JP2003282323A - マイクロデバイス - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】平面コイルターン数を増大させることなく、起
磁力を増大し得る薄膜構造のマイクロデバイスを提供す
る。 【解決手段】第２の磁性層２２は、第１の磁性層２１と
相対向して設けられ、結合部２１１、２１２を介し、第
１の磁性層２１と磁気的に結合する。薄膜コイル２３
は、結合部２１２を平面状に周回し、第１及び第２の磁
性層２１、２２の間を通過する。第１のリード導体Ｔ１
は、一端が第２の磁性層２２の下側を通過した第１のコ
イル端末２３１の端部に接続され、他端側が第２の磁性
層２２の上部をとおり、第１のコイル端末２３１とは逆
の方向に導出されている。
磁力を増大し得る薄膜構造のマイクロデバイスを提供す
る。 【解決手段】第２の磁性層２２は、第１の磁性層２１と
相対向して設けられ、結合部２１１、２１２を介し、第
１の磁性層２１と磁気的に結合する。薄膜コイル２３
は、結合部２１２を平面状に周回し、第１及び第２の磁
性層２１、２２の間を通過する。第１のリード導体Ｔ１
は、一端が第２の磁性層２２の下側を通過した第１のコ
イル端末２３１の端部に接続され、他端側が第２の磁性
層２２の上部をとおり、第１のコイル端末２３１とは逆
の方向に導出されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロデバイス
に関する。本発明において、マイクロデバイスとは、薄
膜磁気ヘッド、薄膜インダクタ、半導体デバイス、薄膜
アクチュエータまたはこれらを組み込んだ装置であっ
て、薄膜コイルを有するものをいう。
に関する。本発明において、マイクロデバイスとは、薄
膜磁気ヘッド、薄膜インダクタ、半導体デバイス、薄膜
アクチュエータまたはこれらを組み込んだ装置であっ
て、薄膜コイルを有するものをいう。
【０００２】
【従来の技術】この種のマイクロデバイスとして、薄膜
磁気ヘッドを例にとると、薄膜磁気ヘッドは、書き込み
素子、及び、読み取り素子を含む。書き込み素子は、通
常、第１及び第２の磁性層と、薄膜コイルと、第１及び
第２のリード導体とを含む。第２の磁性層は、第１の磁
性層に相対向して設けられ、結合部（バックギャップ）
において、第１の磁性層と磁気的に結合する。
磁気ヘッドを例にとると、薄膜磁気ヘッドは、書き込み
素子、及び、読み取り素子を含む。書き込み素子は、通
常、第１及び第２の磁性層と、薄膜コイルと、第１及び
第２のリード導体とを含む。第２の磁性層は、第１の磁
性層に相対向して設けられ、結合部（バックギャップ）
において、第１の磁性層と磁気的に結合する。
【０００３】薄膜コイルは、第１及び第２の磁性層間を
通り、バックギャップの周りに、平面状に形成される。
薄膜コイルは、第１のコイル端末と、第２のコイル端末
とを含む。第１のコイル端末は最内周にあり、第２のコ
イル端末は最外周にある。
通り、バックギャップの周りに、平面状に形成される。
薄膜コイルは、第１のコイル端末と、第２のコイル端末
とを含む。第１のコイル端末は最内周にあり、第２のコ
イル端末は最外周にある。
【０００４】第１のリード導体の一端は第１のコイル端
末に接続し、第２のリード導体の一端は第２のコイル端
末に接続する。第１及び第２のリード導体は、取り出し
電極（以下単にバンプと称する）に接続される。
末に接続し、第２のリード導体の一端は第２のコイル端
末に接続する。第１及び第２のリード導体は、取り出し
電極（以下単にバンプと称する）に接続される。
【０００５】上述した薄膜磁気ヘッドにおいて、書き込
み能力を向上させるには、起磁力を増大させることが重
要となる。起磁力は、コイル電流を増大させるか、薄膜
コイルのターン数を多くすることによって増大させるこ
とができる。
み能力を向上させるには、起磁力を増大させることが重
要となる。起磁力は、コイル電流を増大させるか、薄膜
コイルのターン数を多くすることによって増大させるこ
とができる。
【０００６】しかし、コイル電流を増大させることは、
発熱増大を招くため、発熱量制限を伴うマイクロデバイ
スでは限界がある。コイルターン数を増加させ、起磁力
を増大させることは、近年のマイクロデバイスの小型化
傾向の要請から、実際上、困難である。
発熱増大を招くため、発熱量制限を伴うマイクロデバイ
スでは限界がある。コイルターン数を増加させ、起磁力
を増大させることは、近年のマイクロデバイスの小型化
傾向の要請から、実際上、困難である。
【０００７】更に、薄膜コイルのターン数を増やすと、
薄膜コイルの周回ピッチの分だけ、磁路長が長くなって
しまい、高周波特性を劣化させる。
薄膜コイルの周回ピッチの分だけ、磁路長が長くなって
しまい、高周波特性を劣化させる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、平面
コイルターン数を増大させることなく、起磁力を増大し
得る薄膜構造のマイクロデバイス、特に、薄膜磁気ヘッ
ド及び薄膜インダクタを提供することである。
コイルターン数を増大させることなく、起磁力を増大し
得る薄膜構造のマイクロデバイス、特に、薄膜磁気ヘッ
ド及び薄膜インダクタを提供することである。
【０００９】本発明のもう一つの課題は、磁路長の増大
及び高周波特性の劣化を招くことなく、起磁力を増大し
得る薄膜構造のマイクロデバイス、特に、薄膜磁気ヘッ
ド及び薄膜インダクタを提供することである。
及び高周波特性の劣化を招くことなく、起磁力を増大し
得る薄膜構造のマイクロデバイス、特に、薄膜磁気ヘッ
ド及び薄膜インダクタを提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明に係るマイクロデバイスは、第１の磁性層
と、第２の磁性層と、薄膜コイルと、第１のリード導体
と、第２のリード導体とを含む。
ため、本発明に係るマイクロデバイスは、第１の磁性層
と、第２の磁性層と、薄膜コイルと、第１のリード導体
と、第２のリード導体とを含む。
【００１１】前記第２の磁性層は、前記第１の磁性層と
相対向して設けられ、一端が結合部において前記第１の
磁性層と磁気的に結合する。
相対向して設けられ、一端が結合部において前記第１の
磁性層と磁気的に結合する。
【００１２】前記薄膜コイルは、前記第１の磁性層と前
記第２の磁性層との間を通過し、前記結合部の周囲を平
面状に周回する。
記第２の磁性層との間を通過し、前記結合部の周囲を平
面状に周回する。
【００１３】前記薄膜コイルは、第１のコイル端末と、
第２のコイル端末とを含む。前記第１のコイル端末は、
最内周に位置し、前記第２のコイル端末は、最外周に位
置する。
第２のコイル端末とを含む。前記第１のコイル端末は、
最内周に位置し、前記第２のコイル端末は、最外周に位
置する。
【００１４】前記第２のリード導体は、前記第２のコイ
ル端末の端部に接続されている。前記第１のリード導体
は、一端が前記第２の磁性層の下側を通過した前記第１
のコイル端末の端部に接続され、他端側が前記第２の磁
性層の上部をとおり、前記第１のコイル端末とは逆の方
向に導出されている。
ル端末の端部に接続されている。前記第１のリード導体
は、一端が前記第２の磁性層の下側を通過した前記第１
のコイル端末の端部に接続され、他端側が前記第２の磁
性層の上部をとおり、前記第１のコイル端末とは逆の方
向に導出されている。
【００１５】上述したように、本発明に係るマイクロデ
バイスでは、第２の磁性層は第１の磁性層と相対向して
設けられ、結合部において第１の磁性層と磁気的に結合
しており、薄膜コイルは第１の磁性層と第２の磁性層と
の間を通過し、結合部の周囲を平面状に周回するから、
薄膜コイルの平面で見たターン数及びコイル電流に依存
した起磁力が発生する。
バイスでは、第２の磁性層は第１の磁性層と相対向して
設けられ、結合部において第１の磁性層と磁気的に結合
しており、薄膜コイルは第１の磁性層と第２の磁性層と
の間を通過し、結合部の周囲を平面状に周回するから、
薄膜コイルの平面で見たターン数及びコイル電流に依存
した起磁力が発生する。
【００１６】薄膜コイルは、第１のコイル端末と、第２
のコイル端末とを含む。第１のコイル端末は、最内周に
位置し、第２のコイル端末は、最外周に位置する。第１
のリード導体は第１のコイル端末の端部に接続されてお
り、第２のリード導体は第２のコイル端末の端部に接続
されている。したがって、第１及び第２のリード導体を
通して、薄膜コイルに励磁電流を供給できる。
のコイル端末とを含む。第１のコイル端末は、最内周に
位置し、第２のコイル端末は、最外周に位置する。第１
のリード導体は第１のコイル端末の端部に接続されてお
り、第２のリード導体は第２のコイル端末の端部に接続
されている。したがって、第１及び第２のリード導体を
通して、薄膜コイルに励磁電流を供給できる。
【００１７】上述した構成及び作用は、従来と異ならな
い。本発明の特徴は、上述した構成において、前記第１
のリード導体は、一端が前記第２の磁性層の下側を通過
した前記第１のコイル端末の端部に接続され、他端側が
前記第２の磁性層の上部をとおり、前記第１のコイル端
末とは逆の方向に導出されていることである。この構造
によれば、第１のコイル端末及び第１のリード導体によ
り、薄膜コイルの主要ターン部分の平面周回に対して垂
直になる垂直周回部分が生じる。この垂直周回部分は、
半ターン分以上１ターン以内の範囲となるように形成す
ることができる。このため、薄膜コイルの平面ターン数
は増大させることなく、垂直周回によるターン数を追加
し、起磁力を増大させることができる。
い。本発明の特徴は、上述した構成において、前記第１
のリード導体は、一端が前記第２の磁性層の下側を通過
した前記第１のコイル端末の端部に接続され、他端側が
前記第２の磁性層の上部をとおり、前記第１のコイル端
末とは逆の方向に導出されていることである。この構造
によれば、第１のコイル端末及び第１のリード導体によ
り、薄膜コイルの主要ターン部分の平面周回に対して垂
直になる垂直周回部分が生じる。この垂直周回部分は、
半ターン分以上１ターン以内の範囲となるように形成す
ることができる。このため、薄膜コイルの平面ターン数
は増大させることなく、垂直周回によるターン数を追加
し、起磁力を増大させることができる。
【００１８】また、薄膜コイルの平面ターン数は増大さ
せることなく、垂直周回によるターン数を追加し、起磁
力を増大させるので、磁路長の増大、及び、それによる
高周波特性を劣化を招くことなく、起磁力を増大し得
る。
せることなく、垂直周回によるターン数を追加し、起磁
力を増大させるので、磁路長の増大、及び、それによる
高周波特性を劣化を招くことなく、起磁力を増大し得
る。
【００１９】上記説明では、第１のコイル端末と第１の
リード導体との間で、垂直周回部を構成するものである
が、これとは異なって、第２のコイル端末と第２のリー
ド導体との間で、垂直周回部を構成してもよい。この場
合には、前記第２のリード導体は、一端が前記第２の磁
性層の下側を通過した前記第２のコイル端末の端部に接
続され、他端側が前記第２の磁性層の上部をとおり、前
記第２のコイル端末とは逆の方向に導出される。
リード導体との間で、垂直周回部を構成するものである
が、これとは異なって、第２のコイル端末と第２のリー
ド導体との間で、垂直周回部を構成してもよい。この場
合には、前記第２のリード導体は、一端が前記第２の磁
性層の下側を通過した前記第２のコイル端末の端部に接
続され、他端側が前記第２の磁性層の上部をとおり、前
記第２のコイル端末とは逆の方向に導出される。
【００２０】更には、上記２つの態様の組み合わせ、即
ち、第１のコイル端末と第１のリード導体との間、及
び、第２のコイル端末と第２のリード導体との間の両方
において、垂直周回構造を形成してもよい。
ち、第１のコイル端末と第１のリード導体との間、及
び、第２のコイル端末と第２のリード導体との間の両方
において、垂直周回構造を形成してもよい。
【００２１】本発明において、マイクロデバイスとは、
薄膜磁気ヘッド、薄膜インダクタ、半導体デバイス、薄
膜アクチュエータまたはこれらを組み込んだ装置を含
む。特に好ましい適用例は、薄膜磁気ヘッド及び薄膜イ
ンダクタである。
薄膜磁気ヘッド、薄膜インダクタ、半導体デバイス、薄
膜アクチュエータまたはこれらを組み込んだ装置を含
む。特に好ましい適用例は、薄膜磁気ヘッド及び薄膜イ
ンダクタである。
【００２２】本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、上記マイ
クロデバイスと、スライダ基体とを含み、マイクロデバ
イスはスライダ基体により支持される。
クロデバイスと、スライダ基体とを含み、マイクロデバ
イスはスライダ基体により支持される。
【００２３】本発明に係る薄膜磁気ヘッド装置は、前記
薄膜磁気ヘッドと、薄膜磁気ヘッドを支持するヘッド支
持装置とを含む。
薄膜磁気ヘッドと、薄膜磁気ヘッドを支持するヘッド支
持装置とを含む。
【００２４】本発明に係る磁気記録再生装置は、磁気記
録媒体と、上記薄膜磁気ヘッド装置とを含み、前記磁気
記録媒体は、前記薄膜磁気ヘッドと協働して磁気記録再
生を行う。
録媒体と、上記薄膜磁気ヘッド装置とを含み、前記磁気
記録媒体は、前記薄膜磁気ヘッドと協働して磁気記録再
生を行う。
【００２５】本発明の他の目的、構成及び利点について
は、添付図面を参照して、更に詳しく説明する。図面
は、単なる実施例を示すに過ぎない。
は、添付図面を参照して、更に詳しく説明する。図面
は、単なる実施例を示すに過ぎない。
【００２６】
【発明の実施の形態】１．薄膜インダクタとしてのマイ
クロデバイス 図１は本発明に係るマイクロデバイスの平面図、図２は
図１の２−２線に沿った断面図、図３は図１の３−３線
に沿った断面図、図４は図１の４−４線に沿った断面図
である。図示実施例は薄膜インダクタとして具体化され
たマイクロデバイスを示す。
クロデバイス 図１は本発明に係るマイクロデバイスの平面図、図２は
図１の２−２線に沿った断面図、図３は図１の３−３線
に沿った断面図、図４は図１の４−４線に沿った断面図
である。図示実施例は薄膜インダクタとして具体化され
たマイクロデバイスを示す。
【００２７】図示実施例のマイクロデバイスは、第１の
磁性層２１と、第２の磁性層２２と、薄膜コイル２３
と、第１のリード導体Ｔ１と、第２のリード導体Ｔ２と
を含む。これらの構成部分の周囲は、無機絶縁膜等の適
当な絶縁膜２６によって覆われている。絶縁膜２６は、
内部構造の明確化のために省略し、一点鎖線で表示して
ある。
磁性層２１と、第２の磁性層２２と、薄膜コイル２３
と、第１のリード導体Ｔ１と、第２のリード導体Ｔ２と
を含む。これらの構成部分の周囲は、無機絶縁膜等の適
当な絶縁膜２６によって覆われている。絶縁膜２６は、
内部構造の明確化のために省略し、一点鎖線で表示して
ある。
【００２８】第１の磁性層２１は、比較的広い面積で拡
がっている。その一面は、平坦な平面となっている。第
２の磁性層２２は、第１の磁性層２１の一面側と相対向
して設けられ、両端が結合部２１１、２１２によって、
第１の磁性層２１と磁気的に結合する。
がっている。その一面は、平坦な平面となっている。第
２の磁性層２２は、第１の磁性層２１の一面側と相対向
して設けられ、両端が結合部２１１、２１２によって、
第１の磁性層２１と磁気的に結合する。
【００２９】第１及び第２の磁性層２１、２２は、例え
ば、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮまたはＦｅＺｒＮ等の
磁性材料を用いて構成することができる。第１及び第２
の磁性層２１、２２のそれぞれは単層構造であってもよ
いし、多層構造であってもよい。第１及び第２の磁性層
２１、２２の各膜厚は、例えば、０．５〜３μｍの範囲
に設定される。このような第１及び第２の磁性層２１、
２２はフレームメッキ法によって形成できる。
ば、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮまたはＦｅＺｒＮ等の
磁性材料を用いて構成することができる。第１及び第２
の磁性層２１、２２のそれぞれは単層構造であってもよ
いし、多層構造であってもよい。第１及び第２の磁性層
２１、２２の各膜厚は、例えば、０．５〜３μｍの範囲
に設定される。このような第１及び第２の磁性層２１、
２２はフレームメッキ法によって形成できる。
【００３０】薄膜コイル２３は、第１の磁性層２１の一
面上において、第１の磁性層２１と第２の磁性層２２と
の間を通過しながら、第１の磁性層２１と第２の磁性層
２２との間の結合部２１２の周囲を平面状に周回する。
薄膜コイル２３は、Ｃｕ（銅）などの導電金属材料によ
って構成される。薄膜コイル２３の平面周回形状は、一
般的な渦巻き形状の他、全体として、楕円形状、多角形
状等、任意の周回形状を採ることができる。
面上において、第１の磁性層２１と第２の磁性層２２と
の間を通過しながら、第１の磁性層２１と第２の磁性層
２２との間の結合部２１２の周囲を平面状に周回する。
薄膜コイル２３は、Ｃｕ（銅）などの導電金属材料によ
って構成される。薄膜コイル２３の平面周回形状は、一
般的な渦巻き形状の他、全体として、楕円形状、多角形
状等、任意の周回形状を採ることができる。
【００３１】薄膜コイル２３は、第１のコイル端末２３
１と、第２のコイル端末２３２とを含む。第１のコイル
端末２３１は、最内周に位置し、第２のコイル端末２３
２は、最外周に位置する。
１と、第２のコイル端末２３２とを含む。第１のコイル
端末２３１は、最内周に位置し、第２のコイル端末２３
２は、最外周に位置する。
【００３２】第１のリード導体Ｔ１は、第１のコイル端
末２３１の端部に接続されている。第２のリード導体Ｔ
２は、第２のコイル端末２３２の端部に接続されてい
る。
末２３１の端部に接続されている。第２のリード導体Ｔ
２は、第２のコイル端末２３２の端部に接続されてい
る。
【００３３】更に、第１のリード導体Ｔ１は、一端が第
２の磁性層２２の下側を通過した第１のコイル端末２３
１の端部に接続され、他端側が第２の磁性層２２の上部
をとおり、第１のコイル端末２３１とは逆の方向に導出
されている。上記構造により、第１のコイル端末２３１
と第１のリード導体Ｔ１との間生じる段差は、接続導体
２３６（図３参照）によって埋められている。
２の磁性層２２の下側を通過した第１のコイル端末２３
１の端部に接続され、他端側が第２の磁性層２２の上部
をとおり、第１のコイル端末２３１とは逆の方向に導出
されている。上記構造により、第１のコイル端末２３１
と第１のリード導体Ｔ１との間生じる段差は、接続導体
２３６（図３参照）によって埋められている。
【００３４】実施例では、更に、第２のコイル端末２３
２と第２のリード導体Ｔ２との間でも、垂直周回部を構
成させてある。具体的には、第２のリード導体Ｔ２は、
一端が第２の磁性層２２の下側を通過した第２のコイル
端末２３２の端部に接続され、他端側が第２の磁性層２
２の上部をとおり、第２のコイル端末２３２とは逆の方
向に導出されている。上記構造により第２のコイル端末
２３２と第２のリード導体Ｔ２との間生じる段差は、接
続導体２３６（図３参照）によって埋められている。
２と第２のリード導体Ｔ２との間でも、垂直周回部を構
成させてある。具体的には、第２のリード導体Ｔ２は、
一端が第２の磁性層２２の下側を通過した第２のコイル
端末２３２の端部に接続され、他端側が第２の磁性層２
２の上部をとおり、第２のコイル端末２３２とは逆の方
向に導出されている。上記構造により第２のコイル端末
２３２と第２のリード導体Ｔ２との間生じる段差は、接
続導体２３６（図３参照）によって埋められている。
【００３５】上述したように、本発明に係るマイクロデ
バイスでは、第２の磁性層２２は第１の磁性層２１と相
対向して設けられ、結合部２１１、２１２において第１
の磁性層２１と磁気的に結合しており、薄膜コイル２３
は第１の磁性層２１と第２の磁性層２２との間を通過
し、結合部２１２の周囲を平面状に周回するから、薄膜
コイル２３の平面ターン数及びコイル電流に依存した起
磁力が、まず、発生する。
バイスでは、第２の磁性層２２は第１の磁性層２１と相
対向して設けられ、結合部２１１、２１２において第１
の磁性層２１と磁気的に結合しており、薄膜コイル２３
は第１の磁性層２１と第２の磁性層２２との間を通過
し、結合部２１２の周囲を平面状に周回するから、薄膜
コイル２３の平面ターン数及びコイル電流に依存した起
磁力が、まず、発生する。
【００３６】薄膜コイル２３は、第１のコイル端末２３
１と、第２のコイル端末２３２とを含む。第１のコイル
端末２３１は最内周に位置し、第２のコイル端末２３２
は最外周に位置する。第１のリード導体Ｔ１は第１のコ
イル端末２３１の端部に接続されており、第２のリード
導体Ｔ２は第２のコイル端末２３２の端部に接続されて
いる。したがって、第１及び第２のリード導体Ｔ１、Ｔ
２を通して、薄膜コイル２３にコイル電流を供給でき
る。
１と、第２のコイル端末２３２とを含む。第１のコイル
端末２３１は最内周に位置し、第２のコイル端末２３２
は最外周に位置する。第１のリード導体Ｔ１は第１のコ
イル端末２３１の端部に接続されており、第２のリード
導体Ｔ２は第２のコイル端末２３２の端部に接続されて
いる。したがって、第１及び第２のリード導体Ｔ１、Ｔ
２を通して、薄膜コイル２３にコイル電流を供給でき
る。
【００３７】上述した構成及び作用は、従来と異ならな
い。本発明の特徴は、上述した構成において、第１のリ
ード導体Ｔ１は、一端が第２の磁性層２２の下側を通過
した第１のコイル端末２３１の端部に接続され、他端側
が第２の磁性層２２の上部をとおり、第１のコイル端末
２３１とは逆の方向に導出されていることである。第１
のリード導体Ｔ１は、接続導体２３６を介して、第１の
コイル端末２３１に導通接続されている。
い。本発明の特徴は、上述した構成において、第１のリ
ード導体Ｔ１は、一端が第２の磁性層２２の下側を通過
した第１のコイル端末２３１の端部に接続され、他端側
が第２の磁性層２２の上部をとおり、第１のコイル端末
２３１とは逆の方向に導出されていることである。第１
のリード導体Ｔ１は、接続導体２３６を介して、第１の
コイル端末２３１に導通接続されている。
【００３８】この構造によれば、第１のコイル端末２３
１、接続導体２３６及び第１のリード導体Ｔ１により、
薄膜コイル２３の主要ターン部分の平面周回に対して垂
直になる垂直周回部分が生じる。実施例の場合、この垂
直周回部分は、約（３／４）ターンである。このため、
薄膜コイル２３の主要平面ターン数は増大させることな
く、垂直周回によるターン数を追加し、起磁力を増大さ
せることができる。
１、接続導体２３６及び第１のリード導体Ｔ１により、
薄膜コイル２３の主要ターン部分の平面周回に対して垂
直になる垂直周回部分が生じる。実施例の場合、この垂
直周回部分は、約（３／４）ターンである。このため、
薄膜コイル２３の主要平面ターン数は増大させることな
く、垂直周回によるターン数を追加し、起磁力を増大さ
せることができる。
【００３９】また、薄膜コイル２３の平面ターン数は増
大させることなく、垂直周回によるターン数を追加し、
起磁力を増大させるので、磁路長の増大、及び、それに
よる高周波特性を劣化を招くことなく、起磁力を増大し
得る。
大させることなく、垂直周回によるターン数を追加し、
起磁力を増大させるので、磁路長の増大、及び、それに
よる高周波特性を劣化を招くことなく、起磁力を増大し
得る。
【００４０】実施例では、更に、第２のコイル端末２３
２、接続導体２３７及び第２のリード導体Ｔ２によって
も、垂直周回部が構成される。したがって、実施例の場
合、第２のコイル端末２３２及び第２のリード導体Ｔ２
によっても、薄膜コイル２３の主要ターン部分の平面周
回に対して垂直になる垂直周回部分が生じる。実施例の
場合、この垂直周回部分は、約（３／４）ターンであ
る。
２、接続導体２３７及び第２のリード導体Ｔ２によって
も、垂直周回部が構成される。したがって、実施例の場
合、第２のコイル端末２３２及び第２のリード導体Ｔ２
によっても、薄膜コイル２３の主要ターン部分の平面周
回に対して垂直になる垂直周回部分が生じる。実施例の
場合、この垂直周回部分は、約（３／４）ターンであ
る。
【００４１】結局、この実施例の場合、第１のコイル端
末２３１、接続導体２３６及び第１のリード導体Ｔ１に
よる約（３／４）ターン分の垂直周回部分と合わせて、
約１．５ターン分の垂直周回部分を追加し、薄膜コイル
２３の主要平面ターン数を増大させることなく、起磁力
を増大させることができる。
末２３１、接続導体２３６及び第１のリード導体Ｔ１に
よる約（３／４）ターン分の垂直周回部分と合わせて、
約１．５ターン分の垂直周回部分を追加し、薄膜コイル
２３の主要平面ターン数を増大させることなく、起磁力
を増大させることができる。
【００４２】図示実施例では、第１のコイル端末２３
１、接続導体２３６及び第１のリード導体Ｔ１による垂
直周回部と、第２のコイル端末２３２、接続導体部２３
７及び第２のリード導体Ｔ２による垂直周回部とを形成
した例を示したが、垂直周回部は、何れか一方に備えれ
ばよい。
１、接続導体２３６及び第１のリード導体Ｔ１による垂
直周回部と、第２のコイル端末２３２、接続導体部２３
７及び第２のリード導体Ｔ２による垂直周回部とを形成
した例を示したが、垂直周回部は、何れか一方に備えれ
ばよい。
【００４３】図５は本発明に係るマイクロデバイスの別
の実施例を示す平面図、図６は図５の６−６線に沿った
断面図、図７は図５の７−７線に沿った断面図である。
図示は薄膜インダクタとして具体化されたマイクロデバ
イスを示す。図において、図１〜図４に現れた構成部分
と同一の構成部分については、同一の参照符号を付し、
重複説明は省略する。
の実施例を示す平面図、図６は図５の６−６線に沿った
断面図、図７は図５の７−７線に沿った断面図である。
図示は薄膜インダクタとして具体化されたマイクロデバ
イスを示す。図において、図１〜図４に現れた構成部分
と同一の構成部分については、同一の参照符号を付し、
重複説明は省略する。
【００４４】この実施例では、第１のコイル端末２３１
に接続される第１のリード導体Ｔ１を、導体部Ｔ１１、
Ｔ１２の２つとし、導体部Ｔ１１の一端を、接続導体２
３６によって、第１のコイル端末２３１の端部に接続す
るともに、導体部Ｔ１１を、第２の磁性層２２の上部を
通り、第１のコイル端末２３１とは逆の方向に導出す
る。導体部Ｔ１２は、導体部Ｔ１１よりも低い位置にあ
り、両者の段差を、接続導体２３８によって埋め、導体
部Ｔ１２を、導体部Ｔ１１と接続し、第１のリード導体
Ｔ１を構成する。
に接続される第１のリード導体Ｔ１を、導体部Ｔ１１、
Ｔ１２の２つとし、導体部Ｔ１１の一端を、接続導体２
３６によって、第１のコイル端末２３１の端部に接続す
るともに、導体部Ｔ１１を、第２の磁性層２２の上部を
通り、第１のコイル端末２３１とは逆の方向に導出す
る。導体部Ｔ１２は、導体部Ｔ１１よりも低い位置にあ
り、両者の段差を、接続導体２３８によって埋め、導体
部Ｔ１２を、導体部Ｔ１１と接続し、第１のリード導体
Ｔ１を構成する。
【００４５】この構造によれば、第１のコイル端末２３
１及び第１のリード導体Ｔ１により、薄膜コイル２３の
主要ターン部分の平面周回に対して垂直になる約１ター
ン分の垂直周回部分が生じる。このため、薄膜コイル２
３の主要平面ターン数は増大させることなく、垂直周回
によるターン数を追加し、起磁力を増大させることがで
きる。
１及び第１のリード導体Ｔ１により、薄膜コイル２３の
主要ターン部分の平面周回に対して垂直になる約１ター
ン分の垂直周回部分が生じる。このため、薄膜コイル２
３の主要平面ターン数は増大させることなく、垂直周回
によるターン数を追加し、起磁力を増大させることがで
きる。
【００４６】更に実施例では、第２のコイル端末２３２
に接続される第２のリード導体Ｔ２を、導体部Ｔ２１、
Ｔ２２の２つとし、接続導体２３６によって、導体部Ｔ
２１の一端を第２のコイル端末２３２の端部に接続する
ともに、導体部Ｔ２１を、第２の磁性層２２の上部を通
り、第２のコイル端末２３２とは逆の方向に導出してあ
る。
に接続される第２のリード導体Ｔ２を、導体部Ｔ２１、
Ｔ２２の２つとし、接続導体２３６によって、導体部Ｔ
２１の一端を第２のコイル端末２３２の端部に接続する
ともに、導体部Ｔ２１を、第２の磁性層２２の上部を通
り、第２のコイル端末２３２とは逆の方向に導出してあ
る。
【００４７】導体部Ｔ２２は、導体部Ｔ２１よりも低い
位置にあり、両者の段差を、接続導体２３８によって埋
め、導体部Ｔ２２を、導体部Ｔ２１と接続し、第２のリ
ード導体Ｔ２を構成する。
位置にあり、両者の段差を、接続導体２３８によって埋
め、導体部Ｔ２２を、導体部Ｔ２１と接続し、第２のリ
ード導体Ｔ２を構成する。
【００４８】この構造によれば、第２のコイル端末２３
２及び第２のリード導体Ｔ２により、約１ターン分の垂
直周回部分が生じる。このため、第１のコイル端末２３
１及び第１のリード導体Ｔ１による約１ターン分の垂直
周回部分と合わせて、約２ターン分の垂直周回部分を追
加し、薄膜コイル２３の主要平面ターン数を増大させる
ことなく、起磁力を増大させることができる。
２及び第２のリード導体Ｔ２により、約１ターン分の垂
直周回部分が生じる。このため、第１のコイル端末２３
１及び第１のリード導体Ｔ１による約１ターン分の垂直
周回部分と合わせて、約２ターン分の垂直周回部分を追
加し、薄膜コイル２３の主要平面ターン数を増大させる
ことなく、起磁力を増大させることができる。
【００４９】２．薄膜磁気ヘッドとしてのマイクロデバ
イス 本発明に係るマイクロデバイスを含む薄膜磁気ヘッドに
ついて説明する。図８は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの
斜視図、図９は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの平面図、
図１０は図６の７−７線に沿った一部拡大断面図、図８
は図６の８−８線に沿った一部拡大断面図、図９は図６
の９−９線に沿った一部拡大断面図である。
イス 本発明に係るマイクロデバイスを含む薄膜磁気ヘッドに
ついて説明する。図８は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの
斜視図、図９は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの平面図、
図１０は図６の７−７線に沿った一部拡大断面図、図８
は図６の８−８線に沿った一部拡大断面図、図９は図６
の９−９線に沿った一部拡大断面図である。
【００５０】図示実施例の薄膜磁気ヘッドは、スライダ
基体１と、書き込み素子２と、読み取り素子３とを含
む。書き込み素子２及び読み取り素子３はスライダ基体
１により保持される。
基体１と、書き込み素子２と、読み取り素子３とを含
む。書き込み素子２及び読み取り素子３はスライダ基体
１により保持される。
【００５１】スライダ基体１は、媒体対向面側にレール
１１、１２を有し、レール１１、１２の表面がＡＢＳ面
１３、１４として利用される。但し、レールは２本に限
らない。１〜３本のレールを有することがあり、レール
を持たない平面となることもある。また、浮上特性改善
等のために、媒体対向面に種々の幾何学的形状が付され
ることもある。何れのタイプのスライダ基体１であって
も、本発明の適用が可能である。
１１、１２を有し、レール１１、１２の表面がＡＢＳ面
１３、１４として利用される。但し、レールは２本に限
らない。１〜３本のレールを有することがあり、レール
を持たない平面となることもある。また、浮上特性改善
等のために、媒体対向面に種々の幾何学的形状が付され
ることもある。何れのタイプのスライダ基体１であって
も、本発明の適用が可能である。
【００５２】また、スライダ基体１は、レール１１、１
２の表面に、例えば３〜８ｎｍ程度の層厚を有するＤＬ
Ｃ等の保護層を備えることもあり、このような場合は保
護層の表面がＡＢＳ１３、１４となる。スライダ基体１
は、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ等でなるスライダ基体１の表面
に、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等の絶縁層１６を設けたセラミ
ック構造体である。
２の表面に、例えば３〜８ｎｍ程度の層厚を有するＤＬ
Ｃ等の保護層を備えることもあり、このような場合は保
護層の表面がＡＢＳ１３、１４となる。スライダ基体１
は、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ等でなるスライダ基体１の表面
に、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等の絶縁層１６を設けたセラミ
ック構造体である。
【００５３】書き込み素子２と、読み取り素子３は、そ
れぞれ空気流出端ＴＲ付近において、レール１１及び１
２のＡＢＳ面１３及び１４の上部に露出する。一般に、
書き込み素子２は誘導型磁気変換素子であり、読み取り
素子３はＭＲ素子である。
れぞれ空気流出端ＴＲ付近において、レール１１及び１
２のＡＢＳ面１３及び１４の上部に露出する。一般に、
書き込み素子２は誘導型磁気変換素子であり、読み取り
素子３はＭＲ素子である。
【００５４】読み取り素子３は、第１のシールド膜３１
と第１の磁性層２１との間において、無機絶縁膜３３の
内部に埋設される。読み取り素子３としては、スピンバ
ルブ膜または強磁性トンネル接合等を用いた巨大磁気抵
抗効果素子（ＧＭＲ素子）を用いることができる。
と第１の磁性層２１との間において、無機絶縁膜３３の
内部に埋設される。読み取り素子３としては、スピンバ
ルブ膜または強磁性トンネル接合等を用いた巨大磁気抵
抗効果素子（ＧＭＲ素子）を用いることができる。
【００５５】図７乃至図９で示す薄膜磁気ヘッドは、第
１の磁性層２１と、第２の磁性層２２と、薄膜コイル２
３と、第１のシールド膜３１と、無機絶縁膜３２及び３
３と、無機絶縁膜２５２及び２５４と、コイル絶縁層２
５３と、ギャップ層２４と、第１及び第２のリード導体
Ｔ１、Ｔ２と、読み取り素子３と、保護膜２６とを含
む。第１の磁性層２１は、第２のシールド膜として兼用
することもできる。
１の磁性層２１と、第２の磁性層２２と、薄膜コイル２
３と、第１のシールド膜３１と、無機絶縁膜３２及び３
３と、無機絶縁膜２５２及び２５４と、コイル絶縁層２
５３と、ギャップ層２４と、第１及び第２のリード導体
Ｔ１、Ｔ２と、読み取り素子３と、保護膜２６とを含
む。第１の磁性層２１は、第２のシールド膜として兼用
することもできる。
【００５６】第１のシールド膜３１、第１及び第２の磁
性層２１、２２は、パーマロイ等により構成される。無
機絶縁膜３２、３３、２５２及び２５４は、Ａｌ2Ｏ3等
の無機絶縁材料で構成されている。薄膜コイル２３、第
１及び第２のリード導体Ｔ１、Ｔ２は、Ｃｕ（銅）など
の導電金属材料によって構成される。ギャップ層２４及
び保護膜２６は、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等の無機絶縁材料
によって構成される。
性層２１、２２は、パーマロイ等により構成される。無
機絶縁膜３２、３３、２５２及び２５４は、Ａｌ2Ｏ3等
の無機絶縁材料で構成されている。薄膜コイル２３、第
１及び第２のリード導体Ｔ１、Ｔ２は、Ｃｕ（銅）など
の導電金属材料によって構成される。ギャップ層２４及
び保護膜２６は、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等の無機絶縁材料
によって構成される。
【００５７】第１及び第２の磁性層２１、２２の先端部
は、微小厚みのギャップ層２４を隔てて対向する上下ポ
ール端Ｐ１、Ｐ２となっており、上下ポール端Ｐ１、Ｐ
２において書き込みを行なう。
は、微小厚みのギャップ層２４を隔てて対向する上下ポ
ール端Ｐ１、Ｐ２となっており、上下ポール端Ｐ１、Ｐ
２において書き込みを行なう。
【００５８】第２の磁性層２２は、第１の磁性層２１と
相対向して設けられ、一端が結合部２１２によって第１
の磁性層２１と磁気的に結合する。より詳細には、第１
及び第２の磁性層２１、２２は、後方の結合部２１２を
バックギャップとして互いに結合され、それによって薄
膜磁気回路が完成する。
相対向して設けられ、一端が結合部２１２によって第１
の磁性層２１と磁気的に結合する。より詳細には、第１
及び第２の磁性層２１、２２は、後方の結合部２１２を
バックギャップとして互いに結合され、それによって薄
膜磁気回路が完成する。
【００５９】第１及び第２の磁性層２１、２２は、例え
ば、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮまたはＦｅＺｒＮ等の
磁性材料を用いて構成することができる。第１及び第２
の磁性層２１、２２のそれぞれは単層構造であってもよ
いし、多層構造であってもよい。第１及び第２の磁性層
２１、２２の各膜厚は、例えば、０．５〜３μｍの範囲
に設定される。このような第１及び第２の磁性層２１、
２２はフレームメッキ法によって形成できる。
ば、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮまたはＦｅＺｒＮ等の
磁性材料を用いて構成することができる。第１及び第２
の磁性層２１、２２のそれぞれは単層構造であってもよ
いし、多層構造であってもよい。第１及び第２の磁性層
２１、２２の各膜厚は、例えば、０．５〜３μｍの範囲
に設定される。このような第１及び第２の磁性層２１、
２２はフレームメッキ法によって形成できる。
【００６０】薄膜コイル２３は、第１の磁性層２１にお
いて結合部２１２の周囲を平面状に周回し、第１の磁性
層２１と第２の磁性層２２との間を通過する。薄膜コイ
ル２３は、Ｃｕ（銅）などの導電金属材料によって構成
される。
いて結合部２１２の周囲を平面状に周回し、第１の磁性
層２１と第２の磁性層２２との間を通過する。薄膜コイ
ル２３は、Ｃｕ（銅）などの導電金属材料によって構成
される。
【００６１】薄膜コイル２３は、第１のコイル端末２３
１と、第２のコイル端末２３２とを含む。第１のコイル
端末２３１は、最内周に位置し、第２のコイル端末２３
２は、最外周に位置する。
１と、第２のコイル端末２３２とを含む。第１のコイル
端末２３１は、最内周に位置し、第２のコイル端末２３
２は、最外周に位置する。
【００６２】第１のリード導体Ｔ１は、接続導体２３６
を介して、第１のコイル端末２３１の端部に接続されて
おり、第２のリード導体Ｔ２は、接続導体２３７を介し
て、第２のコイル端末２３２の端部に接続されている。
を介して、第１のコイル端末２３１の端部に接続されて
おり、第２のリード導体Ｔ２は、接続導体２３７を介し
て、第２のコイル端末２３２の端部に接続されている。
【００６３】更に、第１のリード導体Ｔ１は、一端が第
２の磁性層２２の下側を通過した第１のコイル端末２３
１の端部に接続され、他端側が第２の磁性層２２の上部
をとおり、第１のコイル端末２３１とは逆の方向に導出
されている。
２の磁性層２２の下側を通過した第１のコイル端末２３
１の端部に接続され、他端側が第２の磁性層２２の上部
をとおり、第１のコイル端末２３１とは逆の方向に導出
されている。
【００６４】この構造によれば、第１のコイル端末２３
１、接続導体２３６及び第１のリード導体Ｔ１により、
薄膜コイル２３の主要ターン部分となる平面周回に対し
て垂直になる垂直周回部分が生じる。実施例の場合、こ
の垂直周回部分は、約（３／４）ターンである。このた
め、薄膜コイル２３の主要平面ターン数を増大させるこ
となく、垂直周回によるターン数を追加し、起磁力を増
大させることができる。
１、接続導体２３６及び第１のリード導体Ｔ１により、
薄膜コイル２３の主要ターン部分となる平面周回に対し
て垂直になる垂直周回部分が生じる。実施例の場合、こ
の垂直周回部分は、約（３／４）ターンである。このた
め、薄膜コイル２３の主要平面ターン数を増大させるこ
となく、垂直周回によるターン数を追加し、起磁力を増
大させることができる。
【００６５】また、薄膜コイル２３の平面ターン数は増
大させることなく、垂直周回によるターン数を追加し、
起磁力を増大させるので、磁路長の増大、及び、それに
よる高周波特性を劣化を招くことなく、起磁力を増大し
得る。
大させることなく、垂直周回によるターン数を追加し、
起磁力を増大させるので、磁路長の増大、及び、それに
よる高周波特性を劣化を招くことなく、起磁力を増大し
得る。
【００６６】実施例では、更に、第２のコイル端末２３
２、接続導体２３７及び第２のリード導体Ｔ２によって
も、垂直周回部が構成される。したがって、実施例の場
合、第２のコイル端末２３２及び第２のリード導体Ｔ２
によっても、薄膜コイル２３の主要ターン部分の平面周
回に対して垂直になる垂直周回部分が生じる。実施例の
場合、この垂直周回部分は、約（３／４）ターンであ
る。
２、接続導体２３７及び第２のリード導体Ｔ２によって
も、垂直周回部が構成される。したがって、実施例の場
合、第２のコイル端末２３２及び第２のリード導体Ｔ２
によっても、薄膜コイル２３の主要ターン部分の平面周
回に対して垂直になる垂直周回部分が生じる。実施例の
場合、この垂直周回部分は、約（３／４）ターンであ
る。
【００６７】結局、この実施例の場合、第１のコイル端
末２３１、接続導体２３６及び第１のリード導体Ｔ１に
よる約（３／４）ターン分の垂直周回部分と合わせて、
約１．５ターン分の垂直周回部分を追加し、薄膜コイル
２３の主要平面ターン数を増大させることなく、起磁力
を増大させることができる。垂直周回部は、実施例に示
す２つに限らず、何れか一方を備えればよい。
末２３１、接続導体２３６及び第１のリード導体Ｔ１に
よる約（３／４）ターン分の垂直周回部分と合わせて、
約１．５ターン分の垂直周回部分を追加し、薄膜コイル
２３の主要平面ターン数を増大させることなく、起磁力
を増大させることができる。垂直周回部は、実施例に示
す２つに限らず、何れか一方を備えればよい。
【００６８】図示及び詳細な説明は省略するが、薄膜磁
気ヘッドにおいても、図５〜図７に図示した構造を採用
できる。
気ヘッドにおいても、図５〜図７に図示した構造を採用
できる。
【００６９】３．薄膜磁気ヘッドを用いた薄膜磁気ヘッ
ド装置及び磁気記録再生装置 本発明は、更に、薄膜磁気ヘッド装置及び磁気記録再生
装置についても開示する。まず、図１３は本発明に係る
薄膜磁気ヘッド装置の正面図、図１４は本発明に係る薄
膜磁気ヘッド装置の底面図である。
ド装置及び磁気記録再生装置 本発明は、更に、薄膜磁気ヘッド装置及び磁気記録再生
装置についても開示する。まず、図１３は本発明に係る
薄膜磁気ヘッド装置の正面図、図１４は本発明に係る薄
膜磁気ヘッド装置の底面図である。
【００７０】薄膜磁気ヘッド装置は、薄膜磁気ヘッド４
と、ヘッド支持装置５とを含んでいる。薄膜磁気ヘッド
４は、図９〜図１２を参照して説明した本発明に係る薄
膜磁気ヘッドである。
と、ヘッド支持装置５とを含んでいる。薄膜磁気ヘッド
４は、図９〜図１２を参照して説明した本発明に係る薄
膜磁気ヘッドである。
【００７１】ヘッド支持装置５は、金属薄板でなる支持
体５３の長手方向の一端にある自由端に、同じく金属薄
板でなる可撓体５１を取付け、この可撓体５１の下面に
薄膜磁気ヘッド４を取付けた構造となっている。
体５３の長手方向の一端にある自由端に、同じく金属薄
板でなる可撓体５１を取付け、この可撓体５１の下面に
薄膜磁気ヘッド４を取付けた構造となっている。
【００７２】可撓体５１は、支持体５３の長手方向軸線
と略平行して伸びる２つの外側枠部５５、５６と、支持
体５３から離れた端において外側枠部５５、５６を連結
する横枠５４と、横枠５４の略中央部から外側枠部５
５、５６に略平行するように延びていて先端を自由端と
した舌状片５２とを有する。
と略平行して伸びる２つの外側枠部５５、５６と、支持
体５３から離れた端において外側枠部５５、５６を連結
する横枠５４と、横枠５４の略中央部から外側枠部５
５、５６に略平行するように延びていて先端を自由端と
した舌状片５２とを有する。
【００７３】舌状片５２のほぼ中央部には、支持体５３
から隆起した、例えば半球状の荷重用突起５７が設けら
れている。この荷重用突起５７により、支持体５３の自
由端から舌状片５２へ荷重力が伝えられる。
から隆起した、例えば半球状の荷重用突起５７が設けら
れている。この荷重用突起５７により、支持体５３の自
由端から舌状片５２へ荷重力が伝えられる。
【００７４】舌状片５２の下面に薄膜磁気ヘッド４を接
着等の手段によって取付けてある。薄膜磁気ヘッド４
は、空気流出側端側が横枠５４の方向になるように、舌
状片５２に取付けられている。本発明に適用可能なヘッ
ド支持装置５は、上記実施例に限らない。
着等の手段によって取付けてある。薄膜磁気ヘッド４
は、空気流出側端側が横枠５４の方向になるように、舌
状片５２に取付けられている。本発明に適用可能なヘッ
ド支持装置５は、上記実施例に限らない。
【００７５】図１５は、本発明に係る磁気記録再生装置
の平面図である。図示実施例に係る磁気記録再生装置
は、磁気記録媒体７と、薄膜磁気ヘッド装置６とを含
み、磁気記録媒体７上に情報を書き込み、または、書き
込まれた情報を読み取る。
の平面図である。図示実施例に係る磁気記録再生装置
は、磁気記録媒体７と、薄膜磁気ヘッド装置６とを含
み、磁気記録媒体７上に情報を書き込み、または、書き
込まれた情報を読み取る。
【００７６】薄膜磁気ヘッド装置６は図１３、図１４に
図示したものである。薄膜磁気ヘッド装置６は、ヘッド
支持装置５の一端がアーム９の一端に結合され、アーム
９の他端がボイスコイル等を含む位置決め装置８によっ
て支持され、かつ、駆動される。薄膜磁気ヘッド４は、
ヘッド支持装置５の自由端側において、ヘッド支持装置
５によって支持され、磁気記録媒体７の磁気記録面と対
向するように配置される。
図示したものである。薄膜磁気ヘッド装置６は、ヘッド
支持装置５の一端がアーム９の一端に結合され、アーム
９の他端がボイスコイル等を含む位置決め装置８によっ
て支持され、かつ、駆動される。薄膜磁気ヘッド４は、
ヘッド支持装置５の自由端側において、ヘッド支持装置
５によって支持され、磁気記録媒体７の磁気記録面と対
向するように配置される。
【００７７】磁気記録媒体７が、図示しない駆動装置に
より、矢印Ｆ１の方向に回転駆動されると、薄膜磁気ヘ
ッド４が、微小浮上量で、磁気記録媒体７の面から浮上
する。ヘッド支持装置５の先端部に取り付けられた薄膜
磁気ヘッド４は、磁気記録媒体７の径方向に駆動され
る。そして、ヘッド支持装置５を駆動する位置決め装置
８により、薄膜磁気ヘッド４が、磁気記録媒体７上の所
定のトラック位置に位置決めされ、磁気記録の読み出
し、書き込みが行われる。
より、矢印Ｆ１の方向に回転駆動されると、薄膜磁気ヘ
ッド４が、微小浮上量で、磁気記録媒体７の面から浮上
する。ヘッド支持装置５の先端部に取り付けられた薄膜
磁気ヘッド４は、磁気記録媒体７の径方向に駆動され
る。そして、ヘッド支持装置５を駆動する位置決め装置
８により、薄膜磁気ヘッド４が、磁気記録媒体７上の所
定のトラック位置に位置決めされ、磁気記録の読み出
し、書き込みが行われる。
【００７８】以上、好ましい実施例を参照して本発明の
内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及
び教示に基づいて、当業者であれば、種々の変形態様を
採り得ることは自明である。
内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及
び教示に基づいて、当業者であれば、種々の変形態様を
採り得ることは自明である。
【００７９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、平
面コイルターン数を増大させることなく、起磁力を増大
し得る薄膜構造のマイクロデバイス、特に、薄膜磁気ヘ
ッド及び薄膜インダクタを提供することができる。
面コイルターン数を増大させることなく、起磁力を増大
し得る薄膜構造のマイクロデバイス、特に、薄膜磁気ヘ
ッド及び薄膜インダクタを提供することができる。
【図１】本発明に係るマイクロデバイスの平面図であ
る。
る。
【図２】図１の２−２線に沿った断面図である。
【図３】図１の３−３線に沿った断面図である。
【図４】図１の４−４線に沿った断面図である。
【図５】本発明に係るマイクロデバイスの別の実施例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図６】図５の６−６線に沿った一部拡大断面図であ
る。
る。
【図７】図５の７−７線に沿った一部拡大断面図であ
る。
る。
【図８】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図である。
【図９】本発明に係る薄膜磁気ヘッドのコイル部分を拡
大して示す斜視図である。
大して示す斜視図である。
【図１０】図９の１０−１０線に沿った一部拡大断面図
である。
である。
【図１１】図９の１１−１１線に沿った一部拡大断面図
である。
である。
【図１２】図９の１２−１２線に沿った一部拡大断面図
である。
である。
【図１３】本発明に係る薄膜磁気ヘッド装置の正面図で
ある。
ある。
【図１４】本発明に係る薄膜磁気ヘッド装置の底面図で
ある。
ある。
【図１５】本発明に係る磁気記録再生装置の平面図であ
る。
る。
２１ 第１の磁性層
２２ 第２の磁性層
２３ 薄膜コイル
２１１、２１２ 結合部
２３１ 第１のコイル端末
２３２ 第２のコイル端末
Ｔ１ 第１のリード導体
Ｔ２ 第２のリード導体
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１５年５月２２日（２００３．５．２
２）
２）
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図５】
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正内容】
【図７】
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正内容】
【図９】
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１０】
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１１】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１２】
Claims (10)
- 【請求項１】 第１の磁性層と、第２の磁性層と、薄膜
コイルと、第１のリード導体と、第２のリード導体とを
含むマイクロデバイスであって、 前記第２の磁性層は、前記第１の磁性層と相対向して設
けられ、結合部によって前記第１の磁性層と磁気的に結
合し、 前記薄膜コイルは、前記第１の磁性層と前記第２の磁性
層との間を通過し、前記結合部の周囲を平面状に周回し
ており、 前記薄膜コイルは、第１のコイル端末と、第２のコイル
端末とを含み、 前記第１のコイル端末は、最内周に位置しており、 前記第２のコイル端末は、最外周に位置しており、 前記第２のリード導体は、前記第２のコイル端末の端部
に接続されており、 前記第１のリード導体は、一端が前記第２の磁性層の下
側を通過した前記第１のコイル端末の端部に接続され、
他端側が前記第２の磁性層の上部をとおり、前記第１の
コイル端末とは逆の方向に導出されているマイクロデバ
イス。 - 【請求項２】 第１の磁性層と、第２の磁性層と、薄膜
コイルと、第１のリード導体と、第２のリード導体とを
含むマイクロデバイスであって、 前記第２の磁性層は、前記第１の磁性層と相対向して設
けられ、結合部によって前記第１の磁性層と磁気的に結
合し、 前記薄膜コイルは、前記第１の磁性層と前記第２の磁性
層との間を通過し、前記結合部の周囲を平面状に周回し
ており、 前記薄膜コイルは、第１のコイル端末と、第２のコイル
端末とを含み、 前記第１のコイル端末は、最内周に位置しており、 前記第２のコイル端末は、最外周に位置しており、 前記第１のリード導体は、前記第１のコイル端末の端部
に接続されており、 前記第２のリード導体は、一端が前記第２の磁性層の下
側を通過した前記第２のコイル端末の端部に接続され、
他端側が前記第２の磁性層の上部をとおり、前記第２の
コイル端末とは逆の方向に導出されているマイクロデバ
イス。 - 【請求項３】 請求項２に記載されたマイクロデバイス
であって、 前記第１のリード導体は、一端が前記第２の磁性層の下
側を通過した前記第１のコイル端末の端部に接続され、
他端側が前記第２の磁性層の上部をとおり、前記第１の
コイル端末とは逆の方向に導出されているマイクロデバ
イス。 - 【請求項４】 請求項１乃至３の何れかに記載されたマ
イクロデバイスであって、薄膜インダクタであるマイク
ロデバイス。 - 【請求項５】 請求項１乃至３の何れかに記載されたマ
イクロデバイスであって、薄膜磁気ヘッドであるマイク
ロデバイス。 - 【請求項６】 請求項５に記載されたマイクロデバイス
であって、更に、読み取り素子を含んでおり、前記読み
取り素子は、巨大磁気抵抗効果素子を含むマイクロデバ
イス。 - 【請求項７】 請求項６に記載されたマイクロデバイス
であって、 前記巨大磁気抵抗効果素子は、スピンバルブ膜または強
磁性トンネル接合の何れかを含むマイクロデバイス。 - 【請求項８】 スライダと、マイクロデバイスとをふく
む薄膜磁気ヘッドであって、 マイクロデバイスは、請求項５に記載されたものでな
り、前記スライダにより支持される薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項９】 薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持装置とを
含む薄膜磁気ヘッド装置であって、 前記薄膜磁気ヘッドは、請求項５乃至８の何れかに記載
されたものでなり、 前記ヘッド支持装置は、前記薄膜磁気ヘッドを支持する
薄膜磁気ヘッド装置。 - 【請求項１０】 薄膜磁気ヘッド装置と、磁気記録媒体
とを含む磁気記録再生装置であって、 前記薄膜磁気ヘッド装置は、請求項９に記載されたもの
でなり、 前記磁気記録媒体は、前記薄膜磁気ヘッドと協働して磁
気記録再生を行う磁気記録再生装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002079362A JP2003282323A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | マイクロデバイス |
| US10/370,708 US6812543B2 (en) | 2002-03-20 | 2003-02-24 | Micro device that generates a magnetomotive force in a long direction |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002079362A JP2003282323A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | マイクロデバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003282323A true JP2003282323A (ja) | 2003-10-03 |
Family
ID=28035650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002079362A Pending JP2003282323A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | マイクロデバイス |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6812543B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003282323A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10586642B2 (en) | 2016-12-21 | 2020-03-10 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Inductor for increasing inductance |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3874268B2 (ja) * | 2002-07-24 | 2007-01-31 | Ｔｄｋ株式会社 | パターン化薄膜およびその形成方法 |
| JP2005122818A (ja) * | 2003-10-16 | 2005-05-12 | Headway Technol Inc | 薄膜磁気ヘッド、これを用いた磁気記録装置及びその製造方法 |
| US7360301B2 (en) * | 2003-10-20 | 2008-04-22 | Headway Technologies, Inc. | Method of manufacturing a thin film magnetic head |
| US8395472B2 (en) * | 2008-07-02 | 2013-03-12 | Nxp B.V. | Planar, monolithically integrated coil |
| US10685776B1 (en) * | 2016-04-01 | 2020-06-16 | The Board Of Trustees Of The University Of Alabama | Integrated magnetic inductors |
| CN114121442B (zh) * | 2021-11-05 | 2024-07-16 | 西安交通大学 | 一种用于电力电子变换器的低交流铜损平面磁件绕组 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4423451A (en) * | 1981-08-10 | 1983-12-27 | Sperry Corporation | Thin film magnetic head having disparate poles for pulse asymmetry compensation |
| US6278352B1 (en) * | 1999-07-26 | 2001-08-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | High efficiency thin film inductor |
| CN1230840C (zh) * | 2000-11-21 | 2005-12-07 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 系统、印刷电路板、充电器装置、用户装置及设备 |
-
2002
- 2002-03-20 JP JP2002079362A patent/JP2003282323A/ja active Pending
-
2003
- 2003-02-24 US US10/370,708 patent/US6812543B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10586642B2 (en) | 2016-12-21 | 2020-03-10 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Inductor for increasing inductance |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030178695A1 (en) | 2003-09-25 |
| US6812543B2 (en) | 2004-11-02 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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