JP2003264436A - パルス増幅装置 - Google Patents

パルス増幅装置

Info

Publication number
JP2003264436A
JP2003264436A JP2002066300A JP2002066300A JP2003264436A JP 2003264436 A JP2003264436 A JP 2003264436A JP 2002066300 A JP2002066300 A JP 2002066300A JP 2002066300 A JP2002066300 A JP 2002066300A JP 2003264436 A JP2003264436 A JP 2003264436A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
input signal
switching means
turned
discharging
switch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002066300A
Other languages
English (en)
Inventor
Teishun Hisamoto
禎俊 久本
Norio Umetsu
典生 梅津
Kazutaka Murayama
和孝 村山
Jinko Handa
仁孝 半田
Shuichi Hiza
秀一 檜座
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Onkyo Corp
Original Assignee
Onkyo Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Onkyo Corp filed Critical Onkyo Corp
Priority to JP2002066300A priority Critical patent/JP2003264436A/ja
Publication of JP2003264436A publication Critical patent/JP2003264436A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 パルス増幅装置において、貫通電流を防止し
て、、電力効率の向上およびスイッチ素子の破損を防止
する。 【解決手段】 パルス増幅装置は、第1の電源が供給さ
れ、第1の入力信号によってオンオフ制御される第1の
スイッチング手段と、第2の電源が供給さてオンオフ制
御される第2のスイッチング手段と、第1の入力信号が
第1のスイッチング手段をオン制御する信号であること
を検出する第1の検出手段と、第2の入力信号を検出す
る第2の検出手段と、第2の入力信号が該第2のスイッ
チング手段をオン制御する信号であることを、該第2の
検出手段が検出した場合に、該第1のスイッチング手段
が有する寄生容量に蓄積された電荷を放電させる第1の
放電手段と、第1の入力信号を第1の検出手段が検出し
た場合に、電荷を放電させる第2の放電手段とを備え
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、パルス増幅装置に
関し、詳細にはコンプリメンタリプッシュプル接続され
たスイッチ素子が同時にオンすることにより貫通電流が
発生することを防止するパルス増幅装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図4は、従来のパルス増幅装置41を示
す回路図である。パルス増幅装置41は、2つの電源V
1とV2との間にコンプリメンタリプッシュプル接続さ
れたPチャンネルMOSFET42およびNチャンネルMOSFET
43を備えており、入力信号によってMOSFET42および
43を交互にオンオフ制御することによって、高効率に
電力増幅することができるものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のパルス
増幅装置41によれば、MOSFET42および43が同時に
オンするようなタイミングが生じると、電源V1から電
源V2に貫通電流が流れるので、電力効率が低下し、さ
らにはMOSFET42および43が破損するという問題を有
している。MOSFET42および43が同時にオン状態とな
るのは、次の理由による。MOSFET42がオンしている期
間において、MOSFET42が有する寄生容量に電荷が蓄積
される。そして、入力信号S1がMOSFET42をオフ制御
する信号に反転した後も、その電荷は残存するので、MO
SFET42はオフされない。従って、MOSFET42および4
3が同時にオン状態となる。このような問題を解決する
ために、MOSFET42および43を共にオフする期間(デ
ッドタイム)を設け、寄生容量に蓄積された電荷をデッ
ドタイムに放電させる方法が提案されている。しかし、
この方法によれば、寄生容量に蓄積された電荷は、抵抗
R43(R44)およびドライブ回路48(49)を通
って電源(図示せず)に放電されるので、電荷の放電は
不充分であり、貫通電流を防止することはできない。
【0004】この問題を解決するために、図5に示すパ
ルス増幅装置51が提案されている。パルス増幅装置5
1は、入力信号S1がオフ信号である場合に、トランジ
スタ54をオン状態とすることによって、寄生容量に蓄
積された電荷を直接電源V1に放電し、MOSFET52をオ
フさせるものである。同様に、入力信号S2がオフ信号
である場合に、トランジスタ55をオン状態とすること
により、MOSFET53をオフすることができる。しかし、
このパルス増幅装置51は、2つの入力信号S1および
S2がタイミングのずれによって共にオン信号となって
しまった場合には、MOSFET52および53が同時にオン
し、貫通電流が発生するという問題を有している。
【0005】本発明は上記従来の課題を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、スイッ
チ素子が同時にオンすることによる貫通電流の発生を確
実に防止でき、電力効率の低下およびスイッチ素子の破
損を確実に防止できるパルス増幅装置を提供することに
ある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のパルス増幅装置
は、第1の電源が供給され、第1の入力信号によってオ
ンオフ制御される第1のスイッチング手段と、第2の電
源が供給され、第2の入力信号によってオンオフ制御さ
れる第2のスイッチング手段と、第1の入力信号が該第
1のスイッチング手段をオン制御する信号であることを
検出する第1の検出手段と、第2の入力信号が該第2の
スイッチング手段をオン制御する信号であることを検出
する第2の検出手段と、第2の入力信号が該第2のスイ
ッチング手段をオン制御する信号であることを、該第2
の検出手段が検出した場合に、該第1のスイッチング手
段が有する寄生容量に蓄積された電荷を放電させる第1
の放電手段と、第1の入力信号が該第1のスイッチング
手段をオン制御する信号であることを、該第1の検出手
段が検出した場合に、該第2のスイッチング手段が有す
る寄生容量に蓄積された電荷を放電させる第2の放電手
段とを備える。
【0007】好ましい実施形態においては、上記第1の
放電手段は第1の放電用スイッチを有し、該第1の放電
用スイッチがオン状態となることにより、該第1のスイ
ッチング手段の寄生容量に蓄積された電荷を放電させ、
上記第2の放電手段は第2の放電用スイッチを有し、該
第2の放電用スイッチがオン状態となることにより、該
第2のスイッチング手段の寄生容量に蓄積された電荷を
放電させる。
【0008】好ましい実施形態においては、上記第1の
検出手段は第1の検出用スイッチを有し、第1の入力信
号が前記第1のスイッチング手段をオン制御する信号で
ある場合に、該第1の検出用スイッチがオン状態となる
ことにより、上記第2の放電用スイッチがオン状態とな
り、上記第2の検出手段は第2の検出用スイッチを有
し、第2の入力信号が前記第2のスイッチング手段をオ
ン制御する信号である場合に、該第2の検出用スイッチ
がオン状態となることにより、上記第1の放電用スイッ
チがオン状態となる。
【0009】以下、本発明の作用について説明する。本
発明のパルス増幅装置は、第1の入力信号が第1のスイ
ッチング手段をオン制御する信号であることを、第1の
検出手段が検出した場合に、第2の放電手段が、第2の
スイッチング手段の寄生容量に蓄積された電荷を放電す
るので、第2のスイッチング手段を確実にオフ状態にす
ることができる。さらに、第2の入力信号が第2のスイ
ッチング手段をオン制御する信号であることを、第2の
検出手段が検出した場合に、第1の放電手段が、第1の
スイッチング手段の寄生容量に蓄積された電荷を放電す
るので、第1のスイッチング手段を確実にオフ状態にす
ることができる。さらに、入力信号のタイミングのずれ
により、第1および第2の入力信号が共にオン制御する
信号となった場合に、第1および第2の放電手段によっ
て、第1および第2のスイッチング手段を共にオフ状態
とすることができる。そのため、第1のスイッチング手
段と第2のスイッチング手段とが同時にオン状態となる
ことを確実に防止することができ、貫通電流が発生する
ことを確実に防止することができる。従って、電力効率
の低下およびスイッチ素子の破損を確実に防止すること
ができる。
【0010】好ましくは、第1の放電手段が第1の放電
用スイッチを有するので、第2の入力信号が第2のスイ
ッチング手段をオン制御する信号である場合に、第1の
放電用スイッチがオン状態となることにより、第1のス
イッチング手段の寄生容量に蓄積された電荷を放電する
経路を形成することができる。さらに、第2の放電手段
が第2の放電用スイッチを有するので、第1の入力信号
が第1のスイッチング手段をオン制御する信号である場
合に、第2の放電用スイッチがオン状態となることによ
り、第2のスイッチング手段の寄生容量に蓄積された電
荷を放電する経路を形成することができる。
【0011】好ましくは、第1の検出手段が第1の検出
用スイッチを有するので、第1の入力信号が第1のスイ
ッチング手段をオン制御する信号である場合に、第1の
検出用スイッチがオン状態となることにより、第2の放
電用スイッチをオン状態にすることができ、第2のスイ
ッチング手段の寄生容量に蓄積された電荷を放電するこ
とができる。さらに、第2の検出手段が第2の検出用ス
イッチを有するので、第2の入力信号が第2のスイッチ
ング手段をオン制御する信号である場合に、第2の検出
用スイッチがオン状態となることにより、第1の放電用
スイッチをオン状態にすることができ、第1のスイッチ
ング手段の寄生容量に蓄積された電荷を放電することが
できる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施形態
について、図面を参照して具体的に説明するが、本発明
はこれらの実施形態には限定されない。図1は、本発明
の好ましい実施形態によるパルス増幅装置1を示す回路
図である。図2はパルス増幅装置1の動作を示す波形図
であり、Aは第1の入力信号S1を、Bは第2の入力信
号S2を、Cは出力信号を示す。パルス増幅装置1は、
第1のスイッチング手段2、第2のスイッチング手段
3、第1の検出手段4、第2の検出手段5、第1の放電
手段6および第2の放電手段7を備えている。
【0013】第1のスイッチング手段2は、任意の適切
なスイッチ素子が採用され得るが、代表的には、MOSFET
が採用され得る。MOSFET2は、代表的には、Pチャンネ
ル型MOSFETであって、ソースには第1の電源V1が供給
されており、ゲートにはドライブ回路8を介して第1の
入力信号S1が与えられている。MOSFET2は、図示しな
い寄生容量を有しており、オンしている期間に電荷が蓄
積される。
【0014】第2のスイッチング手段3は、任意の適切
なスイッチ素子が採用され得るが、代表的には、MOSFET
が採用され得る。MOSFET3は、代表的には、Nチャンネ
ル型MOSFETであって、ソースにはV1よりも低電圧であ
る第2の電源V2が供給されており、ゲートにはドライ
ブ回路9を介して第2の入力信号S2が与えられてい
る。MOSFET3は、図示しない寄生容量を有しており、オ
ンしている期間に電荷が蓄積される。MOSFET2とMOSFET
3とはコンプリメンタリ接続されており、入力信号に応
じて交互にオンオフ動作することにより、電力増幅す
る。
【0015】第1の検出手段4は、MOSFET2がオンする
ことを検出する。すなわち、第1の検出手段4は、第1
の入力信号S1がMOSFET2をオン制御する信号(すなわ
ち、ローレベル)であることを検出する。第1の検出手
段4は、電源V1と電源V2との間に、第1の検出用ス
イッチ10を有している。第1の検出用スイッチ10
は、任意の適切なスイッチ素子が採用され得るが、代表
的にはトランジスタが採用され得る。トランジスタ10
は、エミッタが電源V1に、コレクタが抵抗R3および
R4を介して電源V2に、ベースが抵抗R1とR2との
間に各々接続されている。
【0016】第2の検出手段5は、MOSFET3がオンする
ことを検出する。すなわち、第2の検出手段5は、第2
の入力信号S2がMOSFET3をオン制御する信号(すなわ
ち、ハイレベル)であることを検出する。第2の検出手
段5は、電源V1と電源V2との間に、第2の検出用ス
イッチ11を有している。第2の検出用スイッチ11
は、任意の適切なスイッチ素子が採用され得るが、代表
的にはトランジスタが採用され得る。トランジスタ11
は、エミッタが電源V2に、コレクタが抵抗R7および
抵抗R8を介して電源V1に、ベースが抵抗R5とR6
との間に各々接続されている。
【0017】第1の放電手段6は、第2の入力信号S2
がMOSFET3をオン制御する信号であることを第2の検出
手段5が検出した場合に、MOSFET2に蓄積された電荷を
放電させる。すなわち、第2の検出用スイッチ11がオ
ン状態となった場合に、MOSFET2に蓄積された電荷を放
電する経路を形成する。第1の放電手段6は、電源V1
と、MOSFET2の制御電極(ゲート)との間に、第1の放
電用スイッチ12を有している。第1の放電用スイッチ
12は、任意の適切なスイッチ素子が採用され得るが、
代表的にはトランジスタが採用され得る。トランジスタ
12は、エミッタが電源V1に、コレクタがMOSFET2の
ゲートに、ベースが抵抗R7とR8との間に各々接続さ
れている。
【0018】第2の放電手段7は、第1の入力信号S1
がMOSFET2をオン制御する信号であることを第1の検出
手段4が検出した場合に、MOSFET3に蓄積された電荷を
放電させる。すなわち、第1の検出用スイッチ10がオ
ン状態となった場合に、MOSFET3に蓄積された電荷を放
電する経路を形成する。第2の放電手段7は、電源V2
と、MOSFET3の制御電極(ゲート)との間に、第2の放
電用スイッチ13を有している。第2の放電用スイッチ
13は、任意の適切なスイッチ素子が採用され得るが、
代表的にはトランジスタが採用され得る。トランジスタ
13は、エミッタが電源V2に、コレクタがMOSFET3の
ゲートに、ベースが抵抗R3とR4との間に各々接続さ
れている。
【0019】以上の構成を有するパルス増幅装置1の動
作について、図1および図2を参照して説明する。期間
T1において、第1の入力信号S1はローレベルである
ので(図2A)、MOSFET2はオン状態となる。一方、第
2の入力信号S2はローレベルであるので(図2B)、
MOSFET3はオフ状態となる。従って、図2Cに示すとお
り、パルス増幅装置1からは、電源電圧V1が出力され
る。ここで、第1の入力信号S1がローレベル(V1−
VX)であるので、電源V1と第1の入力信号S1との
電位差により、抵抗R1に電流が流れる。そのため、抵
抗R1の両端にトランジスタ10の導通開始電圧が生
じ、トランジスタ10がオン状態となる。トランジスタ
10がオン状態となることにより、電源V1とV2との
電位差により、抵抗R4に電流が流れる。そのため、抵
抗R4の両端にトランジスタ13の導通開始電圧が生
じ、トランジスタ13がオン状態となる。従って、直前
の期間T2にMOSFET3の寄生容量に蓄積された電荷は、
トランジスタ13を介して電源V2に放電されるので、
MOSFET3のゲートと電源V2との電位差がなくなり、MO
SFET3を確実にオフ状態にすることができる。一方、第
2の入力信号S2はローレベル(V2)であるので、電
源V2と第2の入力信号S2との間に電位差はなく、ト
ランジスタ11はオフ状態であり、そのため、トランジ
スタ12もオフ状態である。
【0020】期間T2において、第2の入力信号S2は
ハイレベルに反転するので(図2B)、MOSFET3はオン
状態となる。一方、第1の入力信号S1もハイレベルに
反転するので(図2A)、MOSFET2はオフ状態となる。
従って、図2Cに示すとおり、パルス増幅装置1の出力
として、電源電圧V2が出力される。ここで、第2の入
力信号S2がハイレベル(V2+VX)であるので、電
源V2と第2の入力信号S2との間に電位差が発生し、
抵抗R6に電流が流れる。そのため、抵抗R6の両端に
トランジスタ11の導通開始電圧が生じ、トランジスタ
11がオン状態となる。トランジスタ11がオン状態と
なることにより、電源V1とV2との電位差により、抵
抗R8に電流が流れる。そのため、抵抗R8の両端にト
ランジスタ12の導通開始電圧が生じ、トランジスタ1
2がオン状態となる。従って、直前の期間T1にMOSFET
2の寄生容量に蓄積された電荷は、トランジスタ12を
介して電源V1に放電されるので、MOSFET2のゲートと
電源V1との電位差がなくなり、MOSFET2を確実にオフ
状態にすることができる。一方、第1の入力信号S1も
ハイレベル(V1)であるので、電源V1と第1の入力
信号S1との間に電位差はなく、トランジスタ10はオ
フ状態であり、そのため、トランジスタ13もオフ状態
である。
【0021】以上のように、第1(第2)の入力信号が
MOSFET2(MOSFET3)をオン制御する信号であることが
検出されることにより、MOSFET3(MOSFET2)の寄生容
量に蓄積された電荷を放電させ、MOSFET3(MOSFET2)
を確実にオフさせる。従って、入力信号のタイミングの
ずれにより、第1および第2の入力信号が共にMOSFETを
オン制御する信号となった場合にも、トランジスタ12
および13が共にオン状態となるので、MOSFET2および
3を共にオフ状態とすることができる。従って、MOSFET
2および3が同時にオン状態となり貫通電流が発生する
ことを確実に防止することができる。
【0022】次に、本発明の別の好ましい実施形態につ
いて、図2および図3を参照して説明する。図3は本実
施形態のパルス増幅装置31を示す回路図である。パル
ス増幅装置31は、図1のパルス増幅装置1において、
抵抗R1、R4、R6およびR8を削除したものであ
る。パルス増幅装置31の動作について説明すると、図
2の期間T1において、第1の入力信号S1がローレベ
ルであるので、電源V1と第1の入力信号S1との電位
差により、トランジスタ10は、ベース電流が流れ、オ
ン状態となる。トランジスタ10がオン状態になること
により、電源V1と電源V2との電位差により、トラン
ジスタ13は、ベース電流が流れ、オン状態となる。従
って、MOSFET3の寄生容量に蓄積された電荷は、トラン
ジスタ13を介して電源V2に放電されるので、確実に
MOSFET3をオフ状態にすることができる。
【0023】一方、期間T2において、第2の入力信号
S2がハイレベルであるので、電源V2と第2の入力信
号S2との電位差により、トランジスタ11は、ベース
電流が流れ、オン状態となる。トランジスタ11がオン
状態になることにより、電源V1と電源V2との電位差
により、トランジスタ12は、ベース電流が流れ、オン
状態となる。従って、MOSFET2の寄生容量に蓄積された
電荷は、トランジスタ12を介して電源V1に放電され
るので、確実にMOSFET2をオフ状態にすることができ
る。以上のように、パルス増幅装置31によれば、きわ
めて簡単な回路構成において、貫通電流を確実に防止で
きる。
【0024】以上、本発明の好ましい実施形態について
説明したが、本発明はこれらの実施形態には限定されな
い。さらに、第1のスイッチング手段と第2のスイッチ
ング手段が共にオフする期間(デッドタイム)を設けて
もよい。本発明のパルス増幅装置は、例えば、オーディ
オ用アンプとして好適に採用され得る。
【0025】
【発明の効果】本発明のパルス増幅装置は、第1および
第2の放電手段、第1および第2の検出手段を備えるの
で、貫通電流が発生することを確実に防止でき、電力効
率の低下およびスイッチ素子の破損を確実に防止するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の好ましい実施形態によるパルス増幅装
置を示す回路図である。
【図2】本発明の好ましい実施形態によるパルス増幅装
置の動作を示す波形図である。
【図3】本発明の別の好ましい実施形態によるパルス増
幅装置を示す回路図である。
【図4】従来のパルス増幅装置を示す回路図である。
【図5】従来の別のパルス増幅装置を示す回路図であ
る。
【符号の説明】
1 パルス増幅装置 2 第1のスイッチング手段 3 第2のスイッチング手段 4 第1の検出手段 5 第2の検出手段 6 第1の放電手段 7 第2の放電手段 10 第1の検出用スイッチ 11 第2の検出用スイッチ 12 第1の放電用スイッチ 13 第2の放電用スイッチ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 半田 仁孝 大阪府寝屋川市日新町2番1号 オンキヨ ー株式会社内 (72)発明者 檜座 秀一 大阪府寝屋川市日新町2番1号 オンキヨ ー株式会社内 Fターム(参考) 5J055 AX27 DX22 DX56 EX06 EY01 EY03 EY17 EY21 EZ07 EZ08 FX00 GX01 GX04 5J091 AA01 AA02 AA18 AA41 CA18 FA11 FP01 GP02 HA02 HA08 HA10 HA17 HA18 HA25 HA39 KA04 MA22 SA05 TA06 5J092 AA01 AA18 AA41 CA18 CA36 CA57 FA11 HA08 HA10 HA17 HA18 HA25 HA39 KA04 MA22 SA05 TA06 5J500 AA01 AA02 AA18 AA41 AC18 AC36 AC57 AF11 AH02 AH08 AH10 AH17 AH18 AH25 AH39 AK04 AM22 AS05 AT06 PF01 PG02

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1の電源が供給され、第1の入力信号に
    よってオンオフ制御される第1のスイッチング手段と、 第2の電源が供給され、第2の入力信号によってオンオ
    フ制御される第2のスイッチング手段と、 第1の入力信号が該第1のスイッチング手段をオン制御
    する信号であることを検出する第1の検出手段と、 第2の入力信号が該第2のスイッチング手段をオン制御
    する信号であることを検出する第2の検出手段と、 第2の入力信号が該第2のスイッチング手段をオン制御
    する信号であることを、該第2の検出手段が検出した場
    合に、該第1のスイッチング手段が有する寄生容量に蓄
    積された電荷を放電させる第1の放電手段と、 第1の入力信号が該第1のスイッチング手段をオン制御
    する信号であることを、該第1の検出手段が検出した場
    合に、該第2のスイッチング手段が有する寄生容量に蓄
    積された電荷を放電させる第2の放電手段とを備える、
    パルス増幅装置。
  2. 【請求項2】前記第1の放電手段が第1の放電用スイッ
    チを有し、該第1の放電用スイッチがオン状態となるこ
    とにより、該第1のスイッチング手段の寄生容量に蓄積
    された電荷を放電させ、 前記第2の放電手段が第2の放電用スイッチを有し、該
    第2の放電用スイッチがオン状態となることにより、該
    第2のスイッチング手段の寄生容量に蓄積された電荷を
    放電させる、請求項1に記載のパルス増幅装置。
  3. 【請求項3】前記第1の検出手段が第1の検出用スイッ
    チを有し、第1の入力信号が前記第1のスイッチング手
    段をオン制御する信号である場合に、該第1の検出用ス
    イッチがオン状態となることにより、前記第2の放電用
    スイッチがオン状態となり、 前記第2の検出手段が第2の検出用スイッチを有し、第
    2の入力信号が前記第2のスイッチング手段をオン制御
    する信号である場合に、該第2の検出用スイッチがオン
    状態となることにより、前記第1の放電用スイッチがオ
    ン状態となる、請求項2に記載のパルス増幅装置。
JP2002066300A 2002-03-12 2002-03-12 パルス増幅装置 Pending JP2003264436A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002066300A JP2003264436A (ja) 2002-03-12 2002-03-12 パルス増幅装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002066300A JP2003264436A (ja) 2002-03-12 2002-03-12 パルス増幅装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003264436A true JP2003264436A (ja) 2003-09-19

Family

ID=29198154

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002066300A Pending JP2003264436A (ja) 2002-03-12 2002-03-12 パルス増幅装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003264436A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008092272A (ja) * 2006-10-02 2008-04-17 New Japan Radio Co Ltd 増幅回路
JP2009060303A (ja) * 2007-08-30 2009-03-19 Sanyo Electric Co Ltd 増幅回路
WO2011002099A1 (ja) * 2009-07-03 2011-01-06 日本電気株式会社 消費電力制御回路、増幅回路及び消費電力制御方法
JP2020138351A (ja) * 2019-02-27 2020-09-03 セイコーエプソン株式会社 駆動回路および液体吐出装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008092272A (ja) * 2006-10-02 2008-04-17 New Japan Radio Co Ltd 増幅回路
JP2009060303A (ja) * 2007-08-30 2009-03-19 Sanyo Electric Co Ltd 増幅回路
WO2011002099A1 (ja) * 2009-07-03 2011-01-06 日本電気株式会社 消費電力制御回路、増幅回路及び消費電力制御方法
JPWO2011002099A1 (ja) * 2009-07-03 2012-12-13 日本電気株式会社 消費電力制御回路、増幅回路及び消費電力制御方法
US8629717B2 (en) 2009-07-03 2014-01-14 Nec Corporation Power consumption control circuit, amplifier circuit and power consumption control method
JP2020138351A (ja) * 2019-02-27 2020-09-03 セイコーエプソン株式会社 駆動回路および液体吐出装置
JP7293718B2 (ja) 2019-02-27 2023-06-20 セイコーエプソン株式会社 駆動回路および液体吐出装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3152204B2 (ja) スルーレート出力回路
US6307409B1 (en) Gate driver circuit for high and low side switches with primary and secondary shoot-through protection
US8040162B2 (en) Switch matrix drive circuit for a power element
US20050017788A1 (en) Semiconductor apparatus
CN107834985B (zh) D级放大电路、其控制方法、音频输出装置、电子设备
JP2003235244A (ja) Pfm制御チャージポンプ用ラッシュカレント制限及びノイズ低減回路
JP2008147755A (ja) 駆動回路及びこれを用いた半導体装置
EP1119900A1 (en) Methods and apparatus for reducing mosfet body diode conduction in a half-bridge configuration
JP4360310B2 (ja) 駆動装置
JP2007208831A (ja) 絶縁ゲート型トランジスタ駆動回路装置
JP2908948B2 (ja) パワーデバイスの制御回路及び半導体集積回路装置
CN116191356A (zh) 一种过流保护的电路及方法
JP2004215002A (ja) 負荷駆動回路
JP2003264436A (ja) パルス増幅装置
US7679380B2 (en) Overcurrent detection device
WO2008020386A1 (en) Power amplifier
JP2009170987A (ja) 電力増幅回路
JP2008148378A (ja) 半導体集積回路および電源装置
JP2002330064A (ja) ブートストラップ回路
JP4319336B2 (ja) Mosスイッチング回路
JP2004056254A (ja) パワーアンプ装置
JP2004282959A (ja) 電圧制御型駆動素子の駆動装置
JPH11195971A (ja) パワーデバイスの駆動回路
US7564231B2 (en) Switching power supply source
JP2005136452A (ja) スイッチング回路及びそれを用いたオーディオ信号再生装置及びスイッチング素子保護方法