JP2003264284A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2003264284A5
JP2003264284A5 JP2002063611A JP2002063611A JP2003264284A5 JP 2003264284 A5 JP2003264284 A5 JP 2003264284A5 JP 2002063611 A JP2002063611 A JP 2002063611A JP 2002063611 A JP2002063611 A JP 2002063611A JP 2003264284 A5 JP2003264284 A5 JP 2003264284A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
thickness
insulating film
region
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002063611A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2003264284A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2002063611A priority Critical patent/JP2003264284A/ja
Priority claimed from JP2002063611A external-priority patent/JP2003264284A/ja
Priority to CNB031068219A priority patent/CN100342542C/zh
Priority to US10/382,413 priority patent/US6936873B2/en
Priority to TW092104618A priority patent/TWI221029B/zh
Priority to KR10-2003-0014278A priority patent/KR100500064B1/ko
Publication of JP2003264284A publication Critical patent/JP2003264284A/ja
Priority to US11/025,618 priority patent/US20050110052A1/en
Publication of JP2003264284A5 publication Critical patent/JP2003264284A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2002063611A 2002-03-08 2002-03-08 固体撮像素子及びその製造方法 Pending JP2003264284A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002063611A JP2003264284A (ja) 2002-03-08 2002-03-08 固体撮像素子及びその製造方法
CNB031068219A CN100342542C (zh) 2002-03-08 2003-03-04 固态摄像元件及其制造方法
US10/382,413 US6936873B2 (en) 2002-03-08 2003-03-05 Solid state imaging device and method for manufacturing solid state imaging device
TW092104618A TWI221029B (en) 2002-03-08 2003-03-05 Solid state image device and manufacturing method thereof
KR10-2003-0014278A KR100500064B1 (ko) 2002-03-08 2003-03-07 고체 촬상 소자 및 그 제조 방법
US11/025,618 US20050110052A1 (en) 2002-03-08 2004-12-28 Method for manufacturing a solid state imaging device and a method for manufacturing a lens

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002063611A JP2003264284A (ja) 2002-03-08 2002-03-08 固体撮像素子及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003264284A JP2003264284A (ja) 2003-09-19
JP2003264284A5 true JP2003264284A5 (enExample) 2005-09-08

Family

ID=27784930

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002063611A Pending JP2003264284A (ja) 2002-03-08 2002-03-08 固体撮像素子及びその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US6936873B2 (enExample)
JP (1) JP2003264284A (enExample)
KR (1) KR100500064B1 (enExample)
CN (1) CN100342542C (enExample)
TW (1) TWI221029B (enExample)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004319784A (ja) * 2003-04-16 2004-11-11 Sanyo Electric Co Ltd 固体撮像素子及びその製造方法
JP2005057137A (ja) * 2003-08-06 2005-03-03 Sanyo Electric Co Ltd 固体撮像装置の製造方法
KR100578644B1 (ko) * 2004-05-06 2006-05-11 매그나칩 반도체 유한회사 프리즘을 구비한 시모스 이미지센서 및 그 제조방법
JP2006344644A (ja) * 2005-06-07 2006-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびカメラならびに固体撮像装置の製造方法
US20060289777A1 (en) * 2005-06-29 2006-12-28 Wen Li Detector with electrically isolated pixels
JP5061579B2 (ja) * 2006-11-02 2012-10-31 凸版印刷株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
JP2009076746A (ja) * 2007-09-21 2009-04-09 Fujifilm Corp 固体撮像素子、撮像装置、及び固体撮像素子の製造方法
JP2010206009A (ja) * 2009-03-04 2010-09-16 Toshiba Corp 撮像装置及びその製造方法、並びに撮像方法
KR101106980B1 (ko) * 2009-03-19 2012-01-20 안동준 레일 바이크
US9239484B2 (en) * 2010-11-10 2016-01-19 Sharp Kabushiki Kaisha Display device substrate and method for fabricating same, and display device
KR101038445B1 (ko) * 2011-01-24 2011-06-01 (주) 한국 레드벤쳐 레저용 레일 바이크
US10553479B2 (en) 2017-02-16 2020-02-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device with contact pad and fabrication method therefore

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05134111A (ja) * 1991-11-15 1993-05-28 Sharp Corp 固体撮像装置
JPH0637297A (ja) * 1992-07-16 1994-02-10 Nec Corp 固体撮像装置およびその駆動方法
JPH06232379A (ja) * 1993-02-01 1994-08-19 Sharp Corp 固体撮像素子
JPH06326284A (ja) * 1993-05-12 1994-11-25 Matsushita Electron Corp カラー固体撮像装置
JPH0763904A (ja) * 1993-08-25 1995-03-10 Asahi Glass Co Ltd 複合球面マイクロレンズアレイ及びその製造方法
JP2950714B2 (ja) * 1993-09-28 1999-09-20 シャープ株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JPH07106538A (ja) * 1993-09-30 1995-04-21 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置の製造方法
JP3566331B2 (ja) * 1994-03-11 2004-09-15 リコー光学株式会社 光学デバイス・光学デバイス製造方法
JPH0927608A (ja) * 1995-05-11 1997-01-28 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法
JP3405620B2 (ja) * 1995-05-22 2003-05-12 松下電器産業株式会社 固体撮像装置
JPH0964325A (ja) * 1995-08-23 1997-03-07 Sony Corp 固体撮像素子とその製造方法
JPH10270672A (ja) * 1997-03-25 1998-10-09 Sony Corp 固体撮像素子
JP3447510B2 (ja) * 1997-04-09 2003-09-16 Necエレクトロニクス株式会社 固体撮像素子、その製造方法及び固体撮像装置
JP2000091548A (ja) * 1998-09-08 2000-03-31 Sanyo Electric Co Ltd 固体撮像素子及びその製造方法
JP2000124435A (ja) * 1998-10-19 2000-04-28 Sanyo Electric Co Ltd 固体撮像素子及びその製造方法
JP2000196060A (ja) * 1998-12-24 2000-07-14 Nec Corp 固体撮像装置およびその製造方法
JP2000206310A (ja) * 1999-01-19 2000-07-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd レンズアレイ
US6583438B1 (en) * 1999-04-12 2003-06-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state imaging device
JP3467434B2 (ja) * 1999-07-28 2003-11-17 Necエレクトロニクス株式会社 固体撮像素子およびその製造方法
JP4318007B2 (ja) * 1999-10-07 2009-08-19 富士フイルム株式会社 固体撮像素子
US6171885B1 (en) * 1999-10-12 2001-01-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company High efficiency color filter process for semiconductor array imaging devices
US6504194B1 (en) * 1999-12-01 2003-01-07 Innotech Corporation Solid state imaging device, method of manufacturing the same, and solid state imaging system
US6221687B1 (en) * 1999-12-23 2001-04-24 Tower Semiconductor Ltd. Color image sensor with embedded microlens array
JP2001189443A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Sony Corp 固体撮像素子及びその製造方法
JP3840058B2 (ja) * 2000-04-07 2006-11-01 キヤノン株式会社 マイクロレンズ、固体撮像装置及びそれらの製造方法
JP2002006113A (ja) * 2000-06-27 2002-01-09 Seiko Epson Corp マイクロレンズ用基板の製造方法、マイクロレンズ用基板、マイクロレンズ基板、電気光学装置、液晶パネル用対向基板、液晶パネル、および投射型表示装置
US6448596B1 (en) * 2000-08-15 2002-09-10 Innotech Corporation Solid-state imaging device
JP2003249634A (ja) * 2002-02-25 2003-09-05 Sony Corp 固体撮像素子およびその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9356256B2 (en) Flexible display device and manufacturing method thereof
US8097907B2 (en) Solid-state imaging device
EP2290692A1 (en) Solid-state image pickup element
JP2003264284A5 (enExample)
KR20200037765A (ko) 가요성 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2013089880A5 (enExample)
JP2006191023A (ja) Cmosイメージセンサおよびその製造方法
CN102832226B (zh) 主动元件阵列基板及其制造方法
JP2011166125A (ja) バックサイドイルミネーションcmosイメージセンサ及びその製造方法
CN101404289B (zh) 图像传感器及其制造方法
TWI221029B (en) Solid state image device and manufacturing method thereof
US7459327B2 (en) Method for manufacturing micro lenses including underlayer film and lens film etching steps
JP2011049503A5 (enExample)
JP2008052004A (ja) レンズアレイ及び固体撮像素子の製造方法
KR102724425B1 (ko) 디스플레이 기판 및 그 제조 방법
JP4448087B2 (ja) Cmosイメージセンサーとその製造方法
JP2007095791A5 (enExample)
CN107978609B (zh) 一种阵列基板及显示装置
JP2000124435A5 (enExample)
CN115000115A (zh) 提高图像传感器指纹识别灵敏度的方法
CN100383977C (zh) 固体摄像装置的制造方法
CN113990908A (zh) 显示基板、其制作方法及显示装置
JP2001358320A (ja) 固体撮像素子及びその製造方法、並びにオンチップレンズ金型の製造方法
CN116322144B (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
JP2002094038A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法