JP2003297628A

JP2003297628A - 磁性膜およびその形成方法

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Publication number: JP2003297628A
Application number: JP2002097177A
Authority: JP
Inventors: Katsumi Okayama; 克巳岡山; Kaoru Kobayashi; 薫小林; Koichiro Inomata; 浩一郎猪俣; Satoshi Sugimoto; 諭杉本
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2002-03-29
Filing date: 2002-03-29
Publication date: 2003-10-17
Anticipated expiration: 2022-03-29
Also published as: JP4017032B2

Abstract

(57)【要約】【課題】厚膜で高透磁率の磁性膜を効率的に低コスト
で形成する。【解決手段】金属磁性体粉末および高電気抵抗粉末を
原料粉末１４としてミキサ１１内に仕込んで混合し、こ
れをチャンバ１２内で、ノズル１５からエアロゾル化し
て噴射し、粒子１４ａを基板２０ａに固着させる。これ
により、基板２０ａ上には、主相が金属磁性体の磁性相
で、粒界が高電気抵抗の相であるナノグラニュラー構造
の磁性膜が形成される。このとき、原料の高電気抵抗粉
末にフェライトを用いれば、主相、粒界がともに磁性体
で構成されたナノグラニュラー構造の磁性膜を形成する
ことができ、磁性膜を高透磁率化することができる。こ
の方法では、原料粉末１４を噴射して固着させるのみで
あるため、適当な膜厚の磁性膜を効率的かつ低コストで
形成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁性膜およびその形
成方法に関し、特に通信機器などの動作時に発生する不
要電磁波を吸収するための磁性膜およびその形成方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】移動通信の発達により、通信波長の短波
長化が進み、それとともに通信機器の動作時に発生する
電磁波が通信機器自体あるいはその周囲に影響を及ぼす
電磁波障害が問題になってきている。そのため、メガヘ
ルツ（ＭＨｚ）帯域からギガヘルツ（ＧＨｚ）帯域の電
磁波に対しても充分対応することのできる電磁波吸収体
が要求されている。

【０００３】従来、電磁波吸収体としては、その材質に
スピネル型フェライトなどが用いられていた。しかし、
これらの材質からなる電磁波吸収体は、飽和磁化Ｉ_sが
低いため、Ｓｎｏｅｋの限界と呼ばれる周波数限界（共
鳴周波数ｆ_r）により、ＧＨｚ帯域で急激に吸収能が低
下する。Ｓｎｏｅｋ理論によれば、Ｉ_sが高ければｆ_rも
高くなるので、例えば鉄合金などを用いれば優れた電磁
波吸収特性を得られることになる。

【０００４】しかし、このような鉄合金などの金属は良
導電性のため、電磁波吸収体として用いる場合には、電
磁波の浸透深さ（スキンデプス：１ＧＨｚで約１μｍ程
度）以下の微粒子にし、さらに、各微粒子同士を電気的
に絶縁する必要がある。このため、従来の電磁波吸収体
では、まず、アトマイズ法で作製した十数μｍの磁性体
粉末を機械的に粉砕し、その粒径をスキンデプス以下に
する。そして、この粉砕後の磁性体粉末を樹脂と複合化
し、厚さ数ｍｍのシート状にして電磁波吸収体として用
いる。

【０００５】ところで、近年では、通信機器のモバイル
化、ウェアラブル化に伴い、いっそう薄型の電磁波吸収
体が要望されている。電磁波吸収体を薄くしてかつ電磁
波吸収量を維持するためには、その材料を高透磁率化す
る必要があるとされている。

【０００６】電磁波吸収体の高透磁率化を図る方法とし
ては、特開昭６０−１５２６５１号公報や特開平４−１
４２７１０号公報などに、金属とセラミクスを同時にス
パッタしてセラミクスが分散した非晶質合金膜を得る方
法が開示されている。

【０００７】また、特開平８−２５０３３０号公報や特
開平１０−２４１９３８号公報には、ナノグラニュラー
構造を有する磁性膜が開示されている。これは、金属磁
性体の結晶粒径を１ｎｍ〜１０ｎｍ程度とし、この粒子
同士を電気的に絶縁するため、その粒界に非磁性体であ
るアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）やシリカ（ＳｉＯ₂）といった
高電気抵抗相を析出させる。これにより、磁性膜とし
て、高透磁率かつ高電気抵抗を達成するものである。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の電磁波
吸収能の高い磁性膜の形成は、主にスパッタ法を用い、
磁性膜の用途として薄膜磁気素子を想定し、現実的には
膜厚１μｍから最大でも２μｍ程度の薄い磁性膜を形成
することしかできず、さらに、その形成には時間とコス
トがかかるという問題点があった。

【０００９】ここで、磁性膜による電磁波吸収量につい
て説明する。一般に、磁性体の電磁波吸収量は、次の式
で与えられる

【００１０】

【数１】

【００１１】ただし、Ｐ；体積あたりの電磁波吸収量
（Ｗ／ｍ³），ω；角周波数（ｒａｄ／ｓｅｃ），μ₀；
真空の透磁率，Ｈ；磁界強度（Ａ／ｍ）である。式
（１）において、電磁波吸収量Ｐが最も大きくなるの
は、透磁率の損失項であるμ”が最大になるときであ
る。

【００１２】電磁波吸収量Ｐは、体積あたりの値である
ので、磁性体の体積が大きくなれば、電磁波吸収量も大
きくなる。したがって、磁性膜の厚さをｄ（ｍ）とすれ
ば、面積あたりの電磁波吸収量Ｐ’（Ｗ／ｍ²）は、次
の式で与えられる。

【００１３】

【数２】

【００１４】すなわち、式（１）の場合と同じμ”が得
られると仮定すると、例えば、磁性膜の厚さを１μｍか
ら１００μｍに厚くすれば、その電磁波吸収量Ｐ’が１
００倍に増加し、大きな効果が得られることになる。ま
た、μ”が高ければ、磁性膜の膜厚を薄くすることも可
能になる。

【００１５】このような背景から、高いμ”を有する磁
性膜を、従来の電磁波吸収シートよりも薄く、そして、
スパッタ法で形成できる以上の適当な膜厚で形成するた
めの技術が求められている。

【００１６】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、効率的かつ低コストで得られ、適当な膜厚で
かつ高い透磁率を有する磁性膜およびその形成方法を提
供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、電磁波
吸収能を有する磁性膜において、金属磁性体からなる磁
性相と、前記磁性相同士を電気的に絶縁するフェライト
からなる高電気抵抗相と、を有することを特徴とする磁
性膜が提供される。

【００１８】このような磁性膜では、金属磁性体の磁性
相が、フェライトの高電気抵抗相によって電気的に絶縁
される。すなわち、磁性膜を、すべて磁性体で構成され
たナノグラニュラー構造の磁性膜を形成することができ
るようになる。これにより、磁性膜は、その高電気抵抗
相を非磁性体で形成する場合に比べ、より高透磁率化が
図られるようになる。

【００１９】また、本発明では、電磁波吸収能を有する
磁性膜の形成方法において、形成する磁性膜の組成比で
金属磁性体粉末と高電気抵抗粉末とを混合し、混合され
た前記金属磁性体粉末と前記高電気抵抗粉末とをエアロ
ゾル化して被成膜物に噴射することを特徴とする磁性膜
の形成方法が提供される。

【００２０】このような磁性膜の形成方法では、形成す
る磁性膜の組成比で混合した金属磁性体粉末および高電
気抵抗粉末を、エアロゾル化して被成膜物に噴射するこ
とで磁性膜を形成する。これにより、被成膜物上に、金
属磁性体粉末から形成される磁性相と、高電気抵抗粉末
から形成される高電気抵抗相とが形成される。

【００２１】また、この磁性膜形成を、例えば常温下な
どの低温条件で行えば、原料粉末がはじめから有してい
る結晶構造を熱で変化させることなく、被成膜物に磁性
膜を形成できるとともに、被成膜物への熱的影響も抑制
されるようになる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は磁性膜形成装置の概略模式
図である。

【００２３】本発明の磁性膜の形成には、形成する磁性
膜の原料となる微粒子粉末をエアロゾル化して基板など
の被成膜物に衝突させ、厚膜を形成するエアロゾル・デ
ポジション（ＡＤ）法を用いる。このＡＤ法では、目的
とする磁性膜の組成に等しい組成の原料粉末をエアロゾ
ル化して被成膜物に衝突させることで、所望の組成およ
び膜厚の磁性膜を効率的に形成することができる。

【００２４】このＡＤ法を行うための磁性膜形成装置１
０は、ミキサ１１、チャンバ１２、ロータリーポンプ１
３を有している。ミキサ１１には、原料粉末１４が仕込
まれるようになっていて、ミキサ１１の振動により、中
に仕込まれた原料粉末１４が混合されるようになってい
る。これにより、原料粉末１４が単一種の粉末である場
合には、ミキサ１１内でのその粒度分布の偏りをなく
し、原料粉末１４が複数種の粉末である場合には、これ
らを均一に混合するとともにその粒度分布の偏りをなく
すことができる。

【００２５】チャンバ１２には、その内部に、ミキサ１
１に配管を介して接続されているノズル１５が配置さ
れ、このノズル１５の先端からミキサ１１内の原料粉末
１４がエアロゾル化されて噴射されるようになってい
る。ノズル１５の先端側には、マスク１６を介して基板
２０ａが配置されるようになっている。原料粉末１４が
噴射されると、粒子１４ａがマスク１６で被覆されてい
ない基板２０ａ表面に衝突して順に積層していくように
なっている。

【００２６】ロータリーポンプ１３は、チャンバ１２内
の圧力調整に用いられる。ここでは、チャンバ１２内の
圧力を、１０^-2Ｔｏｒｒに設定している。また、磁性膜
の形成は、例えば室温など、常温下で行うことができ
る。なお、基板２０ａへの磁性膜形成後には、従来スパ
ッタ法で最適組織を発現させる目的で行う熱処理は行わ
ない。

【００２７】このような磁性膜形成装置１０では、所望
の膜厚の磁性膜を高速で形成することができる。例え
ば、従来のスパッタ法では、磁性膜の膜厚が通常１μｍ
程度であるのに対し、ＡＤ法では、従来カバーできなか
った数μｍから５００μｍ程度の範囲の膜厚で磁性膜を
形成することができる。さらに、ＡＤ法による磁性膜の
成膜速度は、１０μｍ／ｍｉｎ程度と速く、工業的にも
優れた方法といえる。

【００２８】ＡＤ法によりナノグラニュラー構造の磁性
膜を形成する際には、金属磁性体粉末および高電気抵抗
粉末を原料粉末１４としてミキサ１１内に仕込んで混合
し、ノズル１５からエアロゾル化して基板２０ａに噴射
する。

【００２９】図２はＡＤ法で得られる磁性膜の模式図で
あって、（ａ）は断面図、（ｂ）は磁性膜組織を示す図
である。金属磁性体粉末および高電気抵抗粉末を原料と
してＡＤ法を行うと、図２（ａ）に示すように、被成膜
物２０に衝突した微粒子がその表面から積層されていっ
た磁性膜３０が形成される。この磁性膜３０は、図２
（ｂ）に示すように、主相である磁性相３０ａの粒界に
高電気抵抗相３０ｂが形成されたナノグラニュラー構造
の組織を有する。ＡＤ法で磁性膜３０を形成した場合、
高電気抵抗相３０ｂの酸素濃度は、磁性相３０ａのそれ
に比べて大きくなる傾向が見られ、高電気抵抗相３０ｂ
の絶縁性という点から有利である。

【００３０】このように形成された磁性膜３０の磁性相
３０ａと高電気抵抗相３０ｂとの組成比は、形成前に仕
込む金属磁性体粉末と高電気抵抗粉末との組成比にほぼ
一致するようになる。これに対し、従来のスパッタ法で
は、形成する磁性膜の組成は、用いるターゲット（Ｆｅ
とＡｌ₂Ｏ₃など）の面積割合で配合比を決定し、かつ、
熱処理により最適組織を発現させる必要があり、その制
御が困難であった。この点で、磁性膜３０の形成にＡＤ
法を用いると、形成できる磁性膜３０の組成の自由度を
格段に向上させることができる。

【００３１】ＡＤ法による磁性膜形成の原料に用いられ
る金属磁性体粉末としては、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどのほ
か、スパッタ法では使用が難しかったＦｅＣｏ，ＦｅＮ
ｉ，ＦｅＮｉＣｏ，ＭｎＡｌ，ＦｅＳｉＢ，ＣｏＳｉ
Ｂ，ＦｅＰｔ，ＣｏＰｔなども用いることができる。さ
らに、ＦｅＳｉＡｌやＦｅＡｌなども飽和磁化が比較的
大きく、磁性膜形成の原料として用いることが可能であ
る。

【００３２】また、高電気抵抗粉末としては、ＮｉＺｎ
フェライト，ＭｎＺｎフェライト，ＭｇＭｎフェライ
ト，ＮｉＺｎＣｕフェライト，ＮｉＺｎＣｏフェライト
や、Ｍ型フェライトであるＢａＦｅ₁₂Ｏ₁₉およびＳｒＦ
ｅ₁₂Ｏ₁₉、ＢａＦｅ₂Ｗ型フェライトであるＢａＦｅ₁₈
Ｏ₂₇、Ｃｏ₂−Ｚ型フェライトであるＢａ₃Ｃｏ₂Ｆｅ₂₄
Ｏ₄₁、Ｚｎ₂−Ｚ型フェライトであるＢａ₂Ｚｎ₂Ｆｅ₁₂
Ｏ₂₂、およびα−Ｆｅ₂Ｏ ₃，β−Ｆｅ₂Ｏ₃，γ−Ｆｅ₂
Ｏ₃などのフェライト材料を用いることができる。ま
た、これらのようなフェライト材料のほか、Ｆｅ₃Ｏ₄，
ＣｏＯ，ＮｉＯ，ＢａＴｉＯ₃，ＴｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，Ｓ
ｉＯ₂，ＭｇＯなどの高電気抵抗酸化物材料も用いるこ
とが可能である。

【００３３】例えば、磁性相がＮｉで高電気抵抗相がＡ
ｌ₂Ｏ₃であるＮｉ−Ａｌ₂Ｏ₃磁性膜の形成には、Ｎｉ粉
末（平均粒径５０ｎｍ）およびＡｌ₂Ｏ₃粉末（平均粒径
３００ｎｍ）を用いる。また、磁性相がＦｅＣｏで高電
気抵抗相がＮｉＺｎフェライトであるＦｅＣｏ−ＮｉＺ
ｎフェライト磁性膜の形成には、ＦｅＣｏ粉末（平均粒
径２００ｎｍ）およびＮｉＺｎフェライト粉末（平均粒
径５００ｎｍ）を用いる。さらに、磁性相がＦｅＮｉで
高電気抵抗相がＭｎＺｎフェライトであるＦｅＮｉ−Ｍ
ｎＺｎフェライト磁性膜の形成には、ＦｅＮｉ粉末（平
均粒径２００ｎｍ）およびＭｎＺｎフェライト粉末（平
均粒径５００ｎｍ）を用いる。

【００３４】ここで注目すべきは、このＡＤ法によれ
ば、ナノグラニュラー構造の磁性膜における高電気抵抗
相を、従来同様非磁性体で形成できるほか、磁性材料で
あるフェライトを用いて形成することができる点であ
る。すなわち、このような構造の磁性膜では、磁性相の
周囲を電気的に絶縁するための高電気抵抗相をも磁性体
で形成されているため、高い透磁率を示すようになる。

【００３５】従来のスパッタ法では、成膜後に熱処理を
行って最適組織を発現させるようにするが、この熱処理
でフェライトのような磁性かつ高電気抵抗の相を粒界に
発現させることは非常に困難である。一方、ＡＤ法によ
れば、前述のように、原料粉末の配合比で磁性膜の組成
が決まり、さらに、熱処理することなくナノグラニュラ
ー構造を実現できる。そのため、フェライトで高電気抵
抗相を形成できるとともに、熱処理によるその後の結晶
構造の変化もない。したがって、フェライトを用いて磁
性膜を形成すると、この磁性膜の特性に、そのフェライ
ト自体が持っているもともとの結晶構造、本来有してい
る透磁率を反映させることができる。

【００３６】したがって、例えば、ＦｅＣｏ，Ｆｅ，Ｎ
ｉおよびＦｅＮｉなどの高い透磁率を示す金属軟磁性体
と、ＮｉＺｎＣｕフェライト，ＭｎＺｎフェライト，Ｎ
ｉＺｎフェライトおよびＮｉＺｎＣｏフェライトなどの
軟磁性かつ高電気抵抗のフェライトとを用いれば、主
相、粒界とも軟磁性体で構成されたナノグラニュラー構
造の磁性膜を形成することができ、より磁性膜の高透磁
率化を図ることができる。

【００３７】上記の金属磁性体粉末と高電気抵抗粉末と
は任意に選択して用いることが可能である。また、金属
磁性体粉末と高電気抵抗粉末とが各１種である場合のほ
か、それぞれの原料粉末として複数種を選択して用いる
こともできる。

【００３８】これらの金属磁性体粉末のうち、ＦｅＣｏ
は飽和磁化が２．４Ｔ、Ｆｅは飽和磁化が２．２Ｔ、Ｎ
ｉは飽和磁化が０．６Ｔ、ＦｅＮｉは飽和磁化が１．１
Ｔと比較的高く、磁性膜の原料に適している。特に、Ｆ
ｅＣｏは特性的に優れ、Ｆｅはコスト的に優れており、
好適である。また、高電気抵抗粉末のうち、ＮｉＺｎＣ
ｕフェライト，ＮｉＺｎフェライト，ＮｉＺｎＣｏフェ
ライトは抵抗率が高くかつコストが低いため、好適に用
いることができる。さらに、ＭｎＺｎフェライトは、抵
抗率がＮｉＺｎＣｕフェライトなどに比べて若干低い
が、高い透磁率を示すので、磁性膜の高電気抵抗相の原
料として適している。

【００３９】ＡＤ法を用いて得られる磁性膜に対し、Ｘ
線回折測定を行い、その結果を用いてシェラーの式から
求めた構成組織の平均径は、ほぼ１０ｎｍ〜２０ｎｍ程
度であった。さらに、磁性膜の磁性相組織は、その径が
１ｎｍから５０ｎｍ程度のナノメートルオーダーの微細
組織であることが観察された。

【００４０】また、このＡＤ法を用いて得られる磁性膜
は、被成膜物に非常に強固に付着し、ガラス基板やＳｉ
Ｏ₂基板のほか、セラミクス、ポリカーボネート、ＡＢ
Ｓ樹脂、Ｍｇ合金、および各種チップ部品などにも形成
することができる。

【００４１】以上説明したように、磁性膜形成にＡＤ法
を用いることにより、成膜速度を速め、主相を磁性相、
粒界を高電気抵抗相とする磁性膜を、効率的に形成する
ことができる。このＡＤ法で形成される磁性膜の組成
は、原料粉末の組成で決まり、安定した組成の磁性膜を
容易に形成することができる。そして、磁性膜の主相、
粒界とも軟磁性体のナノグラニュラー構造とすることが
できるため、高い透磁率の磁性膜を形成することができ
る。

【００４２】また、ＡＤ法による磁性膜形成は低温プロ
セスであるため、熱による磁性膜組織の形態変化および
膜形成される被成膜物への影響が少ない。さらに、熱処
理を経ないため、従来のスパッタ法で磁性相を絶縁する
絶縁相材料に添加されていた焼結助剤などの微量不純物
が混入せず、高純度の磁性膜を形成することができる。
また、従来のスパッタ法のように、高額のターゲットを
必要としないため、低コストで磁性膜の形成が可能であ
る。

【００４３】また、磁性膜は、被成膜物との密着強度が
強い。さらに、従来のスパッタ法で形成困難であった膜
厚１μｍ以上、従来のシート状の電磁波吸収体で形成困
難であった膜厚５００μｍ以下の磁性膜を形成すること
が可能である。したがって、種々の材質の基板や部品な
どに、それらの用途あるいはスペースに合わせて任意に
磁性膜を形成することができる。

【００４４】以下、ＡＤ法を用いて形成した磁性膜の特
性を評価した結果について説明する。図３は磁気測定結
果を示す図である。図３では、横軸は磁界強度Ｈ（ｋＯ
ｅ）、縦軸は磁束密度Ｂ（ｋＧ）をそれぞれ表してい
る。

【００４５】ＡＤ法を用いて形成した膜厚２０μｍのＮ
ｉ膜について磁気測定結果を行った。Ｎｉの飽和磁化は
約５．４ｋＧであり、形成したＮｉ膜は、バルク特性を
ほぼそのまま示している。したがって、ＡＤ法により磁
性膜の形成が可能であるということができる。

【００４６】図４は飽和磁化測定結果を示す図である。
図４では、横軸はＮｉＺｎフェライトの組成比、縦軸は
飽和磁化（Ｔ）をそれぞれ表している。ここでは、ＡＤ
法を用いて形成したＦｅＣｏ−ＮｉＺｎフェライト磁性
膜について飽和磁化測定を行う。この磁性膜の形成は、
まず、Ｆｅに５０％のＣｏを含んだ平均粒径２００ｎｍ
のＦｅＣｏ粉末を還元法で形成した後、このＦｅＣｏ粉
末と、平均粒径２００ｎｍのＮｉＺｎフェライト粉末と
を、所定の割合で混合して原料粉末とする。そして、こ
の原料粉末を、ＳｉＯ₂基板に対して噴射し、磁性膜を
形成する。

【００４７】磁性膜中のＮｉＺｎフェライトの体積割合
を変化させて形成したときの磁性膜の飽和磁化を測定す
ると、原料粉末に占めるＮｉＺｎフェライト粉末の体積
増加に伴い、飽和磁化がほぼ直線的に減少する。すなわ
ち、ＦｅＣｏ粉末からの磁性相と、ＮｉＺｎフェライト
粉末からの高電気抵抗相とが、ＳｉＯ₂基板に所定の割
合で磁性膜として付着していると考えられる。

【００４８】図５は透磁率測定結果を示す図である。図
５では、横軸は周波数（ＧＨｚ）、縦軸は透磁率
（μ’，μ”）を表している。ここでは、ＦｅＣｏ−Ｎ
ｉＺｎフェライト磁性膜を用いて測定している。この磁
性膜に含まれるＮｉＺｎフェライトは２５％であり、磁
性膜の膜厚は５０μｍである。

【００４９】図５より、最大でμ’＝３５，μ”＝２８
程度の磁性膜が形成された。この特性は、電磁波吸収特
性で考えた場合、厚さｄ＝０．３ｍｍでμ”＝５の電磁
波吸収シートと比較すると、ＦｅＣｏ−ＮｉＺｎフェラ
イト磁性膜は、厚さｄ＝０．０５ｍｍでμ”＝２８であ
るので、厚さが電磁波吸収シートの６分の１にも関わら
ず、ほぼ同等電磁波吸収量Ｐ’を示すことになる（式
(２)参照）。

【００５０】したがって、従来のシート状のものよりも
厚みが薄く、また、スパッタ法で形成した磁性膜よりも
膜厚の厚い磁性膜を、高特性で形成することができる。
図６は電磁波吸収特性を示す図である。図６には、ＡＤ
法による磁性膜を通信機器の筐体に形成した場合の機器
内部から放射される電磁波レベルの周波数ごとの測定値
を示している。さらに、比較のため、磁性膜を形成しな
かった場合における電磁波レベルについても測定してい
る。なお、図６には、磁性膜を形成しなかった場合に放
射される電磁波レベルと、磁性膜を形成した場合に放射
される電磁波レベルとの差も示している。

【００５１】図６において、横軸は周波数、縦軸は機器
内部から放射される電磁波レベルを示している。通信機
器に磁性膜を形成することにより、放射される電磁波レ
ベルは減少し、この減少量の分、通信機器からの不要電
磁波の放射を低減させることができるようになる。

【００５２】

【発明の効果】以上説明したように本発明では、磁性膜
を、金属磁性体の磁性相同士をフェライトの高電気抵抗
相で電気的に絶縁する構成にした。これにより、すべて
磁性体で構成されたナノグラニュラー構造の磁性膜を形
成することができ、磁性膜を高透磁率化することができ
る。

【００５３】また、磁性膜形成にＡＤ法を用いること
で、フェライトを高電気抵抗相とする磁性膜を形成する
ことができるとともに、適当な膜厚の磁性膜を効率的か
つ低コストで形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】磁性膜形成装置の概略模式図である。

【図２】ＡＤ法で得られる磁性膜の模式図であって、
（ａ）は断面図、（ｂ）は磁性膜組織を示す図である。

【図３】磁気測定結果を示す図である。

【図４】飽和磁化測定結果を示す図である。

【図５】透磁率測定結果を示す図である。

【図６】電磁波吸収特性を示す図である。

【符号の説明】

１０……磁性膜形成装置、１１……ミキサ、１２……チ
ャンバ、１３……ロータリーポンプ、１４……原料粉
末、１４ａ……粒子、１５……ノズル、１６……マス
ク、２０……被成膜物、２０ａ……基板、３０……磁性
膜、３０ａ……磁性相、３０ｂ……高電気抵抗相。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者岡山克巳東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者小林薫東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者猪俣浩一郎宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉02 東北大学大学院工学研究科内 (72)発明者杉本諭宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉02 東北大学大学院工学研究科内Ｆターム(参考） 5E049 BA27 FC10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電磁波吸収能を有する磁性膜において、金属磁性体からなる磁性相と、前記磁性相同士を電気的に絶縁するフェライトからなる
高電気抵抗相と、を有することを特徴とする磁性膜。
【請求項２】膜厚が略１μｍないし略５００μｍであ
ることを特徴とする請求項１記載の磁性膜。
【請求項３】前記磁性相は、その周囲を前記高電気抵
抗相で被覆されたひとつの組織の径が、略１ｎｍないし
略５０ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の磁性
膜。
【請求項４】前記磁性相は、１種または２種以上の前
記金属磁性体からなることを特徴とする請求項１記載の
磁性膜。
【請求項５】前記高電気抵抗相は、高電気抵抗の酸化
物からなることを特徴とする請求項４記載の磁性膜。
【請求項６】電磁波吸収能を有する磁性膜の形成方法
において、形成する磁性膜の組成比で金属磁性体粉末と高電気抵抗
粉末とを混合し、混合された前記金属磁性体粉末と前記高電気抵抗粉末と
をエアロゾル化して被成膜物に噴射することを特徴とす
る磁性膜の形成方法。
【請求項７】前記高電気抵抗粉末は、フェライトの粉
末であることを特徴とする請求項６記載の磁性膜の形成
方法。
【請求項８】前記磁性膜の形成を常温下で行うことを
特徴とする請求項６記載の磁性膜の形成方法。