JP2003298195A - 配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 できるだけ測定パッドやビアランド等の影響
を排除し、本来の信号線路層のみの特性に近い特性を測
定できる信号線路層評価用の配線基板、一般に使用する
配線基板においてできるだけビアランド等の影響を排除
した配線基板を提供する。 【解決手段】 配線基板１００は、ストリップライン線
路層１４１を第１，第２絶縁層１３０，１５０を介して
挟む第１，第２接地導体層１２０，１６０を有する。ス
トリップライン線路層１４１の両端には、これに接続す
るビアランド１４２，１４３を備える。第１接地導体層
１２０には、第１絶縁層１３０を介して、ビアランド１
４２，１４３と対向する対応する第１接地層開口１２０
Ｋ，１２０Ｌを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、信号線路層を有す
る配線基板、及び、基板内部に信号線路層を備え、この
信号線路層の特性を測定可能としてなる信号線路層評価
用の配線基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】配線基板が所期の特性を有しているか否
かの評価や、配線層やビア導体などの導体、絶縁層とし
て使用される材料や製造手法を変更することにより、配
線基板の特性に与える影響についての評価などが、研究
開発段階や量産段階でしばしば行われる。このような評
価のために特別に設計された評価用配線基板の１つに、
ストリップライン線路やマイクロストリップライン線路
などを構成する信号線路層の特性が測定できるように設
計された信号線路層評価用の配線基板がある。このよう
な信号線路層評価用の配線基板としては、例えば、基板
内部にストリップライン線路を形成しておき、ビアラン
ド、測定ビア導体を通じ、その基板主面側に露出する一
対の測定パッドに測定機器のプローブを接続して、スト
リップライン線路の特性を測定することができるように
してある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際に
このような信号線路層評価用の配線基板を製作して、信
号線路層の特性を測定しても、測定される特性が予測さ
れた特性に比して大きく異なる場合がある。これは、測
定パッドやビアランドなどの配置や形状による影響で、
信号線路層のみの特性を正確に測定することは困難だか
らであると推測さされる。さらにこの知見は、評価用の
配線基板に限らず、マイクロプロセッサ用など、内部に
信号線路層を有する一般に使用される配線基板において
も、信号線路層につながるビアランドやビア導体の形状
や配置によって、信号線路層の特性に影響するというこ
とを示している。本発明は、かかる問題点に鑑みてなさ
れたものであって、できるだけ測定パッドやビアランド
等の影響を排除し、本来の信号線路層のみの特性に近い
特性を測定できる信号線路層評価用の配線基板を提供す
ることを目的とする。また、一般に使用する配線基板に
おいて、できるだけビアランド等の影響を排除した配線
基板を提供することを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段、作用及び効果】そしてそ
の解決手段は、第１主面と第１裏面とを有する第１絶縁
層と、上記第１絶縁層の上記第１主面に配置された信号
線路層と、第２主面と第２裏面とを有し、上記第２裏面
が上記第１絶縁層の上記第１主面に接して配置され、上
記第１絶縁層との層間に上記信号線路層を挟む第２絶縁
層と、上記第１絶縁層の上記第１裏面に配置され、交流
的に接地される第１接地導体層であって、上記第１絶縁
層の厚さ方向で上記第１主面から上記第１裏面に向かう
方向に上記信号線路層を投影したとき、投影された信号
線路層を少なくとも含む拡がりを有する第１接地導体層
と、上記第１絶縁層の上記第１主面に配置され、上記信
号線路層の端部に接続するビアランドと、上記第２絶縁
層を貫通し、一端で上記ビアランドに接続するビア導体
と、を備え、上記第１接地導体層は、上記第１絶縁層を
介して上記ビアランドと対向する位置に第１開口を有す
る配線基板である。

【０００５】本発明の配線基板では、第１接地導体層は
第１絶縁層を介してビアランドと対向する位置に第１開
口を有している。このため、ビアランドと第１絶縁層を
挟んで対向する位置に第１接地導体層が存在しないか、
第１開口の面積分だけ対向する面積が小さくなる。従っ
て、第１開口を形成せず、ビアランドと第１絶縁層を挟
んで第１接地導体層の一部とが対向している場合に比し
て、ビアランドと第１接地導体層との間に生じる浮遊容
量を低減することができる。かくして、このような浮遊
容量の存在による信号線路層の特性に対する影響、例え
ば、特性インピーダンスが部分的に変動して反射が発生
するなどの影響を抑制することができるから、信号線路
層、ひいては配線基板における信号伝送特性を良好にす
ることができる。

【０００６】なお、本明細書において、信号線路層は、
第１接地導体層と電磁的に結合してマイクロストリップ
ライン線路を構成するもの、第１接地導体層の他に第２
絶縁層の第２主面に配置された第２接地導体層を備え、
この第２接地導体層とも電磁的に結合して、ストリップ
ライン線路を構成するものなど、第１接地導体層と電磁
的に結合する部分を含む信号線路層が挙げられる。従っ
て、信号線路層と同じ層間（第１絶縁層の第１主面）に
もコプレーナ層を持つものなど、他の形態の信号線路層
をも含む。また、第１接地導体層には、ベタ状の導体層
を採用することができるほか、第１絶縁層との密着性、
製造の容易さ等を考慮して、水玉模様状、メッシュ状な
ど多数の開口を含む形状の導体層としても良い。なお、
後述する第２接地導体層についても、ベタ状の導体層を
採用することができるほか、第２絶縁層との密着性、製
造の容易さ等を考慮して、水玉模様状、メッシュ状など
多数の開口を含む形状の導体層とすることもできる。ま
た、交流的に接地されているとは、交流成分について考
慮した場合に、電位変動がないために、接地されている
のと同じ状態にされている状態を指す。従って、直流成
分について見た場合にも接地電位とされる場合がある。
さらにこのほか、直流成分について見ると、電源電位
（例えば＋５Ｖ）とされるなど、接地電位とは異なる電
位とされながらも、交流成分について見ると接地されて
いるのと同じになる場合も含まれる。

【０００７】さらに、上記配線基板であって、前記第１
開口は、上記第１絶縁層の厚さ方向で上記第１主面から
上記第１裏面に向かう方向に上記ビアランドを投影した
とき、投影されたビアランドを含む拡がりを有する配線
基板とすると良い。

【０００８】本発明の配線基板では、第１開口が投影さ
れたビアランドを含む拡がりを有している。つまり、第
１開口は、ビアランドと対向する位置に配置され、ビア
ランドを含む大きさを有している。このため、ビアラン
ドと第１接地導体層とが第１絶縁層を挟んで対向する部
分が無い。かくして、特にビアランドと第１接地導体層
の間に生じる浮遊容量を小さくでき、この浮遊容量によ
る信号線路層の特性に対する影響を抑制することができ
る。

【０００９】さらに、上記いずれかに記載の配線基板で
あって、前記ビアランドの幅または径が、前記信号線路
層の線幅よりも大きい配線基板とすると良い。

【００１０】ビアランドの幅または径が、信号線路層の
線幅よりも大きい場合には、特に、ビアランドの面積が
大きくなる分、ビアランドと第１接地導体層とが第１絶
縁層を介して対向する場合には、これらの間に生じる浮
遊容量が大きくなる。これに対し、本発明の配線基板で
は、第１接地導体層に第１開口を形成してあるから、ビ
アランドの面積が大きくても、浮遊容量を十分低減し、
浮遊容量による信号線路層の特性に対する影響を抑制す
ることができる。

【００１１】さらに、上記いずれかに記載の配線基板で
あって、前記第２絶縁層の前記第２主面に配置され、交
流的に接地される第２接地導体層であって、上記第２絶
縁層の厚さ方向で前記第２裏面から上記第２主面に向か
う方向に前記信号線路層を投影したとき、投影された信
号線路層を少なくとも含む拡がりを有する第２接地導体
層を備える配線基板とするのが好ましい。

【００１２】この配線基板では、信号線路層は、第１接
地導体層のみならず、第２接地導体層とも電磁的に結合
して、ストリップライン線路を構成するので、より確実
に信号を伝送することができる。

【００１３】さらに他の解決手段は、基板内部に信号線
路層を備え、その基板主面側に露出する測定パッドを通
じて、上記信号線路層の特性を測定可能としてなる信号
線路層評価用の配線基板であって、第１主面と第１裏面
とを有する第１絶縁層と、上記第１絶縁層の上記第１主
面に配置された上記信号線路層と、第２主面と第２裏面
とを有し、上記第２裏面が上記第１絶縁層の上記第１主
面に接して配置され、上記第１絶縁層との層間に上記信
号線路層を挟む第２絶縁層と、上記第１絶縁層の上記第
１裏面に配置され、交流的に接地される第１接地導体層
であって、上記信号線路層を上記第１絶縁層の厚さ方向
で上記第１主面から上記第１裏面に向かう方向に上記信
号線路層を投影したとき、投影された信号線路層を少な
くとも含む拡がりを有する第１接地導体層と、上記第１
絶縁層の第１主面に配置され、上記信号線路層の端部に
接続するビアランドと、上記第２絶縁層を貫通し、一端
で上記ビアランドに接続し、他端で上記測定パッドに接
続し、上記ビアランドを介して上記信号線路層と上記測
定パッドとを接続する測定ビア導体と、を備え、上記第
１接地導体層は、第１開口であって、上記第１絶縁層の
厚さ方向で上記第１主面から上記第１裏面に向かう方向
に上記ビアランドを投影したとき、投影されたビアラン
ドを含む拡がりを有する第１開口を有する信号線路層評
価用の配線基板である。

【００１４】本発明の信号線路層評価用の配線基板で
は、第１接地導体層は、第１絶縁層の厚さ方向で第１主
面から第１裏面に向かう方向にビアランドを投影したと
き、投影されたビアランドを含む拡がりを有する第１開
口を有している。このため、ビアランドと第１絶縁層を
挟んで対向する位置には、第１開口が配置されており、
第１接地導体層が存在しないことになる。このため、第
１開口を形成せず、ビアランドと第１絶縁層を挟んで第
１接地導体層の一部とが対向している場合に比して、ビ
アランドと第１接地導体層との間に生じる浮遊容量を低
減することができる。従って、このような浮遊容量の存
在によって生じる、反射量の増大など、信号線路層の特
性測定に対する影響を少なくできる。

【００１５】さらに、上記配線基板であって、前記ビア
ランドの幅または径が、前記信号線路層の線幅よりも大
きい配線基板とすると良い。

【００１６】ビアランドの幅または径が、信号線路層の
線幅よりも大きい場合には、特に、ビアランドの面積が
大きくなる分、ビアランドと第１接地導体層とが第１絶
縁層を介して対向する場合、これらの間に生じる浮遊容
量が大きくなる。これに対し、本発明の信号線路層評価
用の配線基板では、第１接地導体層に第１開口を形成し
てあるから、ビアランドの面積が大きくても、浮遊容量
を十分低減し、浮遊容量による信号線路層の特性に対す
る影響を抑制することができる。

【００１７】さらに、上記いずれかに記載の信号線路層
評価用の配線基板であって、前記測定パッドは、前記基
板主面側にそれぞれ露出する一対の測定パッドであり、
前記ビアランドは、前記信号線路層の一端と他端のそれ
ぞれに接続する一対のビアランドであり、前記測定ビア
導体は、上記ビアランドを介して上記信号線路層と上記
測定パッドとそれぞれ接続する一対の測定ビア導体であ
り、前記第１開口は、前記投影されたビアランドを含む
拡がりをそれぞれ有する一対の第１開口である配線基板
とするのが好ましい。

【００１８】この配線基板では、信号線路層の一端と他
端の両方について、具体的にはその両端にそれぞれ接続
される一対のビアランドついて、第１接地導体層のうち
対応する位置に一対の第１開口を設けた。このため、ビ
アランドと第１接地導体層との間に生じる浮遊容量を信
号線路層の一端と他端の両方について低減できるので、
浮遊容量による信号線路層の特性に対する影響を抑制す
ることができ、特に好ましい。

【００１９】さらに、上記いずれかに記載の信号線路層
評価用の配線基板であって、前記第２絶縁層の前記第２
主面に配置され、交流的に接地される第２接地導体層で
あって、上記第２絶縁層の厚さ方向で前記第２裏面から
上記第２主面に向かう方向に前記信号線路層を投影した
とき、投影された信号線路層を少なくとも含む拡がりを
有する第２接地導体層を備える配線基板とするのが好ま
しい。

【００２０】この配線基板では、信号線路層は、第１接
地導体層のみならず、第２接地導体層とも電磁的に結合
して、ストリップライン線路を構成するので、より確実
に信号を伝送することができる。

【００２１】さらに他の解決手段は、基板内部に信号線
路層を備え、その基板主面側に露出する測定パッドを通
じて、上記信号線路層の特性を測定可能としてなる信号
線路層評価用の配線基板であって、第１主面と第１裏面
とを有する第１絶縁層と、上記第１絶縁層の上記第１主
面に配置された上記信号線路層と、第２主面と第２裏面
とを有し、上記第２裏面が上記第１絶縁層の上記第１主
面に接して配置され、上記第１絶縁層との層間に上記信
号線路層を挟む第２絶縁層と、上記第１絶縁層の上記第
１裏面に配置され、交流的に接地される第１接地導体層
であって、上記第１絶縁層の厚さ方向で上記第１主面か
ら上記第１裏面に向かう方向に上記信号線路層を投影し
たとき、投影された信号線路層を少なくとも含む拡がり
を有する第１接地導体層と、上記第２絶縁層の上記第２
主面に配置され、交流的に接地される第２接地導体層で
あって、上記第２絶縁層の厚さ方向で上記第２裏面から
上記第２主面に向かう方向に上記信号線路層を投影した
とき、投影された信号線路層を少なくとも含む拡がりを
有する第２接地導体層と、上記第１絶縁層の第１主面に
配置され、上記信号線路層の端部に接続するビアランド
と、上記第２絶縁層を貫通し、一端で上記ビアランドに
接続し、他端で上記測定パッドに接続し、上記ビアラン
ドを介して上記信号線路層と上記測定パッドとを続する
測定ビア導体と、を備え、上記測定パッドは、上記第２
絶縁層の第２主面に配置され、上記第２接地導体層とは
所定の絶縁間隙を空けて絶縁されつつ、上記第２接地導
体層に包囲されてなり、円形または正多角形状を有する
信号線路層評価用の配線基板である。

【００２２】本発明の信号線路層評価用の配線基板で
は、第２接地導体と測定パッドとは同じく第２絶縁層の
主面側表面に配置されている。しかも、測定パッドは、
第２接地導体層とは所定の絶縁間隙を空けて絶縁されつ
つ、第２接地導体層に包囲されてなり、しかも、円形ま
たは正多角形状を有している。例えば、測定パッドの形
状を円や正方形などにした場合、測定パッドを長円や長
方形とした場合に比して、周囲の長さを小さくすること
ができる。従って、この測定パッドの周囲を所定の絶縁
間隙を空けつつ第２接地導体層で包囲すると、測定パッ
ドと第２接地導体層とが隣り合う長さが相対的に短くな
るから、両者間に生じる浮遊容量を相対的に小さくする
ことができる。このように測定パッドの形状を円形や正
多角形とすると、周囲長さを相対的に小さくでき、第２
接地導体層との間に生じる浮遊容量を相対的に小さくで
きる。従って、このような浮遊容量の存在によって生じ
る、反射量の増大など、信号線路層の特性測定に対する
影響を少なくできる。

【００２３】さらに他の解決手段は、基板内部に信号線
路層を備え、上記信号線路層の特性を測定可能としてな
る信号線路層評価用の配線基板であって、第１主面と第
１裏面とを有する第１絶縁層と、上記第１絶縁層の上記
第１主面に配置された上記信号線路層と、第２主面と第
２裏面とを有し、上記第２裏面が上記第１絶縁層の上記
第１主面に接して配置され、上記第１絶縁層との層間に
上記信号線路層を挟む第２絶縁層と、上記第１絶縁層の
上記第１裏面に配置され、交流的に接地される第１接地
導体層であって、上記第１絶縁層の厚さ方向で上記第１
主面から上記第１裏面に向かう方向に上記信号線路層を
投影したとき、投影された信号線路層を少なくとも含む
拡がりを有する第１接地導体層と、上記第２絶縁層の上
記第２主面に配置され、交流的に接地される第２接地導
体層であって、上記第２絶縁層の厚さ方向で上記第２裏
面から上記第２主面に向かう方向に上記信号線路層を投
影したとき、投影された信号線路層を少なくとも含む拡
がりを有する第２接地導体層と、上記第１絶縁層と第２
絶縁層の層間に配置され、交流的に接地されるコプレー
ナ導体層であって、上記信号線路層を所定の絶縁間隙を
空けて包囲するコプレーナ導体層と、を備え、上記信号
線路層と上記コプレーナ導体層との上記絶縁間隙を、５
０μｍ以上にしてなる信号線路層評価用の配線基板であ
る。

【００２４】本発明の信号線路層評価用の配線基板で
は、コプレーナ導体層と信号線路層との絶縁間隙を５０
μｍ以上にした。このようにすると、コプレーナ導体層
の存在による特性インピーダンスへの影響をごく小さく
することができる。従って、絶縁間隙を５０μｍよりも
小さくした場合に比して、両者間に生じる浮遊容量を低
減し、このような浮遊容量の存在によって生じる、反射
量の増大など、信号線路層の特性測定に対する影響を少
なくできる。

【００２５】

【発明の実施の形態】（実施形態１）本発明の第１の実
施形態を従来形態と対比しつつ、図１〜図６を参照して
説明する。図１は、実施形態１にかかる信号線路層評価
用の配線基板１００の縦端面図である。なお、従来形態
にかかる配線基板１００Ｗの縦端面図もほぼ同じ形態で
あるので、この図１を共用する。図２は、実施形態１に
かかる配線基板１００のＰ−Ｐ’断面、Ｑ−Ｑ’断面、
Ｒ−Ｒ’断面の図である。図３は、この実施形態１にか
かる配線基板１００のストリップライン線路層１４１に
ついて、その特性をシミュレーションしたときの結果で
ある。図４は、従来形態にかかる配線基板１００ＷのＰ
−Ｐ’断面、Ｑ−Ｑ’断面、Ｒ−Ｒ’断面の図である。
図４は、この従来形態にかかる配線基板１００Ｗのスト
リップライン線路層１４１について、その特性を実測し
た結果である。図５は、従来形態にかかる配線基板１０
０Ｗのストリップライン線路層１４１について、その特
性をシミュレーションしたときの結果である。なお、図
２、図４には、図１のうち図中右側部分について各断面
図を示したが、左側部分も同様の形態とされている。

【００２６】まず、配線基板１００の構造について説明
する。配線基板１００は、コア絶縁層１１０の上下面
に、樹脂からなる複数の絶縁層及びＣｕからなる導体層
を備えるビルドアップ樹脂配線基板である。但し、コア
絶縁層１１０の下面に形成した絶縁層や導体層は、本発
明の説明に不要であるので、以下では、コア絶縁層１１
０より上方の絶縁層や導体層についてのみ考察する。こ
のため、図１等においても下面側を省略して示してい
る。コア絶縁層１１０は、ガラス−エポキシ樹脂複合材
料からなり、厚さ８００μｍである。このコア絶縁層１
１０の上面１１０Ｕには、Ｃｕからなる厚さ２５μｍの
第１接地導体層１２０が配置されている。この第１接地
導体層１２０の上面には、樹脂からなる厚さ３３μｍの
第１絶縁層１３０が積層されている。さらに、この第１
絶縁層１３０の第１上面１３０Ｕには、Ｃｕからなり厚
さ１４．５μｍのコプレーナ導体層１４０及びストリッ
プライン線路層１４１が配置されている。このストリッ
プライン線路層１４１の両端（図中左右端）には、後述
するビア導体との接続を確実にするためのビアランド１
４２，１４３がそれぞれ接続している。さらに、コプレ
ーナ導体層１４０及びストリップライン線路層１４１の
上方には、樹脂からなる厚さ３３μｍの第２絶縁層１５
０が、その第２裏面１５０Ｄを第１絶縁層１３０の第１
上面１３０Ｕに接するようにして積層されている。この
第２絶縁層１５０の第２上面１５０Ｕには、Ｃｕからな
る厚さ１４．５μｍの第２接地導体層１６０及び測定パ
ッド１６１，１６２が配置されている。測定パッド１６
１，１６２とビアランド１４２，１４３とは、それぞれ
第２絶縁層１５０を厚さ方向に貫通するビア導体１８
０，１８１によって接続されている。さらに、第２接地
導体層１６０上には、ソルダーレジスト層１７０が積層
されている。なお、従来形態にかかる配線基板１００Ｗ
も積層方向にかかる構造は、上記と同じである。

【００２７】次いで、配線基板１００の各層の平面方向
の形状について説明する。まず、ストリップライン線路
層１４１について説明する。図２（ｂ）に示すように、
ストリップライン線路層１４１は、一定幅（幅３０μ
ｍ）を有し直線状に延びる線路である。その両方の端部
には、直径２００μｍの円形のビアランド１４２，１４
３がそれぞれ接続されている。また、コプレーナ導体層
１４０には、ストリップライン線路層１４１及びビアラ
ンド１４２，１４３とそれぞれ絶縁間隙Ｗ１，Ｗ２を空
けてこれらを取り囲むように、コプレーナ開口１４０Ｋ
１，１４０Ｋ２が形成されている。このコプレーナ導体
層１４０は、接地電位に接続され、交流的にも接地され
ている。絶縁間隙Ｗ１，Ｗ２の大きさは、本実施形態で
は具体的には、Ｗ１＝Ｗ２＝５０μｍである。

【００２８】これに対し、第２接地導体層１６０は、図
２（ａ）に示すように、一辺３５０μｍの正方形状の第
２接地層開口１６０Ｋ，１６０Ｌを有するほかは、全面
に拡がるベタ状の導体層である。従って、図２（ａ）と
（ｂ）とを対比すれば容易に理解できるように、ストリ
ップライン線路層１４１を第２絶縁層１５０の厚さ方向
（図中上下方向）で上方向に投影したとき、第２接地導
体層１６０は、投影されたストリップライン線路層１４
１を含む形状とされている。つまり、第２接地導体層１
６０とストリップライン線路層１４１とは、第２絶縁層
１５０を介して対向している。また、第２接地層開口１
６０Ｋ，１６０Ｌの平面方向中心には、それぞれ一辺１
５０μｍの正方形状とされた測定パッド１６１，１６２
が配置されている。従って、測定パッド１６１，１６２
と第２接地層開口１６０Ｋ，１６０Ｌとの絶縁間隙は、
１００μｍである。第２接地導体層１６０は、接地電位
に接続され、交流的にも接地されている。

【００２９】また、第１接地導体層１２０も、図２
（ｃ）に示すように、一辺３５０μｍの正方形状の第１
接地層開口１２０Ｋ，１２０Ｌを有するほかは、全面に
拡がるベタ状の導体層である。この第１接地層開口１２
０Ｋ，１２０Ｌは、第１絶縁層１３０を介してビアラン
ド１４２，１４３と対向する位置に配置されている。図
２（ｂ）と（ｃ）とを対比すれば容易に理解できるよう
に、ストリップライン線路層１４１を第１絶縁層１３０
の厚さ方向（図中上下方向）で下方向に投影したとき、
第１接地導体層１２０は、投影されたストリップライン
線路層１４１を含む形状とされている。つまり、第１接
地導体層１２０とストリップライン線路層１４１とは、
第１絶縁層１３０を介して対向している。なお、第１接
地導体層１２０は、接地電位に接続され、交流的にも接
地されている。また、第１接地層開口１２０Ｋ，１２０
Ｌの大きさは、ビアランド１４２，１４３の大きさより
も大きくされており、ビアランド１４２，１４３を厚さ
方向に投影したとき、第１接地層開口１２０Ｋ，１２０
Ｌ内に含まれて、第１ビアランド１４２，１４３と第１
接地導体層１２０とが厚さ方向に見て重なることがない
ようにしてある。

【００３０】上記説明から容易に理解できるように、ス
トリップライン線路層１４１は、第１絶縁層１３０及び
第２絶縁層１５０を介して、第１接地導体層１２０と第
２接地導体層１６０とに挟まれた構造となっており、い
わゆるストリップライン線路の構造となっている。

【００３１】次いで、従来形態の配線基板１００Ｗの各
層の平面方向の形状について、図４を参照して説明す
る。まず、ストリップライン線路層１４１について説明
する。図４（ｂ）に示すように、配線基板１００と同じ
く、ストリップライン線路層１４１は、一定幅（幅３０
μｍ）を有し直線状に延びる線路である。その両端部に
は、直径２００μｍの円形のビアランド１４２，１４３
がそれぞれ接続されている。また、コプレーナ導体層１
４０Ｗには、ストリップライン線路層１４１及びビアラ
ンド１４２，１４３を取り囲むようにコプレーナ開口１
４０Ｋ１Ｗ，１４０Ｋ２Ｗを有するコプレーナ導体層１
４０Ｗを有する。このコプレーナ導体層１４０Ｗも、接
地電位に接続され、交流的にも接地されている。但し、
このコプレーナ導体層１４０Ｗの絶縁間隙Ｗ１Ｗ，Ｗ２
Ｗの大きさは、本従来形態では、実施形態１よりも小さ
く、具体的には、Ｗ１Ｗ＝Ｗ２Ｗ＝４０μｍである。

【００３２】また、従来形態の配線基板１００Ｗにおけ
る第２接地導体層１６０Ｗは、図４（ａ）に示すよう
に、４００×７００μｍの長方形状の第２接地層開口１
６０ＫＷ，１６０ＬＷを有するほかは、全面に拡がるベ
タ状の導体層である。従って、図４（ａ）と（ｂ）をと
対比すれば容易に理解できるように、第２接地導体層１
６０Ｗとストリップライン線路層１４１とは、第２絶縁
層１５０を介して対向している。また、第２接地層開口
１６０ＫＷ，１６０ＬＷ内には、それぞれ２００×５０
０μｍの長方形状とされた測定パッド１６１Ｗ，１６２
Ｗが配置されている。測定パッド１６１Ｗ，１６２Ｗと
第２接地層開口１６０ＫＷ，１６０ＬＷとの絶縁間隙
は、実施形態１と同じく１００μｍである。また、第２
接地導体層１６０も、接地電位に接続され、交流的にも
接地されている。

【００３３】また、第１接地導体層１２０Ｗは、図４
（ｃ）に示すように、全面に拡がるベタ状の導体層であ
る。従って、図２（ｂ）と（ｃ）とを対比すれば容易に
理解できるように、ストリップライン線路層１４１を第
１絶縁層１３０の厚さ方向（図中上下方向）で下方向に
投影したとき、第１接地導体層１２０は、投影されたス
トリップライン線路層１４１を含む形状とされている。
つまり、この従来形態の配線基板１００Ｗでも、第１接
地導体層１２０Ｗとストリップライン線路層１４１と
は、第１絶縁層１３０を介して対向している。この第１
接地導体層１２０Ｗも、接地電位に接続され、交流的に
も接地されている。

【００３４】上記説明から容易に理解できるように、従
来形態の配線基板１００Ｗでも、ストリップライン線路
層１４１は、第１接地導体層１３０及び第２接地導体層
１６０を介して、第１接地導体層１２０Ｗと第２接地導
体層１４０Ｗとに挟まれた構造となっており、いわゆる
ストリップライン線路の構造となっている。但し、この
配線基板１００Ｗでは、第１接地導体層１２０Ｗに第１
接地層開口１２０Ｋ，１２０Ｌを有さない点で実施形態
１の配線基板１００と異なる。また、絶縁間隙Ｗ１Ｗ，
Ｗ２Ｗが配線基板１００における絶縁間隔Ｗ１，Ｗ２に
比して小さい点、測定パッド１６１Ｗ，１６２Ｗが配線
基板１００のおける測定パッド１６１，１６２に比して
大きい点でも異なる。

【００３５】この従来形態の配線基板１００Ｗについ
て、ストリップライン線路層１４１の特性を実測したと
ころ、図５に示す結果が得られた。なお、測定には、Ag
ilent社のネットワークアナライザＨＰ８５１０を用
い、プローブには、ＧＳＧプローブCascade Microtec社
製ACP40を用いた。この結果によれば、Ｓパラメータの
うち反射係数であるＳ１１については、約１．５ＧＨｚ
及び６ＧＨｚの位置に極が生じるほか、周波数３ＧＨｚ
以上の周波数領域において、概略−２０ｄＢ以上の大き
さになっていること、つまり、反射量が大きいことが判
る。なお、透過係数であるＳ２１については、周波数と
ともに徐々に小さな値となっている。

【００３６】しかし、この特性はストリップライン線路
層１４１の特性を適切に示していないのではないかと考
えられる。反射係数Ｓ１１の値が全体に大きすぎるから
である。そこで、この従来形態の配線基板１００Ｗにつ
いてシミュレーションによって特性を算出したところ、
図６に示すようになった。まず、配線基板内にストリッ
プライン線路層１４１単体のみが存在するとして、その
特性をシミュレーションすると、破線のようになった。
つまり極の存在は認められるが、全体として、Ｓ１１の
大きさは、実測より遙かに小さく、概略−４０ｄＢ以下
となることが判る。一方、測定パッド１６１Ｗ，１６２
Ｗ、ビア導体１８０，１８１、ビアランド１４２，１４
３をも含めて、ストリップライン線路層１４１の特性を
シミュレーションすると、実線で示すようになった。こ
れは、極の位置が若干ずれてはいるが、周波数が高い領
域（この結果では４．３ＧＨｚ以上）で概ねＳ１１が−
２０ｄＢ以上となっていることから、良く実測結果と一
致していると考えられる。

【００３７】つまりこの結果から、従来形態の配線基板
１００Ｗでは、測定パッド１６１Ｗ，１６２Ｗ、ビア導
体１８０，１８１、ビアランド１４２，１４３の存在に
よって、約２０〜３０ｄＢ程度、反射係数Ｓ１１の値が
悪化していることが推測できる。

【００３８】これに対し、これと同じシミュレーション
を実施形態の配線基板１００について行ったところ、図
３に示す結果となった。なお、破線で示すのは、配線基
板内にストリップライン線路層１４１単体のみが存在す
る場合であり、図６に示すものと同じである。図３に示
す結果によれば、実施形態にかかる配線基板１００で
は、配線基板１００Ｗより概略−１０ｄＢ程度反射量が
低減でき、１〜１０ＧＨｚの周波数範囲において、反射
係数Ｓ１１の大きさを−２５ｄＢ以下に抑制することが
できることが判る。従って、図３及び図６において実線
で示す結果を比較すれば容易に理解できるように、実施
形態にかかる配線基板１００では、従来形態の配線基板
１００Ｗより反射係数Ｓ１１の大きさを小さくすること
ができ、破線で示すストリップライン線路層１４１単体
の特性により近づけることができることが判る。つま
り、測定パッド１６１，１６２、ビア導体１８０，１８
１、ビアランド１４２，１４３の存在による、ストリッ
プライン線路層１４１に対する影響をより低減できるこ
とが判る。

【００３９】このように特性を改善できたのは、以下に
よるものと考えられる。即ち、実施形態１の配線基板１
００では、従来形態の配線基板１００Ｗには存在しない
第１接地層開口１２０Ｋ，１２０Ｌを、第１接地導体層
１２０に配置した。これによりビアランド１４２，１４
３と第１接地導体層１２０との間に生じる浮遊容量を低
減させることができた。このため、ストリップライン線
路層１４１の両端部で特性インピーダンスの部分的な変
動が抑制でき、反射波の発生を抑制できたと考えられ
る。また、従来形態の配線基板１００Ｗの測定パッド１
６１Ｗ，１６２Ｗが長方形の比較的大きな寸法であった
のに比して、実施形態１の配線基板１００では、正方形
の小さな測定パッド１６１，１６２を用いた。すると、
測定パッド１６１，１６２の周囲長も小さくなり、これ
を平面的に包囲する第２接地導体層１６０との間に生じ
る浮遊容量も相対的に小さくできた。ここでも、ストリ
ップライン線路層１４１の両端部で特性インピーダンス
の部分的な変動が抑制でき、反射波の発生を抑制できた
と考えられる。さらに、実施形態１の配線基板１００で
は、従来形態の配線基板１００Ｗに比して、絶縁間隔Ｗ
１，Ｗ２を絶縁間隙Ｗ１Ｗ，Ｗ２Ｗよりもそれぞれ大き
くし、Ｗ１，Ｗ２＝５０μｍとしたためであると考えら
れる。

【００４０】次いで、本実施形態１の配線基板１００の
製造方法について説明する。配線基板１００は、公知の
ビルドアップ配線基板の製造手法で製造すればよい。例
えば、両面銅張りのコア絶縁層１１０に所望のスルーホ
ールを形成し、パネルメッキ（全面メッキ）を行った
後、エッチングして所望パターンの第１接地導体層１２
０を形成する（サブトラクティブ法）。その後、第１絶
縁層１３０を形成する。さらに、その第１上面１３０Ｕ
にセミアディティブ法によりコプレーナ導体層１４０と
ストリップライン線路層１４１とを形成する。これらの
上面に感光性のドライフィルムを貼り付け、その後、露
光現像して、ビア導体１８０，１８１を内部に形成する
ためのビアホールを穿孔し、硬化させて第２絶縁層１５
０を形成する。次いでメッキにより、ビアホール内にビ
ア導体１８０，１８１を充填形成すると共に、第２絶縁
層１５０の第２上面１５０Ｕ上にセミアディティブ法に
より、第２接地導体層１６０及び測定パッド１６１，１
６２とを形成する。その後、測定パッド１６１，１６２
を露出させるようにソルダーレジスト層１７０を形成す
る。かくして、配線基板１００を完成させる。

【００４１】（実施形態２）次いで、第２の実施形態に
かかる配線基板２００について、図７〜図９を参照して
説明する。図７は、実施形態２にかかる配線基板２００
の縦端面図である。図８は、実施形態２にかかる配線基
板２００の横端面図である。図９は、実施形態２にかか
る配線基板２００のＬ−Ｌ’断面、Ｍ−Ｍ’断面、Ｎ−
Ｎ’断面の図である。

【００４２】上記実施形態１の配線基板１００と従来形
態の配線基板１００Ｗとを用いて、信号線路層評価用の
配線基板について説明した。しかし、マイクロプロセッ
サ用など一般の配線基板についても、内部にストリップ
ライン線路層を持つ配線基板が存在する。このような配
線基板のストリップライン線路層の端部に、ビアランド
やビア導体等が接続している場合には、同様の手法によ
って、ビアランドやビア導体等を含めたストリップライ
ン線路層の特性を向上させうることは明らかである。

【００４３】そこで、本実施形態２の配線基板２００で
は、以下のような構成とした。まず、配線基板２００の
層構造について説明する（図７，図８参照）。配線基板
２００は、コア絶縁層２１０の上下面に、樹脂からなる
複数の絶縁層及びＣｕからなる導体層を備えるビルドア
ップ樹脂配線基板であり、その層構造は、コプレーナ導
体層が存在しない点で異なるものの、他は実施形態１の
配線基板１００とほぼ同様である。また、コア絶縁層２
１０の下面に形成した絶縁層や導体層は、本発明の説明
に不要であるので、本実施形態２でも、コア絶縁層２１
０より上方の絶縁層や導体層についてのみ考察する。こ
のため、図７，図８においても下面側を省略して示して
いる。

【００４４】コア絶縁層２１０は、ガラス−エポキシ樹
脂複合材料からなる。このコア絶縁層２１０の上面２１
０Ｕには、Ｃｕからなる第１接地導体層２２０が配置さ
れている。この第１接地導体層２２０の上面には、樹脂
からなる第１絶縁層２３０が積層されている。さらに、
この第１絶縁層２３０の第１上面２３０Ｕには、Ｃｕか
らなるストリップライン線路層２４１が配置されてい
る。このストリップライン線路層２４１は図中右方に延
びており、その左端には、後述するビア導体との接続を
確実にするためのビアランド２４２が接続している。さ
らに、ストリップライン線路層２４１の上方には、樹脂
からなる第２絶縁層２５０が、その第２裏面２５０Ｄを
第１絶縁層２３０の第１上面２３０Ｕに接するようにし
て積層されている。この第２絶縁層２５０の第２上面２
５０Ｕには、Ｃｕからなる第２接地導体層２６０及びフ
リップチップパッド２６１が配置されている。フリップ
チップパッド２６１とビアランド２４２とは、第２絶縁
層２５０を厚さ方向に貫通するビア導体２８０によって
接続されている。さらに、第２接地導体層２６０上に
は、フリップチップパッド２６１の周囲を覆いつつその
中央部を露出させるようにしてソルダーレジスト層２７
０が積層されている。

【００４５】次いで、配線基板２００の各層の平面方向
の形状について説明する。まず、ストリップライン線路
層２４１について説明する。図９（ｂ）に示すように、
ストリップライン線路層２４１は、一定幅を有し直線状
に延びる線路である。その図中左端部には、この線路の
線幅よりも大きな径を有する円形のビアランド２４２が
接続されている。

【００４６】これに対し、第２接地導体層２６０は、図
９（ａ）に示すように、円形状の第２接地層開口２６０
Ｋを有するベタ状の導体層である。従って、図９（ａ）
と（ｂ）をと対比すれば容易に理解できるように、スト
リップライン線路層２４１を第２絶縁層２５０の厚さ方
向（図中上下方向）で上方向に投影したとき、第２接地
導体層２６０は、投影されたストリップライン線路層２
４１を含む形状とされている。つまり、第２接地導体層
２６０とストリップライン線路層２４１とは、第２絶縁
層２５０を介して対向している。また、第２接地層開口
２６０Ｋの平面方向中心には、この配線基板２００に搭
載するＩＣチップとの接続に用いる円形状のフリップチ
ップパッド２６１が配置されている。従って、このフリ
ップチップパッド２６１と第２接地層開口２６０Ｋとの
間には、所定の絶縁間隙が確保されている。なお、第２
接地導体層２６０は、接地電位に接続され、交流的にも
接地される。

【００４７】また、第１接地導体層２２０もベタ状の導
体層であり、図９（ｃ）に示すように、第１絶縁層２３
０を介してビアランド２４２と対向する位置に、円形状
の第１接地層開口２２０Ｋを有する。図９（ｂ）と
（ｃ）をと対比すれば容易に理解できるように、ストリ
ップライン線路層２４１を第１絶縁層２３０の厚さ方向
（図中上下方向）で下方向に投影したとき、第１接地導
体層２２０は、投影されたストリップライン線路層２４
１を含む形状とされている。つまり、第１接地導体層２
２０とストリップライン線路層２４１とは、第１絶縁層
２３０を介して対向している。なお、第１接地導体層２
２０は、接地電位に接続され、交流的にも接地される。
また、第１接地層開口２２０Ｋの大きさ（径）は、ビア
ランド２４２の大きさ（径）よりも大きくされており、
ビアランド２４２を厚さ方向に投影したとき、第１接地
層開口２２０Ｋ内に含まれて、ビアランド２４２と第１
接地導体層２２０とが厚さ方向に見て重なることがない
ようにしてある。

【００４８】上記説明、及び図８に示す端面図から容易
に理解できるように、ストリップライン線路層２４１
は、第１絶縁層２３０及び第２絶縁層２５０を介して、
第１接地導体層２２０と第２接地導体層２６０とに挟ま
れた構造となっており、いわゆるストリップライン線路
の構造となっている。

【００４９】かくして、本実施形態２の配線基板２００
では、第１接地層開口２２０Ｋを第１接地導体層２２０
に配置した。これによりビアランド２４２と第１接地導
体層２２０との間に生じる浮遊容量を低減させることが
できる。このため、ストリップライン線路層２４１の左
端部での特性インピーダンスの部分的な変動が抑制で
き、反射波の発生を抑制できる。特に本実施形態２の配
線基板２００では、第１接地層開口２２０Ｋの径を、ビ
アランド２４２の径よりも大きくしてあるからこのよう
にすることで、ビアランドやビア導体等の存在による反
射波の発生を抑制することができ、本来のストリップラ
イン線路層の特性に近づけることができる。なお、本実
施形態２の配線基板２００の製造方法は、配線基板１０
０と同様にすればよいので、省略する。

【００５０】以上において、本発明を実施形態１，２に
即して説明したが、本発明は上記実施形態に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更
して適用できることはいうまでもない。例えば、上記実
施形態１，２の配線基板１００，２００では、コア絶縁
層１１０，２１０の下面にも絶縁層（図示しない）を形
成したが、コア絶縁層の一方面にのみ絶縁層や導体層を
積層した片面積層基板に適用することもできる。また、
上記配線基板１００，２００では、信号線路層として、
絶縁層を介して上下の接地導体層では挟まれたストリッ
プラインタイプの信号線路を形成した例を示したが、そ
の他、マイクロストリップラインタイプなど他の形態の
信号線路層に適用することもできる。また、上記配線基
板１００，２００では、コア絶縁層１１０，２１０とし
て、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなるコア絶縁層
を用いた。また、第１，第２絶縁層１３０，２３０，１
５０，２５０として、樹脂からなる絶縁層を用いた。し
かし、これらをアルミナやＡｌＮ、ガラスセラミックな
どのセラミックで形成することもできる。さらに、コア
絶縁層にセラミック材料を用い、これに積層する第１，
第２絶縁層などの絶縁層には、ポリイミドなどの樹脂を
用いた複合基板とすることもできる。信号線路層を坦持
でき、ストリップラインタイプなど所定形態の伝送経路
を確保できればよいから、金属板あるいはホーロー板な
どを中心として配線基板を構成することもできる。

【００５１】さらに、上記実施形態１，２の配線基板１
００，２００では、第２接地導体層１６０，２６０の第
２上面１６０Ｕ，２６０Ｕ上には、ソルダーレジスト層
１７０，２７０をのみが形成されている例を示したが、
さらに他の絶縁層や導体層、信号線路層が形成されてい
る配線基板に適用することもできる。つまり、信号線路
層を多数の絶縁層を有する配線基板の内部に形成するこ
ともできる。さらに、上記配線基板１００，２００で
は、第１，第２接地導体層１２０，１６０，２２０，２
６０として、ベタ状の導体層を用いたが、第１，第２絶
縁層などの密着性、製造の容易さ等を考慮して、水玉模
様状、メッシュ状など多数の開口を含む形状の接地導体
層とすることもできる。また、実施形態１の配線基板１
００では、ストリップライン線路層の両方の端部に、そ
れぞれ測定パッド１６１，１６２やビア導体１８０，１
８１、ビアランド１４２，１４３を一対備えた例を示し
た。しかし、配線基板２００を参照すれば容易に理解で
きるように、信号線路層の一方の端部にビアランドや測
定パッドを形成、接続している場合にも、本発明を適用
することができる。また、ストリップライン線路層の両
方の端部に、それぞれ測定パッド１６１，１６２やビア
導体１８０，１８１、ビアランド１４２，１４３を一対
備えた配線基板において、効果が少なくなるが、一方の
側にだけ本発明を適用することもできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態１及び従来形態にかかる信号線路層評
価用の配線基板の縦端面図である。

【図２】実施形態１にかかる信号線路層評価用の配線基
板のうち、（ａ）はＰ−Ｐ’断面図、（ｂ）はＱ−Ｑ’
断面図、（ｃ）はＲ−Ｒ’断面図である。

【図３】実施形態１にかかる信号線路層評価用の配線基
板における信号線路層の特性のシミュレーション結果で
ある。

【図４】従来形態にかかる信号線路層評価用の配線基板
のうち、（ａ）はＰ−Ｐ’断面図、（ｂ）はＱ−Ｑ’断
面図、（ｃ）はＲ−Ｒ’断面図である。

【図５】従来形態にかかる信号線路層評価用の配線基板
における信号線路層の特性の測定結果である。

【図６】従来形態にかかる信号線路層評価用の配線基板
における信号線路層の特性のシミュレーション結果であ
る。

【図７】実施形態２にかかる配線基板の縦断面図（Ｉ−
Ｉ’断面の端面図）である。

【図８】実施形態２にかかる配線基板の横断面図（Ｊ−
Ｊ’断面の端面図）である。

【図９】実施形態２にかかる配線基板のうち、（ａ）は
Ｌ−Ｌ’断面図、（ｂ）はＭ−Ｍ’断面図、（ｃ）はＮ
−Ｎ’断面図である。

【符号の説明】

１００，２００ 配線基板 １１０，２１０ コア絶縁層 １２０，２２０ 第１接地導体層 １２０Ｋ，１２０Ｌ，２２０Ｋ 第１接地層開口（第１
開口） １３０，２３０ 第１絶縁層 １３０Ｄ，２３０Ｄ 第１下面（第１裏面） １３０Ｕ，２３０Ｕ 第１上面（第１主面） １４０ コプレーナ導体層 １４０Ｋ コプレーナ開口 １４１，２４１ ストリップライン線路層（信号線路
層） １４２，１４３，２４２ ビアランド １５０，２５０ 第２絶縁層 １５０Ｄ，２５０Ｄ 第２下面（第２裏面） １５０Ｕ，２５０Ｕ 第２上面（第２主面） １６０，２６０ 第２接地導体層 １６０Ｋ，１６０Ｌ，２６０Ｋ 第２接地層開口 １６１，１６２ 測定パッド ２６１ フリップチップパッド １７０，２７− ソルダーレジスト層 １８０，１８１ ビア導体（測定ビア導体） ２８０ ビア導体 Ｗ１，Ｗ２ 絶縁間隙

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１主面と第１裏面とを有する第１絶縁層
   と、 上記第１絶縁層の上記第１主面に配置された信号線路層
   と、 第２主面と第２裏面とを有し、上記第２裏面が上記第１
   絶縁層の上記第１主面に接して配置され、上記第１絶縁
   層との層間に上記信号線路層を挟む第２絶縁層と、 上記第１絶縁層の上記第１裏面に配置され、交流的に接
   地される第１接地導体層であって、上記第１絶縁層の厚
   さ方向で上記第１主面から上記第１裏面に向かう方向に
   上記信号線路層を投影したとき、投影された信号線路層
   を少なくとも含む拡がりを有する第１接地導体層と、 上記第１絶縁層の上記第１主面に配置され、上記信号線
   路層の端部に接続するビアランドと、 上記第２絶縁層を貫通し、一端で上記ビアランドに接続
   するビア導体と、を備え、 上記第１接地導体層は、上記第１絶縁層を介して上記ビ
   アランドと対向する位置に第１開口を有する配線基板。
2. 【請求項２】請求項１に記載の配線基板であって、 前記第１開口は、上記第１絶縁層の厚さ方向で上記第１
   主面から上記第１裏面に向かう方向に上記ビアランドを
   投影したとき、投影されたビアランドを含む拡がりを有
   する配線基板。
3. 【請求項３】請求項１または請求項２に記載の配線基板
   であって、 前記ビアランドの幅または径が、前記信号線路層の線幅
   よりも大きい配線基板。
4. 【請求項４】基板内部に信号線路層を備え、その基板主
   面側に露出する測定パッドを通じて、上記信号線路層の
   特性を測定可能としてなる信号線路層評価用の配線基板
   であって、 第１主面と第１裏面とを有する第１絶縁層と、 上記第１絶縁層の上記第１主面に配置された上記信号線
   路層と、 第２主面と第２裏面とを有し、上記第２裏面が上記第１
   絶縁層の上記第１主面に接して配置され、上記第１絶縁
   層との層間に上記信号線路層を挟む第２絶縁層と、 上記第１絶縁層の上記第１裏面に配置され、交流的に接
   地される第１接地導体層であって、上記信号線路層を上
   記第１絶縁層の厚さ方向で上記第１主面から上記第１裏
   面に向かう方向に上記信号線路層を投影したとき、投影
   された信号線路層を少なくとも含む拡がりを有する第１
   接地導体層と、 上記第１絶縁層の第１主面に配置され、上記信号線路層
   の端部に接続するビアランドと、 上記第２絶縁層を貫通し、一端で上記ビアランドに接続
   し、他端で上記測定パッドに接続し、上記ビアランドを
   介して上記信号線路層と上記測定パッドとを接続する測
   定ビア導体と、を備え、 上記第１接地導体層は、第１開口であって、上記第１絶
   縁層の厚さ方向で上記第１主面から上記第１裏面に向か
   う方向に上記ビアランドを投影したとき、投影されたビ
   アランドを含む拡がりを有する第１開口を有する信号線
   路層評価用の配線基板。
5. 【請求項５】請求項４に記載の配線基板であって、 前記ビアランドの幅または径が、前記信号線路層の線幅
   よりも大きい配線基板。
6. 【請求項６】基板内部に信号線路層を備え、その基板主
   面側に露出する測定パッドを通じて、 上記信号線路層の特性を測定可能としてなる信号線路層
   評価用の配線基板であって、 第１主面と第１裏面とを有する第１絶縁層と、 上記第１絶縁層の上記第１主面に配置された上記信号線
   路層と、 第２主面と第２裏面とを有し、上記第２裏面が上記第１
   絶縁層の上記第１主面に接して配置され、上記第１絶縁
   層との層間に上記信号線路層を挟む第２絶縁層と、 上記第１絶縁層の上記第１裏面に配置され、交流的に接
   地される第１接地導体層であって、上記第１絶縁層の厚
   さ方向で上記第１主面から上記第１裏面に向かう方向に
   上記信号線路層を投影したとき、投影された信号線路層
   を少なくとも含む拡がりを有する第１接地導体層と、 上記第２絶縁層の上記第２主面に配置され、交流的に接
   地される第２接地導体層であって、上記第２絶縁層の厚
   さ方向で上記第２裏面から上記第２主面に向かう方向に
   上記信号線路層を投影したとき、投影された信号線路層
   を少なくとも含む拡がりを有する第２接地導体層と、 上記第１絶縁層の第１主面に配置され、上記信号線路層
   の端部に接続するビアランドと、 上記第２絶縁層を貫通し、一端で上記ビアランドに接続
   し、他端で上記測定パッドに接続し、上記ビアランドを
   介して上記信号線路層と上記測定パッドとを続する測定
   ビア導体と、を備え、 上記測定パッドは、 上記第２絶縁層の第２主面に配置され、 上記第２接地導体層とは所定の絶縁間隙を空けて絶縁さ
   れつつ、上記第２接地導体層に包囲されてなり、 円形または正多角形状を有する信号線路層評価用の配線
   基板。
7. 【請求項７】基板内部に信号線路層を備え、上記信号線
   路層の特性を測定可能としてなる信号線路層評価用の配
   線基板であって、 第１主面と第１裏面とを有する第１絶縁層と、 上記第１絶縁層の上記第１主面に配置された上記信号線
   路層と、 第２主面と第２裏面とを有し、上記第２裏面が上記第１
   絶縁層の上記第１主面に接して配置され、上記第１絶縁
   層との層間に上記信号線路層を挟む第２絶縁層と、 上記第１絶縁層の上記第１裏面に配置され、交流的に接
   地される第１接地導体層であって、上記第１絶縁層の厚
   さ方向で上記第１主面から上記第１裏面に向かう方向に
   上記信号線路層を投影したとき、投影された信号線路層
   を少なくとも含む拡がりを有する第１接地導体層と、 上記第２絶縁層の上記第２主面に配置され、交流的に接
   地される第２接地導体層であって、上記第２絶縁層の厚
   さ方向で上記第２裏面から上記第２主面に向かう方向に
   上記信号線路層を投影したとき、投影された信号線路層
   を少なくとも含む拡がりを有する第２接地導体層と、 上記第１絶縁層と第２絶縁層の層間に配置され、交流的
   に接地されるコプレーナ導体層であって、上記信号線路
   層を所定の絶縁間隙を空けて包囲するコプレーナ導体層
   と、を備え、 上記信号線路層と上記コプレーナ導体層との上記絶縁間
   隙を、５０μｍ以上にしてなる信号線路層評価用の配線
   基板。