JP2003287439A - 回転検出装置 - Google Patents
回転検出装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】組み付けばらつきや経時変化が発生しても、常
に必要な検出感度と検出精度を確保することのできる回
転検出装置を提供する。 【解決手段】回転検出装置１００は、被検出体であるギ
ア３に向かってバイアス磁界４を発生する電磁石１０
と、電磁石１０を駆動してバイアス磁界４を発生するた
めの電磁石駆動回路６０と、バイアス磁界４の変化を電
気信号に変換する磁気素子２０と、磁気素子２０が出力
する電気信号を検出するための検出回路７とを備えるこ
とにより、磁気素子２０の出力を常に最適値に調整す
る。
に必要な検出感度と検出精度を確保することのできる回
転検出装置を提供する。 【解決手段】回転検出装置１００は、被検出体であるギ
ア３に向かってバイアス磁界４を発生する電磁石１０
と、電磁石１０を駆動してバイアス磁界４を発生するた
めの電磁石駆動回路６０と、バイアス磁界４の変化を電
気信号に変換する磁気素子２０と、磁気素子２０が出力
する電気信号を検出するための検出回路７とを備えるこ
とにより、磁気素子２０の出力を常に最適値に調整す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気素子を用いて
回転情報の検出を行う回転検出装置に関し、特に、車両
におけるエンジン制御や車両ブレーキにおけるＡＢＳ制
御に使用する回転検出装置に適用すると好適である。
回転情報の検出を行う回転検出装置に関し、特に、車両
におけるエンジン制御や車両ブレーキにおけるＡＢＳ制
御に使用する回転検出装置に適用すると好適である。
【０００２】
【従来の技術】従来より、エンジン制御や車両ブレーキ
におけるＡＢＳ制御に使用する回転検出装置は、永久磁
石を用いて歯車形状のギアに向けてバイアス磁界を発生
させ、ギアの「山」（ギア歯の凸部）と「谷」（ギア歯
の凹部）による「山」から「谷」、「谷」から「山」の
変化に基づいて、変位する磁界の方向を磁気抵抗効果素
子（ＭＲＥ）で検出することにより、ギアの回転状態を
検出している。
におけるＡＢＳ制御に使用する回転検出装置は、永久磁
石を用いて歯車形状のギアに向けてバイアス磁界を発生
させ、ギアの「山」（ギア歯の凸部）と「谷」（ギア歯
の凹部）による「山」から「谷」、「谷」から「山」の
変化に基づいて、変位する磁界の方向を磁気抵抗効果素
子（ＭＲＥ）で検出することにより、ギアの回転状態を
検出している。
【０００３】図６に、従来の回転検出装置の構成を模式
的に示す。
的に示す。
【０００４】図６の回転検出装置１０３にあっては、被
検出体である歯車形状のギア３の回転状態を検出するた
め、バイアス磁界４を発生する永久磁石９、ギア３の歯
の回転によって発生するバイアス磁界４の変化を電気信
号に変換する磁気素子２０を形成したＩＣチップ５０、
及び磁気素子２０からの電気信号を検出するための検出
回路７とを備えている。
検出体である歯車形状のギア３の回転状態を検出するた
め、バイアス磁界４を発生する永久磁石９、ギア３の歯
の回転によって発生するバイアス磁界４の変化を電気信
号に変換する磁気素子２０を形成したＩＣチップ５０、
及び磁気素子２０からの電気信号を検出するための検出
回路７とを備えている。
【０００５】回転検出装置１０３においては、永久磁石
９の端面の一方がＮ極、他方がＳ極になるように着磁さ
れており、永久磁石９の中心軸がバイアス磁界４の磁気
的中心をなしている。永久磁石９は、回転検出装置１０
３において、被検出体であるギア３に近い面がＮ極、遠
い面がＳ極となるように配置されている。
９の端面の一方がＮ極、他方がＳ極になるように着磁さ
れており、永久磁石９の中心軸がバイアス磁界４の磁気
的中心をなしている。永久磁石９は、回転検出装置１０
３において、被検出体であるギア３に近い面がＮ極、遠
い面がＳ極となるように配置されている。
【０００６】磁気素子２０を形成したＩＣチップ５０
は、永久磁石９が発生するバイアス磁界の方向変化の検
出を行うべく、永久磁石９と被検出体であるギア３の外
周面との間に位置するように、磁気素子２０と永久磁石
９からなる回転検出素子３０３において、永久磁石９の
N極の前方に配置されている。
は、永久磁石９が発生するバイアス磁界の方向変化の検
出を行うべく、永久磁石９と被検出体であるギア３の外
周面との間に位置するように、磁気素子２０と永久磁石
９からなる回転検出素子３０３において、永久磁石９の
N極の前方に配置されている。
【０００７】回転検出素子３０３は、永久磁石９の中心
軸上にギア３の回転軸が概ね位置するように、被検出体
であるギア３の外周面に対向して配置される。これによ
って、ギア３の外周面に向けて、永久磁石９がバイアス
磁界４を発生するようになっている。さらに、図６に示
したように、回転検出素子３０３は、２つのＭＲＥ２０
１、２０２からなる磁気素子２０を形成したＩＣチップ
５０の平面がギア３の両端面が形成する平面の間に位置
するように配置される。
軸上にギア３の回転軸が概ね位置するように、被検出体
であるギア３の外周面に対向して配置される。これによ
って、ギア３の外周面に向けて、永久磁石９がバイアス
磁界４を発生するようになっている。さらに、図６に示
したように、回転検出素子３０３は、２つのＭＲＥ２０
１、２０２からなる磁気素子２０を形成したＩＣチップ
５０の平面がギア３の両端面が形成する平面の間に位置
するように配置される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の回転検出装置１
では、次の図７に示したような問題が生じる。尚、図７
において図６と同様の部分については同一の符号をつ
け、その説明を省略する。
では、次の図７に示したような問題が生じる。尚、図７
において図６と同様の部分については同一の符号をつ
け、その説明を省略する。
【０００９】図７（ａ）は、回転検出素子３０３の製造
工程において発生する問題の一例である。図７（ａ）
は、永久磁石９とＩＣチップ５０の組み付けばらつきに
より、永久磁石９と磁気素子２０の間の距離Ｌmsが規定
の値より大きくなった場合を示す。回転検出素子３０３
の製造工程にあっては、永久磁石９とＩＣチップ５０の
組み付けばらつきが存在するために、永久磁石９と磁気
素子２０の間の距離Ｌmsが製品毎に変化する。組み付け
られる永久磁石９の磁界強度が一定であるとしても、図
７（ａ）の距離Ｌmsが異なると、磁気素子２０に印加さ
れる磁界強度は変化する。従って、図７（ａ）のように
距離Ｌmsが規定の値より大きくなると、磁気素子２０に
必要なバイアス磁界強度４が十分に得られず、磁気素子
２０は感度不足になるという問題が生じる。さらに、回
転検出素子３０３を構成する永久磁石９の発生する磁界
強度や磁気素子２０の感度についても、実際には部品毎
にばらつきがある。従って、永久磁石９の発生する磁界
強度が規定値よりも小さいものや、磁気素子２０の感度
が規定値より低い場合にも、回転検出素子３０３の感度
が不足するといった問題が生じる。また、図７（ａ）の
距離Ｌmsや永久磁石９の発生する磁界強度だけでなく、
永久磁石９とＩＣチップ５０の相対的な組み付けの向き
や永久磁石９の磁化方向のばらつきも存在し、これらの
方向ばらつきによっても磁気素子２０の検出精度が劣化
する。
工程において発生する問題の一例である。図７（ａ）
は、永久磁石９とＩＣチップ５０の組み付けばらつきに
より、永久磁石９と磁気素子２０の間の距離Ｌmsが規定
の値より大きくなった場合を示す。回転検出素子３０３
の製造工程にあっては、永久磁石９とＩＣチップ５０の
組み付けばらつきが存在するために、永久磁石９と磁気
素子２０の間の距離Ｌmsが製品毎に変化する。組み付け
られる永久磁石９の磁界強度が一定であるとしても、図
７（ａ）の距離Ｌmsが異なると、磁気素子２０に印加さ
れる磁界強度は変化する。従って、図７（ａ）のように
距離Ｌmsが規定の値より大きくなると、磁気素子２０に
必要なバイアス磁界強度４が十分に得られず、磁気素子
２０は感度不足になるという問題が生じる。さらに、回
転検出素子３０３を構成する永久磁石９の発生する磁界
強度や磁気素子２０の感度についても、実際には部品毎
にばらつきがある。従って、永久磁石９の発生する磁界
強度が規定値よりも小さいものや、磁気素子２０の感度
が規定値より低い場合にも、回転検出素子３０３の感度
が不足するといった問題が生じる。また、図７（ａ）の
距離Ｌmsや永久磁石９の発生する磁界強度だけでなく、
永久磁石９とＩＣチップ５０の相対的な組み付けの向き
や永久磁石９の磁化方向のばらつきも存在し、これらの
方向ばらつきによっても磁気素子２０の検出精度が劣化
する。
【００１０】図７（ｂ）は、回転検出素子３０３の被検
出体３への適用にあたって発生する問題の一例である。
図７（ｂ）は、回転検出素子３０３の被検出体であるギ
ア３への適用にあたって、回転検出素子３０３のギア３
への組み付けばらつきにより、磁気素子２０とギア３の
間の距離Ｌswが規定の値より大きくなった場合を示す。
回転検出装置１にあっては、被検出体であるギア３の回
転に伴うバイアス磁界４の変化を磁気素子２０で検出
し、ギア３の回転状態を検出する。従って、図７（ｂ）
のように磁気素子２０とギア３の間の距離Ｌswが規定の
値より大きくなると、ギア３の回転による磁気素子２０
の位置でのバイアス磁界の変化量が小さくなり、この場
合も、磁気素子２０は感度不足になるという問題が生じ
る。さらに、図７（ｂ）の距離Ｌswだけでなく、ギア３
に対する回転検出素子３０３の相対的な組み付けの向き
のばらつきも存在し、この方向ばらつきによっても磁気
素子２０の検出精度が劣化する。また、永久磁石９の発
生する磁界強度は経時変化があるため、回転検出素子３
０３を長期間使用すると、回転検出素子３０３の感度が
低下するといった問題が生じる。
出体３への適用にあたって発生する問題の一例である。
図７（ｂ）は、回転検出素子３０３の被検出体であるギ
ア３への適用にあたって、回転検出素子３０３のギア３
への組み付けばらつきにより、磁気素子２０とギア３の
間の距離Ｌswが規定の値より大きくなった場合を示す。
回転検出装置１にあっては、被検出体であるギア３の回
転に伴うバイアス磁界４の変化を磁気素子２０で検出
し、ギア３の回転状態を検出する。従って、図７（ｂ）
のように磁気素子２０とギア３の間の距離Ｌswが規定の
値より大きくなると、ギア３の回転による磁気素子２０
の位置でのバイアス磁界の変化量が小さくなり、この場
合も、磁気素子２０は感度不足になるという問題が生じ
る。さらに、図７（ｂ）の距離Ｌswだけでなく、ギア３
に対する回転検出素子３０３の相対的な組み付けの向き
のばらつきも存在し、この方向ばらつきによっても磁気
素子２０の検出精度が劣化する。また、永久磁石９の発
生する磁界強度は経時変化があるため、回転検出素子３
０３を長期間使用すると、回転検出素子３０３の感度が
低下するといった問題が生じる。
【００１１】そこで、本発明の目的は、当該回転検出装
置の組み付け時のばらつきや、当該回転検出装置を被検
出体に適用するにあたっての組み付けばらつきが発生し
ても、必要な検出感度と検出精度を確保することのでき
る回転検出装置を提供することにある。
置の組み付け時のばらつきや、当該回転検出装置を被検
出体に適用するにあたっての組み付けばらつきが発生し
ても、必要な検出感度と検出精度を確保することのでき
る回転検出装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に記載の回転検出装置は、被検出体である
歯車形状のギアの回転状態を検出するための回転検出装
置において、前記歯車形状のギアの歯に向けてバイアス
磁界を発生する電磁石と、前記電磁石を駆動してバイア
ス磁界を発生するための電磁石駆動回路と、前記ギアと
前記電磁石との間であって、前記ギアの歯の回転によっ
て発生するバイアス磁界の変化を電気信号に変換する磁
気素子と、前記磁気素子が出力する電気信号を検出する
ための検出回路とを備えたことを特徴としている。
に、請求項１に記載の回転検出装置は、被検出体である
歯車形状のギアの回転状態を検出するための回転検出装
置において、前記歯車形状のギアの歯に向けてバイアス
磁界を発生する電磁石と、前記電磁石を駆動してバイア
ス磁界を発生するための電磁石駆動回路と、前記ギアと
前記電磁石との間であって、前記ギアの歯の回転によっ
て発生するバイアス磁界の変化を電気信号に変換する磁
気素子と、前記磁気素子が出力する電気信号を検出する
ための検出回路とを備えたことを特徴としている。
【００１３】これによれば、回転状態を検出するために
被検出体と磁気素子に印加されるバイアス磁界は、電磁
石によって発生される。電磁石は、電磁石駆動回路から
の電流によってバイアス磁界を発生するが、電流の値を
変化させることで、バイアス磁界の大きさも容易に変化
させることができる。従って、当該回転検出装置の組み
付け時のばらつきや、当該回転検出装置を被検出体に適
用するにあたっての組み付けばらつきが発生しても、そ
れらの組み付け状態を調整することなしに、組み付け後
でも調整容易な電磁石への電流の値を変えることで、磁
気素子や被検出体へ印加するバイアス磁界の大きさを容
易に調整することが可能となる。これにより、当該回転
検出装置の適正な検出感度と検出精度を、容易に確保す
ることができる。
被検出体と磁気素子に印加されるバイアス磁界は、電磁
石によって発生される。電磁石は、電磁石駆動回路から
の電流によってバイアス磁界を発生するが、電流の値を
変化させることで、バイアス磁界の大きさも容易に変化
させることができる。従って、当該回転検出装置の組み
付け時のばらつきや、当該回転検出装置を被検出体に適
用するにあたっての組み付けばらつきが発生しても、そ
れらの組み付け状態を調整することなしに、組み付け後
でも調整容易な電磁石への電流の値を変えることで、磁
気素子や被検出体へ印加するバイアス磁界の大きさを容
易に調整することが可能となる。これにより、当該回転
検出装置の適正な検出感度と検出精度を、容易に確保す
ることができる。
【００１４】請求項２に記載したように、前記電磁石駆
動回路は、前記電磁石を構成しているコイルに流す電流
を発生するための電流発生回路と、前記電流発生回路に
よって発生する電流の大きさを設定する電流設定回路と
を有し、当該回転検出装置の製造工程内で、前記電流設
定回路によりコイルに流す電流と前記電磁石が発生する
バイアス磁界が設定され、前記磁気素子が出力する電気
信号が所定の基準値に調整されることを特徴としてい
る。
動回路は、前記電磁石を構成しているコイルに流す電流
を発生するための電流発生回路と、前記電流発生回路に
よって発生する電流の大きさを設定する電流設定回路と
を有し、当該回転検出装置の製造工程内で、前記電流設
定回路によりコイルに流す電流と前記電磁石が発生する
バイアス磁界が設定され、前記磁気素子が出力する電気
信号が所定の基準値に調整されることを特徴としてい
る。
【００１５】これによれば、当該回転検出装置の製造工
程内で組み付けばらつきが発生しても、電磁石駆動回路
に設けた電流設定回路により電磁石の駆動電流とバイア
ス磁界の大きさを変えて、磁気素子が出力する電気信号
を最適に調整して出荷することが可能となる。
程内で組み付けばらつきが発生しても、電磁石駆動回路
に設けた電流設定回路により電磁石の駆動電流とバイア
ス磁界の大きさを変えて、磁気素子が出力する電気信号
を最適に調整して出荷することが可能となる。
【００１６】請求項３に記載したように、前記電流設定
回路は、バイアス磁界の大きさを検出して、バイアス磁
界の大きさに応じて設定する電流値を変化することがで
きる回路であり、当該回転検出装置の使用開始時に、前
記電流設定回路によりコイルに流す電流と前記電磁石が
発生するバイアス磁界が設定され、前記磁気素子が出力
する電気信号が所定の基準値に調整されることを特徴と
している。
回路は、バイアス磁界の大きさを検出して、バイアス磁
界の大きさに応じて設定する電流値を変化することがで
きる回路であり、当該回転検出装置の使用開始時に、前
記電流設定回路によりコイルに流す電流と前記電磁石が
発生するバイアス磁界が設定され、前記磁気素子が出力
する電気信号が所定の基準値に調整されることを特徴と
している。
【００１７】これによれば、当該回転検出装置を用いて
被検出体の回転状態を検出するに際して、使用開始時
に、電流設定回路が現状のバイアス磁界の大きさを検出
し、電流発生回路により発生する電磁石の駆動電流とバ
イアス磁界の大きさを変えて、磁気素子が出力する電気
信号を最適に調整することが可能となる。従って、磁気
素子の組み付け状態や感度に経時変化が生じていても、
回転検出装置の使用時には、磁気素子が出力する電気信
号を常に最適な状態に調整しておくことが可能となる。
被検出体の回転状態を検出するに際して、使用開始時
に、電流設定回路が現状のバイアス磁界の大きさを検出
し、電流発生回路により発生する電磁石の駆動電流とバ
イアス磁界の大きさを変えて、磁気素子が出力する電気
信号を最適に調整することが可能となる。従って、磁気
素子の組み付け状態や感度に経時変化が生じていても、
回転検出装置の使用時には、磁気素子が出力する電気信
号を常に最適な状態に調整しておくことが可能となる。
【００１８】請求項４に記載したように、前記電磁石を
複数個配置して、バイアス磁界を設定することが好まし
い。これによれば、当該回転検出装置の電磁石や磁気素
子の組み付け向きのばらつきや、当該回転検出装置を被
検出体に適用するにあたっての被検出体に対する組み付
け向きのばらつきが発生しても、バイアス磁界の向きを
容易に変えることができる。従って、当該回転検出装置
の適切な検出感度と検出精度を、容易に確保することが
できる。
複数個配置して、バイアス磁界を設定することが好まし
い。これによれば、当該回転検出装置の電磁石や磁気素
子の組み付け向きのばらつきや、当該回転検出装置を被
検出体に適用するにあたっての被検出体に対する組み付
け向きのばらつきが発生しても、バイアス磁界の向きを
容易に変えることができる。従って、当該回転検出装置
の適切な検出感度と検出精度を、容易に確保することが
できる。
【００１９】請求項５に記載したように、前記磁気素子
は、磁気抵抗効果素子またはホール効果素子であること
を特徴としている。
は、磁気抵抗効果素子またはホール効果素子であること
を特徴としている。
【００２０】これによれば、検出感度が高いがバイアス
磁界の強度や方向に影響されやすい磁気抵抗効果素子や
ホール効果素子であっても、当該回転検出装置の組み付
け時や当該回転検出装置を被検出体に適用する際の組み
付けばらつきが発生しても、容易にバイアス磁界を調整
することができ、当該回転検出装置の適切な検出感度と
検出精度を確保することができる。
磁界の強度や方向に影響されやすい磁気抵抗効果素子や
ホール効果素子であっても、当該回転検出装置の組み付
け時や当該回転検出装置を被検出体に適用する際の組み
付けばらつきが発生しても、容易にバイアス磁界を調整
することができ、当該回転検出装置の適切な検出感度と
検出精度を確保することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【００２２】（第１の実施形態）図１（ａ）は、本実施
形態における回転検出装置の構成を示す模式図である。
以下、図１（ａ）に示した回転検出装置１００について
説明するが、図１（ａ）において、図６と同様の部分に
ついては同一の符号をつけ、その説明を省略する。
形態における回転検出装置の構成を示す模式図である。
以下、図１（ａ）に示した回転検出装置１００について
説明するが、図１（ａ）において、図６と同様の部分に
ついては同一の符号をつけ、その説明を省略する。
【００２３】図１（ａ）の回転検出装置１００にあって
は、被検出体である歯車形状のギア３の回転状態を検出
するため、ギア３の歯３０に向けてバイアス磁界４を発
生する電磁石１０、この電磁石１０を駆動してバイアス
磁界４を発生するための電磁石駆動回路６０、ギア３の
歯３０の回転によって発生するバイアス磁界４の変化を
電気信号に変換する磁気素子２０を形成したＩＣチップ
５０、及び磁気素子２０からの電気信号を検出するため
の検出回路７とを備えている。
は、被検出体である歯車形状のギア３の回転状態を検出
するため、ギア３の歯３０に向けてバイアス磁界４を発
生する電磁石１０、この電磁石１０を駆動してバイアス
磁界４を発生するための電磁石駆動回路６０、ギア３の
歯３０の回転によって発生するバイアス磁界４の変化を
電気信号に変換する磁気素子２０を形成したＩＣチップ
５０、及び磁気素子２０からの電気信号を検出するため
の検出回路７とを備えている。
【００２４】電磁石１０は、コイル１１とコアとなる鉄
心１２により構成されている。電磁石１０では、コイル
１１に流す電流の向きにより鉄心１２の先端の磁極を切
り替えることができるが、図１（ａ）の回転検出装置１
００の例では、被検出体であるギア３に面したほうがＮ
極になるように、電磁石１０に電流を流している。鉄心
１２の中心軸の方向は、バイアス磁界４の磁気的中心を
なしている。
心１２により構成されている。電磁石１０では、コイル
１１に流す電流の向きにより鉄心１２の先端の磁極を切
り替えることができるが、図１（ａ）の回転検出装置１
００の例では、被検出体であるギア３に面したほうがＮ
極になるように、電磁石１０に電流を流している。鉄心
１２の中心軸の方向は、バイアス磁界４の磁気的中心を
なしている。
【００２５】電磁石１０を駆動するための電磁石駆動回
路６０は、電流値が設定変更可能な電流発生回路６１を
有しており、電流設定回路６２によりコイル１１に流す
電流を変化させて適当な値に設定することで、磁気素子
２０に印加されるバイアス磁界４の大きさを最適に調整
する。
路６０は、電流値が設定変更可能な電流発生回路６１を
有しており、電流設定回路６２によりコイル１１に流す
電流を変化させて適当な値に設定することで、磁気素子
２０に印加されるバイアス磁界４の大きさを最適に調整
する。
【００２６】回転検出装置１００は、磁気素子２０を形
成したＩＣチップ５０を備えている。この磁気素子２０
は、この場合薄膜状のＭＲＥであり、ＩＣチップ５０上
に形成され、このＩＣチップ５０の面に略平行に横切る
磁力線の強さと方向に応じて自身の抵抗値が変化するも
のである。磁気素子２０を形成したＩＣチップ５０は、
電磁石１０が発生するバイアス磁界４の変化を検出すべ
く、電磁石１０と被検出体であるギア３の間に位置する
ように、電磁石１０の鉄心１２の中心軸方向に沿って、
一方の磁極の前方に配置される。その際、ギア３の回転
軸方向の端面３１が形成する平面（この場合、紙面に平
行）に概ね平行な面内に配置され、電磁石１０からの磁
力線がＩＣチップ５０の面を略平行に横切るように設定
されている。
成したＩＣチップ５０を備えている。この磁気素子２０
は、この場合薄膜状のＭＲＥであり、ＩＣチップ５０上
に形成され、このＩＣチップ５０の面に略平行に横切る
磁力線の強さと方向に応じて自身の抵抗値が変化するも
のである。磁気素子２０を形成したＩＣチップ５０は、
電磁石１０が発生するバイアス磁界４の変化を検出すべ
く、電磁石１０と被検出体であるギア３の間に位置する
ように、電磁石１０の鉄心１２の中心軸方向に沿って、
一方の磁極の前方に配置される。その際、ギア３の回転
軸方向の端面３１が形成する平面（この場合、紙面に平
行）に概ね平行な面内に配置され、電磁石１０からの磁
力線がＩＣチップ５０の面を略平行に横切るように設定
されている。
【００２７】ＩＣチップ５０の表面上には、磁気素子２
０を構成する２つのＭＲＥ２０１，２０２が形成されて
おり、ＭＲＥ２０１，２０２はそれぞれの長手方向に電
流が流れるように配線処理がなされている。２つのＭＲ
Ｅ２０１，２０２は、それぞれ長手方向がバイアス磁界
４の磁気的中心（鉄心１２の中心軸）に対して４５度と
−４５度の角度を成すように、すなわち互いに直交する
ハの字状になるように配置されており、異なった方向性
を有している。なお、ＩＣチップ５０は、電磁石１０と
一体となるように組み付けられ、回転検出素子３００と
して、電磁石６０と共にモールド樹脂（図示せず）によ
って封止される。
０を構成する２つのＭＲＥ２０１，２０２が形成されて
おり、ＭＲＥ２０１，２０２はそれぞれの長手方向に電
流が流れるように配線処理がなされている。２つのＭＲ
Ｅ２０１，２０２は、それぞれ長手方向がバイアス磁界
４の磁気的中心（鉄心１２の中心軸）に対して４５度と
−４５度の角度を成すように、すなわち互いに直交する
ハの字状になるように配置されており、異なった方向性
を有している。なお、ＩＣチップ５０は、電磁石１０と
一体となるように組み付けられ、回転検出素子３００と
して、電磁石６０と共にモールド樹脂（図示せず）によ
って封止される。
【００２８】回転検出素子３００は、電磁石１０の鉄心
１２の中心軸上にギア３の回転軸が概ね位置するよう
に、被検出体であるギア３の歯３０に対向して配置され
る。これによって、ギア３の歯３０に向けて、電磁石１
０がバイアス磁界４を発生する配置となる。また、回転
検出素子３００は、２つのＭＲＥ２０１，２０２が形成
されたＩＣチップ５０の面の向きがギア３の端面３１と
略平行となるように、配置される。
１２の中心軸上にギア３の回転軸が概ね位置するよう
に、被検出体であるギア３の歯３０に対向して配置され
る。これによって、ギア３の歯３０に向けて、電磁石１
０がバイアス磁界４を発生する配置となる。また、回転
検出素子３００は、２つのＭＲＥ２０１，２０２が形成
されたＩＣチップ５０の面の向きがギア３の端面３１と
略平行となるように、配置される。
【００２９】図１（ｂ）に、磁気素子２０と検出回路７
の電気回路構成を示す。２つのＭＲＥ２０１，２０２が
互いに直列接続されて、１組のＭＲＥブリッジからなる
磁気素子２０が構成される。このＭＲＥブリッジ２０は
ＭＲＥ２０２からＭＲＥ２０１に向けて所定の電流が流
され、直列接続された２つのＭＲＥ２０１，２０２の中
点電位がＭＲＥブリッジ２０の出力電圧として、検出回
路７で検出される。
の電気回路構成を示す。２つのＭＲＥ２０１，２０２が
互いに直列接続されて、１組のＭＲＥブリッジからなる
磁気素子２０が構成される。このＭＲＥブリッジ２０は
ＭＲＥ２０２からＭＲＥ２０１に向けて所定の電流が流
され、直列接続された２つのＭＲＥ２０１，２０２の中
点電位がＭＲＥブリッジ２０の出力電圧として、検出回
路７で検出される。
【００３０】具体的には、ＭＲＥブリッジ２０の出力電
位が、図１（ｂ）に示すように検出回路７に設けたコン
パレータの反転入力端子に入力されるようになってお
り、コンパレータの非反転入力端子に入力された所定の
しきい値電圧と比較される。
位が、図１（ｂ）に示すように検出回路７に設けたコン
パレータの反転入力端子に入力されるようになってお
り、コンパレータの非反転入力端子に入力された所定の
しきい値電圧と比較される。
【００３１】次に、図２（ａ）、（ｂ）に基づいて、本
実施形態における回転検出装置１００における、ギア３
の回転状態の検出原理を説明する。図２（ａ）は、ギア
３の回転にともなうバイアス磁界４の変化の様子を経時
的に示したものであり、図２（ｂ）は、ギア３の回転に
ともなうＭＲＥブリッジ２０の出力電位を経時的に示し
たものである。
実施形態における回転検出装置１００における、ギア３
の回転状態の検出原理を説明する。図２（ａ）は、ギア
３の回転にともなうバイアス磁界４の変化の様子を経時
的に示したものであり、図２（ｂ）は、ギア３の回転に
ともなうＭＲＥブリッジ２０の出力電位を経時的に示し
たものである。
【００３２】ＭＲＥブリッジ２０では、磁性体であるギ
ア３の回転に伴う、ＭＲＥ２０１，２０２を通過するバ
イアス磁界４の向き、すなわち磁力線の向きの変化を検
出している。バイアス磁界４の向きの変化は、ＭＲＥブ
リッジ２０の出力電位に変換され、コンパレータで所定
のしきい値電圧と比較される。
ア３の回転に伴う、ＭＲＥ２０１，２０２を通過するバ
イアス磁界４の向き、すなわち磁力線の向きの変化を検
出している。バイアス磁界４の向きの変化は、ＭＲＥブ
リッジ２０の出力電位に変換され、コンパレータで所定
のしきい値電圧と比較される。
【００３３】図２（ａ）に示したように、ギア歯３０が
「山」（ギア歯３０の凸部）の中心位置にある場合４
１，４５，４９と「谷」（ギア歯３０の凹部）の中心位
置にある場合４３，４７では、電磁石１０からギア歯３
０に向けて放出される磁力線が左右対称となる。このた
め、ＭＲＥブリッジ２０の位置でのバイアス磁界４は、
電磁石１０の鉄心１２の中心軸に対して平行の方向を向
き、ギア歯３０に対して垂直の向きである。この時、Ｍ
ＲＥブリッジ２０の２つのＭＲＥ２０１，２０２は同じ
抵抗値となるため、図２（ｂ）に示したＭＲＥブリッジ
２０の出力電位は、中点電位の値となる。
「山」（ギア歯３０の凸部）の中心位置にある場合４
１，４５，４９と「谷」（ギア歯３０の凹部）の中心位
置にある場合４３，４７では、電磁石１０からギア歯３
０に向けて放出される磁力線が左右対称となる。このた
め、ＭＲＥブリッジ２０の位置でのバイアス磁界４は、
電磁石１０の鉄心１２の中心軸に対して平行の方向を向
き、ギア歯３０に対して垂直の向きである。この時、Ｍ
ＲＥブリッジ２０の２つのＭＲＥ２０１，２０２は同じ
抵抗値となるため、図２（ｂ）に示したＭＲＥブリッジ
２０の出力電位は、中点電位の値となる。
【００３４】次に、ギア歯３１が「山」から「谷」への
境界位置にある場合４２，４６と「谷」から「山」への
境界位置にある場合４４，４８では、電磁石１０からギ
ア歯３０に向けて放出される磁力線は、磁性体であるギ
ア歯３０の「山」側に引き寄せられる方向に向く。従っ
て、ギア３の回転によって「山」から「谷」へ移る場合
４２，４６と「谷」から「山」へ移る場合４４，４８と
では、図２（ａ）に示したように、バイアス磁界４の振
れる方向が逆転する。このため、図２（ｂ）に示したＭ
ＲＥブリッジ２０の出力電位は、それぞれ極大値と極小
値をとる。
境界位置にある場合４２，４６と「谷」から「山」への
境界位置にある場合４４，４８では、電磁石１０からギ
ア歯３０に向けて放出される磁力線は、磁性体であるギ
ア歯３０の「山」側に引き寄せられる方向に向く。従っ
て、ギア３の回転によって「山」から「谷」へ移る場合
４２，４６と「谷」から「山」へ移る場合４４，４８と
では、図２（ａ）に示したように、バイアス磁界４の振
れる方向が逆転する。このため、図２（ｂ）に示したＭ
ＲＥブリッジ２０の出力電位は、それぞれ極大値と極小
値をとる。
【００３５】図２（ｂ）に示した中点電位は、図１
（ａ）で示した回転検出素子３００としてＩＣチップ５
０と電磁石１０と一体的に組み付ける際の組み付けばら
つきや、回転検出素子３００を被検出体であるギア３に
対向して配置する際の組み付けばらつきによって、適正
な値からはずれることがある。このＭＲＥブリッジ２０
の中点電位の適正値からのずれは、回転検出装置１００
の製造工程内における回転検出素子３００の組み付け後
や、回転検出装置１００を被検出体であるギア３に適用
して回転状態を検出する際の直前に、図２（ｂ）に示し
たように調整される。
（ａ）で示した回転検出素子３００としてＩＣチップ５
０と電磁石１０と一体的に組み付ける際の組み付けばら
つきや、回転検出素子３００を被検出体であるギア３に
対向して配置する際の組み付けばらつきによって、適正
な値からはずれることがある。このＭＲＥブリッジ２０
の中点電位の適正値からのずれは、回転検出装置１００
の製造工程内における回転検出素子３００の組み付け後
や、回転検出装置１００を被検出体であるギア３に適用
して回転状態を検出する際の直前に、図２（ｂ）に示し
たように調整される。
【００３６】図２（ｂ）に示した中点電位の調整は、図
１（ａ）の電磁石駆動回路６０に設けた電流設定回路６
２によりコイル１１に流す電流と電磁石１０で発生する
バイアス磁界４を変えて、容易に適正値に調整すること
ができる。このようにして、本発明の回転検出装置１０
０の製造工程においては、回転検出素子３００を磁性体
であるギア３に対向させて中点電位の適正値からのずれ
を調整することにより、回転検出装置１００の検出感度
と検出精度のばらつきを極力低減した状態で、出荷する
ことが可能となる。
１（ａ）の電磁石駆動回路６０に設けた電流設定回路６
２によりコイル１１に流す電流と電磁石１０で発生する
バイアス磁界４を変えて、容易に適正値に調整すること
ができる。このようにして、本発明の回転検出装置１０
０の製造工程においては、回転検出素子３００を磁性体
であるギア３に対向させて中点電位の適正値からのずれ
を調整することにより、回転検出装置１００の検出感度
と検出精度のばらつきを極力低減した状態で、出荷する
ことが可能となる。
【００３７】図３に、使用開始時に、磁気素子が出力す
る電気信号の調整が可能な回転検出装置の構成を示す。
図３においては、バイアス磁界４の大きさを検出して、
バイアス磁界４の大きさに応じて設定する電流値を変化
させる電流設定回路６２を、ブロック別に示している。
る電気信号の調整が可能な回転検出装置の構成を示す。
図３においては、バイアス磁界４の大きさを検出して、
バイアス磁界４の大きさに応じて設定する電流値を変化
させる電流設定回路６２を、ブロック別に示している。
【００３８】図３に示す電流設定回路６２においては、
ＭＲＥブリッジ２０の出力電位をＡＭＰ６０１で増幅
し、極大検出器６０２と極小検出器６０３を用いて、増
幅した出力電位から極大値と極小値を検出する。次に、
演算器６０４を用いて、中点電位の演算と適正中点電位
への補正量を決定する。その後、発振器６０５，アップ
ダウンカウンタ６０６，ＤＡコンバータ６０７を用いて
補正量に対応する信号を電流発生回路６１に送り、電流
発生回路６１で発生する電流と電磁石１０で発生するバ
イアス磁界４を変えて、ＭＲＥブリッジ２０の中点電位
を適正中点電位に調整する。尚、補正量は、ＥＰＲＯＭ
やＥＥＰＲＯＭに記憶しておく。
ＭＲＥブリッジ２０の出力電位をＡＭＰ６０１で増幅
し、極大検出器６０２と極小検出器６０３を用いて、増
幅した出力電位から極大値と極小値を検出する。次に、
演算器６０４を用いて、中点電位の演算と適正中点電位
への補正量を決定する。その後、発振器６０５，アップ
ダウンカウンタ６０６，ＤＡコンバータ６０７を用いて
補正量に対応する信号を電流発生回路６１に送り、電流
発生回路６１で発生する電流と電磁石１０で発生するバ
イアス磁界４を変えて、ＭＲＥブリッジ２０の中点電位
を適正中点電位に調整する。尚、補正量は、ＥＰＲＯＭ
やＥＥＰＲＯＭに記憶しておく。
【００３９】上記の調整は、例えば車両に取り付けた回
転検出装置１００にあっては、使用開始時の電源投入毎
に自動的に行うように、電流設定回路６２の回路を構成
する。これにより、磁気素子２０の組み付け状態や感度
に経時変化が生じていても、回転検出装置１００の使用
時には磁気素子２０が出力する電気信号を常に最適な状
態に調整して、回転検出装置１００を使用することがで
きる。
転検出装置１００にあっては、使用開始時の電源投入毎
に自動的に行うように、電流設定回路６２の回路を構成
する。これにより、磁気素子２０の組み付け状態や感度
に経時変化が生じていても、回転検出装置１００の使用
時には磁気素子２０が出力する電気信号を常に最適な状
態に調整して、回転検出装置１００を使用することがで
きる。
【００４０】また図３では、バイアス磁界４の設定とギ
ア３の回転状態の検出にＭＲＥブリッジ２０を兼用して
用いているが、２個のＭＲＥブリッジを用いて、一方の
ＭＲＥブリッジをギア３の回転状態の検出に用いて、も
う一方のＭＲＥブリッジの出力信号をバイアス磁界設定
のための参照として用いることもできる。
ア３の回転状態の検出にＭＲＥブリッジ２０を兼用して
用いているが、２個のＭＲＥブリッジを用いて、一方の
ＭＲＥブリッジをギア３の回転状態の検出に用いて、も
う一方のＭＲＥブリッジの出力信号をバイアス磁界設定
のための参照として用いることもできる。
【００４１】このようにして、回転検出素子３００を常
に最適な状態で作動させることができ、回転検出装置１
００の検出感度と検出精度を、常に最適な状態に保つこ
とができる。
に最適な状態で作動させることができ、回転検出装置１
００の検出感度と検出精度を、常に最適な状態に保つこ
とができる。
【００４２】尚、磁気素子２０は、図１においては、ギ
ア３の回転軸方向の端面３１が形成する平面（紙面に平
行）に概ね平行な面内に配置して、この平行な面内にあ
るバイアス磁界４（平行成分）の変化を検出したが、ギ
ア３の端面３１が形成する平面に垂直な面内に配置する
ことも可能である。この場合には、磁気素子２０は、ギ
ア３の端面３１が形成する平面に垂直な面内にあるバイ
アス磁界４（垂直成分）の変化を検出する。
ア３の回転軸方向の端面３１が形成する平面（紙面に平
行）に概ね平行な面内に配置して、この平行な面内にあ
るバイアス磁界４（平行成分）の変化を検出したが、ギ
ア３の端面３１が形成する平面に垂直な面内に配置する
ことも可能である。この場合には、磁気素子２０は、ギ
ア３の端面３１が形成する平面に垂直な面内にあるバイ
アス磁界４（垂直成分）の変化を検出する。
【００４３】（第２の実施形態）第１の実施形態では、
被検出体であるギアと磁気素子にバイアス磁界を印加す
るために、１個の電磁石とその電磁石を駆動するための
電磁石駆動回路を有する回転検出装置を示した。本実施
形態は、前記バイアス磁界を発生するために２個の電磁
石を用いた回転検出装置に関する。以下、本実施形態に
ついて図に基づいて説明する。
被検出体であるギアと磁気素子にバイアス磁界を印加す
るために、１個の電磁石とその電磁石を駆動するための
電磁石駆動回路を有する回転検出装置を示した。本実施
形態は、前記バイアス磁界を発生するために２個の電磁
石を用いた回転検出装置に関する。以下、本実施形態に
ついて図に基づいて説明する。
【００４４】図４（ａ）は、本実施形態における回転検
出装置を示す模式図である。以下、図４（ａ）に示した
回転検出装置１０１について説明するが、第１の実施形
態である図１（ａ）と同様の部分については同一の符号
をつけ、その説明を省略する。
出装置を示す模式図である。以下、図４（ａ）に示した
回転検出装置１０１について説明するが、第１の実施形
態である図１（ａ）と同様の部分については同一の符号
をつけ、その説明を省略する。
【００４５】図４（ａ）の回転検出装置１０１にあって
は、被検出体であるギア３とＭＲＥブリッジからなる磁
気素子２０に印加するバイアス磁界を発生するために、
回転検出素子３０１が２個の電磁石１０，１３を有して
いる。また言うまでもなく、電磁石駆動回路６１は２個
の電磁石１０，１３をそれぞれ独立して駆動させること
ができる構成となっており、例えば、図１（ａ）および
図３に示した電磁石駆動回路６０を２個用いてもよい。
図４（ａ）の回転検出装置１０１にあっては、同じ大き
さの２個の電磁石１０，１３が、ギア３の端面３１とＩ
Ｃチップ５０の作る面内であって、ギア３と磁気素子２
０を結ぶ中心軸に対して対称的に配置されている。
は、被検出体であるギア３とＭＲＥブリッジからなる磁
気素子２０に印加するバイアス磁界を発生するために、
回転検出素子３０１が２個の電磁石１０，１３を有して
いる。また言うまでもなく、電磁石駆動回路６１は２個
の電磁石１０，１３をそれぞれ独立して駆動させること
ができる構成となっており、例えば、図１（ａ）および
図３に示した電磁石駆動回路６０を２個用いてもよい。
図４（ａ）の回転検出装置１０１にあっては、同じ大き
さの２個の電磁石１０，１３が、ギア３の端面３１とＩ
Ｃチップ５０の作る面内であって、ギア３と磁気素子２
０を結ぶ中心軸に対して対称的に配置されている。
【００４６】２個の電磁石１０，１３は、それぞれ独立
してバイアス磁界４００，４０１を発生するが、磁気素
子２０の感じるバイアス磁界は、図４（ｂ）に示すよう
に、各バイアス磁界４００，４０１が合成された磁界４
０２である。従って、図４（ｂ）に示したように、２個
の電磁石１０，１３が発生する各バイアス磁界４００，
４０１の大きさを変えることで、合成バイアス磁界４０
２の大きさだけでなく向きについても、ＩＣチップ５０
の面内で任意に設定することができる。また、電磁石の
数をさらに増やすことで、合成バイアス磁界４０２の向
きを、ＩＣチップ５０の面内から外れる方向にも振らせ
ることができ、任意の方向への設定も可能である。
してバイアス磁界４００，４０１を発生するが、磁気素
子２０の感じるバイアス磁界は、図４（ｂ）に示すよう
に、各バイアス磁界４００，４０１が合成された磁界４
０２である。従って、図４（ｂ）に示したように、２個
の電磁石１０，１３が発生する各バイアス磁界４００，
４０１の大きさを変えることで、合成バイアス磁界４０
２の大きさだけでなく向きについても、ＩＣチップ５０
の面内で任意に設定することができる。また、電磁石の
数をさらに増やすことで、合成バイアス磁界４０２の向
きを、ＩＣチップ５０の面内から外れる方向にも振らせ
ることができ、任意の方向への設定も可能である。
【００４７】これによって、回転検出素子３０１の電磁
石１０，１３や磁気素子２０の組み付け時に向きのばら
つきが発生したり、回転検出装置１０１を被検出体であ
るギア３に適用するにあたって、ギア３に対する組み付
け時に向きのばらつきが発生しても、それらの組み付け
状態を調整することなしに、バイアス磁界の向きを任意
に変えることができる。このようにして、回転検出装置
１０１の適切な検出感度と検出精度を、容易に確保する
ことができる。
石１０，１３や磁気素子２０の組み付け時に向きのばら
つきが発生したり、回転検出装置１０１を被検出体であ
るギア３に適用するにあたって、ギア３に対する組み付
け時に向きのばらつきが発生しても、それらの組み付け
状態を調整することなしに、バイアス磁界の向きを任意
に変えることができる。このようにして、回転検出装置
１０１の適切な検出感度と検出精度を、容易に確保する
ことができる。
【００４８】（第３の実施形態）第１の実施形態では、
２つのＭＲＥが互いに直列接続されて、１組のＭＲＥブ
リッジを構成した磁気素子からなる回転検出装置を示し
た。本実施形態は、磁気素子として、ホール効果素子を
用いた回転検出装置に関する。以下、本実施形態につい
て図に基づいて説明する。
２つのＭＲＥが互いに直列接続されて、１組のＭＲＥブ
リッジを構成した磁気素子からなる回転検出装置を示し
た。本実施形態は、磁気素子として、ホール効果素子を
用いた回転検出装置に関する。以下、本実施形態につい
て図に基づいて説明する。
【００４９】図５は、本実施形態における回転検出装置
を示す模式図である。以下、図５に示した回転検出装置
１０２について説明するが、第１の実施形態である図１
（ａ）と同様の部分については同一の符号をつけ、その
説明を省略する。
を示す模式図である。以下、図５に示した回転検出装置
１０２について説明するが、第１の実施形態である図１
（ａ）と同様の部分については同一の符号をつけ、その
説明を省略する。
【００５０】図５の回転検出装置１０２にあっては、回
転検出素子３０２を構成するＩＣチップ５１には、ホー
ル効果素子２１が形成されている。ホール効果素子２１
を形成したＩＣチップ５１は、電磁石１０が発生するバ
イアス磁界４の大きさの変化を検出すべく、電磁石１０
と被検出体であるギア３の間に位置するように、電磁石
１０の鉄心１２の中心軸方向に対して垂直となるよう
に、一方の磁極の前方に配置される。なお、ＩＣチップ
５１は、電磁石１０と一体となるように組み付けられ、
回転検出素子３０２として、電磁石６０と共にモールド
樹脂（図示せず）によって封止される。
転検出素子３０２を構成するＩＣチップ５１には、ホー
ル効果素子２１が形成されている。ホール効果素子２１
を形成したＩＣチップ５１は、電磁石１０が発生するバ
イアス磁界４の大きさの変化を検出すべく、電磁石１０
と被検出体であるギア３の間に位置するように、電磁石
１０の鉄心１２の中心軸方向に対して垂直となるよう
に、一方の磁極の前方に配置される。なお、ＩＣチップ
５１は、電磁石１０と一体となるように組み付けられ、
回転検出素子３０２として、電磁石６０と共にモールド
樹脂（図示せず）によって封止される。
【００５１】ホール効果素子２１は、回転するギア３に
対するバイアス磁界４の強度変化を、電圧に変換して出
力する。従って、ホール効果素子２１に対する検出回路
７１としては、図１（ｂ）に示したコンパレータと同様
の回路を用いることができ、ホール効果素子２１の出力
電位をコンパレータの反転入力端子に入力して、コンパ
レータの非反転入力端子に入力された所定のしきい値電
圧と比較すればよい。
対するバイアス磁界４の強度変化を、電圧に変換して出
力する。従って、ホール効果素子２１に対する検出回路
７１としては、図１（ｂ）に示したコンパレータと同様
の回路を用いることができ、ホール効果素子２１の出力
電位をコンパレータの反転入力端子に入力して、コンパ
レータの非反転入力端子に入力された所定のしきい値電
圧と比較すればよい。
【００５２】また、ＩＣチップ５１上に２個のホール効
果素子を形成して、一方のホール効果素子をギア３の回
転状態の検出に用いて、もう一方のホール効果素子の出
力信号をバイアス磁界設定のための参照として用いるこ
ともできる。
果素子を形成して、一方のホール効果素子をギア３の回
転状態の検出に用いて、もう一方のホール効果素子の出
力信号をバイアス磁界設定のための参照として用いるこ
ともできる。
【００５３】以上のようにして、ＭＲＥだけでなくホー
ル効果素子を用いても回転検出装置を構成することがで
き、前記したのと同様に、ホール効果素子と電磁石を組
み合わせることで、当該回転検出装置の組み付け時や当
該回転検出装置を被検出体に適用する際の組み付けばら
つきが発生する場合には、これら組み付け状態を調整す
ることなく、組み付け後であっても容易にバイアス磁界
を調整することができ、当該回転検出装置の適切な検出
感度と検出精度を確保することができる。
ル効果素子を用いても回転検出装置を構成することがで
き、前記したのと同様に、ホール効果素子と電磁石を組
み合わせることで、当該回転検出装置の組み付け時や当
該回転検出装置を被検出体に適用する際の組み付けばら
つきが発生する場合には、これら組み付け状態を調整す
ることなく、組み付け後であっても容易にバイアス磁界
を調整することができ、当該回転検出装置の適切な検出
感度と検出精度を確保することができる。
【図１】図１（ａ）は、本発明における第１の実施形態
の回転検出装置の構成を示す模式図でり、図１（ｂ）
は、磁気素子と検出回路の回路構成図である。
の回転検出装置の構成を示す模式図でり、図１（ｂ）
は、磁気素子と検出回路の回路構成図である。
【図２】図２（ａ）は、ギアの回転にともなうバイアス
磁界の変化の様子を経時的に示した図であり、図２
（ｂ）は、ギアの回転にともなう磁気素子の出力電位を
経時的に示した図である。
磁界の変化の様子を経時的に示した図であり、図２
（ｂ）は、ギアの回転にともなう磁気素子の出力電位を
経時的に示した図である。
【図３】図３は、第１の実施形態における使用時にバイ
アス磁界の調整が可能な回転検出装置の構成を示す模式
図である。
アス磁界の調整が可能な回転検出装置の構成を示す模式
図である。
【図４】図４（ａ）は、本発明における第２の実施形態
の回転検出装置の構成を示す模式図であり、図４（ｂ）
は、合成されたバイアス磁界の様子を示す図である。
の回転検出装置の構成を示す模式図であり、図４（ｂ）
は、合成されたバイアス磁界の様子を示す図である。
【図５】図５は、本発明における第３の実施形態の回転
検出装置の構成を示す模式図である。
検出装置の構成を示す模式図である。
【図６】図６は、従来の回転検出装置の構成を示す模式
図である。
図である。
【図７】図７（ａ）は、従来の回転検出装置の製造工程
において発生する問題点を説明するための図であり、図
７（ｂ）は、従来の回転検出装置の使用時に発生する問
題点を説明するための図である。
において発生する問題点を説明するための図であり、図
７（ｂ）は、従来の回転検出装置の使用時に発生する問
題点を説明するための図である。
【符号の説明】
１００，１０１，１０２ 回転検出装置
１０，１３ 電磁石
２０，２１ 磁気素子
３ ギア（被検出対象）
４ バイアス磁界
５０ ＩＣチップ
６０，６１ 電磁石駆動回路
７ 検出回路
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2F077 AA18 CC02 NN03 NN21 PP12
PP14 TT82 UU01 UU13
3D046 BB11 BB28 HH36
Claims (5)
- 【請求項１】 被検出体である歯車形状のギアの回転状
態を検出するための回転検出装置において、 前記歯車形状のギアの歯に向けてバイアス磁界を発生す
る電磁石と、 前記電磁石を駆動してバイアス磁界を発生するための電
磁石駆動回路と、 前記ギアと前記電磁石との間であって、前記ギアの歯の
回転によって発生するバイアス磁界の変化を電気信号に
変換する磁気素子と、 前記磁気素子が出力する電気信号を検出するための検出
回路とを備えたことを特徴とする回転検出装置。 - 【請求項２】 前記電磁石駆動回路は、前記電磁石を構
成しているコイルに流す電流を発生するための電流発生
回路と、 前記電流発生回路によって発生する電流の大きさを設定
する電流設定回路とを有し、 当該回転検出装置の製造工程内で、前記電流設定回路に
よりコイルに流す電流と前記電磁石が発生するバイアス
磁界が設定され、前記磁気素子が出力する電気信号が所
定の基準値に調整されることを特徴とする請求項１に記
載の回転検出装置。 - 【請求項３】 前記電流設定回路は、バイアス磁界の大
きさを検出して、バイアス磁界の大きさに応じて設定す
る電流値を変化することができる回路であり、 当該回転検出装置の使用開始時に、前記電流設定回路に
よりコイルに流す電流と前記電磁石が発生するバイアス
磁界が設定され、前記磁気素子が出力する電気信号が所
定の基準値に調整されることを特徴とする請求項２に記
載の回転検出装置。 - 【請求項４】 前記電磁石を複数個配置して、前記バイ
アス磁界が設定されることを特徴とする請求項１乃至３
のいずれか１つに記載の回転検出装置。 - 【請求項５】 前記磁気素子は、磁気抵抗効果素子また
はホール効果素子であることを特徴とする請求項１乃至
４のいずれか１つに記載の回転検出装置。
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