JP2003305415A - 基板の処理装置及び処理方法 - Google Patents

基板の処理装置及び処理方法

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JP2003305415A
JP2003305415A JP2002110626A JP2002110626A JP2003305415A JP 2003305415 A JP2003305415 A JP 2003305415A JP 2002110626 A JP2002110626 A JP 2002110626A JP 2002110626 A JP2002110626 A JP 2002110626A JP 2003305415 A JP2003305415 A JP 2003305415A
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liquid
processing
cleaning
chamber
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JP2002110626A
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English (en)
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Harumichi Hirose
治道 廣瀬
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Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 この発明は基板を洗浄液によって精密に洗浄
処理することができるようにした処理装置を提供するこ
とにある。 【解決手段】 基板を所定方向に沿って搬送する搬送ロ
ーラ12を有する搬送軸11と、この搬送ローラによっ
て搬送された基板を処理液によって処理する処理チャン
バ4,5と、この処理チャンバから上記搬送手段によっ
て搬送された基板を洗浄液によって洗浄する洗浄チャン
バ6とを備え、上記洗浄チャンバには、基板の搬送方向
と交差する幅方向に沿って配置されこの基板の搬送方向
下流側に向けて洗浄液を供給する第2の給液装置41
と、基板の幅方向一側に配置されこの一側から他側に向
けて洗浄液を供給する第3、第4の給液装置42,43
とが設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は処理チャンバで処
理された基板を洗浄液によって洗浄処理する基板の処理
装置及び処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置に用いられるガラス製の基
板には回路パターンが形成される。基板に回路パターン
を形成するにはリソグラフィープロセスが採用される。
リソグラフィープロセスは周知のように上記基板にレジ
ストを塗布し、このレジストに回路パターンが形成され
たマスクを介して光を照射する。
【0003】つぎに、レジストの光が照射されない部分
或いは光が照射された部分を除去し、基板のレジストが
除去された部分をエッチングし、エッチング後にレジス
トを除去するなどの一連の工程を複数回繰り返すこと
で、上記基板に回路パターンを形成する。
【0004】このようなリソグラフィープロセスにおい
ては、上記基板に現像液、エッチング液或いはエッチン
グ後にレジストを除去する剥離液などの処理液によって
基板を処理する工程、さらに処理液による処理後に処理
液と基板との反応を停止させるための洗浄液による洗浄
工程として純水によるリンス工程が必要となる。
【0005】従来、板面が処理液によって処理された基
板を洗浄液によって洗浄する場合、処理チャンバから洗
浄チャンバに搬入される基板の板面にシャワ−パイプに
よって洗浄液を基板の幅方向全長にわたって噴射するこ
とで、この基板の板面を洗浄したり、基板の幅方向に沿
って配置された回転される洗浄ブラシを用いて基板の板
面を洗浄するなどのことが行なわれていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の方法では、基板の板面全体にわたって洗浄液を
迅速かつ均一に供給する難しいため、処理液と基板の反
応を、基板の板面全体にわたって均一に停止させること
ができず、その結果、基板の板面には処理液による処理
にむらが生じるということがあった。
【0007】この発明は、基板の洗浄処理を、基板の板
面全体にわたって均一かつ迅速に行なうことができるよ
うにした基板の処理装置及び処理方法を提供することに
ある。
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、処理
液によって処理された基板を洗浄する処理装置におい
て、基板を所定方向に沿って搬送する搬送手段と、この
搬送手段によって搬送された基板を処理液によって処理
する処理チャンバと、この処理チャンバから上記搬送手
段によって搬送された基板を洗浄液によって洗浄する洗
浄チャンバとを備え、上記洗浄チャンバには、基板の搬
送方向と交差する幅方向に沿って配置されこの基板の搬
送方向下流側に向けて洗浄液を供給する第1の給液装置
と、基板の幅方向一側に配置されこの一側から他側に向
けて洗浄液を供給する第2の給液装置と、が設けられて
いることを特徴とする基板の処理装置にある。
【0009】請求項2の発明は、上記第1、第2の給液
装置は、上面が開口し内部に洗浄液が供給される容器
と、この容器の一側に設けられ上記容器の開口した上面
からオーバフローする洗浄液を所定方向に向けて流すガ
イド部材とによって構成されていることを特徴とする請
求項1記載の基板の処理装置にある。
【0010】請求項3の発明は、上記第1の給液装置は
上記基板の幅方向全長にわたって洗浄液を供給する長さ
に設定され、上記第2の給液装置は上記基板の幅方向と
交差する長手方向全長にわたって洗浄液を供給する長さ
に設定されていることを特徴とする請求項1記載の基板
の処理装置にある。
【0011】請求項4の発明は、上記洗浄チャンバの下
流側には乾燥チャンバが設けられ、この乾燥チャンバに
は、基板の板面全体に洗浄液をこの基板の搬送方向上流
側に向けて供給する第3の給液装置と、この第3の給液
装置によって洗浄液が供給された基板の板面に圧縮空気
をこの基板の搬送方向上流側に向けて噴射するエアーナ
イフとが設けられていることを特徴とする基板の処理装
置にある。
【0012】請求項5の発明は、処理チャンバで処理液
によって処理された基板を洗浄チャンバで洗浄液によっ
て洗浄する基板の処理方法において、基板を上記洗浄チ
ャンバに搬入する搬入工程と、基板が上記洗浄チャンバ
に搬入されるときに、この基板に搬送方向下流側に向か
って洗浄液を供給する第1の給液工程と、上記基板が上
記洗浄チャンバの所定の位置まで搬送されたならば、こ
の基板に搬送方向と交差する幅方向一側から他側に向か
って洗浄液を供給する第2の給液工程と、を具備したこ
とを特徴とする基板の処理方法にある。
【0013】請求項6の発明は、上記第1の給液工程
は、上記基板の搬送方向と交差する幅方向全長にわたっ
て洗浄液を供給し、上記第2の給液工程は上記基板の幅
方向と交差する長手方向全長にわたって洗浄液を供給す
ることを特徴とする請求項5記載の基板の処理方法にあ
る。
【0014】請求項7の発明は、上記基板を上記洗浄チ
ャンバから搬出するときに、この基板に搬送方向上流側
に向かって洗浄液を噴射する工程を備えていることを特
徴とする請求項5記載の基板の処理方法にある。
【0015】この発明によれば、処理チャンバから洗浄
チャンバに搬入される基板に、この基板の搬送方向下流
側に向かって洗浄液を供給し、ついで搬送方向と交差す
る幅方向一側から他側に向かって洗浄液を供給するた
め、基板の板面での洗浄液の流動性が高くなり、この板
面を均一かつ迅速に洗浄することが可能となる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面を参照しながら説明する。
【0017】図1乃至図6はこの発明の第1の実施の形
態を示す。図1と図2はこの発明の処理装置を示し、こ
の処理装置は本体1を備えている。この本体1内は、隔
壁2によってローディングチャンバ3、第1の処理チャ
ンバ4、第2の処理チャンバ5、洗浄チャンバ6、乾燥
チャンバ7及びアンローディングチャンバ8が順次区画
形成されている。
【0018】上記本体1内には、搬送手段を構成する複
数の搬送軸11が上記6つのチャンバにそれぞれ軸線を
平行にして所定間隔で配置されている。図4は第2の処
理チャンバ5の断面図である。この図に示されるよう
に、各搬送軸11には複数の搬送ローラ12が軸方向に
所定間隔で設けられている。搬送ローラ12のうち、軸
方向両端部に設けられた搬送ローラ12には、図5に拡
大して示すように一側面に液晶表示装置用の基板Wの幅
方向の端部を受ける段部12aが形成されている。それ
によって、基板Wは上記搬送ローラ12の段部12aに
より、搬送方向と交差する方向である、幅方向に蛇行す
るのが防止されている。
【0019】上記搬送軸11の軸方向両端部は、軸受1
3によって回転自在に支持されている。この軸受13
は、各チャンバの幅方向両端部内に立設された支持部材
14に取付けられている。上記軸受13と支持部材14
とでこの発明の軸受体を構成している。
【0020】上記搬送軸11の一方の軸受13から突出
した一端部には第1の平歯車15が嵌着固定されてい
る。この第1の平歯車15には第2の平歯車16が噛合
している。第2の平歯車16は第1の平歯車15に比べ
て幅寸法が2分の1以下に設定されている。
【0021】上記第2の平歯車15は動力伝達軸17の
一端部にスライド可能に取付け固定されている。この動
力伝達軸17の中途部は各チャンバの側壁1aに設けら
れた軸受18に回転可能に支持され、他端部は上記側壁
1aから外部に突出している。なお、軸受18は液密構
造となっている。
【0022】上記動力伝達軸17の他端部には従動プー
リ19が嵌着固定されている。各動力伝達軸17は上記
従動プーリ19を介して図示しない駆動源により回転駆
動される。動力伝達軸17が回転駆動されれば、その回
転が第2の平歯車16と第1の平歯車15を介して搬送
軸11に伝達される。それによって、搬送軸11の搬送
ローラ12に支持された基板Wは所定方向に搬送され
る。なお、搬送軸11の回転駆動は、図示しない制御装
置によって各チャンバ毎に制御できるようになってい
る。
【0023】上記第2の平歯車16は動力伝達軸17に
スライド可能に取付けられている。したがって、この第
2の平歯車16を図5に矢印で示す方向へスライドさせ
て第1の平歯車15との噛合状態を解除すれば、支持部
材14に支持された搬送軸11を軸受13とともに上記
支持部材14から取り外すことができる。つまり、搬送
軸11の取り外しが容易に行なえるため、搬送軸11及
びこの搬送軸11に設けられた搬送ローラ12の修理交
換などのメンテナンスを楽に行なうことができるように
なっている。
【0024】なお、動力伝達軸17は、搬送軸11を取
り外す際に、第1の平歯車15にぶつかることのない長
さに設定されている。
【0025】基板Wは、第1、第2の処理チャンバ4,
5、洗浄チャンバ6或いは乾燥チャンバ7などにおい
て、搬送ローラ12から浮き上がるのを防止するため、
この搬送ローラ12の段部12aに係合させた幅方向の
端部が図5に鎖線で示す押えローラ20によって保持さ
れることがある。この押えローラ20は押え軸21に嵌
着される。この押え軸21の一端部には軸受22が設け
られ、この軸受22は上記支持部材14の上端にねじ止
め固定される。
【0026】上記押え軸21の上記軸受22から突出し
た一端には第3の平歯車23が嵌着固定されている。こ
の第3の平歯車23は上記第2の平歯車16と同様、第
1の平歯車15に比べて薄く形成されている。それによ
って、第3の平歯車23を第2の平歯車16とともに第
1の平歯車15に噛合させることで、この第1の平歯車
15により、搬送軸11とともに押え軸21にも動力を
伝達することができる。
【0027】上記本体1を各チャンバに区画する隔壁2
には開口部2aが形成され、各開口部2aはシャッタ2
4によって開閉可能となっている。未処理の基板Wはロ
ーディングチャンバ3に搬入される。
【0028】基板Wは、ローディングチャンバ3から第
1の処理チャンバ4に搬送される。この第1の処理チャ
ンバ4には、搬送される基板Wの上面の搬送方向と交差
する幅方向全長にわたって処理液をほぼ均一に供給する
給液手段としての第1の給液装置25が設けられてい
る。
【0029】この第1の給液装置25は、図6に示すよ
うに上面が開放し内部に給液管26aによって処理液が
供給される容器26を有する。この容器26は、長手方
向に沿う一側が他の側壁よりも低く形成され、その一側
外面には下端部が所定角度で傾斜するよう屈曲されたガ
イド部材27が設けられている。
【0030】上記容器26内に供給された処理液は、こ
の容器26の開口した上面の上記一側上端からオーバフ
ローし、ガイド部材27に沿って流出する。それによっ
て、処理液は基板Wの上面の幅方向全長にわたってほぼ
均一に、しかも基板Wの搬送方向下流側に向かって供給
される。処理液は基板Wの搬送方向下流側に向かって供
給されるから、基板Wの搬送方向上流側のローディング
チャンバ3に流れ出るのが防止される。
【0031】上記第1の処理チャンバ4内には、このチ
ャンバ4内を搬送される基板Wの上面に向けて処理液を
噴射する、処理液噴射手段を構成する複数の第1のシャ
ワ−パイプ28が搬送方向に沿って所定間隔で配置され
ている。各第1のシャワ−パイプ28には軸方向に沿っ
て所定間隔で複数のノズル口体28aが設けられてい
る。図2に示すように、隣り合うシャワ−パイプ28の
ノズル口体28aは軸方向に対して千鳥状に位置をずら
している。それによって、第1のシャワ−パイプ28か
らは基板Wの上面全体に処理液をほぼ均一に噴射するこ
とができる。
【0032】処理液としては現像液、エッチング液、剥
離液などが用いられるが、この実施の形態ではエッチン
グ液が用いられる。
【0033】図1に示すように、基板Wを搬送する搬送
ローラ12が設けられた搬送軸11の軸芯は、上記ロー
ディングチャンバ3から第1の処理チャンバ4に向かっ
て低くなるよう配置されている。つまり、ローディング
チャンバ3の最下流に位置する搬送軸11はこの発明の
第1の搬送高さ変更部を形成している。それによって、
ローディングチャンバ3から第1の処理チャンバ4に搬
送される基板Wは搬送方向に向かって低く傾斜するか
ら、第1の処理チャンバ4で基板Wの上面に供給された
処理液が基板Wの上面を搬送方向と逆方に流れて第1の
処理チャンバ4から流出するのが防止される。
【0034】上記ローディングチャンバ3から第1の処
理チャンバ4に搬入される基板Wの上面にはエアーナイ
フ29によって圧縮空気が基板Wの搬送方向下流側に向
かって噴射される。それによって、第1の処理チャンバ
4で基板Wの上面に供給された処理液が基板Wの上面を
搬送方向上流側に流れるのを防止する。
【0035】上記第2の処理チャンバ5には浸漬槽31
が設けられている。この浸漬槽31は、図3に示すよう
に上面が開口した箱形状をなしていて、基板Wの搬送方
向に沿う長手方向一側壁と他側壁とには搬送ローラ12
によって搬送される基板Wを上記浸漬槽31に導入、導
出するための開口部32が形成されている。
【0036】各開口部32は液面制御手段の開閉手段を
構成するシャッタ33によって開閉される。シャッタ3
3は、たとえば図3に示すようにシリンダ34によって
上下駆動されるようになっている。なお、シャッタ33
は上記浸漬槽31の側壁に回動可能に設け、ロータリシ
ンリダなどによって回転駆動することで、上記開口部3
2を開閉するようにしてもよい。
【0037】図4と図5に示すように、浸漬槽31の幅
方向両側外方には補助槽35が設けられている。上記搬
送軸11を回転自在に支持した軸受13及びこの軸受1
3が設けられた支持部材14は上記補助槽35内に位置
している。この補助槽35の側壁35aは上記浸漬槽3
1の側壁31aよりも低く設定されている。搬送軸11
の端部は上記浸漬槽31の側壁31aに設けられたシー
ル部材36を液密に貫通している。
【0038】上記浸漬槽31には供給管37によって処
理液が供給される。シャッタ33が図4に実線で示すよ
うに下降し、浸漬槽31に形成された一対の開口部32
が開いている状態では、浸漬槽31内の処理液の液面は
上記開口部32の下端と同じレベルに維持される。シャ
ッタ33を鎖線で示すように上昇し、開口部32を閉じ
ると、液面は浸漬槽31の上端まで上昇し、側壁31a
の上端から補助槽35にオーバフローする。
【0039】上記開口部32の下端の高さは搬送ローラ
12によって搬送される基板Wの下面よりもわずかに低
く設定され、浸漬槽31の側壁31aの上端の高さは搬
送ローラ12に保持された基板Wの上面よりも高く設定
されている。したがって、浸漬槽31の開口部32を閉
じて上記供給管37から処理液を供給すると、基板Wを
処理液に浸漬することができる。
【0040】上記開口部32を閉じて浸漬槽31に処理
液を供給すると、処理液は浸漬槽31から補助槽35へ
オーバフローする。それによって、この補助槽35内の
軸受13は処理液に浸漬した状態となる。浸漬槽31か
ら補助槽35に処理液がさらにオーバフローすると、処
理液はこの補助槽35の側壁35aから第2の処理チャ
ンバ5に流出し、図示しない回収管を通じて回収され、
浄化されてから再使用される。
【0041】搬送軸11を支持した軸受13を補助槽3
5内に設け、この補助槽35に貯えられた処理液をオー
バフローさせるようにしたことで、軸受13から発生す
る塵埃が浸漬槽31内に導入される基板Wに付着するの
を防止することができる。
【0042】上記第2の処理チャンバ5で後述するごと
く処理液によって処理された基板Wは上記洗浄チャンバ
6に搬入される。図1に示すように、基板Wを第2の処
理チャンバ5から洗浄チャンバ6に搬送する搬送軸11
の軸芯は、洗浄チャンバ6に向かって高く設置されてい
る。つまり、洗浄チャンバ6の搬送軸11は第1、第2
の処理チャンバ4,5の搬送軸11よりも軸芯を高くし
て配置され、この発明の第2の搬送高さ変更部を形成し
ている。
【0043】それによって、基板Wは洗浄チャンバ6に
向かって高く傾斜して搬送されるから、基板Wの上面に
残留する処理液は基板Wの搬送方向後端側に向かって流
れ、第2の処理チャンバ5に滴下する。つまり、処理液
が基板Wに付着残留して洗浄チャンバ6に持ち出される
量を抑制することができる。
【0044】上記第2の処理チャンバ5には、上記浸漬
槽31の上方に処理液噴射手段を構成する複数の第2の
シャワ−パイプ38が基板Wの搬送方向に沿って平行に
配置されている。第2のシャワ−パイプ38には軸方向
に所定間隔でノズル口体38aが設けられている。
【0045】隣り合う第2のシャワ−パイプ38のノズ
ル口体38aは千鳥状となるよう軸方向に位置をずらし
て設けられている。第2のシャワ−パイプ38からは、
第2の処理チャンバ5に搬入され浸漬槽31内に導入さ
れた基板Wの上面に処理液が噴射される。
【0046】上記第1の処理チャンバ4に基板Wが搬入
されると、この基板Wの上面には第1の給液装置25に
よって処理液が基板Wの上面に供給される。それによっ
て、基板Wの上面は全体が処理液によって均一に濡らさ
れる。
【0047】第1の給液装置25によって上面に処理液
が供給された基板Wには、第1のシャワ−パイプ28に
よって処理液が噴射される。第1の給液装置25によっ
て基板Wの上面は予めほぼ均一に均一に濡らされている
から、第1のシャワ−パイプ28によって上面に処理液
が均一に噴射されなくとも、基板Wの上面に処理状態の
むらが発生し難い。
【0048】基板Wは第1の処理チャンバ4から第2の
処理チャンバ5に搬送されると、この第2の処理チャン
バ5に設けられた浸漬槽31内に導入され、そこで搬送
が停止される。浸漬槽31に搬入される基板Wの上面に
は第2のシャワ−パイプ38から処理液が噴射される。
それによって、基板Wの上面の処理が急速に進行する。
【0049】第2のシャワ−パイプ38によって処理液
を所定時間噴射したならば、シャッタ33を駆動して浸
漬槽31の一対の開口部32を閉塞する。その状態で、
供給管37から浸漬槽31内に処理液を供給すると、液
面が上昇して搬送ローラ12に下面が支持された基板W
は処理液に浸漬する。それによって、基板Wは処理液に
よって板面全体が均一に処理されることになる。
【0050】つまり、第1の処理チャンバ4の第1の給
液装置25によって基板Wの上面に処理液を均一に供給
するようにしたことで、その後、第1、第2のシャワ−
パイプ28、38によって基板Wの上面に処理液を噴射
するようにしても、基板Wの上面の処理状態に大きなむ
らを発生させることなく、その処理を迅速に促進するこ
とができる。
【0051】ついで、上記基板Wを浸漬槽31で処理液
に浸漬することで、基板Wの処理を均一に、しかも緩や
かに進行させることができるから、第1、第2のシャワ
−パイプ28、38からの処理液の噴射で生じた処理の
むらを除去したり、たとえばエッチング処理の場合には
膜厚を高精度に制御するなどのことができる。
【0052】なお、処理チャンバを第1の処理チャンバ
4と第2の処理チャンバ5とに分け、第1の処理チャン
バ4に第1の給液装置25と第1のシャワ−パイプ28
とを設けたが、第1のシャワ−パイプ28はなくてもよ
い。また、第1の処理チャンバ4をなくし、第2の処理
チャンバ5の浸漬槽31よりも上流側に第1の給液装置
25を設けるようにしてもよい。
【0053】図1と図2に示すように、上記洗浄チャン
バ6の上記基板Wの搬送方向の上流側には、基板Wの搬
送方向下流側に向かって純水などの洗浄液を供給する第
2の給液装置41と、基板Wの搬送方向と交差する幅方
向一側から他側に向かって洗浄液を供給する第3、第4
の給液装置42,43と、基板Wの搬送方向下流側に設
けられ基板Wの上面と下面とに洗浄液を高圧で噴射する
上部ノズルパイプ44及び下部ノズルパイプ45を有す
る。
【0054】なお、上記第2の給液装置41はこの発明
の請求項1の第1の給液装置に対応し、上記第3、第4
の給液装置42,43はこの発明の請求項1の第2の給
液装置に対応する。
【0055】上記第2の給液装置41は基板Wの搬送方
向と交差する幅方向全長にわたって基板Wの上面に処理
液を供給し、上記第3、第4の給液装置42、43によ
って基板Wの上記搬送方向と交差する幅方向の一側全
長、つまり長手方向全長から処理液を供給する。上記上
部ノズルパイプ44と下部ノズルパイプ45とは、基板
Wの幅方向に対して所定の角度で傾斜し、かつ搬送方向
上流側に向かって処理液を供給する。
【0056】上記第2、第3、第4の給液装置41,4
2,43は図6に示す上記第1の給液装置23と同様、
内部に洗浄液が給液管46aによって供給される容器4
6及びこの容器46の一側に設けられたガイド部材47
からなり、容器46の内部に洗浄液が供給されること
で、その洗浄液は矢印で示すように容器46の上面開口
からオーバフローし、上記ガイド部材47に沿って流出
する。
【0057】なお、基板Wの幅方向一側に2つに分割さ
れた第3、第4の給液装置42,43を設けたが、分割
せずに1つとしても差し支えない。
【0058】基板Wが第2の処理チャンバ5から洗浄チ
ャンバ6に搬入されてくると、図7(a)に矢印で示す
ように基板Wの上面には第2の給液装置41から洗浄液
が供給される。第2の給液装置41は洗浄液を基板Wの
上面の幅方向全長に供給し、しかも基板Wの搬送方向下
流側に向かって供給する。
【0059】それによって、基板Wが洗浄チャンバ6に
搬入されると同時に、その基板Wには洗浄液が全面に迅
速に供給されるから、基板Wの上面に残留する処理液に
よる処理反応を迅速に止めることができる。しかも、基
板Wの上面には洗浄液が基板Wの搬送方向下流側に向か
って供給されるため、その洗浄液が基板Wの上面を伝わ
って第2の処理チャンバ5に流入するのを防止すること
ができる。
【0060】基板Wが洗浄チャンバ6に搬入されたなら
ば、基板Wの搬送を停止するとともに、第2の給液装置
41からの洗浄液の供給が停止され、第3、第4の給液
装置42,43から洗浄液が供給される。
【0061】第3、第4の給液装置42,43は図7
(b)に矢印で示すように、洗浄液を上記第2の給液装
置41による供給方向と直交する基板Wの幅方向に沿っ
て供給する。つまり、基板Wの上面には洗浄液が搬送方
向に沿って供給された後、搬送方向と直交する方向に沿
って供給されるから、基板Wの上面には洗浄液がむらな
く均一に供給されるため、洗浄液により均一に洗浄処理
されることになる。なお、第2の給液装置41と第3、
第4の給液装置42,43からの給液を交互に複数回繰
り返してもよい。
【0062】第3、第4の給液装置42,43から洗浄
液を所定時間供給したならば、その供給を停止するとと
もに、基板Wを洗浄チャンバ6から搬出する。そのと
き、上部ノズルパイプ44と下部ノズルパイプ45とか
ら基板Wの上面と下面とに洗浄液を、たとえば0.5〜
1.5MPa程度の高い圧力で洗浄液が噴射される。
【0063】洗浄液は、各ノズルパイプ44,45のノ
ズル孔から図8に示すように基板Wに噴射される洗浄液
のパターンPが楕円状に拡散され、しかも矢印Aで示す
ように基板Wの矢印Xで示す搬送方向の上流側に向かっ
て所定の角度θで傾斜して噴射される。
【0064】上部ノズルパイプ44から高圧で噴射され
る洗浄液の噴射方向Aは、第2乃至第4の給液装置41
〜43から基板Wの上面に供給される方向と異なるか
ら、それによっても基板Wの上面の洗浄効果を高めるこ
とができる。
【0065】しかも、上部ノズルパイプ44からは、洗
浄液が矢印Aで示すように基板Wの搬送方向上流側に対
して所定の角度θで傾斜して噴射される。そのため、基
板Wの上面に供給された洗浄液は、基板Wの搬送方向下
流側の後端の一方の角部Eの部分から落下するから、後
端縁の全長から落下する場合のように飛沫を上げること
なく円滑に落下する。基板Wの下面は下部ノズルパイプ
45から噴射される洗浄液によって洗浄されることにな
る。
【0066】各ノズルパイプ44、45からは、洗浄液
が第2乃至第4の給液装置41〜43よりも高い圧力で
供給されるから、上記各給液装置41〜43から洗浄液
を供給することでは除去できなかった汚れを除去するこ
とができる。
【0067】なお、洗浄チャンバ6から基板Wを搬出す
る際、基板Wに第4の給液装置41から洗浄液を供給
し、洗浄効果を高めるようにしてもよい。
【0068】洗浄チャンバ6から搬出された基板Wは乾
燥チャンバ7に搬入される。この乾燥チャンバ7には第
5の給液装置51が基板Wの幅方向に対して所定角度で
傾斜して配置されている。この第5の給液装置51より
も基板Wの搬送方向下流側には基板Wの上下面に圧縮空
気を供給する上下一対のエアーナイフ52が上記第5の
給液装置51と平行に配置されている。上記第5の給液
装置51はこの発明の請求項4に記載された第3の給液
装置に対応する。
【0069】上記第5の給液装置51は、上記各第1乃
至第4の給液装置と同様、図6に示すように上面が開口
し内部に純水が給液管53aによって供給される容器5
3及びこの容器53の一側に設けられたガイド部材54
からなり、上記ガイド部材54を基板Wの搬送方向上流
側に向けて設けられている。
【0070】上記洗浄チャンバ6で洗浄された基板Wが
上記乾燥チャンバ7に搬入されると、上記第5の給液装
置51によって基板Wの上面に純水が供給される。それ
によって、基板Wの上面には全体にわたってほぼ均一に
純水が塗布された状態となる。
【0071】第5の給液装置51によって上面に純水が
供給された基板Wは、上下一対のエアーナイフ52の間
を通過する。それによって、基板Wに付着した純水が乾
燥除去されることになる。
【0072】上記エアーナイフ52によって基板Wを乾
燥する前に、この基板Wの上面に第5の給液装置51に
よって純水を供給するようにした。そのため、基板Wの
上面は全体がほぼ均一に濡れた状態でエアーナイフ52
によって乾燥させられるから、部分的に乾いた状態で乾
燥させられる場合のように、乾燥むらが生じるのを防止
することができる。
【0073】上記乾燥チャンバ7で乾燥処理された基板
Wはアンローディングチャンバ8に搬送され、ここから
つぎの工程に受け渡されたり、ストッカなどに積層収容
される。
【0074】なお、各チャンバ3〜8の上部壁は、図4
に示すように幅方向中央部を支点として一対の蓋体55
が開閉可能に設けられている。それによって、各チャン
バ3〜8内の点検を本体1の幅方向のどちら側からでも
行なうことができるようになっている。
【0075】このように、この発明の処理装置によれ
ば、基板Wを処理液によって処理する際、まず、基板W
を第1の処理チャンバ4に搬送することで、この第1の
処理チャンバ4に設けられた第1の給液装置25によっ
て基板Wの全面に処理液が均一に供給される。ついで、
第1の処理チャンバ4に設けられた第1のシャワ−パイ
プ28及び第2の処理チャンバ5に設けられた第2のシ
ャワ−パイプ38のうち、少なくとも第2のシャワ−パ
イプ38によって基板Wの上面に処理液を噴射する。
【0076】それによって、基板Wの上面は、シャワ−
パイプ28、38からの処理液の噴射によって処理液に
よる処理が迅速に進行し、しかも第1の給液装置25に
よって基板Wの上面を予めほぼ均一に濡らしてから処理
液を噴射するため、上記シャワ−パイプ28、38によ
って基板Wの上面に処理液が均一に噴射されなくとも、
処理にばらつきが生じるのを抑制することができる。
【0077】基板Wは第2の処理チャンバ5に搬送され
ることで、この第2の処理チャンバ5に設けられた浸漬
槽31の開口部32からその内部に導入されている。そ
して、基板Wに第2のシャワ−パイプ38によって処理
液が噴射された後、浸漬槽31の一対の開口部32がシ
ャッタ33によって閉じられ、ついで供給管37から浸
漬槽31に処理液が供給される。
【0078】それによって、浸漬槽31内の液面が上昇
し、搬送ローラ12に支持された基板Wは処理液に浸漬
するから、基板Wは処理液よって浸漬処理される。基板
Wを処理液に浸漬して処理すると、処理液が基板Wの全
面に均一に接触することになるから、基板Wに対する処
理も均一に行われることになる。
【0079】基板Wを処理液に浸漬して処理する場合、
処理液の流動がほとんどないため、処理液を噴射する場
合に比べて処理速度が遅くなる。そのため、処理液によ
る処理を精密に制御することが可能となる。たとえば、
処理液がエッチング液の場合には、金属膜のエッチング
量の制御を精密に行なうことが可能となる。
【0080】第2の処理チャンバ5には第2のシャワ−
パイプ38と浸漬槽31とが設けられている。そのた
め、基板Wを浸漬槽31内に搬入したならば、その状態
で第2のシャワ−パイプ38によって基板Wに処理液を
噴射した後、その基板Wを迅速に処理液に浸漬させるこ
とができるから、そのことによっても処理の均一化と迅
速化を促進することができる。
【0081】このように、基板Wを処理液によって処理
する際、基板Wに処理液を噴射した後、その基板Wを処
理液に浸漬するようにしたから、基板Wを処理液に浸漬
するだけで処理する場合に比べて処理能率を向上させる
ことができ、しかも基板Wに処理液を噴射するだけで処
理する場合に比べて処理状態を均一に、しかも所望する
精度で処理することが可能となる。
【0082】処理液によって処理された基板Wを洗浄チ
ャンバ6で洗浄する場合、上記基板Wが洗浄チャンバ6
に搬入されたときに、第2の給液装置41によって基板
Wの幅方向全長に、しかも基板Wの搬送方向下流側に向
かって洗浄液を供給するようにした。
【0083】そのため、基板Wが洗浄チャンバ6に搬入
されると同時に、その基板Wには洗浄液が全面に迅速に
供給されるから、基板Wの上面に残留する処理液による
処理反応を迅速に止めることができる。
【0084】第2の給液装置41は、基板Wの上面に洗
浄液を基板Wの搬送方向下流側に向かって供給するた
め、その洗浄液が基板Wの上面を伝わって第2の処理チ
ャンバ5に流入するのを防止する。
【0085】洗浄チャンバ6の所定の位置まで搬送され
て停止した基板Wには、第3、第4の給液装置42,4
3から洗浄液が供給される。第3、第4の給液装置4
2,43から供給される洗浄液の供給方向は、上記第2
の給液装置41による洗浄液の供給方向とはほぼ直角に
交差している。
【0086】そのため、第2の給液装置41から供給さ
れた洗浄液の流れでは除去されなかった汚れが第3、第
4の給液装置42,43から供給される洗浄液の異なる
方向の流れによって除去されるから、基板Wの上面をむ
らなく均一に洗浄することが可能となる。
【0087】たとえば、この発明の処理装置を洗浄工程
としてのリンス工程に適用した場合、現像液、剥離液、
エッチング液などの処理液によって処理された基板Wの
板面に純水を迅速かつ均一に供給して処理液を除去する
ことが可能となる。その結果、基板Wに残留した処理液
による反応を迅速かつ均一に停止させることができるか
ら、基板Wに処理液による処理むらが発生するのを防止
することができる。
【0088】このようにして上面が洗浄液によって洗浄
された基板Wは、乾燥チャンバ7に搬送されてエアーナ
イフ52で乾燥される前に、上面に第5の給液装置51
によって純水が供給される。そのため、基板Wの上面は
純水によってほぼ均一に濡れた状態で乾燥処理されるか
ら、上面全体が一様に乾燥処理され、乾燥むらが生じる
のが防止される。
【0089】上記一実施の形態では、基板Wを処理液に
よって均一に処理するため、この基板Wを処理液に浸漬
する浸漬槽を用いたが、浸漬槽に代わり、図7乃至図9
に示す手段であってもよい。
【0090】図9はこの発明の第2の実施の形態で、こ
の実施の形態では第1の処理チャンバ4に第1の揺動テ
ーブル61、第2の処理チャンバ5に第2の揺動テーブ
ル62が基板Wの搬送方向に沿って揺動可能に設けられ
ている。各テーブル61、62の上面には基板Wを支持
するための多数の円錐状の支持突起61a,62aが設
けられている。
【0091】すなわち、各揺動テーブル61,62の基
板Wの搬送方向に沿う一端部の下面には第1の駆動部6
3aの上下駆動される駆動軸64aの上端が枢着され、
他端の下面には第2の駆動部63bの上下駆動される駆
動軸64bの上端が枢着されている。
【0092】上記各駆動部63a,63bはたとえばリ
ニアモータやねじ軸などによって構成され、それぞれの
駆動軸64a,64bを軸方向に沿って任意の高さで上
下駆動させることができるようになっている。
【0093】各揺動テーブル61,62上方にはそれぞ
れ複数のシャワ−パイプ65a,65bが基板Wの搬送
方向に沿って所定間隔で平行に配置されている。各シャ
ワ−パイプ65a,65bからは揺動テーブル61,6
2の上面に支持された基板Wに向けて処理液を噴射でき
るようになっている。
【0094】上記各揺動テーブル61,62は、搬送ロ
ーラ12によって搬送される基板Wの搬送の邪魔になら
ない下降位置でほぼ水平に待機しており、基板Wが所定
の位置まで搬送されてきて停止すると、上昇してその上
面の支持突起61a,62aで支持して搬送ローラ12
から浮上させる。
【0095】なお、各揺動テーブル61,62には、図
示しないが、下降位置に下降した状態で、搬送軸11に
設けられた搬送ローラ122干渉するのを防止する透孔
が形成されている。
【0096】基板Wを揺動テーブル61、62によって
搬送ローラ12から浮上させた後、上記基板Wの上面に
はシャワ−パイプ65a,65bから処理液が噴射され
る。それと同時に、基板Wを支持した各揺動テーブル6
1,62は第1の駆動部63aと第2の駆動部63bと
の駆動軸64a,64bが交互に逆方向に上下駆動され
る。
【0097】それによって、各揺動テーブル61,62
は基板Wの搬送方向に沿って揺動することになるから、
基板Wの上面にシャワ−パイプ65a,65bによって
噴射された処理液は基板Wの上面で揺動方向に沿って流
動することになる。
【0098】処理液が基板Wの上面で流動すると、基板
Wの上面で処理液が均一に分散し、しかも基板Wの上面
に供給された処理液が新しい処理液に置換される速度が
速くなるから、処理液による基板Wの処理を均一かつ迅
速に行なうことが可能となる。
【0099】なお、この第2の実施の形態において、第
2の処理チャンバ5だけに揺動テーブルを設けるように
しても差し支えない。
【0100】図10はこの発明の第3の実施の形態を示
す。この第3の実施の形態では、第1の処理チャンバ4
は第1の実施の形態と同じ構成であるが、第2の処理チ
ャンバ5には浸漬槽に代わり、基板Wよりもわずかに大
きな矩形状の回転テーブル67が設けられている。この
回転テーブル67の下面には駆動部68が設けられ、こ
の駆動部68は上記回転テーブル67を上下駆動および
回転駆動することができるようになっている。なお、駆
動部68は第2のチャンバ5の内部に設けられている
が、外部に設けるようにしてもよい。
【0101】回転テーブル67の上面には多数の円錐状
の支持突起69及び幅方向両側に基板Wの幅方向両側を
支持する複数の支持ローラ71が基板の長手方向に沿っ
て所定間隔で設けられている。
【0102】回転テーブル67の上方には、回転テーブ
ル67の回転中心に対応する位置に、基板Wの搬送方向
と交差する方向に沿って処理液を噴射するシャワ−パイ
プ72が配設されている。
【0103】基板Wが第2の処理チャンバ5に搬入され
てくるとき、上記回転テーブル67は搬送ローラ12に
支持された基板Wの搬送の邪魔にならない高さに下降し
ている。回転テーブル67には、下降時に回転テーブル
67が搬送ローラ12と干渉するのを防止するための透
孔67aが形成されている。
【0104】基板Wが回転テーブル67の上方に搬送さ
れてくると、所定の位置で基板Wの搬送が停止し、回転
テーブル67が上昇する。それによって、基板Wは搬送
ローラ12から浮き上がり、回転テーブル67に受け渡
される。このとき、基板Wの幅方向両側は支持ローラ7
1によって支持されている。
【0105】つぎに、回転テーブル67が回転駆動され
るとともに、シャワ−パイプ72から基板Wの上面に処
理液が噴射される。基板Wの上面に噴射された処理液
は、基板Wが回転することで、基板Wの板面全体に均一
に分散するとともに、基板Wが回転駆動されることで、
基板Wの上面で流動性が高まり、基板Wの上面に供給さ
れた処理液が新しい処理液に迅速に置換される。
【0106】したがって、回転テーブル67を用いるこ
とで、処理液による基板Wの処理を迅速に、しかも全面
にわたって均一に行なうこことが可能となる。
【0107】図11はこの発明の第4の実施の形態を示
す。この実施の形態は、第1の処理チャンバ4は第1の
実施の形態と同じであるが、第2の処理チャンバ5は浸
漬槽に代わり上下2つで対をなす2組の回転ブラシ75
が基板Wの搬送方向に沿って所定間隔で設けられてい
る。
【0108】2組の回転ブラシ75のうち、上方の回転
ブラシ75の基板Wの搬送方向上流側の側方には、それ
ぞれ処理液としての洗剤を基板Wの上面に向けて噴射す
るノズル76が配設されている。この実施の形態では、
上下一対の回転ブラシ75は基板Wの搬送方向に沿って
回転するようになっているが、搬送方向と逆方向に回転
させてもよい。
【0109】なお、基板Wの上面側を洗浄する回転ブラ
シ75はカバー77によって覆われている。それによっ
て、処理液が周囲に飛散するのを防止している。
【0110】このような構成によればノズル76から処
理液を噴射させた状態で、基板Wを第2の処理チャンバ
5に搬入すると、この基板Wは、回転駆動される上下一
対の回転ブラシ75の間に送り込まれ、これら回転ブラ
シ75によって上下面が擦られる。それによって、上記
ノズルから76から噴射される処理液が洗剤であれば、
基板Wの上下面の汚れを落とすことができる。
【0111】上記第1の実施の形態では、液面制御手段
として浸漬槽に設けられた開口部を開閉シャッタを用い
た場合について説明したが、浸漬槽内の処理液の液面を
制御する液面制御手段としては、浸漬槽を上下動可能に
設け、この浸漬槽を上下動させることで、処理液の液面
を搬送ローラに支持された基板に対して変位させる高さ
調整手段であってもよい。
【0112】また、浸漬槽を上下動させる代わりに、浸
漬槽内で基板を支持した搬送軸を上下動させることで、
基板に対する処理液の液面を制御する高さ調整手段であ
ってもよい。
【0113】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、処理チ
ャンバから洗浄チャンバに搬入される基板に、この基板
の搬送方向下流側に向かって洗浄液を供給し、ついで搬
送方向と交差する幅方向一側から他側に向かって洗浄液
を供給するようにした。
【0114】そのため、基板の板面での洗浄液の流れが
一方向とならないから、この板面を均一にしかも迅速に
洗浄することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施の形態に係る処理装置の
概略的構成を示す側面図。
【図2】図1の処理装置の平面図。
【図3】第2の処理チャンバを拡大した側面図。
【図4】第2の処理チャンバを拡大した断面図。
【図5】搬送軸の一端部と他端部との支持構造を示す拡
大図。
【図6】給液装置の断面図。
【図7】(a),(b)は洗浄チャンバで基板に給液装
置によって洗浄液を供給する状態を示す説明図。
【図8】洗浄チャンバに設けられたノズルパイプによっ
て基板に供給される洗浄液のパターンを説明した図。
【図9】この発明の第2の実施の形態の第1、第2の処
理チャンバの概略的構成を示す側面図。
【図10】この発明の第3の実施の形態の第2の処理チ
ャンバの概略的構成を示す側面図。
【図11】この発明の第4の実施の形態の第2の処理チ
ャンバの概略的構成を示す側面図。
【符号の説明】
4…第1の処理チャンバ 5…第2の処理チャンバ 6…洗浄チャンバ 7…乾燥チャンバ 11…搬送軸(搬送手段) 12…搬送ローラ(搬送手段) 41…給液装置(第1の給液装置) 42,43…給液装置(第2の給液装置) 51…給液装置(第3の給液装置) 52…エアーナイフ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/304 651 H01L 21/304 651L

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 処理液によって処理された基板を洗浄す
    る処理装置において、 基板を所定方向に沿って搬送する搬送手段と、 この搬送手段によって搬送された基板を処理液によって
    処理する処理チャンバと、 この処理チャンバから上記搬送手段によって搬送された
    基板を洗浄液によって洗浄する洗浄チャンバとを備え、 上記洗浄チャンバには、基板の搬送方向と交差する幅方
    向に沿って配置されこの基板の搬送方向下流側に向けて
    洗浄液を供給する第1の給液装置と、基板の幅方向一側
    に配置されこの一側から他側に向けて洗浄液を供給する
    第2の給液装置と、 が設けられていることを特徴とする基板の処理装置。
  2. 【請求項2】 上記第1、第2の給液装置は、上面が開
    口し内部に洗浄液が供給される容器と、この容器の一側
    に設けられ上記容器の開口した上面からオーバフローす
    る洗浄液を所定方向に向けて流すガイド部材とによって
    構成されていることを特徴とする請求項1記載の基板の
    処理装置。
  3. 【請求項3】 上記第1の給液装置は上記基板の幅方向
    全長にわたって洗浄液を供給する長さに設定され、上記
    第2の給液装置は上記基板の幅方向と交差する長手方向
    全長にわたって洗浄液を供給する長さに設定されている
    ことを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
  4. 【請求項4】 上記洗浄チャンバの下流側には乾燥チャ
    ンバが設けられ、この乾燥チャンバには、基板の板面全
    体に洗浄液をこの基板の搬送方向上流側に向けて供給す
    る第3の給液装置と、この第3の給液装置によって洗浄
    液が供給された基板の板面に圧縮空気をこの基板の搬送
    方向上流側に向けて噴射するエアーナイフとが設けられ
    ていることを特徴とする基板の処理装置。
  5. 【請求項5】 処理チャンバで処理液によって処理され
    た基板を洗浄チャンバで洗浄液によって洗浄する基板の
    処理方法において、 基板を上記洗浄チャンバに搬入する搬入工程と、 基板が上記洗浄チャンバに搬入されるときに、この基板
    に搬送方向下流側に向かって洗浄液を供給する第1の給
    液工程と、 上記基板が上記洗浄チャンバの所定の位置まで搬送され
    たならば、この基板に搬送方向と交差する幅方向一側か
    ら他側に向かって洗浄液を供給する第2の給液工程と、 を具備したことを特徴とする基板の処理方法。
  6. 【請求項6】 上記第1の給液工程は、上記基板の搬送
    方向と交差する幅方向全長にわたって洗浄液を供給し、
    上記第2の給液工程は上記基板の幅方向と交差する長手
    方向全長にわたって洗浄液を供給することを特徴とする
    請求項5記載の基板の処理方法。
  7. 【請求項7】 上記基板を上記洗浄チャンバから搬出す
    るときに、この基板に搬送方向上流側に向かって洗浄液
    を噴射する工程を備えていることを特徴とする請求項5
    記載の基板の処理方法。
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