JP2003306784A - 銅プリント配線板のサイドエッチング抑制用添加剤 - Google Patents

銅プリント配線板のサイドエッチング抑制用添加剤

Info

Publication number
JP2003306784A
JP2003306784A JP2002117884A JP2002117884A JP2003306784A JP 2003306784 A JP2003306784 A JP 2003306784A JP 2002117884 A JP2002117884 A JP 2002117884A JP 2002117884 A JP2002117884 A JP 2002117884A JP 2003306784 A JP2003306784 A JP 2003306784A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
additive
etching
side etching
wiring board
printed wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
JP2002117884A
Other languages
English (en)
Inventor
Koji Ota
幸次 大田
Kazuyoshi Sawai
一喜 澤井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Kagaku Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Asahi Kagaku Kogyo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Kagaku Kogyo Co Ltd filed Critical Asahi Kagaku Kogyo Co Ltd
Priority to JP2002117884A priority Critical patent/JP2003306784A/ja
Publication of JP2003306784A publication Critical patent/JP2003306784A/ja
Ceased legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 湿式エッチングにおけるサイドエッチング抑
制効果に優れ、微細な回路パターンの作製を可能にする
銅プリント配線板のサイドエッチング抑制用添加剤を提
供する。 【解決手段】 カルボニル基またはカルボキシル基を有
する複素環式化合物、三重結合を有するグリコール類ま
たは三重結合を有するグリコール類の活性水素にエチレ
ンオキサイドを付加させた化合物、アルキルサルコシン
またはアルキルサルコシンのアルカリ金属塩および芳香
族カルボン酸の無水物から成る群より選択される1種ま
たは2種以上を含む。このサイドエッチング抑制用添加
剤が添加された塩化第二鉄溶液で湿式エッチングすると
き、サイドエッチング量が抑制されるので、微細な線幅
の回路パターンを有する銅プリント配線板が実現され
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、銅プリント配線板
のエッチング加工において、サイドエッチングの抑制を
目的としてエッチング液に添加される銅プリント配線板
のサイドエッチング抑制用添加剤に関する。
【0002】
【従来の技術】マイクロエレクトロニクスの中核を成す
集積回路(IC)の製造に用いられる技術にプリント配
線がある。プリント配線の施された基板の1種である銅
プリント配線板について例示すると、銅プリント配線板
は、電気絶縁性を有する樹脂基板またはガラス基板など
の表面に銅箔を接着し、さらにたとえばフォトエッチン
グによって所望のパターンの銅箔回路を作製する。
【0003】フォトエッチングの概略を以下に説明す
る。(a1)樹脂基板の表面に接着された銅箔の表面に
エッチングレジスト(耐食性樹脂被膜)の薄い層を形成
する。(a2)エッチングレジストの表面に予め所望の
回路パターンに作成したフォトマスクを重ねて露光す
る。(a3)エッチングレジストの感光した部分のみを
溶液によって除去する。(a4)銅箔のみを溶解する溶
液を用いて、前述のエッチングレジストが除去されて露
出した部分の銅箔のみをエッチングにより溶解除去す
る。(a5)銅箔の回路パターン上に残留しているエッ
チングレジストを除去して、銅箔回路パターンを有する
銅プリント配線板が作製される。
【0004】前述の工程(a4)におけるエッチング
は、近年イオンやプラズマを用いるドライエッチングが
適用されることもあるけれども、前述のような溶液をた
とえばスプレーノズルから一定の圧力で噴射させるスプ
レーエッチングなどの湿式(ウェット)エッチングが一
般的に多用されている。湿式エッチングは、等方性エッ
チングであるので、銅箔の厚み方向だけでなく、表面に
平行な方向にもエッチングされるという特徴がある。
【0005】図2は、湿式エッチングにより作製された
銅プリント配線板1の部分断面図である。等方性エッチ
ングという特徴のある湿式エッチングでは、樹脂基板2
上に接着された銅箔3は、エッチングレジスト4の存在
していない回路パターンの線間隔G1よりも銅箔の表面
に平行方向に距離Sだけ広がって余分にエッチングされ
る。このように銅箔3が、前記線間隔G1よりも余分に
エッチングされることをサイドエッチング(またはアン
ダーカットともいわれる)と呼ぶ。
【0006】湿式エッチングにおいてサイドエッチング
される距離Sは、銅箔の厚みおよび回路パターンの線幅
によって影響を受け、銅箔の厚みが大きい程、また回路
パターンの線幅が狭い程大きくなることが知られてい
る。
【0007】電子デバイス小型化の要求に従い、電子デ
バイスに実装されるICの集積度は増加する一方であ
る。したがって、ICに用いられる回路パターンの線幅
は細くなるので、回路パターンの精度を悪くするサイド
エッチングは、できる限り小さくなるように抑制するこ
とが求められている。
【0008】このような問題に対応するために、回路パ
ターンの線幅に対する銅箔の厚み(アスペクト比)を小
さくしたり、サイドエッチング発生を見込んでエッチン
グレジストにより形成される回路の線幅を予め大きくし
ておくなどの方法が採られているけれども、回路の導通
性能と回路の線幅の微細化とを両立するには充分と言い
難い。
【0009】またサイドエッチングの抑制剤に関する先
行技術には、たとえば特公昭50−20950、特開平
2−149684および特開平6−57453などがあ
る。特公昭50−20950は、エッチング液である塩
化第二鉄溶液に、サイドエッチング抑制のために、チオ
尿素またはその誘導体と非イオン界面活性剤とを含む組
成物、または前記組成物にさらに陰イオン界面活性剤を
含む組成物を添加するものである。特開平2−1496
84は、塩化第二鉄溶液にサイドエッチング抑制のため
にポリエチレンポリアミンを添加するものである。また
特開平6−57453は、塩化第二鉄溶液に、サイドエ
ッチング抑制のためにポリアミン化合物とポリエチレン
グリコールとを含む組成物、または前記組成物にさらに
2−アミノベンゾチアゾール系化合物を含む組成物を添
加するものである。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
先行技術には以下のような問題がある。前述のように電
子デバイス小型化の要求に従い、ICの集積度は、2乃
至3年で4倍に増加するといわれる。ICの集積度の増
加に伴う回路パターンの狭幅化が加速度的に進行するこ
とに対応して一層のサイドエッチングの抑制が求められ
ており、このような現状を鑑みると先行技術に開示され
るサイドエッチング抑制剤では、そのサイドエッチング
抑制効果が充分とは言い難いという問題がある。
【0011】本発明の目的は、湿式エッチングにおける
サイドエッチング抑制効果に優れ、微細な回路パターン
の作製を可能にする銅プリント配線板のサイドエッチン
グ抑制用添加剤を提供することである。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は、カルボニル基
またはカルボキシル基を有する複素環式化合物を含むこ
とを特徴とする銅プリント配線板のサイドエッチング抑
制用添加剤である。
【0013】また本発明は、三重結合を有するグリコー
ル類または三重結合を有するグリコール類の活性水素に
エチレンオキサイドを付加させた化合物を含むことを特
徴とする銅プリント配線板のサイドエッチング抑制用添
加剤である。
【0014】また本発明は、アルキルサルコシンまたは
アルキルサルコシンのアルカリ金属塩を含むことを特徴
とする銅プリント配線板のサイドエッチング抑制用添加
剤である。
【0015】また本発明は、芳香族カルボン酸の無水物
を含むことを特徴とする銅プリント配線板のサイドエッ
チング抑制用添加剤である。
【0016】また本発明は、カルボニル基またはカルボ
キシル基を有する複素環式化合物、三重結合を有するグ
リコール類または三重結合を有するグリコール類の活性
水素にエチレンオキサイドを付加させた化合物、アルキ
ルサルコシンまたはアルキルサルコシンのアルカリ金属
塩および芳香族カルボン酸の無水物から成る群より選択
される2種以上であることを特徴とする銅プリント配線
板のサイドエッチング抑制用添加剤である。
【0017】また本発明は、前記複素環式化合物は、ク
マリン、ウラシル、ニコチン酸、イソシンコメロン酸お
よびシドラジン酸からなる群より選択される1種または
2種以上であることを特徴とする。
【0018】また本発明は、前記三重結合を有するグリ
コール類または三重結合を有するグリコール類の活性水
素にエチレンオキサイドを付加させた化合物は、2−ブ
チン−1,4−ジオール、2,4,7,9−テトラメチ
ル−5−デシン−4,7−ジオールおよび2,4,7,
9−テトラメチル−5−デシン−4,7−ジオールの
1.3〜10モルエチレンオキサイド付加物からなる群
より選択される1種または2種以上であることを特徴と
する。
【0019】また本発明は、前記アルキルサルコシンま
たはアルキルサルコシンのアルカリ金属塩は、N−ラウ
ロイルサルコシン、N−ラウロイルサルコシンのナトリ
ウム塩もしくはカリウム塩、N−オイレルサルコシンお
よびN−オイレルサルコシンのナトリウム塩もしくはカ
リウム塩からなる群より選択される1種または2種以上
であることを特徴とする。
【0020】また本発明は、前記芳香族カルボン酸の無
水物は、無水フタル酸、無水トリメリット酸および無水
ピロメリット酸からなる群より選択される1種または2
種以上であることを特徴とする。
【0021】また本発明は、さらにチアゾール類および
トリアゾール類のうち少なくとも1種を含むことを特徴
とする。
【0022】本発明に従えば、湿式エッチングにおける
サイドエッチング抑制効果に優れる銅プリント配線板の
サイドエッチング抑制用添加剤が実現される。本発明の
銅プリント配線板のサイドエッチング抑制用添加剤が、
たとえばエッチング溶液である塩化第二鉄溶液に好適な
範囲に添加されて湿式エッチングに用いられるとき、サ
イドエッチングが著しく抑制されるので、微細な線幅の
回路パターンをほぼ設計値どおりにエッチングすること
ができる。このことによって、微細な線幅で高密度に配
線される回路パターンを有する銅プリント配線板の作製
が可能になる。したがって、ICの集積度を向上するこ
とができ、電子デバイスの小型化に寄与することができ
る。
【0023】
【発明の実施の形態】本発明の実施の第1形態である銅
プリント配線板のサイドエッチング抑制用添加剤(以
後、単にサイドエッチング抑制用添加剤と略称する)
は、カルボニル基またはカルボキシル基を有する複素環
式化合物であるクマリン、ウラシル、ニコチン酸、イソ
シンコメロン酸およびシドラジン酸からなる群より選択
される1種または2種以上を含む。クマリン、ウラシ
ル、ニコチン酸、イソシンコメロン酸およびシドラジン
酸からなる群より選択される1種または2種以上を含む
サイドエッチング抑制用添加剤は、エッチング溶液であ
る塩化第二鉄溶液に対して、その含有量が200〜5,
000ppm、好ましくは500〜1,000ppmの
範囲を満足するように添加されて湿式エッチングに用い
られる。
【0024】以下にカルボニル基またはカルボキシル基
を有する複素環式化合物のエッチング溶液中における含
有量の範囲限定理由について説明する。含有量が200
ppm未満では、湿式エッチングにおけるサイドエッチ
ング抑制効果が充分に発現されない。含有量が5,00
0ppmを超えると、塩化第二鉄溶液に対して未溶解の
まま残ることまたは析出することがあり、スプレーノズ
ルを閉塞させる原因となる。したがって、200〜5,
000ppmとした。
【0025】本発明の実施の第2形態であるサイドエッ
チング抑制用添加剤は、三重結合を有するグリコール類
である2−ブチン−1,4−ジオール、2,4,7,9
−テトラメチル−5−デシン−4,7−ジオールおよび
三重結合を有するグリコール類の活性水素にエチレンオ
キサイドを付加させた化合物である2,4,7,9−テ
トラメチル−5−デシン−4,7−ジオールの1.3〜
10モルエチレンオキサイド付加物からなる群より選択
される1種または2種以上を含む。
【0026】三重結合を有するグリコール類である2−
ブチン−1,4−ジオール、2,4,7,9−テトラメ
チル−5−デシン−4,7−ジオールおよび三重結合を
有するグリコール類の活性水素にエチレンオキサイドを
付加させた化合物である2,4,7,9−テトラメチル
−5−デシン−4,7−ジオールの1.3〜10モルエ
チレンオキサイド付加物からなる群より選択される1種
または2種以上を含むサイドエッチング抑制用添加剤
は、エッチング溶液である塩化第二鉄溶液に対して、そ
の含有量が200〜5,000ppm、好ましくは50
0〜1,000ppmの範囲を満足するように添加され
て湿式エッチングに用いられる。
【0027】以下に三重結合を有するグリコール類また
は三重結合を有するグリコール類の活性水素にエチレン
オキサイドを付加させた化合物のエッチング溶液中にお
ける含有量の範囲限定理由について説明する。含有量が
200ppm未満では、湿式エッチングにおけるサイド
エッチング抑制効果が充分に発現されない。含有量が
5,000ppmを超えると、塩化第二鉄溶液に対して
未溶解のまま残ることまたは析出することがあり、スプ
レーノズルを閉塞させる原因となる。したがって、20
0〜5,000ppmとした。
【0028】本発明の実施の第3形態であるサイドエッ
チング抑制用添加剤は、アルキルサルコシンまたはアル
キルサルコシンのアルカリ金属塩であるN−ラウロイル
サルコシン、N−ラウロイルサルコシンのナトリウム塩
もしくはカリウム塩、N−オイレルサルコシンおよびN
−オイレルサルコシンのナトリウム塩もしくはカリウム
塩からなる群より選択される1種または2種以上を含
む。
【0029】N−ラウロイルサルコシン、N−ラウロイ
ルサルコシンのナトリウム塩もしくはカリウム塩、N−
オイレルサルコシンおよびN−オイレルサルコシンのナ
トリウム塩もしくはカリウム塩からなる群より選択され
る1種または2種以上を含むサイドエッチング抑制用添
加剤は、エッチング溶液である塩化第二鉄溶液に対し
て、その含有量が200〜2,000ppm、好ましく
は300〜1,000ppmの範囲を満足するように添
加されて湿式エッチングに用いられる。
【0030】以下にアルキルサルコシンまたはアルキル
サルコシンのアルカリ金属塩のエッチング溶液中におけ
る含有量の範囲限定理由について説明する。含有量が2
00ppm未満では、湿式エッチングにおけるサイドエ
ッチング抑制効果が充分に発現されない。含有量が2,
000ppmを超えると、塩化第二鉄溶液に対して未溶
解のまま残ることまたは析出するがあり、スプレーノズ
ルを閉塞させる原因となる。したがって、200〜2,
000ppmとした。
【0031】本発明の実施の第4形態であるサイドエッ
チング抑制用添加剤は、芳香族カルボン酸の無水物であ
る無水フタル酸、無水トリメリット酸および無水ピロメ
リット酸からなる群より選択される1種または2種以上
を含む。無水フタル酸、無水トリメリット酸および無水
ピロメリット酸からなる群より選択される1種または2
種以上を含むサイドエッチング抑制用添加剤は、エッチ
ング溶液である塩化第二鉄溶液に対して、その含有量が
500〜3,000ppm、好ましくは1,000〜
2,000ppmの範囲を満足するように添加されて湿
式エッチングに用いられる。
【0032】以下に芳香族カルボン酸の無水物のエッチ
ング溶液中における含有量の範囲限定理由について説明
する。含有量が500ppm未満では、湿式エッチング
におけるサイドエッチング抑制効果が充分に発現されな
い。含有量が3,000ppmを超えると、塩化第二鉄
溶液に対して未溶解のまま残ることまたは析出すること
があり、スプレーノズルを閉塞させる原因となる。した
がって、500〜3,000ppmとした。
【0033】本発明の実施の第5形態であるサイドエッ
チング抑制用添加剤は、カルボニル基またはカルボキシ
ル基を有する複素環式化合物、三重結合を有するグリコ
ール類または三重結合を有するグリコール類の活性水素
にエチレンオキサイドを付加させた化合物、アルキルサ
ルコシンまたはアルキルサルコシンのアルカリ金属塩お
よび芳香族カルボン酸の無水物から成る群より選択され
る2種以上を含む。
【0034】ここで、カルボニル基またはカルボキシル
基を有する複素環式化合物は、前述のようにクマリン、
ウラシル、ニコチン酸、イソシンコメロン酸およびシド
ラジン酸からなる群より選択される1種または2種以上
であり、また三重結合を有するグリコール類は2−ブチ
ン−1,4−ジオール、2,4,7,9−テトラメチル
−5−デシン−4,7−ジオールから成る群より選択さ
れる1種または2種であり、三重結合を有するグリコー
ル類の活性水素にエチレンオキサイドを付加させた化合
物は、2,4,7,9−テトラメチル−5−デシン−
4,7−ジオールの1.3〜10モルエチレンオキサイ
ド付加物であり、またアルキルサルコシンまたはアルキ
ルサルコシンのアルカリ金属塩は、N−ラウロイルサル
コシン、N−ラウロイルサルコシンのナトリウム塩もし
くはカリウム塩、N−オイレルサルコシンおよびN−オ
イレルサルコシンのナトリウム塩もしくはカリウム塩か
らなる群より選択される1または2以上であり、また芳
香族カルボン酸の無水物は、無水フタル酸、無水トリメ
リット酸および無水ピロメリット酸からなる群より選択
される1種または2種以上である。
【0035】カルボニル基またはカルボキシル基を有す
る複素環式化合物、三重結合を有するグリコール類また
は三重結合を有するグリコール類の活性水素にエチレン
オキサイドを付加させた化合物、アルキルサルコシンま
たはアルキルサルコシンのアルカリ金属塩および芳香族
カルボン酸の無水物から成る群より選択される2種以上
を含むサイドエッチング抑制用添加剤は、エッチング溶
液である塩化第二鉄溶液に対して、その含有量が500
〜2,000ppmの範囲を満足するように添加されて
湿式エッチングに用いられる。
【0036】以下にカルボニル基またはカルボキシル基
を有する複素環式化合物、三重結合を有するグリコール
類または三重結合を有するグリコール類の活性水素にエ
チレンオキサイドを付加させた化合物、アルキルサルコ
シンまたはアルキルサルコシンのアルカリ金属塩および
芳香族カルボン酸の無水物から成る群より選択される2
種以上を含む組成物のエッチング溶液中における含有量
の範囲限定理由について説明する。含有量が500pp
m未満では、湿式エッチングにおけるサイドエッチング
抑制効果が充分に発現されない。含有量が2,000p
pmを超えると、塩化第二鉄溶液に対して未溶解のまま
残ることまたは析出することがあり、スプレーノズルを
閉塞させる原因となる。したがって、500〜2,00
0ppmとした。
【0037】本発明の実施の第6形態であるサイドエッ
チング抑制用添加剤は、前述のいずれかのサイドエッチ
ング抑制用添加剤に対してさらにチアゾール類およびト
リアゾール類のうち少なくとも1種を含む。
【0038】チアゾール類およびトリアゾール類のうち
少なくとも1種は、エッチング溶液である塩化第二鉄溶
液に対して、その含有量が100〜1,000ppm、
このましくは150〜500ppmの範囲を満足するよ
うに添加されて湿式エッチングに用いられる。
【0039】以下にチアゾール類およびトリアゾール類
のうち少なくとも1種のエッチング溶液中における含有
量の範囲限定理由について説明する。含有量が100p
pm未満では、湿式エッチングにおけるサイドエッチン
グ抑制効果が充分に発現されない。含有量が1,000
ppmを超えると、塩化第二鉄溶液に対して未溶解のま
ま残ることがあり、スプレーノズルを閉塞させる原因と
なる。したがって、100〜1,000ppmとした。
【0040】本発明のサイドエッチング抑制用添加剤
が、エッチング加工時においてサイドエッチングを抑制
する理由については、未だ詳らかではないけれども、以
下のように推定される。銅プリント配線板に用いられる
銅箔である金属Cuに結合して難溶解性化合物を形成す
るためには、結合する化合物の中心元素として、酸素
(O)、窒素(N)、硫黄(S)などの周期律表に規定
される第V族または第VI族の元素を含むことが必要と
される。しかしながら、これらの元素を含めば必ず顕著
な難溶解性を有する化合物が形成されるというものでは
なく、本発明を構成する化合物を用いることによって、
金属Cuと結合して難溶解性化合物が形成される。
【0041】本発明のサイドエッチング抑制用添加剤を
含むエッチング液によって、銅箔がたとえばスプレーエ
ッチングされるとき、エッチング液に触れる銅箔のエッ
チング面には、難溶解性化合物が形成される。このとき
エッチングによって銅箔に形成される凹所の底部では、
エッチング液のスプレー圧力が大きいので、難溶解性化
合物の膜が形成されるとともに絶えず除去されてエッチ
ングが進行する。一方前記凹所のサイド部では、底部に
比べてエッチング液のスプレー圧力が小さいので、形成
された難溶解性化合物の膜が除去されにくい。このこと
によって、サイド部では、底部に比べてエッチングが進
行しにくくなり、サイドエッチング抑制効果が発現され
るものと思われる。
【0042】なお、前述の実施の第1〜第6形態のサイ
ドエッチング抑制用添加剤に、公知の非イオン界面活性
剤、陰イオン界面活性剤、アルキレングリコール、グリ
コールエーテルなどが分散剤として含まれてもよい。
【0043】(実施例)以下に本発明の実施例を説明す
る。本発明は、これらの実施例に限定されるものではな
い。
【0044】寸法が、厚み:1.5mm、幅:210m
m、長さ:300mmであるガラスエポキシ基板の片面
に、厚み:18μmの銅箔を接着し、銅箔の表面にエッ
チングレジストを塗布し、回路パターンが予め作成され
たフォトマスクを当てて露光させた後、非露光部分のエ
ッチングレジストを溶解除去し、回路パターンの形成さ
れた銅プリント配線板の原板を試料として準備した。銅
箔表面の回路パターンは次のように形成された。回路パ
ターンの線幅と線間隔とは等しく、その線幅および線間
隔が、30,50,75および100μmである線状回
路をそれぞれ10本ずつ形成した。
【0045】エッチング液に液温20℃における液比重
が40度ボーメの塩化第二鉄溶液を用い、この塩化第二
鉄溶液に本発明のサイドエッチング抑制用添加剤を添加
した実施例と、本発明から外れるサイドエッチング抑制
用添加剤を添加した比較例とを用いて、前述のように準
備した銅プリント配線板の原板である試料をエッチング
した。その他のエッチング条件を合わせて表1に示す。
なお、後述するサイドエッチング抑制率E(%)を求め
るために、塩化第二鉄溶液にサイドエッチング抑制用添
加剤を全く添加しないで、表1に示す条件のみにて試料
をエッチングしたブランク例も作製した。
【0046】
【表1】
【0047】エッチング加工を施した試料を、流水によ
って5分間洗浄した後、水切りし、40〜50℃に加温
された2%濃度の苛性ソーダ水溶液中に1分間浸漬して
エッチングレジストを除去した。エッチングレジスト除
去後の試料を、流水で約5分間洗浄し、さらにイオン交
換水でリンスして乾燥した。
【0048】乾燥処理した試料の断面を、走査型共焦点
レーザ顕微鏡(株式会社キーエンス製VK−8500
型)によって観察し、以下に説明する各寸法を測定し
た。図1は、エッチング後の銅プリント配線板10を示
す断面図である。試料断面の観察では、ガラスエポキシ
基板11に接する位置(以後、便宜上ボトム部と呼ぶ)
における銅箔12の断面寸法Bと、エッチング加工時に
おいてはエッチングレジスト13に接していた位置(以
後、便宜上トップ部と呼ぶ)における銅箔12の断面寸
法Tとを測定した。
【0049】なお、たとえば回路パターンの線幅が50
μmの場合、サイドエッチング抑制用添加剤を全く含ま
ない塩化第二鉄溶液を用いて表1に示す条件でエッチン
グした前記ブランク例の試料で測定されるボトム部の断
面寸法Bは、回路の線幅として設定したエッチングレジ
スト13の幅Wとほぼ等しいので、ボトム部の断面寸法
Bとトップ部の断面寸法Tとの差(=B−T)は、ほぼ
サイドエッチング量に近似するとみなされる。
【0050】実施例のサイドエッチング抑制用添加剤を
含むエッチング液、および比較例のサイドエッチング抑
制用添加剤を含むエッチング液を用いてエッチングした
試料におけるボトム部の断面寸法をB1、トップ部の断
面寸法をT1とし、ブランク例のエッチング液を用いて
エッチングした試料におけるボトム部の断面寸法を
0、トップ部の断面寸法をT0とするとき、次式(1)
によって求められる値を、サイドエッチング抑制率E
(%)と定義する。E(%)=100×[(B0−T0)−
(B1−T1)]/(B0−T0)…(1)
【0051】サイドエッチング抑制用添加剤のサイドエ
ッチングを抑制する性能をサイドエッチング抑制率E
(%)を指標として評価した。すなわちサイドエッチン
グ抑制率E(%)の大きい方が、サイドエッチング抑制
能に優れるものと評価した。
【0052】塩化第二鉄溶液に添加した実施例のサイド
エッチング抑制用添加剤の種類および添加量と、比較例
のサイドエッチング抑制用添加剤の種類および添加量と
を表2に示す。またサイドエッチング抑制率E(%)を
求めた結果を、表2に合わせて示す。
【0053】なお表2中において、化合物名の欄に表記
されるものが、サイドエッチング抑制用添加剤の種類で
あり、化合物を複合して含むサイドエッチング抑制用添
加剤、すなわち実施例番号17〜24および比較例番号
5,6における化合物名の欄に示される比は、複合して
含まれる化合物の重量比である。
【0054】
【表2】
【0055】表2に示すように、本発明の実施例では、
サイドエッチング抑制率E(%)が15%以上の高い値
であり、特に化合物を複合して含む実施例17〜24で
は、サイドエッチング抑制率E(%)が20%以上の高
い値を示し、優れたサイドエッチング抑制能が発現され
た。一方比較例では、いずれもサイドエッチング抑制率
E(%)が10%未満の低い値であり、実施例に比べて
サイドエッチング抑制能の劣る結果であった。
【0056】
【発明の効果】本発明によれば、湿式エッチングにおけ
るサイドエッチング抑制効果に優れる銅プリント配線板
のサイドエッチング抑制用添加剤が実現される。本発明
の銅プリント配線板のサイドエッチング抑制用添加剤
が、たとえばエッチング溶液である塩化第二鉄溶液に好
適な範囲に添加されて湿式エッチングに用いられると
き、サイドエッチングが著しく抑制されるので、微細な
線幅の回路パターンをほぼ設計値どおりにエッチングす
ることができる。このことによって、微細な線幅で高密
度に配線される回路パターンを有する銅プリント配線板
の作製が可能になる。したがって、ICの集積度を向上
することができ、電子デバイスの小型化に寄与すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】エッチング後の銅プリント配線板10を示す断
面図である。
【図2】湿式エッチングにより作製された銅プリント配
線板1の部分断面図である。
【符号の説明】
10 銅プリント配線板 11 ガラスエポキシ基板 12 銅箔 13 エッチングレジスト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4K057 WA10 WA11 WA12 WA20 WB04 WE08 WF06 WF10 WN01 5E339 AB02 AD01 AD03 BC02 BD06 BE13 BE17 CC01 CD01 CE12 CE19 CF15 GG02

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 カルボニル基またはカルボキシル基を有
    する複素環式化合物を含むことを特徴とする銅プリント
    配線板のサイドエッチング抑制用添加剤。
  2. 【請求項2】 三重結合を有するグリコール類または三
    重結合を有するグリコール類の活性水素にエチレンオキ
    サイドを付加させた化合物を含むことを特徴とする銅プ
    リント配線板のサイドエッチング抑制用添加剤。
  3. 【請求項3】 アルキルサルコシンまたはアルキルサル
    コシンのアルカリ金属塩を含むことを特徴とする銅プリ
    ント配線板のサイドエッチング抑制用添加剤。
  4. 【請求項4】 芳香族カルボン酸の無水物を含むことを
    特徴とする銅プリント配線板のサイドエッチング抑制用
    添加剤。
  5. 【請求項5】 カルボニル基またはカルボキシル基を有
    する複素環式化合物、三重結合を有するグリコール類ま
    たは三重結合を有するグリコール類の活性水素にエチレ
    ンオキサイドを付加させた化合物、アルキルサルコシン
    またはアルキルサルコシンのアルカリ金属塩および芳香
    族カルボン酸の無水物から成る群より選択される2種以
    上を含むことを特徴とする銅プリント配線板のサイドエ
    ッチング抑制用添加剤。
  6. 【請求項6】 前記複素環式化合物は、 クマリン、ウラシル、ニコチン酸、イソシンコメロン酸
    およびシドラジン酸からなる群より選択される1種また
    は2種以上であることを特徴とする請求項1または5記
    載の銅プリント配線板のサイドエッチング抑制用添加
    剤。
  7. 【請求項7】 前記三重結合を有するグリコール類また
    は三重結合を有するグリコール類の活性水素にエチレン
    オキサイドを付加させた化合物は、 2−ブチン−1,4−ジオール、2,4,7,9−テト
    ラメチル−5−デシン−4,7−ジオールおよび2,
    4,7,9−テトラメチル−5−デシン−4,7−ジオ
    ールの1.3〜10モルエチレンオキサイド付加物から
    なる群より選択される1種または2種以上であることを
    特徴とする請求項2または5記載の銅プリント配線板の
    サイドエッチング抑制用添加剤。
  8. 【請求項8】 前記アルキルサルコシンまたはアルキル
    サルコシンのアルカリ金属塩は、 N−ラウロイルサルコシン、N−ラウロイルサルコシン
    のナトリウム塩もしくはカリウム塩、N−オイレルサル
    コシンおよびN−オイレルサルコシンのナトリウム塩も
    しくはカリウム塩からなる群より選択される1種または
    2種以上であることを特徴とする請求項3または5記載
    の銅プリント配線板のサイドエッチング抑制用添加剤。
  9. 【請求項9】 前記芳香族カルボン酸の無水物は、 無水フタル酸、無水トリメリット酸および無水ピロメリ
    ット酸からなる群より選択される1種または2種以上で
    あることを特徴とする請求項4または5記載の銅プリン
    ト配線板のサイドエッチング抑制用添加剤。
  10. 【請求項10】 さらにチアゾール類およびトリアゾー
    ル類のうち少なくとも1種を含むことを特徴とする請求
    項1〜9のいずれかに記載の銅プリント配線板のサイド
    エッチング抑制用添加剤。
JP2002117884A 2002-04-19 2002-04-19 銅プリント配線板のサイドエッチング抑制用添加剤 Ceased JP2003306784A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002117884A JP2003306784A (ja) 2002-04-19 2002-04-19 銅プリント配線板のサイドエッチング抑制用添加剤

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002117884A JP2003306784A (ja) 2002-04-19 2002-04-19 銅プリント配線板のサイドエッチング抑制用添加剤

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003306784A true JP2003306784A (ja) 2003-10-31

Family

ID=29397229

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002117884A Ceased JP2003306784A (ja) 2002-04-19 2002-04-19 銅プリント配線板のサイドエッチング抑制用添加剤

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003306784A (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005086551A1 (ja) 2004-03-03 2005-09-15 Ibiden Co., Ltd. エッチング液、エッチング方法およびプリント配線板
JP2006111933A (ja) * 2004-10-15 2006-04-27 Asahi Kagaku Kogyo Co Ltd エッチング組成液
JP2006274291A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Asahi Kagaku Kogyo Co Ltd エッチング組成液
JP2008288312A (ja) * 2007-05-16 2008-11-27 Hitachi Cable Ltd 半導体装置用テープキャリアの製造方法
JP2011198765A (ja) * 2011-05-20 2011-10-06 Dainippon Printing Co Ltd 金属箔シート
JPWO2010071078A1 (ja) * 2008-12-17 2012-05-31 三菱製紙株式会社 銅または銅合金用のエッチング液、エッチング方法及びエッチング液の再生管理方法
CN108174520A (zh) * 2017-12-20 2018-06-15 深圳市板明科技有限公司 一种适用于msap工艺的闪蚀药水
CN116732520A (zh) * 2023-08-14 2023-09-12 昆山市板明电子科技有限公司 酸性蚀刻液用长效抑制侧蚀添加剂、制备方法及应用
CN116804275A (zh) * 2023-06-28 2023-09-26 深圳市点石源水处理技术有限公司 一种精密线路的酸性刻蚀液添加剂和酸性刻蚀液及其应用

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7357879B2 (en) 2004-03-03 2008-04-15 Ibiden Co., Ltd. Etching solution, method of etching and printed wiring board
KR100828979B1 (ko) * 2004-03-03 2008-05-14 이비덴 가부시키가이샤 에칭액, 에칭 방법 및 프린트 배선판
WO2005086551A1 (ja) 2004-03-03 2005-09-15 Ibiden Co., Ltd. エッチング液、エッチング方法およびプリント配線板
JP2006111933A (ja) * 2004-10-15 2006-04-27 Asahi Kagaku Kogyo Co Ltd エッチング組成液
JP4606835B2 (ja) * 2004-10-15 2011-01-05 朝日化学工業株式会社 エッチング組成液
JP2006274291A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Asahi Kagaku Kogyo Co Ltd エッチング組成液
JP4606919B2 (ja) * 2005-03-28 2011-01-05 朝日化学工業株式会社 エッチング組成液
JP2008288312A (ja) * 2007-05-16 2008-11-27 Hitachi Cable Ltd 半導体装置用テープキャリアの製造方法
JP5604307B2 (ja) * 2008-12-17 2014-10-08 三菱製紙株式会社 銅または銅合金用のエッチング液、エッチング方法及びエッチング液の再生管理方法
JPWO2010071078A1 (ja) * 2008-12-17 2012-05-31 三菱製紙株式会社 銅または銅合金用のエッチング液、エッチング方法及びエッチング液の再生管理方法
JP2011198765A (ja) * 2011-05-20 2011-10-06 Dainippon Printing Co Ltd 金属箔シート
CN108174520A (zh) * 2017-12-20 2018-06-15 深圳市板明科技有限公司 一种适用于msap工艺的闪蚀药水
CN108174520B (zh) * 2017-12-20 2020-08-28 深圳市板明科技股份有限公司 一种适用于msap工艺的闪蚀药水
CN116804275A (zh) * 2023-06-28 2023-09-26 深圳市点石源水处理技术有限公司 一种精密线路的酸性刻蚀液添加剂和酸性刻蚀液及其应用
CN116732520A (zh) * 2023-08-14 2023-09-12 昆山市板明电子科技有限公司 酸性蚀刻液用长效抑制侧蚀添加剂、制备方法及应用
CN116732520B (zh) * 2023-08-14 2023-11-14 昆山市板明电子科技有限公司 酸性蚀刻液用长效抑制侧蚀添加剂、制备方法及应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5288144B2 (ja) フォトレジスト剥離剤組成物、積層金属配線基板のフォトレジスト剥離方法及び製造方法
JP2005023340A (ja) プリント配線板のエッチング方法及びエッチング液
JP2008227508A (ja) 薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング液組成物
JP2010080934A (ja) 液晶表示装置の銅及び銅/モリブデンまたは銅/モリブデン合金電極用の食刻組成物
JP6733476B2 (ja) 半導体素子の洗浄用液体組成物、半導体素子の洗浄方法および半導体素子の製造方法
KR20030076188A (ko) 포토레지스트 잔사제거액 조성물
US20110049104A1 (en) Etchant for copper or copper alloy, liquid for etching pretreatment, and etching method
JP2002241968A (ja) エッチング剤及びこのエッチング剤を用いた電子機器用基板の製造方法
KR102293675B1 (ko) 구리계 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법
JP2003306784A (ja) 銅プリント配線板のサイドエッチング抑制用添加剤
KR101156490B1 (ko) 반도체 소자용 세정액 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 세정 방법
JP4688874B2 (ja) フォトレジスト現像液、および該現像液を用いた基板の製造方法
KR102205628B1 (ko) 구리 또는 구리 함유 금속막 식각액 조성물
KR101173901B1 (ko) 박막 트랜지스터 액정표시장치용 식각조성물
CN103676504B (zh) 一种水性光刻胶剥离液
CN105938797B (zh) 用于蚀刻氧化铟层的蚀刻剂组合物及使用其制作显示基板的方法
JP2011166028A (ja) Cof基板の製造方法
TWI797093B (zh) 蝕刻液組成物及蝕刻方法
KR100708970B1 (ko) 구리 몰리브덴 배선용 식각 용액 조성물
JP2011171323A (ja) 銅又は銅合金のエッチング方法
JP7377212B2 (ja) エッチング液組成物及びエッチング方法
JP6458913B1 (ja) エッチング液
KR20160005640A (ko) 복합금속막용 식각 조성물 및 이를 이용한 금속배선 형성방법
JP5407121B2 (ja) 洗浄剤組成物
JPWO2020080178A1 (ja) エッチング液組成物及びエッチング方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050401

A977 Report on retrieval

Effective date: 20051014

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070410

A521 Written amendment

Effective date: 20070531

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070626

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070817

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070911

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071016

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Effective date: 20081014

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A045 Written measure of dismissal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A045

Effective date: 20090224