JP5127427B2 - 液晶装置とその製造方法及び電子機器 - Google Patents

Description

この発明は、液晶装置とその製造方法及び電子機器に関するものである。

従来から、反射層と光拡散性を有する膜を備えた反射半透過型の液晶装置が知られている。このような液晶装置として、透明段差膜を備え、反射表示の際の光の干渉色の発生と透過表示の際の表示品質の低下を防止するものが開示されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００６−１７１４２４号公報

しかしながら、上記従来の液晶装置では、図８に示すように、バックライト６１等の照明装置から射出され、反射層２９の裏面（液晶層５０の反対側の面）で反射された光Ｌが、データ線６等の配線層の液晶層５０側の面によって再度反射され、反射光ＲＬが反射層２９と遮光部２２４との隙間等から視認側に射出される。このような光の回り込みによる光漏れが発生すると、液晶装置のコントラストが低下するという課題がある。

そこで、この発明は、照明装置から射出され、反射層の外面側で反射された光が、配線層の液晶層側の面に反射されて発生する光漏れを低減し、コントラストを向上することができる液晶装置とその製造方法及び電子機器を提供するものである。

上記の課題を解決するために、本発明の液晶装置は、第一基板と第二基板との間に液晶層が挟持され、第一基板には配線層と反射層とが形成され、反射層は配線層よりも液晶層側に配置され、第一基板の液晶層とは反対側には照明装置が配置された液晶装置であって、配線層の液晶層側の面に光散乱手段が形成されていることを特徴とする液晶装置。

このように構成することで、照明装置から射出されて反射層の外面側、すなわち、液晶層とは反対側の面で反射された光が、配線層の液晶層側の面に入射すると、光散乱手段によって散乱される。そのため、配線層によって液晶層側に反射されて液晶装置の光漏れの原因となる反射光を減少させることができる。これにより、光漏れが低減され、液晶装置のコントラストを向上させることができる。

また、本発明の液晶装置は、光散乱手段は、配線層の液晶層側の面に形成された複数の突起部と、配線層の液晶層側に積層され、当該積層の表面から突起部の先端部を突出させた金属膜と、により形成されていることを特徴とする。

このように構成することで、配線層の液晶層側の面に形成された複数の突起部の先端部が、金属膜の表面から突出した状態となる。そのため、配線層の液晶層側の面に入射した光は、金属膜の表面から突出した突起部により形成された複数の凸部によって散乱される。

また、本発明の液晶装置は、配線層の熱膨張率は、金属膜の熱膨張率よりも大きいことを特徴とする。

このように構成することで、配線層が熱膨張した状態で配線層上に金属膜を成膜し、その後冷却すると、配線層と金属膜との間でストレスマイグレーションが発生し、配線層の表面に複数の突起部が形成されると共に、突起部の先端部が金属膜の液晶層側の表面から突出して複数の凸部が形成される。

また、本発明の液晶装置は、金属膜の膜厚は、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲であることを特徴とする。

このように構成することで、配線層と金属膜との間でストレスマイグレーションが発生したときに、配線層に形成された突起部の先端部が金属膜の液晶層側の表面から突出して凸部が形成できる。

また、本発明の液晶装置は、配線層はアルミニウムにより形成され、金属膜はチタンにより形成されていることを特徴とする。

このように構成することで、アルミニウムとチタンの熱膨張率の差異により配線層と金属膜との間でストレスマイグレーションが発生したときに、配線層の突起部が金属膜を貫通し、金属膜の液晶層側の表面に突出して凸部が形成される。

また、本発明の液晶装置の製造方法は、第一基板と第二基板との間に液晶層が挟持され、第一基板には配線層と反射層とが形成され、反射層は配線層よりも液晶層側に配置され、第一基板の液晶層とは反対側には照明装置が配置された液晶装置の製造方法であって、配線層を加熱して膨張させる加熱工程と、配線層上に配線層よりも熱膨張率の小さい金属膜を成膜する成膜工程と、配線層と金属膜とを冷却して収縮させ、配線層と金属膜との熱膨張率の差異により配線層の液晶層側の面に複数の突起部を形成すると共に、該突起部を金属膜の表面から突出させて複数の凸部を形成する冷却工程と、を有することを特徴とする。

このように製造することで、熱膨張した配線層上に金属膜が成膜され、配線層と金属膜とが冷却される際に、配線層と金属膜との熱膨張率の差異によりストレスマイグレーションが発生し、配線層の液晶層側の面に複数の突起部が形成される。そして、この突起部を金属膜の液晶層側の表面から突出させて複数の凸部が形成される。これにより、反射層の外面側で反射され配線層の液晶層側に入射した光は、配線層の突起部と金属膜とにより構成される光散乱手段によって散乱される。
したがって、配線層の液晶層側の面で液晶層側に反射されて液晶装置の光漏れの原因となる反射光を減少させることができる。これにより、反射層の外面側で反射された光が液晶層側に反射されて発生する光漏れが低減され、液晶装置のコントラストを向上させることができる。

また、本発明の液晶装置の製造方法は、成膜工程において、配線層を加熱した状態で金属膜を成膜することを特徴とする。

このように製造することで、加熱工程と成膜工程とを一括して行うことができ、液晶装置の生産性を向上させることができる。

また、本発明の液晶装置の製造方法は、加熱工程において、配線層を２００℃以上４００℃以下の温度範囲で加熱することを特徴とする。

このように製造することで、配線層と金属膜をストレスマイグレーションが発生しやすい状態に膨張させ、金属膜の液晶層側の面に配線層の突起部の先端部を貫通させ、複数の凸部を確実に形成することができる。

また、本発明の液晶装置の製造方法は、冷却工程において、配線層を室温以下の温度に冷却することを特徴とする。

このように製造することで、配線層と金属膜をストレスマイグレーションが発生しやすい状態に収縮させ、金属膜の液晶層側の面に配線層の突起部の先端部を貫通させ、複数の凸部を確実に形成することができる。

また、本発明の電子機器は、上記の液晶装置を備えている。したがって、表示の際の光漏れが低減されてコントラストが向上し、表示品質の高い電子機器を提供することができる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下の各図面では、構造の特徴的な部分を分かりやすく示すために、図面中の構造はその寸法や縮尺を適宜変更している。

図１は、この実施の形態の液晶装置１００を構成する画素２００の回路構成図である。図１に示すように、画素２００はマトリックス状に多数配置されており、それぞれの画素２００には、画素電極９とＴＦＴ３０とが形成されている。ＴＦＴ３０は、画素２００のスイッチング制御を行うスイッチング素子である。ＴＦＴ３０のソースには、データ線駆動回路（図示略）から延びるデータ線６ａが電気的に接続されており、ＴＦＴ３０のドレインには画素電極９が電気的に接続されている。データ線駆動回路は、データ線６ａを介して画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素２００に供給する。
なお、フルカラー表示の電気光学装置の場合には、フルカラー表示の最小単位が複数の単色表示単位、例えば赤、青、緑からなっている。この場合には、単色表示単位と対応する画素がサブ画素と称される。すなわち、フルカラー表示の液晶装置である場合には、画素２００はサブ画素と称される。

ＴＦＴ３０のゲートには、走査線駆動回路（図示略）から延びる走査線３ａが電気的に接続されている。走査線駆動回路から所定のタイミングで走査線３ａにパルス的に供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍは、この順に線順次でＴＦＴ３０のゲートに印加されるようになっている。ＴＦＴ３０のゲートに走査信号Ｇ１〜Ｇｍが印加されると、ＴＦＴ３０のゲートとソースの間が一定期間オンとなり、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１〜Ｓｎが、所定のタイミングで画素電極９に書き込まれるようになっている。

画素電極９は、後述する共通電極と対向しており、画素電極９と共通電極との間には液晶容量が形成される。また、画素２００には、走査線３ａに平行して設けられた容量線３ｂに接続されるとともに、ＴＦＴ３０のドレインと画素電極９との間に接続された蓄積容量７０が設けられている。上記の液晶容量と蓄積容量７０は並列接続となっており、画素電極９に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１〜Ｓｎは、液晶容量と蓄積容量７０とに一定期間保持される。蓄積容量７０が併設されていることにより、液晶容量に保持された画像信号がリークしないようになっている。

図２は、画素２００を拡大して示す平面構成図である。画素２００は、走査線３ａ及びデータ線６ａに囲まれる略長方形形状の領域であり、ここではその短辺に平行な方向をＸ方向とし、その長辺に平行な方向をＹ方向とする。画素２００は、Ｙ方向に順に並んだ透過表示領域Ｔ及び反射表示領域Ｒを有している。ここでは、いずれの領域も略長方形状となっており、Ｙ方向のうち反射表示領域Ｒが位置する側をＹ正方向、透過表示領域Ｔが位置する側をＹ負方向とする。
画素２００は、反射表示領域Ｒ及び透過表示領域Ｔにわたって設けられた画素電極９と、反射表示領域Ｒに設けられた反射層２９と、を備えている。また、画素２００の間隙には、後述する第一基板と第二基板とを所定間隔で離間した状態に保持するための柱状スペーサ４０が立設されている。

また、画素電極９は、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電材料からなるものであり、反射層２９は、アルミニウムや銀等の光反射性の金属膜や、屈折率の異なる誘電体膜（ＳｉＯ_２とＴｉＯ_２等）を積層した誘電体積層膜（誘電体ミラー）からなるものである。
画素２００に近接して、Ｙ方向に延びるデータ線６ａと、Ｘ方向に延びる走査線３ａと、走査線３ａに隣接して走査線３ａと平行に延びる容量線３ｂとが形成されている。データ線６ａと走査線３ａとの交差部の近傍にＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、走査線３ａの平面領域内に部分的に形成された島状のアモルファスシリコン膜からなる半導体層３５と、半導体層３５と一部平面的に重なって形成されたソース６ｂと、ドレイン３２と、を備えている。走査線３ａは半導体層３５と平面的に重なる位置でＴＦＴ３０のゲートとして機能する。

ＴＦＴ３０のソース６ｂは、データ線６ａから分岐されて半導体層３５に延びる平面視略Ｌ形状となっており、ドレイン３２は、半導体層３５上から画素電極９側に延びて矩形状の容量電極３１と電気的に接続されている。容量電極３１上には、画素電極９のコンタクト部が配置されており、双方が平面的に重なる位置に設けられた画素コンタクトホール４５を介して容量電極３１と画素電極９とが電気的に接続されている。また容量電極３１は、容量線３ｂの平面領域内に配置されており、この位置で厚さ方向に対向する容量電極３１と容量線３ｂとを電極とする蓄積容量が形成されている。

図３は、図２のＡ−Ａ’線に沿う部分断面構成図である。液晶装置１００は、互いに対向して配置された第一基板１０及び第二基板２０と、これらの基板間に挟持された液晶層５０と、を備えて構成されている。第一基板１０の端部と第二基板２０の端部とは、シール材（図示略）によって貼り合わせられており、液晶層５０は、これらの基板間に封止されている。第一基板１０の外面側（液晶層５０と反対側）には、位相差板７１、及び偏光板１４が設けられており、第二基板２０の外面側には位相差板７２、及び偏光板２４が設けられている。偏光板１４の外面側には、光源、導光板、及び反射板等からなるバックライト（照明装置）６１が設けられている。

第一基板１０は、ガラスや石英、プラスチック等からなる透明基板１１を基体としてなり、透明基板１１の内面側には、走査線３ａ及び容量線３ｂが形成されており、走査線３ａ及び容量線３ｂを覆ってゲート絶縁膜１２が形成されている。また、ゲート絶縁膜１２上には、選択的に半導体層３５が形成されており、半導体層３５に一部乗り上げるようにしてソース６ｂ及びドレイン３２が形成されている。また、ドレイン３２におけるソース６ｂの反対側には、ドレイン３２と一体に容量電極３１が形成されている。半導体層３５は、ゲート絶縁膜１２を介して走査線３ａと対向配置されており、該対向領域で走査線３ａがＴＦＴ３０のゲートとして機能するようになっている。容量電極３１は、ゲート絶縁膜１２を介して容量線３ｂと対向配置されており、容量電極３１と容量線３ｂとが対向する領域に、ゲート絶縁膜１２を誘電体膜とする蓄積容量が構成されている。

また、ＴＦＴ３０を覆って、層間絶縁膜１３が設けられており、容量電極３１上の層間絶縁膜１３を貫通して画素コンタクトホール４５が設けられている。画素コンタクトホール４５の内側、及び画素コンタクトホール４５周辺における層間絶縁膜１３上にソース電極１５が設けられている。ソース電極１５は、容量電極３１と直接接触してこれと導通するようになっている。また、本例のソース電極１５は、上面側から順にＴｉ層、Ａｌ層、Ｔｉ層の３層構造となっている。なお、ソース電極の材料としては、ＴｉＮ（チタンナイトライド）、Ｔａ（タンタル）、ＴａＮ（タンタルナイトライド）、Ｗ（タングステン）、Ｃｒ（クロム）等を用いることもでき、単層構造や２層構造、４層以上の多層構造としてもよい。

また、層間絶縁膜１３及びソース電極１５を覆って、保護膜１６が設けられている。保護膜の材料としては、ＳｉＮ（シリコン窒化物）やＳｉＯ_２（シリコン酸化物）等を用いることができ、ここではＳｉＮからなり厚さが１００ｎｍ程度の保護膜１６を採用している。また、保護膜１６を覆って、凹凸形成層１７が設けられている。凹凸形成層の材料としては、ポジ型の感光性樹脂を用いることができ、具体的には、アクリル系樹脂やポリイミド系樹脂等が挙げられる。凹凸形成層１７の上面側は、反射表示領域Ｒにおいて滑らかな波面状となっており、この部分を覆って反射層２９が設けられている。反射層２９の上面側も波面状となっており、反射層２９は、第二基板２０側から入射した光を反射するとともに散乱するようになっている。これにより、反射光の強度が均一化され、表示ムラを減らすことができる。

また、ソース電極１５上の凹凸形成層１７を貫通して開口部１８が設けられており、開口部１８の内壁、開口部１８内側のソース電極１５、及び凹凸形成層１７を覆って、画素電極９が設けられている。画素電極９は、ソース電極１５と接触してこれと導通するようになっている。すなわち、画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレイン３２と導通するようになっている。また、画素電極９を覆って、例えばポリイミド等からなる配向膜１９が設けられている。

第二基板２０は、ガラスや石英、プラスチック等からなる透明基板２１を基体としてなり、透明基板２１の内面側（液晶層５０側）には、カラーフィルタ２２と、共通電極２３と、配向膜２５とが積層形成されている。共通電極２３は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなり、複数の画素２００を覆って平面ベタ状に形成されたものである。配向膜２５は、例えばポリイミドからなるものであり、共通電極２３を覆って形成されている。

この実施の形態のカラーフィルタ２２は、遮光部２２４、色材部２２２、及び平坦化層２２３を備えて構成されている。遮光部２２４は、遮光性を有する材料からなるものであり、具体的にはＣｒやＣｕ等の無機材料や、黒色に着色されたアクリル系樹脂等の有機材料等からなるものである。遮光部２２４は、ＴＦＴ３０や、走査線３ａ、データ線６ａ等が配置されている領域に設けられ、この領域が非表示領域Ｂとなっている。色材部２２２は、ここを通る光を所望の色光として射出するためのものであり、フルカラー表示の液晶装置にあっては画素（サブ画素）ごとに、例えば赤、緑、青と対応するものが周期的に配置されている。平坦化層２２３は、色材部２２２と遮光部２２４との段差等を埋めて、カラーフィルタ２２の液晶層５０側を平坦化するものである。
なお、色材部は、その厚さを反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとで変化させてもよく、これにより反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとで色味を均一にすることができる。

図４は、図２のＢ−Ｂ’線に沿う部分断面構成図である。図４に示すように、この実施の形態のデータ線６ａは、ゲート絶縁膜１２上に形成された配線層６ａ１と、配線層６ａ１の液晶層５０側に積層して形成された金属膜６ａ２とにより形成されている。
ここで、配線層６ａ１は金属膜６ａ２よりも熱膨張率が大きい材料により形成されている。この実施の形態では、例えば、配線層６ａ１は線膨張率が２３×１０^−６／℃のＡｌ（アルミニウム）により形成され、金属膜６ａ２は線膨張率が８．４×１０^−６／℃のＴｉ（チタン）により形成されている。また、金属膜６ａ２の膜厚ｔは、例えば、約１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲で形成する。より好ましくは、約１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲で形成する。この実施の形態では、金属膜６ａ２の膜厚ｔは、約１００ｎｍとなっている。

図５（ａ）は図４の部分拡大図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）に対応する平面図である。図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、配線層６ａ１の金属膜６ａ２側の面には複数の突起部６ｃが形成されている。この突起部６ｃは、先端部が金属膜６ａ２を貫通して金属膜６ａ２の表面から突出するように形成されている。この実施の形態では、突起部６ｃを金属膜６ａ２の表面から突出させて、金属膜６ａ２の表面に複数の凸部を形成することで、データ線６ａの液晶層５０側の面に光散乱手段が形成されている。

以上のような構成の液晶装置１００は、データ線６ａからの画像信号をＴＦＴ３０でスイッチング制御することにより、複数の画素２００の画素電極９に個別に画像信号を伝達できるようになっている。画素電極９に画像信号が伝達されると、画素電極９と共通電極２３との間に所定の電界が印加されて、これら電極間の液晶分子は、電界に応じた方向を向くようになる。透過表示領域Ｔではバックライト６１からの光が、第一基板１０側から第二基板２０側に向かう間に、液晶層５０により画像信号に応じて変調される。また、反射表示領域Ｒでは第二基板２０側からの光が、反射層２９に向かう間、及びこれに反射されて第一基板１０側に向かう間に、液晶層５０により画像信号に応じて変調される。そして、変調された光が、偏光板２４等でフィルタリングされることにより、諧調表示が可能となっている。

このとき、図４に示すように、バックライト６１から射出された光のうち、一部の光Ｌは反射層２９の裏面（液晶層５０の反対側の面）により反射され、データ線６ａの内面側（液晶層５０側）に入射する。
ここで、この実施の形態では、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、データ線６ａの液晶層５０側の面には、金属膜６ａ２の表面から配線層６ａ１の突起部６ｃの先端部を突出させて、金属膜６ａ２の表面に複数の凸部を形成した光散乱手段が形成されている。そのため、データ線６ａの内面側に入射した光Ｌは、光散乱手段の複数の凸部によって散乱され、液晶層５０側に反射されて遮光部２２４と反射層２９との間から視認側に射出される光が減少する。

また、データ線６ａが配線層６ａ１と金属膜６ａ２によって形成され、配線層６ａ１が金属膜６ａ２の材料であるＴｉよりも熱膨張率の大きいＡｌによって形成されている。そのため、配線層６ａ１と金属膜６ａ２との間で積極的にストレスマイグレーションを発生させて配線層６ａ１の突起部６ｃを金属膜６ａ２の表面に突出させ、データ線６ａの液晶層５０側に複数の凸部を形成して光散乱手段を容易に形成することができる。

また、金属膜６ａ２の膜厚ｔを、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲で形成することで、配線層６ａ１と金属膜６ａ２との間でストレスマイグレーションを発生させたときに、配線層６ａ１から複数の突起部６ｃを突出させて、金属膜６ａ２に複数の凸部を形成することができる。
さらに、この実施の形態では、金属膜６ａ２の膜厚ｔを約１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下のより好ましい範囲で形成している。これにより、配線層６ａ１と金属膜６ａ２との間でストレスマイグレーションを発生させたときに配線層６ａ１に突起部６ｃを金属膜６ａ２の表面から確実に突出させて、金属膜６ａ２の表面に複数の凸部をより確実に形成することができる。

（液晶装置の製造方法）
次に、この実施の形態の液晶装置１００の製造方法について説明する。以下の説明では、データ線６ａの製造工程を中心に説明し、その他の工程の説明は省略する。なお、データ線６ａの製造工程以外の工程については、公知のものを採用することができる。

まず、第一基板１０の透明基板１１の内面側に、走査線３ａ及び容量線３ｂを形成し、走査線３ａ及び容量線３ｂを覆ってゲート絶縁膜１２を形成する。
次いで、図６（ａ）に示すように、透明基板１１を、例えば、約２００℃〜４００℃の温度範囲で加熱した状態で、ゲート絶縁膜１２上に、例えば、マスクスパッタリング法等により、Ａｌの配線層６ａ１を形成する（加熱工程）。

次に、図６（ｂ）に示すように、例えば、透明基板１１の温度を約２００℃〜４００℃の温度範囲に維持した状態で、配線層６ａ１上に、例えば、マスクスパッタリング法等により、Ａｌよりも線膨張率の小さいＴｉの金属膜６ａ２を形成する（成膜工程）。このとき、金属膜６ａ２の膜厚ｔが、約１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲となるように成膜する。この実施の形態では、金属膜６ａ２の膜厚ｔを約１００ｎｍに形成する。

次いで、第一基板１０を室温まで冷却して、図６（ｃ）に示すように、加熱工程及び成膜工程で熱膨張した配線層６ａ１及び金属膜６ａ２を収縮させる（冷却工程）。第一基板１０の冷却方法としては、第一基板１０を室温に放置する方法、あるいは第一基板１０を冷却装置により積極的に冷却する方法等を用いることができる。
このとき、配線層６ａ１と金属膜６ａ２との間の熱膨張率の差異により熱ストレスが発生し、その応力を緩和しようとして配線層６ａ１のＡｌの原子が金属膜６ａ２のホールやクラック等の微小な欠陥部分に移動するストレスマイグレーションが発生する。これにより、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、配線層６ａ１の金属膜６ａ２側の表面に複数の突起部６ｃが形成され、金属膜６ａ２の表面に突起部６ｃの先端部が突出して複数の凸部が形成される。

ここで、この実施の形態では、成膜工程において、配線層６ａ１を加熱した状態で金属膜６ａ２を成膜することで、加熱工程と成膜工程とを一括して行うこと可能となる。したがって、液晶装置１００の生産性を向上させることができる。

また、加熱工程において、配線層６ａ１を２００℃以上４００℃以下の温度範囲で加熱することで、配線層６ａ１と金属膜６ａ２をストレスマイグレーションが発生しやすい状態まで熱膨張させ、配線層６ａ１の金属膜６ａ２側の表面に確実に突起部６ｃを形成することができる。これにより、金属膜６ａ２の液晶層５０側の面に複数の凸部を確実に形成することができる。

また、冷却工程において、第一基板１０を室温以下の温度に冷却することで、配線層６ａ１及び金属膜６ａ２を室温以下の温度に冷却して、ストレスマイグレーションが発生しやすい状態に収縮させ、配線層６ａ１の金属膜６ａ２側の表面に確実に突起部６ｃを形成することができる。これにより、金属膜６ａ２の液晶層５０側の面に複数の凸部を確実に形成することができる。

また、金属膜６ａ２の膜厚ｔを、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲で形成することで、配線層６ａ１と金属膜６ａ２との間でストレスマイグレーションを発生させたときに配線層６ａ１に突起部６ｃを形成し、金属膜６ａ２に複数の凸部を形成することができる。
さらに、この実施の形態では、金属膜６ａ２の膜厚ｔを約１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下のより好ましい範囲で形成している。これにより、配線層６ａ１と金属膜６ａ２との間でストレスマイグレーションを発生させたときに配線層６ａ１に突起部６ｃを金属膜６ａ２の表面から確実に突出させて、金属膜６ａ２の表面に複数の凸部をより確実に形成することができる。

以上説明したように、この実施の形態の液晶装置１００の製造方法によれば、配線層６ａ１の液晶層５０側の面に金属膜６ａ２及び突起部６ｃからなる光散乱手段を形成することができる。すなわち、反射層２９の裏面で反射されデータ線６ａの液晶層５０側に入射した光Ｌを、光散乱手段によって散乱させることができる液晶装置１００を製造することができる。
したがって、データ線６ａの液晶層５０側の面で液晶層５０側に反射されて液晶装置１００の光漏れの原因となる反射光を減少させることができる。これにより、反射層２９の裏面で反射された光Ｌが液晶層５０側に反射されて発生する光漏れが低減され、液晶装置１００のコントラストを向上させることができる。

（電子機器）
次に、上述の実施形態で説明した液晶装置１００を備えた電子機器について説明する。
図７示すように、電子機器の実施の形態の一例である携帯電話機９０は、複数の操作ボタン９１と、上述の液晶装置１００からなる表示部とを有している。このように、携帯電話機９０は、上述の液晶装置１００を備えているので、光漏れが防止され、表示部のコントラストが向上された携帯電話となる。したがって、上述の液晶装置１００を備えることで、携帯電話機９０の表示部のコントラストが向上されて、表示部の表示品質の高い携帯電話機９０を提供することができる。

尚、この発明は上述した実施の形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、配線層と金属膜の材料の組合せは上述の実施の形態に限定されず、配線層の熱膨張率が金属膜の熱膨張率よりも大きければよい。例えば、配線層をＣｕ（銅）、Ａｇ（銀）等により形成してもよい。また、配線層をＡｌ（アルミニウム）とした場合に、金属膜をＭｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｃｒ（クロム）のうちから一つまたは複数選択してもよい。
またデータ線は、三層以上で形成したものであってもよい。この場合には、最内面側（液晶層側）の金属膜の直下（液晶層の反対側）に、金属膜よりも熱膨張係数の大きな材料で配線層が形成されていればよい。例えば、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの三層構造を採用することができる。
また、上述の実施の形態では、突起部が金属膜を貫通する構成について説明したが、突起部は金属膜の表面に凸部を形成することができれば、金属膜を貫通していなくてもよい。

本発明の実施の形態における液晶装置の画素の等価回路図である。 本発明の実施の形態における画素を拡大して示す平面構成図である。 図２のＡ−Ａ’線に沿う矢視断面図である 図２のＢ−Ｂ’線に沿う矢視断面図である （ａ）は図４の部分拡大図であり、（ｂ）は（ａ）に対応する平面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態における液晶装置の製造工程を説明する部分拡大断面図である。 本発明の実施の形態における携帯電話機の斜視図である。 従来の液晶装置における図４に対応する断面図である。

符号の説明

６ａ１ 配線層、６ａ２ 金属膜（光散乱手段）、６ｃ 突起部（光散乱手段）、１０ 第一基板、２０ 第二基板、２９ 反射層、５０ 液晶層、６１ バックライト（照明装置）、９０ 携帯電話機（電子機器）、１００ 液晶装置、ｔ 膜厚

Claims (10)

1. 第一基板と第二基板との間に液晶層が挟持され、前記第一基板には配線層と反射層とが形成され、前記反射層は前記配線層よりも液晶層側に配置され、前記第一基板の前記液晶層とは反対側には照明装置が配置された液晶装置であって、
   前記配線層の前記液晶層側の面に光散乱手段が形成されていることを特徴とする液晶装置。
2. 前記光散乱手段は、
   前記配線層の前記液晶層側の面に形成された複数の突起部と、
   前記配線層の前記液晶層側に積層され、当該積層の表面から前記突起部の先端部を突出させた金属膜と、
   により形成されていることを特徴とする請求項１記載の液晶装置。
3. 前記配線層の熱膨張率は、前記金属膜の熱膨張率よりも大きいことを特徴とする請求項２記載の液晶装置。
4. 前記金属膜の膜厚は、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の液晶装置。
5. 前記配線層はアルミニウムにより形成され、前記金属膜はチタンにより形成されていることを特徴とする請求項２ないし請求項４のいずれか一項に記載の液晶装置。
6. 第一基板と第二基板との間に液晶層が挟持され、前記第一基板には配線層と反射層とが形成され、前記反射層は前記配線層よりも液晶層側に配置され、前記第一基板の前記液晶層とは反対側には照明装置が配置された液晶装置の製造方法であって、
   前記配線層を加熱して膨張させる加熱工程と、
   前記配線層上に前記配線層よりも熱膨張率の小さい金属膜を成膜する成膜工程と、
   前記配線層と前記金属膜とを冷却して収縮させ、前記配線層と前記金属膜との熱膨張率の差異により前記配線層の前記液晶層側の面に複数の突起部を形成すると共に、該突起部を前記金属膜の表面から突出させて複数の凸部を形成する冷却工程と、
   を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
7. 前記成膜工程において、前記配線層を加熱した状態で前記金属膜を成膜することを特徴とする請求項６記載の液晶装置の製造方法。
8. 前記加熱工程において、前記配線層を２００℃以上４００℃以下の温度範囲で加熱することを特徴とする請求項６または請求項７記載の液晶装置の製造方法。
9. 前記冷却工程において、前記配線層を室温以下の温度に冷却することを特徴とする請求項６ないし請求項８のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。
10. 請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の液晶装置を備えた電子機器。

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