JP6958384B2 - ガスセンサ素子 - Google Patents
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Description
[1]ガス検知部と、触媒部と、触媒部を被覆する触媒被覆部と、を有するガスセンサ素子であって、
触媒被覆部はゼオライトを含み、
触媒被覆部の厚みが0μm超40μm以下であることを特徴とするガスセンサ素子である。
触媒被覆部が、梁上まで延びて形成されていることを特徴とする[1]または[2]に記載のガスセンサ素子である。
1.ガスセンサ素子
1.1.ガスセンサ素子の全体構成
1.2.触媒被覆部
1.3.触媒部
1.4.ガス検知部
1.5.ヒータ部
1.6.基板部
1.7.ガスセンサ素子の動作原理
2.ガスセンサ素子の製造方法
3.本実施形態における効果
4.変形例
本実施形態に係るガスセンサ素子は、可燃性ガスを検知するための接触燃焼式ガスセンサ素子である。このガスセンサ素子を外部回路に接続してガスセンサとして用いてもよいし、測定雰囲気と連通する公知のパッケージ内に収容して用いてもよい。また、このガスセンサ素子のみでガスを検知してもよいし、温度補償用のセンサ素子、別種のガスを検知するための他のガスセンサ素子等とともにガスを検知してもよい。
本実施形態に係るガスセンサ素子1は、図1Aに示すように、素子本体部100が、周縁部80に接続された4本の梁70により支持された梁支持構造を有している。すなわち、素子本体部100は、ガスセンサ素子1の周縁部80と、梁70を介して接続されており、素子本体部100と周縁部80との間には空洞部53が形成されている。
図1BおよびCに示すように、触媒被覆部10は、後述する触媒部20を覆っている。触媒被覆部10は多孔質材料であるゼオライトを含む。ゼオライトは、多数の細孔が形成された構造を有しており、検知対象ガスを通過させ、触媒材料を被毒するガスを通過させない分子ふるいとして働く。
図1Bおよび図1Cに示すように、触媒部20はガス検知部30の表面(本実施形態では、ガス検知材保護膜33)上に形成されている。触媒部20は、複数の粒子が集合し一体化されて形成される多孔質状材料である担体材料に触媒材料が担持されたものから構成されていれば特に制限されない。
図1Bおよび図1Cに示すように、ガス検知部30は、ガス検知材31と、ガス検知電極32と、ガス検知材保護膜33とから構成されている。本実施形態では、ガス検知材31はサーミスタである。サーミスタ31は、負の抵抗温度係数を持ち、触媒部20における可燃性ガスの燃焼による温度変化に起因して抵抗値が変化することによりガス検知を行う。サーミスタ31を構成する材料としては、サーミスタとして使用可能な材料であれば特に制限されない。本実施形態では、サーミスタ31の材料としては、複合金属酸化物、アモルファスシリコン、ポリシリコン、ゲルマニウム等が例示される。
図1Bおよび図1Cに示すように、ヒータ部40は、通電により発熱する抵抗体であるヒータ41とヒータ保護膜42とから構成される。ヒータ41として、サーミスタ31を効率よくかつ確実に加熱できるように所定の抵抗値を有する配線が配置される。本実施形態では、触媒部20およびサーミスタ部30の形成領域に対応する領域において、ヒータ41の配線が複数回折り返され所定の間隔で平行に配置されるパターン(ミアンダパターン)であることが好ましい。
図1A〜図1Cに示すように、基板部50は、支持基板51と絶縁膜52と空洞部53とから構成されている。支持基板51は、その上に形成されるヒータ部40、サーミスタ部30、触媒部20、触媒被覆部10等を支持できる程度の機械的強度を有し、かつエッチング等の微細加工に適した材料で構成されていれば、特に限定されない。本実施形態では、支持基板51として、シリコン単結晶基板、サファイア単結晶基板、セラミック基板、石英基板、ガラス基板等が例示される。
ガスセンサ素子1において、ヒータ41およびサーミスタ電極32は引出電極60を介して図示しない外部回路に接続される。ガスセンサ素子1を作動させると、通電が開始され、ヒータ41に所定の電圧が印加される。また、サーミスタ電極32には固定抵抗が直列に接続されており、バイアス電圧が印加される。サーミスタ31およびその上に位置する触媒部20は、ヒータ41に印加される電圧に応じて、所定の温度に加熱される。
次に、図1A〜図1Cに示すガスセンサ素子の製造方法の一例について以下に説明する。
本実施形態では、触媒部の表面が外部と直接連通しないように、ゼオライトを含む触媒被覆部により触媒部を覆っている。このような触媒被覆部が形成されていることにより、ガスセンサ素子が配置されている環境に、触媒材料を被毒する物質が存在していても、当該物質が触媒部の表面に到達することを阻害し、検知対象ガスを触媒部の表面に到達させることが可能となる。したがって、触媒材料の被毒に起因するセンサ感度の劣化を抑制することができる。
上述の実施形態では、接触燃焼式のガスセンサ素子について説明したが、触媒部が形成されるガスセンサ素子であれば、接触燃焼式以外のガスセンサ素子であってもよい。たとえば、半導体式のガスセンサ素子であってもよい。
10… 触媒被覆部
20… 触媒部
30… ガス検知部(サーミスタ部)
31… ガス検知材(サーミスタ)
32… ガス検知電極(サーミスタ電極)
33… ガス検知材保護膜(サーミスタ保護膜)
40… ヒータ部
41… ヒータ
42… ヒータ保護膜
50… 基板部
51… 支持基板
52… 絶縁膜
53… 空洞部
60… 引出電極
70… 梁
80… 周縁部
100… 素子本体部
Claims (3)
- ガス検知部と、触媒部と、前記触媒部を被覆する触媒被覆部と、を有するガスセンサ素子であって、
前記触媒被覆部はゼオライトを含み、
前記触媒被覆部の厚みが0μm超40μm以下であることを特徴とするガスセンサ素子。 - 前記触媒部の厚みが2μm以上30μm以下であることを特徴とする請求項1に記載のガスセンサ素子。
- 前記ガス検知部と、前記触媒部と、前記触媒被覆部と、が、複数の梁により支持された構成を有し、
前記触媒被覆部が、前記梁上まで延びて形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載のガスセンサ素子。
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