JP2003258400A

JP2003258400A - 配線基板

Info

Publication number: JP2003258400A
Application number: JP2002069800A
Authority: JP
Inventors: Kuninori Yokomine; 国紀横峯
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-12-26
Filing date: 2002-03-14
Publication date: 2003-09-12

Abstract

(57)【要約】【課題】貫通孔を金属めっきによって充填して成る貫
通孔導体に未充填部分がなく、高い接続信頼性を有する
配線基板を提供する。【解決手段】金属箔から成り、絶縁層１の下面に配設
された第１の配線導体層２および絶縁層１の上面に配設
された第２の配線導体層３と、第１の配線導体層２上の
絶縁層１に形成された貫通孔９に充填された金属めっき
から成り、第１および第２の配線導体層２・３間を電気
的に接続する貫通孔導体４とを具備し、貫通孔９の上端
外周からこれを取り囲む第２の配線導体層３の内周端ま
での距離Ｌを、貫通孔９の高さＨおよび第２の配線導体
層３の厚みＴに対して、高さＨ以上の長さとし、かつ高
さＨに厚みＴを加えた長さ以下とした配線基板５であ
る。第２の配線導体層３からの金属めっきが貫通孔９の
底面からの金属めっきの析出を阻害することがなく、貫
通孔９の内部に未充填部分が形成されることがない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、多層配線
基板および半導体素子収納用パッケージ等に適した配線
基板に関するものであり、より詳細には、高密度配線が
可能で、高い実装信頼性を有する、金属めっきで充填さ
れた貫通孔導体を有する配線基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器は小型化が進んでいる
が、携帯情報端末の発達や、コンピューターを持ち運ん
で操作するいわゆるモバイルコンピューティングの普及
によってさらに小型・薄型かつ高精細の多層配線基板が
求められる傾向にある。

【０００３】また、通信機器に代表されるように、高速
動作が求められる電子機器が広く使用されるようになっ
てきた。高速動作が求められるということは、高い周波
数の信号に対し、正確なスイッチングが可能である等の
多種な要求を含んでいる。そのような電子機器に対応す
るため、高速な動作に適した多層配線基板が求められて
いる。

【０００４】高速動作を行なうためには、配線の長さを
短くし、電気信号の伝播に要する時間を短縮することが
必要である。配線の長さを短縮するために、配線の幅を
細くし、配線の間隙を小さくするという、小型・薄型か
つ高精細の多層配線基板が求められる傾向にある。

【０００５】そのような高密度配線の要求に対応するた
め、微細な配線導体層を平易に形成できる多層配線基板
の製造方法が特開平10−27959号公報等にて提案されて
いる。この方法は、表面に金属からなる導体回路が形成
された転写シートと半硬化状態の絶縁層を圧接して導体
回路を絶縁層に転写埋入させ、転写シートを除去し絶縁
層の表面に配線導体層が埋入された回路基板を得て、こ
れら回路基板を複数枚積層して一体化するというもので
ある。

【０００６】しかしながら、この方法は、貫通孔導体で
あるビアホール導体の設計の自由度を高めるとともに工
程の簡略化を図るために、導電性ペーストをビアホール
（貫通孔）中に充填することにより配線導体層間の接続
を行なっているために、例えばビアホールの径を60μｍ
以下と小さくした場合、直径10μｍ程度の金属粒子で構
成された導電性ペーストでは、ビアホールに充填が可能
な量が制限されてしまうため、充填された導電性ペース
トの金属粒子間の接触点が少なくなることから、ビアホ
ール導体の抵抗が増加し配線導体層間の電気的な接続信
頼性が低下するという問題点があった。

【０００７】このような問題点を解決するために、特開
2000−349437号公報には、絶縁層の上下に第１および第
２の配線回路層（配線導体層）を形成するとともに、絶
縁層に形成したビアホール（貫通孔）にメッキ金属層
（めっき金属）を形成（充填）して成るビア導体（貫通
孔導体）を介して第１および第２の配線回路層を電気的
に接続して成る多層配線基板（配線基板）が提案されて
いる。この多層配線基板（配線基板）はビア導体をメッ
キ金属層で形成したことが特徴であり、例えば、以下の
方法で製作される。

【０００８】即ち、絶縁基板の表面に第１の配線回路層
が被着形成されてなるコア基板の表面に、熱硬化性樹脂
を含有する軟質の絶縁層を形成し、絶縁層の表面に金属
箔によって形成された第２の配線回路層を被着形成する
とともに、第２の配線回路層を絶縁層表面に埋設し、第
２の配線回路層が被着形成された絶縁層の表面に離型性
フィルムを貼り付けた後、加熱して絶縁層を熱硬化し、
レーザ光の照射によって第２の配線回路層が被着形成さ
れた絶縁層を貫通するとともに、第１の配線回路層に到
達するビアホールを形成させ、ビアホールの内壁に金属
めっき層を形成し、第１の配線回路層と第２の配線回路
層とを電気的に接続するものである。

【０００９】この方法によれば、ビアホールの内部を直
径が数ｎｍの金属めっきで緻密に充填することができる
ため、ビアホールの径を例えば60μｍ以下と小さくして
も、ビア導体の抵抗が増加したり、電気的な接続信頼性
が低下することはない。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような貫通孔を金属めっきによって充填してビア導体を
形成した配線基板（多層配線基板）においては、貫通孔
内にめっき金属を充填する際、めっき金属は貫通孔底部
よりも基板表面および貫通孔上部の方が析出しやすい傾
向があるため、金属めっき層が貫通孔の底面よりも配線
導体層である金属箔の端面から優先的に形成され、貫通
孔の底面からの金属めっきによって貫通孔が充填される
前に貫通孔の上面を覆ってしまい、貫通孔の底面へのめ
っき金属原子の供給が阻害されてしまう。その結果、貫
通孔の底面からの金属めっき層の形成が停止してしまう
ことから、金属箔の端面から成長し貫通孔の上面を覆っ
た金属めっき層と、貫通孔の底面から貫通孔を充填しな
がら形成した金属めっき層との間に未充填部分が形成さ
れてしまい、例えばシェア強度等の接続信頼性評価の際
に破断がこの未充填部分を起点として発生し、機械的な
接続信頼性を低下させるという問題点を誘発していた。

【００１１】本発明は上記問題点を解決するために案出
されたものであり、その目的は、直径が数ｎｍの金属め
っきで貫通孔が緻密に充填され、低電気抵抗であり、か
つ貫通孔内に未充填部分が存在せず、高い機械的接続信
頼性および電気的接続信頼性を有する貫通孔導体を形成
した高密度配線が可能な配線基板を提供することにあ
る。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の配線基板は、金
属箔から成り、絶縁層の下面に配設された第１の配線導
体層および前記絶縁層の上面に配設された第２の配線導
体層と、前記第１の配線導体層上の前記絶縁層に形成さ
れた貫通孔に充填された金属めっきから成り、前記第１
および第２の配線導体層間を電気的に接続する貫通孔導
体とを具備し、前記貫通孔の上端外周からこれを取り囲
む前記第２の配線導体層の内周端までの距離Ｌを、前記
貫通孔の高さＨおよび前記第２の配線導体層の厚みＴに
対して、高さＨ以上の長さとし、かつ高さＨに厚みＴを
加えた長さ以下としたことを特徴とするものである。

【００１３】本発明の配線基板によれば、貫通孔導体が
形成される貫通孔の上端外周からこれを取り囲む第２の
配線導体層の内周端までの距離Ｌを、貫通孔の高さＨお
よび第２の配線導体層の厚みＴに対して、高さＨ以上の
長さとし、かつ高さＨに厚みＴを加えた長さ以下とした
ことから、第２の配線導体層である金属箔の端面から金
属めっきが優先的に析出しても、貫通孔の底面から同じ
析出速度で析出する金属めっきによって貫通孔が充填さ
れる前に貫通孔の上面を覆うことがないため、貫通孔の
底面からの金属めっきの析出を阻害することがなく、貫
通孔の内部に未充填部分が形成されることがない。その
結果、機械的接続信頼性および電気的接続信頼性を高く
することができる。

【００１４】また、本発明の配線基板は、金属箔から成
り、絶縁層の下面に配設された第１の配線導体層および
前記絶縁層の上面に配設された第２の配線導体層と、前
記第１の配線導体層上の前記絶縁層に形成された貫通孔
に充填された金属めっきから成り、前記第１および第２
の配線導体層間を電気的に接続する貫通孔導体とを具備
し、前記貫通孔の上端外周からこれに接続される前記第
２の配線導体層の端面までの距離Ｌを、前記貫通孔の高
さＨおよび前記第２の配線導体層の厚みＴに対して、高
さＨ以上の長さとし、かつ高さＨに厚みＴを加えた長さ
以下としたことを特徴とするものである。

【００１５】本発明の配線基板によれば、貫通孔導体が
形成される貫通孔の上端外周からこれに接続される第２
の配線導体層の端面までの距離Ｌを、貫通孔の高さＨお
よび第２の配線導体層の厚みＴに対して、高さＨ以上の
長さとし、かつ高さＨに厚みＴを加えた長さ以下の長さ
としたことから、第２の配線導体層である金属箔の端面
から金属めっきが優先的に析出しても、貫通孔の底面か
ら同じ析出速度で析出する金属めっきによって貫通孔が
充填される前に貫通孔の上面を覆うことがないため、貫
通孔の底面からの金属めっきの析出を阻害することがな
く、貫通孔の内部に未充填部分が形成されることがな
い。その結果、機械的接続信頼性および電気的接続信頼
性を高くすることができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】次に、本発明の配線基板を添付図
面に基づき詳細に説明する。

【００１７】図１は、本発明の配線基板を半導体素子を
搭載する半導体素子搭載用基板に適用した場合の実施の
形態の一例を示す断面図であり、１は絶縁層、２は第１
の配線導体層、３は第２の配線導体層、４は第１および
第２の配線導体層２・３間を電気的に接続する貫通孔導
体である。この絶縁層１、第１の配線導体層２、第２の
配線導体層３および貫通孔導体４で半導体素子６を搭載
するための配線基板５が形成され、半導体素子６の電極
が例えば半田ボール７を介して第２の配線導体層３に接
続される。

【００１８】本発明の配線基板５は、図２に要部拡大断
面図で示すように、熱硬化性樹脂を含有する軟質の絶縁
層１の下面に第１の配線導体層２を形成し、絶縁層１の
上面に第２の配線導体層３を形成するとともに、第１の
配線導体層２と第２の配線導体層３とを貫通孔導体４で
導通した構造を有している。

【００１９】ここで用いられる絶縁層１は、繊維体を含
まない熱硬化性樹脂、あるいは熱硬化性樹脂と無機質フ
ィラーとから成る絶縁性複合材料によって構成すること
が望ましい。

【００２０】この絶縁層１中に繊維体を含まないことが
望ましいのは、繊維体が含まれると、ガラス織布自体の
不均一性によって、貫通孔導体４を形成するための貫通
孔を形成したときに貫通孔の径にバラツキが生じやす
く、特に、ガラス織布等の繊維体を含む場合には、多湿
中で長期保存するとガラス繊維と有機樹脂との界面を水
分が拡散してマイグレーションをもたらす等の弊害が生
じるためである。

【００２１】この絶縁層１の厚みは、10μｍ以上、特に
40μｍ以上であることが望ましく、その厚みが10μｍよ
りも薄いと、絶縁層１による外気中の水分の内部への拡
散を十分に抑制することが難しく、絶縁層１間において
マイグレーションが生じやすくなる。

【００２２】この絶縁層１中の熱硬化性樹脂としては、
ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）・ＢＴ（ビスマレイ
ミドトリアジン）レジン・エポキシ樹脂・ポリイミド樹
脂・フッ素樹脂・フェノール樹脂・ポリアミドビスマレ
イミド等の樹脂が望ましい。また、この絶縁層１中には
無機質フィラーを配合することによって、配線基板５の
強度を高めることが望ましい。

【００２３】このときに用いられる無機質フィラーとし
ては、ＳｉＯ₂・Ａｌ₂Ｏ₃・ＡｌＮ等が好適であり、フ
ィラーの形状は平均粒径が20μｍ以下、特に10μｍ以
下、最適には７μｍ以下の略球形状の粉末が用いられ
る。この無機質フィラーは、有機樹脂：無機質フィラー
の体積比率で15：85〜95：５の比率範囲で混合される。

【００２４】このような絶縁層１は、例えば、未硬化の
熱硬化性有機樹脂、または未硬化の熱硬化性有機樹脂と
無機質フィラー等の組成物を混練機や３本ロール等の手
段によって十分に混合し、これを圧延法・押出法・射出
法・ドクターブレード法等によって軟質のシート状に成
形し、後述する金属層の形成等の所定の工程を施した
後、加熱硬化すること等により作製される。なお、軟質
とは、未硬化または半硬化状態を意味し、半硬化の状態
とするには、熱硬化性樹脂が完全硬化するに十分な温度
よりもやや低い温度に加熱すればよい。

【００２５】第１の配線導体層２および第２の配線導体
層３は、銅または銅を主成分とする銅合金等の金属箔を
所定パターンに被着形成したものから成り、例えば、絶
縁層１となる軟質のシートの両面全体に金属箔を接着し
た後、フォトレジスト形成・パターン露光・現像・レジ
スト除去の工程からなるフォトレジスト法に従い形成す
ることができる。または、絶縁層１となる軟質のシート
の両面に、予めフォトレジスト法によって形成された第
１の配線導体層２の鏡像パターンおよび第２の配線導体
層３の鏡像パターンを転写することによって形成するこ
とができる。

【００２６】以上のようにして、第１の配線導体層２お
よび第２の配線導体層３を絶縁層１となる軟質のシート
の上下面に形成した後、この軟質のシートを完全に熱硬
化処理することが望ましい。これは、絶縁層１が未硬化
または半硬化の場合には、後述する貫通孔の形成後に熱
硬化処理を施すと、熱硬化に伴う収縮により貫通孔の径
が変化したり、貫通孔の形成個所が熱硬化時の収縮によ
ってずれ、貫通孔導体４の位置精度が低下するという問
題があり、また、後述する貫通孔導体４形成のためのめ
っき処理の際に、めっき液が未硬化または半硬化の絶縁
層１中に浸透して、めっき液等に含有される酸によって
第１の配線導体層２や第２の配線導体層３がショートし
たり断線する等の不具合が発生する恐れがあるためであ
る。

【００２７】熱硬化にあたっては、図３に図２に示した
貫通孔導体４における金属めっき充填前の状態を示す要
部拡大断面図で示すように、絶縁層１の表面にＥＴＦＥ
（テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体）等の透
明の離型性フィルム８を貼り付けて、絶縁層１中の熱硬
化性樹脂が硬化するに十分な温度で熱プレスすることに
より行なうことができる。

【００２８】熱硬化する方法としては、例えば真空プレ
ス装置を用いると離型性フィルム８と絶縁層１の間に閉
じこめられた空気を脱気することができるので、密着性
を上げることができ、より好ましい。

【００２９】なお、熱硬化処理の終了後、離型性フィル
ム８は、後述するめっき処理の際のレジストとして利用
できることから、離型性フィルム８はめっき処理後に剥
がすことが望ましい。

【００３０】さらにこの離型性フィルム８は、フッ化エ
チレンを含むことが望ましく、高温かつ強アルカリ性で
ホルマリンを含む無電解めっき液に長時間浸漬されても
剥離や変質を起こさない材料として、フッ化エチレンを
含む樹脂フィルムは優れた性能を示す。フッ化エチレン
を含む樹脂としては、例えばＰＴＦＥ（四弗化エチレン
樹脂）・ＰＦＡ（四弗化エチレン−パーフルオロアルコ
キシエチレン共重合樹脂）・ＦＥＰ（四弗化エチレン−
６弗化プロピレン共重合樹脂）・ＥＴＦＥ（四弗化エチ
レン−エチレン共重合樹脂）等がある。フッ化エチレン
を含む樹脂フィルムであれば、上記以外にも使用でき
る。

【００３１】これらの第１の配線導体層２および第２の
配線導体層３は、貫通孔導体４を介して上下に電気的接
続されている。このような貫通孔導体４は、絶縁層１に
貫通孔９を形成し、この貫通孔９内に金属めっきから成
る導体を充填することにより形成され、例えば、以下の
工程により形成できる。

【００３２】まず、レーザ光の照射によって、絶縁層１
に対して貫通孔９を形成する。貫通孔９の形成は、上面
の離型性フィルム８および絶縁層１を貫通して第１の配
線導体層２に達するように形成する。

【００３３】貫通孔９の形成には、炭酸ガス等のレーザ
加工が好適である。レーザビームは絶縁層１の表面から
絶縁層１を貫いて第１の配線導体層２の表面で止まる。
第１の配線導体層２は銅等の金属箔によって形成されて
おり、金属は絶縁層１よりもレーザ加工されにくいの
で、比較的容易に適当なビーム強度を選択できる。

【００３４】次に、この貫通孔９内にめっき法により銅
等の金属めっきを、第１の配線導体層２と第２の配線導
体層３とがこの金属めっきで接続されるようにして充填
することにより形成できる。

【００３５】本発明においては、第２の配線導体層３
は、貫通孔９の上端外周からこれを取り囲む第２の配線
導体層３の内周端までの距離Ｌを、貫通孔９の高さＨお
よび第２の配線導体層３の厚みＴに対して、貫通孔９の
高さＨ以上の長さに設定し、かつ貫通孔９の高さＨに第
２の配線導体層３の厚みＴを加えた長さ以下に設定した
範囲内で形成しておくことが重要である。

【００３６】これは、距離Ｌが貫通孔９の高さＨ以下の
長さの場合は、貫通孔９の内壁に後述するめっきによっ
て金属めっき層が貫通孔９の底面および第２の配線導体
層３である金属箔の端面から同時に形成されるため、第
２の配線導体層３である金属箔の端面からの金属めっき
層形成によって貫通孔９の底面からの金属めっき層形成
が阻害され、貫通孔９内に金属めっきの未充填部分を含
むこととなり機械的接続信頼性を低下させるためであ
る。また、距離Ｌが貫通孔９の高さＨに第２の配線導体
層３の厚みＴを加えた長さを超える場合は、第２の配線
導体層３の金属箔の端面からの金属めっき層形成が貫通
孔９の上面端に接続されないこととなり、配線導体に断
線が生じるためである。

【００３７】貫通孔９の内壁に金属めっきを充填する方
法としては、電解めっき法や無電解めっき法等の任意の
めっき方法が採用できるが、特に、無電解めっき法が好
適である。無電解めっき法の場合には、貫通孔９が形成
された絶縁層１から成る基板を触媒溶液中に浸漬する
と、貫通孔９の底面および第２の配線導体層３である金
属箔の端面に触媒が塗布される。次いで、この基板を無
電解めっき液中に浸漬すると、触媒が塗布された貫通孔
９の内部に金属めっきが充填されるとともに、第２の配
線導体層３である金属箔の端面からも金属めっき層が形
成され、これが貫通孔９の内部に充填された金属めっき
と接続されて貫通孔導体４を形成することができる。

【００３８】無電解めっき法としては、例えば、硫酸銅
・ホルマリン・水酸化ナトリウム・キレート剤・添加剤
等から成る無電解銅めっき液を使用すると、第１および
第２の配線導体層２・３である銅箔との密着強度が高
く、また、低抵抗である等のことから、より好ましい。

【００３９】また、無電解めっき法によって貫通孔導体
４を形成する際に、上面の離型性フィルム８によって第
２の配線導体層３である金属箔の表面（上面）には金属
めっきは析出されず、第２の配線導体層３である金属箔
の端面からのみ金属めっき層が形成され、この金属めっ
き層が貫通孔９の底面から析出して貫通孔９の内部を充
填した金属めっきと接続することによって、貫通孔導体
４が形成される。

【００４０】以上のようにして、絶縁層１の下面に配設
された第１の配線導体層２および絶縁層１の上面に配設
された第２の配線導体層３と、第１の配線導体層２上の
絶縁層１に形成された貫通孔９に充填された金属めっき
から成る貫通孔導体４とを具備し、貫通孔導体４によっ
て第１の配線導体層２と第２の配線導体層３とが電気的
に接続された配線基板５を作製することができる。そし
て、本発明の配線基板５によれば、貫通孔９の上端外周
からこれを取り囲む第２の配線導体層３の内周端までの
距離Ｌを、貫通孔９の高さＨおよび第２の配線導体層３
の厚みＴに対して、高さＨ以上の長さとし、かつ高さＨ
に厚みＴを加えた長さ以下としたことこら、直径が数ｎ
ｍの金属めっきで貫通孔９の内部が緻密に充填されて形
成された貫通孔導体４を有するものとなり、低電気抵抗
であり、かつ貫通孔９内に未充填部分が存在しない貫通
孔導体４によって第１および第２の配線導体層２・３間
を電気的に接続することができ、高い機械的接続信頼性
と電気的接続信頼性を有する高密度配線が可能である。

【００４１】また、本発明の配線基板５は、図４に図２
と同様の要部拡大断面図で示すように、熱硬化性樹脂を
含有する軟質の絶縁層１の下面に第１の配線導体層２を
形成し、絶縁層１の上面に第２の配線導体層13を形成す
るとともに、第１の配線導体層２と第２の配線導体層13
とを貫通孔導体４で導通した構造を有している。

【００４２】これらの第１の配線導体層２および第２の
配線導体層13は、貫通孔導体４を介して上下に電気的接
続されている。このような貫通孔導体４は、図５に図４
に示した貫通孔導体４における金属めっき充填前の状態
を示す要部拡大断面図で示すように、絶縁層１に貫通孔
９を形成し、この貫通孔９内に金属めっきから成る導体
を充填することにより形成され、例えば、前記の工程と
同様に、以下の工程により形成できる。

【００４３】まず、レーザ光の照射によって、絶縁層１
に対して貫通孔９を形成する。貫通孔９の形成は、絶縁
層１を貫通して第１の配線導体層２に達するように形成
する。

【００４４】次に、この貫通孔９内にめっき法により銅
等の金属めっきを、第１の配線導体層２と第２の配線導
体層13とがこの金属めっきで接続されるようにして充填
することにより形成できるが、例えばめっき前に絶縁層
１の表面にめっきレジスト18を塗布すると第２の配線導
体層13である金属箔の表面（上面）には金属めっきは析
出されず、第２の配線導体層13である金属箔の端面から
のみ金属めっき層を形成することができ、好ましい。

【００４５】本発明においては、第２の配線導体層13
は、貫通孔９の上端外周からこれに接続される第２の配
線導体層13の端面までの距離Ｌを、貫通孔９の高さＨお
よび第２の配線導体層13の厚みＴに対して、貫通孔９の
高さＨ以上の長さに設定し、かつ貫通孔９の高さＨに第
２の配線導体層13の厚みＴを加えた長さ以下の長さに設
定した範囲内で形成しておくことが重要である。

【００４６】これは、距離Ｌが貫通孔９の高さＨ未満の
長さの場合は、貫通孔９の内壁に後述するめっきによっ
て金属めっき層が貫通孔９の底面および第２の配線導体
層13である金属箔の端面から同時に形成されるため、第
２の配線導体層13である金属箔の端面からの金属めっき
層の形成によって貫通孔９の底面からの金属めっき層の
形成が阻害され、貫通孔９内に金属めっきの未充填部分
を含むこととなり機械的接続信頼性を低下させるためで
ある。また、距離Ｌが貫通孔９の高さＨに第２の配線導
体層13の厚みＴを加えた長さを超える場合は、第２の配
線導体層13の金属箔の端面からの金属めっき層の形成が
貫通孔９の上面端に接続されないこととなり、配線導体
に断線が生じるためである。

【００４７】貫通孔９の上端外周からこれに接続される
第２の配線導体層13である金属箔は、貫通孔９の上端外
周からこれを取り囲むように形成し、外部端子との接続
を行なうパッドを形成することができ、機械的な接続信
頼性および電気的な接続信頼性を高くすることができ
る。

【００４８】しかしながら、例えば配線基板５内の電気
的な接続のみを目的とするのであれば、図６に図５に示
した配線基板５の要部におけるめっきレジスト18を塗布
する前の要部拡大平面図で示すように、第２の配線導体
層13である金属箔は、貫通孔９の上端外周からこれを取
り囲むように形成する必要はなく、接続に必要な方向に
のみ形成すればよい。これにより、配線密度をさらに高
くすることができる。

【００４９】そして、無電解めっき法によって貫通孔導
体４を形成する際に、上面のめっきレジスト18によって
第２の配線導体層13である金属箔の表面（上面）には金
属めっきは析出されず、第２の配線導体層13である金属
箔の端面からのみ金属めっき層が形成され、この金属め
っき層が貫通孔９の底面から析出して貫通孔９の内部を
充填した金属めっきと接続することによって、貫通孔導
体４が形成される。

【００５０】以上のようにして、絶縁層１の下面に配設
された第１の配線導体層２および絶縁層１の上面に配設
された第２の配線導体層13と、第１の配線導体層２上の
絶縁層１に形成された貫通孔９に充填された金属めっき
から成る貫通孔導体４とを具備し、貫通孔導体４によっ
て第１の配線導体層２と第２の配線導体層13とが電気的
に接続された配線基板５を作製することができる。そし
て、本発明の配線基板５によれば、貫通孔９の上端外周
からこれに接続される第２の配線導体層13の端面までの
距離Ｌを、貫通孔９の高さＨおよび第２の配線導体層13
の厚みＴに対して、高さＨ以上の長さとし、かつ高さＨ
に厚みＴを加えた長さ以下としたことこら、直径が数ｎ
ｍの金属めっきで貫通孔９の内部が緻密に充填されて形
成された貫通孔導体４を有するものとなり、低電気抵抗
であり、かつ貫通孔９内に未充填部分が存在しない貫通
孔導体４によって第１および第２の配線導体層２・13間
を電気的に接続することができ、高い機械的接続信頼性
と電気的接続信頼性を有する高密度配線が可能である。

【００５１】なお、本発明の配線基板は上述の実施の形
態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱
しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば上
述の実施の形態の例では、本発明の配線基板を半導体素
子を搭載する配線基板に適用したが、混成集積回路基板
等の他の用途に適用してもよい。

【００５２】

【発明の効果】本発明の配線基板によれば、貫通孔導体
が形成される貫通孔の上端外周からこれを取り囲む第２
の配線導体層の内周端までの距離Ｌを、貫通孔の高さＨ
および第２の配線導体層の厚みＴに対して、高さＨ以上
の長さとし、かつ高さＨに厚みＴを加えた長さ以下とし
たことから、第２の配線導体層である金属箔の端面から
金属めっきが優先的に析出しても、貫通孔の底面から同
じ析出速度で析出する金属めっきによって貫通孔が充填
される前に貫通孔の上面を覆うことがないため、貫通孔
の底面からの金属めっきの析出を阻害することがなく、
貫通孔の内部に未充填部分が形成されることがない。そ
の結果、機械的接続信頼性および電気的接続信頼性を高
くすることができる。

【００５３】また、本発明の配線基板によれば、貫通孔
導体が形成される貫通孔の上端外周からこれに接続され
る第２の配線導体層の端面までの距離Ｌを、貫通孔の高
さＨおよび第２の配線導体層の厚みＴに対して、高さＨ
以上の長さとし、かつ高さＨに厚みＴを加えた長さ以下
としたことから、第２の配線導体層である金属箔の端面
から金属めっきが優先的に析出しても、貫通孔の底面か
ら同じ析出速度で析出する金属めっきによって貫通孔が
充填される前に貫通孔の上面を覆うことがないため、貫
通孔の底面からの金属めっきの析出を阻害することがな
く、貫通孔の内部に未充填部分が形成されることがな
い。その結果、機械的接続信頼性および電気的接続信頼
性を高くすることができる。

【００５４】以上により、本発明によれば、直径が数ｎ
ｍの金属めっきで貫通孔が緻密に充填され、低電気抵抗
であり、かつ貫通孔内に未充填部分が存在せず、高い機
械的接続信頼性および電気的接続信頼性を有する貫通孔
導体を形成した高密度配線が可能な配線基板を提供する
ことができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す断
面図である。

【図２】図１に示す配線基板の要部拡大断面図である。

【図３】図２に示す配線基板の要部における金属めっき
充填前の状態を示す要部拡大断面図である。

【図４】本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す要
部拡大断面図である。

【図５】図４に示す配線基板の要部における金属めっき
充填前の状態を示す要部拡大断面図である。

【図６】図５に示す配線基板の要部におけるめっきレジ
ストを塗布する前の要部拡大平面図である。

【符号の説明】

１・・・絶縁層２・・・第１の配線導体層３・・・第２の配線導体層４・・・貫通孔導体５・・・配線基板６・・・半導体素子７・・・半田ボール８・・・離型性フィルム９・・・貫通孔 13・・・第２の配線導体層 18・・・めっきレジスト

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】金属箔から成り、絶縁層の下面に配設さ
れた第１の配線導体層および前記絶縁層の上面に配設さ
れた第２の配線導体層と、前記第１の配線導体層上の前
記絶縁層に形成された貫通孔に充填された金属めっきか
ら成り、前記第１および第２の配線導体層間を電気的に
接続する貫通孔導体とを具備し、前記貫通孔の上端外周
からこれを取り囲む前記第２の配線導体層の内周端まで
の距離Ｌを、前記貫通孔の高さＨおよび前記第２の配線
導体層の厚みＴに対して、高さＨ以上の長さとし、かつ
高さＨに厚みＴを加えた長さ以下としたことを特徴とす
る配線基板。
【請求項２】金属箔から成り、絶縁層の下面に配設さ
れた第１の配線導体層および前記絶縁層の上面に配設さ
れた第２の配線導体層と、前記第１の配線導体層上の前
記絶縁層に形成された貫通孔に充填された金属めっきか
ら成り、前記第１および第２の配線導体層間を電気的に
接続する貫通孔導体とを具備し、前記貫通孔の上端外周
からこれに接続される前記第２の配線導体層の端面まで
の距離Ｌを、前記貫通孔の高さＨおよび前記第２の配線
導体層の厚みＴに対して、高さＨ以上の長さとし、かつ
高さＨに厚みＴを加えた長さ以下としたことを特徴とす
る配線基板。