JP2003282197A - 同軸コネクタ及びその製造方法並びに超伝導装置 - Google Patents
同軸コネクタ及びその製造方法並びに超伝導装置Info
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- H01R9/05—Connectors arranged to contact a plurality of the conductors of a multiconductor cable, e.g. tapping connections for coaxial cables
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- Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｉｎはんだを用いて接合した場合であって
も、はんだ接合部が室温と低温との温度変化の繰り返し
に耐え得る同軸コネクタ及びその製造方法、並びにその
同軸コネクタを用いた超伝導装置を提供する。 【解決手段】 同軸ケーブルに接続される同軸コネクタ
１０であって、中心導体である端子１２の表面に、Ｉｎ
又はＩｎ合金より成る表面被覆層２０が形成されてい
る。表面被覆層の材料として、Ｉｎ系はんだの材料と同
様のＩｎが用いられているため、表面被覆層の材料とＩ
ｎ系はんだの材料とが反応してＩｎ系はんだ中に反応生
成物が生成されるのを防止することができる。このた
め、Ｉｎ系はんだの柔軟性が損なわれるのを防止するこ
とができ、室温と低温と間の温度変化の繰り返しに耐え
得る超伝導装置を提供することができる。
も、はんだ接合部が室温と低温との温度変化の繰り返し
に耐え得る同軸コネクタ及びその製造方法、並びにその
同軸コネクタを用いた超伝導装置を提供する。 【解決手段】 同軸ケーブルに接続される同軸コネクタ
１０であって、中心導体である端子１２の表面に、Ｉｎ
又はＩｎ合金より成る表面被覆層２０が形成されてい
る。表面被覆層の材料として、Ｉｎ系はんだの材料と同
様のＩｎが用いられているため、表面被覆層の材料とＩ
ｎ系はんだの材料とが反応してＩｎ系はんだ中に反応生
成物が生成されるのを防止することができる。このた
め、Ｉｎ系はんだの柔軟性が損なわれるのを防止するこ
とができ、室温と低温と間の温度変化の繰り返しに耐え
得る超伝導装置を提供することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、同軸コネクタ及び
その製造方法並びに超伝導装置に関する。
その製造方法並びに超伝導装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】超伝導体を用いた超伝導フィルタは、電
気良導体を用いた一般のフィルタと比較して良好な周波
数特性が得られるため、近時、大きな注目を集めてい
る。
気良導体を用いた一般のフィルタと比較して良好な周波
数特性が得られるため、近時、大きな注目を集めてい
る。
【０００３】超伝導フィルタは、高周波に対する電磁シ
ールドが可能な金属製容器内に実装され、例えば冷凍機
を用いて７０Ｋまで冷却して用いられる。
ールドが可能な金属製容器内に実装され、例えば冷凍機
を用いて７０Ｋまで冷却して用いられる。
【０００４】超伝導フィルタが実装された提案されてい
る超伝導装置を図５を用いて説明する。図５は、提案さ
れている超伝導装置を示す断面図である。図５（ａ）
は、はんだ付けを行う前の状態を示しており、図５
（ｂ）は、はんだ付けを行った後の状態を示している。
る超伝導装置を図５を用いて説明する。図５は、提案さ
れている超伝導装置を示す断面図である。図５（ａ）
は、はんだ付けを行う前の状態を示しており、図５
（ｂ）は、はんだ付けを行った後の状態を示している。
【０００５】図５（ｂ）に示すように、金属製容器１２
４内には、超伝導フィルタ１２６が実装されている。超
伝導フィルタ１２６は、誘電体基板１２８と、誘電体基
板１２８上に形成された超伝導体膜より成るパターン１
３０と、誘電体基板１２８の下に形成されたグランドプ
レーン１３６とを有している。パターン１３０の端部に
は、電極１３４が形成されており、グランドプレーン１
３６の下には、グランド電極１３８が形成されている。
４内には、超伝導フィルタ１２６が実装されている。超
伝導フィルタ１２６は、誘電体基板１２８と、誘電体基
板１２８上に形成された超伝導体膜より成るパターン１
３０と、誘電体基板１２８の下に形成されたグランドプ
レーン１３６とを有している。パターン１３０の端部に
は、電極１３４が形成されており、グランドプレーン１
３６の下には、グランド電極１３８が形成されている。
【０００６】金属製容器１２４の端部には、同軸ケーブ
ル（図示せず）と超伝導フィルタ１２６とを電気的に接
続するための同軸コネクタ１１０が設けられている。同
軸コネクタ１１０は、レセプタクルとして機能するもの
である。同軸コネクタ１１０は、中心導体である端子１
１２と、絶縁体１１４と、カップリング１１６と、ボデ
ィ１１８とを有している。
ル（図示せず）と超伝導フィルタ１２６とを電気的に接
続するための同軸コネクタ１１０が設けられている。同
軸コネクタ１１０は、レセプタクルとして機能するもの
である。同軸コネクタ１１０は、中心導体である端子１
１２と、絶縁体１１４と、カップリング１１６と、ボデ
ィ１１８とを有している。
【０００７】同軸コネクタ１１０の端子１１２は、Ｉｎ
系はんだ１４２を用いて超伝導フィルタ１２６の電極１
３４に接続されている。
系はんだ１４２を用いて超伝導フィルタ１２６の電極１
３４に接続されている。
【０００８】なお、同軸コネクタ１１０の端子１１２と
超伝導フィルタ１２６の電極１３４との接合にＩｎ系は
んだを用いるのは、Ｉｎ系はんだは、常温のみならず低
温においても良好な柔軟性が得られるためである。同軸
コネクタの端子と超伝導フィルタの電極との接合に通常
のＳｎ−３７％Ｐｂはんだを用いた場合、室温と低温と
の間で温度を変化させると、金属製容器１２４と超伝導
フィルタ１２６との熱膨張率の差に起因して、はんだ接
合部に大きな応力が加わり、はんだ接合部が剥離してし
まう。これに対し、Ｉｎ系はんだを用いれば、Ｉｎ系は
んだは常温のみならず低温においても良好な柔軟性が得
られるため、室温と低温との間で温度を変化させた場合
であっても、金属製容器１２４と超伝導フィルタ１２６
との熱膨張率の差に起因してはんだ接合部に加わる応力
を、緩和することができると考えられるためである。
超伝導フィルタ１２６の電極１３４との接合にＩｎ系は
んだを用いるのは、Ｉｎ系はんだは、常温のみならず低
温においても良好な柔軟性が得られるためである。同軸
コネクタの端子と超伝導フィルタの電極との接合に通常
のＳｎ−３７％Ｐｂはんだを用いた場合、室温と低温と
の間で温度を変化させると、金属製容器１２４と超伝導
フィルタ１２６との熱膨張率の差に起因して、はんだ接
合部に大きな応力が加わり、はんだ接合部が剥離してし
まう。これに対し、Ｉｎ系はんだを用いれば、Ｉｎ系は
んだは常温のみならず低温においても良好な柔軟性が得
られるため、室温と低温との間で温度を変化させた場合
であっても、金属製容器１２４と超伝導フィルタ１２６
との熱膨張率の差に起因してはんだ接合部に加わる応力
を、緩和することができると考えられるためである。
【０００９】提案されている超伝導装置によれば、同軸
コネクタを用いて同軸ケーブルと超伝導フィルタとを電
気的に接続することができるため、機器の接続作業を容
易化することができる。
コネクタを用いて同軸ケーブルと超伝導フィルタとを電
気的に接続することができるため、機器の接続作業を容
易化することができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、通常の
同軸コネクタ１１０の端子１１２の表面には、図５
（ａ）に示すように、数μｍのＡｕより成る表面被覆層
１２０が形成されている。このようにＡｕより成る表面
被覆層１２０が形成された端子１１２を、Ｉｎ系はんだ
を用いて超伝導フィルタ１２６の電極１３４と接合する
と、表面被覆層１２０のＡｕがＩｎ系はんだ１４２中に
拡散してしまう。そうすると、図５（ｂ）に示すよう
に、Ｉｎ系はんだ１４２中において、ＡｕとＩｎとの反
応生成物１４５が生成される。このような反応生成物１
４５が生成されたＩｎ系はんだ１４２は、柔軟性が乏し
いため、室温と低温との間で周囲温度を繰り返し変化さ
せると、はんだ接合が破壊されてしまう。このように、
同軸コネクタ１１０の端子１１２と超伝導フィルタ１２
６の電極１３４とを、単にＩｎ系はんだ１４２を用いて
接合した場合には、室温と低温との温度変化の繰り返し
に耐え得る信頼性の高い超伝導装置を提供することがで
きなかった。
同軸コネクタ１１０の端子１１２の表面には、図５
（ａ）に示すように、数μｍのＡｕより成る表面被覆層
１２０が形成されている。このようにＡｕより成る表面
被覆層１２０が形成された端子１１２を、Ｉｎ系はんだ
を用いて超伝導フィルタ１２６の電極１３４と接合する
と、表面被覆層１２０のＡｕがＩｎ系はんだ１４２中に
拡散してしまう。そうすると、図５（ｂ）に示すよう
に、Ｉｎ系はんだ１４２中において、ＡｕとＩｎとの反
応生成物１４５が生成される。このような反応生成物１
４５が生成されたＩｎ系はんだ１４２は、柔軟性が乏し
いため、室温と低温との間で周囲温度を繰り返し変化さ
せると、はんだ接合が破壊されてしまう。このように、
同軸コネクタ１１０の端子１１２と超伝導フィルタ１２
６の電極１３４とを、単にＩｎ系はんだ１４２を用いて
接合した場合には、室温と低温との温度変化の繰り返し
に耐え得る信頼性の高い超伝導装置を提供することがで
きなかった。
【００１１】本発明の目的は、Ｉｎはんだを用いて接合
した場合であっても、はんだ接合部が室温と低温との温
度変化の繰り返しに耐え得る同軸コネクタ及びその製造
方法、並びにその同軸コネクタを用いた超伝導装置を提
供することにある。
した場合であっても、はんだ接合部が室温と低温との温
度変化の繰り返しに耐え得る同軸コネクタ及びその製造
方法、並びにその同軸コネクタを用いた超伝導装置を提
供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的は、同軸ケーブ
ルに電気的に接続される同軸コネクタであって、中心導
体である端子の表面に、Ｉｎ又はＩｎ合金より成る表面
被覆層が形成されていることを特徴とする同軸コネクタ
により達成される。
ルに電気的に接続される同軸コネクタであって、中心導
体である端子の表面に、Ｉｎ又はＩｎ合金より成る表面
被覆層が形成されていることを特徴とする同軸コネクタ
により達成される。
【００１３】また、上記目的は、同軸ケーブルに電気的
に接続される同軸コネクタであって、中心導体である前
記端子が、Ａｇ又はＡｇ合金より成ることを特徴とする
同軸コネクタにより達成される。
に接続される同軸コネクタであって、中心導体である前
記端子が、Ａｇ又はＡｇ合金より成ることを特徴とする
同軸コネクタにより達成される。
【００１４】また、上記目的は、同軸ケーブルに電気的
に接続される同軸コネクタの製造方法であって、中心導
体である端子の表面に、Ｉｎ又はＩｎ合金より成る表面
被覆層を形成する工程を有することを特徴とする同軸コ
ネクタの製造方法により達成される。
に接続される同軸コネクタの製造方法であって、中心導
体である端子の表面に、Ｉｎ又はＩｎ合金より成る表面
被覆層を形成する工程を有することを特徴とする同軸コ
ネクタの製造方法により達成される。
【００１５】また、上記目的は、同軸ケーブルに電気的
に接続される同軸コネクタと、前記同軸コネクタを介し
て前記同軸ケーブルに電気的に接続される超伝導素子と
を有する超伝導装置であって、前記同軸コネクタの中心
導体である端子の表面に、Ｉｎ又はＩｎ合金より成る表
面被覆層が形成されており、前記端子と前記超伝導素子
の電極とが、Ｉｎ系はんだにより接合されていることを
特徴とする超伝導装置により達成される。
に接続される同軸コネクタと、前記同軸コネクタを介し
て前記同軸ケーブルに電気的に接続される超伝導素子と
を有する超伝導装置であって、前記同軸コネクタの中心
導体である端子の表面に、Ｉｎ又はＩｎ合金より成る表
面被覆層が形成されており、前記端子と前記超伝導素子
の電極とが、Ｉｎ系はんだにより接合されていることを
特徴とする超伝導装置により達成される。
【００１６】また、上記目的は、同軸ケーブルに電気的
に接続される同軸コネクタと、前記同軸コネクタを介し
て前記同軸ケーブルに電気的に接続される超伝導素子と
を有する超伝導装置であって、前記同軸コネクタの中心
導体である端子が、Ａｇ又はＡｇ合金より成ることを特
徴とする超伝導装置により達成される。
に接続される同軸コネクタと、前記同軸コネクタを介し
て前記同軸ケーブルに電気的に接続される超伝導素子と
を有する超伝導装置であって、前記同軸コネクタの中心
導体である端子が、Ａｇ又はＡｇ合金より成ることを特
徴とする超伝導装置により達成される。
【００１７】
【発明の実施の形態】［第１実施形態］本発明の第１実
施形態による同軸コネクタ及びその製造方法並びに超伝
導装置を図１及び図２を用いて説明する。
施形態による同軸コネクタ及びその製造方法並びに超伝
導装置を図１及び図２を用いて説明する。
【００１８】（同軸コネクタ）まず、本実施形態による
同軸コネクタについて図１を用いて説明する。図１は、
本実施形態による同軸コネクタを示す側面図である。な
お、端子の端部については断面を示している。
同軸コネクタについて図１を用いて説明する。図１は、
本実施形態による同軸コネクタを示す側面図である。な
お、端子の端部については断面を示している。
【００１９】図１に示すように、同軸コネクタ１０は、
中心導体である端子１２と、端子１２の周囲に形成され
たフッ素系樹脂より成る円筒状の絶縁体１４と、絶縁体
１４の周囲に形成された外部導体である円筒状のカップ
リング１６と、端子１２、絶縁体１４及びカップリング
１６を支持するボディ１８とを有している。
中心導体である端子１２と、端子１２の周囲に形成され
たフッ素系樹脂より成る円筒状の絶縁体１４と、絶縁体
１４の周囲に形成された外部導体である円筒状のカップ
リング１６と、端子１２、絶縁体１４及びカップリング
１６を支持するボディ１８とを有している。
【００２０】同軸コネクタ１０は、ＳＭＡ（SUB- MINIA
TURE TYPE A)形の同軸コネクタであり、レセプタクルと
して機能するものである。
TURE TYPE A)形の同軸コネクタであり、レセプタクルと
して機能するものである。
【００２１】端子１２の紙面右側の端部は、棒状になっ
ている。端子１２の材料としては、例えばＣｕが用いら
れている。端子１２の表面には、厚さ２０μｍのＩｎよ
り成る表面被覆層２０が形成されている。端子１２の表
面にＩｎより成る表面被覆層２０が形成されているた
め、端子１２と超伝導フィルタの電極（図２参照）とを
Ｉｎ系はんだを用いて接合する際に、良好なヌレ性が得
られる。
ている。端子１２の材料としては、例えばＣｕが用いら
れている。端子１２の表面には、厚さ２０μｍのＩｎよ
り成る表面被覆層２０が形成されている。端子１２の表
面にＩｎより成る表面被覆層２０が形成されているた
め、端子１２と超伝導フィルタの電極（図２参照）とを
Ｉｎ系はんだを用いて接合する際に、良好なヌレ性が得
られる。
【００２２】なお、本明細書中でＩｎ系はんだとは、純
Ｉｎ、Ｉｎを含む二元系合金、Ｉｎを主成分とする三元
系以上の合金等をいう。
Ｉｎ、Ｉｎを含む二元系合金、Ｉｎを主成分とする三元
系以上の合金等をいう。
【００２３】端子１２と表面被覆層２０との界面には、
ＩｎとＣｕとの合金である反応層２２が形成されてい
る。反応層２２は、端子１２の表面に表面被覆層２０を
形成する際に、表面被覆層２０のＩｎと端子１２のＣｕ
とが反応して生成されたものである。
ＩｎとＣｕとの合金である反応層２２が形成されてい
る。反応層２２は、端子１２の表面に表面被覆層２０を
形成する際に、表面被覆層２０のＩｎと端子１２のＣｕ
とが反応して生成されたものである。
【００２４】カップリング１６の周囲には、ネジ山２３
が形成されている。カップリング１６は、ねじ込み式の
結合方式により同軸ケーブル（図示せず）側の同軸コネ
クタ（図示せず）と結合する際に、雄結合部として機能
するものである。
が形成されている。カップリング１６は、ねじ込み式の
結合方式により同軸ケーブル（図示せず）側の同軸コネ
クタ（図示せず）と結合する際に、雄結合部として機能
するものである。
【００２５】こうして、本実施形態による同軸コネクタ
が構成されている。
が構成されている。
【００２６】（超伝導装置）次に、本実施形態による同
軸コネクタを用いた超伝導装置を図２を用いて説明す
る。図２は、本実施形態による超伝導装置を示す概略図
である。図２（ａ）は平面図であり、図２（ｂ）は断面
図である。
軸コネクタを用いた超伝導装置を図２を用いて説明す
る。図２は、本実施形態による超伝導装置を示す概略図
である。図２（ａ）は平面図であり、図２（ｂ）は断面
図である。
【００２７】図２（ａ）に示すように、本実施形態によ
る超伝導装置は、金属パッケージ２４と、金属パッケー
ジ２４内に実装された超伝導フィルタ２６と、超伝導フ
ィルタ２６と同軸ケーブル（図示せず）とを電気的に接
続するための同軸コネクタ１０とを有している。
る超伝導装置は、金属パッケージ２４と、金属パッケー
ジ２４内に実装された超伝導フィルタ２６と、超伝導フ
ィルタ２６と同軸ケーブル（図示せず）とを電気的に接
続するための同軸コネクタ１０とを有している。
【００２８】金属製容器２４は、例えばＡｌ合金より成
るものである。金属製容器２４の外形寸法は、例えば５
４ｍｍ×４８ｍｍ×１３．５ｍｍとなっている。
るものである。金属製容器２４の外形寸法は、例えば５
４ｍｍ×４８ｍｍ×１３．５ｍｍとなっている。
【００２９】金属製容器２４内には、２ＧＨｚ帯のバン
ドパスフィルタである超伝導フィルタ２６が実装されて
いる。
ドパスフィルタである超伝導フィルタ２６が実装されて
いる。
【００３０】ここで、超伝導フィルタ２６について説明
する。
する。
【００３１】超伝導フィルタ２６の基板としては、Ｍｇ
Ｏ単結晶より成る誘電体基板２８が用いられている。誘
電体基板２８の寸法は、例えば３８ｍｍ×４４ｍｍ×
０．５ｍｍとなっている。
Ｏ単結晶より成る誘電体基板２８が用いられている。誘
電体基板２８の寸法は、例えば３８ｍｍ×４４ｍｍ×
０．５ｍｍとなっている。
【００３２】誘電体基板２８上には、ＹＢａ2Ｃｕ3ＯX
（Ｘ＝６．５〜７）を主成分とする高温超伝導体膜（以
下、「ＹＢＣＯ系高温超伝導体膜」ともいう）より成る
１／２波長型のヘアピン型パターン３０ａ、３０ｂが交
互に形成されている。ヘアピン型パターン３０ａとヘア
ピン型パターン３０ｂは、全体として一列に配置されて
いる。ヘアピン型パターン３０ａ、３０ｂは、合計で９
個配置されている。一列に配置されたヘアピン型パター
ン３０ａの両側の誘電体基板２８上には、ＹＢＣＯ系高
温超伝導体膜より成る１／４波長型のフィーダラインパ
ターン３２ａ、３２ｂが形成されている。
（Ｘ＝６．５〜７）を主成分とする高温超伝導体膜（以
下、「ＹＢＣＯ系高温超伝導体膜」ともいう）より成る
１／２波長型のヘアピン型パターン３０ａ、３０ｂが交
互に形成されている。ヘアピン型パターン３０ａとヘア
ピン型パターン３０ｂは、全体として一列に配置されて
いる。ヘアピン型パターン３０ａ、３０ｂは、合計で９
個配置されている。一列に配置されたヘアピン型パター
ン３０ａの両側の誘電体基板２８上には、ＹＢＣＯ系高
温超伝導体膜より成る１／４波長型のフィーダラインパ
ターン３２ａ、３２ｂが形成されている。
【００３３】なお、ヘアピン型パターン３０ａ、３０ｂ
及びフィーダラインパターン３２ａ、３２ｂは、レーザ
蒸着法によりＹＢＣＯ系高温超伝導体膜を形成し、ＹＢ
ＣＯ系高温超伝導体膜をフォトリソグラフィ技術を用い
てパターニングすることにより形成することができる。
及びフィーダラインパターン３２ａ、３２ｂは、レーザ
蒸着法によりＹＢＣＯ系高温超伝導体膜を形成し、ＹＢ
ＣＯ系高温超伝導体膜をフォトリソグラフィ技術を用い
てパターニングすることにより形成することができる。
【００３４】フィーダラインパターン３２ａ、３２ｂの
端部には、それぞれＡｇ／Ｐｄ／Ｔｉ構造の電極３４が
形成されている。電極３４は、例えば蒸着法により、Ｔ
ｉ膜、Ｐｄ膜及びＡｇ膜を順次積層することにより形成
することができる。
端部には、それぞれＡｇ／Ｐｄ／Ｔｉ構造の電極３４が
形成されている。電極３４は、例えば蒸着法により、Ｔ
ｉ膜、Ｐｄ膜及びＡｇ膜を順次積層することにより形成
することができる。
【００３５】誘電体基板２８の下面には、図２（ｂ）に
示すように、ＹＢＣＯ系高温超伝導体膜より成るグラン
ドプレーン３６が形成されている。グランドプレーン３
６は、ベタ状に形成されている。グランドプレーン３６
を構成するＹＢＣＯ系高温超伝導体膜は、例えばレーザ
蒸着法により形成することができる。
示すように、ＹＢＣＯ系高温超伝導体膜より成るグラン
ドプレーン３６が形成されている。グランドプレーン３
６は、ベタ状に形成されている。グランドプレーン３６
を構成するＹＢＣＯ系高温超伝導体膜は、例えばレーザ
蒸着法により形成することができる。
【００３６】グランドプレーン３６の下には、Ａｇ／Ｐ
ｄ／Ｔｉ構造のグランド電極３８が形成されている。グ
ランド電極３８は、ベタ状に形成されている。グランド
電極３８は、例えば蒸着法により、Ｔｉ膜、Ｐｄ膜及び
Ａｇ膜を順次積層することにより形成することができ
る。
ｄ／Ｔｉ構造のグランド電極３８が形成されている。グ
ランド電極３８は、ベタ状に形成されている。グランド
電極３８は、例えば蒸着法により、Ｔｉ膜、Ｐｄ膜及び
Ａｇ膜を順次積層することにより形成することができ
る。
【００３７】こうして、超電導フィルタ２６が構成され
ている。このような超伝導フィルタ２６は、例えば２Ｇ
Ｈｚ帯のマイクロストリップライン型のバンドパスフィ
ルタとして機能する。
ている。このような超伝導フィルタ２６は、例えば２Ｇ
Ｈｚ帯のマイクロストリップライン型のバンドパスフィ
ルタとして機能する。
【００３８】超伝導フィルタ２６のグランド電極３８
は、金属製容器２４に電気的に接続されている。
は、金属製容器２４に電気的に接続されている。
【００３９】金属製容器２４の両端には、同軸コネクタ
１０が実装されている。同軸コネクタ１０は、ビス４０
を用いて金属製容器２４に固定されている。
１０が実装されている。同軸コネクタ１０は、ビス４０
を用いて金属製容器２４に固定されている。
【００４０】図２（ａ）における紙面左側の同軸コネク
タ１０には、入力側の同軸ケーブル（図示せず）の同軸
コネクタ（図示せず）が接続される。一方、図２（ｂ）
における紙面右側の同軸コネクタ１０には、出力側の同
軸ケーブル（図示せず）の同軸コネクタ（図示せず）が
接続される。上述したように、同軸ケーブル側（図示せ
ず）の同軸コネクタ（図示せず）と同軸コネクタ１０と
は、ねじ込み式の結合方式により結合される。
タ１０には、入力側の同軸ケーブル（図示せず）の同軸
コネクタ（図示せず）が接続される。一方、図２（ｂ）
における紙面右側の同軸コネクタ１０には、出力側の同
軸ケーブル（図示せず）の同軸コネクタ（図示せず）が
接続される。上述したように、同軸ケーブル側（図示せ
ず）の同軸コネクタ（図示せず）と同軸コネクタ１０と
は、ねじ込み式の結合方式により結合される。
【００４１】同軸コネクタ１０の端子１２と超伝導フィ
ルタ２８の電極３４とは、Ｉｎ系はんだ４２を用いて接
続されている。
ルタ２８の電極３４とは、Ｉｎ系はんだ４２を用いて接
続されている。
【００４２】端子１２とＩｎ系はんだ４２との接合部に
は、ＣｕとＩｎとの合金である反応生成物４４が生成さ
れている。ＣｕとＩｎとの反応生成物は、端子１２とＩ
ｎ系はんだ４２との接合部の近傍に集中して生成されて
おり、端子１２とＩｎ系はんだ４２との接合部から離れ
た部分のＩｎ系はんだ４２中には生成されていない。端
子１２とＩｎ系はんだ４２との接合部から離れた領域の
Ｉｎ系はんだ４２中にＩｎとＣｕとの反応生成物が生成
されていないのは、Ｉｎ系はんだ４２を用いて接合した
際に、端子４２のＣｕがＩｎ系はんだ４２中に拡散する
速度よりも、Ｉｎ系はんだ４２のＩｎが端子４２中に拡
散する速度の方が速いためである。
は、ＣｕとＩｎとの合金である反応生成物４４が生成さ
れている。ＣｕとＩｎとの反応生成物は、端子１２とＩ
ｎ系はんだ４２との接合部の近傍に集中して生成されて
おり、端子１２とＩｎ系はんだ４２との接合部から離れ
た部分のＩｎ系はんだ４２中には生成されていない。端
子１２とＩｎ系はんだ４２との接合部から離れた領域の
Ｉｎ系はんだ４２中にＩｎとＣｕとの反応生成物が生成
されていないのは、Ｉｎ系はんだ４２を用いて接合した
際に、端子４２のＣｕがＩｎ系はんだ４２中に拡散する
速度よりも、Ｉｎ系はんだ４２のＩｎが端子４２中に拡
散する速度の方が速いためである。
【００４３】こうして、本実施形態による超伝導装置が
構成されている。
構成されている。
【００４４】本実施形態による超伝導装置は、同軸コネ
クタ１０の端子１２の材料としてＣｕが用いられてお
り、端子１２の表面にＩｎより成る表面被覆層２０が形
成されていることに主な特徴がある。
クタ１０の端子１２の材料としてＣｕが用いられてお
り、端子１２の表面にＩｎより成る表面被覆層２０が形
成されていることに主な特徴がある。
【００４５】上述したように、Ａｕより成る表面被覆層
が形成された一般の同軸コネクタの端子を、Ｉｎ系はん
だを用いて超伝導フィルタの電極に接合した場合には、
端子の表面に形成された表面被覆層のＡｕがＩｎ系はん
だ中に拡散し、Ｉｎ系はんだ中に反応生成物が生成され
てしまう。このような反応生成物が生成されたＩｎ系は
んだは、柔軟性が乏しいため、低温に冷却した際に室温
と低温との温度サイクルが繰り返されると、Ｉｎ系はん
だと端子との接合が破壊されてしまう。
が形成された一般の同軸コネクタの端子を、Ｉｎ系はん
だを用いて超伝導フィルタの電極に接合した場合には、
端子の表面に形成された表面被覆層のＡｕがＩｎ系はん
だ中に拡散し、Ｉｎ系はんだ中に反応生成物が生成され
てしまう。このような反応生成物が生成されたＩｎ系は
んだは、柔軟性が乏しいため、低温に冷却した際に室温
と低温との温度サイクルが繰り返されると、Ｉｎ系はん
だと端子との接合が破壊されてしまう。
【００４６】これに対し、本実施形態では、表面被覆層
２０の材料として、Ｉｎ系はんだの材料と同様のＩｎが
用いられているため、表面被覆層２０の材料とＩｎ系は
んだの材料とが反応して反応生成物が生成されてしまう
ことはない。しかも、端子１２の材料として用いられて
いるＣｕは、上述したように、Ｉｎ系はんだ４２を用い
て接合した際に、Ｉｎ系はんだ４２のＩｎが端子１２中
に拡散する速度より、Ｉｎ系はんだ４２中に拡散する速
度が遅い材料である。このため、端子１２とＩｎ系はん
だ４２とが反応して生成される反応生成物４４は、端子
１２とＩｎ系はんだ４２との接合部の近傍に集中して生
成され、Ｉｎ系はんだ４２中には生成されにくい。
２０の材料として、Ｉｎ系はんだの材料と同様のＩｎが
用いられているため、表面被覆層２０の材料とＩｎ系は
んだの材料とが反応して反応生成物が生成されてしまう
ことはない。しかも、端子１２の材料として用いられて
いるＣｕは、上述したように、Ｉｎ系はんだ４２を用い
て接合した際に、Ｉｎ系はんだ４２のＩｎが端子１２中
に拡散する速度より、Ｉｎ系はんだ４２中に拡散する速
度が遅い材料である。このため、端子１２とＩｎ系はん
だ４２とが反応して生成される反応生成物４４は、端子
１２とＩｎ系はんだ４２との接合部の近傍に集中して生
成され、Ｉｎ系はんだ４２中には生成されにくい。
【００４７】このため、本実施形態によれば、Ｉｎ系は
んだ４２を用いて接合した場合であっても、Ｉｎ系はん
だ４２中に反応生成物が生成されるのを防止することが
できる。従って、本実施形態によれば、Ｉｎ系はんだ４
２の柔軟性が損なわれるのを防止することができ、室温
と低温と間の温度変化の繰り返しに耐え得る超伝導装置
を提供することができる。
んだ４２を用いて接合した場合であっても、Ｉｎ系はん
だ４２中に反応生成物が生成されるのを防止することが
できる。従って、本実施形態によれば、Ｉｎ系はんだ４
２の柔軟性が損なわれるのを防止することができ、室温
と低温と間の温度変化の繰り返しに耐え得る超伝導装置
を提供することができる。
【００４８】（評価結果）次に、本実施形態による超伝
導装置の評価結果について説明する。
導装置の評価結果について説明する。
【００４９】まず、同軸コネクタ１０の端子１２とＩｎ
系はんだ４２との接合部における拡散反応を促進するた
め、１００℃で２４時間放置した。
系はんだ４２との接合部における拡散反応を促進するた
め、１００℃で２４時間放置した。
【００５０】次に、室温と低温（７０Ｋ）との間で周囲
温度を繰り返し変化させる温度サイクル試験を行った。
温度を繰り返し変化させる温度サイクル試験を行った。
【００５１】この結果、１０サイクルを超えても、同軸
コネクタ１０の端子１２と超伝導フィルタ２６の電極３
４との間に、電気的接続の劣化は生じなかった。
コネクタ１０の端子１２と超伝導フィルタ２６の電極３
４との間に、電気的接続の劣化は生じなかった。
【００５２】このことから、本実施形態によれば、室温
と低温との間の温度変化の繰り返しに耐え得る超伝導装
置を提供し得ることが分かる。
と低温との間の温度変化の繰り返しに耐え得る超伝導装
置を提供し得ることが分かる。
【００５３】比較例として、Ｃｕより成る端子の表面に
Ａｕより成る表面被覆層が形成された同軸コネクタを用
いて、同様の温度サイクル試験を行った。
Ａｕより成る表面被覆層が形成された同軸コネクタを用
いて、同様の温度サイクル試験を行った。
【００５４】この結果、１０サイクルに達する前に、同
軸コネクタ１０の端子１２と超伝導フィルタ２６の電極
３４との間に、電気的接続の劣化が生じた。
軸コネクタ１０の端子１２と超伝導フィルタ２６の電極
３４との間に、電気的接続の劣化が生じた。
【００５５】（同軸コネクタの製造方法）次に、本実施
形態による同軸コネクタの製造方法について図１を用い
て説明する。
形態による同軸コネクタの製造方法について図１を用い
て説明する。
【００５６】まず、Ｃｕより成る端子１２を用意する。
【００５７】次に、端子１２の表面に、ロジン系のフラ
ックスを塗布する。
ックスを塗布する。
【００５８】次に、溶融したＩｎ系のはんだ浴に、端子
１２を浸漬する。そうすると、端子１２の表面にＩｎよ
り成る表面被覆層２０が形成される。この際、端子１２
のＣｕと表面被覆層２０のＩｎとが反応して、端子１２
と表面被覆層２０との界面に、ＣｕとＩｎとの合金であ
る反応層２０が形成される。
１２を浸漬する。そうすると、端子１２の表面にＩｎよ
り成る表面被覆層２０が形成される。この際、端子１２
のＣｕと表面被覆層２０のＩｎとが反応して、端子１２
と表面被覆層２０との界面に、ＣｕとＩｎとの合金であ
る反応層２０が形成される。
【００５９】こうして、表面にＩｎより成る表面被覆層
２０が形成された端子１２が形成される。
２０が形成された端子１２が形成される。
【００６０】こうして形成された端子１２を、絶縁物１
４、カップリング１６、及びボディ１８等と組み合わせ
ると、本実施形態による同軸コネクタが製造される。
４、カップリング１６、及びボディ１８等と組み合わせ
ると、本実施形態による同軸コネクタが製造される。
【００６１】［第２実施形態］本発明の第２実施形態に
よる同軸コネクタを図３を用いて説明する。図３は、本
実施形態による同軸コネクタを示す側面図である。な
お、図３において、端子の端部については断面を示して
いる。図１又は図２に示す第１実施形態による超伝導装
置と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省
略または簡潔にする。
よる同軸コネクタを図３を用いて説明する。図３は、本
実施形態による同軸コネクタを示す側面図である。な
お、図３において、端子の端部については断面を示して
いる。図１又は図２に示す第１実施形態による超伝導装
置と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省
略または簡潔にする。
【００６２】本実施形態による超伝導装置は、同軸コネ
クタ１０ａの端子１２ａの材料としてＮｉが用いられて
いることに主な特徴がある。
クタ１０ａの端子１２ａの材料としてＮｉが用いられて
いることに主な特徴がある。
【００６３】図３に示すように、Ｎｉより成る端子１２
ａが設けられている。端子１２ａの表面には、Ｉｎより
成る表面被覆層２０が形成されている。
ａが設けられている。端子１２ａの表面には、Ｉｎより
成る表面被覆層２０が形成されている。
【００６４】端子１２ａの材料として用いられているＮ
ｉは、Ｉｎ系はんだを用いて接合を行った際に、Ｉｎ系
はんだ中への拡散が極めて遅く、Ｉｎ系はんだとの間で
拡散がほとんど生じないが、Ｉｎ系はんだを用いた接合
が可能な材料である。
ｉは、Ｉｎ系はんだを用いて接合を行った際に、Ｉｎ系
はんだ中への拡散が極めて遅く、Ｉｎ系はんだとの間で
拡散がほとんど生じないが、Ｉｎ系はんだを用いた接合
が可能な材料である。
【００６５】本実施形態によれば、Ｉｎ系はんだを用い
て接合した際にＩｎ系はんだとの間で拡散が殆ど生じな
い材料であるＮｉが端子１２ａの材料として用いられて
おり、しかも、表面被覆層２０の材料としてＩｎが用い
られているため、Ｉｎ系はんだを用いて接合を行った場
合であっても、Ｉｎ系はんだ中に反応生成物が生成され
てしまうのを防止することができる。
て接合した際にＩｎ系はんだとの間で拡散が殆ど生じな
い材料であるＮｉが端子１２ａの材料として用いられて
おり、しかも、表面被覆層２０の材料としてＩｎが用い
られているため、Ｉｎ系はんだを用いて接合を行った場
合であっても、Ｉｎ系はんだ中に反応生成物が生成され
てしまうのを防止することができる。
【００６６】このため、本実施形態によっても、Ｉｎ系
はんだの柔軟性が損なわれてしまうのを防止することが
でき、室温と低温との温度変化の繰り返しに耐え得る信
頼性の高い超伝導装置を提供することができる。
はんだの柔軟性が損なわれてしまうのを防止することが
でき、室温と低温との温度変化の繰り返しに耐え得る信
頼性の高い超伝導装置を提供することができる。
【００６７】［第３実施形態］本発明の第３実施形態に
よる同軸コネクタを図４を用いて説明する。図４は、本
実施形態による同軸コネクタを示す側面図である。な
お、図４において、端子の端部については断面を示して
いる。図１乃至図３に示す第１又は第２実施形態による
超伝導装置と同一の構成要素には、同一の符号を付して
説明を省略または簡潔にする。
よる同軸コネクタを図４を用いて説明する。図４は、本
実施形態による同軸コネクタを示す側面図である。な
お、図４において、端子の端部については断面を示して
いる。図１乃至図３に示す第１又は第２実施形態による
超伝導装置と同一の構成要素には、同一の符号を付して
説明を省略または簡潔にする。
【００６８】本実施形態による超伝導装置は、同軸コネ
クタ１０ｂの端子１２ｂの材料として、Ａｇが用いられ
ていることに主な特徴がある。
クタ１０ｂの端子１２ｂの材料として、Ａｇが用いられ
ていることに主な特徴がある。
【００６９】図４に示すように、Ａｇより成る端子１２
ｂが設けられている。Ａｇより成る端子１２ｂの表面に
は、表面被覆層は形成されていない。端子１２ｂの表面
に表面被覆層を形成していないのは、端子１２ｂの材料
として用いられているＡｇ自体が、Ｉｎ系はんだに対す
るヌレ性が良好な材料であるためである。
ｂが設けられている。Ａｇより成る端子１２ｂの表面に
は、表面被覆層は形成されていない。端子１２ｂの表面
に表面被覆層を形成していないのは、端子１２ｂの材料
として用いられているＡｇ自体が、Ｉｎ系はんだに対す
るヌレ性が良好な材料であるためである。
【００７０】本実施形態で端子１２ｂの材料として用い
られているＡｇは、Ｉｎ系はんだを用いて接合を行う
と、Ｉｎ系はんだ中に拡散するが、Ｉｎ系はんだの柔軟
性を損なわない材料である。このため、同軸コネクタ１
０ｂの端子１２ｂと超伝導フィルタ２６の電極３４と
を、Ｉｎ系はんだを用いて接合を行った場合であって
も、Ｉｎ系はんだの柔軟性が損なわれることはない。
られているＡｇは、Ｉｎ系はんだを用いて接合を行う
と、Ｉｎ系はんだ中に拡散するが、Ｉｎ系はんだの柔軟
性を損なわない材料である。このため、同軸コネクタ１
０ｂの端子１２ｂと超伝導フィルタ２６の電極３４と
を、Ｉｎ系はんだを用いて接合を行った場合であって
も、Ｉｎ系はんだの柔軟性が損なわれることはない。
【００７１】本実施形態によれば、同軸コネクタ１０ｂ
の端子１２ｂの材料として、Ｉｎ系はんだ中に拡散して
もＩｎ系はんだの柔軟性を損なうことのないＡｇが用い
られているため、室温と低温との温度変化の繰り返しに
耐え得る信頼性の高い超伝導装置を提供することができ
る。
の端子１２ｂの材料として、Ｉｎ系はんだ中に拡散して
もＩｎ系はんだの柔軟性を損なうことのないＡｇが用い
られているため、室温と低温との温度変化の繰り返しに
耐え得る信頼性の高い超伝導装置を提供することができ
る。
【００７２】［変形実施形態］本発明は上記実施形態に
限らず種々の変形が可能である。
限らず種々の変形が可能である。
【００７３】例えば、第１及び第２実施形態では、表面
被覆層２０の材料としてＩｎを用いたが、Ｉｎのみなら
ず、Ｉｎ合金を用いてもよい。
被覆層２０の材料としてＩｎを用いたが、Ｉｎのみなら
ず、Ｉｎ合金を用いてもよい。
【００７４】また、第２実施形態では、端子１２ａの材
料としてＮｉを用いる場合を例に説明したが、端子１２
ａの材料はＮｉに限定されるものではない。Ｉｎ系はん
だ中に拡散しにくいものの、Ｉｎ系はんだとの接合が可
能な材料であれば、あらゆる材料を用いることができ
る。かかる材料としては、例えば、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉと
Ｆｅとの合金、ＮｉとＣｏとＦｅとの合金を挙げること
ができる。ＮｉとＦｅとの合金の具体例としては、例え
ば４２アロイがある。また、ＮｉとＣｏとＦｅとの合金
の具体例としては、例えばコバール等がある。
料としてＮｉを用いる場合を例に説明したが、端子１２
ａの材料はＮｉに限定されるものではない。Ｉｎ系はん
だ中に拡散しにくいものの、Ｉｎ系はんだとの接合が可
能な材料であれば、あらゆる材料を用いることができ
る。かかる材料としては、例えば、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉと
Ｆｅとの合金、ＮｉとＣｏとＦｅとの合金を挙げること
ができる。ＮｉとＦｅとの合金の具体例としては、例え
ば４２アロイがある。また、ＮｉとＣｏとＦｅとの合金
の具体例としては、例えばコバール等がある。
【００７５】また、第３実施形態では、端子１２ｂの材
料としてＡｇを用いる場合を例に説明したが、Ａｇに限
定されるものではなく、Ｉｎ系はんだ中に拡散した場合
であっても、Ｉｎ系はんだの柔軟性を損なわない材料を
適宜用いることができる。例えば、Ａｇ合金を用いるこ
とができる。
料としてＡｇを用いる場合を例に説明したが、Ａｇに限
定されるものではなく、Ｉｎ系はんだ中に拡散した場合
であっても、Ｉｎ系はんだの柔軟性を損なわない材料を
適宜用いることができる。例えば、Ａｇ合金を用いるこ
とができる。
【００７６】また、上記実施形態では、Ｉｎ系のはんだ
浴に端子１２を浸漬することにより、端子１２の表面に
表面被覆層２０を形成したが、端子１２の表面に表面被
覆層２０を形成する方法は、これに限定されるものでは
ない。例えば、超音波を印加したＩｎ系のはんだ浴に端
子１２を浸漬することによっても、端子１２の表面にＩ
ｎより成る表面被覆層２０を形成することが可能であ
る。超音波を印加したＩｎ系のはんだ浴を用いる場合に
は、フラックスを塗布することなく、端子１２の表面に
表面被覆層２０を形成することが可能である。また、め
っき法によっても、端子１２の表面に表面被覆層２０を
形成することが可能である。
浴に端子１２を浸漬することにより、端子１２の表面に
表面被覆層２０を形成したが、端子１２の表面に表面被
覆層２０を形成する方法は、これに限定されるものでは
ない。例えば、超音波を印加したＩｎ系のはんだ浴に端
子１２を浸漬することによっても、端子１２の表面にＩ
ｎより成る表面被覆層２０を形成することが可能であ
る。超音波を印加したＩｎ系のはんだ浴を用いる場合に
は、フラックスを塗布することなく、端子１２の表面に
表面被覆層２０を形成することが可能である。また、め
っき法によっても、端子１２の表面に表面被覆層２０を
形成することが可能である。
【００７７】また、上記実施形態では、ＳＭＡ形の同軸
コネクタを例に説明したが、本発明は、ＳＭＡ形の同軸
コネクタのみならず、他の規格のあらゆる同軸コネクタ
にも適用することができる。
コネクタを例に説明したが、本発明は、ＳＭＡ形の同軸
コネクタのみならず、他の規格のあらゆる同軸コネクタ
にも適用することができる。
【００７８】また、上記実施形態では、同軸コネクタを
例に説明したが、同軸コネクタのみならず、本発明は、
あらゆるコネクタに適用することができる。
例に説明したが、同軸コネクタのみならず、本発明は、
あらゆるコネクタに適用することができる。
【００７９】また、上記実施形態では、金属製容器２４
に超伝導フィルタ２６を実装したが、超伝導フィルタ２
６のみならず、超伝導共振器や超伝導アンテナ等、他の
あらゆる超伝導素子を実装してもよい。
に超伝導フィルタ２６を実装したが、超伝導フィルタ２
６のみならず、超伝導共振器や超伝導アンテナ等、他の
あらゆる超伝導素子を実装してもよい。
【００８０】また、上記実施形態では、金属製容器２４
に超伝導フィルタ２６を実装したが、超伝導フィルタ２
６のみならず、あらゆる電子デバイスを実装してもよ
い。
に超伝導フィルタ２６を実装したが、超伝導フィルタ２
６のみならず、あらゆる電子デバイスを実装してもよ
い。
【００８１】（付記１） 同軸ケーブルに接続される同
軸コネクタであって、中心導体である端子の表面に、Ｉ
ｎ又はＩｎ合金より成る表面被覆層が形成されているこ
とを特徴とする同軸コネクタ。
軸コネクタであって、中心導体である端子の表面に、Ｉ
ｎ又はＩｎ合金より成る表面被覆層が形成されているこ
とを特徴とする同軸コネクタ。
【００８２】（付記２） 付記１記載の同軸コネクタに
おいて、前記端子は、Ｃｕ又はＣｕ合金より成ることを
特徴とする同軸コネクタ。
おいて、前記端子は、Ｃｕ又はＣｕ合金より成ることを
特徴とする同軸コネクタ。
【００８３】（付記３） 付記１記載の同軸コネクタに
おいて、前記端子は、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＮｉとＦｅと
の合金、ＮｉとＣｏとＦｅとの合金より成ることを特徴
とする同軸コネクタ。
おいて、前記端子は、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＮｉとＦｅと
の合金、ＮｉとＣｏとＦｅとの合金より成ることを特徴
とする同軸コネクタ。
【００８４】（付記４） 同軸ケーブルに接続される同
軸コネクタであって、中心導体である前記端子が、Ａｇ
又はＡｇ合金より成ることを特徴とする同軸コネクタ。
軸コネクタであって、中心導体である前記端子が、Ａｇ
又はＡｇ合金より成ることを特徴とする同軸コネクタ。
【００８５】（付記５） 同軸ケーブルに接続される同
軸コネクタの製造方法であって、中心導体である端子の
表面に、Ｉｎ又はＩｎ合金より成る表面被覆層を形成す
る工程を有することを特徴とする同軸コネクタの製造方
法。
軸コネクタの製造方法であって、中心導体である端子の
表面に、Ｉｎ又はＩｎ合金より成る表面被覆層を形成す
る工程を有することを特徴とする同軸コネクタの製造方
法。
【００８６】（付記６） 付記５記載の同軸コネクタの
製造方法において、前記表面被覆層を形成する工程で
は、フラックスが塗布された前記端子をはんだ浴に浸漬
することにより、前記端子の表面に前記表面被覆層を形
成することを特徴とする同軸コネクタの製造方法。
製造方法において、前記表面被覆層を形成する工程で
は、フラックスが塗布された前記端子をはんだ浴に浸漬
することにより、前記端子の表面に前記表面被覆層を形
成することを特徴とする同軸コネクタの製造方法。
【００８７】（付記７） 付記５記載の同軸コネクタの
製造方法において、前記表面被覆層を形成する工程で
は、前記端子を超音波が印加されたはんだ浴に浸漬する
ことにより、前記端子の表面に前記表面被覆層を形成す
ることを特徴とする同軸コネクタの製造方法。
製造方法において、前記表面被覆層を形成する工程で
は、前記端子を超音波が印加されたはんだ浴に浸漬する
ことにより、前記端子の表面に前記表面被覆層を形成す
ることを特徴とする同軸コネクタの製造方法。
【００８８】（付記８） 付記５記載の同軸コネクタの
製造方法において、前記表面被覆層を形成する工程で
は、めっき法により、前記端子の表面に前記表面被覆層
を形成することを特徴とする同軸コネクタの製造方法。
製造方法において、前記表面被覆層を形成する工程で
は、めっき法により、前記端子の表面に前記表面被覆層
を形成することを特徴とする同軸コネクタの製造方法。
【００８９】（付記９） 同軸ケーブルに接続される同
軸コネクタと、前記同軸コネクタを介して前記同軸ケー
ブルに接続される超伝導素子とを有する超伝導装置であ
って、前記同軸コネクタの中心導体である端子の表面
に、Ｉｎ又はＩｎ合金より成る表面被覆層が形成されて
おり、前記端子と前記超伝導素子の電極とが、Ｉｎ系は
んだにより接合されていることを特徴とする超伝導装
置。
軸コネクタと、前記同軸コネクタを介して前記同軸ケー
ブルに接続される超伝導素子とを有する超伝導装置であ
って、前記同軸コネクタの中心導体である端子の表面
に、Ｉｎ又はＩｎ合金より成る表面被覆層が形成されて
おり、前記端子と前記超伝導素子の電極とが、Ｉｎ系は
んだにより接合されていることを特徴とする超伝導装
置。
【００９０】（付記１０） 付記９記載の超伝導装置に
おいて、前記端子は、Ｃｕ又はＣｕ合金より成ることを
特徴とする超伝導装置。
おいて、前記端子は、Ｃｕ又はＣｕ合金より成ることを
特徴とする超伝導装置。
【００９１】（付記１１） 付記９記載の超伝導装置に
おいて、前記端子は、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＮｉとＦｅと
の合金、ＮｉとＣｏとＦｅとの合金より成ることを特徴
とする超伝導装置。
おいて、前記端子は、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＮｉとＦｅと
の合金、ＮｉとＣｏとＦｅとの合金より成ることを特徴
とする超伝導装置。
【００９２】（付記１２） 同軸ケーブルに接続される
同軸コネクタと、前記同軸コネクタを介して前記同軸ケ
ーブルに接続される超伝導素子とを有する超伝導装置で
あって、前記同軸コネクタの中心導体である端子が、Ａ
ｇ又はＡｇ合金より成ることを特徴とする超伝導装置。
同軸コネクタと、前記同軸コネクタを介して前記同軸ケ
ーブルに接続される超伝導素子とを有する超伝導装置で
あって、前記同軸コネクタの中心導体である端子が、Ａ
ｇ又はＡｇ合金より成ることを特徴とする超伝導装置。
【００９３】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、同軸コネ
クタの端子と超伝導素子の電極とを、Ｉｎ系はんだを用
いて接合した場合であっても、Ｉｎ系はんだの柔軟性が
損なわれるのを防止することができる。従って、本発明
によれば、室温と低温と間の温度変化の繰り返しに耐え
得る超伝導装置を提供することができる。
クタの端子と超伝導素子の電極とを、Ｉｎ系はんだを用
いて接合した場合であっても、Ｉｎ系はんだの柔軟性が
損なわれるのを防止することができる。従って、本発明
によれば、室温と低温と間の温度変化の繰り返しに耐え
得る超伝導装置を提供することができる。
【図１】本発明の第１実施形態による同軸コネクタを示
す側面図である。
す側面図である。
【図２】本発明の第１実施形態による超伝導装置を示す
概略図である。
概略図である。
【図３】本発明の第２実施形態による同軸コネクタを示
す側面図である。
す側面図である。
【図４】本発明の第３実施形態による同軸コネクタを示
す側面図である。
す側面図である。
【図５】提案されている超伝導装置を示す断面図であ
る。
る。
１０、１０ａ、１０ｂ…同軸コネクタ
１２、１２ａ、１２ｂ…端子
１４…絶縁体
１６…カップリング
１８…ボディ
２０…表面被覆層
２２…反応層
２３…ネジ山
２４…金属製容器
２６…超伝導フィルタ
２８…誘電体基板
３０ａ、３０ｂ…ヘアピン型パターン
３２ａ、３２ｂ…フィーダラインパターン
３４…電極
３６…グランドプレーン
３８…グランド電極
４０…ビス
４２…Ｉｎ系はんだ
４４…反応生成物
１１０…同軸コネクタ
１１２…端子
１１４…絶縁体
１１６…カップリング
１１８…ボディ
１２０…表面被覆層
１２４…金属製容器
１２６…超伝導フィルタ
１２８…誘電体基板
１３０…パターン
１３４…電極
１３６…グランドプレーン
１３８…グランド電極
１４２…Ｉｎ系はんだ
１４５…反応生成物
フロントページの続き
(72)発明者 山中 一典
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番
１号 富士通株式会社内
Ｆターム(参考） 5E051 GA08 GB10
Claims (10)
- 【請求項１】 同軸ケーブルに接続される同軸コネクタ
であって、 中心導体である端子の表面に、Ｉｎ又はＩｎ合金より成
る表面被覆層が形成されていることを特徴とする同軸コ
ネクタ。 - 【請求項２】 請求項１記載の同軸コネクタにおいて、 前記端子は、Ｃｕ又はＣｕ合金より成ることを特徴とす
る同軸コネクタ。 - 【請求項３】 請求項１記載の同軸コネクタにおいて、 前記端子は、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＮｉとＦｅとの合金、
ＮｉとＣｏとＦｅとの合金より成ることを特徴とする同
軸コネクタ。 - 【請求項４】 同軸ケーブルに接続される同軸コネクタ
であって、 中心導体である前記端子が、Ａｇ又はＡｇ合金より成る
ことを特徴とする同軸コネクタ。 - 【請求項５】 同軸ケーブルに接続される同軸コネクタ
の製造方法であって、 中心導体である端子の表面に、Ｉｎ又はＩｎ合金より成
る表面被覆層を形成する工程を有することを特徴とする
同軸コネクタの製造方法。 - 【請求項６】 請求項５記載の同軸コネクタの製造方法
において、 前記表面被覆層を形成する工程では、フラックスが塗布
された前記端子をはんだ浴に浸漬することにより、前記
端子の表面に前記表面被覆層を形成することを特徴とす
る同軸コネクタの製造方法。 - 【請求項７】 請求項５記載の同軸コネクタの製造方法
において、 前記表面被覆層を形成する工程では、前記端子を超音波
が印加されたはんだ浴に浸漬することにより、前記端子
の表面に前記表面被覆層を形成することを特徴とする同
軸コネクタの製造方法。 - 【請求項８】 請求項５記載の同軸コネクタの製造方法
において、 前記表面被覆層を形成する工程では、めっき法により、
前記端子の表面に前記表面被覆層を形成することを特徴
とする同軸コネクタの製造方法。 - 【請求項９】 同軸ケーブルに接続される同軸コネクタ
と、前記同軸コネクタを介して前記同軸ケーブルに接続
される超伝導素子とを有する超伝導装置であって、 前記同軸コネクタの中心導体である端子の表面に、Ｉｎ
又はＩｎ合金より成る表面被覆層が形成されており、 前記端子と前記超伝導素子の電極とが、Ｉｎ系はんだに
より接合されていることを特徴とする超伝導装置。 - 【請求項１０】 同軸ケーブルに接続される同軸コネク
タと、前記同軸コネクタを介して前記同軸ケーブルに接
続される超伝導素子とを有する超伝導装置であって、 前記同軸コネクタの中心導体である端子が、Ａｇ又はＡ
ｇ合金より成ることを特徴とする超伝導装置。
Priority Applications (7)
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|---|---|---|---|
| JP2002083450A JP2003282197A (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | 同軸コネクタ及びその製造方法並びに超伝導装置 |
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|---|---|---|---|---|
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| US4633050A (en) * | 1984-04-30 | 1986-12-30 | Allied Corporation | Nickel/indium alloy for use in the manufacture of electrical contact areas electrical devices |
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| US4992623A (en) * | 1989-04-26 | 1991-02-12 | At&T Bell Laboratories | Superconducting bus bar |
| US6154103A (en) * | 1994-04-15 | 2000-11-28 | Superconductor Technologies, Inc. | Push on connector for cryocable and mating weldable hermetic feedthrough |
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| JP2000068566A (ja) * | 1998-08-24 | 2000-03-03 | Kyocera Corp | 電子装置 |
| JP4456696B2 (ja) * | 1999-07-06 | 2010-04-28 | 住友電気工業株式会社 | 同軸ケーブル素線、同軸ケーブル、及び同軸ケーブルバンドル |
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| JP4519279B2 (ja) * | 2000-07-12 | 2010-08-04 | 富士通株式会社 | 高温超伝導デバイス |
| JP2002298995A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Jst Mfg Co Ltd | 樹脂ハンダを用いた同軸ケーブルの結束部材及び同軸ケーブルの電気コネクタ並びに結束部材の同軸ケーブル又は電気コネクタへの接続方法 |
-
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-
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2004
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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