JP2003303854A - チップ実装方法およびそれを用いた装置 - Google Patents

チップ実装方法およびそれを用いた装置

Info

Publication number
JP2003303854A
JP2003303854A JP2002239378A JP2002239378A JP2003303854A JP 2003303854 A JP2003303854 A JP 2003303854A JP 2002239378 A JP2002239378 A JP 2002239378A JP 2002239378 A JP2002239378 A JP 2002239378A JP 2003303854 A JP2003303854 A JP 2003303854A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
chip
cleaning
chip mounting
electrodes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002239378A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Yamauchi
朗 山内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Engineering Co Ltd
Original Assignee
Toray Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Engineering Co Ltd filed Critical Toray Engineering Co Ltd
Priority to JP2002239378A priority Critical patent/JP2003303854A/ja
Priority to PCT/JP2003/000696 priority patent/WO2003067649A1/ja
Priority to TW92102119A priority patent/TW200303589A/zh
Publication of JP2003303854A publication Critical patent/JP2003303854A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812—Applying energy for connecting
    • H01L2224/81201—Compression bonding
    • H01L2224/81205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 チップを基板に接合する際に接着剤が硬化す
る従来法に比べ、不良の基板について補修が容易であ
り、かつ接合信頼性の高いチップ実装方法およびその装
置を提供する。 【解決手段】 基板１の所定電極部分をプラズマ洗浄し
た直後に、超音波ヘッド３４３の下方に基板１を移動
し、その電極部分に超音波ヘッド３４３によってチップ
２が載置されるとともに、基板１とチップ２の両電極の
当接部分に超音波振動が与えられて両電極が接合され
る。チップ２が接合された基板１は、機能検査工程で検
査され、不良の基板１については補修工程で不良のチッ
プ２を取り外して交換し、良品の基板１についてはフィ
ルム基板を接合した後、封止工程で基板表面に樹脂が供
給され、樹脂硬化ユニットにて樹脂が加熱硬化される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、樹脂基板やガラ
ス基板などの基板上に半導体素子や表面実装部品などの
チップを実装するためのチップ実装方法に係り、特に基
板上にチップを効率よく実装する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、基板（例えば、液晶、ＥＬ(Elect
ro Luminescence)、プラズマディスプレイなどのフラッ
ト表示パネル）の製造工程において、チップ（例えば、
半導体チップなど）を基板に実装している。チップを基
板に実装する方法としては、基板に接着剤を付着させ、
この接着剤が付着された基板にチップを接合させて実装
する方法がよく知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなチップ実装方法の場合には、次のような問題があ
る。通常、基板は保管・搬送過程で大気にさらされてい
る。そのため、基板の電極表面に酸化膜が付着したり、
チップと基板の両電極を接合するまでの前工程で強固な
有機物が付着してくる。これら酸化膜や有機物がチップ
と基板の両電極を接合する際に障害となって接合不良や
導通不良を発生させるといった問題がある。
【０００４】また、基板とチップの両電極の間には接着
剤も存在している。この接着剤が電極接合の障害となっ
ている。
【０００５】この発明は、このような事情に鑑みてなさ
れたものであって、基板にチップを精度よく実装するチ
ップ実装方法およびそれを用いた装置を提供することを
主たる目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】接着剤を介在させて基板
にチップを接合する方法では、接着剤を硬化することに
よってチップを基板に強固に固着できるが、大気にさら
されて基板の電極表面に付着した酸化膜や、チップと基
板の両電極を接合するまでの前工程で強固に付着した有
機物を除去し、基板とチップの両電極の良好な接合およ
び導通を得ることが困難である。そこで、基板とチップ
の両電極の良好な接合および導通を得る方法について鋭
意検討した結果、基板の電極部分を洗浄した直後に、そ
の電極部分にチップを載置して基板とチップの両電極を
接合することについて本発明者は着眼した。
【０００７】すなわち、基板の電極部分に、例えばプラ
ズマを照射して電極部分を洗浄し、その直後に基板の電
極部分にチップを載置して基板とチップの両電極の当接
部分に超音波振動を与えて接合することによって、基板
電極への酸化膜や強固な有機物の付着を回避しながら精
度よく両電極を接合できるといった知見を本発明者は得
ることができた。
【０００８】この発明は、このような目的を達成するた
めに、次のような構成をとる。請求項１に記載の発明
は、基板の所定の電極部分にチップを載置し、基板の電
極とチップに設けられた電極とを接合してチップを基板
に実装するチップ実装方法において、前記基板の所定電
極部分に向けてプラズマを照射して前記電極部分を洗浄
する洗浄過程と、前記洗浄過程で電極部分を洗浄した直
後に、その電極部分にチップを載置し、チップと基板の
両電極の当接部分に超音波振動を与えながら両電極を接
合する超音波接合過程とを備えたことを特徴とするもの
である。
【０００９】（作用・効果）基板の所定の電極部分に向
けてプラズマが照射されて電極部分が洗浄された直後
に、その電極部分にチップが載置され、基板とチップの
両電極の当接部分に超音波振動が与えられて両電極が接
合し、チップが基板に実装される。したがって、基板の
電極部分が洗浄された直後に、この基板とチップの両電
極が接合されるので、基板の電極には酸化膜や有機物が
付着しないし、また、両電極間には、接着剤が存在しな
いので、両電極を一層信頼性を高く接合できる。その結
果、確実な電極間の導通を得ることができる。
【００１０】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載のチップ実装方法において、前記超音波接合過程
でチップと基板の両電極を接合している間に、前記洗浄
過程では次の基板の所定電極部分を洗浄することを特徴
とするものである。
【００１１】（作用・効果）超音波接合過程で基板とチ
ップの両電極が接合されている間に、洗浄過程では次の
基板の所定電極部分が洗浄される。したがって、同じ工
程内で洗浄および超音波接合する手段を配備できるので
装置の簡素化ができ、かつ、基板の電極の洗浄と超音波
接合の並列処理ができるので、基板処理時間を短縮する
ことができる。また、電極洗浄直後に、酸化膜または有
機物の付着する前に電極部分にチップを載置して接合す
ることができる。
【００１２】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
または請求項２に記載のチップ実装方法において、前記
洗浄過程で基板の電極部分を洗浄した後、この電極部分
が超音波接合過程の超音波接合箇所に２０秒以内で移動
することを特徴とするものである。
【００１３】（作用・効果）基板の電極部分を洗浄した
後、２０秒以内でこの電極部分を超音波接合過程のチッ
プ接合箇所に移動することによって、請求項１ないし請
求項３に記載の方法を好適に実施することができる。
【００１４】また、請求項４に記載の発明は、請求項１
ないし請求項３のいずれかに記載のチップ実装方法にお
いて、前記洗浄過程は、基板の所定電極部分を洗浄する
際、プラズマ洗浄部位から超音波接合部位間に不活性ガ
ス、非酸化ガス、または還元ガスのいずれかを供給する
ことを特徴とするものである。
【００１５】（作用・効果）基板の所定電極部分を洗浄
するときに、プラズマ洗浄部位から超音波接合部位間に
不活性ガス、非酸化ガス、または還元ガスのいずれかを
供給することによって、大気に電極が触れて酸化膜や有
機物の再付着するのを防止できる。
【００１６】また、請求項５に記載の発明は、請求項１
ないし請求項４のいずれかに記載のチップ実装方法にお
いて、前記洗浄過程は、超音波接合手段の下部の電極部
分を洗浄しながら、この電極部分にチップを載置して接
合することを特徴とするものである。
【００１７】（作用・効果）超音波接合手段の下部の電
極部分を洗浄しながらこの電極部分にチップを載置して
超音波接合するので、確実に酸化膜や有機物の付着を防
止できる。
【００１８】また、請求項６に記載の発明は、請求項１
ないし請求項４のいずれかに記載のチップ実装方法にお
いて、前記洗浄過程は、複数の電極を洗浄可能な大口径
を有する洗浄ノズルにより、超音波接合手段の下部の電
極部分を洗浄すると同時に、この電極と隣接する電極部
分を洗浄することを特徴とするものである。
【００１９】また、請求項７に記載の発明は、請求項１
ないし請求項４のいずれかに記載のチップ実装方法にお
いて、前記洗浄過程は、複数の洗浄ノズルにより、超音
波接合手段の下部の電極部分を洗浄すると同時に、この
電極と隣接する電極部分を洗浄することを特徴とするも
のである。
【００２０】（作用・効果）前記洗浄過程で複数の電極
を洗浄可能な大口径を有する洗浄ノズルを利用して超音
波接合手段の下部の電極部分を洗浄すると同時に、この
電極と隣接する電極部分を洗浄（請求項６）、または複
数の洗浄ノズルで超音波接合手段の下部の電極部分を同
時に洗浄すると同時に、この電極と隣接する電極部分を
同時に洗浄（請求項７）することにより、基板の電極に
チップを接合している間に次の電極部分を洗浄できる。
したがって、チップが電極に超音波接合されている時間
以上に、次の電極の洗浄時間を長くできる、結果、酸化
膜や前工程で付着した強固な有機物を一層確実に除去で
きる。
【００２１】また、請求項８に記載の発明は、請求項１
ないし請求項７のいずれかに記載のチップ実装方法にお
いて、前記超音波接合過程では、チップと基板の両電極
の当接部分に超音波振動を与えるとともに、加熱しなが
ら両電極を接合することを特徴とするものである。
【００２２】（作用・効果）超音波接合過程で、チップ
と基板の両電極を接合する際、両電極部分が加熱され
る。したがって、両電極部分を常温で接合する超音波接
合では接合できなかった金属の電極を利用してチップと
基板を接合することができる。
【００２３】また、請求項９に記載の発明は、請求項１
に記載のチップ実装方法において、前記超音波接合過程
でチップを接合した後、基板の検査を行なう検査過程
と、前期検査過程の後に、不良の基板から不良チップを
取り外して良品のチップと交換補修する補修過程とを備
えたことを特徴とするものである。
【００２４】（作用・効果）チップが接合された基板
は、検査過程で検査を受ける。検査によって不良の基板
については補修が施されて、再検査を受ける。つまり、
チップと基板の両電極は超音波接合だけで接合されてい
るので、接着剤を介して基板に固着しているチップに比
べて容易に取り外すことができる。したがって、接合不
良などのチップを交換する補修を効率よく行なうことが
できる。
【００２５】また、請求項１０に記載の発明は、請求項
１ないし請求項９のいずれかに記載のチップ実装方法に
おいて、前記超音波接合過程で基板にチップを接合した
後、この基板上の露出した電極部分に封止用の合成樹脂
を供給するとともに、チップと基板の間隙に前記封止用
の合成樹脂を流し込む樹脂供給過程と、前記樹脂供給過
程で供給した合成樹脂を硬化してチップを基板に固着す
る硬化過程とを備えたことを特徴とするものである。
【００２６】（作用・効果）基板上の露出した電極部分
に封止用の合成樹脂が供給され、基板とチップとの間隙
にこの合成樹脂が流し込まれる。この合成樹脂は硬化工
程で硬化される。したがって、従来からの電極面封止工
程で基板とチップの間隙にも合成樹脂を流し込むことが
できるので、製造工程の削減ができる。また、合成樹脂
を硬化することによって、チップを基板に強固に固着す
ることができる。
【００２７】また、請求項１１に記載の発明は、請求項
１０に記載のチップ実装方法において、前記硬化過程
は、オーブンによって合成樹脂を硬化することを特徴と
するものである。
【００２８】（作用・効果）超音波接合によってチップ
と基板の両電極の接合強度を高く維持できるので、硬化
温度が、例えばフラット表示パネルの耐熱温度よりも低
い合成樹脂を使用してもチップを基板に強固に固着でき
る。
【００２９】また、請求項１２に記載の発明は、請求項
１０に記載のチップ実装方法において、前記硬化過程
は、合成樹脂に紫外線を照射し、この合成樹脂を硬化す
ることを特徴とするものである。
【００３０】（作用・効果）超音波接合によってチップ
と基板の両電極の接合強度を高く維持できるので、高温
硬化型に比べて接着信頼性の低いとされていた紫外線硬
化型合成樹脂を使用してチップを基板に固着できる。し
たがって、この合成樹脂をより低温で硬化できるので、
基板に与える熱によるストレスを低減できる。
【００３１】また、請求項１３に記載の発明は、請求項
１ないし請求項１２のいずれかに記載のチップ実装方法
において、前記基板は、フラット表示パネルであること
を特徴とするものである。
【００３２】（作用・効果）プラズマ洗浄した後、超音
波接合を行なうことによって基板とチップの両電極の接
合強度を高く維持できるので、封止用の合成樹脂に低温
硬化型の合成樹脂を使用することができる。その結果、
熱のストレスによる影響を受けやすいフラット表示パネ
ルについて請求項１ないし請求項１２に記載の方法を好
適に実施できる。
【００３３】基板の所定電極部分にチップを載置し、基
板の電極とチップに設けられた電極とを接合してチップ
を基板に実装するチップ実装装置において、前記基板の
所定電極部分に向けてプラズマを照射して洗浄する洗浄
手段と、前記洗浄した電極部分にチップを載置するとと
もに、このチップと基板の両電極の当接部分に超音波振
動を与えて両電極を接合する超音波接合手段と、前記洗
浄手段と前記超音波接合手段とにわたって基板を搬送す
る搬送手段とを備え、かつ、前記洗浄手段と前記超音波
接合手段とを隣接配備したことを特徴とするものであ
る。
【００３４】（作用・効果）洗浄手段と超音波接合手段
とを隣接配備することによって、基板の電極への酸化膜
や強固な有機物の付着を抑制し、かつ、製造工程の簡略
化および洗浄と超音波接合の並列処理が可能となり、処
理時間の短縮ができ、請求項１に記載の方法を好適に実
現することができる。
【００３５】また、請求項１５に記載の発明は、請求項
１４に記載のチップ実装装置において、前記洗浄手段の
基板の電極を洗浄する洗浄箇所と前記超音波接合手段の
超音波接合箇所との間隔を１２０ｍｍ以内に設定したこ
とを特徴とするものである。
【００３６】また、請求項１６に記載の発明は、請求項
１４または請求項１５に記載のチップ実装装置におい
て、前記基板の所定電極部分を洗浄する際、プラズマ洗
浄部位から超音波接合部位間に不活性ガス、非酸化ガ
ス、または還元ガスのいずれかを供給するガス供給手段
を備えたことを特徴とするものである。
【００３７】（作用・効果）洗浄手段の基板を洗浄する
洗浄箇所と、超音波接合手段の超音波接合箇所との間隔
を１２０ｍｍ以内に設定（請求項１５）、または電極を
洗浄するときに、プラズマ洗浄部位から超音波接合部位
間に不活性ガス、非酸化ガス、または還元ガスのいずれ
かを供給すること（請求項１６）によって請求項１４に
記載の装置を好適に実現することができる。
【００３８】また、請求項１７に記載の発明は、請求項
１４に記載のチップ実装装置において、前記洗浄手段
は、超音波接合手段の下部の電極部分を洗浄する洗浄ノ
ズルを備えたことを特徴とするものである。
【００３９】（作用・効果）超音波接合手段の下部の電
極部分を洗浄する洗浄ノズルを備えることによって、電
極への酸化膜や強固な有機物の再付着を一層確実に防止
することができる。
【００４０】また、請求項１８に記載の発明は、請求項
１４に記載のチップ実装装置において、前記洗浄手段
は、複数の電極を洗浄可能な大口径を有する洗浄ノズル
を備えたことを特徴とするものである。
【００４１】また、請求項１９に記載の発明は、請求項
１４に記載のチップ実装装置において、前記洗浄手段
は、複数の洗浄ノズルを備えたことを特徴とするもので
ある。
【００４２】（作用・効果）複数の電極を洗浄可能な大
口径を有する洗浄ノズル（請求項１８）、または複数の
洗浄ノズルを（請求項１９）を利用して基板の電極を洗
浄することによって、基板の電極にチップを接合してい
る間に次の電極部分を洗浄できる。したがって、チップ
が電極に超音波接合されている時間以上に、次の電極の
洗浄時間を長くできる、結果、酸化膜や前工程で付着し
た強固な有機物を一層確実に除去できる。
【００４３】また、請求項２０に記載の発明は、請求項
１４ないし請求項１９に記載のチップ実装装置におい
て、前記超音波接合手段によって、チップと基板の両電
極の当接部分に超音波振動を与えて両電極を接合する際
に、両電極部分を加熱する加熱手段を備えたことを特徴
とするものである。
【００４４】（作用・効果）チップと基板の両電極を接
合する際、加熱手段によって両電極部分を加熱すること
によって、請求項８に記載の方法を好適に実現できる。
また、超音波接合過程で、チップと基板の両電極を接合
する際、両電極部分を加熱する。プラズマ洗浄・超音波
・加熱の３つの方法の併用になる接合工法となる。した
がって、両電極部分を常温で接合する超音波接合では接
合できなかった金属の電極を利用してチップと基板を接
合することができる。
【００４５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の具
体例を説明する。なお、本実施例のチップ実装装置は、
超音波によってチップと基板の両電極を接合した後の機
能検査工程は人手によって行なわれるものであるため図
示を省略し、プラズマ洗浄工程と超音波接合工程までを
第１装置とし、機能検査以降の工程を含む装置を第２装
置として説明する。図１は、本発明に係るの一実施例の
第１装置の概略構成を示す斜視図、図４は第２装置の概
略構成を示す斜視図である。
【００４６】本実施例に係るチップ実装装置の第１装置
は、大きく分けて装置基台３１０と、この装置基台３１
０の端（図１では左側）に配備された基板供給ユニット
３２０と、装置基台３１０の奥側に配備されたチップ供
給ユニット３３０と、基板供給ユニット３２０の隣に配
備された洗浄・超音波接合ユニット３４０と、その隣に
基板収納ユニット３７０と、さらに装置基台３１０の手
前に配設された２台の基板搬送機構３８０とから構成さ
れている。
【００４７】基板供給ユニット３１０は、複数枚の基板
１を一定間隔で多段に収納した基板収納マガジン３２１
と、この基板収納マガジン３２１から基板１を１枚ずつ
順に取り出す昇降および水平移動可能な昇降テーブル３
２２とを備えている。本発明において基板１の種類は特
に限定されず、例えば樹脂基板、ガラス基板、フィルム
基板、ウエハなど、チップと接合可能な種類および大き
さのものを含む。例えば、この実施例では、フラット表
示パネルである液晶ディスプレイパネル用の基板にチッ
プを実装する場合を例に採って説明する。
【００４８】また、基板供給ユニット３２０は、基板１
を順に供給可能であれば、その構造は特に限定されず、
例えば、複数枚の基板１を水平面内に整列配置したトレ
イであってもよい。
【００４９】チップ供給ユニット３３０は、基板１に実
装すべき複数個のチップ２を水平に整列配置したチップ
トレイ３３１と、このチップトレイ３３１からチップ２
を順に取り出して超音波接合ユニット３５０に搬送する
チップ搬送機構３３２とを備えている。本発明において
チップ２の種類は限定されず、例えばＩＣチップ、半導
体チップ、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）、ＦＰＣ
（Flexible Printed Circuit）、光素子、表面実装部
品、ウエハなど、基板と接合可能な種々のものを含む。
【００５０】チップ搬送機構３３２は、水平２軸（Ｘ，
Ｙ）方向および上下（Ｚ）方向に移動してチップトレイ
３３１からチップ２を順に取り出し、バンプが下面にな
るように反転した後、スライダー３３４を受け渡すチッ
プ保持具３３３と、洗浄・超音波接合ユニット３５０に
向けて搬送するスライダー３３４とを備えている。
【００５１】洗浄・超音波接合ユニット３４０は、図２
に示すように、基板供給ユニット３２０から搬送されて
きた基板１を水平姿勢で保持する可動テーブル３４１
と、基板１の電極部分を洗浄する洗浄ノズル３４２と、
基板１に向けてガスまたはエアーなどを供給するガス供
給ノズル３４２ａと、洗浄処理した電極部分にチップ供
給ユニット３３０から搬送されてくるチップ２を載置
し、基板１とチップ２の両電極を接合する超音波ヘッド
３４３と、チップ接合時に基板１とチップ２との位置合
わせを行なう認識手段３４４とを備えている。また、門
状であって認識手段３４４がその内部を進退可能なガラ
スバックアップ３４５が可動テーブル３４１上に固定設
置されている。
【００５２】可動テーブル３４１は、基板１を吸着保持
する平板状の基板保持ステージ３４６を備え、この基板
保持ステージ３４６が水平２軸（Ｘ、Ｙ）方向、上下
（Ｚ）方向、およびＺ軸周り（θ）方向に移動自在に構
成されている。なお、この基板保持ステージ３４６は、
基板１の周囲３辺を支持する「コ」の字形状、４辺を支
持する「ロ」の字形状などの枠型基板保持ステージにし
て基板１を保持する形態であってもよい。また、本実施
例では、基板の保持を吸着式にしているが、吸着式に限
らず、可動ツメを使った機械式保持、静電気を使った静
電吸着、磁石を使った磁気吸着など、任意の保持構造を
用いることができる。なお、可動テーブル３４１は、本
発明の基板を搬送する搬送手段に相当する。
【００５３】洗浄手段としての洗浄ノズル３４２は、そ
の先端が基板１に向けられており（図１では下方）、こ
の洗浄ノズル３４２と超音波ヘッド３４３との間にある
基板１の電極に向けてプラズマを照射するように、基台
３１０の支持部材によって固定した形態に配設してい
る。つまり、洗浄ノズル３４２の内部に設けられた高周
波電源およびアースによって、内部でプラズマが生成さ
れる。この生成されたプラズマが後部からのガス供給に
より大気圧中で連続して照射される。
【００５４】また、図２に示すように、洗浄ノズル３４
２は、その側部にガス供給ノズル３４２ａが設けられて
おり、このガス供給ノズル３４２ａからガスが基板に向
けて供給される。具体的には、洗浄ノズル３４２からプ
ラズマを照射するのと同時に、このガス供給ノズル３４
２ａからガスが供給される。このガスの供給範囲は基板
１の表面上であって、洗浄ノズル３４２から超音波ヘッ
ド３４３下部までの間の空間をガス雰囲気に保つように
している。また、この空間をガス雰囲気に保つことによ
って、洗浄された電極は超音波接合されるまで、大気に
触れないようになっている。
【００５５】このガスの種類は不活性ガス、非酸化ガ
ス、還元ガスであって、例えば、窒素、ヘリウム、アル
ゴンなどのガスを供給することによって電極が大気に触
れて再酸化したり、有機物、水分が付着したりするのを
防ぐものである。また、洗浄ノズル３４２と超音波ヘッ
ド３４３との間が十分に近い場合は、ガス供給ノズル３
４２ａを省略して、洗浄ノズル３４２からプラズマ照射
と洗浄条件に応じたガスを基板１に向けて同時に供給す
るようにしてもよい。
【００５６】超音波ヘッド３４３は、図１および図３に
示すように昇降自在であって、チップ供給ユニット３３
０からスライダー３３４で移送されてきたチップ２を下
端で吸着保持して基板１に載置し、基板１の電極にチッ
プ２の電極を押し付ける。このとき、超音波ヘッド３４
３の振動子を駆動し、基板１とチップ２の両電極の当接
部分に超音波振動を与えて両電極を接合する。なお、超
音波ヘッド３４３のチップ保持構造は吸着式に限らず、
可動ツメを使った機械式保持、静電気を使った静電吸
着、磁石を使った磁気吸着など、任意の保持構造を用い
ることができる。
【００５７】認識手段３４４は、図３に示すように、水
平２軸（Ｘ，Ｙ）方向および上下（Ｚ）方向に移動可能
であって、基板保持ステージ３４６が退避した状態で超
音波ヘッド３４３に吸着保持されたチップ２を認識した
後、基板１の位置についてガラスバックアップ３４５を
介して認識し、両方の位置ずれを検出する。なお、本実
施例のようにフラット表示パネルのガラス基板において
は、認識手段３４４は１台のカメラでチップ２と基板１
の位置を認識させるのが好ましい。また、不透明な基板
の場合には、チップ２と基板１の間に２視野の認識手段
を挿入してチップ２と基板１の位置を認識させるのが好
ましい。
【００５８】この位置ズレを無くすように超音波接合時
に可動テーブル３４１がＸ，Ｙおよびθ方向に駆動制御
される。なお、認識手段３４４は、例えば、ＣＣＤカメ
ラ、赤外線カメラ、センサなどの種類に関係なく認識マ
ークを認識できる全ての形態（手段）を示す。さらに、
動作制御も、平行移動制御および昇降制御だけでなく、
平行制御のみ、昇降制御のみ、回転制御のみ、平行制御
および回転制御、昇降制御および回転制御、平行移動制
御および昇降移動制御などの形態に設けてもよい。
【００５９】すなわち、洗浄・超音波接合ユニット３４
０は、洗浄ノズル３４２と超音波ノズル３４３とが同一
ユニット内に隣接配備されている。したがって、基板１
の電極部分をプラズマ洗浄した直後に、その電極部分に
チップを載置し、基板１とチップ２の両電極の当接部分
に超音波振動を与えて基板１にチップ２を接合すること
ができる構成となっている。
【００６０】具体的には、基板１の所定電極部分をプラ
ズマ洗浄した直後に、可動テーブル３４１はＸ方向の右
に移動し、基板１の洗浄した電極部分はガス雰囲気中を
通って超音波ヘッド３４３の下方に搬送される。搬送さ
れた基板１は２視野の認識手段３４４によって位置合わ
せが行なわれ、洗浄した電極部分にチップ２が載置され
る。基板１とチップ２の両電極の当接部分に超音波ヘッ
ド３４３によって超音波振動が与えられてチップ２が基
板１に接合される。基板１上のすべての電極において洗
浄およびチップ２の接合を並列処理する。
【００６１】なお、洗浄ノズル３４２で電極の洗浄処理
をした後、この電極部分が超音波ヘッド３４３まで移動
し、その電極部分にチップ２を載置して両電極を接合す
るまでの移動時間は２０秒以内が好ましい。さらに好ま
しい移動時間は１０秒以内である。また、洗浄ノズル３
４２と超音波ヘッド３４３との間隔Ｈは、図２に示すよ
うに、１２０ｍｍ以内であることが好ましい。
【００６２】洗浄ノズル３４２と超音波ヘッド３４３と
の間の移動時間が２０秒以上、または間隔Ｈが１２０ｍ
ｍ以上であると、洗浄処理した電極表面に、酸化膜や有
機物や水分が再付着するからである。
【００６３】基板収納ユニット３７０は、チップ２の実
装された複数枚の基板１を一定間隔で多段に収納する基
板収納マガジン３７１と、この基板収納マガジン３７１
に基板１を順に収納する昇降可能な昇降テーブル３７２
とを備えている。この基板収納マガジン３７１に代え
て、基板供給ユニット３２０で説明したのと同様に、ト
レイ構造の収納構造を備えてもよい。また、基板供給ユ
ニット３２０と基板収納ユニット３７０とは必ずしも個
別である必要はなく、これらを単一のユニットにして、
チップ２が実装された基板１を元の基板供給ユニット３
２０に戻すようにしてもよい。
【００６４】基板搬送機構３８０は、装置基台３１０の
長手方向に配設されたレール３８１と、このレール３８
１に沿って走行する昇降自在のＬ字形アーム３８２と、
このアーム３８２の先端に取り付けられて基板１を吸着
保持する基板保持具３８３とを備えている。なお、基板
搬送機構３８０の基板１の保持構造は、吸着式に限ら
ず、可動ツメを使った機械式保持、静電気を使った静電
吸着、磁石を使った磁気吸着など、任意の保持構造を用
いることができる。
【００６５】次に、機能検査工程を経た良品に基板につ
いて、この基板の露出した電極部分に合成樹脂を供給し
て封止する第２装置の構成について図４を参照して説明
する。なお、上述の第１装置と同一構成（基板供給ユニ
ット、基板収納ユニット、および基板搬送機構）である
部分については同一符号を付すに留め、図示および説明
を省略する。
【００６６】本実施例に係る第２装置は、図４に示すよ
うに、大きく分けて装置基台３１０と、この基台３１０
に一端（図４では左端）に配備された基板供給ユニット
３２０と、基台中央に配備された樹脂供給ユニット３５
０と、基台３１０の他端（図４では右端）に配備された
基板収納ユニット３７０と、基台３１０の前面に基板を
搬送する２台の搬送機構とから構成されている。
【００６７】樹脂供給ユニット３５０は、洗浄・超音波
接合ユニット３４０から搬送されてきた基板１を水平姿
勢で保持する可動テーブル３５１と、チップ２の接合さ
れた基板１上の露出した電極部分に合成樹脂を塗布する
樹脂ノズル３５２とを備えている。また、樹脂ノズル３
５２の下方には、基板１の位置を下方から支持する固定
部材であるバックアップ３５４が配置されている。
【００６８】可動テーブル３５１は、基板１を吸着保持
する平板状の基板保持ステージ３４３を備え、この基板
保持ステージ３５３が水平２軸（Ｘ、Ｙ）方向、上下
（Ｚ）方向およびＺ軸周り（θ）に移動自在に構成され
ている。なお、この基板保持ステージ３５３は、基板１
の周囲３辺を支持する「コ」の字形状、４辺を支持する
「ロ」の字形状などの枠型基板保持ステージにして基板
１を保持する形態であってもよい。また、本実施例で
は、基板１の保持を吸着式にしているが、吸着式に限ら
ず、可動ツメを使った機械式保持、静電気を使った静電
吸着、磁石を使った磁気吸着など、任意の保持構造を用
いることができる。
【００６９】樹脂ノズル３５２は、その先端が基板１に
向けられており（図４では下方）、この洗浄ノズル３５
３の先端から基板１のチップが載置された後の露出電極
部分に向けて合成樹脂（例えば、非導電性ペースト（Ｎ
ＣＰ：Non-Conductive Paste）など）が供給されるよう
に基台３１０の支持部材によって固定した形態に配設し
ている。
【００７０】つまり、基板保持ステージ３５３を水平２
軸（Ｘ、Ｙ）方向、上下（Ｚ）方向およびＺ軸周り
（θ）に移動させながら基板１の露出した電極部分に樹
脂ノズル３５２からの合成樹脂が供給されるようになっ
ている。供給された合成樹脂Ｇ１は、図５に示すよう
に、基板１上の露出した電極部分Ｄ１、Ｄ３部分のみな
らす、チップ２と基板１との間隙に流れ込むとともに、
基板面を封止する。
【００７１】樹脂硬化装置は、図示しないがオーブンや
紫外線照射炉が使用される。
【００７２】次に、上述した構成を備えるチップ実装装
置の一巡の動作について図を参照しながら説明する。
【００７３】基板搬送機構３８０は、基板供給ユニット
３２０から処理対象の基板１を取り出して、この基板１
を洗浄・超音波ユニット３４０に搬送する。具体的に
は、基板１が可動テーブル３４１に移載されて吸着保持
される。基板保持ステージ３４６は、図示しないテーブ
ル駆動機構によって、前方（Ｙ方向）である、洗浄ノズ
ル３４２とバックアップ３４４との間に向かって移動さ
れる。
【００７４】ガス供給ノズル３４２ａは、基板上の電極
を洗浄する洗浄ノズル３４２から超音波ヘッド３４３部
分の間に向けてガスを供給する。洗浄ノズル３４２は、
基板１上の電極部分を検出し、検出結果に基づいて洗浄
ノズル３４２部分からプラズマを照射し、基板１上の電
極部分を洗浄する。この電極部分のプラズマ洗浄が終了
すると、保持ステージ３４６は横方向（Ｘ方向）にスラ
イドし、この電極部分を超音波ヘッド３４３の位置に合
わせる。
【００７５】一方、チップ供給ユニット３３０では、チ
ップ保持具３３３がチップトレイ３３１からチップ２を
取り出してバンプが下面になるように、図３に示す反転
部でチップ２を反転した後、スライダー３３４に受け渡
す。スライダー３３４はチップ２を超音波ヘッド３５３
の下方まで移送し、このチップ２を超音波ヘッド３５２
が吸着保持する。
【００７６】次に、認識手段３４４が超音波ヘッド３５
３と、ガラスバックアップ３４５で支持されたチップ接
合位置との間に進出してきて、超音波ヘッド３５３に吸
着保持されたチップ２と基板１の位置ズレを検出する。
この位置ズレを無くすように可動テーブル３４１がＸ，
Ｙおよびθ方向に制御されて、チップ２と基板１の位置
合わせが行なわれる。
【００７７】位置合わせが終わると、認識手段３４４は
待機位置に後退する。次に超音波ヘッド３５３を下降さ
せて洗浄された電極の位置にチップ２を載置するととも
に、チップ２と基板１の両電極の当接部分に超音波振動
を与えてチップ２を基板１に接合する。このように、基
板１上のチップ接合箇所のすべてにおいて、超音波によ
るチップ２の接合を繰り返し行なった後、基板保持ステ
ージ３４６が基板１の受け渡し位置に水平移動する。
【００７８】受け渡し位置に移動した基板１は、基板収
納マガジン３7１に収納され、機能検査工程に搬送され
る。
【００７９】機能検査工程に搬送された基板１は、導通
検査などの機能検査が行なわれ、不良のチップ２につい
ては良品のチップ２と交換される。したがって、良品の
基板１のみが次の樹脂供給工程へ搬送される。
【００８０】樹脂供給工程に搬送された基板１は、基板
搬送機構３８０によって樹脂供給ユニット３５０に搬送
される。
【００８１】樹脂供給ユニット３５０に搬送された基板
１は、可動テーブル３５１に移載されて吸着保持され
る。基板保持ステージ３５３は、図示しないテーブル駆
動機構によって、前方（Ｙ方向）である、樹脂ノズル３
５２とバックアップ３５４との間に向かって移動され
る。
【００８２】樹脂ノズル３５２は、封止用の合成樹脂を
塗布する基板１上の露出した電極部分を検出し、検出結
果に基づいて基板保持ステージ３５３がＸ，Ｙおよびθ
方向に移動する。この移動と同時に樹脂ノズル３５２か
ら基板１の露出した電極部分に向けて合成樹脂を塗布す
る。合成樹脂の塗布が終了すると、基板保持ステージ３
５３が基板１の受け渡し位置に水平移動する。
【００８３】受け渡し位置に移動した基板１は、基板搬
送機構３８０によって基板収納ユニット３７０に搬送さ
れて基板収納マガジン３７１に収納され、樹脂硬化工程
に搬送される。
【００８４】樹脂硬化工程に搬送された基板１は、基板
上に供給された合成樹脂をオーブンまたは紫外線硬化炉
によって硬化される。以上の動作で１枚の基板について
のチップ実装が終了する。
【００８５】以上のように、洗浄ノズル３４２と超音波
ヘッド３４３とを隣接配備し、基板１の所定の電極部分
にプラズマ洗浄をした直後に、その電極部分にチップ２
を載置し、基板１とチップ２の両電極の当接部分に超音
波振動を与えて接合することによって、電極部分への酸
化膜、有機物、および水分などの付着を回避でき、基板
１とチップ２の両電極を一層高い信頼性をもって接合す
ることができる。
【００８６】また、本実施例装置は、液晶パネルなどの
フラット表示パネルに利用するのに適している。つま
り、基板１上にチップ２が１列に並んでいるので、洗浄
と接合の並列処理が可能となる。また、図５に示すよう
に、基板１の電極Ｄ１にチップ２の電極を接合するとと
もに、フィルム基板ＦＢの電極Ｄ２を基板１の電極Ｄ３
に接合する。その基板１上の露出した電極Ｄ１，Ｄ３部
分および基板部分も含めて合成樹脂Ｇ１を供給し、チッ
プ２と基板１の間隙に合成樹脂を流し込んで硬化すれ
ば、チップ２およびフィルム基板ＦＢを基板１に同時に
強固に固着することができる。
【００８７】本発明は、上記の実施例に限らず、次のよ
うに変形実施することもできる。 （１）上記実施例では、基板上の単一の電極をメインに
プラズマ洗浄していたが、複数個の電極にわたってプラ
ズマを照射して同時に洗浄可能な大口径の洗浄ノズルを
利用し、複数の電極を一度に洗浄してもよいし、複数本
の洗浄ノズルを利用して、複数の電極を同時に洗浄して
もよい。さらに、電極を洗浄しながら、その電極にチッ
プを載置して超音波接合してもよい。このとき、洗浄ノ
ズルを超音波ヘッドと一体化して同軸上から電極を洗浄
しながらチップを電極に接合してもよいし、洗浄ノズル
が超音波ヘッドとは独立した状態で電極を洗浄しながら
チップを電極に接合するようにしてもよい。
【００８８】（２）上記実施例では、基板上の電極をプ
ラズマ洗浄した直後に、チップを載置して超音波接合し
ていたが、このチップ接合時に加熱手段によって両電極
部分を加熱しながらチップと基板の両電極を接合しても
よい。例えば、内部にヒータなどの加熱手段を備えた超
音波ヘッドや、基板保持ステージ側からヒータなどの加
熱手段を利用してチップと基板の両電極を加熱しながら
接合する。
【００８９】超音波接合時にチップと基板の両電極部分
を加熱しながら接合することによって、常温による超音
波接合では接合できない金属の電極を利用してチップを
基板を接合することができる。例えば、チップ側の金
（Ａｕ）バンプと銅電極（Ｃｕ）、金（Ａｕ）バンプと
クロム（Ｃｒ）との接合が可能となる。
【００９０】（３）上記実施例では、合成樹脂を基板に
供給するとき、基板保持ステージ３５３を移動させなが
ら合成樹脂を樹脂ノズル３５２から基板１の露出電極に
向けて供給していたが、基板保持ステージ３５３を固定
し、樹脂ノズル３５２を移動させながら基板１の露出し
た電極部分に向けて合成樹脂を供給するようにしてもよ
い。
【００９１】（４）上記各実施例ではチップ２を基板１
に実装する場合を例に採って説明したが、チップ２の代
わりにＴＣＰやＦＰＣ上に設けられた電極と基板電極と
を超音波接合により接合してもよい。この場合、チップ
２を基板１に接合する場合と同様の優位性が示される。
【００９２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、基板の所定の電極部分をプラズマ洗浄した直
後に、チップを載置して基板とチップの両電極の当接部
分に超音波振動を与えてチップと基板の両電極を接合し
ているので、洗浄後の電極への酸化膜、強固な有機物、
および水分などの再付着を防止できる。また、チップと
基板の両電極間に接着剤が存在しないので、一層高い信
頼性をもって、電極の接合ができる。
【００９３】また、基板とチップの両電極を超音波のみ
で接合した後に基板検査を行なうことによって、両電極
の接合不良であるチップについて、電極接合と同時に接
着剤を硬化して基板にチップを固着する従来方法に比
べ、チップの交換・補修を容易に行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例に係るチップ実装装置の第１装置の概略
構成を示した斜視図である。
【図２】実施例に係る洗浄・超音波接合ユニットの概略
構成を示した斜視図である。
【図３】実施例に係る洗浄・超音波接合ユニットの概略
構成を示した側面図である。
【図４】実施例に係るチップ実装装置の第２装置の概略
構成を示した斜視図である。
【図５】チップを基板に固着した状況を示した断面図で
ある。
【符号の説明】
１ … 基板 ２ … チップ ３２０ … 基板供給ユニット ３３０ … チップ供給ユニット ３４０ … 洗浄・超音波接合ユニット ３５０ … 樹脂供給ユニット ３７０ … 基板収納ユニット ３８０ … 基板搬送機構

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板の所定の電極部分にチップを載置
    し、基板の電極とチップに設けられた電極とを接合して
    チップを基板に実装するチップ実装方法において、 前記基板の所定電極部分に向けてプラズマを照射して前
    記電極部分を洗浄する洗浄過程と、 前記洗浄過程で電極部分を洗浄した直後に、その電極部
    分にチップを載置し、チップと基板の両電極の当接部分
    に超音波振動を与えながら両電極を接合する超音波接合
    過程と、 を備えたことを特徴とするチップ実装方法。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載のチップ実装方法におい
    て、 前記超音波接合過程でチップと基板の両電極を接合して
    いる間に、前記洗浄過程では次の基板の所定電極部分を
    洗浄することを特徴とするチップ実装方法。
  3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載のチップ
    実装方法において、 前記洗浄過程で基板の電極部分を洗浄した後、この電極
    部分が超音波接合過程の超音波接合箇所に２０秒以内で
    移動することを特徴とするチップ実装方法。
  4. 【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれかに記
    載のチップ実装方法において、 前記洗浄過程は、基板の所定電極部分を洗浄する際、プ
    ラズマ洗浄部位から超音波接合部位間に不活性ガス、非
    酸化ガス、または還元ガスのいずれかを供給することを
    特徴とするチップ実装方法。
  5. 【請求項５】 請求項１ないし請求項４のいずれかに記
    載のチップ実装方法において、 前記洗浄過程は、超音波接合手段の下部の電極部分を洗
    浄しながら、この電極部分にチップを載置して接合する
    ことを特徴とするチップ実装方法。
  6. 【請求項６】 請求項１ないし請求項４のいずれかに記
    載のチップ実装方法において、 前記洗浄過程は、複数の電極を洗浄可能な大口径を有す
    る洗浄ノズルにより、超音波接合手段の下部の電極部分
    を洗浄すると同時に、この電極と隣接する電極部分を洗
    浄することを特徴とするチップ実装方法。
  7. 【請求項７】 請求項１ないし請求項４のいずれかに記
    載のチップ実装方法において、 前記洗浄過程は、複数の洗浄ノズルにより、超音波接合
    手段の下部の電極部分を洗浄すると同時に、この電極と
    隣接する電極部分を洗浄することを特徴とするチップ実
    装方法。
  8. 【請求項８】 請求項１ないし請求項７のいずれかに記
    載のチップ実装方法において、 前記超音波接合過程では、チップと基板の両電極の当接
    部分に超音波振動を与えるとともに、加熱しながら両電
    極を接合することを特徴とするチップ実装方法。
  9. 【請求項９】 請求項１に記載のチップ実装方法におい
    て、 前記超音波接合過程でチップを接合した後、基板の検査
    を行なう検査過程と、前期検査過程の後に、不良の基板
    から不良チップを取り外して良品のチップと交換補修す
    る補修過程と を備えたことを特徴とするチップ実装方法。
  10. 【請求項１０】 請求項１ないし請求項９のいずれかに
    記載のチップ実装方法において、 前記超音波接合過程で基板にチップを接合した後、この
    基板上の露出した電極部分に封止用の合成樹脂を供給す
    るとともに、チップと基板の間隙に前記封止用の合成樹
    脂を流し込む樹脂供給過程と、 前記樹脂供給過程で供給した合成樹脂を硬化してチップ
    を基板に固着する硬化過程とを備えたことを特徴とする
    チップ実装方法。
  11. 【請求項１１】 請求項１０に記載のチップ実装方法に
    おいて、 前記硬化過程は、オーブンによって合成樹脂を硬化する
    ことを特徴とするチップ実装方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１０に記載のチップ実装方法に
    おいて、 前記硬化過程は、合成樹脂に紫外線を照射し、この合成
    樹脂を硬化することを特徴とするチップ実装方法。
  13. 【請求項１３】 請求項１ないし請求項１２のいずれか
    に記載のチップ実装方法において、 前記基板は、フラット表示パネルであることを特徴とす
    るチップ実装方法。
  14. 【請求項１４】 基板の所定電極部分にチップを載置
    し、基板の電極とチップに設けられた電極とを接合して
    チップを基板に実装するチップ実装装置において、 前記基板の所定電極部分に向けてプラズマを照射して洗
    浄する洗浄手段と、 前記洗浄した電極部分にチップを載置するとともに、こ
    のチップと基板の両電極の当接部分に超音波振動を与え
    て両電極を接合する超音波接合手段と、 前記洗浄手段と前記超音波接合手段とにわたって基板を
    搬送する搬送手段とを備え、 かつ、前記洗浄手段と前記超音波接合手段とを隣接配備
    したことを特徴とするチップ実装装置。
  15. 【請求項１５】 請求項１４に記載のチップ実装装置に
    おいて、 前記洗浄手段の基板の電極を洗浄する洗浄箇所と前記超
    音波接合手段の超音波接合箇所との間隔を１２０ｍｍ以
    内に設定したことを特徴とするチップ実装装置。
  16. 【請求項１６】 請求項１４または請求項１５に記載の
    チップ実装装置において、 前記基板の所定電極部分を洗浄する際、プラズマ洗浄部
    位から超音波接合部位間に不活性ガス、非酸化ガス、ま
    たは還元ガスのいずれかを供給するガス供給手段を備え
    たことを特徴とするチップ実装装置。
  17. 【請求項１７】 請求項１４に記載のチップ実装装置に
    おいて、 前記洗浄手段は、超音波接合手段の下部の電極部分を洗
    浄する洗浄ノズルを備えたことを特徴とするチップ実装
    装置。
  18. 【請求項１８】 請求項１４に記載のチップ実装装置に
    おいて、 前記洗浄手段は、複数の電極を洗浄可能な大口径を有す
    る洗浄ノズルを備えたことを特徴とするチップ実装装
    置。
  19. 【請求項１９】 請求項１４に記載のチップ実装装置に
    おいて、 前記洗浄手段は、複数の電極を洗浄可能にする複数の洗
    浄ノズルを備えたことを特徴とするチップ実装装置。
  20. 【請求項２０】 請求項１４ないし請求項１９に記載の
    チップ実装装置において、 前記超音波接合手段によって、チップと基板の両電極の
    当接部分に超音波振動を与えて両電極を接合する際に、
    両電極部分を加熱する加熱手段を備えたことを特徴とす
    るチップ実装装置。
JP2002239378A 2002-02-05 2002-08-20 チップ実装方法およびそれを用いた装置 Pending JP2003303854A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002239378A JP2003303854A (ja) 2002-02-05 2002-08-20 チップ実装方法およびそれを用いた装置
PCT/JP2003/000696 WO2003067649A1 (fr) 2002-02-05 2003-01-24 Procede de montage d'une puce et dispositif d'utilisation associe
TW92102119A TW200303589A (en) 2002-02-05 2003-01-30 Chip bonding method and apparatus

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002-28357 2002-02-05
JP2002028357 2002-02-05
JP2002239378A JP2003303854A (ja) 2002-02-05 2002-08-20 チップ実装方法およびそれを用いた装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003303854A true JP2003303854A (ja) 2003-10-24

Family

ID=27736437

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002239378A Pending JP2003303854A (ja) 2002-02-05 2002-08-20 チップ実装方法およびそれを用いた装置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2003303854A (ja)
TW (1) TW200303589A (ja)
WO (1) WO2003067649A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008004861A (ja) * 2006-06-26 2008-01-10 Nippon Avionics Co Ltd 半導体チップの超音波接合方法およびその超音波接合装置
KR101741333B1 (ko) * 2014-12-29 2017-05-29 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 칩 적층 장치

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4340703B2 (ja) * 2007-11-01 2009-10-07 シャープ株式会社 半導体実装装置および半導体実装方法
JP6598811B2 (ja) * 2017-03-23 2019-10-30 Ｔｏｗａ株式会社 半導体パッケージ配置装置、製造装置、半導体パッケージの配置方法および電子部品の製造方法
KR102152906B1 (ko) * 2018-11-20 2020-09-09 세메스 주식회사 본딩 장치 및 본딩 방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0669271A (ja) * 1992-08-18 1994-03-11 Hitachi Ltd 電子装置およびその製造に用いるワイヤボンディング装置ならびに電子装置に組み込まれる電子部品および配線基板
JPH09283564A (ja) * 1996-04-16 1997-10-31 Hitachi Ltd 半導体接合構造
JP3205703B2 (ja) * 1996-06-25 2001-09-04 シャープ株式会社 半導体装置
JP2000138263A (ja) * 1998-10-29 2000-05-16 Nec Kansai Ltd 半導体装置の製造装置
JP4049239B2 (ja) * 2000-08-30 2008-02-20 Ｔｄｋ株式会社 表面弾性波素子を含む高周波モジュール部品の製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008004861A (ja) * 2006-06-26 2008-01-10 Nippon Avionics Co Ltd 半導体チップの超音波接合方法およびその超音波接合装置
JP4646862B2 (ja) * 2006-06-26 2011-03-09 日本アビオニクス株式会社 半導体チップの超音波接合方法およびその超音波接合装置
KR101741333B1 (ko) * 2014-12-29 2017-05-29 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 칩 적층 장치
US9842823B2 (en) 2014-12-29 2017-12-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chip-stacking apparatus having a transport device configured to transport a chip onto a substrate

Also Published As

Publication number Publication date
WO2003067649A1 (fr) 2003-08-14
TW200303589A (en) 2003-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5572353B2 (ja) 保護テープ剥離方法およびその装置
WO2018147147A1 (ja) 部品実装システム、樹脂成形装置、樹脂載置装置、部品実装方法および樹脂成形方法
KR100691759B1 (ko) 접합방법 및 접합장치
TWI619181B (zh) Installation method and installation device
JP3521721B2 (ja) 電子部品の実装方法および装置
KR20140021990A (ko) 기판 반전 장치, 기판 반전 방법 및 박리 시스템
KR101883028B1 (ko) 접합 시스템, 기판 처리 시스템 및 접합 방법
JP4289102B2 (ja) 組立装置および組立方法ならびに端子洗浄装置
TW201436079A (zh) 筒夾清潔方法及使用其之晶粒接合器
KR101245901B1 (ko) 본딩장치 및 이것을 구비한 본딩시스템
JP2002050655A (ja) チップ実装方法及びこれに用いられる基板洗浄装置
CN112640039A (zh) 接合系统以及接合方法
KR20140005913A (ko) 박리 시스템, 박리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
JP2003303854A (ja) チップ実装方法およびそれを用いた装置
JP3949031B2 (ja) チップ実装方法
JP2020057750A (ja) 部品実装システム、部品供給装置および部品実装方法
JP2011192943A (ja) チップ搬送装置
JP2003303851A (ja) チップ実装方法およびそれを用いた装置
JP4589265B2 (ja) 半導体接合方法
JP2002050861A (ja) 常温接合装置及び方法
JP4046076B2 (ja) 電子部品搭載装置
JPWO2013141388A1 (ja) 電子部品の実装装置及び実装方法
JP3773201B2 (ja) 被接合物の受け渡し方法および装置
CN113436988A (zh) 芯片贴装装置、剥离夹具以及半导体器件的制造方法
CN114730714A (zh) 部件安装系统、部件供给装置以及部件安装方法