JP2003307727A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- Thin Film Transistor (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 透過表示の輝度を上げるために透過表示領域
を拡大した場合であっても、データ線近傍における無効
領域の拡大を抑え、良好な表示品質を実現する。 【解決手段】 一対の基板２，７間に液晶層８が挟み込
まれ、透過光により表示を行う透過表示領域Ａと、反射
光により表示を行う反射表示領域Ｂとを備えてなり、上
記液晶層８を駆動する駆動素子ＴＦＴに信号を供給する
データ線５が配され、上記透過表示領域Ｂに隣接するデ
ータ線５は、上記反射表示領域Ａに隣接するデータ線５
とは異なる面上に形成されている。
を拡大した場合であっても、データ線近傍における無効
領域の拡大を抑え、良好な表示品質を実現する。 【解決手段】 一対の基板２，７間に液晶層８が挟み込
まれ、透過光により表示を行う透過表示領域Ａと、反射
光により表示を行う反射表示領域Ｂとを備えてなり、上
記液晶層８を駆動する駆動素子ＴＦＴに信号を供給する
データ線５が配され、上記透過表示領域Ｂに隣接するデ
ータ線５は、上記反射表示領域Ａに隣接するデータ線５
とは異なる面上に形成されている。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
するものであり、特に反射透過併用型の液晶表示装置の
改良に関する。
するものであり、特に反射透過併用型の液晶表示装置の
改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、薄型で低消費電力であ
るという特徴を活かして、ノート型パーソナルコンピュ
ータ、カーナビゲーション用の表示装置、携帯情報端末
（Personal Digital Assistant: PDA）、携帯電話に広
く用いられている。この液晶表示装置には、バックライ
トと呼ばれる内部光源を有し、このバックライトからの
光のオン・オフを液晶パネルで切り替えて表示を行う透
過型の液晶表示装置と、太陽光等の周囲光を反射板等で
反射させ、この反射光のオン・オフを液晶パネルで切り
替えて表示を行う反射型の液晶表示装置とが知られてい
る。
るという特徴を活かして、ノート型パーソナルコンピュ
ータ、カーナビゲーション用の表示装置、携帯情報端末
（Personal Digital Assistant: PDA）、携帯電話に広
く用いられている。この液晶表示装置には、バックライ
トと呼ばれる内部光源を有し、このバックライトからの
光のオン・オフを液晶パネルで切り替えて表示を行う透
過型の液晶表示装置と、太陽光等の周囲光を反射板等で
反射させ、この反射光のオン・オフを液晶パネルで切り
替えて表示を行う反射型の液晶表示装置とが知られてい
る。
【０００３】上述した透過型の液晶表示装置において
は、表示装置の全消費電力のうち５０％以上をバックラ
イトが占めており、このようなバックライトを設けるこ
とで消費電力が多くなるという問題がある。また、透過
型の液晶表示装置は、周囲が明るい場合には表示光が暗
く見え、視認性が低下するという問題もある。一方、反
射型の液晶表示装置においては、バックライトを設けて
いないため消費電力の増加という問題はないが、周囲が
暗い場合には反射光量が低下して視認性が極端に低下す
るという問題がある。
は、表示装置の全消費電力のうち５０％以上をバックラ
イトが占めており、このようなバックライトを設けるこ
とで消費電力が多くなるという問題がある。また、透過
型の液晶表示装置は、周囲が明るい場合には表示光が暗
く見え、視認性が低下するという問題もある。一方、反
射型の液晶表示装置においては、バックライトを設けて
いないため消費電力の増加という問題はないが、周囲が
暗い場合には反射光量が低下して視認性が極端に低下す
るという問題がある。
【０００４】このような透過型、反射型の表示装置の双
方の問題を解消するために、透過型表示と反射型表示と
の両方を１つの液晶パネルで実現する反射透過併用型の
液晶表示装置が提案されている。この反射透過併用型の
液晶表示装置では、周囲が明るい場合には周囲光の反射
による表示（反射表示）を行い、周囲が暗い場合にはバ
ックライト光による表示（透過表示）を行う。反射透過
併用型の液晶表示装置の例は、特許第２９５５２７７号
公報、特開２００１−１６６２８９号公報等に開示され
ている。
方の問題を解消するために、透過型表示と反射型表示と
の両方を１つの液晶パネルで実現する反射透過併用型の
液晶表示装置が提案されている。この反射透過併用型の
液晶表示装置では、周囲が明るい場合には周囲光の反射
による表示（反射表示）を行い、周囲が暗い場合にはバ
ックライト光による表示（透過表示）を行う。反射透過
併用型の液晶表示装置の例は、特許第２９５５２７７号
公報、特開２００１−１６６２８９号公報等に開示され
ている。
【０００５】図６に、従来の反射透過併用型の液晶表示
装置１０１における、薄膜トランジスタ（Thin Film Tr
ansistor:以下ＴＦＴと称する。）基板１０２の平面構
造を示す。ＴＦＴ基板１０２には、図６に示すように、
後述するＴＦＴによって制御される複数の画素電極１０
３がマトリクス状に配設されるとともに、これら画素電
極１０３の周囲にＴＦＴに走査信号を供給するためのゲ
ート線１０４と、ＴＦＴに表示信号を供給するためのデ
ータ線１０５とが互いに直交するように設けられ、画素
部が構成されている。
装置１０１における、薄膜トランジスタ（Thin Film Tr
ansistor:以下ＴＦＴと称する。）基板１０２の平面構
造を示す。ＴＦＴ基板１０２には、図６に示すように、
後述するＴＦＴによって制御される複数の画素電極１０
３がマトリクス状に配設されるとともに、これら画素電
極１０３の周囲にＴＦＴに走査信号を供給するためのゲ
ート線１０４と、ＴＦＴに表示信号を供給するためのデ
ータ線１０５とが互いに直交するように設けられ、画素
部が構成されている。
【０００６】また、ＴＦＴ基板１０２には、ゲート線１
０４と平行な金属膜からなる補助容量用配線（以下、Ｃ
ｓ線と称する。）１０６が設けられている。Ｃｓ線１０
６は、後述するように接続電極との間に補助容量Ｃを形
成し、カラーフィルタ基板に設けられた対向電極に接続
されている。
０４と平行な金属膜からなる補助容量用配線（以下、Ｃ
ｓ線と称する。）１０６が設けられている。Ｃｓ線１０
６は、後述するように接続電極との間に補助容量Ｃを形
成し、カラーフィルタ基板に設けられた対向電極に接続
されている。
【０００７】なお、画素電極１０３には、反射表示を行
うための反射表示領域Ａと、透過表示を行うための透過
表示領域Ｂとが設けられている。
うための反射表示領域Ａと、透過表示を行うための透過
表示領域Ｂとが設けられている。
【０００８】また、図７に、図６中のＦ−Ｆ'線におけ
る液晶表示装置１０１の断面構造を示す。この液晶表示
装置１０１は、先に述べたＴＦＴ基板１０２と、カラー
フィルタ基板１０７とが対向して配設され、これらの間
に液晶層１０８が挟持された構造とされる。
る液晶表示装置１０１の断面構造を示す。この液晶表示
装置１０１は、先に述べたＴＦＴ基板１０２と、カラー
フィルタ基板１０７とが対向して配設され、これらの間
に液晶層１０８が挟持された構造とされる。
【０００９】カラーフィルタ基板１０７は、ガラス等か
らなる透明絶縁基板１０９のＴＦＴ基板１０２と対向す
る側の面にカラーフィルタ１１０と、ＩＴＯ等からなる
対向電極１１１とをこの順に有する。カラーフィルタ１
１０は、顔料や染料によって各色に着色された樹脂層で
あり、例えばＲ，Ｇ，Ｂの各色のフィルタ層が組み合わ
されて構成されている。
らなる透明絶縁基板１０９のＴＦＴ基板１０２と対向す
る側の面にカラーフィルタ１１０と、ＩＴＯ等からなる
対向電極１１１とをこの順に有する。カラーフィルタ１
１０は、顔料や染料によって各色に着色された樹脂層で
あり、例えばＲ，Ｇ，Ｂの各色のフィルタ層が組み合わ
されて構成されている。
【００１０】また、カラーフィルタ基板１０７のカラー
フィルタ１１０及び対向電極１１１が形成された反対側
の面には、λ／４層１１２と、偏光板１１３とが配設さ
れる。
フィルタ１１０及び対向電極１１１が形成された反対側
の面には、λ／４層１１２と、偏光板１１３とが配設さ
れる。
【００１１】ＴＦＴ基板１０２の反射表示領域Ａにあっ
ては、ガラス等の透明基材からなる透明絶縁基板１１４
上に、画素電極１０３に表示信号を供給するためのスイ
ッチング素子であるＴＦＴ１１５と、詳細を後述する何
層かの絶縁膜を介してＴＦＴ１１５上に形成される散乱
層１１６と、この散乱層１１６上に形成される平坦化層
１１７と、ＩＴＯ膜１１８ａを介して平坦化層１１７上
に形成される反射電極１１９とを備えている。
ては、ガラス等の透明基材からなる透明絶縁基板１１４
上に、画素電極１０３に表示信号を供給するためのスイ
ッチング素子であるＴＦＴ１１５と、詳細を後述する何
層かの絶縁膜を介してＴＦＴ１１５上に形成される散乱
層１１６と、この散乱層１１６上に形成される平坦化層
１１７と、ＩＴＯ膜１１８ａを介して平坦化層１１７上
に形成される反射電極１１９とを備えている。
【００１２】この図７に示すＴＦＴ１１５は、いわゆる
ボトムゲート構造であり、透明絶縁基板１１４上に形成
されたゲート電極１２０と、ゲート電極１２０の上面に
重ねられた窒化シリコン膜１２１ａ及び酸化シリコン膜
１２１ｂの積層膜からなるゲート絶縁膜１２１と、ゲー
ト絶縁膜１２１上に重ねられた半導体薄膜１２２とを有
し、半導体薄膜１２２の両脇がＮ＋拡散領域とされてい
る。ゲート電極１２０は、ゲート線１０４の一部を延在
させたものであり、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔ
ａ）等の金属又は合金をスパッタリング等の方法によっ
て成膜されてなる。
ボトムゲート構造であり、透明絶縁基板１１４上に形成
されたゲート電極１２０と、ゲート電極１２０の上面に
重ねられた窒化シリコン膜１２１ａ及び酸化シリコン膜
１２１ｂの積層膜からなるゲート絶縁膜１２１と、ゲー
ト絶縁膜１２１上に重ねられた半導体薄膜１２２とを有
し、半導体薄膜１２２の両脇がＮ＋拡散領域とされてい
る。ゲート電極１２０は、ゲート線１０４の一部を延在
させたものであり、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔ
ａ）等の金属又は合金をスパッタリング等の方法によっ
て成膜されてなる。
【００１３】半導体薄膜１２２の一方のＮ＋拡散領域に
は、第１の層間絶縁膜１２３及び第２の層間絶縁膜１２
４に形成されたコンタクトホールを介してソース電極１
２５が接続される。ソース電極１２５にはデータ線１０
５が接続され、データ信号が入力される。また、半導体
薄膜１２２の他方のＮ＋拡散領域には、第１の層間絶縁
膜１２３及び第２の層間絶縁膜１２４に形成されたコン
タクトホールを介してドレイン電極１２６が接続され
る。ドレイン電極１２６は、接続電極１２７と接続さ
れ、さらにコンタクト部１２８を介して画素電極１０３
と電気的に接続される。接続電極１２７は、ゲート絶縁
膜１２１を介してＣｓ線１０６との間に補助容量Ｃを形
成している。半導体薄膜１２２は、例えば化学気相成長
（Chemical Vapor Deposition: CVD）法等によって得ら
れる低温ポリシリコンからなる薄膜であり、ゲート絶縁
膜１２１を介してゲート電極１２０と整合する位置に形
成される。
は、第１の層間絶縁膜１２３及び第２の層間絶縁膜１２
４に形成されたコンタクトホールを介してソース電極１
２５が接続される。ソース電極１２５にはデータ線１０
５が接続され、データ信号が入力される。また、半導体
薄膜１２２の他方のＮ＋拡散領域には、第１の層間絶縁
膜１２３及び第２の層間絶縁膜１２４に形成されたコン
タクトホールを介してドレイン電極１２６が接続され
る。ドレイン電極１２６は、接続電極１２７と接続さ
れ、さらにコンタクト部１２８を介して画素電極１０３
と電気的に接続される。接続電極１２７は、ゲート絶縁
膜１２１を介してＣｓ線１０６との間に補助容量Ｃを形
成している。半導体薄膜１２２は、例えば化学気相成長
（Chemical Vapor Deposition: CVD）法等によって得ら
れる低温ポリシリコンからなる薄膜であり、ゲート絶縁
膜１２１を介してゲート電極１２０と整合する位置に形
成される。
【００１４】半導体薄膜１２２の第１の層間絶縁膜１２
３及び第２の層間絶縁膜１２４を介した直上には、スト
ッパ１２９が設けられる。このストッパ１２９は、ゲー
ト電極１２０と整合する位置に形成された半導体薄膜１
２２を保護するものである。
３及び第２の層間絶縁膜１２４を介した直上には、スト
ッパ１２９が設けられる。このストッパ１２９は、ゲー
ト電極１２０と整合する位置に形成された半導体薄膜１
２２を保護するものである。
【００１５】また、ＴＦＴ基板１０２の透過表示領域Ｂ
にあっては、反射表示領域Ａの略全面にわたって形成さ
れている各種絶縁膜、すなわちゲート絶縁膜１２１、第
１の層間絶縁膜１２３、第２の層間絶縁膜１２４、散乱
層１１６及び平坦化層１１７が除去されており、透明絶
縁基板１１４上に直接、透明電極１１８が形成されてい
る。また、反射表示領域Ａにおいて成膜されている反射
電極１１９も、透過表示領域Ｂには形成されていない。
にあっては、反射表示領域Ａの略全面にわたって形成さ
れている各種絶縁膜、すなわちゲート絶縁膜１２１、第
１の層間絶縁膜１２３、第２の層間絶縁膜１２４、散乱
層１１６及び平坦化層１１７が除去されており、透明絶
縁基板１１４上に直接、透明電極１１８が形成されてい
る。また、反射表示領域Ａにおいて成膜されている反射
電極１１９も、透過表示領域Ｂには形成されていない。
【００１６】また、ＴＦＴ基板１０２のＴＦＴ１１５等
が形成された反対側の面、すなわち、図示を省略する内
部光源たるバックライトが配される側の面には、カラー
フィルタ基板１０７と同様に、λ／４層１３０と偏光板
１３１とがこの順に配設される。
が形成された反対側の面、すなわち、図示を省略する内
部光源たるバックライトが配される側の面には、カラー
フィルタ基板１０７と同様に、λ／４層１３０と偏光板
１３１とがこの順に配設される。
【００１７】上述の構成の反射透過併用型の液晶表示装
置１０１では、反射表示領域Ａと透過表示領域Ｂとで液
晶層１０８の厚みを異ならせることにより、反射表示及
び透過表示のいずれの状態においても高品質な表示を可
能とする。
置１０１では、反射表示領域Ａと透過表示領域Ｂとで液
晶層１０８の厚みを異ならせることにより、反射表示及
び透過表示のいずれの状態においても高品質な表示を可
能とする。
【００１８】このようなＴＦＴ基板１０２における反射
表示領域Ａと透過表示領域Ｂとの段差は、例えば２μｍ
程度とされる。そして、この段差は図７中に示すように
急峻な勾配をなすので、反射表示領域Ａと透過表示領域
Ｂとの境界領域では液晶ドメインが発生しやすく、ま
た、反射表示に必要なギャップ及び透過表示に必要なギ
ャップのどちらも満足しないので、反射表示及び透過表
示のいずれにも寄与せず、光抜け等を生じる。以下、反
射表示及び透過表示のいずれにも寄与しない領域を無効
領域と称する。通常この無効領域は表示品質の劣化を招
くため、遮光膜等によって遮光される必要がある。
表示領域Ａと透過表示領域Ｂとの段差は、例えば２μｍ
程度とされる。そして、この段差は図７中に示すように
急峻な勾配をなすので、反射表示領域Ａと透過表示領域
Ｂとの境界領域では液晶ドメインが発生しやすく、ま
た、反射表示に必要なギャップ及び透過表示に必要なギ
ャップのどちらも満足しないので、反射表示及び透過表
示のいずれにも寄与せず、光抜け等を生じる。以下、反
射表示及び透過表示のいずれにも寄与しない領域を無効
領域と称する。通常この無効領域は表示品質の劣化を招
くため、遮光膜等によって遮光される必要がある。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】ところで近年では、非
常に高精細な表示を実現する液晶表示装置において、図
８に示すように透過表示に寄与する透過表示領域Ｂを広
く確保した構造が提案されている。
常に高精細な表示を実現する液晶表示装置において、図
８に示すように透過表示に寄与する透過表示領域Ｂを広
く確保した構造が提案されている。
【００２０】このように透過表示領域Ｂを広げると、デ
ータ線１０５及びゲート線１０４に囲まれた１つの画素
部においては透過領域Ｂの周囲の反射表示領域Ａが相対
的に狭くなり、図８に示すようにデータ線１０５と透過
表示領域Ｂとが近接する。
ータ線１０５及びゲート線１０４に囲まれた１つの画素
部においては透過領域Ｂの周囲の反射表示領域Ａが相対
的に狭くなり、図８に示すようにデータ線１０５と透過
表示領域Ｂとが近接する。
【００２１】図６に示すように、データ線１０５と透過
表示領域Ｂとが離間している場合には、反射表示領域Ａ
と透過表示領域Ｂとの段差は図７に示すように、ゲート
絶縁膜１２１、第１の層間絶縁膜１２３、第２の層間絶
縁膜１２４、散乱層１１６、平坦化層１１７、及び反射
電極１１９の厚みの和であるが、図８に示すようにデー
タ線１０５と透過表示領域Ｂとが隣接する場合には、先
に述べた厚みの和にデータ線１０５の厚みが加わるの
で、データ線１０５近傍の透過表示領域Ｂにおいて透過
表示に必要なギャップが得られなくなる。
表示領域Ｂとが離間している場合には、反射表示領域Ａ
と透過表示領域Ｂとの段差は図７に示すように、ゲート
絶縁膜１２１、第１の層間絶縁膜１２３、第２の層間絶
縁膜１２４、散乱層１１６、平坦化層１１７、及び反射
電極１１９の厚みの和であるが、図８に示すようにデー
タ線１０５と透過表示領域Ｂとが隣接する場合には、先
に述べた厚みの和にデータ線１０５の厚みが加わるの
で、データ線１０５近傍の透過表示領域Ｂにおいて透過
表示に必要なギャップが得られなくなる。
【００２２】この結果、データ線１０５に隣接する透過
表示領域Ｂにおいて無効領域が拡大し、有効に機能する
領域が相対的に減少するので、透過表示領域Ｂを拡大し
たのにも拘わらず、透過表示において所望の輝度を得ら
れないといった問題が生じる。
表示領域Ｂにおいて無効領域が拡大し、有効に機能する
領域が相対的に減少するので、透過表示領域Ｂを拡大し
たのにも拘わらず、透過表示において所望の輝度を得ら
れないといった問題が生じる。
【００２３】そこで本発明はこのような従来の問題点を
解決するために提案されたものであり、透過表示の輝度
を上げるために透過表示領域を拡大した場合であって
も、データ線近傍における無効領域の拡大を抑え、良好
な表示品質を実現する反射透過併用型の液晶表示装置を
提供することを目的とする。
解決するために提案されたものであり、透過表示の輝度
を上げるために透過表示領域を拡大した場合であって
も、データ線近傍における無効領域の拡大を抑え、良好
な表示品質を実現する反射透過併用型の液晶表示装置を
提供することを目的とする。
【００２４】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明に係る液晶表示装置は、一対の基板間に液
晶層が挟み込まれ、透過光により表示を行う透過表示領
域と、反射光により表示を行う反射表示領域とを備えて
なる液晶表示装置において、上記液晶層を駆動する駆動
素子に信号を供給するデータ線が配され、上記透過表示
領域に隣接するデータ線は、上記反射表示領域に隣接す
るデータ線とは異なる面上に形成されていることを特徴
とする。
めに、本発明に係る液晶表示装置は、一対の基板間に液
晶層が挟み込まれ、透過光により表示を行う透過表示領
域と、反射光により表示を行う反射表示領域とを備えて
なる液晶表示装置において、上記液晶層を駆動する駆動
素子に信号を供給するデータ線が配され、上記透過表示
領域に隣接するデータ線は、上記反射表示領域に隣接す
るデータ線とは異なる面上に形成されていることを特徴
とする。
【００２５】透過表示領域に隣接するデータ線領域と反
射表示領域に隣接するデータ線領域とでデータ線の形成
される面を異ならせることによって、透過表示領域と反
射表示領域とでデータ線が同一面上に形成されている従
来の液晶表示装置に比べて、透過表示領域に隣接するデ
ータ線領域と透過表示領域との段差を低減する。
射表示領域に隣接するデータ線領域とでデータ線の形成
される面を異ならせることによって、透過表示領域と反
射表示領域とでデータ線が同一面上に形成されている従
来の液晶表示装置に比べて、透過表示領域に隣接するデ
ータ線領域と透過表示領域との段差を低減する。
【００２６】この結果、データ線と透過表示領域との間
に反射表示領域が存在しないほど透過表示領域を拡大し
た場合であっても、データ線近傍の透過表示領域におい
て無効領域が拡大することを防止する。
に反射表示領域が存在しないほど透過表示領域を拡大し
た場合であっても、データ線近傍の透過表示領域におい
て無効領域が拡大することを防止する。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した液晶表示
装置について、図面を参照しながら詳細に説明する。
装置について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２８】本発明の液晶表示装置は、反射表示と透過
表示とを１つの表示パネルで実現するいわゆる反射透過
併用型の液晶表示装置であり、例えばＴＦＴ等が形成さ
れたＴＦＴ基板及びカラーフィルタ等が形成されたカラ
ーフィルタ基板の一対の基板が液晶層を挟持してなる構
成とされる。
表示とを１つの表示パネルで実現するいわゆる反射透過
併用型の液晶表示装置であり、例えばＴＦＴ等が形成さ
れたＴＦＴ基板及びカラーフィルタ等が形成されたカラ
ーフィルタ基板の一対の基板が液晶層を挟持してなる構
成とされる。
【００２９】図１に、本発明を適用した反射透過併用型
液晶表示装置１における、ＴＦＴ基板２の平面構造を示
す。ＴＦＴ基板２には、図１に示すように、後述するＴ
ＦＴによって制御される複数の画素電極３がマトリクス
状に配設されるとともに、これら画素電極３の周囲にＴ
ＦＴに走査信号を供給するためのゲート線４と、ＴＦＴ
に表示信号を供給するためのデータ線５とが互いに直交
するように設けられ、画素部が構成されている。
液晶表示装置１における、ＴＦＴ基板２の平面構造を示
す。ＴＦＴ基板２には、図１に示すように、後述するＴ
ＦＴによって制御される複数の画素電極３がマトリクス
状に配設されるとともに、これら画素電極３の周囲にＴ
ＦＴに走査信号を供給するためのゲート線４と、ＴＦＴ
に表示信号を供給するためのデータ線５とが互いに直交
するように設けられ、画素部が構成されている。
【００３０】また、ＴＦＴ基板２には、ゲート線４と平
行な金属膜からなるＣｓ線６が設けられている。Ｃｓ線
６は、後述するように接続電極との間に補助容量Ｃを形
成し、カラーフィルタ基板に設けられた対向電極に接続
されている。
行な金属膜からなるＣｓ線６が設けられている。Ｃｓ線
６は、後述するように接続電極との間に補助容量Ｃを形
成し、カラーフィルタ基板に設けられた対向電極に接続
されている。
【００３１】なお、画素電極３には、反射表示を行うた
めの反射表示領域Ａと、透過表示を行うための透過表示
領域Ｂとが設けられている。
めの反射表示領域Ａと、透過表示を行うための透過表示
領域Ｂとが設けられている。
【００３２】次に、本発明の液晶表示装置の図１中のＣ
−Ｃ'線における断面構造、すなわち、データ線５に平
行であり、且つ透過表示領域Ｂの略中央を通る断面構造
について図２を参照しながら説明する。
−Ｃ'線における断面構造、すなわち、データ線５に平
行であり、且つ透過表示領域Ｂの略中央を通る断面構造
について図２を参照しながら説明する。
【００３３】この液晶表示装置１は、先に述べたＴＦＴ
基板２と、カラーフィルタ基板７とが対向して配設さ
れ、これらの間に液晶層８が挟持された構造とされる。
基板２と、カラーフィルタ基板７とが対向して配設さ
れ、これらの間に液晶層８が挟持された構造とされる。
【００３４】カラーフィルタ基板７は、ガラス等からな
る透明絶縁基板９のＴＦＴ基板２と対向する側の面にカ
ラーフィルタ１０と、ＩＴＯ等からなる対向電極１１と
をこの順に有する。カラーフィルタ１０は、顔料や染料
によって各色に着色された樹脂層であり、例えばＲ，
Ｇ，Ｂの各色のフィルタ層が組み合わされて構成されて
いる。
る透明絶縁基板９のＴＦＴ基板２と対向する側の面にカ
ラーフィルタ１０と、ＩＴＯ等からなる対向電極１１と
をこの順に有する。カラーフィルタ１０は、顔料や染料
によって各色に着色された樹脂層であり、例えばＲ，
Ｇ，Ｂの各色のフィルタ層が組み合わされて構成されて
いる。
【００３５】また、カラーフィルタ基板７のカラーフィ
ルタ１０及び対向電極１１が形成された反対側の面に
は、λ／４層１２と、偏光板１３とが配設される。
ルタ１０及び対向電極１１が形成された反対側の面に
は、λ／４層１２と、偏光板１３とが配設される。
【００３６】ＴＦＴ基板２の反射表示領域Ａにあって
は、ガラス等の透明基材からなる透明絶縁基板１４のカ
ラーフィルタ基板２と対向する側の面に、画素電極３に
表示信号を供給するためのスイッチング素子であるＴＦ
Ｔ１５と、詳細を後述する何層かの絶縁膜を介してＴＦ
Ｔ１５上に形成される散乱層１６と、この散乱層１６上
に形成される平坦化層１７と、ＩＴＯ膜１８ａを介して
平坦化層１７上に形成される反射電極１９とを備えてい
る。散乱層１６及び平坦化層１７は、反射表示領域Ａと
透過表示領域ＢとでＴＦＴ基板２の厚みを変えるための
凹凸形成層である。反射電極１９は、ロジウム、チタ
ン、クロム、銀、アルミニウム、ニッケル−クロム合金
等の金属膜からなり、特に銀を使用した場合に反射表示
における反射率が高くなる。
は、ガラス等の透明基材からなる透明絶縁基板１４のカ
ラーフィルタ基板２と対向する側の面に、画素電極３に
表示信号を供給するためのスイッチング素子であるＴＦ
Ｔ１５と、詳細を後述する何層かの絶縁膜を介してＴＦ
Ｔ１５上に形成される散乱層１６と、この散乱層１６上
に形成される平坦化層１７と、ＩＴＯ膜１８ａを介して
平坦化層１７上に形成される反射電極１９とを備えてい
る。散乱層１６及び平坦化層１７は、反射表示領域Ａと
透過表示領域ＢとでＴＦＴ基板２の厚みを変えるための
凹凸形成層である。反射電極１９は、ロジウム、チタ
ン、クロム、銀、アルミニウム、ニッケル−クロム合金
等の金属膜からなり、特に銀を使用した場合に反射表示
における反射率が高くなる。
【００３７】この図２に示すＴＦＴ１５は、いわゆるボ
トムゲート構造であり、透明絶縁基板１４上に形成され
たゲート電極２０と、ゲート電極２０の上面に重ねられ
た窒化シリコン膜２１ａ及び酸化シリコン膜２１ｂの積
層膜からなるゲート絶縁膜２１と、ゲート絶縁膜２１上
に重ねられた半導体薄膜２２とを有し、半導体薄膜２２
の両脇がＮ＋拡散領域とされている。ゲート電極２０
は、ゲート線４の一部を延在させたものであり、モリブ
デン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）等の金属又は合金をス
パッタリング等の方法によって成膜されてなる。
トムゲート構造であり、透明絶縁基板１４上に形成され
たゲート電極２０と、ゲート電極２０の上面に重ねられ
た窒化シリコン膜２１ａ及び酸化シリコン膜２１ｂの積
層膜からなるゲート絶縁膜２１と、ゲート絶縁膜２１上
に重ねられた半導体薄膜２２とを有し、半導体薄膜２２
の両脇がＮ＋拡散領域とされている。ゲート電極２０
は、ゲート線４の一部を延在させたものであり、モリブ
デン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）等の金属又は合金をス
パッタリング等の方法によって成膜されてなる。
【００３８】半導体薄膜２２の一方のＮ＋拡散領域に
は、第１の層間絶縁膜２３及び第２の層間絶縁膜２４に
形成されたコンタクトホールを介してソース電極２５が
接続される。ソース電極２５にはデータ線５が接続さ
れ、データ信号が入力される。また、半導体薄膜２２の
他方のＮ＋拡散領域には、第１の層間絶縁膜２３及び第
２の層間絶縁膜２４に形成されたコンタクトホールを介
してドレイン電極２６が接続される。ドレイン電極２６
は、接続電極２７と接続され、さらにコンタクト部２８
を介して画素電極３と電気的に接続される。接続電極２
７は、ゲート絶縁膜２１を介してＣｓ線６との間に補助
容量Ｃを形成している。半導体薄膜２２は例えばＣＶＤ
法等によって得られる低温ポリシリコンからなる薄膜で
あり、ゲート絶縁膜２１を介してゲート電極２０と整合
する位置に形成される。
は、第１の層間絶縁膜２３及び第２の層間絶縁膜２４に
形成されたコンタクトホールを介してソース電極２５が
接続される。ソース電極２５にはデータ線５が接続さ
れ、データ信号が入力される。また、半導体薄膜２２の
他方のＮ＋拡散領域には、第１の層間絶縁膜２３及び第
２の層間絶縁膜２４に形成されたコンタクトホールを介
してドレイン電極２６が接続される。ドレイン電極２６
は、接続電極２７と接続され、さらにコンタクト部２８
を介して画素電極３と電気的に接続される。接続電極２
７は、ゲート絶縁膜２１を介してＣｓ線６との間に補助
容量Ｃを形成している。半導体薄膜２２は例えばＣＶＤ
法等によって得られる低温ポリシリコンからなる薄膜で
あり、ゲート絶縁膜２１を介してゲート電極２０と整合
する位置に形成される。
【００３９】半導体薄膜２２の第１の層間絶縁膜２３及
び第２の層間絶縁膜２４を介した直上には、ストッパ２
９が設けられる。このストッパ２９は、ゲート電極２０
と整合する位置に形成された半導体薄膜２２を保護する
ものである。
び第２の層間絶縁膜２４を介した直上には、ストッパ２
９が設けられる。このストッパ２９は、ゲート電極２０
と整合する位置に形成された半導体薄膜２２を保護する
ものである。
【００４０】他方、ＴＦＴ基板２の透過表示領域Ｂにあ
っては、反射表示領域Ａの略全面にわたって形成されて
いる各種絶縁膜、すなわちゲート絶縁膜２１、第１の層
間絶縁膜２３、第２の層間絶縁膜２４、散乱層１６及び
平坦化層１７が除去されており、透明絶縁基板１４上に
直接、ＩＴＯ等からなる透明電極１８が形成されてい
る。また、反射表示領域Ａにおいて成膜されている反射
電極１９も、透過表示領域Ｂには形成されていない。
っては、反射表示領域Ａの略全面にわたって形成されて
いる各種絶縁膜、すなわちゲート絶縁膜２１、第１の層
間絶縁膜２３、第２の層間絶縁膜２４、散乱層１６及び
平坦化層１７が除去されており、透明絶縁基板１４上に
直接、ＩＴＯ等からなる透明電極１８が形成されてい
る。また、反射表示領域Ａにおいて成膜されている反射
電極１９も、透過表示領域Ｂには形成されていない。
【００４１】また、ＴＦＴ基板２のＴＦＴ１５等が形成
された反対側の面、すなわち、図示を省略する内部光源
たるバックライトが配される側の面には、カラーフィル
タ基板７と同様に、λ／４層３０と偏光板３１とがこの
順に配設される。
された反対側の面、すなわち、図示を省略する内部光源
たるバックライトが配される側の面には、カラーフィル
タ基板７と同様に、λ／４層３０と偏光板３１とがこの
順に配設される。
【００４２】上述したＴＦＴ基板２及びカラーフィルタ
基板７に挟持される液晶層８は、負の誘電異方性を有す
るネマティック液晶分子を主体とし、且つ二色性色素を
所定の割合で含有しているゲストホスト液晶が封入され
たものであり、図示を省略する配向膜によって垂直配向
される。この液晶層８においては、電圧印加時に液晶分
子が基板に対して垂直配向し、電圧無印加時に液晶分子
が基板に対して水平配向する。なお、液晶層８は上述の
構成に限定されず、電圧印加時に液晶分子が基板に対し
て水平配向し、電圧無印加時に液晶分子が基板に対して
垂直配向するような構成であってもよい。
基板７に挟持される液晶層８は、負の誘電異方性を有す
るネマティック液晶分子を主体とし、且つ二色性色素を
所定の割合で含有しているゲストホスト液晶が封入され
たものであり、図示を省略する配向膜によって垂直配向
される。この液晶層８においては、電圧印加時に液晶分
子が基板に対して垂直配向し、電圧無印加時に液晶分子
が基板に対して水平配向する。なお、液晶層８は上述の
構成に限定されず、電圧印加時に液晶分子が基板に対し
て水平配向し、電圧無印加時に液晶分子が基板に対して
垂直配向するような構成であってもよい。
【００４３】次に、図１に示す液晶表示装置のＤ−Ｄ'
線における断面構造、すなわち、データ線５に平行であ
り、且つデータ線５の略中央を通過するＴＦＴ基板２の
断面構造について図３を参照しながら説明する。
線における断面構造、すなわち、データ線５に平行であ
り、且つデータ線５の略中央を通過するＴＦＴ基板２の
断面構造について図３を参照しながら説明する。
【００４４】図３に示すように、反射表示領域Ａに隣接
する領域においては、透明絶縁基板１４上にＣｓ線６
と、Ｃｓ線６を覆うように窒化シリコン膜２１ａ及び酸
化シリコン膜２１ｂの積層膜からなるゲート絶縁膜２１
と、半導体薄膜２２と、ストッパ２９と、第１の層間絶
縁膜２３と、第２の層間絶縁膜２４とがこの順に積層さ
れ、これら層間絶縁膜上にデータ線５が形成されてい
る。データ線５上には、平坦化層１７と、反射電極１９
とがこの順に積層される。また、Ｃｓ線６に対応するデ
ータ線５上には、ドレイン電極２６と画素電極３とを接
続する接続電極２７が形成される。また、データ線５上
には、データ線５とソース電極２５とを接続する接続電
極３２が形成される。
する領域においては、透明絶縁基板１４上にＣｓ線６
と、Ｃｓ線６を覆うように窒化シリコン膜２１ａ及び酸
化シリコン膜２１ｂの積層膜からなるゲート絶縁膜２１
と、半導体薄膜２２と、ストッパ２９と、第１の層間絶
縁膜２３と、第２の層間絶縁膜２４とがこの順に積層さ
れ、これら層間絶縁膜上にデータ線５が形成されてい
る。データ線５上には、平坦化層１７と、反射電極１９
とがこの順に積層される。また、Ｃｓ線６に対応するデ
ータ線５上には、ドレイン電極２６と画素電極３とを接
続する接続電極２７が形成される。また、データ線５上
には、データ線５とソース電極２５とを接続する接続電
極３２が形成される。
【００４５】これに対し、透過表示領域Ｂに隣接する領
域においては、ゲート絶縁膜２１、第１の層間絶縁膜２
３及び第２の層間絶縁膜２４が除去されており、透明絶
縁基板１４上に直接データ線５が形成される。また、透
過表示領域Ｂに隣接する領域のデータ線５上には、反射
表示領域Ａに隣接する領域から延在する平坦化層１７
と、透明電極１８とがこの順に積層される。
域においては、ゲート絶縁膜２１、第１の層間絶縁膜２
３及び第２の層間絶縁膜２４が除去されており、透明絶
縁基板１４上に直接データ線５が形成される。また、透
過表示領域Ｂに隣接する領域のデータ線５上には、反射
表示領域Ａに隣接する領域から延在する平坦化層１７
と、透明電極１８とがこの順に積層される。
【００４６】このように、透過表示領域Ｂに隣接する領
域と反射表示領域Ａに隣接する領域とでデータ線５の形
成される面が異なり、透過表示領域Ｂに隣接する領域に
おけるデータ線５部分の高さが、ゲート絶縁膜２１、第
１の層間絶縁膜２３及び第２の層間絶縁膜２４の厚みの
和に相当する分だけ反射表示領域Ａに隣接する領域に比
べて低くなされる。すなわち、透過表示領域Ｂを広く確
保するためにデータ線５に透過表示領域Ｂが極めて接近
する構造であっても、従来の反射透過併用型の液晶表示
装置に比べて、透過表示領域Ｂとこれに隣接するデータ
線５領域との段差が低減される。この結果、データ線５
近傍の透過表示領域Ｂにおいて透過表示に必要なギャッ
プを満足しない無効領域の増大を従来構造に比べて抑え
ることができる。すなわち、本発明の液晶表示装置１
は、透過表示領域Ｂを広く確保しつつ無効領域の拡大を
最小限に抑えることが可能であり、従来の反射透過併用
型の液晶表示装置に比べて透過表示の輝度を高めること
ができる。
域と反射表示領域Ａに隣接する領域とでデータ線５の形
成される面が異なり、透過表示領域Ｂに隣接する領域に
おけるデータ線５部分の高さが、ゲート絶縁膜２１、第
１の層間絶縁膜２３及び第２の層間絶縁膜２４の厚みの
和に相当する分だけ反射表示領域Ａに隣接する領域に比
べて低くなされる。すなわち、透過表示領域Ｂを広く確
保するためにデータ線５に透過表示領域Ｂが極めて接近
する構造であっても、従来の反射透過併用型の液晶表示
装置に比べて、透過表示領域Ｂとこれに隣接するデータ
線５領域との段差が低減される。この結果、データ線５
近傍の透過表示領域Ｂにおいて透過表示に必要なギャッ
プを満足しない無効領域の増大を従来構造に比べて抑え
ることができる。すなわち、本発明の液晶表示装置１
は、透過表示領域Ｂを広く確保しつつ無効領域の拡大を
最小限に抑えることが可能であり、従来の反射透過併用
型の液晶表示装置に比べて透過表示の輝度を高めること
ができる。
【００４７】ところで、本発明によって透過表示の際の
輝度を向上させられることから、特に透過表示重視の反
射透過併用型の液晶表示装置、より具体的には、表示パ
ネルにおける光の反射率が１％以上、１０％以下の範囲
内であり、且つ表示パネルにおける光の透過率が５％以
上、１０％以下の範囲内であるように規定された反射透
過併用型の液晶表示装置に本発明を適用することで、本
発明の効果を最大限に得ることができる。上述のように
光の反射率及び透過率が所定の範囲内に規定された反射
透過併用型の液晶表示装置は、反射表示における表示光
の輝度が最低限必要なレベルに保持されつつ、透過表示
における表示光の輝度が透過型の液晶表示装置と同等の
レベルの輝度とされ、視認性及び色再現性の向上が図ら
れたものである。
輝度を向上させられることから、特に透過表示重視の反
射透過併用型の液晶表示装置、より具体的には、表示パ
ネルにおける光の反射率が１％以上、１０％以下の範囲
内であり、且つ表示パネルにおける光の透過率が５％以
上、１０％以下の範囲内であるように規定された反射透
過併用型の液晶表示装置に本発明を適用することで、本
発明の効果を最大限に得ることができる。上述のように
光の反射率及び透過率が所定の範囲内に規定された反射
透過併用型の液晶表示装置は、反射表示における表示光
の輝度が最低限必要なレベルに保持されつつ、透過表示
における表示光の輝度が透過型の液晶表示装置と同等の
レベルの輝度とされ、視認性及び色再現性の向上が図ら
れたものである。
【００４８】なお、透過表示領域Ｂに隣接するデータ線
５は、透明絶縁基板１４上、すなわち、透過表示領域Ｂ
における透明電極１８と同じ面上に直接形成されること
が好ましい。この構造とすることにより、データ線５領
域と透過表示領域Ｂとの段差を最小とし、且つ製造プロ
セスを容易とすることができる。
５は、透明絶縁基板１４上、すなわち、透過表示領域Ｂ
における透明電極１８と同じ面上に直接形成されること
が好ましい。この構造とすることにより、データ線５領
域と透過表示領域Ｂとの段差を最小とし、且つ製造プロ
セスを容易とすることができる。
【００４９】なお、図３では、データ線５下に配される
ゲート絶縁膜２１、第１の層間絶縁膜２３及び第２の層
間絶縁膜２４を全て透明絶縁基板１４上から除去するこ
とによって、透過表示領域Ｂに隣接する領域と反射表示
領域Ａに隣接する領域とでデータ線５の形成される面を
異ならせた例を挙げたが、本発明はこれに限定されるも
のではない。例えば、透過表示領域Ｂに隣接するデータ
線５下には、ゲート絶縁膜２１、第１の層間絶縁膜２３
及び第２の層間絶縁膜２４のうち少なくとも１つの層を
除去することによって、透過表示領域Ｂに隣接する領域
と反射表示領域Ａに隣接する領域とでデータ線５の形成
される面を異ならせてもよい。また、透過表示領域Ｂに
隣接するデータ線５下の、ゲート絶縁膜２１、第１の層
間絶縁膜２３及び第２の層間絶縁膜２４のうち少なくと
も１つの層の厚みを変化させることによって、透過表示
領域Ｂに隣接する領域と反射表示領域Ａに隣接する領域
とでデータ線５の形成される面を異ならせてもよい。
ゲート絶縁膜２１、第１の層間絶縁膜２３及び第２の層
間絶縁膜２４を全て透明絶縁基板１４上から除去するこ
とによって、透過表示領域Ｂに隣接する領域と反射表示
領域Ａに隣接する領域とでデータ線５の形成される面を
異ならせた例を挙げたが、本発明はこれに限定されるも
のではない。例えば、透過表示領域Ｂに隣接するデータ
線５下には、ゲート絶縁膜２１、第１の層間絶縁膜２３
及び第２の層間絶縁膜２４のうち少なくとも１つの層を
除去することによって、透過表示領域Ｂに隣接する領域
と反射表示領域Ａに隣接する領域とでデータ線５の形成
される面を異ならせてもよい。また、透過表示領域Ｂに
隣接するデータ線５下の、ゲート絶縁膜２１、第１の層
間絶縁膜２３及び第２の層間絶縁膜２４のうち少なくと
も１つの層の厚みを変化させることによって、透過表示
領域Ｂに隣接する領域と反射表示領域Ａに隣接する領域
とでデータ線５の形成される面を異ならせてもよい。
【００５０】ところで、透過表示領域Ｂに隣接するデー
タ線５は、透明電極１８との電気的な接触を防ぐため
に、絶縁層によって被覆される。この透過表示領域Ｂに
隣接するデータ線５を覆う絶縁層は、なだらかな形状、
すなわち順テーパ形状とされることにより、液晶ドメイ
ンやリバースチルト等の発生が抑制され、光抜け等の不
都合を防止できる。このような観点から、データ線５を
覆う絶縁層の具体的な立ち上がり角度は、８０°以下と
されることが好ましく、４５°以下とされることがより
好ましい。
タ線５は、透明電極１８との電気的な接触を防ぐため
に、絶縁層によって被覆される。この透過表示領域Ｂに
隣接するデータ線５を覆う絶縁層は、なだらかな形状、
すなわち順テーパ形状とされることにより、液晶ドメイ
ンやリバースチルト等の発生が抑制され、光抜け等の不
都合を防止できる。このような観点から、データ線５を
覆う絶縁層の具体的な立ち上がり角度は、８０°以下と
されることが好ましく、４５°以下とされることがより
好ましい。
【００５１】透過表示領域Ｂに隣接するデータ線５を覆
う絶縁層に用いる材料としては特に限定されないが、例
えばアクリル系、ポリオレフィン系、スチレン系等の熱
又は光によって流動性を発現する有機材料、無機材料等
を用い、リフローすることによって、先に述べたような
なだらかな形状、すなわち順テーパ形状の絶縁層を容易
に実現できる。また、熱又は光によって流動性を発現し
ない材料を用いた場合であっても、ウェットプロセスに
よるエッチングやドライプロセスによる後退エッチング
等によりなだらかな形状、すなわち順テーパ形状の絶縁
層を形成可能である。さらに、データ線５を覆う絶縁層
に感光性の有機材料を用いることで、フォトリソグラフ
ィによって所望の位置に高精度にて絶縁層をパターニン
グすることが可能となる。
う絶縁層に用いる材料としては特に限定されないが、例
えばアクリル系、ポリオレフィン系、スチレン系等の熱
又は光によって流動性を発現する有機材料、無機材料等
を用い、リフローすることによって、先に述べたような
なだらかな形状、すなわち順テーパ形状の絶縁層を容易
に実現できる。また、熱又は光によって流動性を発現し
ない材料を用いた場合であっても、ウェットプロセスに
よるエッチングやドライプロセスによる後退エッチング
等によりなだらかな形状、すなわち順テーパ形状の絶縁
層を形成可能である。さらに、データ線５を覆う絶縁層
に感光性の有機材料を用いることで、フォトリソグラフ
ィによって所望の位置に高精度にて絶縁層をパターニン
グすることが可能となる。
【００５２】このデータ線５を覆う絶縁層としては、反
射表示領域Ａにおける凹凸形成層の少なくとも一部を延
在した層を用いることができる。例えば凹凸形成層が感
光性の有機材料からなる場合には、フォトリソグラフィ
における露光量を調整して、反射表示領域Ａに隣接する
領域と透過表示領域Ｂに隣接する領域とでデータ線５を
覆う凹凸形成層の厚みを変化させる。この手法は、デー
タ線５上の絶縁層の膜厚を任意に設定できるので、必要
上充分な電極間容量を得られるとともに、所望のなだら
かな形状を実現できる。
射表示領域Ａにおける凹凸形成層の少なくとも一部を延
在した層を用いることができる。例えば凹凸形成層が感
光性の有機材料からなる場合には、フォトリソグラフィ
における露光量を調整して、反射表示領域Ａに隣接する
領域と透過表示領域Ｂに隣接する領域とでデータ線５を
覆う凹凸形成層の厚みを変化させる。この手法は、デー
タ線５上の絶縁層の膜厚を任意に設定できるので、必要
上充分な電極間容量を得られるとともに、所望のなだら
かな形状を実現できる。
【００５３】また、データ線５を覆う絶縁層は、図４に
示すように、凹凸形成層として平坦化層１７のみを備え
る場合、図５に示すように、凹凸形成層として散乱層１
６及び平坦化層１７の両方を備える場合、データ線５を
覆う絶縁層が散乱層１６のみからなる場合のいずれであ
ってもよい。さらに、凹凸形成層が散乱層１６や平坦化
層１７以外の層を含む場合には、この層が透過表示領域
Ｂに隣接するデータ線５を覆う絶縁層を構成してもよ
い。
示すように、凹凸形成層として平坦化層１７のみを備え
る場合、図５に示すように、凹凸形成層として散乱層１
６及び平坦化層１７の両方を備える場合、データ線５を
覆う絶縁層が散乱層１６のみからなる場合のいずれであ
ってもよい。さらに、凹凸形成層が散乱層１６や平坦化
層１７以外の層を含む場合には、この層が透過表示領域
Ｂに隣接するデータ線５を覆う絶縁層を構成してもよ
い。
【００５４】次に、図１、図２及び図３に示すような構
造の液晶表示装置１の製造方法について説明する。
造の液晶表示装置１の製造方法について説明する。
【００５５】先ず、透明絶縁基板１４上に、ゲート電極
２０、窒化シリコン膜２１ａ及び酸化シリコン膜２１ｂ
からなるゲート絶縁膜２１、及び半導体薄膜２２を順次
堆積・パターニングし、半導体薄膜２２の両脇の領域に
不純物導入し、Ｎ＋拡散領域とする。また、半導体薄膜
２２上にストッパ２９を形成し、半導体薄膜２２及びス
トッパ２９を被覆するように、第１の層間絶縁膜２３及
び第２の層間絶縁膜２４を成膜する。
２０、窒化シリコン膜２１ａ及び酸化シリコン膜２１ｂ
からなるゲート絶縁膜２１、及び半導体薄膜２２を順次
堆積・パターニングし、半導体薄膜２２の両脇の領域に
不純物導入し、Ｎ＋拡散領域とする。また、半導体薄膜
２２上にストッパ２９を形成し、半導体薄膜２２及びス
トッパ２９を被覆するように、第１の層間絶縁膜２３及
び第２の層間絶縁膜２４を成膜する。
【００５６】次に、半導体薄膜２２の一対のＮ＋拡散領
域に対応する箇所の第１の層間絶縁膜２３及び第２の層
間絶縁膜２４を例えばエッチングにより開口し、コンタ
クトホールを形成する。コンタクトホールを形成するの
と同時に、透過表示領域Ｂに隣接し、且つ後で形成する
データ線５の下方に存在することになるゲート絶縁膜２
１、第１の層間絶縁膜２３及び第２の層間絶縁膜２４を
エッチングにより除去することが好ましい。
域に対応する箇所の第１の層間絶縁膜２３及び第２の層
間絶縁膜２４を例えばエッチングにより開口し、コンタ
クトホールを形成する。コンタクトホールを形成するの
と同時に、透過表示領域Ｂに隣接し、且つ後で形成する
データ線５の下方に存在することになるゲート絶縁膜２
１、第１の層間絶縁膜２３及び第２の層間絶縁膜２４を
エッチングにより除去することが好ましい。
【００５７】次に、先に開口したコンタクトホールを介
して半導体薄膜２２と接続するソース電極２５及びドレ
イン電極２６を所定の形状にパターニングして形成す
る。
して半導体薄膜２２と接続するソース電極２５及びドレ
イン電極２６を所定の形状にパターニングして形成す
る。
【００５８】次に、散乱反射を起こさせる機能を有する
散乱層１６を成膜し、所定の形状にパターニングする。
この上に、平坦化層１７を成膜し、所定の形状にパター
ニングする。この平坦化層１７のパターニングの際に、
透過表示領域Ｂのゲート絶縁膜２１、第１の層間絶縁膜
２３及び第２の層間絶縁膜２４を除去し、透明絶縁基板
１４を露出させる。
散乱層１６を成膜し、所定の形状にパターニングする。
この上に、平坦化層１７を成膜し、所定の形状にパター
ニングする。この平坦化層１７のパターニングの際に、
透過表示領域Ｂのゲート絶縁膜２１、第１の層間絶縁膜
２３及び第２の層間絶縁膜２４を除去し、透明絶縁基板
１４を露出させる。
【００５９】次に、ＩＴＯをスパッタリングし、ＩＴＯ
からなる透明電極１８を形成する。さらに透明電極１８
上の、反射表示領域Ａに対応する領域に反射電極１９を
形成する。以上のようにして、透明絶縁基板１４上にＴ
ＦＴ１５等が形成されてなるＴＦＴ基板２を得る。
からなる透明電極１８を形成する。さらに透明電極１８
上の、反射表示領域Ａに対応する領域に反射電極１９を
形成する。以上のようにして、透明絶縁基板１４上にＴ
ＦＴ１５等が形成されてなるＴＦＴ基板２を得る。
【００６０】また、透明絶縁基板９にカラーフィルタ１
０及び対向電極１１を公知の方法に従って形成し、カラ
ーフィルタ基板７を得る。
０及び対向電極１１を公知の方法に従って形成し、カラ
ーフィルタ基板７を得る。
【００６１】以上のようにして得られたＴＦＴ基板２の
ＴＦＴ１５が形成された主面、及びカラーフィルタ基板
７のカラーフィルタ１０が形成された主面にそれぞれ配
向膜を形成する。配向膜が内側となるようにＴＦＴ基板
２とカラーフィルタ基板７とを対向させて貼り合わせ、
さらに液晶を注入して液晶層８を形成する。そして、Ｔ
ＦＴ基板２の外側にλ／４層３０及び偏光板３１を、カ
ラーフィルタ基板７の外側にλ／４層１２及び偏光板１
３を貼り付けることによって、図２に示すような反射透
過併用型の液晶表示装置１が完成する。
ＴＦＴ１５が形成された主面、及びカラーフィルタ基板
７のカラーフィルタ１０が形成された主面にそれぞれ配
向膜を形成する。配向膜が内側となるようにＴＦＴ基板
２とカラーフィルタ基板７とを対向させて貼り合わせ、
さらに液晶を注入して液晶層８を形成する。そして、Ｔ
ＦＴ基板２の外側にλ／４層３０及び偏光板３１を、カ
ラーフィルタ基板７の外側にλ／４層１２及び偏光板１
３を貼り付けることによって、図２に示すような反射透
過併用型の液晶表示装置１が完成する。
【００６２】なお、本発明は上述の記載に限定されるこ
とはなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜
変更可能である。
とはなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜
変更可能である。
【００６３】例えば上述の液晶表示装置では、いわゆる
ボトムゲート構造のＴＦＴを用いた液晶表示装置を例に
挙げたが、トップゲート構造のＴＦＴを用いた液晶表示
装置に本発明を適用することも可能である。
ボトムゲート構造のＴＦＴを用いた液晶表示装置を例に
挙げたが、トップゲート構造のＴＦＴを用いた液晶表示
装置に本発明を適用することも可能である。
【００６４】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によれば、透過表示領域を広く確保した構造であって
も、データ線と隣接する透過表示領域における無効領域
の拡大を抑えて充分な面積の透過表示領域を確保し、高
輝度な透過表示を実現することが可能な反射透過併用型
の液晶表示装置を提供することができる。
明によれば、透過表示領域を広く確保した構造であって
も、データ線と隣接する透過表示領域における無効領域
の拡大を抑えて充分な面積の透過表示領域を確保し、高
輝度な透過表示を実現することが可能な反射透過併用型
の液晶表示装置を提供することができる。
【図１】本発明を適用した反射透過併用型の液晶表示装
置の、ＴＦＴ基板を示す平面図である。
置の、ＴＦＴ基板を示す平面図である。
【図２】図１に示す液晶表示装置の、Ｃ−Ｃ'線におけ
る断面図である。
る断面図である。
【図３】図１に示す液晶表示装置の、Ｄ−Ｄ'線におけ
る断面図である。
る断面図である。
【図４】図１に示す液晶表示装置の、Ｅ−Ｅ線における
断面図の一例である。
断面図の一例である。
【図５】図１に示す液晶表示装置の、Ｅ−Ｅ線における
断面図の他の例である。
断面図の他の例である。
【図６】従来の反射透過併用型の液晶表示装置の、ＴＦ
Ｔ基板を示す平面図である。
Ｔ基板を示す平面図である。
【図７】図６に示す従来の液晶表示装置の、Ｆ−Ｆ'線
における断面図である。
における断面図である。
【図８】透過表示領域Ｂを拡大した、従来の反射透過併
用型の液晶表示装置の、ＴＦＴ基板を示す平面図であ
る。
用型の液晶表示装置の、ＴＦＴ基板を示す平面図であ
る。
１ 液晶表示装置
２ ＴＦＴ基板
３ 画素電極
４ ゲート線
５ データ線
６ Ｃｓ線
７ カラーフィルタ基板
８ 液晶層
１４ 透明絶縁基板
１６ 散乱層
１７ 平坦化層
１８ 透明電極
１９ 反射電極
２０ ゲート電極
２１ ゲート絶縁膜
２２ 半導体薄膜
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(72)発明者 山口 英将
東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ
ー株式会社内
(72)発明者 福永 容子
東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ
ー株式会社内
(72)発明者 中村 真治
東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ
ー株式会社内
Ｆターム(参考） 2H091 FA02Y FA11Y FA14Y FA23Z
FB08 FD04 FD06 FD10 FD14
FD22 FD23 GA13 GA17 LA03
LA11 LA12 LA15 LA18
2H092 JA26 JA42 JA44 JA46 JB05
JB07 JB13 JB23 JB24 JB38
JB63 JB69 KA05 KA12 KA18
KA22 PA12
5F110 AA30 BB01 CC08 EE04 EE44
FF02 FF03 FF09 GG02 GG13
HM19 NN12 NN72 NN73
Claims (13)
- 【請求項１】 一対の基板間に液晶層が挟み込まれ、透
過光により表示を行う透過表示領域と、反射光により表
示を行う反射表示領域とを備えてなる液晶表示装置にお
いて、 上記液晶層を駆動する駆動素子に信号を供給するデータ
線が配され、上記透過表示領域に隣接するデータ線は、
上記反射表示領域に隣接するデータ線とは異なる面上に
形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 上記データ線下に配される少なくとも１
層の有無により上記異なる面が形成されていることを特
徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 上記データ線下に配される少なくとも１
層の膜厚を変更することにより上記異なる面が形成され
ていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 上記データ線は、上記透過表示領域と隣
接する領域において、透明電極と同一の面上に形成され
ていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 上記データ線は、上記反射表示領域に隣
接する領域においては層間絶縁膜上に形成されており、
上記透過表示領域と隣接する領域においては基板上に形
成されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示
装置。 - 【請求項６】 上記透過表示領域と隣接する領域におい
て、上記データ線を覆って絶縁層が形成されていること
を特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項７】 上記絶縁層は、エッジ部分の立ち上がり
角度が８０°以下であることを特徴とする請求項６記載
の液晶表示装置。 - 【請求項８】 上記絶縁層は、感光性有機膜により形成
されていることを特徴とする請求項６記載の液晶表示装
置。 - 【請求項９】 上記絶縁層は、熱又は光により流動性が
発現することを特徴とする請求項６記載の液晶表示装
置。 - 【請求項１０】 上記絶縁層は、上記反射表示領域にお
ける凹凸形成層の少なくとも一部であることを特徴とす
る請求項６記載の液晶表示装置。 - 【請求項１１】 上記絶縁層は、上記反射表示領域にお
ける凹凸形成層の膜厚を薄くすることにより形成されて
いることを特徴とする請求項１０記載の液晶表示装置。 - 【請求項１２】 上記反射表示領域における凹凸形成層
が２層以上の層からなり、上記絶縁層はそのうちの１層
からなることを特徴とする請求項１０記載の液晶表示装
置。 - 【請求項１３】 上記反射表示領域における凹凸形成層
が、凹凸を有する散乱層と、この凹凸間を平坦化する平
坦化層とからなり、上記絶縁層は上記平坦化層からなる
ことを特徴とする請求項１２記載の液晶表示装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002113833A JP3763285B2 (ja) | 2002-04-16 | 2002-04-16 | 液晶表示装置 |
| US10/414,380 US6850299B2 (en) | 2002-04-16 | 2003-04-15 | Liquid crystal display device |
| TW092108811A TWI316143B (en) | 2002-04-16 | 2003-04-16 | Liquid crystal display device including a pair of substrates and liquid crystal layer held therebetween |
| CNB031438377A CN1252516C (zh) | 2002-04-16 | 2003-04-16 | 液晶显示装置 |
| KR1020030024022A KR100928368B1 (ko) | 2002-04-16 | 2003-04-16 | 액정 디스플레이 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002113833A JP3763285B2 (ja) | 2002-04-16 | 2002-04-16 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003307727A true JP2003307727A (ja) | 2003-10-31 |
| JP3763285B2 JP3763285B2 (ja) | 2006-04-05 |
Family
ID=29395901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002113833A Expired - Fee Related JP3763285B2 (ja) | 2002-04-16 | 2002-04-16 | 液晶表示装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP3763285B2 (ja) |
| KR (1) | KR100928368B1 (ja) |
| CN (1) | CN1252516C (ja) |
| TW (1) | TWI316143B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100407011C (zh) * | 2003-11-07 | 2008-07-30 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置及其制造方法 |
| JP2011034115A (ja) * | 2004-02-05 | 2011-02-17 | Sony Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| US8125601B2 (en) * | 2003-01-08 | 2012-02-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Upper substrate and liquid crystal display device having the same |
| KR100940569B1 (ko) * | 2003-05-12 | 2010-02-03 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 |
| KR100543347B1 (ko) * | 2003-05-27 | 2006-01-20 | 삼성전자주식회사 | 광시야각 보상필름 및 이를 포함한 액정 표시장치 |
| KR100692685B1 (ko) * | 2003-12-29 | 2007-03-14 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법 |
| US8021277B2 (en) | 2005-02-02 | 2011-09-20 | Mad Dogg Athletics, Inc. | Programmed exercise bicycle with computer aided guidance |
| KR101244898B1 (ko) * | 2006-06-28 | 2013-03-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| CN110767676B (zh) * | 2018-08-06 | 2022-04-15 | 昆山国显光电有限公司 | 透明显示面板、显示屏和显示终端 |
| US11806577B1 (en) | 2023-02-17 | 2023-11-07 | Mad Dogg Athletics, Inc. | Programmed exercise bicycle with computer aided guidance |
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| JP3281849B2 (ja) | 1997-10-07 | 2002-05-13 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JP3431856B2 (ja) * | 1999-04-19 | 2003-07-28 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| JP4196505B2 (ja) * | 1999-12-13 | 2008-12-17 | ソニー株式会社 | 表示装置及びその製造方法とカラーフィルタ |
-
2002
- 2002-04-16 JP JP2002113833A patent/JP3763285B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-04-15 US US10/414,380 patent/US6850299B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-04-16 KR KR1020030024022A patent/KR100928368B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-04-16 CN CNB031438377A patent/CN1252516C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-04-16 TW TW092108811A patent/TWI316143B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100407011C (zh) * | 2003-11-07 | 2008-07-30 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置及其制造方法 |
| JP2011034115A (ja) * | 2004-02-05 | 2011-02-17 | Sony Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
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| US20040001172A1 (en) | 2004-01-01 |
| CN1252516C (zh) | 2006-04-19 |
| TWI316143B (en) | 2009-10-21 |
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| JP3763285B2 (ja) | 2006-04-05 |
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| CN1482500A (zh) | 2004-03-17 |
| US6850299B2 (en) | 2005-02-01 |
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