JP2003261473A - トルクセン誘導体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 耐熱性に優れ、有機ＥＬ素子用材料等への使
用に適した有機物質を提供する。 【解決手段】 本発明者らは、トルクセン（truxene）
に適切な化学修飾を施すことにより、高いガラス転移温
度の他、優れた電子輸送能、発光性能等、多様な機能を
持たせることができることを見出した。特に、トルクセ
ンの５位、１０位および１５位をアルキル化またはアル
コキシ化することにより、化学修飾が容易となることが
分かった。本発明のトルクセン誘導体の好ましい例を化
学構造式により示す。本発明のトルクセン誘導体は、Ｅ
Ｌ素子用材料のみならず、固体レーザー用発光体、フォ
トレジスト、超耐熱性構造材料等、あらゆる用途への応
用が期待できる。 【化９】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、トルクセン誘導体
およびそれを用いたエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）
素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】エレクトロルミネッセンス素子（以下、
「ＥＬ素子」という場合がある。）は、従来、主として
ディスプレイへの応用が試みられてきたが、最近は、そ
れ以外にも、屋内照明やレーザー光源等、様々な用途へ
の応用が検討されている。これに伴い、有機材料を使用
した有機ＥＬ素子が注目を集めている。有機物質は無機
物質に比べて多様な化学修飾が可能であるため、適切な
分子設計により、ＥＬ素子が必要とする物性および機能
を発現することができると考えられるためである。

【０００３】ＥＬ素子は、駆動時に大量の熱が発生する
ため、高い耐熱性が必要である。特に、車載ディスプレ
イ等、高温となる可能性がある環境においてＥＬ素子を
用いる場合は、耐熱性が重要な要素となる。また、ＥＬ
素子を屋内照明やレーザー光源に応用する場合は、さら
に大量のジュール熱が発生することが予測されるため、
より高い耐熱性が要求される。このように、ＥＬ素子の
耐熱性の向上は工業的に重要である。

【０００４】有機ＥＬ素子に用いる有機材料は、一般
に、成形加工が容易であると言う理由により、アモルフ
ァスガラス状態の有機薄膜として用いられる。したがっ
て、高い耐熱性を有する有機ＥＬ素子を作製するために
は、有機材料が高いガラス転移温度を有することが必要
である。

【０００５】有機ＥＬ素子用材料として、これまでにい
くつかのπ電子共役系分子が報告されているが、そのほ
とんどは、ガラス転移温度が１００℃以下または１００
℃近辺と低い。このため耐熱性に優れるＥＬ素子の作製
は困難であった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、耐熱性に優れ、有機ＥＬ素子用材料等への使用
に適した有機物質を提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決するために、下記構造式で表されるトルクセン
（truxene）に注目し、鋭意研究を重ねた。このトルク
センは、[R. Seka and W.Kellermann, Chem. Ber., 75,
1730 (1942). ]に記載の化合物である。

【化１１】 （式中の数字は、各炭素原子の位数を示す。）

【０００８】トルクセンは、平面性が高い分子であるた
め、ガラス状態を形成しない。このため、従来は、ＥＬ
素子用材料としては不適であると思われてきた。また、
トルクセンは各種溶媒への溶解性が低いため、化学修飾
を施して各種材料へ応用することは困難であるとされて
いた。

【０００９】しかし、本発明者らは、トルクセンに適切
な化学修飾を施すことにより、高いガラス転移温度の
他、優れた電子輸送能、発光性能等、多様な機能を持た
せることができることを見出した。特に、トルクセン骨
格の５位、１０位および１５位をアルキル化またはアル
コキシ化することにより、無置換のトルクセンと比較し
て各種溶媒への溶解性が著しく向上し、多様な化学修飾
を容易に施せるようになることがわかった。

【００１０】本発明のトルクセン誘導体の構造は、下記
一般式（１）で表される。

【化１２】 ただし、式中、Ｒ¹〜Ｒ⁶は、それぞれ同一であるかまた
は異なり、水素、炭素数１〜６の直鎖もしくは分枝アル
キル基、または炭素数１〜６の直鎖もしくは分枝アルコ
キシ基であり、Ａ¹〜Ａ³は、それぞれ同一であるかまた
は異なり、水素、ハロゲン、ヒドロキシ基、炭素数１〜
６の直鎖もしくは分枝アルキル基、炭素数１〜６の直鎖
もしくは分枝アルコキシ基、アミノ基、ボリル基（ただ
し、前記アミノ基およびボリル基は、１個以上の置換基
で置換されていても良く、それらの置換基は同一である
かまたは異なり、ヒドロキシ基、または１〜４個の４〜
７員環からなる飽和もしくは不飽和の単環もしくは縮合
環（それぞれの環はヘテロ原子を含んでいてもいなくて
も良く、そして、前記環は１個以上の置換基でさらに置
換されていても良く、それらの置換基は同一であるかま
たは異なり、炭素数１〜６の直鎖もしくは分枝アルキル
基、または、任意に炭素数１〜６の直鎖もしくは分枝ア
ルキル基で置換されたフェニル基である。）であ
る。）、または１〜１０個の４〜７員環からなる飽和も
しくは不飽和の単環もしくは縮合環（ただし、それぞれ
の環はヘテロ原子を含んでいてもいなくても良く、そし
て、１個以上の置換基でさらに置換されていても良く、
それらの置換基は同一であるかまたは異なり、炭素数１
〜６の直鎖もしくは分枝アルキル基、炭素数１〜６の直
鎖もしくは分枝アルコキシ基、または電子吸引基であ
る。）であり、そして、Ｒ¹〜Ｒ⁶の全てが水素である場
合は、Ａ¹〜Ａ³のうち少なくとも一つは、水素以外の上
記原子または原子団である。

【００１１】本発明のトルクセン誘導体は、従来の低分
子量化合物と比較して極めて優れた耐熱性を発揮するこ
とができる。このため、本発明のトルクセン誘導体は、
ＥＬ素子用材料等への使用に適しており、その他にも、
固体レーザー用発光体、フォトレジスト等、あらゆる用
途への応用が期待できる。さらに、本発明のトルクセン
誘導体の耐熱性は、その構造によっては、一般的な高分
子材料を上回り、スーパーエンジニアリングプラスチッ
クと同等またはそれ以上である。このため、本発明のト
ルクセン誘導体は、超耐熱性構造材料としての使用も期
待できる。本発明のトルクセン誘導体のガラス転移温度
は、ＥＬ素子用材料として使用する場合は、１５０℃以
上であることが好ましく、より好ましくは１７０℃以
上、特に好ましくは２００℃以上、最適には２２０℃以
上である。前記ガラス転移温度の上限は特に限定されな
いが、通常４００℃以下である。

【００１２】前記式（１）において、Ｒ¹〜Ｒ⁶のうち少
なくとも一つが、炭素数１〜６の直鎖もしくは分枝アル
キル基、または炭素数１〜６の直鎖もしくは分枝アルコ
キシ基であることが、無置換のトルクセンと比較して分
子の平面性が低くガラス状態が安定であるため好まし
い。Ｒ¹〜Ｒ⁶は、それぞれ、メチル基、エチル基、n-プ
ロピル基、sec-プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル
基、tert-ブチル基、メトキシ基、またはエトキシ基で
あることがより好ましい。

【００１３】前記式（１）のトルクセン誘導体のうち、
下記一般式（２）で表されるトルクセン誘導体が、正孔
輸送能または発光特性に優れ好ましい。

【化１３】 ただし、式中、Ａｒ¹〜Ａｒ⁶は、それぞれ同一であるか
または異なり、水素、ヒドロキシ基、または１〜４個の
４〜７員環からなる飽和もしくは不飽和の単環もしくは
縮合環（それぞれの環はヘテロ原子を含んでいてもいな
くても良く、そして、前記環は１個以上の置換基でさら
に置換されていても良く、それらの置換基は同一である
かまたは異なり、炭素数１〜６の直鎖もしくは分枝アル
キル基、または、任意に炭素数１〜６の直鎖もしくは分
枝アルキル基で置換されたフェニル基である。）であ
る。各Ｎ原子のトルクセン骨格に対する付加位置は任意
であるが、トルクセン骨格のフェニル−フェニル結合か
ら見てパラ位（すなわち、２位、７位および１２位）に
結合していることがより好ましい。

【００１４】前記式（２）において、Ａｒ¹〜Ａｒ⁶は、
それぞれ、フェニル基、o−トルイル基、m−トルイル
基、p−トルイル基、メシチル基、o−ビフェニル基、m
−ビフェニル基、p−ビフェニル基、１−ナフチル基、
２−ナフチル基、アントリル基、ピロリル基、チエニル
基、フリル基、フルオレニル基または９，９−ジメチル
フルオレニル基であることがより好ましい。なお、特に
示さない限り、環状置換基の結合位置は任意であり、例
えば「チエニル基」とは、２−チエニル基および３−チ
エニル基の両方を含む。

【００１５】前記式（２）のトルクセン誘導体のうち、
下記（Ａ−１）〜（Ａ−６）のいずれかの式で表される
トルクセン誘導体が特に好ましい。

【化１４】

【００１６】つぎに、前記式（１）のトルクセン誘導体
は、Ａ¹〜Ａ³が、それぞれ、フェニル基、ピリジル基、
ピロリル基、チエニル基、フリル基またはオキサジアゾ
イル基（ただし、それぞれの基は１個以上の置換基でさ
らに置換されていてもよく、それらの置換基は同一であ
るかまたは異なり、炭素数１〜６の直鎖もしくは分枝ア
ルキル基、または電子吸引基である。）であることが、
電子輸送能または正孔阻止能に優れるため好ましい。そ
のようなトルクセン誘導体のうち、下記一般式（３）で
表されるトルクセン誘導体がより好ましい。

【化１５】 ただし、式中、Ｘ¹〜Ｘ³は、それぞれ同一であるかまた
は異なり、水素または電子吸引基である。

【００１７】前記式（１）または（３）において、電子
吸引基は、ハロゲン、シアノ基、ニトロ基、スルホ基、
炭素数１〜６のアルコキシスルホニル基（ただし、その
アルキル基は１個以上のハロゲンで置換されていても良
い。）、炭素数１〜６のアルキルスルホニル基（ただ
し、そのアルキル基は１個以上のハロゲンで置換されて
いても良い。）、ホルミル基、カルボキシル基、炭素数
１〜６のアルカノイル基、炭素数１〜６のアルコキシカ
ルボニル基、および１個以上のハロゲンで置換された炭
素数１〜６のアルキル基からなる群から選択されること
が好ましく、フッ素、シアノ基、ニトロ基およびトリフ
ルオロメチル基からなる群から選択されることがさらに
好ましい。

【００１８】前記式（３）に記載のトルクセン誘導体の
うち、下記（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）のいずれかの式で表
されるトルクセン誘導体が特に好ましい。

【化１６】

【００１９】つぎに、前記式（１）のトルクセン誘導体
のうち、下記一般式（４）で表されるトルクセン誘導体
が、電子輸送能に優れるため好ましい。

【化１７】 ただし、式中、Ａｒ⁷〜Ａｒ¹²は、それぞれ同一である
かまたは異なり、水素、ヒドロキシ基、または１〜４個
の４〜７員環からなる飽和もしくは不飽和の単環もしく
は縮合環（それぞれの環はヘテロ原子を含んでいてもい
なくても良く、そして、前記環は１個以上の置換基でさ
らに置換されていても良く、それらの置換基は同一であ
るかまたは異なり、炭素数１〜６の直鎖もしくは分枝ア
ルキル基、または、任意に炭素数１〜６の直鎖もしくは
分枝アルキル基で置換されたフェニル基である。）であ
る。各Ｂ原子のトルクセン骨格に対する付加位置は任意
であるが、トルクセン骨格のフェニル−フェニル結合か
ら見てパラ位（すなわち、２位、７位および１２位）に
結合していることがより好ましい。

【００２０】前記式（４）において、Ａｒ⁷〜Ａｒ
¹²は、それぞれ、フェニル基、o−トルイル基、m−トル
イル基、p−トルイル基、メシチル基、o−ビフェニル
基、m−ビフェニル基、p−ビフェニル基、１−ナフチル
基、２−ナフチル基、アントリル基、ピロリル基、チエ
ニル基、フリル基、フルオレニル基または９，９−ジメ
チルフルオレニル基であることがより好ましい。

【００２１】前記式（４）のトルクセン誘導体のうち、
下記（Ｃ−１）または（Ｃ−２）のいずれかの式で表さ
れるトルクセン誘導体が特に好ましい。

【化１８】

【００２２】さらに、前記式（１）のトルクセン誘導体
のうち、下記一般式（５）で表されるトルクセン誘導体
が、特にガラス転移温度が高く、発光特性に優れ好まし
い。

【化１９】 ただし、式中、Ｒ⁷〜Ｒ²⁴は、それぞれ同一であるかま
たは異なり、水素、炭素数１〜６の直鎖もしくは分枝ア
ルキル基、または炭素数１〜６の直鎖もしくは分枝アル
コキシ基である。

【００２３】前記式（５）において、Ｒ⁷〜Ｒ²⁴は、そ
れぞれ、メチル基、エチル基、n-プロピル基、sec-プロ
ピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、
メトキシ基、またはエトキシ基であることがより好まし
い。

【００２４】前記式（５）のトルクセン誘導体のうち、
下記（Ｄ−１）または（Ｄ−２）のいずれかの式で表さ
れるトルクセン誘導体が特に好ましい。

【化２０】

【００２５】前記式（１）のトルクセン誘導体のうち、
下記（６）〜（８）のいずれかの式で表されるトルクセ
ン誘導体は、その他のトルクセン誘導体の合成原料とし
て特に適している。また、これら自体をＥＬ素子用材料
等に使用することもできる。

【化２１】

【００２６】本発明のトルクセン誘導体の製造方法は、
トルクセンの５位、１０位および１５位のうち少なくと
も一つを炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜６
のアルコキシ基で置換する工程を含むことが好ましい。
このような置換を行うと、無置換のトルクセンと比較し
て各種溶媒への溶解度が著しく向上し、さらなる化学修
飾を容易に行うことができる。

【００２７】つぎに、本発明のＥＬ素子は、本発明のト
ルクセン誘導体を少なくとも一種類含むＥＬ素子であ
る。本発明のＥＬ素子は、この構成を有することによ
り、高い耐熱性を有し、車載ディスプレイ等、高温とな
る可能性がある環境での使用に適している。また、ディ
スプレイ用以外にも、屋内照明やレーザー光源等、様々
な用途への応用が期待できる。

【００２８】本発明のＥＬ素子は、正孔輸送層、正孔注
入層および発光層のうち少なくとも一つが、前記式
（２）のトルクセン誘導体を少なくとも一種類含むこと
が好ましく、正孔輸送層がそのトルクセン誘導体を含む
ことが特に好ましい。

【００２９】また、本発明のＥＬ素子は、電子輸送層、
正孔阻止層および発光層のうち少なくとも一つが、下記
のトルクセン誘導体を少なくとも一種類含むことが好ま
しい。そのトルクセン誘導体とは、前記式（１）のトル
クセン誘導体のうち、Ａ¹〜Ａ³が、それぞれ、フェニル
基、ピリジル基、ピロリル基、チエニル基、フリル基ま
たはオキサジアゾイル基（ただし、それぞれの基は１個
以上の置換基でさらに置換されていてもよく、それらの
置換基は同一であるかまたは異なり、炭素数１〜６の直
鎖もしくは分枝アルキル基または電子吸引基である。）
であるトルクセン誘導体であり、特に前記式（３）のト
ルクセン誘導体である。このトルクセン誘導体は、正孔
阻止層に含まれることが特に好ましい。

【００３０】また、本発明のＥＬ素子は、電子輸送層お
よび発光層のうち少なくとも一つが、前記式（４）のト
ルクセン誘導体を少なくとも一種類含むことが好まし
く、電子輸送層がそのトルクセン誘導体を含むことが特
に好ましい。

【００３１】また、本発明のＥＬ素子は、正孔輸送層、
電子輸送層、正孔阻止層および発光層のうち少なくとも
一つが、前記式（５）のトルクセン誘導体を少なくとも
一種類含むことが好ましく、発光層がそのトルクセン誘
導体を含むことが特に好ましい。

【００３２】

【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施形態につい
て説明する。

【００３３】（合成方法）本発明のトルクセン誘導体の
合成方法は特に限定されないが、例えば以下に示す方法
によって合成することができる。

【００３４】アミノ置換トルクセン（前記一般式（２）
の誘導体）は、例えば、下記スキーム１に従って合成す
ることができる。しかし、この方法はアミノ置換トルク
センの合成法の一例に過ぎず、この方法に限定されるも
のではない。

【化２２】

【００３５】以下、上記スキーム１について説明する。
まず、母体化合物のトルクセン（式（９））を準備す
る。トルクセンは、例えば、[E.V. Dhmlow and T. Kell
e, Synthetic communications, 27 (1997) 2021.]に記
載の方法により、すなわち、１−インダノンを酢酸およ
び濃塩酸とともに加熱することにより、簡単に、しかも
高収率で得ることができる。反応温度および時間は特に
限定されないが、例えば、１００℃で２０時間反応させ
る。

【００３６】つぎに、トルクセンの５位、１０位および
１５位を必要に応じアルキル化またはアルコキシ化す
る。前記アルキル化の方法は特に限定されないが、トル
クセンと類似の化学構造を有するジフェニルメタンやフ
ルオレンのアルキル化と同様に行うことができる。例え
ば、トルクセンの５位、１０位および１５位の水素をブ
チルリチウムにより脱離させてカルボアニオンを生成さ
せ、次に、化学式Ｒ²⁵Ｉで表されるヨウ化アルキル（た
だし、Ｒ²⁵は炭素数１〜６の直鎖または分枝アルキル基
である）を加えてアルキル化して、式（１０）のトルク
セン誘導体を得ることができる。前記アルコキシ化の方
法も特に限定されないが、ベンジル位のアルコキシ化に
通常用いられる方法、例えばハロゲン化の後アルコーリ
シス反応させる方法等を使用することができる。

【００３７】つぎに、それをヨウ素化して、式（１１）
のトリヨードトルクセン誘導体を得る。トルクセン
（９）をアルキル化またはアルコキシ化せず、直接ヨウ
素化しても良いが、アルキル化またはアルコキシ化した
後にヨウ素化することが、ヨウ素化反応を容易に行うこ
とができ好ましい。ヨウ素化の方法は特に限定されず、
公知の方法を用いることができるが、例えば、式（１
０）の誘導体と、ヨウ素、濃硫酸、酸化剤としての過ヨ
ウ素酸、および溶媒としての酢酸と水を混合して加熱す
ることにより行うことができる。この場合の反応温度は
特に限定されないが、例えば９０℃程度である。反応時
間も特に限定されないが、例えば２〜１０時間である。

【００３８】そして、式（１１）のトルクセン誘導体
を、式（１２）で表されるアミンとカップリング反応さ
せて、式（１３）で表される目的化合物を得ることがで
きる。Ａｒ¹³およびＡｒ¹⁴として用いることのできる置
換基は、前記Ａｒ¹〜Ａｒ⁶と同じであり、例えば、フェ
ニル基、p-トルイル基、p-ビフェニル基、１-ナフチル
基または９,９−ジメチル−フルオレン−２−イル基等
である。また、Ａｒ¹³およびＡｒ¹⁴は同一でも異なって
いても良い。

【００３９】上記カップリング反応の方法は特に限定さ
れず、公知の方法を用いることができるが、例えば、以
下のようにして行うことができる。すなわち、まず、式
（１１）のトルクセン誘導体および式（１２）のアミン
と、炭酸カリウム、銅紛および１８−クラウン−６等の
触媒と、メシチレン等の溶媒とを混合し、窒素雰囲気下
で加熱攪拌する。反応温度および反応時間は特に限定さ
れず、反応させる化合物次第で適宜選択することができ
るが、例えば１７０℃で１０時間反応させる。そして、
溶媒を留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーで精製し、トルエンとヘキサンの混合溶媒から
再結晶して、式（１３）のアミノ置換トルクセンを得
る。

【００４０】つぎに、フェニル置換トルクセン（前記一
般式（３）の誘導体）は、例えば、下記スキーム２に従
って合成することができる。しかし、この方法はフェニ
ル置換トルクセンの合成法の一例に過ぎず、この方法に
限定されるものではない。

【化２３】

【００４１】以下、上記スキーム２について説明する。
まず、式（１１）のトルクセン誘導体を準備する。これ
は前記の方法により合成することができる。つぎに、こ
れを、式（１４）のフェニルボロン酸誘導体と、いわゆ
るスズキカップリング法によりカップリング反応させ
て、式（１５）で表される目的化合物を得ることができ
る。Ｘ⁴として用いることのできる置換基は、前記Ｘ¹〜
Ｘ³と同じである。

【００４２】前記スズキカップリング法は、特に限定さ
れないが、例えば、以下のようにして行うことができ
る。すなわち、まず、式（１１）のトルクセン誘導体お
よび式（１４）のフェニルボロン酸誘導体と、テトラキ
ス（トリフェニルホスフェイン）パラジウム（０）等の
触媒とを、テトラハイドロフラン（THF）と２規定（１
M）の炭酸カリウム水溶液との混合溶液中に加える。つ
ぎに、その混合物を窒素置換条件下で還流攪拌すること
により反応させる。反応時間は特に限定されないが、例
えば４〜２０時間である。そして、溶媒を留去した後、
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、
トルエンとヘキサンの混合溶媒から再結晶して、式（１
５）のフェニル置換トルクセンを得る。

【００４３】つぎに、ボリル置換トルクセン（前記一般
式（４）の誘導体）は、例えば、下記スキーム３にした
がって合成することができる。しかし、この方法はボリ
ル置換トルクセンの合成法の一例に過ぎず、この方法に
限定されるものではない。

【化２４】

【００４４】以下、上記スキーム３について説明する。
まず、式（１１）のトルクセン誘導体を準備する。これ
は前記の方法により合成することができる。つぎに、こ
れをリチオ化した後、式（１６）のフッ化ホウ素誘導体
とカップリング反応させて、式（１７）で表される目的
化合物を得ることができる。Ａｒ¹⁵およびＡｒ¹⁶として
用いることのできる置換基は、前記Ａｒ⁷〜Ａｒ¹²と同
じであり、例えば、メシチル基または９−アントリル基
等である。また、Ａｒ¹⁵およびＡｒ¹⁶は同一でも異なっ
ていても良い。

【００４５】上記カップリング反応は、例えば以下のよ
うにして行うことができる。すなわち、まず、式（１
１）のトルクセン誘導体を、窒素置換条件下でテトラハ
イドロフランに溶解させ、tert-ブチルリチウムを加え
た後、式（１６）のフッ化ホウ素誘導体を加え攪拌し、
反応させる。反応温度および反応時間は、特に限定され
ないが、例えば−７８〜２０℃で１〜５時間反応させ
る。そして、溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーで精製し、トルエンとヘキサンの混合
溶媒から再結晶して、式（１７）のボリル置換トルクセ
ンを得る。

【００４６】つぎに、トルクセニル置換トルクセン（前
記一般式（５）の誘導体）は、例えば、下記スキーム４
に従って合成することができる。しかし、この方法はト
ルクセニル置換トルクセンの合成法の一例に過ぎず、こ
の方法に限定されるものではない。

【化２５】

【００４７】以下、上記スキーム４について説明する。
まず、式（１８）のトルクセン誘導体を準備する。Ｒ²⁶
は炭素数１〜６の直鎖または分枝アルキル基である。こ
れは、前記式（１０）の誘導体と同様にトルクセンをア
ルキル化して製造することができる。

【００４８】つぎに、式（１８）の誘導体を臭素化し
て、式（１９）のモノブロモトルクセン誘導体を得る。
トルクセンを直接臭素化しても良いが、アルキル化また
はアルコキシ化の後に臭素化することが、臭素化反応を
容易に行うことができ好ましい。臭素化の方法は特に限
定されず、公知の方法を用いることができるが、例え
ば、以下のようにして行うことができる。すなわち、ま
ず、式（１８）の誘導体と、等モル量の臭素とを、クロ
ロホルムと酢酸との混合溶媒中に加え、加熱攪拌して反
応させる。反応温度および時間は特に限定されないが、
例えば−２０〜７０℃で１〜５時間反応させる。その
後、反応混合物を水で洗浄し、溶媒を留去し、シリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにより精製して、式（１
９）の誘導体を得ることができる。

【００４９】つぎに、式（１９）から式（２０）の誘導
体を得る。この操作は、例えば以下のようにして行うこ
とができる。すなわち、まず、式（１９）の誘導体を、
窒素置換条件下で、無水テトラハイドロフランに溶か
す。つぎに、これにtert-ブチルリチウムを加え、続い
てトリメチルホウ酸を加え、攪拌して反応させる。反応
温度は特に限定されないが、例えば、−７８〜２０℃で
ある。反応時間も特に限定されないが、例えば１〜５時
間である。そして、反応混合物に水を加え、溶媒を留去
して、式（２０）の誘導体を得ることができる。

【００５０】一方、式（１１）の誘導体を準備する。こ
れは、前記の方法により合成することができる。

【００５１】そして、式（１１）の誘導体と式（２０）
の誘導体とを前記スズキカップリング法によりカップリ
ング反応させて、式（２１）で表される目的化合物のト
ルクセニル置換トルクセンを得ることができる。

【００５２】（ＥＬ素子）つぎに、本発明のトルクセン
誘導体を用いたＥＬ素子について説明する。

【００５３】本発明のＥＬ素子の形態は特に限定されな
いが、例えば、図１〜図６の各図に示す形態が可能であ
る。

【００５４】図１に、本発明のＥＬ素子の一例を示す。
このＥＬ素子は、ガラス基板１の上に、陽極２、発光層
３および陰極４がこの順番で積層されている。陽極２お
よび陰極４には、それぞれ導線９が接続されており、導
線９の他端は電源（図示せず）に接続されている。

【００５５】図２に、本発明のＥＬ素子のその他の一例
を示す。このＥＬ素子は、ガラス基板１の上に、陽極
２、正孔輸送層５、発光層３および陰極４がこの順番で
積層されている。それ以外は図１のＥＬ素子と同様であ
る。

【００５６】図３に、本発明のＥＬ素子のさらにその他
の一例を示す。このＥＬ素子は、ガラス基板１の上に、
陽極２、正孔注入層６、正孔輸送層５、発光層３および
陰極４がこの順番で積層されている。それ以外は図１の
ＥＬ素子と同様である。

【００５７】図４に、本発明のＥＬ素子のさらにその他
の一例を示す。このＥＬ素子は、ガラス基板１の上に、
陽極２、正孔輸送層５、発光層３、電子輸送層７および
陰極４がこの順番で積層されている。それ以外は図１の
ＥＬ素子と同様である。

【００５８】図５に、本発明のＥＬ素子のさらにその他
の一例を示す。このＥＬ素子は、ガラス基板１の上に、
陽極２、正孔輸送層５、発光層３、正孔阻止層８、電子
輸送層７および陰極４がこの順番で積層されている。そ
れ以外は図１のＥＬ素子と同様である。

【００５９】図６に、本発明のＥＬ素子のさらにその他
の一例を示す。このＥＬ素子は、ガラス基板１の上に、
陽極２、正孔注入層６、正孔輸送層５、発光層３、電子
輸送層７および陰極４がこの順番で積層されている。そ
れ以外は図１のＥＬ素子と同様である。

【００６０】上記各ＥＬ素子において、陽極２は特に限
定されないが、例えば、ＩＴＯ電極等が好ましい。陰極
４も特に限定されないが、例えば、マグネシウム−銀合
金電極、アルミニウム電極、カルシウム電極、リチウム
／アルミニウム積層電極、またはフッ化リチウム／アル
ミニウム積層電極等が好ましい。

【００６１】上記各ＥＬ素子は、陽極２および陰極４に
挟まれた各層のうち、少なくとも一層が、本発明のトル
クセン誘導体を含む。前記各層は、本発明のトルクセン
誘導体のみで構成されていても良いが、それ以外の物質
を適宜含んでいても良い。また、本発明のトルクセン誘
導体以外の物質のみで構成された層が存在しても良い。
前記各層は、前記一般式（２）〜（５）のトルクセン誘
導体をその特性に応じて含んでいることが好ましい。そ
れぞれのトルクセン誘導体の好ましい用途は、前記の通
りである。

【００６２】前記各層に含まれる物質のうち、本発明の
トルクセン誘導体以外で好ましい物質としては、例え
ば、下記の物質がある。なお、以下に記載する学術文献
は、すべて本発明者らの発明に係る文献である。

【００６３】正孔輸送材料としては、例えばトリアリー
ルアミン誘導体が好ましく、より好ましくは、４，
４’，４”−トリス(３−メチルフェニルフェニルアミ
ノ)トリフェニルアミン（以下、略して「ｍ−ＭＴＤＡＴ
Ａ」と呼ぶことがある）[Chem. Lett., 1989,1145.]や、
４，４’，４”−トリス(１−ナフチルフェニルアミノ)
トリフェニルアミン（以下、略して「１−ＴＮＡＴＡ」と
呼ぶことがある）および４，４’，４”−トリス(２−
ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン（以下、
略して「２−ＴＮＡＴＡ」と呼ぶことがある）[J. Lumi
n., 72-74, 985 (1997).]や、４，４’，４”−トリス
[ビフェニル−２−イル（フェニル)アミノ]トリフェニ
ルアミン（以下、略して「ｏ−ＰＴＤＡＴＡ」と呼ぶこと
がある）、４，４’，４”−トリス[ビフェニル−３−
イル（フェニル)アミノ]トリフェニルアミン（以下、略
して「ｍ−ＰＴＤＡＴＡ」と呼ぶことがある）および４，
４’，４”−トリス[ビフェニル−４−イル（３−メチ
ルフェニル)アミノ]トリフェニルアミン（以下、略して
「ｐ−ＰＭＴＤＡＴＡ」と呼ぶことがある）[Synth. Me
t., 111, 387(2000)]や、４，４’、４”−トリス[９，
９−ジメチル−２−フルオレニル（フェニル）アミノ]
トリフェニルアミン（以下、略して「ＴＦＡＴＡ」と呼ぶ
ことがある）[Chem. Lett., 2000, 1834.]等である。以
下に、上記各化合物の構造式を示す。

【００６４】

【化２６】

【化２７】

【化２８】

【化２９】

【化３０】

【化３１】

【化３２】

【００６５】正孔輸送性発光材料としては、正孔輸送性
に優れる発光材料が好ましく、より好ましくは、例え
ば、N，N’−ジフェニル−N，N’−ビス（３−メチルフ
ェニル）−[１，１’−ビフェニル]−４，４’−ジアミ
ン（以下、略して「TPD」と呼ぶことがある）およびN，
N’−ジ（１−ナフチル）−N，N’−ジフェニル−[１，
１’−ビフェニル]−４，４’−ジアミン（以下、略し
て「α-NPD」と呼ぶことがある）や、N，N’−ジ（ビフェ
ニル−４−イル）−N，N’−ジフェニル−[１，１’−
ビフェニル]−４，４’−ジアミン（以下、略して「p-BP
D」と呼ぶことがある）[Synth. Met., 111, 387 (2000)]
や、N，N’−ビス（９，９−ジメチル−２−フルオレニ
ル）−N，N’−ジフェニル−９，９−ジメチルフルオレ
ン−２，７−ジアミン（以下、略して「PFFA」と呼ぶこと
がある）[Mater. Sci. Eng. B, 85, 135 (2001)]や、
N，N，N’，N’−テトラキス（９，９−ジメチル−２−
フルオレニル）−[１，１’−ビフェニル]−４，４’−
ジアミン（以下、略して「FFD」と呼ぶことがある）[Che
m. Lett., 2000, 1834.]や、トリ[パラターフェニル−
４−イル]アミン（以下、略して「p-TTA」と呼ぶことがあ
る）[Synth. Met., 91, 243 (1997).]や、N，N−ビス
（９，９−ジメチル−２−フルオレニル）アニリン（以
下、略して「F2PA」と呼ぶことがある）や、１，３，５−
トリス[４−（４−メチルフェニルフェニルアミノ）フ
ェニル]ベンゼン（以下、略して「p-MTDAPB」と呼ぶこと
がある）[J. Mater. Chem., 3, 319 (1993).]等であ
る。以下に、上記各化合物の構造式を示す。

【００６６】

【化３３】

【化３４】

【化３５】

【化３６】

【化３７】

【化３８】

【化３９】

【化４０】

【００６７】なお、Ｆ２ＰＡは、本発明者らの発明に係
る物質であり、例えば次のようにして合成することがで
きる。すなわち、まず、アニリンと、９，９−ジメチル
−２−ヨードフルオレンを、銅と炭酸カリウムと１８−
クラウン−６の存在下において加熱反応させる。そし
て、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製
し、トルエンとヘキサンの混合溶媒から再結晶させてＦ
２ＰＡを得ることができる。

【００６８】電子輸送材料または電子輸送性発光材料と
して好ましいのは、例えば、トリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム（以下、略して「Alq３」と呼ぶことが
ある）や、１，３，５−トリス（４−ターシャリーブチ
ルフェニル―１，３，４−オキサジアゾリル）ベンゼン
（以下、略して「TPOB」と呼ぶことがある）[J. Lumin.,
72-74, 985 (1997).]や、化合物１，３，５-トリス[５-
(ジメシチルボリル)−２−チエニル]ベンゼン（以下、
略して「TMB-TB」と呼ぶことがある）[Chem. Lett., 200
1, 614.]や、５，５’−ビス（ジメシチルボリル）−
２，２’−ビチオフェン（以下、略して「BMB-2T」と呼ぶ
ことがある）および５，５’’−ビス（ジメシチルボリ
ル）−２，２’：５’，２’’−ターチオフェン（以
下、略して「BMB-3T」と呼ぶことがある）[J. Am. Chem.
Soc., 120, 9714 (1999).]等である。以下に上記各化合
物の構造式を示す。

【００６９】

【化４１】

【化４２】

【化４３】

【化４４】

【化４５】

【００７０】また、本発明のＥＬ素子は、発光性ドーパ
ント色素を含んでいても良く、本発明のトルクセン誘導
体は、前記発光性ドーパント色素のホスト層として用い
ることもできる。前記発光性ドーパント色素は特に限定
されないが、例えば、ジメチルキナクリドン、ジエチル
キナクリドン、ルブレン、ペリレン、クマリン−６等が
好ましい。

【００７１】前記各図のＥＬ素子の製造方法は特に限定
されず、ガラス基板１の上に、各構成要素を、公知の方
法により順番に積層させて製造することができる。積層
方法は特に限定されないが、発光層３、正孔輸送層５、
正孔注入層６、電子輸送層７および正孔阻止層８に対し
ては、例えば、真空蒸着法、スピンキャスト法によるコ
ーティング（スピンコート法）、または、溶融状態を冷
却する方法等が好ましい。本発明のトルクセン誘導体
は、上記のような方法で加工することにより、均一・透
明なアモルファスガラスを容易に形成し、また、そのガ
ラス状態が、長期間にわたって極めて安定に持続する。
陽極２および陰極４の積層方法も特に限定されず、公知
の方法を用いることができる。

【００７２】前記各図のＥＬ素子の使用方法も特に限定
されず、ディスプレイ用等、公知の用途に使用すること
ができる。また、それ以外にも、前記の通り、本発明の
ＥＬ素子は優れた耐熱性を有しているから、様々な用途
への応用が期待できる。

【００７３】

【実施例】つぎに、本発明の実施例について説明する。
しかし、本発明は以下の実施例に限定されない。核磁気
共鳴（ＮＭＲ）スペクトルは、商品名Inova-750（Varia
n社、¹Ｈ測定時７５０ＭＨｚ）を用いて測定した。ケミ
カルシフトは百万分率（ｐｐｍ）で表している。内部標
準０ｐｐｍには、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）を用い
た。結合定数（Ｊ）は、ヘルツで示しており、略号ｓ、
ｄ、ｔ、ｑ、ｍおよびｂｒは、それぞれ、一重線(singl
et)、二重線(doublet)、三重線(triplet)、四重線(quar
tet)、多重線(multiplet)および広幅線(broad)を表す。
質量分析（MS）は、商品名RP（Voyager社）を用い、MAL
DI-TOF/MS法により行った。元素分析は、商品名MT-5
（柳本製作所）を用いて行った。カラムクロマトグラフ
ィー分離には、シリカゲル（商品名ワコーゲルＣ−３０
０、和光純薬工業株式会社）またはアルミナ（商品名Al
uminium oxide 90 active basic (0.063-0.200)、Merck
社）を用いた。全ての化学物質は、試薬級であり、東京
化成工業株式会社、和光純薬工業株式会社、ナカライテ
スク株式会社、関東化学株式会社およびAldrich社から
購入した。

【００７４】（合成）以下に示す方法により、本発明の
トルクセン誘導体を合成した。

【００７５】〔原料１〕トルクセン（式（９）） 攪拌装置、冷却管および窒素導入管を備え付けた1000 m
l三口フラスコに、220mlの酢酸と、130 mlの濃塩酸と、
50 g (380 mmol)の１−インダノン（和光純薬工業株式
会社より購入）とを加え、100 ℃で20時間加熱攪拌し
た。得られた懸濁液を水１リットルに流し込み反応を停
止させた。析出した固体を濾取し、これを熱エタノー
ル、熱トルエンにより洗浄し、目的化合物である黄色固
体38 g （収率：92 %）を得た。

【００７６】〔原料２〕５，５，１０，１０，１５，１
５−ヘキサメチルトルクセン（HMTr、式（６）） 攪拌装置、冷却管および窒素導入管を備え付けた500 ml
三口フラスコに、100mlのTHFに懸濁させたトルクセン8g
（23 mmol）を加え、0 ℃に保った。これに1.6 M n-ブ
チルリチウム ヘキサン溶液を45 ml加え、この後、ヨウ
化メチル10 gを加えた。さらに1.6 M n-ブチルリチウム
ヘキサン溶液を45 ml加え、この後、ヨウ化メチル10 g
を加えた。THFを留去した後、得られた固体をアルミナ
カラムクロマトグラフィーにより精製して、目的化合物
である白色固体7.8 g（収率：80%）を得た。この化合物
の物性値を以下に示す。

【００７７】MS: m/e 426 (M+). 元素分析値: 実測値:
C, 92.97; H, 7.31%. 計算値 C₃₃H₃₀N ₃: C, 92.91; H,
7.09%. 1H NMR (THF-d₈): δ (ppm) 8.31 (3H, d), 7.
55 (3H, d), 7.44 (3H, t), 7.39 (3H, t), 1.89 (18H,
s).

【００７８】〔原料３〕２，７，１２−トリヨード−
５，５，１０，１０，１５，１５−ヘキサメチルトルク
セン（TI-HMTr、式（７）） 攪拌装置、冷却管および窒素導入管を備え付けた500 ml
三口フラスコに、120mlの酢酸と、30 mlの水と、5.0 g
(20 mmol)のヨウ素と、1.1 g (2.6 mmol)のHMTr（原料
２）と、1.5 gのオルト過ヨウ素酸とを加えた。つぎ
に、濃硫酸3 mlを加え、この混合溶液を90℃で7時間加
熱攪拌した。得られた溶液をトルエンで抽出し、5%亜硫
酸水素ナトリウムで洗浄した後、アルミナカラムクロマ
トグラフィーおよび再結晶により生成し、目的化合物で
ある白色固体 1.6 g（収率 77%）を得た。この化合物の
物性値を以下に示す。

【００７９】MS: m/e 803 (M+). 1H NMR (CDCl₃): δ
(ppm) 7.98 (3H, d), 7.85 (3H, s), 7.74 (3H, dd),
1.82 (18H, s).

【００８０】〔原料４〕２，７，１２−トリス（ジヒド
ロキシボリル）−５，５，１０，１０，１５，１５−ヘ
キサメチルトルクセン（TB-HMTr） 攪拌装置、冷却管および窒素導入管を備え付けた500 ml
三口フラスコに、充分に水を取り除いたTHF 300 mlと、
TI-HMTr（原料３） 6.0 g (7.5 mmol)とを加え、-78℃
に保った。これに、tert-ブチルリチウム ヘプタン溶液
(1.6 M) 30 mlを加え、その後トリメチルホウ酸 10 g
(96 mmol)を加えて反応させた。反応後、水を加え、溶
媒を留去し、目的化合物である白色固体 4g（収率 90
％）を得た。

【００８１】〔原料５〕２−ブロモ−５，５，１０，１
０，１５，１５−ヘキサメチルトルクセン（Br-HMTr、
式（８）） 攪拌装置、冷却管、窒素導入管を備え付けた500 ml三口
フラスコに、クロロホルム：酢酸＝１：１混合溶媒500
mlと、HMTr（原料２） 8.0 g (19 mmol)と、臭素 3 g
(19 mmol)とを加え、70℃で7時間加熱攪拌した。得られ
た溶液を水で洗浄した後、溶媒を留去し、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーにより精製し、目的化合物であ
る白色固体 4.0 (収率 42%）を得た。以下にこの化合物
の物性値を示す。

【００８２】MS: m/e 506 (M+). 1H NMR (CDCl₃): δ
(ppm) 8.30 (1H, d), 8.27 (1H, s), 8.15 (1H, d), 7.
66 (1H, s), 7.56-7.53 (3H, m), 7.44-7.38 (4H, m),
1.88 (12H, s), 1.85 (6H, s).

【００８３】〔原料６〕２−（ジヒドロキシボリル）−
５，５，１０，１０，１５，１５−ヘキサメチルトルク
セン（B-HMTr） 攪拌装置、冷却管および窒素導入管を備え付けた500 ml
三口フラスコに、充分に水を取り除いたTHF 300 mlと、
Br-HMTr（原料５） 4.0 g (7.9 mmol)とを加え、-78℃
に保った。これに、tert-ブチルリチウム ヘプタン溶液
(1.6 M) 7.4 mlを加え、その後トリメチルホウ酸 5.0
g (47 mmol)を加えて反応させた。反応後、水を加え、
溶液を留去し、目的化合物である白色固体 3.3 g（収率
90％）を得た。

【００８４】〔実施例１〕２，７，１２−トリス（ジフ
ェニルアミノ）−５，５，１０，１０，１５，１５−ヘ
キサメチルトルクセン（TDATr、式（Ａ−１）） 攪拌装置、冷却管および窒素導入管を備え付けた300 ml
三口フラスコに、メシチレン100 mlと、TI-HMTr（原料
３） 1.9 g (2.4 mmol)と、ジフェニルアミン 4.0 g (2
4 mmol)と、炭酸カリウム 8.0 gと、銅粉 2.0 gと、１
８−クラウン−６0.3 gとを加え、170 ℃で12 時間加熱
攪拌した。得られた溶液をトルエンで抽出し、無機物を
濾過して除き、溶媒を留去した後、シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーおよび再結晶により精製を行い、目的
化合物である白色固体850 mg （収率55%）を得た。以下
にこの化合物の物性値を示す。

【００８５】MS: m/e 927 (M+). 元素分析値: 実測値:
C, 89.08; H, 6.27; N, 4.55%. 計算値 C₆₉H₅₇N₃: C, 8
9.28; H, 6.19; N, 4.53%. 1H NMR (THF-d₈): δ (pp
m) 8.09 (3H, d), 7.32 (3H, s), 7.25 (12H, t), 7.13
(12H, d), 7.02 (3H, d), 7.00 (6H, t), 1.74 (18H,
s).

【００８６】〔実施例２〕２，７，１２−トリス｛［Ｎ
−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フ
ェニル］アミノ｝−５，５，１０，１０，１５，１５−
ヘキサメチルトルクセン（TFATr、式（Ａ−６）） 攪拌装置、冷却管および窒素導入管を備え付けた300 ml
三口フラスコに、メシチレン100 mlと、TI-HMTr（原料
３） 2.0 g (2.5 mmol)と、N−（９，９−ジメチルフル
オレン−２−イル）アニリン 10 g (35 mmol)と、炭酸
カリウム 8.5 gと、銅粉 2.2 gと、１８−クラウン−６
0.4 gとを加え、170 ℃で12 時間加熱攪拌した。得ら
れた溶液をトルエンで抽出し、無機物を濾過して除き、
溶媒を留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーおよび再結晶により精製を行い、目的化合物である白
色固体700 mg （収率21 %）を得た。以下にこの化合物
の物性値を示す。

【００８７】MS: m/e 1275 (M+). 元素分析値: 実測値:
C, 90.06; H, 6.40; N, 3.23%. 計算値 C₉₆H₈₁N₃: C,
90.31; H,6.39; N, 3.21%. ¹H NMR (THF-d₈): δ (ppm)
8.09(3H, d), 7.65 (3H,d), 7.63 (3H,d), 7.39 (3H,
d), 7.38 (3H,s), 7.35 (3H,s), 7.27 (6H,d), 7.25 (3
H,t), 7.20 (6H,d), 7.20 (3H,t), 7.07 (3H,d), 7.04
(3H,d), 7.02(3H,t).

【００８８】〔実施例３〕２，７，１２−トリス（４−
フルオロフェニル）−５，５，１０，１０，１５，１５
−ヘキサメチルトルクセン（F-TPTr、式（Ｂ−２）） 攪拌装置、冷却管および窒素導入管を備え付けた300 ml
三口フラスコに、THF100 lmと、４−フルオロフェニル
ボロン酸 2.5 g (17.8 mmol）と、TI-HMTr（原料３）
1.5 g (1.87 mmol)と、テトラキス（トリフェニルホス
フェイン）パラジウム（０）0.5 gとを加え、つぎに、
２規定（１M）の炭酸カリウム水溶液 35 mlを加えた。
この溶液を70℃で８時間加熱攪拌した。この後、水層を
分離し、溶媒を留去した後、シリカゲルクロマトグラフ
ィーおよび再結晶により精製し、目的化合物である白色
固体 700 mg （収率53 %）を得た。以下にこの化合物の
物性値を示す。

【００８９】MS: m/e 708(M+). 元素分析値: 実測値:
C, 86.15; H, 5.55%. 計算値 C₅₁H₃₉F₃: C, 86.41; H,
5.55, F, 8.04%. ¹H NMR (CDCl₃): δ (ppm) 8.37 (3
H, d), 7.72 (3H, s), 7.70 (6H, dd), 7.64 (3H, d),
7.20 (6H, t), 1.97 (18H, s).

【００９０】〔実施例４〕２，７，１２−トリス（４−
シアノフェニル）−５，５，１０，１０，１５，１５−
ヘキサメチルトルクセン（CN-TPTr、式（Ｂ−３）） 攪拌装置、冷却管および窒素導入管を備え付けた500 ml
三口フラスコに、THF200 mlと、TB-HMTr（原料４） 4 g
(7 mmol)と、４−ブロモベンゾニトリル 8.2g (45 mmo
l)と、テトラキス（トリフェニルホスフェイン）パラジ
ウム（０）0.8 gとを加え、この後、２規定（１M）の炭
酸カリウム水溶液 60 mlを加えた。この溶液を70度で８
時間加熱攪拌した。この後、水層を分離し、溶媒を留去
した後、シリカゲルクロマトグラフィーおよび再結晶に
より精製し、目的化合物である白黄色固体 700 mg （収
率53 %）を得た。以下にこの化合物の物性値を示す。

【００９１】MS: m/e 729. 元素分析値: 実測値: C, 8
8.60; H, 5.32; N, 5.78%, 計算値 C₅₄H₃₉N₃: C, 88.8
6; H, 5.39; N, 5.76%. ¹H NMR (CDCl₃): δ (ppm) 8.
42 (3H,d), 7.84 (6H, d), 7.80 (6H, d), 7.78 (3H,
s), 7.71 (3H, dd), 1.98 (18H,s).

【００９２】〔実施例５〕２，７，１２−トリス（ジメ
シチルボリル）−５，５，１０，１０，１５，１５−ヘ
キサメチルトルクセン（TMBTr、式（Ｃ−１）） 攪拌装置、冷却管および窒素導入管を備え付けた300 ml
三口フラスコに、充分に水を取り除いたTHF 300 mlと、
TI-HMTr（原料３） 2.4 g (3.0 mmol) とを加え、-78℃
に保った。これにtert-ブチルリチウム ヘプタン溶液
(1.6 M) 16 mlを加え、その後ジメシチルボリルフルオ
ライド 5.0 g (18 mmol)を加えて反応させた。この後、
溶媒を留去し、シリカゲルクロマトグラフィーおよび再
結晶により精製し、目的化合物である白色固体 260 mg
（収率18 %）を得た。以下にこの化合物の物性値を示
す。

【００９３】MS: m/e 1170(M⁺). 元素分析値: 実測値:
C, 89.48; H, 8.00%. 計算値 C₈₉H₉₃B₃: C, 89.23; H,
8.00; B, 2.33% ¹H NMR (CDCl₃): δ (ppm) 8.22 (3H,
d), 7.71 (3H, s), 7.54 (3H, d), 6.86 (12H, s), 2.
34 (18H, s), 2.07 (36H, s),1.81 (18H, s).

【００９４】〔実施例６〕２，７，１２−トリス（５，
５，１０，１０，１５，１５−ヘキサメチルトルクセン
−２−イル）−５，５，１０，１０，１５，１５−ヘキ
サメチルトルクセン（TTrTr、式（Ｄ−１）） 攪拌装置、冷却管および窒素導入管を備え付けた300 ml
三口フラスコに、THF100 lmと、B-HMTr（原料６） 2.6g
(4.7 mmol）と、TI-HMTr（原料３） 0.8 g (1.0 mmol)
と、テトラキス（トリフェニルホスフェイン）パラジウ
ム（０）0.3 gとを加え、つぎに、２規定（１M）の炭酸
カリウム水溶液 35 mlを加えた。この溶液を70度で８時
間加熱攪拌した。この後、水層を分離し、溶媒を留去し
た後、シリカゲルクロマトグラフィーおよび再結晶によ
り精製し、目的化合物である白色固体 1.05 g （収率62
%）を得た。以下にこの化合物の物性値を示す。

【００９５】MS: m/e 1700 (M⁺). 元素分析値: 実測値:
C, 92.85; H, 6.73%. 計算値 C₁₃₂H_{1 14}: C, 93.24; H,
6.76%. ¹H NMR (CDCl₃): δ (ppm) 8.50 (3H, d), 8.4
5 (3H,d), 8.36 (3H, d), 8.34 (3H, d), 7.94 (3H,
s), 7.92 (3H, s), 7.88 (3H, d), 7.86 (3H, d), 7.59
(3H, d), 7.58 (3H, d), 7.48-7.40 (12H, m), 2.09
(18H, s), 2.03 (18H, s), 1.97 (18H, s), 1.93 (18H,
s).

【００９６】上記により合成した実施例１〜６のトルク
セン誘導体のガラス転移温度（Ｔｇ）、融点（Ｔｍ）お
よびAg／Ag+参照電極に対する酸化電位（Ｅox）または
還元電位（Ｅred）を測定した。結果を表１に示す。な
お、ガラス転移温度は示差走査熱量測定により測定し、
酸化還元電位はサイクリックボルタンメトリーにより決
定した。

【００９７】 （表１）化合物 Ｔｇ（℃） Ｔｍ（℃） Ｅox(V vs Ag/Ag⁺) Ｅred(V vs Ag/Ag⁺) 実施例１ １９８ ３５０ ０．５６ ―――――― 実施例２ ２０８ ――――― ０．４８ ―――――― 実施例３ １９０ ３５２ １．１８ ―――――― 実施例４ ２２０ ４２０ ―――――― −２．２０ 実施例５ ２４０ ――――― ―――――― −２．１８ 実施例６ ３５８ ４８０ １．００ −２．４８

【００９８】表１からわかる通り、実施例１〜６の化合
物は、全て１９０℃以上の高いガラス転移温度を示し
た。これは、従来の低分子量化合物と比較して極めて優
れた耐熱性を有することを表す。特に、実施例６の化合
物は、３５８℃という非常に高いガラス転移温度を示し
た。これは、実施例６の化合物の耐熱性が、一般的な高
分子材料を上回り、スーパーエンジニアリングプラスチ
ックと同等またはそれ以上であることを表す。また、実
施例１および２の化合物は低い酸化電位を示し、このこ
とは、ＥＬ素子の正孔輸送層用材料に適することを表
す。実施例３の化合物は高い酸化電位を示し、このこと
は、正孔阻止層用材料に適することを表す。実施例４〜
６の化合物は低い還元電位を示し、このことは、電子輸
送層用材料に適することを表す。

【００９９】さらに、実施例１〜６の化合物の蛍光量子
収率を測定したところ、いずれも０．５以上の高い蛍光
量子収率を示した。したがって、実施例１〜６の化合物
は、発光材料としても優れた機能を発揮することが期待
できる。特に、実施例６の化合物は、０．８という非常
に高い蛍光量子収率を示した。

【０１００】（ＥＬ素子）つぎに、上記実施例の化合物
を用いてＥＬ素子を作製し、その性能を評価した。

【０１０１】〔ＥＬ素子１〕実施例１の化合物を用い、
以下の手順により、図６に示す構造を有するＥＬ素子を
作製した。すなわち、まず、ガラス基板１の上にＩＴＯ
ガラス電極により陽極２が形成されている基盤を準備し
た。次に陽極２の上に、前記化合物ＴＦＡＴＡを真空蒸
着法により厚さ３０ｎｍ（３００オングストローム）と
なるように堆積させ、正孔注入層６を形成した。このと
き、正孔注入層６の一部がガラス基板１の表面に接触す
るようにした。そして、正孔注入層６の上に、実施例１
の化合物を真空蒸着法により厚さ２０ｎｍ（２００オン
グストローム）となるように堆積させ、正孔輸送層５を
形成した。さらに、正孔輸送層５の上に、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルキナクリドンと前記化合物Ａｌｑ３を体積比０．０
０８：１で共蒸着し厚さ３０ｎｍ（３００オングストロ
ーム）となるように堆積させ、発光層３を形成した。さ
らに、発光層３の上にＡｌｑ３を真空蒸着法により厚さ
２０ｎｍ（２００オングストローム）となるように堆積
させ、電子輸送層７を形成した。そして、電子輸送層７
の上にフッ化リチウムを厚さ０．５ｎｍ（５オングスト
ローム）堆積させ、さらにその上にアルミニウムを厚さ
１００ｎｍ（１０００オングストローム）堆積させるこ
とにより陰極４（背面電極）とし、ＥＬ素子を作製し
た。

【０１０２】このようにして作製したＥＬ素子の陽極２
と陰極４との間に２．５ボルト以上の電圧を印加する
と、Ｎ，Ｎ−ジメチルキナクリドンの発光に基づく緑色
の発光が得られた。最高輝度は1２Vで１２５，９００ c
d m^-2、３００ cd m^-2 発光時における発光効率は ３．
６ lm W^-1、量子収率は１．６５％であり、高輝度・高
効率の緑色発光が得られた。

【０１０３】〔ＥＬ素子２〕実施例２の化合物を用い、
以下の手順により、図４に示す構造を有するＥＬ素子を
作製した。すなわち、まず、ガラス基板１の上にＩＴＯ
ガラス電極により陽極２が形成されている基盤を準備し
た。次に陽極２の上に、実施例２の化合物をスピンコー
ト法により厚さ７０ｎｍ（７００オングストローム）と
なるように堆積させ、正孔輸送層５を形成した。さら
に、正孔輸送層５の上に、Ｎ，Ｎ−ジメチルキナクリド
ンと前記化合物Ａｌｑ３を体積比０．００８：１で共蒸
着し厚さ４０ｎｍ（４００オングストローム）となるよ
うに堆積させ、発光層３を形成した。さらに、発光層３
の上にＡｌｑ３を真空蒸着法により厚さ３０ｎｍ（３０
０オングストローム）となるように堆積させ、電子輸送
層７を形成した。そして、電子輸送層７の上にフッ化リ
チウムを厚さ０．５ｎｍ（５オングストローム）堆積さ
せ、さらにその上にアルミニウムを厚さ１００ｎｍ（１
０００オングストローム）堆積させることにより陰極４
（背面電極）とし、ＥＬ素子を作製した。

【０１０４】このようにして作製したＥＬ素子の陽極２
と陰極４との間に２．５ボルト以上の電圧を印加する
と、Ｎ，Ｎ−ジメチルキナクリドンの発光に基づく緑色
の発光が得られた。最高輝度は1０．５Vで８６、４００
cd m^-2、３００ cd m^-2 発光時における発光効率は
３．６ lm W^-1、量子収率は１．６５％であり、高輝度
・高効率の緑色発光が得られた。

【０１０５】〔ＥＬ素子３〕実施例３の化合物を用い、
以下の手順により、図５に示す構造を有するＥＬ素子を
作製した。すなわち、まず、ガラス基板１の上にＩＴＯ
ガラス電極により陽極２が形成されている基板を準備し
た。つぎに、陽極２の上に、前記化合物TFATAを真空蒸
着法により厚さ５０ｎｍ（５００オングストローム）と
なるように堆積させ、正孔輸送層５を形成した。このと
き、正孔輸送層５の一部がガラス基板１の表面に接触す
るように形成した。さらに、正孔輸送層５の上に、前記
化合物ＰＦＦＡを真空蒸着法により厚さ２０ｎｍ（２０
０オングストローム）となるように堆積させ、発光層３
を形成した。そして、発光層３の上に、実施例３の化合
物を真空蒸着により厚さ１０ｎｍ（１００オングストロ
ーム）となるように堆積させ、正孔阻止層８を形成し
た。さらに、正孔阻止層８の上に、前記化合物Ａｌｑ３
を真空蒸着法により厚さ２０ｎｍ（２００オングストロ
ーム）となるように堆積させ、電子輸送層７を形成し
た。そして、電子輸送層７の上に、マグネシウムと銀の
合金（体積比１０：１）よりなる面積４平方ミリメート
ルの電極を形成して陰極４（背面電極）とし、ＥＬ素子
を作製した。

【０１０６】このようにして作製したＥＬ素子の陽極２
と陰極４との間に３ボルト以上の電圧を印加すると、化
合物ＰＦＦＡの発光に基づく緑色の発光が得られた。さ
らに、４ボルト以上の電圧を印加することにより濃青色
発光が確認された。最高輝度は1３Vで２８００ cd
m^-2、300 cd m^-2 発光時における発光効率は 0.１９ lm
W ^-1、量子収率は０．７％であり、高輝度・高効率の濃
青色発光が得られた。

【０１０７】〔ＥＬ素子４〕実施例５および６の化合物
を用い、以下の手順により、図５に示す構造を有するＥ
Ｌ素子を作製した。すなわち、まず、ガラス基板１の上
にＩＴＯガラス電極により陽極２が形成されている基盤
を準備した。つぎに、陽極２の上に、ポリスチレンスル
ホネートをドープしたポリ（３，４−エチレンジオキシ
チオフェン）（バイエル株式会社、製品番号BAYTRON P
AI 4083）を、スピンコート法により厚さ５０ｎｍ（５
００オングストローム）となるように堆積させ、正孔輸
送層５を形成した。そして、正孔輸送層５の上に、実施
例６の化合物をスピンコート法により厚さ７０ｎｍ（７
００オングストローム）となるように堆積させ、発光層
３を形成した。さらに、発光層３の上に、実施例５の化
合物を真空蒸着法により厚さ１２ｎｍ（１２０オングス
トローム）となるように堆積させ、正孔阻止層８を形成
した。さらに、正孔阻止層８の上に前記化合物Ａｌｑ３
を真空蒸着法により厚さ２ｎｍ（２０オングストロー
ム）となるように堆積させ、電子輸送層７を形成した。
そして、電子輸送層７の上にフッ化リチウムを厚さ０．
５ｎｍ（５オングストローム）堆積させ、さらにその上
にアルミニウムを厚さ１００ｎｍ（１０００オングスト
ローム）堆積させることにより陰極４（背面電極）と
し、ＥＬ素子を作製した。

【０１０８】このようにして作製したＥＬ素子の陽極２
と陰極４との間に３．５ボルト以上の電圧を印加する
と、実施例６の化合物の発光に基づく青紫色の発光が得
られた。最高輝度は８．８Vで１５３０ cd m^-2、１ cd
m^-2 発光時における発光効率は０．２３ lm W^-1、量子
収率は０．８０％であり、高輝度・高効率の青紫色発光
が得られた。

【０１０９】〔耐熱性の評価〕上記ＥＬ素子１〜４につ
いて、耐熱性の評価を行った。すなわち、上記各素子
を、１３Ｐａ（０．１Torr）の減圧下に設置して定電流
駆動し、温度を変化させながら素子の輝度を測定した。
図７にこの結果を示す。なお、発光輝度は、室温での輝
度を１００％とした相対値で示している。

【０１１０】図７からわかる通り、上記各素子は極めて
熱安定性に優れ、２００℃近い高温でも室温とほぼ同程
度の発光輝度を示した。さらに、一度加熱した素子を室
温に戻して再び測定しても、加熱前と比較して輝度は低
下していなかった。このことから、上記各素子は、２０
０℃前後に加熱しても劣化しなかったことが分かる。こ
のように、本発明のトルクセン誘導体を用いることによ
り、２００℃近辺でも安定に駆動するＥＬ素子を作製す
ることが可能となる。

【０１１１】以上、実施例に基づいて本発明を詳細に説
明してきたが、本発明は上記実施例に限定されるもので
はなく、本発明の範囲を逸脱しない限りにおいてあらゆ
る変形や変更が可能である。

【０１１２】

【発明の効果】以上説明した通り、本発明のトルクセン
誘導体は、従来の低分子量化合物と比較して極めて高い
ガラス転移温度および優れた耐熱性を発揮することがで
きる。このため、本発明のトルクセン誘導体は、有機Ｅ
Ｌ素子用材料等への使用に適している。本発明のＥＬ素
子は、車載ディスプレイ等、高温となる可能性がある環
境での使用に適し、高温でも劣化しないため、優れた発
光効率を発揮することができ、かつ、ディスプレイ用以
外にも、屋内照明やレーザー光源等、様々な用途への応
用が期待できる。さらに、本発明のトルクセン誘導体の
耐熱性は、その構造によっては、一般的な高分子材料を
上回り、スーパーエンジニアリングプラスチックと同等
またはそれ以上である。このため、本発明のトルクセン
誘導体は、超耐熱性構造材料としての使用も期待でき
る。その他、本発明のトルクセン誘導体は、固体レーザ
ー用発光体、フォトレジスト等、あらゆる用途への応用
が期待でき、その工業的価値は多大である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のＥＬ素子の一例を示す断面図である。

【図２】本発明のＥＬ素子のその他の例を示す断面図で
ある。

【図３】本発明のＥＬ素子のさらにその他の例を示す断
面図である。

【図４】本発明のＥＬ素子のさらにその他の例を示す断
面図である。

【図５】本発明のＥＬ素子のさらにその他の例を示す断
面図である。

【図６】本発明のＥＬ素子のさらにその他の例を示す断
面図である。

【図７】本発明のＥＬ素子の発光輝度の温度依存性を示
すグラフである。

【符号の説明】

１ ガラス基板 ２ 陽極 ３ 発光層 ４ 陰極（背面電極） ５ 正孔輸送層 ６ 正孔注入層 ７ 電子輸送層 ８ 正孔阻止層 ９ 導線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｃ 211/61 Ｃ０７Ｃ 211/61 253/30 253/30 255/51 255/51 Ｃ０７Ｆ 5/02 Ｃ０７Ｆ 5/02 Ａ Ｃ０９Ｋ 11/06 ６１０ Ｃ０９Ｋ 11/06 ６１０ ６２０ ６２０ ６６０ ６６０ ６９０ ６９０ Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｂ 33/22 33/22 Ｂ Ｄ // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｆターム(参考） 3K007 AB03 AB11 AB14 CA01 CB01 CB04 DB03 4H006 AA01 AA02 AA03 AB92 AC30 AC52 AC54 BA05 BA25 BA45 BA48 BB11 BB25 BC10 EA37 QN30 4H039 CA51 CA70 CA71 CD10 CD20 4H048 AA01 AA02 AA03 AB92 VA75

Claims (24)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（１）で表されるトルクセン
   誘導体。 【化１】 ただし、式中、 Ｒ¹〜Ｒ⁶は、それぞれ同一であるかまたは異なり、水
   素、炭素数１〜６の直鎖もしくは分枝アルキル基、また
   は炭素数１〜６の直鎖もしくは分枝アルコキシ基であ
   り、 Ａ¹〜Ａ³は、それぞれ同一であるかまたは異なり、水
   素、ハロゲン、ヒドロキシ基、炭素数１〜６の直鎖もし
   くは分枝アルキル基、炭素数１〜６の直鎖もしくは分枝
   アルコキシ基、アミノ基、ボリル基（ただし、前記アミ
   ノ基およびボリル基は、１個以上の置換基で置換されて
   いても良く、それらの置換基は同一であるかまたは異な
   り、ヒドロキシ基、または１〜４個の４〜７員環からな
   る飽和もしくは不飽和の単環もしくは縮合環（それぞれ
   の環はヘテロ原子を含んでいてもいなくても良く、そし
   て、前記環は１個以上の置換基でさらに置換されていて
   も良く、それらの置換基は同一であるかまたは異なり、
   炭素数１〜６の直鎖もしくは分枝アルキル基、または、
   任意に炭素数１〜６の直鎖もしくは分枝アルキル基で置
   換されたフェニル基である。）である。）、または１〜
   １０個の４〜７員環からなる飽和もしくは不飽和の単環
   もしくは縮合環（ただし、それぞれの環はヘテロ原子を
   含んでいてもいなくても良く、そして、１個以上の置換
   基でさらに置換されていても良く、それらの置換基は同
   一であるかまたは異なり、炭素数１〜６の直鎖もしくは
   分枝アルキル基、炭素数１〜６の直鎖もしくは分枝アル
   コキシ基、または電子吸引基である。）であり、 そして、Ｒ¹〜Ｒ⁶の全てが水素である場合は、Ａ¹〜Ａ³
   のうち少なくとも一つは、水素以外の上記原子または原
   子団である。
2. 【請求項２】 Ｒ¹〜Ｒ⁶のうち少なくとも一つが、炭素
   数１〜６の直鎖もしくは分枝アルキル基、または炭素数
   １〜６の直鎖もしくは分枝アルコキシ基である請求項１
   に記載のトルクセン誘導体。
3. 【請求項３】 Ｒ¹〜Ｒ⁶が、それぞれ、メチル基、エチ
   ル基、n-プロピル基、sec-プロピル基、n-ブチル基、se
   c-ブチル基、tert-ブチル基、メトキシ基、またはエト
   キシ基である請求項１に記載のトルクセン誘導体。
4. 【請求項４】 下記一般式（２）で表される請求項１か
   ら３のいずれかに記載のトルクセン誘導体。 【化２】 ただし、式中、 Ａｒ¹〜Ａｒ⁶は、それぞれ同一であるかまたは異なり、
   水素、ヒドロキシ基、または１〜４個の４〜７員環から
   なる飽和もしくは不飽和の単環もしくは縮合環（それぞ
   れの環はヘテロ原子を含んでいてもいなくても良く、そ
   して、前記環は１個以上の置換基でさらに置換されてい
   ても良く、それらの置換基は同一であるかまたは異な
   り、炭素数１〜６の直鎖もしくは分枝アルキル基、また
   は、任意に炭素数１〜６の直鎖もしくは分枝アルキル基
   で置換されたフェニル基である。）である。
5. 【請求項５】 Ａｒ¹〜Ａｒ⁶が、それぞれ、フェニル
   基、o−トルイル基、m−トルイル基、p−トルイル基、
   メシチル基、o−ビフェニル基、m−ビフェニル基、p−
   ビフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、アン
   トリル基、ピロリル基、チエニル基、フリル基、フルオ
   レニル基または９，９−ジメチルフルオレニル基である
   請求項４に記載のトルクセン誘導体。
6. 【請求項６】 下記（Ａ−１）〜（Ａ−６）のいずれか
   の式で表される請求項５に記載のトルクセン誘導体。 【化３】
7. 【請求項７】 Ａ¹〜Ａ³が、それぞれ、フェニル基、ピ
   リジル基、ピロリル基、チエニル基、フリル基またはオ
   キサジアゾイル基（ただし、それぞれの基は１個以上の
   置換基でさらに置換されていてもよく、それらの置換基
   は同一であるかまたは異なり、炭素数１〜６の直鎖もし
   くは分枝アルキル基、または電子吸引基である。）であ
   る請求項１から３のいずれかに記載のトルクセン誘導
   体。
8. 【請求項８】 下記一般式（３）で表される請求項７に
   記載のトルクセン誘導体。 【化４】 ただし、式中、Ｘ¹〜Ｘ³は、それぞれ同一であるかまた
   は異なり、水素または電子吸引基である。
9. 【請求項９】 電子吸引基が、ハロゲン、シアノ基、ニ
   トロ基、スルホ基、炭素数１〜６のアルコキシスルホニ
   ル基（ただし、そのアルキル基は１個以上のハロゲンで
   置換されていても良い。）、炭素数１〜６のアルキルス
   ルホニル基（ただし、そのアルキル基は１個以上のハロ
   ゲンで置換されていても良い。）、ホルミル基、カルボ
   キシル基、炭素数１〜６のアルカノイル基、炭素数１〜
   ６のアルコキシカルボニル基、および１個以上のハロゲ
   ンで置換された炭素数１〜６のアルキル基からなる群か
   ら選択される請求項１から３および７から８のいずれか
   に記載のトルクセン誘導体。
10. 【請求項１０】 電子吸引基が、フッ素、シアノ基、ニ
    トロ基およびトリフルオロメチル基からなる群から選択
    される請求項９に記載のトルクセン誘導体。
11. 【請求項１１】 下記（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）のいずれ
    かの式で表される請求項１０に記載のトルクセン誘導
    体。 【化５】
12. 【請求項１２】 下記一般式（４）で表される請求項１
    から３のいずれかに記載のトルクセン誘導体。 【化６】 ただし、式中、 Ａｒ⁷〜Ａｒ¹²は、それぞれ同一であるかまたは異な
    り、水素、ヒドロキシ基、または１〜４個の４〜７員環
    からなる飽和もしくは不飽和の単環もしくは縮合環（そ
    れぞれの環はヘテロ原子を含んでいてもいなくても良
    く、そして、前記環は１個以上の置換基でさらに置換さ
    れていても良く、それらの置換基は同一であるかまたは
    異なり、炭素数１〜６の直鎖もしくは分枝アルキル基、
    または、任意に炭素数１〜６の直鎖もしくは分枝アルキ
    ル基で置換されたフェニル基である。）である。
13. 【請求項１３】 Ａｒ⁷〜Ａｒ¹²が、それぞれ、フェニ
    ル基、o−トルイル基、m−トルイル基、p−トルイル
    基、メシチル基、o−ビフェニル基、m−ビフェニル基、
    p−ビフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、
    アントリル基、ピロリル基、チエニル基、フリル基、フ
    ルオレニル基または９，９−ジメチルフルオレニル基で
    ある請求項１２に記載のトルクセン誘導体。
14. 【請求項１４】 下記（Ｃ−１）または（Ｃ−２）のい
    ずれかの式で表される請求項１３に記載のトルクセン誘
    導体。 【化７】
15. 【請求項１５】 下記一般式（５）で表される請求項１
    から３のいずれかに記載のトルクセン誘導体。 【化８】 ただし、式中、 Ｒ⁷〜Ｒ²⁴は、それぞれ同一であるかまたは異なり、水
    素、炭素数１〜６の直鎖もしくは分枝アルキル基、また
    は炭素数１〜６の直鎖もしくは分枝アルコキシ基であ
    る。
16. 【請求項１６】 Ｒ⁷〜Ｒ²⁴が、それぞれ、メチル基、
    エチル基、n-プロピル基、sec-プロピル基、n-ブチル
    基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、メトキシ基、また
    はエトキシ基である請求項１５に記載のトルクセン誘導
    体。
17. 【請求項１７】 下記（Ｄ−１）または（Ｄ−２）のい
    ずれかの式で表される請求項１６に記載のトルクセン誘
    導体。 【化９】
18. 【請求項１８】 下記（６）〜（８）のいずれかの式で
    表される請求項１に記載のトルクセン誘導体。 【化１０】
19. 【請求項１９】 トルクセンの５位、１０位および１５
    位のうち少なくとも一つを炭素数１〜６のアルキル基ま
    たは炭素数１〜６のアルコキシ基で置換する工程を含む
    トルクセン誘導体の製造方法。
20. 【請求項２０】 請求項１〜１８のいずれかに記載のト
    ルクセン誘導体を少なくとも一種類含むエレクトロルミ
    ネッセンス（ＥＬ）素子。
21. 【請求項２１】 正孔輸送層、正孔注入層および発光層
    のうち少なくとも一つが、請求項４〜６のいずれかに記
    載のトルクセン誘導体を少なくとも一種類含むＥＬ素
    子。
22. 【請求項２２】 電子輸送層、正孔阻止層および発光層
    のうち少なくとも一つが、請求項７〜１１のいずれかに
    記載のトルクセン誘導体を少なくとも一種類含むＥＬ素
    子。
23. 【請求項２３】 電子輸送層および発光層のうち少なく
    とも一つが、請求項１２〜１４のいずれかに記載のトル
    クセン誘導体を少なくとも一種類含むＥＬ素子。
24. 【請求項２４】 正孔輸送層、電子輸送層、正孔阻止層
    および発光層のうち少なくとも一つが、請求項１５〜１
    ７のいずれかに記載のトルクセン誘導体を少なくとも一
    種類含むＥＬ素子。