(p−クロロフェニ
ル)アミノオキシ]−1−シクロペンタノン、2−[N−
(p−ブロモフェニル)アミノオキシ]−1−シクロペ
ンタノン、2−[N−(o−アニソール)アミノオキシ]
−1−シクロペンタノン、2−[N−(p−アニソー
ル)アミノオキシ]−1−シクロペンタノン、2−(N
−フェニルアミノオキシ)−1−シクロヘキサノン、2
−メチル−2−(N−フェニルアミノオキシ)−1−シ
クロヘキサノン、2−(N−フェニルアミノオキシ)−
1−ベンゾ[e]シクロヘキサノン、2−メチル−2−
(N−フェニルアミノオキシ)−1−ベンゾ[e]シクロ
ヘキサノン、2−(N−o−トリルアミノオキシ)−1
−シクロヘキサノン、2−(N−p−トリルアミノオキ
シ)−1−シクロヘキサノン、2−[N−(3,5−キ
シル)アミノオキシ]−1−シクロヘキサノン、2−[N
−(p−クロロフェニル)アミノオキシ]−1−シクロ
ヘキサノン、2−[N−(p−ブロモフェニル)アミノ
オキシ]−1−シクロヘキサノン、2−[N−(o−アニ
ソール)アミノオキシ]−1−シクロヘキサノン、2−
[N−(p−アニソール)アミノオキシ]−1−シクロヘ
キサノンを例示することができる。
【0042】更に、生成されるアミノオキシ化合物とし
ては、2−(N−フェニルアミノオキシ)−1−シクロ
ヘプタノン、2−メチル−2−(N−フェニルアミノオ
キシ)−1−シクロヘプタノン、2−(N−フェニルア
ミノオキシ)−1−ベンゾ[f]シクロヘプタノン、2−
メチル−2−(N−フェニルアミノオキシ)−1−ベン
ゾ[f]シクロヘプタノン、2−(N−o−トリルアミノ
オキシ)−1−シクロヘプタノン、2−(N−p−トリ
ルアミノオキシ)−1−シクロヘプタノン、2−[N−
(3,5−キシル)アミノオキシ]−1−シクロヘプタ
ノン、2−[N−(p−クロロフェニル)アミノオキシ]
−1−シクロヘプタノン、2−[N−(p−ブロモフェ
ニル)アミノオキシ]−1−シクロヘプタノン、2−[N
−(o−アニソール)アミノオキシ]−1−シクロヘプ
タノン、2−[N−(p−アニソール)アミノオキシ]−
1−シクロヘプタノン、2−(N−フェニルアミノオキ
シ)−1−シクロオクタノン、2−メチル−2−(N−
フェニルアミノオキシ)−1−シクロオクタノン、2−
(N−フェニルアミノオキシ)−1−ベンゾ[g]シクロ
オクタノン、2−メチル−2−(N−フェニルアミノオ
キシ)−1−ベンゾ[g]シクロオクタノン、2−(N−
o−トリルアミノオキシ)−1−シクロオクタノン、2
−(N−p−トリルアミノオキシ)−1−シクロオクタ
ノン、2−[N−(3,5−キシル)アミノオキシ]−1
−シクロオクタノン、2−[N−(p−クロロフェニ
ル)アミノオキシ]−1−シクロオクタノン、2−[N−
(p−ブロモフェニル)アミノオキシ]−1−シクロオ
クタノン、2−[N−(o−アニソール)アミノオキシ]
−1−シクロオクタノン、2−[N−(p−アニソー
ル)アミノオキシ]−1−シクロオクタノンを例示する
ことができる。
【0043】更に、生成されるアミノオキシ化合物とし
ては、N−(2−オキソ−1,3,3−トリメチルブト
キシ)フェニルアミン、N−(2−オキソ−1,3,3
−トリメチルブトキシ)−o−トリルアミン、N−(2
−オキソ−1,3,3−トリメチルブトキシ)−p−ト
リルアミン、N−(2−オキソ−1,3,3−トリメチ
ルブトキシ)−(3,5−キシル)アミン、N−(2−
オキソ−1,3,3−トリメチルブトキシ)−(p−ク
ロロフェニル)アミン、N−(2−オキソ−1,3,3
−トリメチルブトキシ)−(o−アニソール)アミン、
N−(2−オキソ−1,3,3−トリメチルブトキシ)
−(p−アニソール)アミン、N−(2−オキソ−2−
フェニル−1−メチルエトキシ)フェニルアミン、N−
(2−オキソ−2−フェニル−1−メチルエトキシ)−
o−トリルアミン、N−(2−オキソ−2−フェニル−
1−メチルエトキシ)−p−トリルアミン、N−(2−
オキソ−2−フェニル−1−メチルエトキシ)−(3,
5−キシル)アミン、N−(2−オキソ−2−フェニル
−1−メチルエトキシ)−(p−クロロフェニル)アミ
ン、N−(2−オキソ−2−フェニル−1−メチルエト
キシ)−(o−アニソール)アミン、N−(2−オキソ
−2−フェニル−1−メチルエトキシ)−(p−アニソ
ール)アミンを例示することができる。
【0044】
【実施例】以下に、実施例を挙げてこの発明を更に具体
的に説明するが、この発明の技術的範囲はこれらの実施
例に限定されるものではない。 実施例1[ヒドロキシアミノ化合物選択的生成のルイス
酸触媒の選択] アルゴン気流下、メタノール溶媒(2ml)に、フッ化
銀(12.7mg)と、ラセミ−BINAP(62.3
mg)を溶かし、遮光して室温で20分攪拌し、フッ化
銀・BINAP錯体メタノール溶液を調製した。次に、
アルゴン気流下、メタノール溶媒(3ml)にニトロソ
ベンゼン(107.1mg)を溶かし、さらに、室温で
5分間攪拌した。この溶液を0℃に冷却後、1−トリメ
チルシリル−2−メチル−1−インデン(230μL)
(式(IV)における1a)を加え、続いて、最初に調製
したフッ化銀・BINAP錯体メタノール溶液(2m
l)(10mol%)を10分かけてゆっくり滴下し
た。0℃で2時間攪拌後、飽和食塩水を加えて反応を消
化した。シリカゲルクロマトグラフィーにより反応生成
物を精製し、2−メチル−2−(N−フェニルヒドロキ
シアミノ)−1−インダノン(式(IV)における2a)
と、2−メチル−2−(N−フェニルアミノオキシ)−
1−インダノン(式(IV)における3a)(230.5
mg)を得た。反応生成物における2−メチル−2−
(N−フェニルヒドロキシアミノ)−1−インダノン
(2a)と、2−メチル−2−(N−フェニルアミノオ
キシ)−1−インダノン(3a)の収率の比は>99:
1であり、分離後の収率は91%であった。結果を表1
に示す。同様にして調製したフッ化銅・BINAP錯体
を触媒として、反応を行ない、反応生成物を得た。ま
た、フッ化銀、フッ化銅を触媒として反応生成物を得
た。更に、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル結果を表1
に示す。
【0045】
【表1】
【0046】フッ化銅・BINAP錯体、フッ化銅・B
INAP錯体については、反応生成物を収率高く得るこ
とができ、フッ化銀、フッ化銅については、反応生成物
の収率はBINAP錯体より低いものの、いずれの場合
も、2−メチル−2−(N−フェニルヒドロキシアミ
ノ)−1−インダノンを選択的に得ることができた。
【0047】実施例2[アミノオキシ化合物選択的生成
のルイス酸触媒の選択] アルゴン気流下、1,2−ジクロロプロパン溶媒(3m
l)に、ニトロソベンゼン(107.1mg)を溶か
し、さらに、室温で5分間攪拌した。この溶液を0℃に
冷却後、1−トリメチルシリル−2−メチル−1−イン
デン(230μL)(1a)を加え、続いて、トリエチ
ルシリルトリフラート(23μL)(10mol%)を
10分かけてゆっくり滴下した。0℃で1時間攪拌後、
飽和食塩水を加えて反応を消化した。シリカゲルクロマ
トグラフィーにより反応生成物を精製し、2−メチル−
2−(N−フェニルヒドロキシアミノ)−1−インダノ
ン(式(IV)における2a)と、2−メチル−2−(N
−フェニルアミノオキシ)−1−インダノン(式(IV)
における3a)(238.1mg)を得た。反応生成物
における2−メチル−2−(N−フェニルヒドロキシア
ミノ)−1−インダノン(2a)と、2−メチル−2−
(N−フェニルアミノオキシ)−1−インダノン(3
a)の収率の比は1:>99であり、分離後の収率は9
4%であった。結果を表1に示す。同様にシリルトリフ
ラート、金属塩化物を触媒として反応を行ない、反応生
成物を得た。結果を表1に示す。
【0048】実施例3[ニトロソ化合物に対するルイス
酸触媒作用] アルゴン気流下、1,2−ジクロロプロパン溶媒(3m
l)に、ニトロソベンゼン(107.1mg)を溶か
し、さらに、室温で5分間攪拌した。この溶液を0℃に
冷却後、1−トリメチルシリル−2−メチル−1−イン
デン(230μL)(1a)を加え、続いて、三フッ化
ホウ素・ジエチルエーテル(5mol%)を10分かけ
てゆっくり滴下した。0℃で1時間攪拌後、飽和食塩水
を加えて反応を消化した。シリカゲルクロマトグラフィ
ーにより反応生成物を精製し、2−メチル−2−(N−
フェニルヒドロキシアミノ)−1−インダノン(式(I
V)における2a)と、2−メチル−2−(N−フェニ
ルアミノオキシ)−1−インダノン(式(IV)における
3a)(238.1mg)を得た。反応生成物における
2−メチル−2−(N−フェニルヒドロキシアミノ)−
1−インダノン(2a)と、2−メチル−2−(N−フ
ェニルアミノオキシ)−1−インダノン(3a)の収率
の比は60:40であり、分離後の収率は84%であっ
た。結果を表1に示す。同様にトリ(パーフルオロフェ
ニル)ホウ素を触媒として反応をおこない、反応生成物
を得た。結果を表1に示す。シリルトリフタレートは、
反応生成物を収率高く得ることができ、銅トリフラー
ト、銀トリフラート、金属塩化物については、シリルト
リフタレートより収率は低下するものの、いずれの場合
も、2−メチル−2−(N−フェニルアミノオキシ)−
1−インダノンを選択的に得ることができた。また、ホ
ウ素化合物については、2−メチル−2−(N−フェニ
ルヒドロキシアミノ)−1−インダノン及び2−メチル
−2−(N−フェニルアミノオキシ)−1−インダノン
とを合計して収率よく得ることができた。
【0049】実施例4[シリルエノールエーテルの基質
適用範囲] 実施例1で調製したフッ化銀・BINAP錯体メタノー
ル溶液(10mol%)を触媒として用い、実施例1と
同様にして、表2に示すシリルエノールエーテル(1)
と、ニトロソベンゼンとの反応を行なった。また、トリ
エチルシリルトリフラート(5mol%)を触媒とし
て、実施例2と同様にして、表2に示すシリルエノール
エーテル(1)と、ニトロソベンゼンとの反応を行なっ
た。ヒドロキシアミノ化合物(2)とアミノオキシ化合
物(3)の反応生成物の収率、及び、収率比を表2に示
す。
【0050】
【表2】
【0051】表2に示すシリルエノールエーテルから、
ヒドロキシアミノ化合物、又はアミノオキシ化合物のい
ずれかを選択的に得ることができることがわかった。特
にシリルトリフラート触媒を用いた場合、アミノオキシ
化合物を選択的に得ることができることがわかった。
【0052】
【発明の効果】本発明によれば、ルイス酸触媒を用い
て、ニトロソ化合物とシリルエノールエーテルから、ヒ
ドロキシアミノ化合物及び/又はアミノオキシ化合物を
収率よく合成することができ、更に、ヒドロキシアミノ
化合物、アミノオキシ化合物のいずれか一方を選択的に
得ることができ、生理活性物質の合成へ導くことができ
る化合物を効率よく合成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成14年4月25日(2002.4.2
5)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0026
【補正方法】変更
【補正内容】
【0026】本発明の所定のルイス酸であるトリフラー
トは、トリフルオロメタンスルホン酸のエステル(RO
SOCF)や、金属塩(MOSOCF)であ
り、式(VII)で表されるシリルトリフラートや、銀ト
リフラート(AgOSOCF )や、銅トリフラート
(Cu(OSOCF)等が好適である。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0027
【補正方法】変更
【補正内容】
【0027】
【化8】
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0028
【補正方法】変更
【補正内容】
【0028】式(VII)中、R、R、R10は独立
して、C1〜C4のアルキル基を表し、かかるアルキル
基として、具体的には、メチル基、エチル基、n−プロ
ピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基
等を例示することができ、トリフラートは公知の方法に
準じて生成することができ、市販のものを適用すること
ができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) B01J 31/12 B01J 31/12 Z 31/26 31/26 Z 31/30 31/30 Z C07C 239/20 C07C 239/20 // C07B 61/00 300 C07B 61/00 300 (72)発明者 柳澤 章 千葉県千葉市稲毛区園生町1223−1−B− 606 Fターム(参考) 4G069 AA02 AA06 BA27A BA27B BA44A BB08A BB08B BC31A BC31B BC32A BC32B BC50A BC50B BC66A BC66B BD12A BD12C BD15A BD15B BE09A BE09B BE22A BE22B BE32A BE32B BE34A BE34B CB25 CB70 CB77 4H006 AA02 AC59 BA05 BA10 BA19 BA37 BA48 BA67 BB12 BB14 BB61 4H039 CA61 CA71 CD10

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ニトロソ化合物と、一般式(I) 【化1】 [式中、R1は、置換基を有していてもよいC1〜C6の
    非環状炭化水素基、又はC3〜C6の環状炭化水素基を
    表し、R2は、水素原子又はメチル基を表し、R3は、水
    素原子、置換基を有していてもよいC1〜C6の非環状
    炭化水素基、又はC3〜C6の環状炭化水素基を表し、
    1とR3とは結合してC5〜C8の環を形成してもよ
    く、R4、R5、R6は、独立して、C1〜C3のアルキ
    ル基を表す。]で示されるシリルエノールエーテル化合
    物とを、ルイス酸触媒存在下に反応させ、一般式(II) 【化2】 [式中、R1、R2、R3は、一般式(I)におけるR1
    2、R3と同じものを表し、R7は、炭化水素基を表
    す。]で示されるヒドロキシアミノ化合物、及び/又
    は、一般式(III) 【化3】 [式中、R1、R2、R3は、一般式(I)におけるR1
    2、R3と同じものを表し、R7は、炭化水素基を表
    す。]で示されるアミノオキシ化合物を合成することを
    特徴とするヒドロキシアミノ化合物及び/又はアミノオ
    キシ化合物の製造方法。
  2. 【請求項2】 一般式(I)〜(III)におけるR1が、
    C4〜C6の非環状炭化水素基を表すことを特徴とする
    請求項1記載のヒドロキシアミノ化合物及び/又はアミ
    ノオキシ化合物の製造方法。
  3. 【請求項3】 一般式(I)〜(III)におけるR3が、
    水素原子を表すことを特徴とする請求項1または2記載
    のヒドロキシアミノ化合物及び/又はアミノオキシ化合
    物の製造方法。
  4. 【請求項4】 ニトロソ化合物が、置換基を有していて
    もよいニトロソベンゼンであることを特徴とする請求項
    1〜3のいずれか記載のヒドロキシアミノ化合物及び/
    又はアミノオキシ化合物の製造方法。
  5. 【請求項5】 ニトロソ化合物が、ニトロソイソブタン
    であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか記載の
    ヒドロキシアミノ化合物及び/又はアミノオキシ化合物
    の製造方法。
  6. 【請求項6】 一般式(I)におけるR4、R5、R
    6が、メチル基を表すことを特徴とする請求項1〜5の
    いずれか記載のヒドロキシアミノ化合物及び/又はアミ
    ノオキシ化合物の製造方法。
  7. 【請求項7】 所定のルイス酸触媒を用いて、ヒドロキ
    シアミノ化合物又はアミノオキシ化合物を選択的に合成
    することを特徴とする請求項1〜6のいずれか記載のヒ
    ドロキシアミノ化合物及び/又はアミノオキシ化合物の
    製造方法。
  8. 【請求項8】 所定のルイス酸触媒として、金属フッ化
    物を用いてヒドロキシアミノ化合物を選択的に合成する
    ことを特徴とする請求項7記載のヒドロキシアミノ化合
    物及び/又はアミノオキシ化合物の製造方法。
  9. 【請求項9】 金属フッ化物が、フッ化銀又はフッ化銅
    であることを特徴とする請求項8記載のヒドロキシアミ
    ノ化合物及び/又はアミノオキシ化合物の製造方法。
  10. 【請求項10】 金属フッ化物が、BINAP錯体であ
    ることを特徴とする請求項8又は9記載のヒドロキシア
    ミノ化合物及び/又はアミノオキシ化合物の製造方法。
  11. 【請求項11】 所定のルイス酸触媒として、トリフラ
    ート又は金属塩化物を用いてアミノオキシ化合物を選択
    的に合成することを特徴とする請求項1〜7のいずれか
    記載のヒドロキシアミノ化合物及び/又はアミノオキシ
    化合物の製造方法。
  12. 【請求項12】 トリフラートが、シリルトリフラー
    ト、銀トリフラート、又は銅トリフラートであることを
    特徴とする請求項11記載のヒドロキシアミノ化合物及
    び/又はアミノオキシ化合物の製造方法。
  13. 【請求項13】 金属塩化物が、四塩化チタン又は三塩
    化鉄であることを特徴とする請求項11記載のヒドロキ
    シアミノ化合物及び/又はアミノオキシ化合物の製造方
    法。
  14. 【請求項14】 ルイス酸を有効成分として含有するこ
    とを特徴とするニトロソ化合物への位置選択的求核付加
    反応用触媒。
  15. 【請求項15】 ルイス酸が金属フッ化物であって、ヒ
    ドロキシアミノ化合物を選択的に合成することを特徴と
    する請求項14記載のニトロソ化合物への位置選択的求
    核付加反応用触媒。
  16. 【請求項16】 金属フッ化物が、フッ化銀又はフッ化
    銅であることを特徴とする請求項15記載のニトロソ化
    合物への位置選択的求核付加反応用触媒。
  17. 【請求項17】 金属フッ化物が、BINAP錯体であ
    ることを特徴とする請求項15又は16記載のニトロソ
    化合物への位置選択的求核付加反応用触媒。
  18. 【請求項18】 ルイス酸がトリフラート又は金属塩化
    物であって、アミノオキシ化合物を選択的に合成するこ
    とを特徴とする請求項14記載のニトロソ化合物への位
    置選択的求核付加反応用触媒。
  19. 【請求項19】 トリフラートが、シリルトリフラー
    ト、銀トリフラート、又は銅トリフラートであることを
    特徴とする請求項18記載のニトロソ化合物への位置選
    択的求核付加反応用触媒。
  20. 【請求項20】 金属塩化物が、四塩化チタン又は三塩
    化鉄であることを特徴とする請求項18記載のニトロソ
    化合物への位置選択的求核付加反応用触媒。
JP2002120795A 2002-04-23 2002-04-23 ヒドロキシアミノ化合物及び/又はアミノオキシ化合物の製造方法 Expired - Fee Related JP4390424B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002120795A JP4390424B2 (ja) 2002-04-23 2002-04-23 ヒドロキシアミノ化合物及び/又はアミノオキシ化合物の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002120795A JP4390424B2 (ja) 2002-04-23 2002-04-23 ヒドロキシアミノ化合物及び/又はアミノオキシ化合物の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003313158A true JP2003313158A (ja) 2003-11-06
JP4390424B2 JP4390424B2 (ja) 2009-12-24

Family

ID=29536920

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002120795A Expired - Fee Related JP4390424B2 (ja) 2002-04-23 2002-04-23 ヒドロキシアミノ化合物及び/又はアミノオキシ化合物の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4390424B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005080318A1 (ja) * 2004-02-20 2005-09-01 Japan Science And Technology Agency αーアミノオキシケトン化合物及びαーヒドロキシケトン化合物の製造方法
JP2010189320A (ja) * 2009-02-18 2010-09-02 Chiba Univ 光学活性なアミノオキシ化合物の製造方法
CN112939756A (zh) * 2021-03-03 2021-06-11 上海鼎素精细化工有限公司 一种制备5-氯茚酮的改进工艺方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005080318A1 (ja) * 2004-02-20 2005-09-01 Japan Science And Technology Agency αーアミノオキシケトン化合物及びαーヒドロキシケトン化合物の製造方法
JP2010189320A (ja) * 2009-02-18 2010-09-02 Chiba Univ 光学活性なアミノオキシ化合物の製造方法
CN112939756A (zh) * 2021-03-03 2021-06-11 上海鼎素精细化工有限公司 一种制备5-氯茚酮的改进工艺方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4390424B2 (ja) 2009-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3438571B2 (ja) C70誘導体
JP2003313158A (ja) ヒドロキシアミノ化合物及び/又はアミノオキシ化合物の製造方法
JP6000257B2 (ja) 2−アルケニルアミン化合物の製造方法
Selva et al. A Simple One-Pot Synthesis of Functionalized Ketimines from Ketones and Amine Hydrochloride Salts
JP4472917B2 (ja) アミノオキシ化合物、ヒドロキシアミノ化合物又はヒドロキシケトン化合物の製造方法
JP4649733B2 (ja) トリフルオロメチル基含有アセトフェノン化合物の製造方法
JP3353046B2 (ja) 有機ビスマス化合物を用いる有機化合物の製造法
US6777570B2 (en) Process for producing norbornene derivative having organosilyl group
JP2003055285A (ja) 4−tert−ブトキシ−4’−ハロゲノビフェニルおよびその製法、並びに4−ハロゲノ−4’−ヒドロキシビフェニルの製法
JP2005289976A (ja) N’−ベンゾイル−α−ヒドラジノエステル化合物の不斉合成方法
JP2010222304A (ja) トリフルオロメチルアレーン類の製造方法
EP0931059B1 (fr) Procede pour la preparation d'un cyanobiphenyle
JP2004010585A (ja) ベンザイン化合物の新規製造法
RU2323921C2 (ru) Получение замещенных инденов
JPS62501504A (ja) 銅−ジアミン錯体及びジアミンを製造する方法
JP2632638B2 (ja) 4−フェニルブタノールの製造法
JP3034063B2 (ja) 光学活性4−置換−2,6−ビス(オキサゾリル)ピリジン誘導体のロジウム錯体及びその錯体を使用した不斉アルコ−ルの製造方法
JP2864985B2 (ja) トリ(第2級アルキル)シラン化合物の製造方法
CN116675617A (zh) 一种非环状三级酰胺的合成方法
JP2021178811A (ja) 芳香族エーテル化合物又は芳香族スルフヒドリル化合物の製造方法
JP2020193181A (ja) 芳香族ニトリル化合物の製造方法
JP5254264B2 (ja) スルホニルイミデートのアリル化反応方法
JP2005075728A (ja) アリルアミン類の製造方法
JP2011256158A (ja) ビアリール化合物およびその製造方法、ならびにそのビアリール化合物を使用するカルバゾール誘導体の製造方法
WO2011057430A1 (zh) 一种手性n-亚磺酰氨基酸酰胺化合物及其制备方法和应用

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050613

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050726

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050913

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051004

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060419

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060530

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060531

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060807

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060901

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20061018

A912 Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20061110

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090811

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20091006

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121016

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121016

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131016

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees