JP2003257701A

JP2003257701A - セラミック電子部品

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Publication number: JP2003257701A
Application number: JP2002059971A
Authority: JP
Inventors: Yoshiyuki Yamashita; 是如山下; Kazuto Miyagawa; 和人宮川
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2002-03-06
Filing date: 2002-03-06
Publication date: 2003-09-12
Anticipated expiration: 2022-03-06
Also published as: JP4122801B2

Abstract

(57)【要約】【課題】自己発熱するセラミック電子部品本体を備
え、このセラミック電子部品本体に取り付けられる端子
部材を備える、セラミック電子部品において、セラミッ
ク電子部品本体からの熱が基板に伝わりにくくし、基板
温度の上昇を抑制する。【解決手段】セラミック電子部品本体２２および端子
部材２４に熱結合されるように、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、
Ｓｉ₃Ｏ₄またはＳｉＣのような熱伝導性の良好な電気
絶縁性材料からなる放熱板材３５を設ける。放熱板材３
５は、端子部材２４間に位置しかつセラミック電子部品
本体２２の１つの側面３８に対向する平面３９を有し、
セラミック電子部品本体２２に対しては接着剤３６によ
って接合され、端子部材２４に対しては接着剤３７によ
って接合される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、セラミック電子
部品に関するもので、特に、自己発熱するセラミック電
子部品本体を備え、かつ金属板からなる端子部材がセラ
ミック電子部品に取り付けられた、セラミック電子部品
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】電子機器の小型化に伴い、そこで用いら
れる電子部品の小型化が進んでいる。電子部品の小型化
を図る有効な方法として、電子部品をチップ化し、かつ
表面実装可能な形態とする方法がある。しかしながら、
サーミスタや中高圧用途に向けられる積層セラミックコ
ンデンサのように、自己発熱の無視できないセラミック
電子部品では、チップ化かつ表面実装化されると、これ
を実装する基板の温度が問題となり、そのため、チップ
状のセラミック電子部品本体に別部材としての端子部材
を取り付けた、いわゆるリードタイプのものが未だに主
流となっている。リードタイプのセラミック電子部品で
は、セラミック電子部品本体に生じる熱が基板に伝達さ
れることが、端子部材によって緩和されることができ
る。

【０００３】端子部材が取り付けられたセラミック電子
部品であっても、これを表面実装可能とするため、たと
えば特開平１１−４０４５４号公報では、図１５に示す
ような構造が提案されている。

【０００４】図１５に示したセラミック電子部品１は、
２つのチップ状のセラミック電子部品本体２を備え、各
セラミック電子部品本体２の両端部には、端子電極３が
形成されている。セラミック電子部品本体２は、同じ向
きに配向されながら上下に積み重ねられ、接着剤４によ
り接合されている。

【０００５】２つのセラミック電子部品本体２の各々の
端子電極３には、端子部材５が共通して取り付けられて
いる。端子部材５は、所定の折り返し部６において折り
返された形態を有する金属板をもって構成される。

【０００６】端子部材５は、その折り返し状態において
外側に向く面を端子電極３に対向させながら、折り返し
部６を介して一方側部分７において、各端子電極３にた
とえば半田または導電性接着剤のような導電性接合８に
よって取り付けられている。端子部材５のこの一方側部
分７は、その端部において、セラミック電子部品本体２
の各端部を覆うように折り曲げられている。

【０００７】端子部材５の、折り返し部６を介して他方
側部分９は、１点鎖線で示した基板１０への取付け側と
なるもので、その端部は、基板１０に沿うように折り曲
げられて接続端子部１１を構成している。

【０００８】このセラミック電子部品１は、端子部材５
を取り付けた構造を有するものであるが、この端子部材
５の接続端子部１１が基板１０に沿うように延びている
ので、表面実装が可能である。特に、図１５に示したよ
うに、接続端子部１１が他方側部分９を内側に折り曲げ
て形成された場合、表面実装により適した形態となる。

【０００９】また、図１５に示したセラミック電子部品
１によれば、セラミック電子部品本体２での発熱は、端
子部材５を通して基板１０に伝達される。このとき、端
子部材５は、折り返された形態を有しているので、セラ
ミック電子部品１全体としての寸法の増大をそれほど招
くことなく、熱の伝わる経路を長くとることができる。
そのため、端子部材５から十分に放熱させることがで
き、基板１０の温度上昇を抑えるのに有効である。

【００１０】特に、図１５に示したように、端子部材５
の折り返し部６を介しての一方側部分７と他方側部分９
とが互いに接触しないようにされていると、上述した放
熱効果をより高めることができる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１５
に示したセラミック電子部品１では、端子部材５の寸
法、表面積および材質等によって、基板１０の温度上昇
に対する抑制効果がほぼ決まる。そのため、基板１０の
温度上昇に対して十分な抑制効果を得ようとする場合に
は、端子部材５の寸法および表面積を単純には小さくす
ることができず、その結果、セラミック電子部品１の小
型化を阻害するという問題に遭遇する。

【００１２】そこで、この発明の目的は、上述のような
問題を解決し得るセラミック電子部品を提供しようとす
ることである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】この発明は、両端部に端
子電極が形成された、チップ状のセラミック電子部品本
体と、所定の折り返し部において折り返された形態を有
する金属板をもって構成され、折り返し状態において外
側に向く面を端子電極に対向させながら折り返し部を介
して一方側部分が各端子電極に取り付けられ、折り返し
部を介して他方側部分が基板への取付け側とされた、端
子部材とを備える、セラミック電子部品に向けられるも
のであって、上述した技術的課題を解決するため、セラ
ミック電子部品本体および／または端子部材に熱結合さ
れた、放熱体をさらに備えることを特徴としている。

【００１４】上述の放熱体は、たとえば、電気絶縁性材
料からなる放熱板材をもって構成される。この電気絶縁
材料としては、好ましくは、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、Ｓｉ
₃Ｏ ₄およびＳｉＣから選ばれた１種が用いられる。ま
た、放熱板材は、接着剤によってセラミック電子部品本
体および／または端子部材に接合されることが好まし
い。

【００１５】放熱体は、金属からなる複数の放熱フィン
を含むフィンアセンブリをもって構成されてもよい。上
述の金属としては、アルミニウムまたはチタンが好適に
用いられる。また、フィンアセンブリは、電気絶縁性接
着剤によってセラミック電子部品本体および／または端
子部材に接合されることが好ましい。

【００１６】セラミック電子部品本体は、典型的には、
端子部材が形成された２つの端面および端面間を連結す
る４つの側面を有する直方体形状をなしている。この場
合、放熱体は、端子部材間に位置しかつセラミック電子
部品本体の１つの側面に対向する平面を有していること
が好ましい。また、放熱体の上述の平面は、これに対向
するセラミック電子部品本体の側面と実質的に同じ寸法
を有していることがより好ましい。

【００１７】放熱体は、セラミック電子部品本体および
／または端子部材の一部を覆うように形成される電気絶
縁性樹脂からなる放熱厚膜をもって構成されてもよい。
この場合、電気絶縁性樹脂としては、シリコーンゴムが
好適に用いられる。また、放熱厚膜は、セラミック電子
部品本体および端子部材の各一部を端子部材の折り返し
部側から未硬化の電気絶縁性樹脂中にディップし、次い
で電気絶縁性樹脂を焼き付けることによって形成された
ものであることが好ましい。この場合、端子部材の折り
返し状態において内側に向く面には、未硬化の電気絶縁
性樹脂をはじく性質のある樹脂はじきコートが施されて
いることが好ましい。この樹脂はじきコートは、たとえ
ば、フッ素樹脂から構成される。

【００１８】この発明に係るセラミック電子部品におい
て、端子部材の材質は、鉄、ステンレス鋼およびリン青
銅から選ばれた１種であることが好ましい。

【００１９】端子部材の折り返し部を介しての一方側部
分と他方側部分とは、互いに接触しないようにされてい
ることが好ましい。

【００２０】端子部材の折り返し状態において内側に向
く面には、半田になじまない半田非親和面が形成され、
かつ端子部材の折り返し状態において外側に向く面に
は、半田になじむ半田親和面が形成されていることが好
ましい。

【００２１】端子部材には、穴またはスリットが設けら
れていてもよい。

【００２２】

【発明の実施の形態】図１は、この発明の第１の実施形
態によるセラミック電子部品２１を示す正面図である。
図２は、図１の部分Ａを拡大して断面で示す正面図であ
る。

【００２３】セラミック電子部品２１は、たとえば負特
性サーミスタを構成するチップ状のセラミック電子部品
本体２２を備えている。セラミック電子部品本体２２を
構成するセラミック材料としては、たとえば、Ｍｎ、Ｎ
ｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ、ＣｒおよびＺｒのうちの
少なくとも２種を含む化合物、またはＬａ系酸化物もし
くはＣｏ系酸化物が用いられる。

【００２４】セラミック電子部品本体２２の両端部に
は、端子電極２３が形成されている。端子電極２３は、
導電成分として、たとえばＡｇまたはＡｇ−Ｐｄ合金な
どを含んでいる。端子電極２３は、導電性ペーストを付
与し焼き付ける厚膜形成技術により形成されても、スパ
ッタリング、蒸着、めっき等の薄膜形成技術により形成
されても、さらには、厚膜形成技術により形成された厚
膜上にめっきを施すことによって形成されてもよい。

【００２５】セラミック電子部品２１は、また、端子部
材２４を備えている。端子部材２４は、セラミック電子
部品本体２２の端子電極２３の各々に取り付けられるも
ので、所定の折り返し部２５において折り返された形態
を有する金属板をもって構成されている。

【００２６】端子部材２４は、折り返し状態において外
側に向く面を各端子電極２３に対向させながら、折り返
し部２５を介して一方側部分２６において、各端子電極
２３にたとえば半田または導電性接着剤のような導電性
接合材２７によって取り付けられている。端子部材２４
の一方側部分２６は、その端部において、セラミック電
子部品本体２２の各端部を覆うように折り曲げられてい
る。

【００２７】端子部材２４の、折り返し部２５を介して
他方側部分２８は、１点鎖線で示した基板２９への取付
け側となるもので、その端部は、基板２９に沿うように
さらに折り曲げられて接続端子部３０を構成している。
なお、図１において、接続端子部３０は、実線で示すよ
うに内側に折り曲げられて形成されることが好ましい
が、破線で示すように外側に折り曲げられて形成されて
もよい。

【００２８】端子部材２４の折り返し部２５を介しての
一方側部分２６と他方側部分２８とは、たとえば０．５
ｍｍ程度の間隔をもって互いに接触しないようにされて
いる。

【００２９】端子部材２４の材質としては、たとえば、
鉄、ステンレス鋼またはリン青銅のように熱伝導性の低
いものを用いることが好ましい。

【００３０】また、端子部材２４の折り返し状態におい
て内側に向く面には、半田になじまない半田非親和面３
１が形成され、同じく外側に向く面には、半田になじむ
半田親和面３２が形成されている。

【００３１】この実施形態では、図２に示すように、半
田非親和面３１を与えるため、端子部材２４の表面に、
たとえば、非導電性樹脂、ゴムまたは導電性樹脂のよう
な樹脂を含む材料からなる半田非親和層３３が形成され
る。半田非親和面３１を与えるため、このような樹脂を
含む半田非親和層３３の形成に代えて、端子部材２４を
構成する金属板の表面を酸化するといった化学的処理を
施して半田非親和層３３を形成しても、あるいは、半田
非親和層３３を特に形成することなく、端子部材２４を
構成する金属板の材質として、半田になじまないものを
用いるようにしてもよい。

【００３２】他方、半田親和面３２を与えるため、端子
部材２４の表面には、半田、Ａｕ、ＡｇまたはＰｄなど
のめっき等による半田親和層３４が形成される。なお、
半田親和面３２を与えるため、このような半田親和層３
４を特に形成することなく、端子部材２４を構成する金
属板の材質として、半田付け性の良好なものを用い、こ
の金属板の表面自身によって半田親和面３２を与えるよ
うにしてもよい。

【００３３】上述のように、端子部材２４の折り返し状
態において外側に向く面に半田親和面３２が形成されて
いるので、導電性接合材２７として半田が用いられる場
合、端子部材２４と端子電極２３とを良好に半田付けす
ることができ、また、このセラミック電子部品２１を基
板２９上に実装するときに付与される半田（図示せ
ず。）は、この半田親和面３２と基板２９とを良好に接
続するように回り込み、信頼性の高い電気的接続状態を
達成する。

【００３４】他方、端子部材２４の折り曲げ状態におい
て内側に向く面には、半田非親和面３１が形成されてい
るので、上述の半田は、端子部材２４の折り返し部２５
を介して一方側部分２６と他方側部分２８との間の隙間
には回り込まず、それゆえ、この半田によるブリッジが
形成されることを確実に防止することができる。

【００３５】セラミック電子部品２１は、図１に示すよ
うに、セラミック電子部品本体２２および／または端子
部材２４に熱結合された放熱体としての放熱板材３５を
備えている。放熱板材３５は、電気絶縁性材料からな
り、この電気絶縁性材料としては、好ましくは、Ａｌ₂
Ｏ₃、ＡｌＮ、Ｓｉ₃Ｏ₄またはＳｉＣのような熱伝導
性の良好なものが用いられる。

【００３６】放熱板材３５は、この実施形態では、セラ
ミック電子部品本体２２に対しては接着剤３６によって
接合され、端子部材２４に対しては、接着剤３７によっ
て接着されている。その結果、放熱板材３５は、接着剤
３６を介して、セラミック電子部品本体２２に熱結合さ
れ、接着剤３７を介して、端子部材２４に熱結合されて
いる。このような構造を得るため、放熱板材３５の側面
に接着剤３６を付与するとともに、放熱板材３５の両端
面に接着剤３７を付与した状態としながら、放熱板材３
５をセラミック電子部品本体２２上であって端子部材２
４間に位置するように配置すればよい。接着剤３６およ
び３７としては、たとえばエポキシ系接着剤が好適に用
いられる。

【００３７】なお、放熱板材３５は、図１に示すよう
に、セラミック電子部品本体２２および端子部材２４の
双方に熱結合されていることが好ましいが、セラミック
電子部品本体２２のみに、あるいは端子部材２４のみに
熱結合されていてもよい。

【００３８】また、セラミック電子部品本体２２と放熱
板材３５との位置関係は、図１に示した位置関係とは上
下逆にされてもよい。

【００３９】放熱板材３５がセラミック電子部品本体２
２に熱結合される場合、放熱板材３５とセラミック電子
部品本体２２とは、互いに面を介して対向していること
が好ましい。より具体的には、セラミック電子部品本体
２２が、端子電極２３を形成した２つの端面およびこれ
ら端面間を連結する４つの側面を有する直方体形状をな
しているとき、放熱板材３５は、端子部材２４間に位置
しかつセラミック電子部品本体２２の１つの側面３８に
対向する平面３９を有していることが好ましい。さら
に、この場合において、放熱板材３５の平面３９は、こ
れに対向するセラミック電子部品本体２２の側面３８と
実質的に同じ寸法を有していることがより好ましい。

【００４０】以上説明した第１の実施形態によるセラミ
ック電子部品２１によれば、放熱板材３５がセラミック
電子部品本体２２および端子部材２４と熱結合されてい
るため、良好な熱放散性を得ることができ、したがっ
て、セラミック電子部品本体２２における自己発熱によ
って端子部材２４を介して基板２９に伝わる熱を抑える
ことができる。

【００４１】図３は、この発明の第２の実施形態による
セラミック電子部品４１を示す、図１に相当する図であ
る。図３において、図１に示した要素に相当する要素に
は同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

【００４２】図３に示したセラミック電子部品４１で
は、放熱体として、金属からなる複数の放熱フィン４２
を含むフィンアセンブリ４３が用いられることを特徴と
している。放熱フィン４２を構成する金属としては、た
とえばアルミニウムまたはチタンのような熱伝導性の良
好なものが用いられることが好ましい。

【００４３】フィンアセンブリ４３は、電気絶縁性接着
剤４４によってセラミック電子部品本体２２および端子
部材２４に接合されている。これによって、フィンアセ
ンブリ４３は、セラミック電子部品本体２２および端子
部材２４の双方に熱結合される。電気絶縁性接着剤４４
としては、たとえばエポキシ系接着剤が好適に用いられ
る。

【００４４】フィンアセンブリ４３の場合においても、
図１に示した放熱板材３５の場合と同様、端子部材２４
間に位置しかつセラミック電子部品本体２２の１つの側
面３８に対向する平面４５を有していることが好まし
く、さらに好ましくは、この平面４５は、側面３８と実
質的に同じ寸法を有するようにされる。

【００４５】以上説明した第２の実施形態によるセラミ
ック電子部品４１によれば、フィンアセンブリ４３がセ
ラミック電子部品本体２２および端子部材２４と熱結合
されているため、良好な熱放散性を得ることができ、し
たがって、セラミック電子部品本体２２における自己発
熱によって端子部材２４を介して基板２９に伝わる熱を
抑えることができる。

【００４６】なお、フィンアセンブリ４３は、セラミッ
ク電子部品本体２２および端子部材２４のいずれか一方
にのみ熱結合されてもよい。また、フィンアセンブリ４
３とセラミック電子部品本体２２との位置関係は、図３
に示した位置関係とは上下逆にされてもよい。

【００４７】図３に示したフィンアセンブリ４３は、縦
方向に延びる多数の放熱フィン４２を備えるものであっ
たが、その形態は任意に変更することができる。フィン
アセンブリのいくつかの変形例について、以下に図４な
いし図６を参照して説明する。

【００４８】図４に示したフィンアセンブリ４３ａは、
横方向に延びる多数の放熱フィン４２ａを備えている。

【００４９】図５に示したフィンアセンブリ４３ｂは、
縦方向に延びる多数の放熱フィン４２ｂを形成するよう
に、ジグザグ状に屈曲された形状の部分を備えている。

【００５０】図６に示したフィンアセンブリ４３ｃは、
貫通孔４６を設けることによって形成された多数の放熱
フィン４２ｃを備えている。

【００５１】図７は、セラミック電子部品の熱放散性を
評価するために実施した実験結果を示すもので、電流値
に対する基板温度の変化を示す図である。

【００５２】この実験例では、比較例として、図１５に
示した構成を有するセラミック電子部品１を採用し、実
施例１として、図１に示した構成を有するセラミック電
子部品２１を採用し、実施例２として、図３に示した構
成を有するセラミック電子部品４１を採用した。

【００５３】これら比較例ならびに実施例１および２に
おいて、セラミック電子部品本体２および２２として、
平面寸法が３．２ｍｍ×１．６ｍｍでありかつ厚みが
１．０ｍｍの負特性サーミスタを用いた。ここで、比較
例では、２５℃での抵抗値が１６Ωの２つの負特性サー
ミスタを用い、図１５に示すように並列接続されたと
き、全体としての抵抗値が８Ωとなるようにした。他
方、実施例１および２では、２５℃での抵抗値が８Ωの
負特性サーミスタを１つずつ用いた。

【００５４】また、実施例１では、放熱板材３５とし
て、Ａｌ₂Ｏ₃からなるものを用い、実施例２では、ア
ルミニウムからなる放熱フィン４２を備えるフィンアセ
ンブリ４３を用いた。

【００５５】その他の条件については、比較例ならびに
実施例１および２の各々について同一とした。

【００５６】図７からわかるように、実施例１および２
によれば、比較例に比べて、基板温度の上昇が抑えられ
ていて、良好な熱放散性が得られている。それゆえ、同
じ電流値の下で、基板温度を同じにするには、比較例に
比べて、実施例１および２の方が負特性サーミスタすな
わちセラミック電子部品本体の寸法を小さくできること
がわかる。

【００５７】図８は、この発明の第３の実施形態による
セラミック電子部品５１を示す正面図である。図９は、
図８の部分Ａを拡大して断面で示す正面図である。

【００５８】セラミック電子部品５１は、たとえばサー
ミスタを構成するチップ状のセラミック電子部品本体５
２を備えている。セラミック電子部品本体５２を構成す
るセラミック材料としては、たとえば、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃ
ｏ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ、ＣｒおよびＺｒのうちの少なく
とも２種を含む化合物、またはＬａ系酸化物もしくはＣ
ｏ系酸化物が用いられる。

【００５９】セラミック電子部品本体５２の両端部に
は、端子電極５３が形成されている。端子電極５３に含
まれる導電成分としては、たとえば、ＡｇまたはＡｇ−
Ｐｄ合金等が用いられる。端子電極５３は、導電性ペー
ストを付与し焼き付ける厚膜形成技術により形成されて
も、スパッタリング、蒸着、めっき等の薄膜形成技術に
より形成されても、さらには、厚膜形成技術により形成
された厚膜上にめっきを施すことによって形成されても
よい。

【００６０】上述したセラミック電子部品本体５２の端
子電極５３の各々には、端子部材５４が取り付けられて
いる。端子部材５４は、所定の折り返し部５５において
折り返された形態を有する金属板をもって構成される。
端子部材５４は、折り返し状態において外側に向く面を
各端子電極５３に対向させながら、折り返し部５５を介
して一方側部分５６において、各端子電極５３にたとえ
ば半田または導電性接着剤のような導電性接合材５７に
よって取り付けられている。端子部材５４の一方側部分
５６は、その端部において、セラミック電子部品本体５
２の各端部を覆うように折り曲げられている。

【００６１】端子部材５４の、折り返し部５５を介して
他方側部分５８は、１点鎖線で示した基板５９への取付
け側となるもので、その端部は、基板５９に沿うように
さらに折り曲げられて接続端子部６０を構成している。
なお、接続端子部６０は、図８に示すように、内側に折
り曲げられて形成されることが好ましいが、外側に折り
曲げられて形成されてもよい。

【００６２】端子部材５４の折り返し部５５を介しての
一方側部分５６と他方側部分５８とは、たとえば０．５
ｍｍ程度の間隔をもって互いに接触しないようにされて
いる。

【００６３】また、端子部材５４の材質としては、鉄、
ステンレス鋼またはリン青銅のような熱伝導性の低いも
のが用いられることが好ましい。

【００６４】図９に示すように、端子部材５４の折り返
し状態において内側に向く面には、半田になじまない半
田非親和面６１が形成され、他方、同じく外側に向く面
には、半田になじむ半田親和面６２が形成されている。

【００６５】この実施形態では、半田非親和面６１は、
端子部材５４を構成する金属板の表面に、たとえば、非
導電性樹脂、ゴムまたは導電性樹脂のような樹脂を含む
材料からなる半田非親和層６３を形成することによって
与えられている。なお、半田非親和面６１を与えるた
め、このような樹脂を含む半田非親和層６３の形成に代
えて、端子部材５４の表面を酸化するといった化学的処
理を施すことによって半田非親和層６３を形成しても、
あるいは、端子部材５４を構成する金属板として、半田
付け性の悪いものを用い、この金属板自身の表面によっ
て半田非親和面６１を与えるようにしてもよい。

【００６６】他方、半田親和面６２は、端子部材５４を
構成する金属板の表面に、たとえば、半田、Ａｕ、Ａｇ
またはＰｄのような半田付け性の良好な金属をめっきす
ることによって形成された半田親和層６４によって与え
られている。なお、半田親和面６２を与えるため、端子
部材５４を構成する金属板として、半田付け性の良好な
金属からなるものを用い、この金属板自身の表面によっ
て半田親和面６２を与えるようにしてもよい。

【００６７】上述のように、端子部材５４の折り返し状
態において内側に向く面には、半田非親和面６１が形成
されているので、導電性接合材５７として半田が用いら
れる場合、この半田は、端子部材５４の折り返し部５５
を介しての一方側部分５６と他方側部分５８との間の隙
間には回り込まず、それゆえ、この半田によるブリッジ
が形成されることを防止することができる。

【００６８】他方、端子部材５４の折り返し状態におい
て外側に向く面には、半田親和面６２が形成されている
ので、導電性接合材５７として半田が用いられる場合、
端子部材５４と端子電極５３との間で良好な半田付けを
達成することができる。また、このセラミック電子部品
５１を基板５９上に実装するときに付与される半田（図
示せず。）は、この半田親和面６２と基板５９とを良好
に接続するように回り込み、信頼性の高い電気的接続状
態を達成することができる。

【００６９】セラミック電子部品５１は、放熱体とし
て、セラミック電子部品本体５２および／または端子部
材５４の一部を覆うように形成される電気絶縁性樹脂か
らなる放熱厚膜６５を備えている。この実施形態では、
放熱厚膜６５は、セラミック電子部品本体５２および端
子部材５４の双方の各一部を覆うように形成されてい
る。放熱厚膜６５を構成する電気絶縁性樹脂としては、
たとえばシリコーンゴムが有利に用いられる。

【００７０】上述した放熱厚膜６５は、セラミック電子
部品本体５２および端子部材５４の各一部を端子部材５
４の折り返し部５５側から未硬化の電気絶縁性樹脂中に
ディップし、次いでこの電気絶縁性樹脂を焼き付けるこ
とによって形成されることができる。

【００７１】上述した電気絶縁性樹脂中へのディップに
おいて、端子部材５４の折り返し状態において内側に向
く面に電気絶縁性樹脂が付与されることを防止するた
め、この内側に向く面には、図９に示すように、未硬化
の電気絶縁性樹脂をはじく性質のある樹脂はじきコート
６６が施されていることが好ましい。この樹脂はじきコ
ート６６は、たとえばフッ素樹脂によって与えられる。

【００７２】以上説明した第３の実施形態によるセラミ
ック電子部品５１によれば、放熱厚膜６５がセラミック
電子部品本体５２および端子部材５４と熱結合されてい
るため、良好な熱放散性を得ることができ、したがっ
て、セラミック電子部品本体５２における自己発熱によ
って端子部材５４を介して基板５９に伝わる熱を抑える
ことができる。

【００７３】図１０は、図７に相当する図である。すな
わち、図１０は、セラミック電子部品の熱放散性を評価
するために実施した実験結果を示すもので、電流値に対
する基板温度の変化を示す図である。

【００７４】この実験例において、比較例としては、図
７に示した比較例と同様、図１５に示した構成を有する
セラミック電子部品１を採用し、実施例としては、図８
に示した構成を有するセラミック電子部品５１を採用し
た。

【００７５】また、セラミック電子部品本体２および５
２としては、図７に示した実験例の場合と同様、平面寸
法が３．２ｍｍ×１．６ｍｍでありかつ厚みが１．０ｍ
ｍの負特性サーミスタを用いた。

【００７６】また、比較例では、負特性サーミスタとし
て、２５℃での抵抗値が１６Ωのものを２つ用い、これ
ら並列接続されたものの抵抗値が８Ωとなるようにし
た。他方、実施例では、負特性サーミスタとして、２５
℃での抵抗値が８Ωのものを用いた。

【００７７】さらに、実施例では、放熱厚膜６５をシリ
コーンゴムから構成した。

【００７８】その他の条件については、比較例と実施例
とで同一とした。

【００７９】図１０からわかるように、実施例によれ
ば、比較例に比べて、基板温度の上昇が抑えられ、良好
な熱放散性を示している。それゆえ、同じ電流値の下で
基板温度を同じにするには、比較例に比べて、実施例の
方が負特性サーミスタすなわちセラミック電子部品本体
の寸法を小さくできることがわかる。

【００８０】以上、この発明を図示した実施形態に関連
して説明したが、この発明の範囲内において、その他、
種々の変形例が可能である。

【００８１】たとえば、端子部材２４および５４に関し
て、図１１ないし図１４にそれぞれ示すような変形例が
採用されてもよい。図１１ないし図１４は、それぞれ、
端子部材を、たとえば図１の左側から示した図に相当す
る。

【００８２】図１１に示した端子部材７１では、円形の
穴７２が設けられている。

【００８３】図１２に示した端子部材７３では、矩形の
穴７４が設けられている。

【００８４】図１３に示した端子部材７５では、縦方向
に延びる複数のスリット７６が設けられている。

【００８５】図１４に示した端子部材７７では、横方向
に延びる複数のスリット７８が設けられている。

【００８６】これら端子部材７１、７３、７５および７
７にそれぞれ設けられた穴７２および７４ならびにスリ
ット７６および７８は、熱が基板に伝わるのを抑制する
ためのものである。穴７２および７４ならびにスリット
７６および７８の大きさおよび分布状態については、端
子部材７１、７３、７５および７７の各々において必要
とされる機械的強度を考慮して決定される。

【００８７】このように、端子部材に設けられる穴また
はスリットとしては、図１１ないし図１４に示した形態
以外の形態であってもよい。

【００８８】また、図示した実施形態では、１つのセラ
ミック電子部品２１、４１および５１の各々において、
それぞれ、１つのセラミック電子部品本体２２および５
２を備えるものであったが、複数のセラミック電子部品
本体を備えるものであってもよい。

【００８９】また、この発明は、図示した実施形態のよ
うに、サーミスタを構成するセラミック電子部品本体を
備えるセラミック電子部品に限らず、たとえば、中高圧
用途の積層セラミックコンデンサのように、自己発熱の
無視できないセラミック電子部品本体を備えるセラミッ
ク電子部品であれば、どのようなセラミック電子部品に
対しても適用することができる。

【００９０】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、セラ
ミック電子部品本体および／またはそれに取り付けられ
る端子部材に熱結合された、放熱体を備えているので、
セラミック電子部品本体の自己発熱によって生じる熱が
基板へと伝わることを抑えることができ、基板の不所望
な温度上昇を抑えることができる。

【００９１】また、上述のように、放熱体によって、熱
放散性が高められるので、基板温度を同じにする場合に
は、セラミック電子部品本体からの自己発熱がより大き
くなっても許容され、したがって、セラミック電子部品
本体の寸法を小さくすることができ、ひいては、セラミ
ック電子部品全体としても、寸法を小さくすることがで
きる。

【００９２】放熱体として、電気絶縁性材料からなる放
熱板材が用いられる場合、または金属からなる複数の放
熱フィンを含むフィンアセンブリが用いられる場合に
は、これら放熱板材またはフィンアセンブリは、チップ
状のセラミック電子部品本体と同様の方法で取り扱うこ
とができ、したがって、セラミック電子部品の組立工程
が複雑になることを避けることができる。

【００９３】上述した放熱板材を構成する電気絶縁性材
料が、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、Ｓｉ₃Ｏ₄およびＳｉＣか
ら選ばれた１種が用いられると、これら電気絶縁性材料
の熱伝導性が比較的高いため、より高い熱放散性を実現
することができる。

【００９４】また、フィンアセンブリに備える放熱フィ
ンを構成する金属として、アルミニウムまたはチタンが
用いられると、これら金属の熱伝導性が比較的高いた
め、より高い熱放散性を実現することができる。

【００９５】放熱体が、端子部材間に位置しかつセラミ
ック電子部品本体の１つの側面に対向する平面を有して
いると、セラミック電子部品本体から放熱体へ効率的に
熱が伝達されるので、放熱体が有する熱放散性をより効
果的に機能させることができる。

【００９６】上述の場合において、放熱体の前記平面
が、これに対向するセラミック電子部品本体の側面と実
質的に同じ寸法を有していると、放熱体による放熱効果
を最大限に発揮させながら、放熱体の寸法のために、セ
ラミック電子部品の寸法が増大することを防止すること
ができる。

【００９７】放熱体として、セラミック電子部品本体お
よび／または端子部材の一部を覆うように形成される電
気絶縁性樹脂からなる放熱厚膜が用いられると、これを
形成するため、たとえばディップ法などの簡易な方法を
適用することができる。たとえば、放熱厚膜がセラミッ
ク電子部品本体および端子部材の双方の各一部を覆うよ
うに形成される場合には、セラミック電子部品本体およ
び端子部材の各一部を端子部材の折り返し部側から未硬
化の電気絶縁性樹脂中にディップし、次いで電気絶縁性
樹脂を焼き付けることによって、放熱厚膜を容易に形成
することができる。

【００９８】上述の放熱厚膜を構成する電気絶縁性樹脂
がシリコーンゴムから構成されるとき、放熱厚膜の形成
が容易であるとともに、比較的高い熱放散性を与えるこ
とができる。

【００９９】また、ディップ法によって放熱厚膜が形成
される場合、端子部材の折り返し状態において内側に向
く面に、未硬化の電気絶縁性樹脂をはじく性質のある樹
脂はじきコートが施されていると、端子部材の折り返し
状態における内側に向く面に電気絶縁性樹脂が不所望に
も付与されることを確実に防止することができる。

【０１００】端子部材の材質として、鉄、ステンレス鋼
およびリン青銅から選ばれた１種が用いられると、これ
ら金属の熱伝導性が比較的低いため、セラミック電子部
品本体から基板に伝えられる熱を抑制するのにより効果
的である。

【０１０１】また、端子部材の折り返し部を介しての一
方側部分と他方側部分とが互いに接触しないようにされ
ていると、セラミック電子部品本体から基板へと至る熱
の経路を長くとることができ、したがって、基板へと伝
わる熱をより低減することができる。

【０１０２】端子部材の折り返し状態において内側に向
く面には、半田になじまない半田非親和面が形成され、
かつ端子部材の折り返し状態において外側に向く面に
は、半田になじむ半田親和面が形成されていると、端子
部材とセラミック電子部品本体上の端子電極との半田付
けおよび端子部材と基板との半田付けを高い信頼性をも
って達成することができるとともに、端子部材の折り返
し部を介しての一方側部分と他方側部分との隙間に半田
が入り込むことを確実に防止し、これらの間で半田ブリ
ッジが形成されることを防止することができる。したが
って、端子部材が折り返された形態を有していることに
よる熱伝達を抑制する効果が、半田ブリッジによって阻
害されることを防止することができる。

【０１０３】端子部材に、穴またはスリットが設けられ
ていると、端子部材から基板に伝わる熱をより抑制する
ことができ、このことも、基板温度の上昇を抑制するの
に効果的に作用する。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施形態によるセラミック電
子部品２１の外観を示す正面図である。

【図２】図１の部分Ａを拡大して断面で示す正面図であ
る。

【図３】この発明の第２の実施形態によるセラミック電
子部品４１の外観を示す正面図である。

【図４】図３に示したフィンアセンブリ４３の第１の変
形例としてのフィンアセンブリ４３ａを示す正面図であ
る。

【図５】図３に示したフィンアセンブリ４３の第２の変
形例としてのフィンアセンブリ４３ｂを示す正面図であ
る。

【図６】図３に示したフィンアセンブリ４３の第３の変
形例としてのフィンアセンブリ４３ｃを示す正面図であ
る。

【図７】図１に示したセラミック電子部品２１（実施例
１）、図３に示したセラミック電子部品４１（実施例
２）および図１５に示したセラミック電子部品１（比較
例）の熱放散性を評価するために実施した実験結果を示
すもので、電流値に対する基板温度の変化を示す図であ
る。

【図８】この発明の第３の実施形態によるセラミック電
子部品５１の外観を示す正面図である。

【図９】図８の部分Ａを拡大して断面で示す正面図であ
る。

【図１０】図８に示したセラミック電子部品５１（実施
例）および図１５に示したセラミック電子部品１（比較
例）の熱放散性を評価するために実施した実験結果を示
すもので、電流値に対する基板温度の変化を示す図であ
る。

【図１１】この発明に係るセラミック電子部品に備える
端子部材の第１の変形例を示す、図１の左側から示した
図に相当する図である。

【図１２】この発明に係るセラミック電子部品に備える
端子部材の第２の変形例を示す、図１の左側から示した
図に相当する図である。

【図１３】この発明に係るセラミック電子部品に備える
端子部材の第３の変形例を示す、図１の左側から示した
図に相当する図である。

【図１４】この発明に係るセラミック電子部品に備える
端子部材の第４の変形例を示す、図１の左側から示した
図に相当する図である。

【図１５】この発明にとって興味ある従来のセラミック
電子部品１の外観を示す正面図である。

【符号の説明】

２１，４１，５１セラミック電子部品２２，５２セラミック電子部品本体２３，５３端子電極２４，５４，７１，７３，７５，７７端子部材２５，５５折り返し部２６，５６一方側部分２７，５７導電性接合材２８，５８他方側部分２９，５９基板３０，６０接続端子部３１，６１半田非親和面３２，６２半田親和面３５放熱板材３６，３７接着剤３８側面３９，４５平面４２，４２ａ，４２ｂ，４２ｃ放熱フィン４３，４３ａ，４３ｂ，４３ｃフィンアセンブリ４４電気絶縁性接着剤６５放熱厚膜６６樹脂はじきコート７２，７４穴７６，７８スリット

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】両端部に端子電極が形成された、チップ
状のセラミック電子部品本体と、所定の折り返し部において折り返された形態を有する金
属板をもって構成され、折り返し状態において外側に向
く面を前記端子電極に対向させながら前記折り返し部を
介して一方側部分が各前記端子電極に取り付けられ、前
記折り返し部を介して他方側部分が基板への取付け側と
された、端子部材と、前記セラミック電子部品本体および／または前記端子部
材に熱結合された、放熱体とを備える、セラミック電子
部品。
【請求項２】前記放熱体は、電気絶縁性材料からなる
放熱板材を備える、請求項１に記載のセラミック電子部
品。
【請求項３】前記電気絶縁性材料は、Ａｌ₂Ｏ₃、Ａ
ｌＮ、Ｓｉ₃Ｏ₄およびＳｉＣから選ばれた１種であ
る、請求項２に記載のセラミック電子部品。
【請求項４】前記放熱板材は、接着剤によって前記セ
ラミック電子部品本体および／または前記端子部材に接
合されている、請求項２または３に記載のセラミック電
子部品。
【請求項５】前記放熱体は、金属からなる複数の放熱
フィンを含むフィンアセンブリを備える、請求項１に記
載のセラミック電子部品。
【請求項６】前記金属は、アルミニウムまたはチタン
である、請求項５に記載のセラミック電子部品。
【請求項７】前記フィンアセンブリは、電気絶縁性接
着剤によって前記セラミック電子部品本体および／また
は前記端子部材に接合されている、請求項５または６に
記載のセラミック電子部品。
【請求項８】前記セラミック電子部品本体は、前記端
子電極が形成された２つの端面および前記端面間を連結
する４つの側面を有する直方体形状をなし、前記放熱体
は、前記端子部材間に位置しかつ前記セラミック電子部
品本体の１つの前記側面に対向する平面を有する、請求
項１ないし７のいずれかに記載のセラミック電子部品。
【請求項９】前記放熱体の前記平面は、これに対向す
る前記セラミック電子部品本体の前記側面と実質的に同
じ寸法を有する、請求項８に記載のセラミック電子部
品。
【請求項１０】前記放熱体は、前記セラミック電子部
品本体および／または前記端子部材の一部を覆うように
形成される電気絶縁性樹脂からなる放熱厚膜を備える、
請求項１に記載のセラミック電子部品。
【請求項１１】前記電気絶縁性樹脂は、シリコーンゴ
ムである、請求項１０に記載のセラミック電子部品。
【請求項１２】前記放熱厚膜は、前記セラミック電子
部品本体および前記端子部材の各一部を前記端子部材の
前記折り返し部側から未硬化の前記電気絶縁性樹脂中に
ディップし、次いで前記電気絶縁性樹脂を焼き付けるこ
とによって形成されたものである、請求項１０または１
１に記載のセラミック電子部品。
【請求項１３】前記端子部材の折り返し状態において
内側に向く面には、未硬化の前記電気絶縁性樹脂をはじ
く性質のある樹脂はじきコートが施されている、請求項
１２に記載のセラミック電子部品。
【請求項１４】前記樹脂はじきコートは、フッ素樹脂
からなる、請求項１３に記載のセラミック電子部品。
【請求項１５】前記端子部材の材質は、鉄、ステンレ
ス鋼およびリン青銅から選ばれた１種である、請求項１
ないし１４のいずれかに記載のセラミック電子部品。
【請求項１６】前記端子部材の前記折り返し部を介し
ての前記一方側部分と前記他方側部分とは、互いに接触
しないようにされている、請求項１ないし１５のいずれ
かに記載のセラミック電子部品。
【請求項１７】前記端子部材の折り返し状態において
内側に向く面には、半田になじまない半田非親和面が形
成され、かつ、前記端子部材の折り返し状態において外
側に向く面には、半田になじむ半田親和面が形成されて
いる、請求項１ないし１６のいずれかに記載のセラミッ
ク電子部品。
【請求項１８】前記端子部材には、穴またはスリット
が設けられている、請求項１ないし１７のいずれかに記
載のセラミック電子部品。