JPH01184858A - 超電導リードフレームおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、酸化物セラミックス系超電導体の導体部を有
する超電導リードフレームおよびその製造方法に関する
。

〈従来の技術〉 ＩＣ，ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の半導体集積回路素子（以下
、ＩＣ素子と総称する）の実装には、リードフレームが
用いられている。

このリードフレームは、中央部にＩＣ素子を搭載する搭
載台と、その周囲に前記搭載台に向って延出する複数の
リード部を形成したもので、各リード部の先端部（イン
ナーリード）と搭載されたＩＣ素子上の対応する各電極
とをボンディングワイヤにより結線して用いられる。

このようなリードフレームは、一般に、金属製の薄板ま
たは帯状長尺物を素材とし、この素材にフォトエツチン
グまたはプレス打抜き加工を施して不要部分をくり抜き
、所望の形状とした後、ボンディングワイヤの密着性向
上等のためにインナーリードの先端部等に部分めっきが
　“施される。

ところで、リードフレームのリード部は、それ自体電流
の導体部となるため、リードフレームの素材には銅、銅
系合金、Ｆｃ−Ｎｉ合金、Ｆａ−Ｎｉ−Ｃｏ合金のよう
な導電性に優れた金属を用いるのが好ましい、　しかる
に、リードフレームには上記導電性の他に、熱放散性、
ＩＣ素子との熱膨張係数の整合性、アウターリードに対
する曲げ加工性、めっき密着性、ＩＣ素子の半田付性、
ワイ、ヤボンディング性、モールド樹脂との密着性等に
優れることが要求されるため、これらを溝足するために
、実際には導電性がある程度犠牲になることを余儀なく
されている。

特に集積度の高いＩＣ素子を搭載するもの、または高速
用のデバイスに用いられるリードフレームでは、導電率
の向上が重要な課題となっている。

〈発明が解決しようとする課題〉 本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、導
電性が極めて優れる超電導リードフレームおよびその製
造方法を提供することにある。

く問題点を解決するための手段〉 本発明者らは鋭意研究の結果、リードフレームの導体部
を超電導体で構成することにより上記目的を達成するこ
とができると考え、特に、酸化物セラミックス系超電導
体は、Ｎｂ−Ｔｉ合金等の合金系超電導体あるいはＮｂ
３Ｓｎ等の化合物系超電導体に比べ、超電導現象（電気
抵抗が実質的にゼロになる現象）を呈するいわゆる臨界
温度が著しく高いという利点に着目し、リードフレーム
の導体部をこの酸化物セラミックス系超電導体で構成す
ることを見い出し、本発明の超電導リードフレームに至
った。

またそのような超電導リードフレームを製造するに際し
、高導電性以外にリードフレームに本来要求される特性
を併せ持たせること、またはリードフレーム基板上に超
電導体を形成するにあたっての問題点の解決を可及的に
なし得る超電導リードフレームの製造方法を見い出し、
本発明の超電導リードフレームの製造方法に至った。

即ち、本発明は、所望形状の金属性リードフレーム基板
上に、酸化物セラミックス系超電導体よりなる導体部を
直接または間接に形成してなることを特徴とする超電導
リードフレームを提供するものである。

また、本発明は、所望形状の金属性リードフレーム基板
上に、直接または間接に乾式めっき法により金属薄膜を
形成し、該金属薄膜を酸化して酸化物セラミックス系超
電導体とすることを特徴とする超電導リードフレームの
製造方法を提供するものである。

ここで、前記金属薄膜の組成は、銅とバリウムと周期表
第１ＩＩ　ａ族の元素の少なくとも一種との合金である
のがよい。

また、本発明は、所望形状の金属性リードフレーム基板
上に、直接または間接に酸化物セラミックスまたは炭酸
塩混合粉体を含有するスラリーを塗布し、これを焼結し
て酸化物セラミックス系超電導体とすることを特徴とす
る超電導リードフレームの製造方法を提供するものであ
る。

ここで、前記酸化物セラミックスまたは炭酸塩混合粉体
は、（ｉ）銅酸化物粉体、（ｉｔ）バリウム炭酸塩また
は酸化物粉体および（ｉｉｉ）ストロンチウム炭酸塩ま
たは酸化物粉体、イツトリウム酸化物粉体、ランタン炭
酸塩または酸化物粉体、およびスカンジウム酸化物粉体
の少なくとも１種を含む混合粉体であるのがよい。

そして、これら本発明においては、前記酸化物セラミッ
クス系超電導体の組成は、 ＭＭ’　２　Ｃｕ３０７−　　（但し、ＭはＹ％Ｓｃお
よびδ Ｌａ、Ｇｄ％Ｎｄ％Ｄｙ％Ｈｏ％Ｅｒ、ＹｂｈＬｕ、Ｅ
ｕ等のランタニドからなる群より選ばれる少なくとも１
種、Ｍｏはアルカリ土類金属の群より選ばれる少なくと
も１種、δは欠損酸素を表わす）であるのがよい。

以下、本発明の超電導リードフレームおよびその製造方
法を、添付図面に示す好適実施例について詳細に説明す
る。

第１図は、本発明の超電導リードフレームの構成例を示
す平面図である。同図に示すように、超電導リードフレ
ーム１は所望の形状の金属性のリードフレーム基板２を
有する。　このリードフレーム基板２の中央部には、Ｉ
Ｃ素子を搭載するため搭載台（、タブ）３が形成されて
いる。

この搭載台３は、目的とするＩＣ素子の大きさに対応し
た大きさを有している。

搭載台３の周囲には、その搭載台３に向って延出する複
数のピン状のリード部４が形成されている。　各リード
部４は、後工程で切断除去される一対のタイバー６．６
によって連結されている。

リード部４の先端のリード先端部５は、搭載台３の近傍
に位置しており、ＩＣ素子上の電極との間でワイヤボン
ディングがなされ電気的に接続されるものである。

なお、第１図中の点線で囲んだ部分は、一般にワイヤボ
ンディング性の向上、ＩＣ素子の接着性の向上を目的と
して、貴金属、半田等のめっきがなされるめっきエリア
を示す。

このようなリードフレーム基板２上には、所定の部分に
、酸化物セラミックス系超電導体よりなる導体部７が直
接または間接に形成されている。　即ち、第２図に示す
ように、各リード部４上および搭載台３上に直接導体部
７が形成されている場合と、第３図に示すように、各リ
ード部４上および搭載台３上に後述する中間介在層８を
介して間接的に導体部７が形成されている場合とがある
。

なお、リードフレーム基板２上の導体部７を形成する部
分は、第２図および第３図に示すように各リード部４上
および搭載台３上に限らず、各リード部４上のみに形成
するのでもよい。　このような導体部７の形成部分は、
ＩＣ素子の種類、構造等により適宜選定される。

リードフレーム基板２の構成材料としては、いかなる金
属でもよく、例えば、鉄、鉄系合金（例えば、４２アロ
イ（Ｆｅ−４２％Ｎ１））、銅、銅系合金（例えば、り
ん青銅、錫入り銅）等の一般的にリードフレームに用い
られているものが可能である。　このうち例えば、ステ
ンレス、特にＦｅ−１８％Ｃｒ−８％Ｎｉ合金（ＳＵＳ
３０４）は、強度が大きく、かつ適度な導電性を有する
ため好ましい。　また、Ｃｕ−５ｎ−Ｚｒ合金は、高導
電性、高熱伝導性を有し、かつ強度が大きいため好まし
い。

また、Ｆｅ−約４２％Ｎｉ合金やＦｅ−２９％Ｎｉ−１
７％Ｃｏ合金は、熱膨張係数が小さく、かつＩＣ素子の
Ｓｉに近いため、ＩＣ素子の割れ防止、ＩＣ素子の半田
接合部の剥れ防止の観点から好ましい。

また、リードフレーム基板２上に形成される超電導体は
、臨界温度以下に冷却されることにより超電導現象を生
じるため、リードフレーム基板２は熱伝導性の良い金属
材料で構成されているのがよい。　この点からは、Ｃｕ
−５ｎ合金、Ｃｕ−Ｐ−３ｎ合金、Ｃｕ−Ｆｅ−３ｎ合
金、Ｃｕ−Ｆｅ合金、Ｃｕ−Ｎｉ−３ｎ合金、Ｃｕ−Ｚ
ｒ合金などの銅系合金を用いるのが好ましい。

また、リードフレーム基板２上に直接導体部７を形成す
る場合（第２図参照）には、リードフレーム基板２に安
定化材としての役割りをも持たせることができる。　こ
の安定化材は、導体部７において超電導状態が部分的に
破れたときに、その部分が瞬間的に高抵抗となるため、
導体部７に接合された低電気抵抗の安定化材により電流
を逃がし、即ち電流のバイパスの役割りを果たし、通電
の安定性、を確保するためのものである。　また、安定
化材は、導体部７の冷却温度を安定的に保持するという
機能も持っている。

従って、安定化材の役割を兼用するリードフレーム基板
の構成材料としては、低電気抵抗かつ高熱伝導性の金属
材料、即ち、Ｃｕ、Ａ℃、Ａｇ、またはこれらを主とす
る合金、あるいはＡｕ、Ｐｔ、等を含む合金等が好まし
い。

また、超電導体は、磁場の影響により超電導現象が破れ
易くなるので、この点からリードフレーム基板２には、
強磁性体でない金属材料、特にＣｕ％Ａｉ、Ａｇ％Ａｕ
、のような非磁性金属材料を用いるのが好ましい。

また、酸化物超電導体の焼結時に、この超電導体中に拡
散してこれを汚染しないようにするため、また超電導体
との熱膨張係数の整合性の観点から、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの少なくとも一種を含有する合金を基
板２の材料に用いてもよい。

なお、リードフレーム基板２は上述したような単一の金
属、合金によるものに限らず、数種の金属を任意に組み
合せた積層材でもよい。

この積層材としては、例えば、Ｃｕ／インバー／Ｃｕ％
ＡＡ／インバー／Ａｌｌ、Ｃｕ　／　４２アロイ／Ｃｕ
、Ｃｕ／コパール／Ｃｕ、ＡＬＬ／４２アロイ／Ａｊ２
、ＡＪ２／コバール／Ａ℃のような３層クラツド材を挙
げることができる。

このような積層材では、積層する金属、合金の組み合せ
によって、それぞれの金属、合金に特有の上記利点を併
有することができるので好ましい。

導体部７は、酸化物セラミックス系超電導体で構成され
ている。

ここで、酸化物セラミックス系超電導体とは、セラミッ
クス系の超電導体をいい、超電導現象を生じる臨界温度
が従来の合金系超電導体よりも著しく高いことを特徴と
する。　酸化物セラミックス系超電導体の組成としては
、ＭＭ’　２　ＣＬ１３０？−δ（但し、ＭはＹ％Ｓｃ
およびＬａ、Ｇｄ、Ｎｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ％Ｙｂ。

Ｌｕ、Ｅｕ等のランタニドからなる群より選ばれる少な
くとも１種、Ｍ′はアルカリ土類金属の群より選ばれる
少なくとも１種、δは欠損酸素を表わす）等をあげるこ
とができる。　ここで、アルカリ土類金属としては、Ｃ
ａ％ＳｒまたはＢａが好ましく、特にＢａが好ましい。

このような材料は、結晶構成かに、Ｎ１Ｆ４または三層
ペロブスカイト酸化物となっている。

なお、酸化物セラミックス系超電導体による導体部フの
厚さは、リードフレームの用途、リード部の幅等にもよ
るが、一般に０．１μｍ以上とするのが好ましい。　厚
さが０．１μｍ未満では十分な電流容量が確保できない
からである。

中間介在層８は、その目的に応じて次のようなものが挙
げられる。

■　超電導リードフレームの製造中、使用中にリードフ
レーム基板２中の金属成分が超電導体による導体部７中
へ拡散することがあり、これにより導体部の組成が変化
して超電導現象が起こらなくなるか、または安定的に保
持することができなくなる。　従って、このような拡散
を防止するバリア層８として、Ｎｂ％Ｔａ。

Ｍｏ％Ｗのような金属薄層を基板２と導体部７との間に
介在させる。

■　導体部７は、酸化物セラミックス系の超電導体であ
るため、金属性の基板２に対し、その構成材料によって
は接着性がそれ程良くない場合がある。　特に、リード
部４（アウターリード）に曲げ加工を施した際に、その
曲げ部において、導体部７が割れを生じまたは剥離する
おそれがある。　従って、導体部７の密着性、耐折損性
を向上させるために、ガラス層８またはＣｒ、Ｔｉ％Ｚ
ｒ、Ｔａ等の金属薄層８（めっき、ＰＶＤ、ＣＶＤ等に
よる形成が可能）等を基板２と導体部７との間に介在さ
せる。

■　前述したような安定化材を導体部７に接合するため
に、基板２と導体部７との間に安定化材層８を介在させ
る。　この場合、安定化材層８は、前記と同様低電気抵
抗かつ高熱伝導性の材料（金属材料）で構成されている
のが好ましく、例えば、Ｃｕ、Ａｎ、Ａｇ％Ａｕ％　Ｐ
ｔ等、あるいは、これらを主とする合金、積層材等を挙
げることができる。

なお、安定化材層は、単独でまたは上記と組み合せて導
体部７上に接合することもできる。

本発明においては、中間介在層８は、上記■、■、■の
ものに限られず、また上記■、■、■の各層またはその
他の層を２以上組み合せて用いることも可能である。　
特に、２種以上の層を積層した場合には、各層の特性を
併有することができ好ましい。

なお、本発明の超電導リードフレーム１は、第１図に示
すような１個のＩＣ素子を搭載する１ピ一ス分に限らず
、１ピ一ス分のフレームを複数個連設した連続型リード
フレームの形態であってもよい。

次に、本発明の超電導リードフレームの製造方法につい
て、その工程を順次説明する。

（第１の製造方法） ■　所望形状に加工したリードフレーム基板２に前処理
を施す。　この前処理は、超電導体の導体部７の密着性
向上のために行われ、例えば有機溶媒洗、酸洗、イオン
ボンバードメント、電解エッチ、化学エッチ等が可能で
あり、リードフレーム基板の構成金属に応じて行われる
。

■　前処理済のリードフレーム基板２上の所定部分に、
乾式めっき法により金属薄膜を形成する。

ここで乾式めっき法とは、湿式めっき法に対する広義の
概念であって、例えば、真空蒸着法、イオンブレーティ
ング、各種スパッタリングのようなＰＶＤ法、熱ＣＶＤ
、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ％ＭＯＣＶＤ（７）ような
ＣＶＤ法、あるいはこれらに類する方法等が挙げられる
。　形成する金属薄膜の組成は、銅とバリウムと、周期
表第１ＩＩ　ａ族の元素（例えば、Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ）の
少なくとも一種との合金であるのが好ましい。

また、場合によっては、形成された金属薄膜を非晶質化
せしめる処理を行うことも可能である。

なお、リードフレーム基板２上に中間介在層８を介して
金属薄膜を形成する場合には、前処理済の基板２上に前
述した所定の中間介在層８を形成した後、その上に乾式
めっき法により金属薄膜を形成する。　なお、中間介在
層８の形成力法は、中間介在層８の組成、性質等によっ
て適宜決定され、例えばバリア層８としての金属薄層で
あれば、湿式めっき法または前記乾式めっき法により行
い、ガラス層であれば、塗布法により行えばよい。

■　上記■で形成された金属薄膜を酸化して、酸化物セ
ラミックス系超電導体とする。

これにより、好ましくは、Ｍ　Ｍ　’　２　Ｃｕ５Ｏ，
−δ（但し、ＭはＹ％ＳｃおよびＬａ％Ｇｄ。

Ｎｄ％Ｄｙ％Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ％Ｌｕ％Ｅｕ等のランタ
ニドからなる群より選ばれる少なくとも１種、Ｍｏはア
ルカリ土類金属の群より選ばれる少なくとも１種、δは
欠損酸素を表わす）なる組成の酸化物セラミックス系超
電導体の導体部７が得られる。

ここで、金属薄膜の酸化は、リードフレーム基板２を、
酸素を含有する雰囲気（例えば、アルゴン＋酸素混合雰
囲気、窒素＋酸素混合雰囲気、酸素雰囲気等）中で加熱
処理することにより行うのが好ましい。　なお、加熱処
理の条件は、５００〜１，０００℃の温度で、１〜１０
０時間程度行うのが好ましい。　温度が低くまたは処理
時間が短いと金属薄膜の酸化が十分になされず、また温
度が高くまたは処理時間が長いと、超電導酸化物（導体
部７）とリードフレームの拡散現象が起こり、超電導酸
化物が汚染されるからである。

（第２の製造方法） ■　所望形状に加工したリードフレーム基板２に前記第
１の製造方法と同様の前処理を施す。

■　前処理済のリードフレーム基板２上の所定部分に、
炭酸塩または酸化物セラミックス混合粉体を含有するス
ラリー（ペースト）を塗布する。

この炭酸塩または酸化物セラミックス混合粉゛体は、（
ｉ）銅酸化物粉体、（ｉｆ）バリウム酸化物または炭酸
塩粉体および（ｉｉｉ）ストロンチウム酸化物または炭
酸塩粉体、イツトリウム酸化物粉体、ランタン酸化物ま
たは炭酸塩粉体、およびスカンジウム酸化物または炭酸
塩粉体の少なくとも１種を含む混合粉体であるのがよい
。

その理由は、超電導特性に関する再現性が良好であり、
また生産効率も高いからである。

■　上記■のスラリーを塗布乾燥したものを加熱し、焼
結する。　　これにより、好ましくは、Ｍ　Ｍ　’　２
　Ｃｕ５Ｏｙ−δ（但し、ＭはＹ％ＳｃおよびＬａ％　
Ｇｄ、Ｎｄ％　Ｄｙ％Ｈｏ％　Ｅｒ、ＹｂｂＬｕ、Ｅｕ
等のランタニドからなる群より選ばれる少なくとも１種
、Ｍｏはアルカリ土類金属の群より選ばれる少なくとも
１種、δは欠損酸素を表わす）なる組成の酸化物セラミ
ックス系超電導体の導体部７が得られる。

スラリーの焼結を行うに際しては、前記第１の製造方法
の■と同様に酸素を含む雰囲気で焼結するのが好ましい
。　焼結温度は５００〜１１００℃とするのが好ましい
。　焼結温度が５００℃未満では十分な焼結がなされず
、１１００℃以上では液相の発生などで超電導性が得ら
れないからである。　また、焼結時間は１〜１００時間
が好ましい。

上記第１および第２の製造方法により得られた超電導リ
ードフレームに対し、必要に応じて所定部分の導体部７
上にメタライジングを行ってもよい。

例えば、■　ボンディングワイヤの密着性の向上を目的
としてリード先端部（インナーリード）５にＡ　ｕ　％
Ａ　ｇ　％　　Ｃｕ　ｓ　　Ａ　ＩＬｓ　　Ｐ　ｄ　％
Ｎ　ｘ等のめっきを行う、 ■　接点の電気接続性の向上を目的として、ア°　ウタ
ーリードにＡｇ、Ａｇ等のめっきを行う、■　モールド
樹脂との密着性を向上するために、リード部分に５ｎ−
Ｎｉ、Ｎｉ％Ａｌ１等のめっきや蒸着を行なう、あるい
は ■　ＩＣ素子の接着性（半田付性）を高めるために、搭
載台３にＡｇ、Ａｕ％Ｓｎ等をめっきする等が可能であ
る。　このようなメタライジングは、その目的に応じて
必要な部分のみに行うか、あるいはリードフレーム１の
全面に行ってもよい。

また、メタライジングの金属は、その目的に応じて適正
な金属、合金を選定すればよい。

酸化物セラミックス系超電導体のみでリードフレームを
構成しようとすると、セラミックスの性質上、打ち抜き
加工、タブ下げ加工、アウターリード（脚）の曲げ加工
ができず、またＩＣパッケージをプリント基板に装着（
アウターリードの挿入）するのにも困難が伴うが、本発
明の超電導リードフレームは、金属性のリードフレーム
基板上に酸化物セラミックス系超電導体が形成されてい
るため、タブ下げ加工、アクタ−リードの曲げ加工等が
可能であり、特に上述したメタライジングをすることに
よりリードフレームに要求される高電導性以外の性能を
も、従来のリードフレームと同等以上に確保することが
できる。

〈実施例〉 表１に示す組成の帯状長尺物（厚さ０．２５ｍｍ）にプ
レス打抜き加工を施して第１図に示す形状のリードフレ
ーム基板を得、この基板に前処理として、酸洗を施した
後、場合によっては中間介在層を形成し、さらに酸化物
セラミックス系超電導体による導体部を形成して超電導
リードフレームを得た。　なお、中間介在層および導体
部の各条件は表１に示す通りである。

また、表１中の導体部の形成方法は、次の通りである。

Ａ：　アルゴン＋酸素混合ガス（ガス圧２×１０−”ｔ
ｏｒｒ）プラズマ中でＹ（またはＬａ）、ＢａおよびＣ
ｕの三元複合ターゲットによりスパッタリングを行い、
これらの合金Ｆｉｔ膜を成膜し、この合金薄膜をアルゴ
ン＋酸素混合ガス霊囲気中で９５０℃×２時間加熱処理
し、酸化物セラミックス系超電導体とした。

Ｂ：　アルゴン＋酸素混合ガス（ガス圧２×１０−２ｔ
ｏｒｒ）中でＹ（またはＬａ）、ＢａおよびＣｕを三元
イオンブレーティングして、これらの合金薄膜を成膜し
、この合金薄膜をアルゴン＋酸素混合ガス雰囲気中で９
２０℃×５時間加熱処理し、酸化物セラミックス系超電
導体とした。

Ｃ：　　３　Ｘ　１０−’ｔｏｒｒの真空中で、Ｙ（ま
たはＥｕ）、ＢａおよびＣｕの三元同時蒸着を行ない、
これらの合金薄膜を成膜し、アルゴン＋酸素混合ガス雰
囲気中で９５０℃×１０時間加熱処理し、酸化物セラミ
ックス系超電導体とした。

上記実施例１〜９で得られた本発明の各超電導リードフ
レームの導体部を、液体窒素により７７Ｋまで冷却した
ところ、導体部に超電導現象が生じた。

また実施例１〜９の各超電導リードフレームを用いてＩ
Ｃ素子の搭載、ワイヤボンディング（径０．０３ｍｍの
Ａ１製ボンディングワイヤ）および樹脂モールド、アウ
ターリード（脚）の曲げ加工（曲げ半径５Ｒ）等を行い
、ＩＣパッケージを製造した。　この際、いずれもアク
タ−リードの曲げ加工において、導体部の剥離および亀
裂の発生はなかった。

また、ＩＣ素子の接着性、ワイヤボンディング性も良好
であった。

さらに、各ＩＣパッケージをプリント基板へ装着したが
、この際、アウターリードの挿入作業も円滑に行うこと
ができ、アウターリード部の超電導体の導体部の剥離等
の悪影響も生じなかった。

〈発明の効果〉 本発明の超電導リードフレームによれば、酸化物セラミ
ックス系超電導体よりなる導体部を設けたことにより、
導電性が極めて優れるリードフレームを提供することが
でき、よって高速度演算素子用のような高速用デバイス
に適した（高密度集積が行われ、リード部の断面積が小
さくても正確な信号が伝播でき信顆性が高い）リードフ
レームへの応用が可能となる。

そして、酸化物セラミックス系超電導体による導体部を
金属性リードフレーム基板上に形成するため、従来、リ
ードフレームに行われている打抜き加工、タブ下げ加工
、アウターリードの曲げ加工等も可能であり、特に、基
板材料の選択、各種中間介在層の設置あるいは所定部分
へのメタライジングにより高導電性以外にリードフレー
ムに要求される諸特性をも付与することが可能である。

また、リードフレーム基板上に乾式めっき法により金属
薄膜を形成し、該金属薄膜を酸化して酸化物セラミック
ス系超電導体とする本発明の超電導体リードフレームの
製造方法では、乾式めっき法の種類、条件の選定により
、あらゆる組成、膜厚の超電導体をも容易に得ることが
でき、応用価値が高い。

そして、リードフレーム基板上に酸化物セラミックス混
合粉体を含有するスラリーを塗布し、これを焼結して酸
化物セラミックス系超電導体とする本発明の超電導体リ
ードフレームの製造方法では、焼結のための加熱装置等
、極めて簡易な設備および方法で酸化物セラミックス系
超電導体を得ることができ、生産性が高い。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の超電導リードフレームの構成例を示
す平面図である。 第２図および第３図は、それぞれ本発明の超電導リード
フレームの構成例を示す、部分側面断面図である。 符号の説明 １、・・・・超電導リードフレーム、 ２、・・・・リードフレーム基板、 ３、・・・・搭載台、 °４．・・・・リード部、 ５、・・・・リード部先端部、 ６、・・・・タイバー、 ７、・・・・導体部、 ８、・・・・中間介在層 ＦｆＧ、１ ＦＩＧ、２ ＦＩＧ、３

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）所望形状の金属性リードフレーム基板上に、酸化
   物セラミックス系超電導体よりなる導体部を直接または
   間接に形成してなることを特徴とする超電導リードフレ
   ーム。
2. （２）前記酸化物セラミックス系超電導体の組成は、Ｍ
   Ｍ′＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿δ（但し、ＭはＹ、Ｓｃ
   およびＬａ、Ｇｄ、Ｎｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌ
   ｕ、Ｅｕ等のランタニドからなる群より選ばれる少なく
   とも１種、Ｍ′はアルカリ土類金属の群より選ばれる少
   なくとも１種、δは欠損酸素を表わす）である請求項１
   に記載の超電導リードフレーム。
3. （３）所望形状の金属性リードフレーム基板上に、直接
   または間接に乾式めっき法により金属薄膜を形成し、該
   金属薄膜を酸化して酸化物セラミックス系超電導体とす
   ることを特徴とする超電導リードフレームの製造方法。
4. （４）前記金属薄膜の組成は、銅とバリウムと周期表第
   IIIａ族の元素の少なくとも一種との合金である請求項
   ３に記載の超電導リードフレームの製造方法。
5. （５）所望形状の金属性リードフレーム基板上に、直接
   または間接に酸化物セラミックス混合粉体を含有するス
   ラリーを塗布し、これを焼結して酸化物セラミックス系
   超電導体とすることを特徴とする超電導リードフレーム
   の製造方法。
6. （６）前記酸化物セラミックス混合粉体は、（ｉ）銅酸
   化物粉体、（ｉｉ）バリウム酸化物または炭酸塩粉体お
   よび（ｉｉｉ）ストロンチウム酸化物または炭酸塩粉体
   、イットリウム酸化物粉体、ランタン酸化物または炭酸
   塩粉体、およびスカンジウム酸化物粉体の少なくとも１
   種を含む混合粉体である請求項５に記載の超電導リード
   フレームの製造方法。
7. （７）前記酸化物セラミックス系超電導体の組成は、Ｍ
   Ｍ′＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿δ（但し、ＭはＹ、Ｓｃ
   およびＬａ、Ｇｄ、Ｎｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌ
   ｕ、Ｅｕ等のランタニドからなる群より選ばれる少なく
   とも１種、Ｍ′はアルカリ土類金属の群より選ばれる少
   なくとも１種、δは欠損酸素を表わす）である請求項３
   〜６のいずれかに記載の超電導リードフレームの製造方
   法。