JP2003309128A - ダブルヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 オフセット電圧を完全に無くして効率を向上
できるたダブルヘテロ接合バイポーラ・トランジスタを
提供する。 【解決手段】 エミッタ領域とコレクタ領域がベース領
域よりも広いバンドギャップを持つダブルへテロ接合を
有し、エミッタ領域がコレクタ領域よりも上位に位置す
るエミッタトップ型のバイポーラ・トランジスタにおい
て、ベース領域のベース・エミッタ接合の近傍の不純物
濃度を、ベース・コレクタ接合の近傍の不純物濃度より
も低くする。好ましくは、ベース・コレクタ接合の近傍
の不純物濃度に対するベース・エミッタ接合の近傍の不
純物濃度の比を、ベース・コレクタ接合の面積に対する
ベース・エミッタ接合の面積の比に等しくする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】 本発明は、ダブルヘテロ接
合バイポーラ・トランジスタに関し、さらに言えば、直
流電流・電圧特性における立ち上がり特性を悪化させる
ことなくオフセット電圧を完全に無くし、もって効率を
向上させることができるダブルヘテロ接合バイポーラ・
トランジスタに関する。

【０００２】

【従来の技術】 一般に、ｎｐｎ型バイポーラ・トラン
ジスタのエミッタ接地直流電流利得βは、再結合電流が
少ない場合、ｐ型のベース領域からｎ型のエミッタ領域
への正孔の逆注入量によって決まる。このため、エミッ
タ接地直流電流利得βは、エミッタ領域のｎ型不純物濃
度とベース領域のｐ型不純物濃度の比に比例する。これ
に対し、当該トランジスタの最大発振周波数ｆ_maxは、
近似的にベース抵抗（これはベース領域のｐ型不純物濃
度にほぼ逆比例する）の（１／２）乗に逆比例する。こ
のことから、ベース領域のｐ型不純物濃度に関して、エ
ミッタ接地直流電流利得βと最大発振周波数ｆmaxの間
でトレードオフが生じる。

【０００３】ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタは、
エミッタ・ベース接合をへテロ接合とすると共に、エミ
ッタ領域のバンドギャップをベース領域のバンドギャッ
プよりも広くすることにより、ベース領域の不純物濃度
をエミッタ領域の不純物濃度より高くしても電流利得を
稼げるようにしたものである。さらに、ベース領域の不
純物濃度を高くすることによってベース抵抗の低減、ベ
ース領域の薄層化、ベース走行時間の短縮が可能である
から、より高周波での動作ができるようになる。このた
め、ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタは、マイクロ
波帯からミリ波帯に至る広周波数帯域において発振、高
出力増幅、広帯域増幅用として用いられており、その高
い電流駆動能力から次世代高速通信用のスイッチング・
デバイス、あるいは次世代高速移動体通信用のパワー・
デバイスとして期待されている。

【０００４】近年、パワー・デバイス用のヘテロ接合バ
イポーラ・トランジスタでは、効率を高めることが特に
重要となってきているが、当該効率はトランジスタの直
流電流・電圧特性において、コレクタ電流の立ち上がり
特性を決めるオフセット電圧により制限されている。よ
って、当該効率を高めるためには、そのオフセット電圧
を低減することが重要である。

【０００５】エミッタ領域がコレクタ領域よりも上位に
配置されたエミッタ・トップ型のヘテロ接合バイポーラ
・トランジスタでは、オフセット電圧が生じるのは、エ
ミッタ・コレクタ間電圧が０［Ｖ］近傍にあるときに、
エミッタ領域からベース領域に流れる電流よりも、コレ
クタ領域からベース領域に流れる電流の方が大きいため
である。したがって、コレクタ領域からベース領域に流
れる電流を減らすことにより、オフセット電圧を低減す
ることができるが、その目的達成のためには通常、ベー
ス・コレクタ接合の面積を大きくしてエミッタ・ベース
接合の面積に近付ける方法が採られる。これは、ベース
電極の幅を狭める、ベース電極をエミッタ領域に近付け
て配置する、といった手法により実現できる。以下、こ
れらの手法を「第１従来例」という。

【０００６】しかしながら、エミッタ・トップ型のヘテ
ロ接合バイポーラ・トランジスタでは、ベース電極がベ
ース領域の上に配置されるため、必然的にベース・コレ
クタ接合の面積がエミッタ・ベース接合の面積よりもベ
ース電極の大きさに相当する分だけ大きくなる。このた
め、上記第１従来例に従ってエミッタ・ベース接合の面
積をベース・コレクタ接合の面積に近付けようとしても
限界がある。

【０００７】上記第１従来例とは別の方法でコレクタ領
域からベース領域に流れる電流を減らすための「第２従
来例」として、図１２に示すように、コレクタ領域の内
部に「伝導帯不連続」を形成する方法が開発・提案され
ている。この第２従来例は、例えば、「応用物理第６６
巻、第２号、１９９７年、ｐ．１５６」に開示されてい
る。図１２には、横軸をエピタキシャル層の積層方向の
距離として、ベース領域、コレクタ領域およびサブコレ
クタ領域にわたる伝導帯のエネルギー分布を示してい
る。

【０００８】また、上記第１従来例とは別の方法でコレ
クタ領域からベース領域に流れる電流を減らすための
「第３従来例」として、図１３に示すように、ベース領
域とコレクタ領域の界面に「伝導帯不連続」を形成する
方法も開発・提案されている。この第３従来例は、例え
ば、「Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．７７（１０）、１９９
５年、ｐ．５４３７」に開示されている。図１３には、
横軸をエピタキシャル層の積層方向の距離として、ベー
ス領域、コレクタ領域およびサブコレクタ領域にわたる
伝導帯のエネルギー分布を示している。

【０００９】図１２及び図１３に示した第２従来例およ
び第３従来例では、「伝導帯不連続」が、コレクタ領域
からベース領域へ伝導電子が流れ込むときのポテンシャ
ル障壁となるため、コレクタ領域からベース領域へ流れ
る電流が抑制される。こうしてオフセット電圧が低減さ
れる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】 しかしながら、上記
第２従来例および第３従来例では、オフセット電圧の低
減のために設けた「伝導帯不連続」が、トランジスタ動
作時にコレクタ抵抗を増加させるので、直流電流・電圧
特性における立ち上がり特性が悪化する。この立ち上が
り特性の悪化は、当該トランジスタをパワーアンプとし
て使用したときに効率の低下を引き起こすから、効率向
上のために行うオフセット電圧の低減が却って効率低下
を引き起こす、ということになってしまう。よって、上
記第２従来例および第３従来例においても、ヘテロ接合
バイポーラ・トランジスタの効率向上には限界がある。

【００１１】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、直流電流・電圧特性における立ち上が
り特性を悪化させることなくオフセット電圧を完全に無
くし、もって効率を向上させることができるダブルヘテ
ロ接合バイポーラ・トランジスタおよびその製造方法を
提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【００１２】（１） 上記目的を達成するために、本発
明の第１の観点のダブルヘテロ接合バイポーラ・トラン
ジスタは、エミッタ領域およびコレクタ領域がベース領
域よりも広いバンドギャップを持つと共に、エミッタ・
ベース接合およびベース・コレクタ接合がヘテロ接合と
されたダブルヘテロ接合バイポーラ・トランジスタにお
いて、前記ベース・コレクタ接合の近傍の不純物濃度と
前記エミッタ・ベース接合の近傍の不純物濃度との比
が、前記ベース・コレクタ接合の面積と前記エミッタ・
ベース接合の面積との比にほぼ等しくなるように、前記
ベース領域の不純物濃度分布が設定されていることを特
徴とするものである。

【００１３】（２） 本発明の第２の観点のダブルヘテ
ロ接合バイポーラ・トランジスタは、エミッタ領域およ
びコレクタ領域がベース領域よりも広いバンドギャップ
を持つと共に、エミッタ・ベース接合およびベース・コ
レクタ接合がヘテロ接合とされ、前記エミッタ領域が前
記コレクタ領域よりも上位に配置されたエミッタトップ
型のダブルヘテロ接合バイポーラ・トランジスタにおい
て、前記ベース領域の不純物濃度分布が、前記ベース・
コレクタ接合の近傍に比べて前記エミッタ・ベース接合
の近傍の方が低く設定されていることを特徴とするもの
である。

【００１４】（３） 本発明の第３の観点のダブルヘテ
ロ接合バイポーラ・トランジスタは、エミッタ領域およ
びコレクタ領域がベース領域よりも広いバンドギャップ
を持つと共に、エミッタ・ベース接合およびベース・コ
レクタ接合がヘテロ接合とされ、前記コレクタ領域が前
記エミッタ領域よりも上位に配置されたコレクタトップ
型のダブルヘテロ接合バイポーラ・トランジスタにおい
て、前記ベース領域の不純物濃度分布が、前記ベース・
コレクタ接合の近傍に比べて前記エミッタ・ベース接合
の近傍の方が高く設定されていることを特徴とするもの
である。

【００１５】（４） 本発明の第１〜第３の観点のダブ
ルヘテロ接合バイポーラ・トランジスタでは、次のよう
にして本発明の目的が達成される。

【００１６】まず、エミッタ・コレクタ間電圧が０
［Ｖ］近傍にあるときに前記エミッタ領域から前記ベー
ス領域に流れる電流は、前記ベース領域と前記エミッタ
領域の接合（すなわちエミッタ・ベース接合）の面積に
比例し、そのエミッタ・ベース接合の近傍における前記
ベース領域の不純物濃度に反比例する関係にある。他
方、前記コレクタ領域から前記ベース領域に流れる電流
は、前記ベース領域と前記コレクタ領域の接合（すなわ
ちベース・コレクタ接合）の面積に比例し、そのベース
・コレクタ接合の近傍における前記ベース領域の不純物
濃度に反比例する関係にある。

【００１７】上述のように、オフセット電圧は、エミッ
タ・コレクタ間電圧が０［Ｖ］近傍にあるときに前記エ
ミッタ領域から前記ベース領域に流れる電流と、前記コ
レクタ領域から前記ベース領域に流れる電流との間に差
があるために生じる。よって、このオフセット電圧を完
全に無くすには、前記エミッタ領域から前記ベース領域
に流れる電流と前記コレクタ領域から前記ベース領域に
流れる電流とを等しくして、これらが互いに打ち消され
るようにすればよい。

【００１８】そこで、本発明の第１の観点のダブルヘテ
ロ接合バイポーラ・トランジスタのように、前記ベース
・コレクタ接合の近傍の不純物濃度と前記エミッタ・ベ
ース接合の近傍の不純物濃度との比が、前記ベース・コ
レクタ接合の面積と前記エミッタ・ベース接合の面積と
の比にほぼ等しくなるように、前記ベース領域の不純物
濃度分布が設定する。こうすることにより、上記の二つ
の電流が等しくなり、その結果、オフセット電圧を完全
に無くすことができる。

【００１９】また、前記エミッタ領域が前記コレクタ領
域よりも上位に配置されたエミッタトップ型のダブルヘ
テロ接合バイポーラ・トランジスタでは、前記ベース領
域の上に形成されるベース電極の面積に相当する分だ
け、前記エミッタ・ベース接合の面積が前記ベース・コ
レクタ接合の面積よりも小さくなる。このため、前記コ
レクタ領域から前記ベース領域に流れる電流よりも、前
記エミッタ領域から前記ベース領域に流れる電流の方が
小さくなって、オフセット電圧が生じる。そこで、本発
明の第２の観点のダブルヘテロ接合バイポーラ・トラン
ジスタのように、前記ベース領域の不純物濃度分布を、
前記ベース・コレクタ接合の近傍に比べて前記エミッタ
・ベース接合の近傍の方を低く設定することにより、前
記エミッタ領域から前記ベース領域に流れる電流を増加
させて前記コレクタ領域から前記ベース領域に流れる電
流に近付けることができる。こうして、オフセット電圧
を低減することができる。

【００２０】前記コレクタ領域が前記エミッタ域よりも
上位に配置されたコレクタトップ型のダブルヘテロ接合
バイポーラ・トランジスタでは、前記ベース領域の上に
形成されるベース電極の面積に相当する分だけ、前記ベ
ース・コレクタ接合の面積が前記エミッタ・ベース接合
の面積よりも小さくなる。このため、前記エミッタ領域
から前記ベース領域に流れる電流よりも、前記コレクタ
領域から前記ベース領域に流れる電流の方が小さくなっ
て、オフセット電圧が生じる。そこで、本発明の第３の
観点のダブルヘテロ接合バイポーラ・トランジスタのよ
うに、前記ベース領域の不純物濃度分布を、前記ベース
・コレクタ接合の近傍に比べて前記エミッタ・ベース接
合の近傍の方を高く設定することにより、前記エミッタ
領域から前記ベース領域に流れる電流を増加させて前記
コレクタ領域から前記ベース領域に流れる電流に近付け
ることができる。こうして、オフセット電圧を低減する
ことができる。

【００２１】なお、本発明の第１〜第３の観点のダブル
ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタでは、上述した第
２従来例と第３従来例のような「伝導帯不連続」を生成
しないので、直流電流・電圧特性における立ち上がり特
性を悪化させることがない。

【００２２】（５） 本発明の第２の観点のダブルヘテ
ロ接合バイポーラ・トランジスタでは、好ましくは、前
記ベース・コレクタ接合の近傍の不純物濃度と前記エミ
ッタ・ベース接合の近傍の不純物濃度との比が、前記ベ
ース・コレクタ接合の面積と前記エミッタ・ベース接合
の面積との比にほぼ等しくなるように、前記ベース領域
の不純物濃度分布が設定される。この場合、前記エミッ
タ領域から前記ベース領域に流れる電流と前記コレクタ
領域から前記ベース領域に流れる電流とが等しくなり、
オフセット電圧を完全に無くすことができる。よって、
効率をいっそう向上させることができる利点がある。

【００２３】また、前記エミッタ・ベース接合の近傍に
ある前記ベース領域の不純物濃度が低い部分の幅は、ベ
ース・エミッタ間電圧がゼロのときに前記ベース領域の
内部に生成される空乏層の幅より大きくするのが望まし
い。

【００２４】（６） 本発明の第３の観点のダブルヘテ
ロ接合バイポーラ・トランジスタでは、好ましくは、前
記ベース・コレクタ接合の近傍の不純物濃度と前記エミ
ッタ・ベース接合の近傍の不純物濃度との比が、前記ベ
ース・コレクタ接合の面積と前記エミッタ・ベース接合
の面積との比にほぼ等しくなるように、前記ベース領域
の不純物濃度分布が設定される。この場合、前記エミッ
タ領域から前記ベース領域に流れる電流と前記コレクタ
領域から前記ベース領域に流れる電流とが等しくなり、
オフセット電圧を完全に無くすことができる。よって、
効率をいっそう向上させることができる利点がある。

【００２５】また、前記エミッタ・ベース接合の近傍に
ある前記ベース領域の不純物濃度が低い部分の幅は、ベ
ース・エミッタ間電圧がゼロのときに前記ベース領域の
内部に生成される空乏層の幅より大きくするのが望まし
い。

【００２６】（７） なお、特開平５−１２９３１５号
公報には、順方向動作型（またはラテラル型）のホモ接
合バイポーラ・トランジスタにおいて、ベース領域内の
コレクタ領域側の不純物濃度をエミッタ領域側の不純物
濃度よりも高くすることにより、高速動作を図ったもの
が開示されている。当該公報の第２実施例では、擬似ヘ
テロ接合バイポーラ・トランジスタへの適用も示されて
いる。しかし、これらのバイポーラ・トランジスタの構
造は、あくまでホモ接合の範疇を越えるものではなく、
本発明のダブルヘテロ接合バイポーラ・トランジスタと
は構造と目的が全く異なっている。

【００２７】

【発明の実施の形態】 以下、本発明の好適な実施形態
について図面を参照して詳細に説明する。

【００２８】〔第１実施形態〕図２は、本発明の第１実
施形態に係るｎｐｎ型のダブルヘテロ接合バイポーラ・
トランジスタの断面構造を示す。

【００２９】本実施形態のダブルヘテロ接合バイポーラ
・トランジスタでは、図２に示すように、半導体基板８
の表面にｎ型のサブコレクタ領域７が形成され、そのサ
ブコレクタ領域７の上にｎ型のコレクタ領域５とコレク
タ電極６が形成されている。コレクタ電極６は、コレク
タ領域５の全体を囲むように配置されている。

【００３０】コレクタ領域５の上には、ｐ型のベース領
域３が形成されている。ベース領域３の大きさは、コレ
クタ領域５のそれと同じである。

【００３１】ベース領域３の上には、ｎ型のエミッタ領
域１とベース電極４が形成されている。ベース電極４
は、エミッタ領域１の全体を囲むように配置されてい
る。

【００３２】エミッタ領域１の上には、エミッタ・コン
タクト９と１０が積層形成されている。上位にあるエミ
ッタ・コンタクト９の上には、エミッタ電極２が形成さ
れている。

【００３３】ｎ型エミッタ領域１を形成する半導体材料
は、ｐ型ベース領域３を形成する半導体材料よりも広い
バンドギャップを持っており、エミッタ領域１とベース
領域３との接合（エミッタ・ベース接合）は、へテロ接
合となっている。ｎ型コレクタ領域５を形成する半導体
材料も、ｐ型ベース領域３を形成する半導体材料よりも
広いバンドギャップを持っており、コレクタ領域５とベ
ース領域３との接合（ベース・コレクタ接合）も、へテ
ロ接合となっている。

【００３４】また、半導体基板８上にコレクタ領域５、
ベース領域３、エミッタ領域１がこの順に積層されてい
るので、エミッタ領域１がコレクタ領域５よりも上位に
位置している。よって、このバイポーラ・トランジスタ
は、エミッタトップ型の構造を持つ。

【００３５】ｐ型ベース領域３の不純物（アクセプタ）
濃度の分布は、ベース・コレクタ接合の近傍に比べてエ
ミッタ・ベース接合の近傍の方が低く設定されている
（図１を参照）。

【００３６】以上の構成のバイポーラ・トランジスタ
は、サブコレクタ領域７とコレクタ領域５、ベース領域
３、エミッタ領域１の形成時に、良く知られた有機金属
分子線エピタキシャル法（Metal-Organic Molecular-Be
am Epitaxy,ＭＯＭＢＥ法）等の結晶成長法を用いて容
易に製造できる。また、ベース領域３の所望の不純物
（アクセプタ）濃度分布は、ベース領域３としての半導
体結晶を成長させるに際して添加する不純物（アクセプ
タ）の量を適当に調整することにより、容易に実現する
ことができる。よってそれらについての詳細な説明は省
略する。

【００３７】以上の構成を持つ第１実施形態のｎｐｎ型
バイポーラ・トランジスタの構成を、より具体的に説明
すると、次の通りである。

【００３８】エミッタ・コンタクト領域９は、ドーピン
グ量が３×１０¹⁸［ｃｍ^-3］のｎ型ＧａＡｓ層により形
成してある。エミッタ・コンタクト領域１０は、ドーピ
ング量が３×１０¹⁷［ｃｍ^-3］のｎ型ＧａＡｓ層により
形成してある。ｎ型エミッタ領域１は、ドーピング量が
３×１０¹⁷［ｃｍ^-3］のｎ型ＩｎＧａＰ層により形成
し、層厚は４０［ｎｍ］としてある。ｎ型コレクタ領域
５は、ドーピング量が５×１０¹⁵［ｃｍ^-3］のｎ型Ｉｎ
ＧａＰ層により形成し、層厚は８００［ｎｍ］としてあ
る。ｎ型サブコレクタ領域７は、ドーピング量が３×１
０¹⁸［ｃｍ^-3］のｎ型ＩｎＧａＰ層により形成してあ
る。ｐ型ベース領域３は、ｐ型ＧａＡｓ層により形成
し、その層厚は８０［ｎｍ］としてある。エミッタ・ベ
ース接合の面積Ｓ_BEは１２０［μｍ²］、ベース・コレ
クタ接合の面積Ｓ_BCは２４０［μｍ²］としてある。

【００３９】図１は、図２のＡ−Ａ線に沿った断面につ
いてベース領域３の不純物濃度分布を示す。図１におい
て、縦軸はアクセプタ濃度であり、横軸はエピタキシャ
ル層の積層方向（基板８に垂直な方向）の距離である。
図１では、左側にコレクタ領域５があり、右側にエミッ
タ領域１がある。

【００４０】図１に示すように、ベース領域３内のアク
セプタ濃度は、ベース・コレクタ接合面から幅Ｄａが７
０［ｎｍ］の部分３ａで４×１０¹⁹［ｃｍ^-3］とし、残
りの幅Ｄｂが１０［ｎｍ］の部分３ｂでは２×１０
¹⁹［ｃｍ^-3］に減らしてある。このため、第１実施形態
におけるベース領域３のアクセプタ濃度分布は、エミッ
タ領域１との接合部（ベース・エミッタ接合）近傍のア
クセプタ濃度がコレクタ領域５との接合部（ベース・コ
レクタ接合）近傍のアクセプタ濃度より低くなってい
る。

【００４１】ここで、ベース領域３の高アクセプタ濃度
部分３ａの幅Ｄａは任意であるが、ベース領域３の低ア
クセプタ濃度部分３ｂの幅Ｄｂは、ベース・エミッタ間
電圧Ｖ_BEが０［Ｖ］のときにベース領域３の内部に生成
される空乏層の幅よりも大きくするのがよい。当該空乏
層よりも小さいと、所望の電流抑制効果が得られないか
らである。本実施形態では、幅Ｄｂを１０［ｎｍ］とし
ているので、当該空乏層の幅よりも十分広くなってい
る。

【００４２】次に、以上の構成を持つ第１実施形態のヘ
テロ接合バイポーラトランジスタにおいて、オフセット
電圧が低減される理由について説明する。

【００４３】ベース領域３の内部のエミッタ領域１との
接合部（エミッタ・ベース接合）の近傍にある低アクセ
プタ濃度部分３ｂは、コレクタ・エミッタ間電圧Ｖ_CEが
０［Ｖ］のときにエミッタ領域１からベース領域３へ流
れる電流を増加させる。エミッタ領域１からベース領域
３へ流れる電流Ｉ_BEは、次の数式（１）で示される。

【００４４】

【数１】 数式（１）において、Ｓ_BEはエミッタ・ベース接合の面
積、Ｊ_OBEはエミッタ・ベース接合の飽和電流密度、Ｔ
は絶対温度、Ｖ_BEはベース・エミッタ間電圧、ｋはボル
ツマン定数、ｑは素電荷を示す。

【００４５】エミッタ・ベース接合の飽和電流密度Ｊ
_OBEは、次の数式（２）で与えられる。

【００４６】

【数２】 数式（２）において、Ｄ_nはベース領域３での電子の拡
散係数、Ｎ_CBaseはベース領域３での伝導帯の有効状態
密度、Ｎ_VBaseはベース領域３での価電子帯の有効状態
密度、Ｅ_gBaseはベース領域３でのバンドギャップ、Ｌ_n
はベース領域３での電子の拡散長、Ｐ_BEはベース領域３
の低アクセプタ濃度部分３ｂのアクセプタ濃度を示す。

【００４７】数式（２）より、エミッタ・ベース接合の
飽和電流密度Ｊ_OBEは、ベース領域３の低アクセプタ濃
度部分３ｂのアクセプタ濃度Ｐ_BEに逆比例することが分
かる。そこで、数式（１）と数式（２）より、エミッタ
領域１からベース領域３へ流れる電流Ｉ_BEを増加させる
には、ベース領域３の低アクセプタ濃度部分３ｂのアク
セプタ濃度Ｐ_BEを減少させればよいことが分かる。

【００４８】ここで、第１実施形態のトランジスタのオ
フセット電圧は、エミッタ領域１からベース領域３へ注
入される電流Ｉ_BEが、コレクタ領域５からベース領域３
へ注入される電流Ｉ_BCよりも多いときに、トータルのコ
レクタ電流がマイナスになるために生じるものであるか
ら、オフセット電圧を完全に無くすためには、コレクタ
・エミッタ間電圧Ｖ_CEが０［Ｖ］のときに、エミッタ領
域１からベース領域３へ流れる電流Ｉ_BEとコレクタ領域
５からベース領域３に流れる電流Ｉ_BCとが等しくなれば
よい。すなわち、Ｖ_CE＝０のときに、Ｉ_BE＝Ｉ_BCが成立
すればよい。

【００４９】ここで、コレクタ領域５からベース領域３
に流れる電流Ｉ_BCは、エミッタ領域１からベース領域３
へ流れる電流Ｉ_BEと同様に、次の数式（３）で示され
る。

【００５０】

【数３】 数式（３）において、Ｓ_BCはベース・コレクタ接合の面
積、Ｊ_OBCはベース・コレクタ接合の飽和電流密度、Ｖ
_BCはベース・コレクタ間電圧、Ｐ_BCはベース領域３の高
アクセプタ濃度部分３ａのアクセプタ濃度を示す。

【００５１】第１実施形態のトランジスタは、ダブルへ
テロ接合を持っているため、価電子帯不連続によりホー
ル・バリアが生じてホールによる電流はほとんど流れな
い。このため、数式（１）および数式（３）において、
ホールによる電流成分は無視している。

【００５２】したがって、上記の数式（１）、（２）お
よび（３）と、Ｉ_BE＝Ｉ_BCという条件から、オフセット
電圧を完全に０［Ｖ］にする条件は、次の数式（４）で
与えられる。

【００５３】

【数４】 つまり、ベース領域３の低アクセプタ濃度部分３ｂのア
クセプタ濃度Ｐ_BEを数式（４）を満たすように設定すれ
ば、オフセット電圧を完全に無くすことができるのであ
る。

【００５４】ところで、第１実施形態のトランジスタ
は、図２に示すように、コレクタ領域５、ベース領域
３、エミッタ領域１がこの順に積まれたエミッタトップ
型構造を持つので、ベース領域３上に形成されるベース
電極４の面積に相当する分、エミッタ・ベース接合面積
Ｓ_BEがベース・コレクタ接合面積Ｓ_BCよりも小さくな
る。その結果、コレクタ領域５からベース領域３に流れ
る電流Ｉ_BCと比較して、エミッタ領域１からベース領域
３に流れる電流Ｉ_BEの方が必然的に小さく（つまりＩ _BC
＞Ｉ_BE）なって、オフセット電圧が生じる。

【００５５】本実施形態では、エミッタ・ベース接合面
積Ｓ_BEのベース・コレクタ接合面積Ｓ_BCに対する比が
０．５で、１以下である（Ｓ_BE／Ｓ_BC＝０．５＜１）の
で、オフセット電圧を抑制するには、式（４）から、ベ
ース領域３の部分３ａでのアクセプタ濃度Ｐ_BEを部分３
ｂでのアクセプタ濃度Ｐ_BCよりも低く設定すればよい。
本実施形態では、図１に示したように、ベース領域３の
不純物濃度分布は、ベース・コレクタ接合側と比較し
て、ベース・エミッタ接合面側の方が低くなっており、
オフセット電圧を抑制することができる。また、ベース
領域３の部分３ａのアクセプタ濃度Ｐ_BE＝２×１０
¹⁹［ｃｍ^-3］、ベース領域３の部分３ｂのアクセプタ濃
度Ｐ_BC＝４×１０¹⁹［ｃｍ^-3］であるので、Ｐ_BE＝Ｐ_BC
×（Ｓ_BE／Ｓ_BC）＝０．５Ｐ_BCとなって、数式（４）の
条件を満たしている。よって、オフセット電圧は完全に
無くなる。

【００５６】図３は、本発明の効果を確認するために発
明者が行った試験の結果である。図３は、本発明の第１
実施形態と従来例におけるβモードの直流電流・電圧特
性を併せて示しており、第１実施形態の結果を実線で、
従来例の結果を点線で示している。

【００５７】図３において、横軸はコレクタ・エミッタ
間電圧Ｖ_CEを、縦軸はコレクタ電流Ｉ_Cをそれぞれ示
す。エミッタサイズＳ_Eは１２０［μｍ²］であり、ベー
ス電流Ｉ_Bを３０［μＡ］ステップで２４０［μＡ］ま
で変化させている。

【００５８】比較に用いた従来例におけるベース領域の
不純物濃度分布を図１４に示す。この従来例のベース領
域のアクセプタ濃度は、一様に４×１０¹⁹［ｃｍ^-3］で
ある。よって、Ｐ_BE＝Ｐ_BC＝４×１０¹⁹［ｃｍ^-3］であ
る。

【００５９】図３の直流電流・電圧特性から明らかなよ
うに、従来例では０．３［Ｖ］のオフセット電圧が発生
しているのに対して、本発明の第１実施形態ではオフセ
ット電圧が完全に抑制されてゼロとなっている。

【００６０】以上説明したように、本発明の第１実施形
態のダブルヘテロ接合バイポーラ・トランジスタでは、
ベース領域３のアクセプタ濃度分布をコレクタ領域５と
の接合部の近傍３ａのアクセプタ濃度Ｐ_BCよりもエミッ
タ領域１との接合部の近傍３ｂのアクセプタ濃度Ｐ_BEが
低くなるように設定しているので、オフセット電圧を低
減することができる。

【００６１】さらに、本実施形態では、ベース領域３の
低アクセプタ濃度部分３ｂのアクセプタ濃度Ｐ_BEを２×
１０¹⁹［ｃｍ^-3］、それ以外の高アクセプタ濃度部分３
ａのアクセプタ濃度Ｐ_BCを４×１０¹⁹［ｃｍ^-3］に設定
して数式（４）の条件を満たしているので、エミッタ領
域１からベース領域３に流れる電流Ｉ_BEとコレクタ領域
５からベース領域３に流れる電流Ｉ_BCとが等しくなり、
その結果、オフセット電圧を完全に無くすことができ
る。つまり、従来のように直流電流・電圧特性における
立ち上がり特性を悪化させることなく、オフセット電圧
を完全に無くすことができ、もって当該トランジスタの
動作効率を向上させることができる。

【００６２】なお、本実施形態では、エミッタ領域１と
コレクタ領域５をいずれもｎ型ＩｎＧａＰにより形成し
たが、ベース領域３よりもバンドギャップが広ければよ
いので、ＡｌＡｓ，ＡｌＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｌＰ，Ｉ
ｎＡｌＧａＡｓＰ等も使用可能である。また、ベース領
域３にはＧａＡｓを用いたが、ＩｎＧａＡｓ，ＩｎＧａ
Ｐ，ＡｌＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓＰ等でもよい。さら
に、ベース領域３にＩｎＧａＡｓを用いた場合には、基
板８に対して垂直な方向に沿ってＩｎ組成を傾斜させた
ものでもよい。

【００６３】〔第２実施形態〕次に、本発明の第２実施
形態に係るヘテロ接合バイポーラ・トランジスタについ
て説明する。本実施形態は、第１実施形態と同等の構造
（図２参照）において、ベース領域３に図４に示す不純
物濃度分布を持たせたものである。

【００６４】図４の不純物濃度分布においては、ベース
領域３のアクセプタ濃度は、ベース・コレクタ接合面か
ら幅Ｄａが１０［ｎｍ］の部分３ａで４×１０¹⁹［ｃｍ
^-3］とし、残りの幅Ｄｂが７０［ｎｍ］の部分３ｂを２
×１０¹⁹［ｃｍ^-3］に低下させている。本実施形態のベ
ース領域３の不純物濃度分布においても、数式（４）の
条件を満たしているので、エミッタ領域１からベース領
域３に流れる電流Ｉ_BEとコレクタ領域５からベース領域
３に流れる電流Ｉ_BCとが等しくなり、その結果、オフセ
ット電圧を完全に無くすことができる。つまり、従来の
ように直流電流・電圧特性における立ち上がり特性を悪
化させることなく、オフセット電圧を完全に無くすこと
ができ、もって当該トランジスタの動作効率を向上させ
ることができる。

【００６５】〔第３実施形態〕図５は、本発明の第３実
施形態に係るヘテロ接合バイポーラ・トランジスタのベ
ース領域３に使用された不純物濃度分布を示す。当該ト
ランジスタの構造は、第１実施形態のそれと同じであ
る。

【００６６】図５では、ベース領域３のアクセプタ濃度
が、ベース・コレクタ接合面の４×１０¹⁹［ｃｍ^-3］か
らベース・エミッタ接合面の２×１０¹⁹［ｃｍ^-3］まで
徐々に減少していく分布となっている。この第３実施形
態においても、第１実施形態の場合と同じ効果が得られ
る。

【００６７】〔第４実施形態〕 図６は、本発明の第４
実施形態に係るヘテロ接合バイポーラ・トランジスタの
ベース領域３に使用された不純物濃度分布を示す。当該
トランジスタの構造は、第１実施形態のそれと同じであ
る。

【００６８】図６の不純物濃度分布においては、ベース
領域３のアクセプタ濃度が、ベース・コレクタ接合面か
ら幅Ｄａが１０［ｎｍ］の部分３ａで４×１０¹⁹［ｃｍ
^-3］とし、ベース・エミッタ接合面から幅Ｄｂが１０
［ｎｍ］の部分３ｂで２×１０ ¹⁹［ｃｍ^-3］とし、両者
の間の部分３ｃでは第３実施形態の場合（図５参照）の
ように徐々に減少していく分布となっている。

【００６９】この第４実施形態のように、ベース・コレ
クタ接合面とベース・エミッタ接合面の近傍だけを均一
にドープした分布でも、第１実施形態の場合と同じ効果
が得られる。

【００７０】〔第５実施形態〕 図７は、本発明の第５
実施形態に係るｎｐｎ型のダブルヘテロ接合バイポーラ
・トランジスタの断面構造を示す。

【００７１】本実施形態のダブルヘテロ接合バイポーラ
・トランジスタでは、図７に示すように、半導体基板２
８の表面にｎ型のサブエミッタ領域２７が形成され、そ
のサブエミッタ領域２７の上にｎ型のエミッタ領域２５
とエミッタ電極２６が形成されている。エミッタ電極２
６は、エミッタ領域２５の全体を囲むように配置されて
いる。

【００７２】エミッタ領域２５の上には、ｐ型のベース
領域２３が形成されている。ベース領域２３の大きさ
は、エミッタ領域２５のそれと同じである。

【００７３】ベース領域２３の上には、ｎ型のコレクタ
領域２１とベース電極２４が形成されている。ベース電
極２４は、コレクタ領域２１の全体を囲むように配置さ
れている。

【００７４】コレクタ領域２１の上には、コレクタ・コ
ンタクト２９と３０が積層形成されている。上位にある
コレクタ・コンタクト２９の上には、コレクタ電極２２
が形成されている。

【００７５】ｎ型コレクタ領域２１を形成する半導体材
料は、ｐ型ベース領域２３を形成する半導体材料よりも
広いバンドギャップを持っており、コレクタ領域２１と
ベース領域２３との接合（コレクタ・ベース接合）は、
へテロ接合となっている。ｎ型エミッタ領域２５を形成
する半導体材料も、ｐ型ベース領域２３を形成する半導
体材料よりも広いバンドギャップを持っており、エミッ
タ領域２５とベース領域２３との接合（エミッタ・コレ
クタ接合）も、へテロ接合となっている。

【００７６】また、半導体基板２８上にエミッタ領域２
５、ベース領域２３、コレクタ領域２１がこの順に積層
されているので、コレクタ領域２１がエミッタ領域２５
よりも上位に位置している。よって、このバイポーラ・
トランジスタは、コレクタトップ型の構造を持つ。

【００７７】ｐ型ベース領域２３の不純物（アクセプ
タ）濃度の分布は、ベース・コレクタ接合の近傍に比べ
てエミッタ・ベース接合の近傍の方が高く設定されてい
る（図８を参照）。

【００７８】以上の構成を持つ第５実施形態のｎｐｎ型
バイポーラ・トランジスタの構成を、より具体的に説明
すると、次の通りである。

【００７９】コレクタ・コンタクト領域２９は、ドーピ
ング量が３×１０¹⁸［ｃｍ^-3］のｎ型ＧａＡｓ層により
形成してある。コレクタ・コンタクト領域３０は、ドー
ピング量が３×１０¹⁷［ｃｍ^-3］のｎ型ＧａＡｓ層によ
り形成してある。ｎ型コレクタ領域２１は、ドーピング
量が３×１０¹⁷［ｃｍ^-3］のｎ型ＩｎＧａＰ層により形
成し、層厚は４０［ｎｍ］としてある。ｎ型エミッタ領
域２５は、ドーピング量が５×１０¹⁵［ｃｍ^-3］のｎ型
ＩｎＧａＰ層により形成し、層厚は８００［ｎｍ］とし
てある。ｎ型サブエミッタ領域２７は、ドーピング量が
３×１０¹⁸［ｃｍ^-3］のｎ型ＩｎＧａＰ層により形成し
てある。ｐ型ベース領域２３は、ｐ型ＧａＡｓ層により
形成し、その層厚は８０［ｎｍ］としてある。エミッタ
・ベース接合の面積Ｓ_BEは２４０［μｍ²］、ベース・
コレクタ接合の面積Ｓ_BCは１２０［μｍ²］としてあ
る。

【００８０】図８は、図７のＢ−Ｂ線に沿った断面につ
いてベース領域２３の不純物濃度分布を示す。図８にお
いて、縦軸はアクセプタ濃度であり、横軸はエピタキシ
ャル層の積層方向（基板２８に垂直な方向）の距離であ
る。図８では、右側にコレクタ領域２１があり、左側に
エミッタ領域２５がある。

【００８１】図８に示すように、ベース領域２３内のア
クセプタ濃度は、ベース・コレクタ接合面から幅Ｄｂ’
が１０［ｎｍ］の部分２３ｂで２×１０¹⁹［ｃｍ^-3］と
し、残りの幅Ｄａ’が７０［ｎｍ］の部分２３ａでは４
×１０¹⁹［ｃｍ^-3］に増やしてある。このため、第５実
施形態におけるベース領域２３のアクセプタ濃度分布
は、エミッタ領域２１との接合部（ベース・エミッタ接
合）近傍のアクセプタ濃度がコレクタ領域２５との接合
部（ベース・コレクタ接合）近傍のアクセプタ濃度より
高くなっている。

【００８２】ここで、ベース領域２３の低アクセプタ濃
度部分２３ｂ幅Ｄｂ’は任意であるが、ベース領域２３
の高アクセプタ濃度部分２３ａの幅Ｄａ’は、ベース・
エミッタ間電圧Ｖ_BEが０［Ｖ］のときにベース領域２３
の内部に生成される空乏層の幅よりも大きくするのがよ
い。当該空乏層よりも小さいと、所望の電流抑制効果が
得られないからである。本実施形態では、幅Ｄａ’を７
０［ｎｍ］としているので、当該空乏層の幅よりも十分
広くなっている。

【００８３】以上の構成を持つ第５実施形態のヘテロ接
合バイポーラトランジスタにおいて、オフセット電圧が
低減される理由は、第１実施形態において述べたのと同
じであるから、その説明は省略する。

【００８４】本実施形態では、ベース・コレクタ接合面
積Ｓ_BCのエミッタ・ベース接合面積Ｓ_BEに対する比が
０．５で、１以下である（Ｓ_BC／Ｓ_BE＝０．５＜１）の
で、オフセット電圧を抑制するには、数式（４）から、
ベース領域３の部分３ａ’でのアクセプタ濃度Ｐ_BEを部
分３ｂ’でのアクセプタ濃度Ｐ_BCよりも高く設定すれば
よい。本実施形態では、図８に示したように、ベース領
域２３の不純物濃度分布は、ベース・コレクタ接合面側
と比較して、ベース・エミッタ接合面側の方が高くなっ
ており、オフセット電圧を抑制することができる。ま
た、ベース領域２３の部分２３ａのアクセプタ濃度Ｐ_BE
＝４×１０¹⁹［ｃｍ^-3］、ベース領域２３の部分２３ｂ
のアクセプタ濃度Ｐ_BC＝２×１０¹⁹［ｃｍ^-3］であるの
で、Ｐ_BE＝Ｐ _BC×（Ｓ_BC／Ｓ_BE）＝０．５Ｐ_BCとなっ
て、数式（４）の条件を満たしている。よって、オフセ
ット電圧は完全に無くなる。

【００８５】〔第６実施形態〕図９は、本発明の第６実
施形態に係るヘテロ接合バイポーラ・トランジスタのベ
ース領域２３に使用された不純物濃度分布を示す。当該
トランジスタの構造は、第５実施形態のそれと同じであ
る。

【００８６】図９の不純物濃度分布においては、ベース
領域２３のアクセプタ濃度は、ベース・コレクタ接合面
から幅Ｄｂ’が７０［ｎｍ］の部分２３ｂで２×１０¹⁹
［ｃｍ^-3］とし、残りの幅Ｄａ’が１０［ｎｍ］の部分
２３ａでは４×１０¹⁹［ｃｍ ^-3］に増加させている。本
実施形態のベース領域２３の不純物濃度分布において
も、数式（４）の条件を満たしているので、エミッタ領
域２１からベース領域２３に流れる電流Ｉ_BEとコレクタ
領域２５からベース領域２３に流れる電流Ｉ_BCとが等し
くなり、その結果、オフセット電圧を完全に無くすこと
ができる。つまり、従来のように直流電流・電圧特性に
おける立ち上がり特性を悪化させることなく、オフセッ
ト電圧を完全に無くすことができ、もって当該トランジ
スタの動作効率を向上させることができる。

【００８７】〔第７実施形態〕図１０は、本発明の第７
実施形態に係るヘテロ接合バイポーラ・トランジスタの
ベース領域２３に使用された不純物濃度分布を示す。当
該トランジスタの構造は、第５実施形態のそれと同じで
ある。

【００８８】図１０では、ベース領域２３のアクセプタ
濃度が、ベース・コレクタ接合面の２×１０¹⁹［ｃ
ｍ^-3］からベース・エミッタ接合面の４×１０¹⁹［ｃｍ
^-3］まで徐々に増加していく分布となっている。この第
７実施形態においても、第５実施形態の場合と同じ効果
が得られる。

【００８９】〔第８実施形態〕図１１は、本発明の第８
実施形態に係るヘテロ接合バイポーラ・トランジスタの
ベース領域２３に使用された不純物濃度分布を示す。当
該トランジスタの構造は、第５実施形態のそれと同じで
ある。

【００９０】図１１の不純物濃度分布においては、ベー
ス領域２３のアクセプタ濃度が、ベース・コレクタ接合
面から幅Ｄｂ’が１０［ｎｍ］の部分２３ｂで２×１０
¹⁹［ｃｍ^-3］とし、ベース・エミッタ接合面から幅Ｄ
ａ’が１０［ｎｍ］の部分２３ａで４×１０¹⁹［ｃ
ｍ^-3］とし、両者の間の部分２３ｃでは第７実施形態の
場合（図１０参照）のように徐々に増加していく分布と
なっている。

【００９１】この第８実施形態のように、ベース・コレ
クタ接合面とベース・エミッタ接合面の近傍だけを均一
にドープした分布でも、第５実施形態の場合と同じ効果
が得られる。

【００９２】〔変形例〕 上述した第１〜第８の実施形
態では、ｎｐｎ型のダブルヘテロ接合バイポーラ・トラ
ンジスタとしているが、本発明はこれに限定されず、ｐ
ｎｐ型のダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタへの
適用も可能であることは言うまでもない。

【００９３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のダブルヘ
テロ接合バイポーラ・トランジスタによれば、直流電流
・電圧特性における立ち上がり特性を悪化させることな
くオフセット電圧を完全に無くし、もって効率を向上さ
せることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態のダブルヘテロ接合バイ
ポーラ・トランジスタにおけるベース領域の不純物濃度
分布を示す説明図である。

【図２】本発明の第１実施形態のダブルヘテロ接合バイ
ポーラ・トランジスタの構造を示す断面図である。

【図３】本発明と従来例におけるβモードの直流電流・
電圧特性を示す説明図である。

【図４】本発明の第２実施形態のダブルヘテロ接合バイ
ポーラ・トランジスタにおけるベース領域の不純物濃度
分布を示す説明図である。

【図５】本発明の第３実施形態のダブルヘテロ接合バイ
ポーラ・トランジスタにおけるベース領域の不純物濃度
分布を示す説明図である。

【図６】本発明の第４実施形態のダブルヘテロ接合バイ
ポーラ・トランジスタにおけるベース領域の不純物濃度
分布を示す説明図である。

【図７】本発明の第５実施形態のダブルヘテロ接合バイ
ポーラ・トランジスタの構造を示す断面図である。

【図８】本発明の第５実施形態のダブルヘテロ接合バイ
ポーラ・トランジスタにおけるベース領域の不純物濃度
分布を示す説明図である。

【図９】本発明の第６実施形態のダブルヘテロ接合バイ
ポーラ・トランジスタにおけるベース領域の不純物濃度
分布を示す説明図である。

【図１０】本発明の第７実施形態のダブルヘテロ接合バ
イポーラ・トランジスタにおけるベース領域の不純物濃
度分布を示す説明図である。

【図１１】本発明の第８実施形態のダブルヘテロ接合バ
イポーラ・トランジスタにおけるベース領域の不純物濃
度分布を示す説明図である。

【図１２】第２従来例のベース領域、コレクタ領域およ
びサブコレクタ領域にわたるエネルギー分布を示す説明
図である。

【図１３】第３従来例のベース領域、コレクタ領域およ
びサブコレクタ領域にわたるエネルギー分布を示す説明
図である。

【図１４】 従来のダブルヘテロ接合バイポーラ・トラ
ンジスタにおけるベース領域の不純物濃度分布を示す説
明図である。

【符号の説明】

１ エミッタ領域 ２ エミッタ電極 ３ ベース領域 ３ａ ベース領域の高アクセプタ濃度部 ３ｂ ベース領域の低アクセプタ濃度部 ３ｃ ベース領域の中間アクセプタ濃度部 ４ ベース電極 ５ コレクタ領域 ６ コレクタ電極 ７ サブコレクタ領域 ８ 半導体基板 ９，１０ エミッタ・コンタクト ２１ コレクタ領域 ２２ コレクタ電極 ２３ ベース領域 ２３ａ ベース領域の高アクセプタ濃度部 ２３ｂ ベース領域の低アクセプタ濃度部 ２３ｃ ベース領域の中間アクセプタ濃度部 ２４ ベース電極 ２５ エミッタ領域 ２６ エミッタ電極 ２７ サブエミッタ領域 ２８ 半導体基板

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 エミッタ領域およびコレクタ領域がベー
   ス領域よりも広いバンドギャップを持つと共に、エミッ
   タ・ベース接合およびベース・コレクタ接合がヘテロ接
   合とされたダブルヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ
   において、 前記ベース・コレクタ接合の近傍の不純物濃度と前記エ
   ミッタ・ベース接合の近傍の不純物濃度との比が、前記
   ベース・コレクタ接合の面積と前記エミッタ・ベース接
   合の面積との比にほぼ等しくなるように、前記ベース領
   域の不純物濃度分布が設定されていることを特徴とする
   ダブルヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
2. 【請求項２】 エミッタ領域およびコレクタ領域がベー
   ス領域よりも広いバンドギャップを持つと共に、エミッ
   タ・ベース接合およびベース・コレクタ接合がヘテロ接
   合とされ、前記エミッタ領域が前記コレクタ領域よりも
   上位に配置されたエミッタトップ型のダブルヘテロ接合
   バイポーラ・トランジスタにおいて、 前記ベース領域の不純物濃度分布が、前記ベース・コレ
   クタ接合の近傍に比べて前記エミッタ・ベース接合の近
   傍の方が低く設定されていることを特徴とするダブルヘ
   テロ接合バイポーラ・トランジスタ。
3. 【請求項３】 エミッタ領域およびコレクタ領域がベー
   ス領域よりも広いバンドギャップを持つと共に、エミッ
   タ・ベース接合およびベース・コレクタ接合がヘテロ接
   合とされ、前記コレクタ領域が前記エミッタ領域よりも
   上位に配置されたコレクタトップ型のダブルヘテロ接合
   バイポーラ・トランジスタにおいて、 前記ベース領域の不純物濃度分布が、前記ベース・コレ
   クタ接合の近傍に比べて前記エミッタ・ベース接合の近
   傍の方が高く設定されていることを特徴とするダブルヘ
   テロ接合バイポーラ・トランジスタ。
4. 【請求項４】 前記ベース・コレクタ接合の近傍の不純
   物濃度と前記エミッタ・ベース接合の近傍の不純物濃度
   との比が、前記ベース・コレクタ接合の面積と前記エミ
   ッタ・ベース接合の面積との比にほぼ等しくなるよう
   に、前記ベース領域の不純物濃度分布が設定されている
   請求項２または３に記載のダブルヘテロ接合バイポーラ
   ・トランジスタ。
5. 【請求項５】 前記エミッタ・ベース接合の近傍にある
   前記ベース領域の不純物濃度が低い部分の幅が、ベース
   ・エミッタ間電圧がゼロのときに前記ベース領域の内部
   に生成される空乏層の幅より大きい請求項２または４に
   記載のダブルヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
6. 【請求項６】 前記ベース領域が、前記エミッタ・ベー
   ス接合の近傍にある前記ベース領域の不純物濃度が低い
   部分に隣接して、前記ベース・コレクタ接合に向かって
   不純物濃度が徐々に増加する部分を含んでいる請求項
   ２、４または５に記載のダブルヘテロ接合バイポーラ・
   トランジスタ。
7. 【請求項７】 前記エミッタ・ベース接合の近傍にある
   前記ベース領域の不純物濃度が高い部分の幅が、ベース
   ・エミッタ間電圧がゼロのときに前記ベース領域の内部
   に生成される空乏層の幅より大きい請求項３または４に
   記載のダブルヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
8. 【請求項８】 前記ベース領域が、前記エミッタ・ベー
   ス接合の近傍にある前記ベース領域の不純物濃度が高い
   部分に隣接して、前記ベース・コレクタ接合に向かって
   不純物濃度が徐々に減少する部分を含んでいる請求項
   ３、４または７に記載のダブルヘテロ接合バイポーラ・
   トランジスタ。