JP2003279520A - ガス検出装置及びガス検出方法 - Google Patents

ガス検出装置及びガス検出方法

Info

Publication number
JP2003279520A
JP2003279520A JP2002083074A JP2002083074A JP2003279520A JP 2003279520 A JP2003279520 A JP 2003279520A JP 2002083074 A JP2002083074 A JP 2002083074A JP 2002083074 A JP2002083074 A JP 2002083074A JP 2003279520 A JP2003279520 A JP 2003279520A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
energization
oxide
volatile organic
organic compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002083074A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4040337B2 (ja
Inventor
Soichi Tabata
総一 田畑
Katsumi Higaki
勝己 檜垣
Hiroichi Sasaki
博一 佐々木
Hisao Onishi
久男 大西
Shinichi Ochiwa
眞一 小知和
Takuya Suzuki
卓弥 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Osaka Gas Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Osaka Gas Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd, Osaka Gas Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP2002083074A priority Critical patent/JP4040337B2/ja
Publication of JP2003279520A publication Critical patent/JP2003279520A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4040337B2 publication Critical patent/JP4040337B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、ダイアフラム様の支持基板上に、
検出対象ガスの有無により電気抵抗値が変化する膜状酸
化物、及び、膜状酸化物を加熱するための通電加熱体を
形成したセンサ素子を用いて、数ppmから数ppbと
いうような低濃度の揮発性有機化合物が空気中に存在す
ることを高感度且つ簡単に検出することができるガス検
出技術を提供することを目的とする。 【解決手段】 通電加熱体への通電駆動の開始後、揮発
性有機化合物に対する膜状酸化膜の検出感度が有意に得
られる所定の経過時間範囲内の膜状酸化物の電気抵抗値
を用いて、揮発性有機化合物の検出を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜状の支持膜の
外周部又は両端部が支持部材により支持されたダイアフ
ラム構造の支持基板上に、検出対象ガスの有無により電
気抵抗値が変化する膜状酸化物、及び、前記膜状酸化物
を加熱するための通電加熱体を形成したセンサ素子と、
前記膜状酸化物の温度が低温状態から高温状態に変化す
るように、前記通電加熱体を通電駆動する通電駆動手段
と、前記膜状酸化物の温度が高温状態に変化したときの
前記膜状酸化物の電気抵抗値に基づいて、前記検出対象
ガスの有無を検出する検出部とを備えたガス検出装置及
びそのガス検出装置において実行されるガス検出方法に
関し、特に、検出対象ガスとしてのホルムアルデヒドな
どの揮発性有機化合物を検出するためのガス検出装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】上記のような揮発性有機化合物(VO
C)とは、沸点範囲が0〜380℃の有機化合物であ
り、このような揮発性有機化合物として、エタノールや
メタノールを含むアルコール類、ホルムアルデヒドやア
セトアルデヒドを含むアルデヒド類、及び、アセトンを
含むケトン類等があり、中でも、ホルムアルデヒド、ト
ルエン、キシレン、クロロホルム、パラジクロロベンゼ
ン等の揮発性有機化合物は、特に人間の嗅覚で感じない
ような数ppmから数ppbという濃度でも、長期に渡
りそのような雰囲気中で暮らすことで、健康被害を引き
起こすと指摘されている。そして、近年の住宅の高気密
化などに伴い、住居内において、空気中に低濃度のガス
状揮発性有機化合物が長期に渡り存在することが問題と
なっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、低濃度
の揮発性有機化合物が空気中に存在することを高感度に
検知することができる有効なガス検出装置が存在せず、
このようなガス検出装置が望まれている。
【0004】従って、本発明は、上記の事情に鑑みて、
数ppmから数ppbというような低濃度の揮発性有機
化合物が空気中に存在することを高感度且つ簡単に検出
することができるガス検出技術を提供することを目的と
する。
【0005】
【課題を解決するための手段】〔構成1〕上記の目的を
達成するための本発明に係るガス検出装置は、特許請求
の範囲の欄の請求項1に記載した如く、薄膜状の支持膜
の外周部又は両端部が支持部材により支持されたダイア
フラム構造の支持基板上に、検出対象ガスの有無により
電気抵抗値が変化する膜状酸化物、及び、前記膜状酸化
物を加熱するための通電加熱体を形成したセンサ素子
と、前記膜状酸化物の温度が低温状態から高温状態に変
化するように、前記通電加熱体を通電駆動する通電駆動
手段と、前記膜状酸化物の温度が高温状態に変化したと
きの前記膜状酸化物の電気抵抗値に基づいて、前記検出
対象ガスの有無を検出する検出部とを備えたガス検出装
置であって、前記検出対象ガスを揮発性有機化合物と
し、前記検出部が、前記通電駆動手段による前記通電加
熱体への通電駆動の開始後、前記揮発性有機化合物に対
する前記膜状酸化膜の検出感度が有意に得られる所定の
経過時間範囲内の前記膜状酸化物の電気抵抗値を用い
て、前記揮発性有機化合物の検出を行うことを特徴とす
る。
【0006】また、上記の目的を達成するための本発明
に係るガス検出方法は、上記構成1のガス検出装置によ
り好適に実行されるものであり、特許請求の範囲の欄の
請求項3に記載した如く、薄膜状の支持膜の外周部又は
両端部が支持部材により支持されたダイアフラム構造の
支持基板上に、検出対象ガスとしての揮発性有機化合物
の有無により電気抵抗値が変化する膜状酸化物と、前記
膜状酸化物を加熱するための通電加熱体とを形成したセ
ンサ素子を用いて、前記通電加熱体への通電駆動の開始
後、前記揮発性有機化合物に対する前記膜状酸化膜の検
出感度が有意に得られる所定の経過時間範囲内の前記膜
状酸化物の電気抵抗値を用いて、前記揮発性有機化合物
の検出を行うことを特徴とする。
【0007】〔作用効果〕本願発明者らは、極めて低熱
容量のセンサ素子において、検出対象ガスとしての揮発
性有機化合物の有無により電気抵抗値が変化する膜状酸
化物を設け、膜状酸化物が低温である上記低温状態から
膜状酸化物が高温である高温状態とするべく、通電加熱
体への通電駆動を開始した直後において、膜状酸化物の
電気抵抗値が揮発性有機化合物が多く存在する場合には
著しく低下するということを発見し、その発見により、
通電加熱体への通電駆動の開始後、所定の経過時間範囲
内において、膜状酸化膜の検出感度が揮発性有機化合物
に対して有意に得られるという新知見を得、本発明を完
成するに至った。
【0008】即ち、上記構成1のガス検出装置及びガス
検出方法によれば、検出部において、通電駆動手段によ
り通電加熱体への通電駆動の開始後の上記所定の経過時
間範囲内の膜状酸化物の電気抵抗値を用いて揮発性有機
化合物の検出することができる。従って、低濃度の揮発
性有機化合物が空気中に存在する場合において、その揮
発性有機化合物を、通電駆動開始後の上記所定の経過時
間範囲内における膜状酸化物の電気抵抗値の低下により
高感度に検出することができる。
【0009】〔構成2〕本発明に係るガス検出装置は、
特許請求の範囲の欄の請求項2に記載した如く、上記構
成1のガス検出装置の構成に加えて、前記センサ素子
が、前記通電駆動手段による前記通電加熱体への通電駆
動の開始から前記膜状酸化物の温度が前記高温状態とな
るまでの応答時間が50ミリ秒以下となるように構成さ
れ、前記検出部が、前記通電駆動手段による前記通電加
熱体への通電駆動の開始後、20ミリ秒以上200ミリ
秒以下の経過時間範囲内の前記酸化物電気抵抗値を用い
て、前記揮発性有機化合物の検出を行なうように構成さ
れていることを特徴とする。
【0010】また、本発明に係るガス検出方法は、上記
構成2のガス検出装置により好適に実行されるものであ
り、特許請求の範囲の欄の請求項5に記載した如く、上
記構成1のガス検出方法の構成に加えて、前記センサ素
子が、前記通電駆動手段による前記通電加熱体への通電
駆動の開始から前記膜状酸化物の温度が前記高温状態と
なるまでの応答時間が50ミリ秒以下となるように構成
され、前記通電駆動手段による前記通電加熱体への通電
駆動の開始後、20ミリ秒以上200ミリ秒以下の経過
時間範囲内の前記酸化物電気抵抗値を用いて、前記揮発
性有機化合物の検出を行なうことを特徴とする。
【0011】〔作用効果〕前述のように、通電加熱体へ
の通電駆動の開始後から所定の経過時間範囲内におい
て、膜状酸化膜の検出感度が揮発性有機化合物に対して
有意に得られる理由は、低温状態においてセンサ素子に
吸着していた揮発性有機化合物が、通電加熱体への通電
駆動を開始して高温状態に移行することで、センサ素子
から脱離し、さらに、上記所定の経過時間範囲内におい
てその脱離した揮発性有機化合物が膜状酸化物近傍に滞
留するため、膜状酸化物近傍の揮発性有機化合物の濃度
が一時的に高くなるからであると考えられる。
【0012】よって、センサ素子の熱容量が大きかった
り、通電加熱体の加熱量が小さかったりして、通電駆動
手段による通電加熱体への通電駆動の開始から膜状酸化
物の温度が前記高温状態となるまでの応答時間が比較的
長い場合には、センサ素子から揮発性有機化合物が少し
ずつ脱離して、上記膜状酸化物近傍において、揮発性有
機化合物の一時的な濃度上昇が極めて小さくなり、揮発
性有機化合物を高感度に検出することができなくなる。
【0013】そこで、上記構成2のガス検出装置及びガ
ス検出方法によれば、通電駆動手段による通電加熱体へ
の通電駆動の開始から膜状酸化物の温度が高温状態とな
るまでの応答時間が50ミリ秒以下となるように、セン
サ素子を構成することで、通電加熱体への通電駆動の開
始後20ミリ秒経過時から通電駆動開始後200ミリ秒
経過時までの経過時間範囲内において、センサ素子から
揮発性有機化合物が瞬時に脱離することで、膜状酸化膜
近傍において一時的な揮発性有機化合物の大幅な濃度上
昇を発生させることができ、その大幅な濃度上昇は膜状
酸化物の電気抵抗の低下として良好に検出することがで
きるので、低濃度の揮発性有機化合物でも高感度で検出
することができる。
【0014】さらに、上記のように通電加熱体への通電
駆動を開始して瞬時に高温状態に移行ことで、膜状酸化
物近傍にセンサ素子から瞬時に脱離した揮発性有機化合
物により大幅な濃度上昇を発生させて、揮発性有機化合
物を検出する場合には、高温状態に移行する前の低温状
態において、センサ素子に充分な揮発性有機化合物が吸
着されている方が好ましい。そこで、前記通電駆動手段
を、前記膜状酸化物の温度を例えば5秒間以上低温状態
とした後に、前通電加熱体への通電駆動を開始して、前
記膜状酸化物の温度を高温状態とするように構成するこ
とが好ましい。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るガス検出装置
の実施形態について詳細を説明する。
【0016】〔センサ素子〕図1に本発明の実施形態に
用いた薄膜状のセンサ素子20の構造を示す。センサ素
子20は、薄膜状の支持層5(支持膜の一例)の外周部
又は両端部がSi基板1(支持部材)により支持された
ダイアフラム構造の支持基板上に、検出対象ガスの有無
により電気抵抗値が変化する膜状酸化物のガス検知層1
0、及び、ガス検知層10を加熱するためのヒータ層7
(通電加熱体)を形成して構成されている。
【0017】次に、センサ素子20の製造方法を説明す
る。両面に熱酸化膜2が300nm形成されたSi基板
1の表面に、ダイアフラム構造の支持層5となるSiN
膜3及びSiO2膜4を、順次プラズマCVD法にて、
夫々150nm及び1μm形成する。
【0018】次に、この支持層5の上に、PtW膜から
なるヒータ層7を0.5μm形成し、ウエットエッチン
グによりヒータパターンを形成する。そして、ヒータ層
7の上に、SiO2絶縁膜からなる絶縁層8を、スパッ
タ法により2.0μm形成し、さらに、ヒータ層7と後
述の電極9の接合個所をHFにてエッチングして窓明け
を行なう。
【0019】次に、Pt/Ta(200nm/50n
m)膜をガス検知層10の電極11として成膜し、それ
をウエットエッチングによりパターニングする。ここで
TaはSiO2とPt膜間の接合層としての役割をも
つ。
【0020】さらに、絶縁層8及び電極11の上に、ガ
ス検知層10としてスパッタ法によりガス検知層10と
してのSnO2膜をリフトオフ法により0.1〜10μ
mの厚さにて形成する。次に、アルミナ粒子にPt及び
Pd触媒を7.5wt%担持させた粉末を、バインダと
ともにペーストとし、それをスクリーン印刷によりガス
検知層10としてのSnO2膜の表面に塗布した後に焼
成して、約30μm厚の選択燃焼層12を形成する。最
後に基板の裏面からドライエッチングによりSiを40
0μm径(ダイアフラム直径)の大きさにて完全に除去
しダイアフラム構造とする。
【0021】〔ガス検出方法〕次に、本発明のガス検出
装置におけるガス検出方法について図面に基づいて説明
する。ガス検出装置には、図1に示すように、ガス検知
層10の温度が低温状態から高温状態に変化するよう
に、ヒータ層7を電極9を介して通電駆動する通電駆動
手段30と、ガス検知層10の温度が高温状態に変化し
たときのガス検知層10の電気抵抗値を電極11を介し
て検知して、検知した電気抵抗値に基づいて、検出対象
ガスとしての有無を検出する検出部32とが設けられて
いる。
【0022】さらに、検出対象ガスが揮発性有機化合物
としての例えばエタノールとされ、検出部32が、通電
駆動手段30によるヒータ層7への通電駆動の開始後、
揮発性有機化合物に対するガス検知層10の検出感度が
有意に得られる所定の経過時間範囲内の膜状酸化物の電
気抵抗値を用いて、揮発性有機化合物の検出を行うよう
に構成されている。
【0023】詳しくは、上記通電駆動手段30は、ヒー
タ層7の通電駆動を停止してガス検知層10を室温(低
温)とする低温状態と、ヒータ層7の通電駆動を実施し
てガス検知層10を所定の温度に加熱する高温状態とを
繰り返し行なうように構成されている。さらに、上記ヒ
ータ層7の通電駆動を停止する時間(以下、ヒータOF
F時間と呼ぶ。)と、上記ヒータ層7の通電駆動を実施
する時間(以下、ヒータON時間と呼ぶ。)とは、任意
の時間に設定することができる。
【0024】また、図2に示すように、上記低温状態か
ら上記高温状態に移行するべく、ヒータ層7への通電駆
動を開始した直後において、ガス検知層10の電気抵抗
値が揮発性有機化合物としてのエタノールが存在する場
合に著しく低下し、さらに、ヒータ層7への通電駆動の
開始後の所定の経過時間範囲内において、ガス検知層1
0の検出感度が揮発性有機化合物に対して有意に得られ
る。
【0025】そこで、検出部32は、上記揮発性有機化
合物の検出を行なうべく、上記通電駆動手段30により
ヒータ層7の通電駆動を開始後の所定の経過時間範囲内
におけるガス検知層10の電気抵抗値を検出し、揮発性
有機化合物の存在をその電気抵抗値の低下として検出す
るのである。尚、図2のグラフ図は、ヒータON時間と
ヒータOFF時間との和を30secとしてON時間を
変化させ、ON時間の最後に計測したガス検知層10の
電気抵抗値と、ON時間である経過時間との関係を示す
ものである。
【0026】また、このようにヒータ層7への通電駆動
の開始後から所定の経過時間範囲内において、ガス検知
層10の検出感度が揮発性有機化合物に対して有意に得
られる理由は、低温状態においてセンサ素子20に吸着
していた揮発性有機化合物が、ヒータ層7への通電駆動
を開始して高温状態に移行することで、センサ素子20
から脱離し、さらに、所定の経過時間範囲内においてそ
の脱離した揮発性有機化合物がガス検知層10近傍に滞
留するため、ガス検知層10近傍の揮発性有機化合物の
濃度が一時的に高くなるからであると考えられる。
【0027】そこで、本ガス検出装置は、上記のような
センサ素子10からの揮発性有機化合物の脱離をできる
だけ瞬時に行ない、揮発性有機化合物の一時的な濃度上
昇を有効に発生させるべく、センサ素子20の熱容量が
小さなものとして、通電駆動手段30によるヒータ層7
への通電駆動の開始からガス検知層10の温度が高温状
態となるまでの応答時間が50ミリ秒以下となるように
構成されている。
【0028】具体的には、図3に示すように、高温状態
におけるガス検知層10の設定温度を450℃とし、通
電駆動開始からの経過時間が約30msecとなったと
きにガス検知層10の温度が設定温度の90%程度とな
り、経過時間が約50msecとなったときにガス検知
層10の温度が設定温度となるように、センサ素子部2
0が構成されている。また、このセンサ素子20の上記
応答時間は、通電駆動開始してから上記ガス検知層10
の温度が設定温度となるまでの50msecとなる。
尚、このときのセンサ素子20の熱容量は、2.3ピコ
J/K程度であった。
【0029】さらに、上記応答時間が前述のように50
msec以下となるようにセンサ素子20を構成した場
合に、図2に示すように、通電駆動手段30によるヒー
タ層7への通電駆動の開始後、20ミリ秒以上200ミ
リ秒以下の経過時間範囲内のガス検知層10の電気抵抗
値が、揮発性有機化合物が存在した場合に大きく低下す
ることが判る。よって、検出部32は、この経過時間範
囲内のガス検知層10の電気抵抗値を用いて、揮発性有
機化合物の検出を高感度で行なうことができる。
【0030】さらに、高温状態に移行する前の低温状態
において、センサ素子20に充分な揮発性有機化合物が
吸着されていることが望まれる。そこで、本ガス検出装
置の通電駆動手段30は、ガス検知層10の温度を例え
ば5秒間以上低温状態とした後に、ヒータ層7への通電
駆動を開始して、ガス検知層10の温度を高温状態とす
るように構成されている。即ち、通電駆動手段30は、
ヒータOFF時間を5秒以上に設定する。
【0031】即ち、図4に示すように、ヒータOFF時
間が5sec以上であれば、ヒータ層7への通電駆動を
開始した直後におけるガス検知層10の電気抵抗値の低
下を得ることができるが、ヒータOFF時間が5sec
未満であれば、その電気抵抗値の低下が小さいため検出
が困難となり、特に、微小の揮発性有機化合物であるエ
タノールを検出する場合には、このOFF時間をできる
だけ長くとることが好ましい。尚、図4のグラフ図は、
50msecのON時間の最後に計測したガス検知層1
0の電気抵抗値と、OFF時間との関係を示すものであ
る。
【0032】〔実施例と比較例との対比〕次に、本発明
に係るガス検出装置により揮発性有機化合物であるエタ
ノールを検出した場合の実施例と、従来のガス検出装置
により揮発性有機化合物であるエタノールを検出した場
合の比較例との対比結果について説明する。
【0033】先ず、実施例におけるガス検出装置は、こ
れまで説明してきたガス検出装置の実施形態と同様のセ
ンサ素子20を備え、さらに、通電駆動手段30を、ガ
ス検出層10を低温状態とするためのヒータOFF時間
を29.95sec、ガス検出層10を高温状態とする
ヒータON時間を50msecとして、ヒータ層17を
通電状態と否通電状態とを繰り返すように構成し、検出
部32を、ヒータON時間の最後(即ち、ヒータ層7へ
の通電駆動を開始後50msec経過時)のガス検知層
10の電気抵抗値を検出するように構成した。一方、比
較例におけるガス検出装置は、実施例と同様のセンサ素
子20を備え、さらに、ガス検出層10を常時高温状態
とするべく、ヒータ層7へ常時通電してガス検知層10
の電気抵抗値を検出するように構成した。
【0034】実施例及び比較例において、センサ素子2
0に、空気のみを供給したときのガス検知層10の夫々
の電気抵抗値、及び、0.1〜100ppmの濃度のエ
タノール(揮発性有機化合物)を供給したときのガス検
知層10の夫々の電気抵抗値を、夫々図5及び図6に示
す。尚、図5及び図6において、空気のみを供給したと
きのガス検知層10の電気抵抗値を、エタノールの濃度
が0.02ppmのポイントに記述しているが、実際に
は、空気中にエタノールは含まれていない。
【0035】結果、実施例のガス検出装置においては、
図5に示すように、0.1ppmという超低濃度のエタ
ノールを供給した場合でも、ガス検知層10の電気抵抗
値が大幅に低下し、その低下によりエタノールの存在を
高精度に検出することができることが確認できた。一
方、比較例のガス検出装置においては、図6に示すよう
に、実施例とは異なり、エタノールが供給されても、ガ
ス検知層10の電気抵抗値が殆ど低下しないので、エタ
ノールを検出することが困難であることが確認できた。
従って、本発明に係るガス検出装置は、低濃度の揮発性
有機化合物の代表であるエタノールが空気中に存在する
場合において、そのエタノールを、通電駆動開始後の所
定の経過時間範囲内におけるガス検知層10の電気抵抗
値の低下により高感度に検出することができるといえ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】ガス検出装置の構造を示す概略図
【図2】ガス検知層の電気抵抗値と経過時間との関係を
示すグラフ図
【図3】ガス検知層の昇温状態を示すグラフ図
【図4】ガス検知層の電気抵抗値とヒータOFF時間と
の関係を示すグラフ図
【図5】実施例のガス検出装置によるエタノール検出結
果を示すグラフ図
【図6】比較例のガス検出装置によるエタノール検出結
果を示すグラフ図
【符号の説明】
1:Si基板(支持部材) 3:SiN膜 4:SiO2膜 5:支持層(支持膜の一例) 7:ヒータ層(通電加熱体) 8:絶縁層 9:ヒータ層の電極 10:ガス検知層(膜状酸化物) 11:ガス検知層の電極 20:センサ素子 30:通電駆動手段 32:検出部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 檜垣 勝己 大阪府大阪市中央区平野町四丁目1番2号 大阪瓦斯株式会社内 (72)発明者 佐々木 博一 大阪府大阪市中央区平野町四丁目1番2号 大阪瓦斯株式会社内 (72)発明者 大西 久男 大阪府大阪市中央区平野町四丁目1番2号 大阪瓦斯株式会社内 (72)発明者 小知和 眞一 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 富士電機株式会社内 (72)発明者 鈴木 卓弥 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 富士電機株式会社内 Fターム(参考) 2G046 AA18 BA01 BA09 BB03 BE01 DB05 FB00 FB02 FE38 FE39

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 薄膜状の支持膜の外周部又は両端部が支
    持部材により支持されたダイアフラム構造の支持基板上
    に、検出対象ガスの有無により電気抵抗値が変化する膜
    状酸化物、及び、前記膜状酸化物を加熱するための通電
    加熱体を形成したセンサ素子と、 前記膜状酸化物の温度が低温状態から高温状態に変化す
    るように、前記通電加熱体を通電駆動する通電駆動手段
    と、 前記膜状酸化物の温度が高温状態に変化したときの前記
    膜状酸化物の電気抵抗値に基づいて、前記検出対象ガス
    の有無を検出する検出部とを備えたガス検出装置であっ
    て、 前記検出対象ガスを揮発性有機化合物とし、 前記検出部が、前記通電駆動手段による前記通電加熱体
    への通電駆動の開始後、前記揮発性有機化合物に対する
    前記膜状酸化膜の検出感度が有意に得られる所定の経過
    時間範囲内の前記膜状酸化物の電気抵抗値を用いて、前
    記揮発性有機化合物の検出を行うガス検出装置。
  2. 【請求項2】 前記センサ素子が、前記通電駆動手段に
    よる前記通電加熱体への通電駆動の開始から前記膜状酸
    化物の温度が前記高温状態となるまでの応答時間が50
    ミリ秒以下となるように構成され、 前記検出部が、前記通電駆動手段による前記通電加熱体
    への通電駆動の開始後、20ミリ秒以上200ミリ秒以
    下の経過時間範囲内の前記酸化物電気抵抗値を用いて、
    前記揮発性有機化合物の検出を行なうように構成されて
    いる請求項1記載のガス検出装置。
  3. 【請求項3】 薄膜状の支持膜の外周部又は両端部が支
    持部材により支持されたダイアフラム構造の支持基板上
    に、検出対象ガスとしての揮発性有機化合物の有無によ
    り電気抵抗値が変化する膜状酸化物と、前記膜状酸化物
    を加熱するための通電加熱体とを形成したセンサ素子を
    用いて、 前記通電加熱体への通電駆動の開始後、前記揮発性有機
    化合物に対する前記膜状酸化膜の検出感度が有意に得ら
    れる所定の経過時間範囲内の前記膜状酸化物の電気抵抗
    値を用いて、前記揮発性有機化合物の検出を行うガス検
    出方法。
  4. 【請求項4】 前記センサ素子が、前記通電駆動手段に
    よる前記通電加熱体への通電駆動の開始から前記膜状酸
    化物の温度が前記高温状態となるまでの応答時間が50
    ミリ秒以下となるように構成され、 前記通電駆動手段による前記通電加熱体への通電駆動の
    開始後、20ミリ秒以上200ミリ秒以下の経過時間範
    囲内の前記酸化物電気抵抗値を用いて、前記揮発性有機
    化合物の検出を行なう請求項3記載のガス検出方法。
JP2002083074A 2002-03-25 2002-03-25 ガス検出装置及びガス検出方法 Expired - Fee Related JP4040337B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002083074A JP4040337B2 (ja) 2002-03-25 2002-03-25 ガス検出装置及びガス検出方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002083074A JP4040337B2 (ja) 2002-03-25 2002-03-25 ガス検出装置及びガス検出方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007160362A Division JP2007271636A (ja) 2007-06-18 2007-06-18 ガス検出装置及びガス検出方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003279520A true JP2003279520A (ja) 2003-10-02
JP4040337B2 JP4040337B2 (ja) 2008-01-30

Family

ID=29231008

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002083074A Expired - Fee Related JP4040337B2 (ja) 2002-03-25 2002-03-25 ガス検出装置及びガス検出方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4040337B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007017426A (ja) * 2005-06-06 2007-01-25 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 大気中の一酸化炭素や炭化水素の濃度を検出するガスセンサ
JP2010276459A (ja) * 2009-05-28 2010-12-09 Ngk Spark Plug Co Ltd ガスセンサ
JP2016017741A (ja) * 2014-07-04 2016-02-01 富士電機株式会社 ガス検出装置およびガス検出方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007017426A (ja) * 2005-06-06 2007-01-25 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 大気中の一酸化炭素や炭化水素の濃度を検出するガスセンサ
JP2010276459A (ja) * 2009-05-28 2010-12-09 Ngk Spark Plug Co Ltd ガスセンサ
JP2016017741A (ja) * 2014-07-04 2016-02-01 富士電機株式会社 ガス検出装置およびガス検出方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4040337B2 (ja) 2008-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5946004B2 (ja) ガス検出装置およびその方法
JP2007024508A (ja) 薄膜ガスセンサ
JP2011169634A (ja) 薄膜ガスセンサ
WO2020031909A1 (ja) Mems型半導体式ガス検知素子
JP2008039550A (ja) 湿度センサ
JP5143591B2 (ja) ガス検知装置及びガス検知方法
JP5127750B2 (ja) ガスセンサ及びガス検出方法
JP2017223557A (ja) ガスセンサ
JP2003279520A (ja) ガス検出装置及びガス検出方法
JP2007271636A (ja) ガス検出装置及びガス検出方法
JP4450773B2 (ja) 薄膜ガスセンサ
JP5065098B2 (ja) ガス検知装置及びガス検知方法
JP4788238B2 (ja) 薄膜ガスセンサの製造方法および薄膜ガスセンサ
JP2005030907A (ja) ガスセンサ
JP2011027752A (ja) 薄膜ガスセンサ
JP2004037402A (ja) 薄膜ガスセンサ
JP2003279523A (ja) 薄膜ガスセンサ
JP2002116171A (ja) 薄膜ガスセンサ
JP6805852B2 (ja) ガスセンサ素子およびガスセンサ素子の製造方法
JP4764981B2 (ja) 薄膜ガスセンサの製造方法
KR100511268B1 (ko) 가스센서 제조 방법
JP4779076B2 (ja) 薄膜ガスセンサ
JP4851610B2 (ja) 薄膜ガスセンサ
JP6958384B2 (ja) ガスセンサ素子
JP4953253B2 (ja) 薄膜ガスセンサの初期安定化処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041207

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050317

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060417

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060824

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061023

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070419

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070618

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070712

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070910

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20070919

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20071018

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20071107

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101116

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4040337

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101116

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101116

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101116

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101116

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101116

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101116

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101116

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101116

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131116

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131116

Year of fee payment: 6

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131116

Year of fee payment: 6

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees