JP2003270689A

JP2003270689A - 光導波路デバイスの製造方法

Info

Publication number: JP2003270689A
Application number: JP2002067931A
Authority: JP
Inventors: Shoichiro Yamaguchi; 省一郎山口; Takatomo Nehagi; 隆智根萩; Makoto Iwai; 真岩井
Original assignee: NGK Insulators Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd
Priority date: 2002-03-13
Filing date: 2002-03-13
Publication date: 2003-09-25
Anticipated expiration: 2022-03-13
Also published as: JP3885939B2

Abstract

(57)【要約】【課題】光導波路デバイスを製造するのに際して、位置
特定手段を利用することにより、金属パターンによる光
導波路の損失を抑えつつ、光導波路を精度よくアライメ
ントする。【解決手段】光導波路１５ａと、光導波路１５ａ内に形
成された周期分極反転構造２０とを備えている光導波路
デバイス１０の製造方法であって、強誘電体単結晶基板
１に設けられた、周期分極反転構造２０の位置を特定す
る位置特定手段を基準として光導波路１５ａを形成する
光導波路形成工程を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光導波路と、光導
波路内に形成された周期分極反転構造とを備えている光
導波路デバイスの製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光情報処理技術全般において、高密度光
記録を実現するためには、波長４００−４３０ｎｍ程度
の青色光を，３０ｍＷ以上の出力で安定的に発振する青
色光レーザーが要望されており、開発競争が行われてい
る。青色光光源としては、赤色光を基本波として発振す
るレーザーと、ＱＰＭグレーディングが形成された光導
波路デバイスとを組み合わせた光導波路型の波長変換素
子が期待されている。

【０００３】光導波路デバイスにおいては、所定の周期
を有する周期分極反転構造によって、ＱＰＭグレーディ
ングが実現されており、周期分極反転構造の形成方法と
しては、いわゆる電圧印加法が知られている。電圧印加
法においては、金属で形成された電極パターンに沿っ
て、周期分極反転構造が形成される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】周期分極反転構造は外
観によりその位置を特定することができない。そこで、
周期分極反転構造の位置を特定する場合には、電極パタ
ーンとの位置関係を利用することが考えられる。

【０００５】しかし、周期分極反転構造の近くに金属電
極が存在すると、光導波路の損失が大きくなり、高出力
の光導波路デバイスを得ることが困難となる。そのた
め、光導波路の形成前または形成後に金属を除去するこ
とが好ましい。

【０００６】ところが、光導波路形成前に金属電極が除
去されると、電極電極による周期分極反転構造の位置特
定ができなくなるため、光導波路のアライメントが難し
くなってしまう。

【０００７】本発明の課題は、光導波路と、光導波路内
に形成された周期分極反転構造とを備えている光導波路
デバイスを製造するのに際して、金属電極による光導波
路の損失を抑えつつ、光導波路を精度よくアライメント
することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を解決すべく、
本発明は、光導波路と、前記光導波路内に形成された周
期分極反転構造とを備えている光導波路デバイスの製造
方法であって、強誘電体単結晶基板に設けられた、前記
周期分極反転構造の位置を特定する位置特定手段を基準
として前記光導波路を形成する光導波路形成工程を備え
ることを特徴とする。

【０００９】本発明によれば、光導波路内に形成された
周期分極反転構造とを備えている光導波路デバイスを製
造するのに際して、金属電極による光導波路の損失を抑
えつつ、光導波路を精度よくアライメントすることがで
きる。

【００１０】

【発明の実施の形態】図１は、光導波路デバイス製造工
程の一例を説明するための図である。光導波路デバイス
製造工程においては、まず、電極印加法により基板１に
周期分極反転構造２０を形成する。基板１としては、強
誘電体単結晶からなるオフカット基板を使用する。強誘
電体単結晶の方向Ｂは、表面１ａおよび裏面１ｂに対し
て所定角度、例えば５°傾斜しているので、この基板１
は、オフカット基板と呼ばれている。

【００１１】基板１の表面１ａに櫛型電極３０および第
三の電極６を形成し、裏面１ｂに第二の電極（一様電
極）５を形成する。櫛型電極３０は、周期的に配列され
た複数の細長い電極片３４と、多数の電極片３４を接続
する細長い給電電極３２とからなる櫛型の電極である。
第三の電極６は細長い対向電極片６ａからなっており、
対向電極片６ａは、電極片３４の先端３７に対向するよ
うに設けられている。

【００１２】最初に基板１の全体を方向Ｂ、すなわち非
分極反転方向４Ｂに分極させておく。そして、例えば櫛
型電極３０と第三の電極６との間にＶ１の電圧を印加
し、櫛型電極３０と第二の電極５との間にＶ２の電圧を
印加すると、分極反転部２２が各電極片３４の先端から
方向Ｂと平行に徐々に進展する。分極反転部２２の分極
の方向である分極反転方向４Ａは、非分極反転方向４Ｂ
とは正反対になる。なお、電極片３４に対応しない位
置、すなわち隣接する分極反転部２２の間には、分極反
転していない非分極反転部２４が形成されている。この
ようして、分極反転部２２と非分極反転部２４とが交互
に配列された周期分極反転構造２０が形成される。

【００１３】光導波路デバイスにおいては、周期分極反
転構造２０が形成された位置に光導波路１５ａが形成さ
れる。従って、光導波路デバイスの製造工程において光
導波路１５ａを形成する場合、光導波路１５ａを形成す
る位置、すなわち周期分極反転構造２０の位置を特定す
る必要がある。

【００１４】以下、周期分極反転構造２０を特定するた
めに利用される位置特定手段について説明する。

【００１５】位置特定手段は、基板上で周期分極反転構
造との相対的な位置関係が定まっており、かつ光導波路
形成時に参照可能な目印を意味する。従って、これらの
条件を満足する限り、特に限定されない。

【００１６】第一の実施形態においては、エッチング処
理によって、基板に櫛型電極を形成する電極形成工程、
櫛型電極を用いて電圧印加法によって基板内に周期分極
反転構造を形成する工程、および周期分極反転構造が形
成された後に、櫛型電極を除去する電極除去工程をさら
に備え、エッチング処理のときにオーバーエッチングす
ることにより、櫛型電極の周りに凹部を形成し、かつ櫛
型電極の下に突起部を形成し、電極を除去した後に突起
部を露出させる。この突起部を位置特定手段として参照
しつつ、光導波路を形成する。

【００１７】図２および図３を参照して、第一の実施形
態に係る位置特定手段４０について説明する。図２
（Ａ）は、櫛型電極３０が形成された後の表面１ａを示
す平面図である。図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のIIＢ−II
Ｂ線断面図である（拡大図）。図３は、櫛型電極３０が
除去された後の位置特定手段４０を示す。図３（Ａ）
は、位置特定手段４０を含む表面１ａを示す平面図であ
る。図３（Ｂ）は、図３（Ａ）のIIIＢ−IIIＢ線断面図
である（拡大図）。

【００１８】以下、図２を参照しつつ、位置特定手段４
０の形成工程について説明する。櫛型電極３０および第
三の電極６は、表面１ａに金属膜を形成し、エッチング
処理することによって形成される。このとき、さらにオ
ーバーエッチングすることにより、櫛型電極３０および
第三の電極６の周りに凹部５０が形成され、櫛型電極３
０の下には突起部４１が形成される。

【００１９】図３に示すように、櫛型電極３０が除去さ
れた後は、突起部４１の表面４５が露出する。このよう
に、櫛型電極３０が除去された後に、突起部４１で構成
される位置特定手段４０が形成される。位置特定手段４
０は、給電電極３２に対応する位置に設けられた軸部４
２と、電極片３４に対応する位置に設けられた反転特定
部４４とを有している。また、図３（Ｂ）に示すよう
に、位置特定手段４０の側面４６は、櫛型電極３０の側
面３６に沿って形成されており、位置特定手段４０の表
面４５は、櫛型電極３０の底面３８に接している。底面
５０ａは、表面４５よりも裏面１ｂ側に設けられてい
る。

【００２０】表面４５と底面５０ａは、Ｄだけ異なる高
さに設けられているので、顕微鏡を観察することによ
り、分極反転部２２の位置に対応する位置に設けられた
反転特定部４４の位置を特定することができる。従っ
て、位置特定手段４０を用いて、周期分極反転構造２０
の位置を特定することができる。

【００２１】好適な実施形態においては、Ｄは１０ｎｍ
以上である。Ｄが十分に大きくないと、顕微鏡で位置特
定手段４０を観察するのが困難になってしまう。従っ
て、顕微鏡での観察に十分な深さまでオーバーエッチン
グすることが好ましい。

【００２２】一方、好適な実施形態においては、Ｄは３
０ｎｍ以下である。深くエッチングするにつれて顕微鏡
での観察は容易になるが、櫛型電極３０の線幅にばらつ
きが生じ、周期分極反転構造２０の形状にばらつきが生
じてしまう。また、エッチングによる表面１ａの凹凸が
大きくなると、光導波路１５ａの損失が大きくなってし
まう。

【００２３】第二の実施形態においては、基板に周期分
極反転構造が形成された後に、周期分極反転構造をエッ
チング処理することによって凹凸配列を形成するエッチ
ング処理工程をさらに備える。そして、凹凸配列を位置
特定手段として参照しながら、光導波路を形成する。

【００２４】図４および図５を参照して、第二の実施形
態に係る位置特定手段６０について説明する。図４
（Ａ）は、位置特定手段６０を含む表面１ａを示す平面
図である。図４（Ｂ）は、図４（Ａ）のIVＢ−IVＢ線断
面図である。図５は、図４（Ａ）のV−V線断面である
（拡大図）。

【００２５】図４（Ａ）に示すように、位置特定手段６
０は、先端３７近傍に設けられている。位置特定手段６
０は、凹凸配列６１で構成されている。凹凸配列６１
は、エッチング処理によって形成される。分極反転部２
２は、非分極反転部２４に比べて、エッチング速度が速
い。従って、両者をともにエッチング処理すると、図５
に示すように高さの異なる凹部６１ａおよび凸部６１ｂ
が、それぞれ分極反転部２２および非分極反転部２４に
対応する位置に形成される。基板１の分極反転方向４Ａ
は、裏面１ｂの方向に傾斜している。従って、図４
（Ｂ）に示すように、分極反転部２２は、先端３７から
第三の電極６に向けて分極反転方向４Ａに沿って形成さ
れる。従って、先端３７から離れた位置では、分極反転
部２２は基板１の内部に形成されている。基板１の内部
に形成された分極反転部２２はエッチングされないの
で、表面１ａ近傍に形成された分極反転部２２、すなわ
ち先端３７近傍に形成された分極反転部２２の部分に凹
部６１ａが形成される。

【００２６】好適な実施形態としては、基板１として
は、ｙカットまたはオフｙカット基板を使用する。ま
た、好適な実施形態としては、エッチング処理には、フ
ッ硝酸溶液を使用する。なお、この第二の実施形態につ
いては、第一の実施形態に比べて、分極反転構造を直接
観察することができるので、最適な位置で導波路を加工
することができ、高出力のＳＨＧ導波路を形成すること
ができ、かつ、高歩留りで導波路を得ることができる。

【００２７】第三の実施形態においては、複数の電極片
を有する櫛型電極を用いて、電圧印加法によって基板内
に周期分極反転構造を形成する周期分極反転構造形成工
程、および周期分極反転構造が形成された後に、電極片
の先端部を除去することにより櫛型アライメントマーク
を形成する先端除去工程をさらに備えている。

【００２８】図６は、第三の形態に係る位置特定手段７
０を示す。位置特定手段７０は、櫛型アライメントマー
ク７１で構成されている。櫛型アライメントマーク７１
は、各電極片３４の先端部３４Ａを除去して形成され
る。周期分極反転構造２０が形成された後、櫛型電極３
０の先端部３７Ａをマスキング処理した状態でエッチン
グすることにより、先端部３７Ａが除去される。位置特
定手段７０は、軸部７２、および軸部７２から分極反転
部２２の位置に向かって延びる複数の反転特定部７４を
備えている。反転特定部７４は、電極片３４に対応する
位置に設けられている。

【００２９】櫛型電極３０が残されていると、櫛型電極
３０を形成する金属の影響により光導波路１５ａにおけ
る損失が大きくなることが問題であった。しかし、位置
特定手段７０は光導波路１５ａから十分に離れた位置に
設けられているので、位置特定手段７０を形成する金属
の影響による光導波路１５ａにおける損失は問題になら
ない。

【００３０】好適な実施形態としては、光導波路１５ａ
の中心と先端７７との距離Ｌは、１０μｍ以上である。
さらに好適な実施形態としては、２０μｍ以上である。
これにより、光導波路１５ａにおける光損失を、無視で
きるレベルまで低減することができる。なお、第三の実
施形態は第一の実施形態に比べて、基板表面１ａの凹凸
を大きく形成しなくてもよく、また、第二の実施形態に
比べてエッチング処理を行わなくてもよいので、導波路
の光伝搬損失を小さくすることができる。

【００３１】第四の実施形態においては、基板に櫛型電
極を形成する電極形成工程、櫛型電極を用いて電圧印加
法によって基板内に周期分極反転構造を形成する周期分
極反転構造形成工程、および周期分極反転構造が形成さ
れた後に、櫛型電極を除去する電極除去工程をさらに備
え、電極形成工程において、基板における周期分極反転
構造の位置を特定可能な位置にアライメントマークをさ
らに形成する。

【００３２】図７は、第四の実施形態に係る位置特定手
段９０A、９０Bを示す。本実施の形態においては、光導
波路１５ａの一端１５ｄおよび他端１５ｅに形成される
第一のアライメントマーク９２および第二のアライメン
トマーク９３が位置特定手段９０A、９０Bとして利用さ
れる。

【００３３】第一のアライメントマーク９２および第二
のアライメントマーク９３は、櫛型電極３０および第三
の電極６と同時に形成される。櫛型電極３０および第三
の電極６は、周期分極反転構造２０を形成した後、エッ
チング処理により除去されるが、このとき位置特定手段
９０A、９０Bをマスキング処理して残す。第四の実施形
態は、第三の実施形態と同様、基板表面１ａをオーバー
エッチングないしはフッ硝酸溶液によるエッチングで凹
凸配列６１を強調して形成する必要が無いので、導波路
の光伝搬損失を小さくすることができる。また、第一の
アライメントマーク９２および第二のアライメントマー
ク９３は、画像認識装置で認識しやすい形状や大きさで
パターン化してもよく、導波路の位置決め精度を向上さ
せることが可能となる。

【００３４】上記した第一の実施形態から第四の実施形
態に係る位置特定手段のうち、いずれかの、または複数
の位置特定手段を形成できる。

【００３５】以下、図８および図９を参照しつつ、周期
分極反転構造２０および位置特定手段が形成された後
の、光導波路デバイス製造工程について説明する。

【００３６】図８は、光導波路デバイス製造工程におい
て、基板１に固定用基板７が接合された状態を示す。基
板１の表面１ａに、固定用基板７が接合層８を介して接
合される。この段階では、光を厚さ方向に閉じ込め得る
寸法まで基板１を薄くすることは困難である。このた
め、光導波路１５ａの両端となる縁１５ｂから縁１５ｃ
までを残して、その両端の除去部１８ｂおよび除去部１
８ｃを除去する。このとき、基板１に形成された位置特
定手段を利用して、光導波路１５ａの両端となる縁１５
ｂおよび縁１５ｃを形成する位置を特定する。

【００３７】この加工の際に光導波路１５ａの厚さを調
節する。こうした加工は、例えばダイシング加工装置や
レーザー加工装置によって可能であるが、ダイシング加
工のような機械的加工が好ましい。

【００３８】なお、周期分極反転構造２０を特定する際
には、裏面１ｂ側から位置特定手段４０を観察する。こ
のとき基板１は薄く研削されているので、裏面１ｂ側か
らでも位置特定手段を観察することができる。

【００３９】例えば、第一の実施形態に係る位置特定手
段４０として利用される突起部４１と、基板１における
他の部分とは凹凸を形成している。顕微鏡では、凸部分
は凹部分に比べて明るく見えるので、突起部４１と他の
部分に対応するコントラストが観察される。従って、顕
微鏡で観察されるコントラストの位置から、周期分極反
転構造２０の位置を特定することができる。また、第二
の実施形態に係る位置特定手段６０も、凹凸配列６１で
ある。従って、この場合も、顕微鏡で観察されるコント
ラストから周期分極反転構造２０の位置を特定すること
ができる。

【００４０】第三の実施形態に係る位置特定手段７０お
よび第四の実施形態に係る位置特定手段９０は、いずれ
も金属で形成されているので、金属光沢を観察すること
ができる。従って、顕微鏡で観察される金属光沢から、
周期分極反転構造２０の位置を特定することができる。
また、金属膜の部分が周囲よりも暗く見える場合もあ
り、この場合にはコントラストによって位置特定手段を
観察できる。

【００４１】図９は、リッジ型の光導波路１５ａが形成
された基板１、すなわち光導波路デバイス１０を示す図
である。基板１から除去部１８ｂおよび除去部１８ｃが
除去され、平板部１６、１７とリッジ型の光導波路１５
ａとが形成されている。平板部１６の１６ａおよび平板
部１７の１７ａは加工面である。

【００４２】むろん、基板の表面側から加工を行い、光
導波路を形成することもできる。また、光導波路は、プ
ロトン交換光導波路のようなイオン交換法によって形成
された光導波路であってよい。また、チタン拡散光導波
路のような、内拡散法によって形成された光導波路であ
ってよい。これらの場合にも、光導波路のパターニング
の際に本発明を利用できる。

【００４３】上記の実施形態においては、基板１を接合
層８によって固定用基板７に対して接着している。この
場合には、接合層８の屈折率は基板１の屈折率よりも低
いことが好ましく、また接合層８は非晶質であることが
好ましい。接合層８の屈折率と基板１の屈折率との屈折
率差は、５％以上であることが好ましく、１０％以上で
あることが更に好ましい。

【００４４】接合層８の材質は、有機樹脂やガラス（特
に好ましくは低融点ガラス）が好ましい。有機樹脂とし
ては、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン樹
脂等を例示できる。ガラスとしては、酸化珪素を主成分
とする低融点ガラスが好ましい。

【００４５】なお、強誘電体単結晶の種類は限定されな
い。しかし、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）、タン
タル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）、ニオブ酸リチウム−
タンタル酸リチウム固溶体、Ｋ_３Ｌｉ_２Ｎｂ_５Ｏ_１５の
各単結晶が特に好ましい。

【００４６】強誘電体単結晶中には、三次元光導波路の
耐光損傷性を更に向上させるために、マグネシウム（Ｍ
ｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、スカンジウム（Ｓｃ）及びインジ
ウム（Ｉｎ）からなる群より選ばれる１種以上の金属元
素を含有させることができ、マグネシウムが特に好まし
い。

【００４７】分極反転特性（条件）が明確であるとの観
点からは、ニオブ酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム
ータンタル酸リチウム固溶体単結晶、又はこれらにマグ
ネシウムを添加したものが特に好ましい。

【００４８】強誘電体単結晶中には、ドープ成分とし
て、希土類元素を含有させることができる。この希土類
元素は、レーザー発振用の添加元素として作用する。こ
の希土類元素としては、特にＮｄ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｈｏ、
Ｄｙ、Ｐｒが好ましい。

【００４９】周期分極反転構造２０を形成するためのマ
スクパターンを形成する材質としては、レジスト、Ｓｉ
Ｏ_２、Ｔａ等を例示できる。マスクパターンを形成する
方法としては、フォトリソグラフィー法を例示できる。

【００５０】固定用基板の材質は特に限定されず、所定
の構造強度を有していればよい。ただし、光導波路と熱
膨張係数等の物性値が近い方が好ましく、ニオブ酸リチ
ウム（ＬｉＮｂＯ_３）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａ
Ｏ_３）、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶
体、Ｋ_３Ｌｉ_２Ｎｂ_５Ｏ_１５の各単結晶が特に好まし
い。

【００５１】本発明の素子を第二高調波発生装置として
使用した場合には、高調波の波長は３３０−１６００ｎ
ｍが好ましく、４００−４３０ｎｍが特に好ましい。

【００５２】上記の各例においては、強誘電体単結晶基
板を、例えば５°オフカット基板としたが、このオフカ
ット角度は特に限定されない。特に好ましくは、オフカ
ット角度は１°以上であり、あるいは、２０°以下であ
る。

【００５３】また、基板１として、いわゆるＸカット基
板、Ｙカット基板、Ｚカット基板を使用可能である。Ｘ
カット基板やＹカット基板を使用する場合には、第二の
電極を裏面１ｂに設けず、一表面１ａ上に設け、第一の
電極と第二の電極との間に電圧を印加することができ
る。この場合には、第三の電極はなくともよいが、浮動
電極として残しておいても良い。また、Ｚカット基板を
使用する場合には、第二の電極を裏面１ｂ上に設け、第
一の電極と第二の電極との間に電圧を印加することがで
きる。この場合には、第三の電極は必ずしも必要ない
が、浮動電極として残しておいても良い。

【００５４】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、光
導波路デバイスを製造するのに際して、位置特定手段を
利用することにより、金属パターンによる光導波路の損
失を抑えつつ、光導波路を精度よくアライメントするこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る光導波路デバイス製
造工程を説明するための図である。

【図２】第一の実施形態における位置特定手段４０を示
す図である。

【図３】櫛型電極３０が除去された後の、位置特定手段
４０を示す図である。

【図４】第二の実施形態における位置特定手段６０を示
す図である。

【図５】図４（Ａ）に示す基板１の横断面図である。

【図６】第三の実施形態における位置特定手段７０を示
す図である。

【図７】第四の実施形態における位置特定手段９０を示
す図である。

【図８】光導波路デバイス製造工程において、基板１に
固定用基板７が接合された状態を示す図である。

【図９】光導波路デバイス１０を示す図である。

【符号の説明】

１基板１ａ表面１ｂ裏面
４Ａ分極反転方向４Ｂ非分極反転方向
５第二の電極６第三の電極１０
光導波路デバイス１５ａ光導波路２０周期分極反転構造２２分極反転部
２４非分極反転部３０第一の電極
３２給電電極３４電極片３４ａ表面３４ｂ側面３４ｃ先
端３７Ａ先端部４０位置特定手段
４１突起部４反転特定部５
０凹部５０ａ底面６０位置特定
手段６１凹凸配列６１ａ凹部６１ｂ
凸部７０位置特定手段７１櫛型ア
ライメントマーク７４反転特定部７７先端９０Ａ，９０Ｂ位置特定手段
９２第一のアライメントマーク９３第
二のアライメントマーク

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者岩井真愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号日本碍子株式会社内Ｆターム(参考） 2H047 KA03 PA24 QA03 2K002 AB12 CA03 DA06 EA16 FA27 GA04 HA20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光導波路と、前記光導波路内に形成された
周期分極反転構造とを備えている光導波路デバイスの製
造方法であって、強誘電体単結晶基板に設けられた、前記周期分極反転構
造の位置を特定する位置特定手段を基準として前記光導
波路を形成する光導波路形成工程を備えることを特徴と
する、光導波路デバイスの製造方法。
【請求項２】エッチング処理によって、前記基板に櫛型
電極を形成する電極形成工程、前記櫛型電極を用いて電圧印加法によって前記基板内に
前記周期分極反転構造を形成する周期分極反転構造形成
工程、および前記周期分極反転構造が形成された後に、
前記櫛型電極を除去する電極除去工程をさらに備え、前記エッチング処理のときにオーバーエッチングするこ
とにより、前記櫛型電極の周りに凹部を形成し、かつ前
記櫛型電極の下に突起部を形成し、前記位置特定手段は、前記突起部であることを特徴とす
る、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】複数の電極片を有する櫛型電極を用いて、
電圧印加法によって前記基板内に前記周期分極反転構造
を形成する周期分極反転構造形成工程、および前記周期
分極反転構造が形成された後に、前記電極片の先端部を
除去することにより櫛型アライメントマークを形成する
先端除去工程をさらに備え、前記位置特定手段は、前記櫛型アライメントマークであ
ることを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】前記基板に櫛型電極を形成する電極形成工
程、前記櫛型電極を用いて電圧印加法によって前記基板内に
前記周期分極反転構造を形成する周期分極反転構造形成
工程、および前記周期分極反転構造が形成された後に、
前記櫛型電極を除去する電極除去工程をさらに備え、前記電極形成工程において、前記基板における前記周期
分極反転構造の位置を特定可能な位置にアライメントマ
ークをさらに形成し、前記位置特定手段は、前記アライメントマークであるこ
とを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】前記基板に前記周期分極反転構造が形成さ
れた後に、前記周期分極反転構造をエッチング処理する
ことによって凹凸配列を形成するエッチング処理工程を
さらに備え、前記位置特定手段は、前記凹凸配列である
ことを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。