JP2005098942A - 移動体検出装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 感磁素子として、ピン層磁化方向に順平行、反平行の磁界成分を検知する磁界ベクトル検知型のスピンバルブ型GMR素子を用いることで、検出出力が磁性材移動体−感磁素子間のギャップ変化に依存しないようにした移動体検出装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも1つの凸部又は凹部を有する磁性材移動体としての歯車1と、磁界を発生するバイアス磁石5と、前記歯車1で変化された磁界に対応して抵抗値が変化するスピンバルブ型巨大磁気抵抗素子R1〜R4とを備える。それらのスピンバルブ型巨大磁気抵抗素子R1〜R4はブリッジ回路を構成し、対をなすスピンバルブ型巨大磁気抵抗素子のピン層磁化方向が互いに反平行に配置されている。
【選択図】 図1
【解決手段】 少なくとも1つの凸部又は凹部を有する磁性材移動体としての歯車1と、磁界を発生するバイアス磁石5と、前記歯車1で変化された磁界に対応して抵抗値が変化するスピンバルブ型巨大磁気抵抗素子R1〜R4とを備える。それらのスピンバルブ型巨大磁気抵抗素子R1〜R4はブリッジ回路を構成し、対をなすスピンバルブ型巨大磁気抵抗素子のピン層磁化方向が互いに反平行に配置されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、磁性材移動体の移動に伴う磁界変化を検出する移動体検出装置に係り、特に工業用工作機械や、自動車のエンジン等に用いられる軟磁性体歯車の回転情報を検出する場合等に用いて好適な移動体検出装置に関するものである。
従来、軟磁性歯車等の磁性材移動体(被磁性検出体)の回転を検出するための回転センサとして、磁性材移動体に対向して感磁素子を2領域に離間配置したものが知られている。前記感磁素子の配置間隔は前記磁性材移動体の凹凸ピッチに適合した間隔となっている(歯車の凸凸ピッチ=Pに対して、感磁素子配列間隔=P/2が最適とされている)。そして、前記磁性材移動体が回転するとその凹凸に対応した信号を出力する。
特に、感磁素子として巨大磁気抵抗素子(以下、GMR素子という)を用いた場合、前述の2領域にはGMR素子が各々2個含まれ、合計4個のGMR素子をホイートストンブリッジ回路に組んだ構成が、下記特許文献1で提案されている。
この特許文献1では、一方の感磁領域に歯車の凸部があるとき、他方の感磁領域には歯車の凹部が来るためにGMR素子出力は逆極性となる。これらの差を取ることで1素子の4倍の出力をホイートストンブリッジ回路に組むことで得ている。
ところで、従来の回転センサに用いるGMR素子は磁界強度依存型(多層膜型)であり、図4(A)のように、外部磁界Hが0のとき、抵抗値が最大となり、外部磁界Hが増加すると、抵抗値は減少する。
多層膜型GMR素子を用いた回転センサでは、歯車−感磁素子(回転センサ)間のギャップが大きくなると、歯車の凹凸による磁気変化量が小さくなり、多層膜型GMR素子の抵抗変化量は小さくなる。4個の多層膜型GMR素子を用いてホイートストンブリッジ回路を組んで電圧出力した場合でも図5(A)のように、ギャップ(歯車凸部とGMR素子感磁面とのギャップ)変化により出力電圧も変化してしまう。
また、最適な変化を得るためには歯車の凸凸ピッチ(=P)に対して、2領域の多層膜型GMR素子をP/2の間隔で並べる必要がある。2領域の多層膜型GMR素子の間隔がP/2からずれた場合も、図6(A)に示すようにブリッジ回路からの出力電圧の低下を招く。歯車の凸凸ピッチと多層膜型GMR素子配列ピッチとが一致するときは、同一変化をするため出力は0となり、検出装置として機能しなくなるという問題がある。
そこで、本発明者等は、磁界ベクトル検知型のスピンバルブ型GMR素子を移動体検知装置に用いることを検討した。磁界ベクトル検知型のスピンバルブ型GMR素子は、外部磁界Hとピン層とが平行でかつピン層の磁化方向と外部磁界Hの向きが同じとき(以下、平行でかつベクトルとしての向きが同じ場合を順平行という)、図4(B)で外部磁界+Hで表し、この順平行では抵抗変化率(ΔR/R)はマイナスとなる。また、外部磁界Hとピン層とが平行でかつピン層の磁化方向と外部磁界Hの向きが逆向きのとき(以下、平行でベクトルとしての向きが逆の場合を逆平行という)、−Hで示し、この逆平行では抵抗変化率はプラスとなる。また、外部磁界が一定レベルを超えれば抵抗変化率は一定となる特性を有している。
本発明は、上記の点に鑑み、感磁素子として、ピン層磁化方向に順平行、反平行の磁界成分を検知する磁界ベクトル検知型のスピンバルブ型GMR素子を用いることで、検出出力が磁性材移動体−感磁素子間のギャップ変化に依存しないようにした移動体検出装置を提供しようとするものである。
また、本発明は、感磁素子としてスピンバルブ型GMR素子を複数領域に配置したときも、磁性材移動体の凸部又は凹部の配列ピッチとスピンバルブ型GMR素子の配列ピッチとの関係に検出出力が依存しないようにした移動体検出装置を提供することをもう1つの目的とする。
本発明のその他の目的や新規な特徴は後述の実施の形態において明らかにする。
上記目的を達成するために、本願請求項1の発明は、少なくとも1つの凸部又は凹部を有する磁性材移動体と、磁界を発生するバイアス磁石と、前記磁性材移動体で変化された磁界に対応して抵抗値が変化する巨大磁気抵抗素子からなる移動体検出装置であって、前記巨大磁気抵抗素子がスピンバルブ型巨大磁気抵抗素子であることを特徴としている。
本願請求項2の発明に係る移動体検出装置は、請求項1において、前記スピンバルブ型巨大磁気抵抗素子を少なくとも一対用いてブリッジ回路を構成し、対をなす前記スピンバルブ型巨大磁気抵抗素子のピン層磁化方向が互いに反平行に配置されていることを特徴としている。
本願請求項3の発明に係る移動体検出装置は、請求項2において、対をなす前記スピンバルブ型巨大磁気抵抗素子が前記磁性材移動体の厚み方向に配設されていることを特徴としている。
本願請求項4の発明に係る移動体検出装置は、請求項2において、対をなす前記スピンバルブ型巨大磁気抵抗素子が前記磁性材移動体と前記バイアス磁石間のギャップ方向に配設されていることを特徴としている。
本発明に係る移動体検出装置によれば、感磁素子としてスピンバルブ型GMR素子を用いることで、検出出力が磁性材移動体−感磁素子間のギャップ変化に依存しないようにでき、移動体検出装置を取り付ける相手側機器での設計の自由度が高くなり、またスピンバルブ型GMR素子やバイアス磁石の取付位置の厳密な管理が不要となり、製品毎の検出出力電圧のばらつきも低減できる。
また、感磁素子としてスピンバルブ型GMR素子を複数領域に配置したときも、前記磁性材移動体の凸部又は凹部の配列ピッチとスピンバルブ型GMR素子の配列ピッチとの関係に検出出力が依存しないようにでき、この点でも、設計の自由度を高め、各部品の取付位置の厳密な管理を不要とし、検出出力電圧のばらつき低減が可能となる。
以下、本発明を実施するための最良の形態として、実施の形態を図面に従って説明する。
図1は本発明に係る移動体検出装置の実施の形態1であって、磁性材移動体として軟磁性体歯車の回転検出を行う回転センサを構成した場合を示す。
図1(A)において、1は軟磁性体歯車であり、外周面に凹凸を有する(一定配列ピッチPで凸部2を有する)ものである。
また、軟磁性体歯車1の外周面に対向するように、4個のスピンバルブ型GMR素子R1,R2,R3,R4が固定配置され、これらの背後にバイアス磁界印加用のバイアス磁石5が固定配置されている。
本実施の形態では、磁性材移動体である軟磁性体歯車1で変化された磁界に対応して抵抗値が変化するGMR素子として、スピンバルブ型GMR素子を用いており、その模式的な膜構成及び磁気特性を図2に示す。スピンバルブ型GMR素子は、強磁性体のピン層とこれに非磁性体を介して積層された強磁性体のフリー層とを有し、ピン層は外部磁界によって磁化方向は変化せず、フリー層は外部磁界の方向に磁化される。ここで、ピン層の磁化方向とフリー層の磁化方向(つまり外部磁界の方向)とが直交しているとき(図2のθ=0のとき)、抵抗変化率(ΔR/R)は0である。ピン層の磁化方向とフリー層の磁化方向(つまり外部磁界の方向)とが平行であるが向きが逆のとき、つまり反平行のとき、抵抗変化率はプラスとなり、図2(a)の高抵抗状態となる。また、ピン層の磁化方向とフリー層の磁化方向(つまり外部磁界の方向)とが平行でかつ向きが同じとき、つまり順平行のとき、抵抗変化率はマイナスとなり、図2(b)の低抵抗状態となる。
図2のような磁気特性を有する4個のスピンバルブ型GMR素子R1,R2,R3,R4の感磁面は、前記軟磁性体歯車1の外周面に接する平面に平行な同一平面内にあり、第1組のスピンバルブ型GMR素子R1,R3はピン層の磁化方向が右向きであり、第2組のスピンバルブ型GMR素子R2,R4はピン層の磁化方向が左向きである。つまり、第1組と第2組とではピン層磁化方向が互いに反平行に配置されている。第1組のスピンバルブ型GMR素子R1は第1領域に、R3は第2領域に配置され、また、第2組のスピンバルブ型GMR素子R2は第1領域に、R4は第2領域に配置される。第1領域と第2領域とは、軟磁性体歯車1の中心よりみて角度位置が異なる位置であり、第1領域と第2領域とは前記凸部2の配列ピッチPより小さいことが好ましい。また、第1組と第2組とは軟磁性体歯車1の厚み方向に位置が異なる配置となっている。
前記バイアス磁石5は、例えば軟磁性体歯車1の外周面に対向する面にN極、反対面にS極を有する永久磁石であり、N極面と軟磁性体歯車1間に4個のスピンバルブ型GMR素子R1,R2,R3,R4が位置する関係である。
図1(B)のように、第1領域のスピンバルブ型GMR素子R1,R2の対と、第2領域のスピンバルブ型GMR素子R3,R4の対とでホイートストンブリッジ回路を構成しており、このホイートストンブリッジ回路には一定の供給電圧Vinが供給されるようになっている。
図3(A)は歯車1の凸部2が、バイアス磁石5の前方の感磁ポイント(前記第1領域と第2領域の中間点と考えてよい)に近づくときの外部磁界の方向(磁束の方向)を示し、同図(B)は歯車1の凸部2が、前記感磁ポイントから遠ざかるときの外部磁界の方向(磁束の方向)を示す。
従って、図1(A)のような配置で検知対象の軟磁性体歯車1の凸部2がスピンバルブ型GMR素子R1,R2,R3,R4の感磁面に接近してきた時、各スピンバルブ型GMR素子の感磁面位置における磁束ベクトルの歯車回転接線方向成分は凸部2が接近してくる方向を向く。図4(B)のように、スピンバルブ型GMR素子の磁気特性は、外部磁界の方向とピン層磁化方向とが順平行で抵抗変化率(ΔR/R)はマイナス、外部磁界の方向とピン層磁化方向とが反平行で抵抗変化率(ΔR/R)はプラスであるから、磁束ベクトル成分が凸部接近方向に向いた時、第1組のスピンバルブ型GMR素子R1,R3では抵抗値が大となり(ピン層磁化方向と磁束ベクトル方向の歯車接線方向成分が反平行の時)、第2組のスピンバルブ型GMR素子R2,R4では抵抗値が小となる(ピン層磁化方向と磁束ベクトル方向の歯車接線方向成分が順平行の時)。
また、凸部2がスピンバルブ型GMR素子R1,R2,R3,R4の感磁面から遠ざかる時、スピンバルブ型GMR素子の感磁面位置における磁束ベクトルの歯車回転接線方向成分は凸部2が遠ざかる方向を向く。磁束ベクトル成分が凸部の遠ざかる方向に向いた時、第1組のスピンバルブ型GMR素子R1,R3では抵抗値が小となり(ピン層磁化方向と磁束ベクトル方向の歯車接線方向成分が順平行の時)、第2組のスピンバルブ型GMR素子R2,R4では抵抗値が大となる(ピン層磁化方向と磁束ベクトル方向の歯車接線方向成分が反平行の時)。
このように、軟磁性体歯車1の凸部2が接近してくる時もしくは遠ざかる時、第1組のスピンバルブ型GMR素子と第2組のスピンバルブ型GMR素子では一方の抵抗値が最大、他方が最小となり、第1及び第2組で図1(B)のホイートストンブリッジ回路を組むことにより、1つのスピンバルブ型GMR素子の4倍の検出出力Voutを得ることが可能になる。検出出力Voutは軟磁性体歯車1の凸部2が通過する毎にハイレベルからローレベルに変化することから軟磁性体歯車1の回転検出が可能である。
また、スピンバルブ型GMR素子は、図4(B)の磁気特性からわかるように、外部磁界が所定値以上であれば、抵抗変化率はプラスの一定値又はマイナスの一定値となるから、外部磁界の向きには依存するが外部磁界の強さには依存しなくなる。このため、図5(B)のようにギャップ(歯車凸部とGMR素子感磁面とのギャップ)が変化しても図1(B)のホイートストンブリッジからの検出出力電圧は変化しない。
また、図6(B)のように、軟磁性体歯車1の中心よりみて角度方向の素子間ピッチ(第1領域の素子R1,R2と第2領域の素子R3,R4の配列ピッチ)を変えても、ホイートストンブリッジからの検出出力電圧は変化しない。但し、Pは歯車の凸凸ピッチである。
この実施の形態1によれば、次の通りの効果を得ることができる。
(1) 従来の磁界強度依存型の多層膜型GMR素子を用いた回転センサでは、軟磁性体歯車とGMR素子感磁面間のギャップが大きくなると、抵抗値変化量が減少し、ホイートストンブリッジからの検出出力電圧も低下するが{図5(A)}、本実施の形態では磁界ベクトル検知型のスピンバルブ型GMR素子を4個組み合わせてホイートストンブリッジを構成することで、検出出力電圧はギャップに依存しなくなる{図5(B)}。このため、回転センサを取り付ける装置側の設計の自由度が高くなり、またスピンバルブ型GMR素子R1〜R4やバイアス磁石5の組立時の細かい位置調整が必要なくなり(取付位置の厳密な管理が不要となり)、製品毎の検出出力電圧のばらつきも低減できる。
(2) 従来の磁界強度依存型の多層膜型GMR素子を用いた回転センサでは、軟磁性体歯車の凸部ピッチに対して複数の多層膜型GMR素子の配列ピッチが適切でないと検出出力電圧の低下を招くが{図6(A)}、本実施の形態ではスピンバルブ型GMR素子を用いることで、GMR素子間の配列ピッチに検出出力電圧が影響されないようにすることが可能である{図6(B)}。この点でも設計の自由度を高め、各部品の取付位置の厳密な管理を不要とし、検出出力電圧のばらつき低減が可能となる。
(3) 4個のスピンバルブ型GMR素子R1〜R4を用いてホイートストンブリッジを構成して回転検出出力を取り出すことにより、1個のスピンバルブ型GMR素子の4倍の出力電圧を得ることができ、検出感度の向上を図り得る。
上記実施の形態1では、対をなすスピンバルブ型巨大磁気抵抗素子(R1とR2の対、及びR3とR4の対)が磁性材移動体としての軟磁性体歯車の厚み方向に配設されていたが、対をなす前記スピンバルブ型巨大磁気抵抗素子が前記軟磁性体歯車とバイアス磁石間のギャップ方向に配設されていてもよい。この場合を本発明の実施の形態2として図7に示す。
図7において、1は軟磁性体歯車であり、軟磁性体歯車1の外周面に対向するバイアス磁石5の一方の磁極面(例えばN極)と軟磁性体歯車1の凸部2間に4個のスピンバルブ型GMR素子R1,R2,R3,R4が固定配置されている。スピンバルブ型GMR素子R1,R2の対は軟磁性体歯車1とバイアス磁石5のギャップ方向(矢印G方向)に沿った配置であり、もう一つのスピンバルブ型GMR素子R3,R4の対も前記ギャップ方向(矢印G方向)に沿った配置となっている。また、4個のスピンバルブ型GMR素子R1,R2,R3,R4の感磁面は、例えば前記軟磁性体歯車1の回転する面に平行な同一平面内にある。但し、各素子の感磁面は軟磁性体歯車1の外周面に平行にそれぞれ配置されていてもよく、磁界の向きの変化を検知可能な感磁面の配置であればよい。
なお、その他の構成は前述した実施の形態1と同様であり、同一又は相当部分に同一符号を付して説明を省略する。
この場合にも、図1(B)のホイートストンブリッジを4個のスピンバルブ型GMR素子R1,R2,R3,R4で構成することにより、回転検出出力電圧を得ることができる。
なお、上記実施の形態1,2では磁性材移動体として、回転する軟磁性体歯車の凸部が周期的に配置されている場合を示したが、凸部又は凹部が回転する軟磁性体円板の外周面に1個又は複数個設けられた磁性材移動体を用いることができる。
さらに、磁性材移動体が、軟磁性体の直線移動体に1個又は複数個の凸部又は凹部を設けた構成であって、スピンバルブ型GMR素子で前記直線移動体の直線移動を検出する構成でもよい。
また、一対のスピンバルブ型GMR素子R1,R2を用い、他のスピンバルブ型GMR素子R3,R4の代わりに固定抵抗を用いてホイートストンブリッジを構成してもよい。
さらに、一対のスピンバルブ型GMR素子R1,R3を用い、他のスピンバルブ型GMR素子R2,R4の代わりに固定抵抗を用いてホイートストンブリッジを構成してもよい。これらの場合、1個のスピンバルブ型GMR素子を用いる場合の2倍の検出出力を得ることができる。
さらに、一対のスピンバルブ型GMR素子R1,R3を用い、他のスピンバルブ型GMR素子R2,R4の代わりに固定抵抗を用いてホイートストンブリッジを構成してもよい。これらの場合、1個のスピンバルブ型GMR素子を用いる場合の2倍の検出出力を得ることができる。
以上本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当業者には自明であろう。
1 軟磁性体歯車
2 凸部
5 バイアス磁石
R1,R2,R3,R4 スピンバルブ型GMR素子
2 凸部
5 バイアス磁石
R1,R2,R3,R4 スピンバルブ型GMR素子
Claims (4)
- 少なくとも1つの凸部又は凹部を有する磁性材移動体と、磁界を発生するバイアス磁石と、前記磁性材移動体で変化された磁界に対応して抵抗値が変化する巨大磁気抵抗素子からなる移動体検出装置であって、前記巨大磁気抵抗素子がスピンバルブ型巨大磁気抵抗素子であることを特徴とする移動体検出装置。
- 前記スピンバルブ型巨大磁気抵抗素子を少なくとも一対用いてブリッジ回路を構成し、対をなす前記スピンバルブ型巨大磁気抵抗素子のピン層磁化方向が互いに反平行に配置されている請求項1記載の移動体検出装置。
- 対をなす前記スピンバルブ型巨大磁気抵抗素子が前記磁性材移動体の厚み方向に配設されている請求項2記載の移動体検出装置。
- 対をなす前記スピンバルブ型巨大磁気抵抗素子が前記磁性材移動体と前記バイアス磁石間のギャップ方向に配設されている請求項2記載の移動体検出装置。
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