JP2003257323A

JP2003257323A - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法

Info

Publication number: JP2003257323A
Application number: JP2002053837A
Authority: JP
Inventors: Nobumitsu Aihara; 伸光相原
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 2002-02-28
Filing date: 2002-02-28
Publication date: 2003-09-12
Also published as: KR100547459B1; KR20030071476A

Abstract

(57)【要約】【課題】隔壁の高さを均一化して、隔壁と絶縁基板と
の間の隙間の発生を防止し、表示セルの誤灯及びパネル
騒音の発生を防止できるプラズマディスプレイパネル及
びその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板１の表面における表示領域１５
内に、第１の隔壁９が相互に平行且つ等間隔に複数設け
られ、表示領域１５を囲むように第２の隔壁２６が設け
られている。第１の隔壁９及び第２の隔壁２６は、ロー
ラにより隔壁ペースト層を塗布し、この隔壁ペースト層
をパターニングした後焼成して形成されたものである。
第２の隔壁２６は矩形状であり、隔壁ペーストの塗布方
向２７に平行な方向に延びる２本の部分２６ａ及び塗布
方向２７に直交する方向に延びる２本の部分２６ｂによ
り形成されている。部分２６ａの幅Ｗ_Ａは、部分２６ｂ
の幅Ｗ_Ｂよりも小さくなっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、対向する基板間に
形成され放電空間を区画する隔壁の高さを均一化したプ
ラズマディスプレイパネル及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】プラズマディスプレイパネル（以下、Ｐ
ＤＰともいう）は、薄型で大画面表示が比較的容易にで
きること、視野角が広いこと、応答速度が速いこと等の
特徴があるため、近時、フラットディスプレイとして開
発が進められている。

【０００３】図１５は、３電極面放電交流型プラズマデ
ィスプレイパネル（ＰＤＰ）における１つの表示セルの
構成を示す斜視図であり、図１６は従来のＰＤＰの隔壁
を示す平面図である。図１５に示すように、この表示セ
ルにおいては、背面基板である絶縁基板１及び前面基板
である絶縁基板２が相互に平行に設けられている。絶縁
基板１及び２はガラス等の透明材料により形成されてい
る。絶縁基板２における絶縁基板１に対向する表面に
は、複数本の透明な走査電極３及び共通電極４が所定の
間隔を隔てて交互に配置されている。走査電極上３及び
共通電極４上には、電極の電極抵抗値を小さくするため
に、夫々トレース電極５及び６が形成されている。ま
た、走査電極３、共通電極４、トレース電極５及び６を
覆うように、誘電体層１２が形成され、誘電体層１２上
にはこの誘電体層１２を放電から保護するＭｇＯなどか
らなる保護層１３が形成されている。

【０００４】また、絶縁基板１における絶縁基板２に対
向する表面には、走査電極３及び共通電極４に直交する
方向に延びる複数本のデータ電極７が設けられている。
データ電極７上には、このデータ電極７を覆うように誘
電体層１４が形成されている。

【０００５】絶縁基板１及び２の間には、放電ガス空間
８を確保すると共に表示セル（画素）を区画する第１の
隔壁９が設けられている。放電ガス空間８にはヘリウ
ム、ネオン及びキセノン等の希ガス並びにこれらの希ガ
スの混合ガスからなる放電ガスが充填されている。ま
た、誘電体層１４の表面及び第１の隔壁９の側面には前
記放電ガスの放電により発生する紫外線により可視光１
０を発光する蛍光体層１１が形成されている。

【０００６】また、図１６に示すように、第１の隔壁９
はＰＤＰの表示領域１５内に相互に平行且つ等間隔に複
数配置されている、そして、このＰＤＰの表示領域１５
の外側には、表示領域１５を囲むように第２の隔壁１６
が形成されている。また、第２の隔壁１６の周囲にはフ
リットからなる封止層（図示せず）が形成されており、
絶縁基板１と絶縁基板２とを相互に融着している。な
お、図１６には絶縁基板１、第１の隔壁９及び第２の隔
壁１６のみが図示されており、他の構成要素は省略され
ている。

【０００７】ＰＤＰにおいては、その周辺部にはフリッ
トからなる封止層が設けられ、絶縁基板１と絶縁基板２
とを融着しているが、この融着工程においてフリットが
溶ける際に、材料が熱分解されたガスが多く発生する。
そのため、封止後の排気工程において、封止層の軟化点
に近い温度まで加熱して、封止層に残留又は吸着した水
分及び二酸化炭素等の不純物ガスを排出している。しか
し、排気後、放電ガスを充填した後も、封止層からの残
留不純物ガスの放出は避けられず、保護層の表面及び蛍
光体層の表面が汚染されたり、放電ガスの組成が変化し
てその特性が劣化したりして、ＰＤＰの放電特性が不安
定になる恐れがある。この問題を解決するためには、封
止層と表示領域との間の距離を充分に大きくとればよい
が、その場合、非表示領域が拡大することとなり、ＰＤ
Ｐの外形寸法を拡大させてしまう。そこで、表示領域と
封止層との間に第２の隔壁を設けることで、封止層から
発生する不純物ガスが表示領域内へ影響を及ぼすことを
防止でき、放電特性を安定させると共に、非表示領域の
幅を小さくすることができる。

【０００８】このようなＰＤＰにおける隔壁の構成が、
特開２０００−３６２５４号公報、特開２０００−２７
７０２０号公報及び特開２００１−１６０３６０号公報
に開示されている。図１７は特開２０００−３６２５４
号公報に開示されている従来のＰＤＰを示す平面図であ
り、図１８は特開２０００−２７７０２０号公報に開示
されている従来のＰＤＰを示す平面図であり、図１９は
特開２００１−１６０３６０号公報に開示されている従
来のＰＤＰを示す平面図である。なお、図１７乃至図１
９においては一方の絶縁基板及びこの絶縁基板上に形成
された隔壁のみを図示し、他の構成要素は図示を省略し
ている。

【０００９】図１７に示すように、特開２０００−３６
２５４号公報に開示された従来のＰＤＰ１０１において
は、ガラス基板１０２上の表示領域１０３に、複数の第
１の隔壁１０４が相互に平行に設けられ、放電空間１０
５を区画している。表示領域１０３の外側には表示領域
１０３を囲むように、第２の隔壁１０６が矩形に設けら
れている。第２の隔壁１０６には切込１０６ａが形成さ
れており、ガラス基板１０２における切込１０６ａに相
当する領域には、放電空間１０５内の排気及び放電ガス
の充填を行うための封入孔１０７が設けられている。そ
して、第２の隔壁１０６を囲むように、フリットからな
る封止層（図示せず）が設けられている。

【００１０】また、図１８に示すように、特開２０００
−２７７０２０号公報に開示された従来のＰＤＰ１１１
においては、ガラス基板１１２上の表示領域１１３に、
複数の第１の隔壁１１４が相互に平行に設けられ、放電
空間１１５を区画している。また、表示領域１１３を囲
むように、第２の隔壁１１６が設けられている。第２の
隔壁１１６には複数の断続部１１６ａが設けられてい
る。表示領域１１３の外側且つ第２の隔壁１１６の内側
における断続部１１６ａに対向する位置には、第３の隔
壁１１７が形成されている。そして、第２の隔壁１１６
及び第３の隔壁１１７を囲むように、封止層（図示せ
ず）が設けられている。

【００１１】更に、図１９に示すように、特開２００１
−１６０３６０号公報に開示された従来のＰＤＰ１２１
においては、ガラス基板１２２上の表示領域１２３に、
複数の第１の隔壁１２４が相互に平行に設けられ、放電
空間１２５を区画している。また、表示領域１２３を囲
むように、第２の隔壁１２６が設けられている。第２の
隔壁１２６は、平行部分１２６ａ及び直交部分１２６ｂ
から構成されている。表示領域１２３の外側且つ第２の
隔壁１２６の内側には、第３の隔壁１２７が設けられて
いる。第３の隔壁１２７は、平行部分１２７ａ及び直交
部分１２７ｂから構成されている。第２の隔壁１２６の
平行部分１２６ａ及び第３の隔壁１２７の平行部分１２
７ａは、表示領域１２３を囲むように矩形に設けられて
おり、平行部分１２６ａ及び１２７ａの各辺は、相互に
平行に設けられている。また、直行部分１２６ｂ及び１
２７ｂは夫々平行部分１２６ａ及び１２７ａに直交する
ように延びている。第２の隔壁１２６は、平行部分１２
６ａと直交部分１２６ｂとが相互に支え合うことによ
り、高い強度を確保している。同様に、第３の隔壁１２
７は、平行部分１２７ａと直交部分１２７ｂとが相互に
支え合うことにより、高い強度を確保している。

【００１２】以下、図１５及び図１６を参照して、従来
のＰＤＰの製造方法を説明する。先ず、前面基板となる
絶縁基板２上に走査電極３及び共通電極４を、相互に平
行な方向に延び且つ交互に配置されるように形成する。
そして、走査電極３及び共通電極４上に夫々トレース電
極５及び６を形成する。次に、これらの電極を覆うよう
に誘電体層１２を形成する。そして、この誘電体層上に
ＭｇＯなどからなる保護層１３を形成する。一方、背面
基板となる絶縁基板１上に一方向に延びるデータ電極７
を形成し、このデータ電極７を覆うように誘電体層１４
を形成する。

【００１３】次に、誘電体層１４上に第１の隔壁９及び
第２の隔壁１６（以下総称して隔壁１７ともいう）を形
成する。隔壁１７の形成方法にはサンドブラスト法及び
印刷法等があるが、例えばサンドブラスト法により形成
する。先ず、フィラー、ガラス粉末、バインダー及び溶
剤が混合されてなる隔壁ペーストを作製する。次に、こ
の隔壁ペーストを誘電体層１４上に塗布し、隔壁ペース
ト中の溶剤を揮発させ、隔壁ペースト層（図示せず）を
形成する。次に、この隔壁ペースト層上にドライフィル
ム（図示せず）を貼付する。このドライフィルムは露光
されることにより硬化する材料から形成されている。次
に、マスクを使用して、このドライフィルムを選択的に
露光し、その後現像する。これにより、ドライフィルム
のうち露光されていない部分を選択的に除去すると共
に、露光された部分を硬化させて残し、ドライフィルム
をパターニングする。次に、このパターニングされたド
ライフィルムをマスクとしてサンドブラストを行い、隔
壁ペースト層を選択的に除去してパターニングを行う。
その後、ドライフィルムを除去し、隔壁ペースト層を焼
成する。これにより、隔壁ペースト層中のバインダーが
蒸発すると共にガラス粉末が溶解・再凝固し、フィラー
及びガラスからなる隔壁１７を形成することができる。
なお、隔壁１７は絶縁基板２上に形成する場合もある。

【００１４】次に、誘電体層１４の表面及び第１の隔壁
９の側面に、蛍光体層１１を形成する。絶縁基板１を絶
縁基板２に重ね合わせ、絶縁基板２上に形成された保護
層１３に、絶縁基板１上に形成された第１の隔壁９及び
第２の隔壁１６を当接させる。このとき、データ電極７
が延びる方向が、走査電極３及び共通電極４が延びる方
向に対して直交するようにする。次に、絶縁基板１と絶
縁基板２とを重ね合わせた状態で熱処理を施し、絶縁基
板１及び２の端部同士をフリットにより融着する。これ
により、絶縁基板１、絶縁基板２及びフリットからなる
封止層（図示せず）により囲まれた空間を気密的に封止
する。その後、この空間内を排気し、この空間内に放電
ガスを充填する。これにより、ＰＤＰが作製される。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来の技術には以下に示すような問題点がある。図２０
（ａ）及び（ｂ）はＰＤＰの製造工程における隔壁の形
成工程を示す断面図であり、（ａ）は絶縁基板の中央部
上のみに隔壁ペースト層を塗布し、端部上には隔壁ペー
スト層を塗布しない場合を示し、（ｂ）は絶縁基板上の
全面に隔壁ペースト層を塗布する場合を示す。また、図
２１（ａ）は隔壁ペースト層の形成方法を示す斜視図で
あり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ線による断面図であ
り、図２２は従来のＰＤＰを示す断面図である。なお、
図２１（ａ）及び（ｂ）においては、データ電極７及び
誘電体層１４は図示を省略している。また、図２２にお
いては、絶縁基板１及び２、第１隔壁９及び第２隔壁１
６並びに封止層２３以外の構成要素は図示を省略してい
る。

【００１６】通常、ＰＤＰでは、絶縁基板１の端部１ｂ
上ではデータ電極７を露出させている。これは、絶縁基
板１の端部１ｂ上において、ＰＤＰの完成後にデータ電
極７を外部電極と接続し、駆動電圧を印加するためであ
る。そのため、誘電体層１４は、絶縁基板１の端部１ｂ
上には形成しない。これは、隔壁の形成においても同様
である。図２０（ａ）は、隔壁の形成工程において、隔
壁ペースト層１８を絶縁基板１の中央部１ａ上のみに塗
布し、端部１ｂ上には塗布しない場合を示す。

【００１７】これに対して、仮に、図２０（ｂ）に示す
ように、絶縁基板１の端部１ｂ上まで隔壁ペースト層１
８を塗布すると、端部１ｂ上は誘電体層１４が形成され
ていないため、隔壁ペースト層１８が中央部１ａ上より
も厚く形成される。端部１ｂ上においてデータ電極７の
端部を露出させるためには、サンドブラスト処理により
端部１ｂ上の隔壁ペースト層１８を除去する必要があ
る。このためには、中央部１ａ上の隔壁ペースト層１８
を除去する場合よりもサンドブラストによる研削量を増
大させる必要がある。従って、端部１ｂ上の隔壁ペース
ト層１８を除去しようとすると、中央部１ａ上の領域を
削りすぎてしまい、中央部１ａ上の誘電体層１４に損傷
を与えてしまう。また、端部１ｂ上のデータ電極７もサ
ンドブラストによる損傷を少なからず受けてしまう。こ
のため、隔壁ペースト層１８は絶縁基板１の中央部１ａ
上のみに塗布する必要がある。

【００１８】従って、図２１（ａ）に示すように、ロー
ラにより隔壁ペースト層１８を形成する際には、長さが
絶縁基板１の幅よりも短いローラ２０を使用する。な
お、図２１（ａ）に示す矢印２１は絶縁基板１に対する
ローラ２０の移動方向（以下、塗布方向２１という）を
示し、領域２２はローラ２０によって隔壁ペースト層１
８が形成される予定の領域である。絶縁基板１上におけ
る隔壁ペースト層１８の形成領域は矩形であり、隔壁ペ
ースト層１８の端部は、塗布方向２１に直交する方向に
おける端部１８ａ、塗り始め部１８ｂ及び塗り終わり部
から構成されている。図２１（ａ）に示す領域２２ｄは
隔壁ペースト層１８の塗り終わり部に相当する領域であ
る。

【００１９】図２１（ｂ）に示すように、隔壁ペースト
層１８の端部１８ａは、ローラ２０の端部により塗布さ
れるため、液溜りができてしまい、端部１８ａの膜厚
は、隔壁ペースト層１８の中央部１８ｃにおける膜厚よ
りも厚くなってしまう。例えば、中央部１８ｃの膜厚が
約１５０μｍであるとき、端部１８ａの膜厚は約１７０
μｍになる。また、隔壁ペースト層１８の塗り始め部１
８ｂ及び塗り終わり部の膜厚も、中央部１８ｃの膜厚と
比較して厚くなったり薄くなったりすることがある。

【００２０】この結果、図２２に示すように、隔壁ペー
スト層１８（図２１（ａ）参照）をサンドブラストによ
りパターニングして焼成し、第１の隔壁９及び第２の隔
壁１６を形成すると、隔壁ペースト層１８の膜厚の不均
一性が第１の隔壁９及び第２の隔壁１６の高さに反映さ
れる。このため、隔壁ペースト層１８の端部１８ａ（図
２１（ａ）及び（ｂ）参照）に相当する第２の隔壁１６
が、隔壁ペースト層１８の他の部分に相当する第２の隔
壁１６及び第１の隔壁９よりも高くなってしまう。この
状態でＰＤＰを組み立てると、高さが高い第２の隔壁１
６のみが絶縁基板２上の誘電体層１２（図１５参照）に
当接し、これより高さが低い第２の隔壁１６及び第１の
隔壁９は誘電体層１２に当接しない。その後、絶縁基板
１及び２間の放電ガス空間８の気圧を減圧することによ
り、大気圧により絶縁基板１及び２の中央部が押され、
絶縁基板１及び２は相互に近づくように変形する。この
結果、高さが高い第２の隔壁１６及び表示領域１５（図
１６参照）の中央部を中心とした大部分の領域に位置す
る第１の隔壁９は、絶縁基板２上に形成された誘電体層
１２（図１５参照）に接触するが、表示領域１５の最外
周部に形成された第１の隔壁９と誘電体層１２との間に
は隙間２４が形成される。

【００２１】このように、不要な隙間２４が形成される
ことにより、ある表示セルが点灯すると、この表示セル
に隣接する本来点灯しないはずの表示セルにおいても放
電が発生してしまい、この本来点灯しない表示セルが誤
灯することがある。例えば、画面の上端部及び下端部に
おいて、黒表示の領域にて誤灯が発生してチカリが生じ
たり、赤表示の領域にて赤色セルに隣接する緑色セルが
誤灯して黄表示になったりする。

【００２２】また、絶縁基板２上に形成された走査電極
３（図１５参照）及び共通電極４（図１５参照）並びに
絶縁基板１上に形成されたデータ電極７（図１５参照）
に印加される電圧によって、これらの電極間にクーロン
力が発生する。交流型ＰＤＰの場合、前記各電極に交流
電圧が印加されているため、これらの電極が反発又は吸
引し合う。このため、絶縁基板１上の隔壁の頂部と絶縁
基板２とが周期的に接触し、パネル騒音が発生すること
がある。絶縁基板１と２との間に隙間２４が形成されて
いる場合、振動の節となる接触点が増えるため、パネル
騒音を起こし易くなる。このようなパネル騒音は、ＰＤ
Ｐを標高が高い場所に設置した場合のように、周囲の大
気圧が低い場合に発生しやすい。これは、大気圧と放電
ガス圧との差が小さくなり、パネルを外部から押圧して
拘束する力が弱まるからである。

【００２３】このように、ＰＤＰに誤灯が発生すると、
ＰＤＰの歩留が低下し、その分製造コストが上昇する。
また、誤灯を抑制するために、各電極に印加する電圧の
波形を最適化する等のシーケンスによる対応を実施する
と、設定可能な電圧の範囲（動作マージン）が狭くな
り、画質が低下するといった問題が発生する。また、パ
ネル騒音はユーザーに不快感をもたらすといった問題を
発生させる。

【００２４】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、隔壁の高さを均一化して、隔壁と絶縁基板
との間の隙間の発生を防止し、表示セルの誤灯及びパネ
ル騒音の発生を防止できるプラズマディスプレイパネル
及びその製造方法を提供することを目的とする。

【００２５】

【課題を解決するための手段】本発明に係るプラズマデ
ィスプレイパネルは、表示領域の外側を囲む隔壁のう
ち、少なくとも１組の隣り合う２辺の幅が相互に異なる
ことを特徴とする。

【００２６】本発明者等は、前述の問題点を解決すべく
鋭意実験研究を重ね、以下に示す知見を得た。即ち、隔
壁ペースト層にはバインダーが含まれており、隔壁ペー
スト層を焼成することにより、このバインダーが消失
し、隔壁ペースト層の体積が減少する。本発明者等は、
この焼成時において、焼成前の隔壁ペースト層の厚さに
対する焼成後の隔壁高さの割合（以下、残膜率という）
は、隔壁の幅に依存することを見出した。

【００２７】本発明においては、表示領域の外側を囲む
隔壁のうち、少なくとも１組の隣り合う２辺の幅が相互
に異ならせることにより、前記隔壁ペースト層のパター
ニング時の前記隔壁の幅を、その位置に応じて設定する
ことができ、隔壁の残膜率をその位置に応じて異ならせ
ることができる。これにより、例えばローラ端部の液溜
りに起因する焼成前の隔壁ペースト層における膜厚のば
らつきを打ち消し、焼成後の隔壁の高さを均一にするこ
とができる。これにより、隔壁と絶縁基板との間に隙間
が発生することを防止でき、表示セルの誤灯及びパネル
騒音の発生を防止することができる。この結果、ＰＤＰ
の画質が向上し、製造コストが低下する。なお、表示領
域の外側を囲む隔壁における隣り合う２辺とは、表示領
域が例えば長方形であり、隔壁が長方形の辺に沿って形
成されている場合には、その１本の長辺及び１本の短辺
をいう。なお、前記表示領域の外側を囲む隔壁は複数列
あってもよい。即ち、表示領域の外側に１列の隔壁があ
り、その外側に更に１列又は２列以上の隔壁があっても
よい。この場合、表示領域の外側を囲む隔壁のうち隣り
合う２辺とは、互いに略平行な方向に延びる２辺ではな
く、互いに略直交する２辺を指す。

【００２８】また、前記隔壁が２組の対向する辺からな
り、いずれか１組の対向する２辺の幅が相互に異なり、
他の１組の対向する２辺の幅が実質的に同じであっても
よい。なお、表示領域の外側を囲む隔壁における対向す
る２辺とは、表示領域が例えば長方形であり、隔壁が長
方形の辺に沿って形成されている場合には、長辺同士及
び短辺同士をいう。また、２辺の幅が実質的に等しいと
は、この２辺の幅の差が隔壁の出来上がり寸法の通常の
誤差以下であることを指し、例えば５μｍ以下であるこ
とをいう。

【００２９】本発明に係る他のプラズマディスプレイパ
ネルは、表示領域の外側を囲む隔壁が２組の対向する辺
からなり、いずれか１組の対向する２辺の幅が相互に異
なることを特徴とする。これにより、例えば隔壁ペース
ト層の塗り始め部及び塗り終わり部における膜厚のばら
つきを打ち消し、焼成後の隔壁の高さを均一にすること
ができる。これにより、隔壁と絶縁基板との間に隙間が
発生することを防止でき、表示セルの誤灯及びパネル騒
音の発生を防止することができる。

【００３０】本発明に係るプラズマディスプレイパネル
の製造方法は、絶縁基板上に隔壁ペースト層をローラで
塗布する工程と、この隔壁ペースト層をパターニングす
る工程と、このパターニングされた隔壁ペースト層を焼
成する工程とを有し、表示領域の外側を囲む隔壁のう
ち、塗布方向に延在する少なくとも１辺の前記隔壁の前
記隔壁ペースト層のパターニング時の幅と、前記塗布方
向と直交する方向に延在する前記隔壁の前記隔壁ペース
ト層のパターニング時の幅とを相互に異ならせることを
特徴とする。

【００３１】本発明に係る他のプラズマディスプレイパ
ネルの製造方法は、複数のパネル基板部が第１の方向に
沿って配列されている絶縁基板上に、前記第１の方向に
直交する方向を塗布方向として隔壁ペースト層をローラ
で塗布する工程と、この隔壁ペースト層をパターニング
する工程と、このパターニングされた隔壁ペースト層を
焼成する工程とを有し、前記パネル基板部の夫々の表示
領域の外側を囲む隔壁のうち、前記塗布方向に延在し、
前記絶縁基板の両端部に位置する前記隔壁の前記隔壁ペ
ースト層のパターニング時の幅を、この両端部に位置す
る隔壁以外の前記隔壁の前記隔壁ペースト層のパターニ
ング時の幅と異ならせることを特徴とする。これによ
り、複数のパネル基板部上における隔壁の形成を、一度
に行うことができ、プラズマディスプレイパネルの製造
効率が向上する。

【００３２】本発明に係る更に他のプラズマディスプレ
イパネルの製造方法は、複数のパネル基板部が第２の方
向に沿って配列されている絶縁基板上に、前記第２の方
向を塗布方向として隔壁ペースト層をローラで塗布する
工程と、この隔壁ペースト層をパターニングする工程
と、このパターニングされた隔壁ペースト層を焼成する
工程とを有し、前記パネル基板部の夫々の表示領域の外
側を囲む隔壁のうち、前記塗布方向に直交する方向に延
在し、前記絶縁基板の両端部に位置し、対向する前記隔
壁の前記隔壁ペースト層のパターニング時の幅を相互に
異ならせることを特徴とする。

【００３３】また、前記プラズマディスプレイパネルの
製造方法は、焼成前の隔壁の高さに対する焼成後の隔壁
の高さの比を残膜率として、予め隔壁の位置と焼成前の
高さとの関係を求める工程と、予め隔壁の幅と前記残膜
率との関係を求める工程と、を有し、前記隔壁ペースト
層のパターニング時の前記第１及び第２の隔壁の幅は、
前記２つの関係に基づいて設定することが好ましい。こ
れにより、焼成後の第１及び第２の隔壁の高さを簡便に
且つより高精度に均一化することができる。

【００３４】なお、前記隔壁の幅と前記残膜率との関係
を求める工程は、基板上に所定の膜厚の隔壁ペースト層
を形成する工程と、この隔壁ペースト層をその幅が相互
に異なる複数の直線状の隔壁パターンにパターニングす
る工程と、前記パターニングされた隔壁ペースト層を焼
成する工程と、焼成後の隔壁ペースト層の膜厚を測定
し、焼成前後の隔壁ペースト層の厚さの変化率と前記パ
ターンの幅との相関関係を求める工程と、を有していて
もよい。

【００３５】隔壁の位置と焼成前の高さとの関係及び隔
壁の幅と残膜率との関係は、基板の大きさ、隔壁ペース
トの成分、隔壁ペーストの粒度、隔壁の目標高さ及び焼
成温度等の製造条件により異なるが、同一の製造ライン
で同一種類の隔壁ペーストを使用して同規格の製品を製
造する場合には、その関係がほぼ一定である。従って、
本発明のＰＤＰを製造しようとする製造ラインにおい
て、予め、前記２つの関係を求めておけば、これらの関
係に基づいて、パターニング時の前記隔壁の幅を設定す
ることができる。

【００３６】本発明に係るプラズマディスプレイパネル
の製造方法の具体的な態様としては、第１の絶縁基板上
に交互に且つ相互に平行に延びるように複数本の走査電
極及び共通電極を形成する工程と、前記第１の絶縁基板
上に前記走査電極及び共通電極を覆うように第１の誘電
体層を形成する工程と、第２の絶縁基板上に相互に平行
に延びる複数本のデータ電極を形成する工程と、前記第
２の絶縁基板上に前記データ電極を覆うように第２の誘
電体層を形成する工程と、前記第１の絶縁基板上又は前
記第２の絶縁基板上の表示領域に画素を区画する第１の
隔壁を形成すると共に前記表示領域を囲むように第２の
隔壁を形成する工程と、前記第１の絶縁基板上又は前記
第２の絶縁基板上に前記第２の隔壁を囲むように封止層
を形成する工程と、前記第１の絶縁基板における前記第
１の誘電体層が形成された面と前記第２の絶縁基板にお
ける前記第２の誘電体層が形成された面とが対向し、前
記走査電極及び共通電極が延びる方向と前記データ電極
が延びる方向とが直交するように、前記第１の絶縁基板
を前記第２の絶縁基板に重ね合わせて加熱し、前記封止
層により前記第１の絶縁基板を前記第２の絶縁基板に融
着する工程と、前記第１及び第２の絶縁基板並びに前記
封止層により囲まれた空間に放電ガスを充填する工程
と、を有し、前記第１の隔壁及び第２の隔壁を形成する
工程は、前記第１又は前記第２の絶縁基板上に隔壁ペー
スト層を形成する工程と、この隔壁ペースト層をパター
ニングする工程と、このパターニングされた隔壁ペース
ト層を焼成する工程と、を有し、前記隔壁ペースト層の
パターニング時の前記第１及び第２の隔壁の幅をその位
置に応じて焼成後の前記隔壁の高さが均一になるように
設定することを特徴とする。

【００３７】この場合に、例えば、前記第２の隔壁を、
前記隔壁ペースト層の塗布方向に延びる相互に平行に配
置された２本の第１部分と、前記隔壁ペースト層の塗り
始め部において前記隔壁ペースト層の塗布方向に垂直な
方向に延びる第２部分と、前記隔壁ペースト層の塗り終
わり部において前記隔壁ペースト層の塗布方向に垂直な
方向に延びる第３部分と、から構成し、少なくとも１の
前記第１部分の幅を、前記第２部分及び第３部分の幅と
異ならせてもよい。これにより、前記隔壁ペースト層の
塗布方向に直交する方向の端部における液溜りに起因し
て、少なくとも１の前記第１部分が前記第２及び第３部
分よりも高くなることを防止し、焼成後の第２の隔壁の
高さを均一にすることができる。この結果、隔壁ペース
ト層の厚さの不均一性の影響を特に受けやすい第２の隔
壁について、その高さを均一化し、隔壁と絶縁基板との
間に隙間が発生することをより確実に防止できる。

【００３８】また、前記第１乃至第３部分は、その隣り
合うもの同士の幅を相互に異ならせてもよく、前記２本
の第１部分の幅を相互に実質的に等しくし、前記第２部
分の幅及び前記第３部分の幅を相互に実質的に等しく且
つ前記第１部分の幅とは異ならせてもよい。

【００３９】更に、前記２本の第１部分の幅を相互に実
質的に等しくし、前記第２部分の幅及び前記第３部分の
幅を相互に異ならせてもよい。隔壁ペースト層の厚さ
は、塗布方向端部の液溜りに起因する不均一の他に、塗
り始め部又は塗り終わり部の膜厚が、他の部分の膜厚と
異なる場合がある。このような場合には、前記第２及び
第３部分の幅を相互に異ならせることにより、前述の液
溜りに起因する隔壁ペースト層の厚さの不均一並びに隔
壁ペースト層の塗り始め部及び塗り終わり部の不均一を
打ち消し、焼成後の第２の隔壁の高さを均一にすること
ができる。

【００４０】更にまた、前記第１部分の幅を、前記第２
部分及び第３部分の幅よりも小さくしてもよく、前記第
１部分の幅を、前記第２部分及び第３部分の幅よりも大
きくしてもよい。また、前記第１乃至第３部分の幅が相
互に異ならせてもよい。

【００４１】更にまた、前記隔壁ペースト層の形成は、
前記第１又は前記第２の絶縁基板上にてローラを転がし
て前記第１又は第２の絶縁基板上に隔壁ペーストを塗布
することにより行うことが好ましい。これにより、隔壁
ペースト層を生産性よく形成することができる。

【００４２】更にまた、前記隔壁ペースト層をパターニ
ングする工程は、この隔壁ペースト層の表面にドライフ
ィルムを貼付する工程と、このドライフィルムをパター
ニングして前記第１及び第２の隔壁を形成する予定の領
域に前記ドライフィルムを残す工程と、このパターニン
グされたドライフィルムをマスクとしてサンドブラスト
により前記隔壁ペースト層を選択的に除去する工程と、
を有することが好ましい。これにより、隔壁ペースト層
のパターニングを効率よく高精度に行うことができる。

【００４３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について添
付の図面を参照して具体的に説明する。先ず、本発明の
第１の実施例について説明する。図１は本実施例に係る
ＰＤＰの隔壁の構成を示す平面図である。なお、図１に
は、絶縁基板１、第１の隔壁９、第２の隔壁２６及び封
止層２８のみが図示されており、他の構成要素は省略さ
れている。また、本実施例に係るＰＤＰにおける１つの
表示セルの構成は、図１５に示すとおりである。

【００４４】図１に示すように、本実施例に係るＰＤＰ
においては、絶縁基板１及び絶縁基板２が相互に対向す
るように配置され、絶縁基板１における絶縁基板２に対
向する表面に、第１の隔壁９が設けられている。絶縁基
板１及び２は例えばガラスにより形成されている。第１
の隔壁９はＰＤＰの表示領域１５内に相互に平行且つ等
間隔に複数配置されている。即ち、第１の隔壁９はスト
ライプ状に形成されている。第１の隔壁９の幅は例えば
５０乃至８０μｍである。この第１の隔壁９の幅は、セ
ルピッチの設定値により異なる。そして、このＰＤＰの
表示領域１５の外側には、表示領域１５を囲むように第
２の隔壁２６が形成されている。後述するように、第１
の隔壁９及び第２の隔壁２６は、ローラ（図示せず）に
より隔壁ペースト層（図示せず）を塗布し、この隔壁ペ
ースト層をパターニングした後焼成して形成されたもの
である。絶縁基板１に対するローラの移動方向が塗布方
向２７である。第２の隔壁２６は矩形状であり、隔壁ペ
ーストの塗布方向２７に平行な方向に延びる２本の部分
２６ａ及び塗布方向２７に直交する方向に延びる２本の
部分２６ｂにより形成されている。部分２６ａは第２の
隔壁２６の長辺であり、部分２６ｂは短辺である。部分
２６ａの幅は、部分２６ｂの幅よりも小さくなってい
る。部分２６ａ及び２６ｂの幅は、例えば６００乃至８
００μｍである。また、第１の隔壁９は塗布方向２７に
直交する方向に延びている。第１の隔壁９及び第２の隔
壁２６の高さは、例えば８０乃至２００μｍであり、例
えば約１２０μｍである。そして、第２の隔壁２６を囲
むように、フリットからなる封止層２８が形成されてい
る。封止層２８は絶縁基板１及び絶縁基板２（図１５参
照）を相互に融着しており、絶縁基板１、絶縁基板２及
び封止層２８により囲まれる空間を気密的に封止してい
る。

【００４５】次に、本実施例に係るＰＤＰの製造方法を
説明する。図２は横軸に隔壁パターンの幅をとり、縦軸
に残膜率をとって、予想される隔壁パターンの幅と残膜
率との関係を模式的に示すグラフ図であり、図３（ａ）
乃至（ｄ）は本実施例に係るＰＤＰの製造方法における
隔壁を形成する工程を工程順に示す断面図である。な
お、図３（ａ）乃至（ｄ）においては、誘電体層１４は
図示を省略している。

【００４６】先ず、本実施例のＰＤＰを製造する前に、
予備実験を行い、隔壁の幅と残膜率との関係を求める。
絶縁基板上に、本実施例のＰＤＰを製造する場合と同じ
隔壁ペーストを使用して、隔壁ペースト層を形成する。
次に、この隔壁ペースト層上にドライフィルムを貼付
し、このドライフィルムをパターニングする。このと
き、ドライフィルムのパターンは幅が相互に異なる複数
の隔壁をシミュレートするように形成する。次いで、こ
のドライフィルムをマスクとして隔壁ペースト層をサン
ドブラスト処理する。これにより、隔壁ペースト層を選
択的に除去し、幅が相互に異なる複数の隔壁をシミュレ
ートしたパターン（以下、隔壁パターンという）を形成
する。そして、各隔壁パターンの幅及び高さを測定す
る。次いで、この隔壁パターンを焼成し、焼成後の隔壁
パターンの高さを測定する。なお、焼成条件はＰＤＰを
製造する際の焼成条件と同じ条件にする。これにより、
隔壁パターンの幅と、焼成前の隔壁パターンの高さに対
する焼成後の隔壁パターンの高さの割合（残膜率）との
関係を求める。

【００４７】この関係は、例えば、図２に示すようにな
る。図２に示すように、残膜率は隔壁パターンの幅に依
存する。隔壁パターンの幅が値Ｃより小さい範囲におい
ては、隔壁パターンの幅が減少するほど残膜率は増加
し、隔壁パターンの幅が値Ｃに等しいとき残膜率が最小
値Ｋ_ｍｉｎになり、隔壁パターンの幅が値Ｃを超える範
囲においては、隔壁パターンの幅が増加するに伴って残
膜率が増加する。

【００４８】一方、絶縁基板上における隔壁が形成され
る位置と、この隔壁の焼成前の高さとの関係を求める。

【００４９】次に、本実施例に係るＰＤＰを製造する。
先ず、図１５に示すように、前面基板となる絶縁基板２
上に走査電極３及び共通電極４を、相互に平行に且つ交
互に形成する。そして、走査電極３及び共通電極４上に
夫々トレース電極５及び６を形成する。次に、これらの
電極を覆うように誘電体層１２を形成し、この誘電体層
１２上に例えばＭｇＯからなる保護層１３を形成する。
一方、背面基板となる絶縁基板１上に一方向に延びるデ
ータ電極７を形成し、このデータ電極７を覆うように誘
電体層１４を形成する。

【００５０】次に、誘電体層１４上に第１の隔壁９及び
第２の隔壁２６をサンドブラスト法により形成する。先
ず、フィラー、ガラス粉末、バインダー及び溶剤が混合
されてなる隔壁ペーストを作製する。次に、図３（ａ）
に示すように、この隔壁ペーストを絶縁基板１上の誘電
体層１４（図１５参照）上にローラ２０（図２１参照）
を塗布方向２７に移動させることにより塗布する。そし
て、隔壁ペースト中の溶剤を揮発させ、隔壁ペースト層
１８を形成する。このとき、ローラ２０の幅は絶縁基板
１の幅よりも小さいものとし、絶縁基板１の端部には隔
壁ペースト層１８を形成しない。ローラ２０の端部によ
り塗布された隔壁ペースト層１８の端部１８ａは、隔壁
ペースト層１８の中央部１８ｃよりも膜厚が厚くなって
いる。次いで、隔壁ペースト層１８の各部分の膜厚を測
定する。例えば、隔壁ペースト層１８の中央部１８ｃの
膜厚は約１５０μｍであり、端部１８ａの膜厚は約１７
０μｍである。また、隔壁ペースト層１８の塗り始め部
に相当する端部１８ｂ（図２１（ｂ）参照）の膜厚は、
例えば端部１８ａの膜厚と中央部１８ｃの膜厚の中間の
膜厚となっている。

【００５１】次に、隔壁ペースト層１８上及び絶縁基板
１上にドライフィルム１９を貼付する。このドライフィ
ルム１９は露光されることにより硬化する材料から形成
されている。次に、マスク（図示せず）を使用して、ド
ライフィルム１９を選択的に露光し、その後現像する。
これにより、ドライフィルム１９のうち露光されていな
い部分を選択的に除去すると共に、露光された部分を硬
化させて残し、ドライフィルム１９をパターニングす
る。

【００５２】このとき、図３（ｂ）に示すように、第１
の隔壁９及び第２の隔壁２６を形成する予定の領域にド
ライフィルム１９を残す。また、第１の隔壁９及び第２
の隔壁２６の幅は、前述のこれらの隔壁が形成される予
定の位置とこれらの隔壁の焼成前の高さとの関係、及び
図２に示す隔壁パターンの幅と残膜率との関係に基づい
て決定する。例えば、隔壁ペースト層１８の端部１８ｂ
（図２１（ａ）参照）に相当する領域に形成される部分
２６ｂ（図１参照）の焼成前の幅をＷ_Ｂとし、端部１８
ａに相当する領域に形成される部分２６ａ（図１参照）
の焼成前の幅をＷ_Ａとする。また、隔壁ペースト層１８
の中央部１８ｃに相当する領域に形成される第１の隔壁
９の焼成前の幅をＷ_１とする。

【００５３】次に、図３（ｃ）に示すように、パターニ
ングされたドライフィルム１９をマスクとしてサンドブ
ラスト処理を行い、隔壁ペースト層１８を選択的に除去
してパターニングを行う。これにより、パターニングさ
れた隔壁ペースト層１８ｅが形成される。その後、図３
（ｄ）に示すように、ドライフィルム１９を除去し、隔
壁ペースト層１８ｅを焼成する。これにより、隔壁ペー
スト層１８ｅ中のバインダーが蒸発すると共にガラス粉
末が溶解・再凝固し、フィラー及びガラスからなる第１
の隔壁９及び第２の隔壁２６を形成することができる。
隔壁ペースト層１８ｅは焼成により体積が減少し、第１
の隔壁９及び第２の隔壁２６の高さは、隔壁ペースト層
１８ｅの膜厚よりも小さくなる。

【００５４】即ち、焼成前の隔壁ペースト層１８の各部
分の膜厚の関係は、（中央部１８ｃの膜厚）＜（端部１
８ｂの膜厚）＜（端部１８ａの膜厚）となっている。焼
成により、隔壁ペースト層１８の中央部１８ｃからは第
１の隔壁９が形成され、端部１８ｂからは第２の隔壁２
６の部分２６ｂが形成され、端部１８ａからは部分２６
ａが形成される。第１の隔壁９の幅Ｗ_１、第２の隔壁２
６の部分２６ｂの幅Ｗ _Ｂ及び部分２６ａの幅Ｗ_Ａの関係
を、Ｗ_１＜Ｗ_Ａ＜Ｗ_Ｂとする。このとき、図２に示すよ
うに、第１の隔壁９の残膜率Ｋ_１、部分２６ｂの残膜率
Ｋ_Ｂ及び部分２６ａの残膜率Ｋ_Ａの関係は、Ｋ_１＞Ｋ_Ｂ
＞Ｋ_Ａとなる。このため、隔壁ペースト層１８における
各部分の膜厚の違いを、残膜率の違いによって打ち消
し、焼成後の隔壁の高さを均一にすることができる。焼
成後の隔壁の高さは例えば約１２０μｍになり、隔壁の
各部分の高さの差は、通常の製造誤差以下となり、例え
ば５μｍ以下となる。

【００５５】次に、図１５に示すように、誘電体層１４
の表面及び第１の隔壁９の側面に、蛍光体層１１を形成
する。その後、絶縁基板１を絶縁基板２に重ね合わせ、
絶縁基板２上に形成された保護層１３に、絶縁基板１上
に形成された第１の隔壁９及び第２の隔壁２６を当接さ
せる。このとき、データ電極７が延びる方向が、走査電
極３及び共通電極４が延びる方向に対して直交するよう
にする。次に、絶縁基板１と絶縁基板２とを重ね合わせ
た状態で熱処理を施し、絶縁基板１の端部と絶縁基板２
の端部とをフリットにより相互に融着する。これによ
り、絶縁基板１の端部と絶縁基板２の端部との間にフリ
ットによる封止層２８を形成し、絶縁基板１、絶縁基板
２及び封止層２８により囲まれた空間を気密的に封止す
る。その後、この空間内を排気し、この空間内に放電ガ
スを充填する。これにより、本実施例のＰＤＰを製造す
ることができる。

【００５６】次に、隔壁の焼成時における残膜率が隔壁
の幅に依存する理由について説明する。残膜率が隔壁の
幅に依存する理由は以下のように推測できる。図４
（ａ）乃至（ｃ）は隔壁パターンの収縮挙動を示す断面
図であり、（ａ）は焼成前の隔壁パターンを示し、
（ｂ）は（ａ）に示す隔壁パターンがその断面形状を相
似形に保ったまま収縮する場合を示し、（ｃ）は（ａ）
に示す隔壁パターンが基板による拘束を受けた状態で収
縮する場合を示す。図５（ａ）乃至（ｃ）は幅が小さい
隔壁の収縮挙動を示す断面図であり、（ａ）は焼成前の
隔壁パターンを示し、（ｂ）は（ａ）に示す隔壁パター
ンがその断面形状を相似形に保ったまま収縮する場合を
示し、（ｃ）は（ａ）に示す隔壁パターンの両側面に働
く収縮力が隔壁パターンの上部へ向かう場合を示す。図
６（ａ）及び（ｂ）は隔壁パターンの収縮に伴ってその
上面が凹む現象を示す断面図であり、（ａ）は焼成前の
状態を示し、（ｂ）は焼成後の状態を示す。図７（ａ）
乃至（ｄ）は隔壁ペーストが流体化しながら収縮する挙
動を示す断面図であり、（ａ）は幅が大きい隔壁パター
ンの焼成前の形状を示し、（ｂ）は（ａ）に示す隔壁パ
ターンの焼成後の形状を示し、（ｃ）は幅が小さい隔壁
パターンの焼成前の形状を示し、（ｄ）は（ｃ）に示す
隔壁パターンの焼成後の形状を示す。また、図８（ａ）
乃至（ｃ）は隔壁パターンの収縮挙動を示す斜視図であ
り、（ａ）は隔壁パターンの収縮が基板の影響を受けな
い場合を示し、（ｂ）は隔壁パターンが基板による拘束
を受ける場合を示し、（ｃ）は隔壁パターンが流体化す
る場合を示す。

【００５７】前述の如く、隔壁ペーストは、一般にフィ
ラー、ガラス粉末、バインダー及び溶剤の混合物からな
っている。隔壁形成に際して、基板上に隔壁ペーストを
塗布した後、乾燥させることにより溶剤を揮発させ、隔
壁ペースト層を形成する。次いで、隔壁ペースト層をパ
ターニングし隔壁パターンを形成した後、焼成すること
により、隔壁ペーストからバインダーが消失し、最終的
に形成される隔壁はフィラー及びガラスからなる。焼成
温度はガラスの軟化点よりも高く設定するため、焼成時
にガラス粉末が溶融し、フィラー同士を接合する。これ
により、隔壁は強固なものとなり、その形状を維持する
ことができる。

【００５８】このように、焼成過程においてバインダー
が消失し、ガラス粉末が一旦流動化した後、再度固形化
するため、隔壁パターンが焼成により隔壁に変化する際
に、隔壁パターンは全体として収縮し、体積が減少す
る。隔壁パターンの収縮そのものは、隔壁ペーストの組
成及び焼成温度によって決まり、収縮率は全方向におい
て一様となる。しかしながら、実際のＰＤＰの製造過程
においては、隔壁パターンの収縮挙動は異方性を持つ。
その理由は、隔壁の底面が背面基板の表面（より具体的
には誘電体層の表面）に密着しているためである。な
お、以下、絶縁基板及び誘電体層を総称して基板２９と
いう。

【００５９】図４（ａ）に示すように、基板２９上に隔
壁ペースト層をパターニングして形成された隔壁パター
ン３０が設けられている場合を考える。焼成前の隔壁パ
ターン３０の底面３０ａ、即ち、基板２９に密着してい
る面は、その変形が基板２９により拘束されるため、収
縮時に基板２９から収縮を妨げるような力を受ける。こ
のため、底面３０ａは収縮率が小さくなる。一方、隔壁
パターン３０における基板２９と接触していない部分
は、その変形が基板２９に拘束されていないため、底面
３０ａよりも収縮率が大きくなる。このため、図４
（ａ）に示す焼成前の隔壁パターン３０は、図４（ｂ）
に示すようにその断面形状を相似形に保ったまま収縮す
ることができない。そして、図４（ｃ）に示すように、
焼成により、底面３０ａが収縮できない分、高さが収縮
率以上に低くなる。

【００６０】この基板２９による拘束の影響は、隔壁パ
ターン３０の幅に依存する。隔壁パターン３０の幅が小
さくなると、底面３０ａに平行な方向の収縮量が小さく
なるため、基板２９による拘束の影響が弱まり、焼成後
の隔壁の高さは、基板の拘束を受けない場合の本来の隔
壁ペーストの収縮率に基づく値に近づく。従って、隔壁
パターン３０の幅が小さくなると、残膜率が増加する。

【００６１】また、図５（ａ）乃至（ｃ）に示すよう
に、隔壁パターン３０の幅が極めて小さくなると、隔壁
パターン３０の両側面に作用する収縮力が隔壁パターン
３０の中央部でぶつかり合い、これらの収縮力の合成力
が自由端である上部に向かって働くようになるため、焼
成に伴い隔壁パターン３０の高さが高くなるという現象
が現れる。

【００６２】更に、図６（ａ）及び（ｂ）に示すよう
に、隔壁パターン３０の幅が大きくなると、焼成時の収
縮に伴い、隔壁の端部が中央部よりも高くなる現象が現
れる。これは、隔壁パターンの収縮に伴い中央部の上面
が凹み、端部の上面付近が中央部に向かって引っ張られ
るために生じるものと考えられる。

【００６３】一方、図７（ａ）乃至（ｄ）に示すよう
に、焼成温度はガラスの軟化点よりも高いため、隔壁パ
ターン３０は焼成時にある程度流体化し、表面張力によ
って球形に近づこうとする。即ち、図７（ａ）及び
（ｃ）に示すように、隔壁パターン３０の断面形状は焼
成前には台形であるが、焼成により隔壁パターン３０の
断面形状は円形に近づく。このとき、焼成前の隔壁パタ
ーンの幅が大きいほど、その断面積が大きいため、焼成
後の隔壁パターンの断面形状における内接円の半径も大
きくなり、隔壁パターンの高さが高くなる。即ち、図７
（ａ）及び（ｃ）に示す隔壁パターンは、幅が相互に異
なっているものの、高さは相互に等しい。この隔壁パタ
ーンを焼成すると、夫々図７（ｂ）及び（ｄ）に示すよ
うな形状になり、図７（ｄ）に示す幅が小さい隔壁パタ
ーンの高さは、図７（ｂ）に示す幅が大きい隔壁パター
ンの高さよりも低くなる。従って、隔壁パターン３０の
幅が大きいほど、残膜率が高くなる。なお、隔壁ペース
トの流動性は、隔壁ペースト中のガラスの混合比率に依
存する。

【００６４】上述の考察をまとめると、隔壁パターン３
０が基板２９の影響を受けない場合には、図８（ａ）に
示すように、隔壁パターン３０は相似形を保ったまま収
縮する。しかし、実際のＰＤＰの製造工程においては、
隔壁パターンは必ず基板上に形成されるため、隔壁パタ
ーン３０の収縮挙動は基板２９による拘束を受ける。こ
のため、図８（ｂ）に示すように、焼成後の隔壁パター
ン３０は裾野が広がったような形状となり、その高さは
収縮率以上に減少する。そして、隔壁パターンの流体化
が発生すると、図８（ｃ）に示すように、焼成後の隔壁
パターン３０は丸みをおびた形状になる。

【００６５】図２に示すように、隔壁パターンの幅が値
Ｃよりも小さい場合においては、上述の基板による拘束
の影響（図４（ａ）乃至（ｃ）参照）及び合成力の影響
（図５（ａ）乃至（ｃ）参照）が、隔壁パターンの流体
化の影響（図７（ａ）及び（ｂ）参照）よりも大きくな
り、隔壁パターンの幅が減少するほど残膜率は増加する
ものと考えられる。一方、隔壁パターンの幅が値Ｃより
も大きい場合においては、隔壁パターンの流体化の影響
が優位になり、隔壁パターンの幅が増加するほど残膜率
は増加するものと考えられる。

【００６６】図９は横軸に隔壁パターンの幅をとり、縦
軸に残膜率をとって、実際に隔壁パターンを形成し、隔
壁パターンの幅と残膜率との関係を調査した実験結果を
示すグラフ図である。実験方法は上述のとおりである。
焼成温度は５１０℃又は５３０℃とし、隔壁パターンの
形状はストライプ形状とする。また、焼成後の隔壁の高
さは１００乃至１５０μｍになるようにする。図９に示
すように、焼成温度が５１０℃の場合においては、隔壁
パターンの幅が１００μｍ以下の範囲では、隔壁パター
ンの幅が減少するに伴って残膜率が急激に増加し、隔壁
パターンの幅が１００μｍを超えると、隔壁パターンの
幅が増加するに従って残膜率が緩やかに増加する。前述
の図２はこの結果を模式的に示したものである。また、
焼成温度が５３０℃の場合においては、隔壁パターンの
幅が５０μｍ以下の範囲では、隔壁パターンの幅が減少
するに伴って残膜率が急激に増加し、隔壁パターンの幅
が５０μｍを超えると、隔壁パターンの幅が増加するに
従って残膜率が緩やかに減少する。後述する図１２はこ
の結果を模式的に示したものである。

【００６７】また、図９に示す実験結果とは異なる試験
結果を以下に示す。焼成前の幅が１０５μｍであり、高
さが１５０μｍである隔壁パターンを焼成することによ
り、幅が８０μｍであり、高さが１２５μｍの隔壁が形
成されている。この場合の残膜率は８３％である。ま
た、これと同じ焼成条件にて、焼成前の幅が８００μｍ
であり、高さが１７０μｍである隔壁パターンを焼成す
ると、高さが１３０μｍの隔壁が得られる。この場合の
残膜率は７６％である。この試験結果においては、隔壁
の幅が大きいほうが、残膜率が小さくなる。

【００６８】本実施例においては、図３（ｂ）に示す工
程において、パターニングされたドライフィルム１９の
パターンの幅を、隔壁ペースト層１８の各部分の膜厚及
び図２に示す関係に基づいて調節している。これによ
り、図３（ｄ）に示す工程において、焼成後の第１の隔
壁９及び第２の隔壁２６の高さが均一となり、第１の隔
壁９と絶縁基板２との間に隙間２４（図２２参照）が発
生しない。このため、ＰＤＰの駆動時において、表示セ
ルの誤灯及びパネル騒音の発生を防止することができ
る。

【００６９】なお、隔壁の幅と残膜率との関係は、基板
の大きさ、隔壁ペーストの成分、隔壁ペーストの粒度、
隔壁の目標高さ及び焼成温度等の製造条件により異なる
が、同一の製造ラインで同一種類の隔壁ペーストを使用
して同規格の製品を製造する場合には、前記関係はほぼ
一定となる。従って、本実施例のように、予め、ＰＤＰ
を製造しようとする製造条件と同一の条件で隔壁の幅と
残膜率との関係を求めておけば、この関係及び隔壁ペー
スト層の膜厚分布に基づいて隔壁の幅を決定することが
できる。また、一度前記関係を求めて隔壁の幅を決定し
ておけば、同一の製造ラインで同一種類の隔壁ペースト
を使用して同一規格の製品を製造する場合には、各部分
の隔壁の幅は常に同じ値とすることができる。

【００７０】次に、本発明の第２の実施例について説明
する。図１０は本実施例に係るＰＤＰの隔壁の構成を示
す平面図である。なお、図１０には、絶縁基板１、第１
の隔壁９、第２の隔壁３１及び封止層２８のみが図示さ
れており、他の構成要素は図示を省略されている。図１
０に示すように、絶縁基板１上における表示領域１５内
に第１の隔壁９が相互に平行且つ等間隔に複数配置され
ており、この第１の隔壁９の幅は例えば５０乃至８０μ
ｍである。そして、このＰＤＰの表示領域１５の外側に
は、表示領域１５を囲むように第２の隔壁３１が形成さ
れている。前述の第１の実施例と同様に、第１の隔壁９
及び第２の隔壁３１は、ローラ（図示せず）により隔壁
ペースト層（図示せず）を塗布し、この隔壁ペースト層
をパターニングした後焼成して形成されたものである。
絶縁基板１に対するローラの移動方向が塗布方向３２で
ある。第２の隔壁３１は矩形状であり、隔壁ペーストの
塗布方向３２に平行な方向に延びる２本の部分３１ａ及
び塗布方向３２に直交する方向に延びる２本の部分３１
ｂにより形成されている。前述の第１の実施例とは異な
り、部分３１ａは第２の隔壁３１の短辺であり、部分３
１ｂは長辺である。部分３１ａの幅は、部分３１ｂの幅
よりも小さくなっている。部分３１ａ及び３１ｂの幅
は、例えば６００乃至８００μｍである。また、第１の
隔壁９は塗布方向３２に沿って延びている。第１の隔壁
９及び第２の隔壁３１の高さは、例えば１００乃至１５
０μｍであり、例えば約１２０μｍである。そして、第
２の隔壁３１を囲むように、フリットからなる封止層２
８が形成されている。封止層２８は絶縁基板１及び絶縁
基板２（図１５参照）を相互に融着しており、絶縁基板
１、絶縁基板２及び封止層２８により囲まれる空間を気
密的に封止している。本実施例に係るＰＤＰにおける上
記以外の構成は、前述の第１の実施例と同じである。

【００７１】次に、本第２実施例に係るＰＤＰの製造方
法を説明する。先ず、前述の第１の実施例と同様に、予
備実験を行い、隔壁の幅と残膜率との関係を求める。予
備実験の方法は第１の実施例と同様であり、その結果は
図２に示す結果と同じとする。

【００７２】次に、本第２実施例に係るＰＤＰを製造す
る。先ず、前述の第１の実施例と同様な方法により、絶
縁基板２（図１５参照）上に走査電極３、共通電極４、
トレース電極５及び６、誘電体層１２並びに保護層１３
を形成する。一方、絶縁基板１上にデータ電極７及び誘
電体層１４を形成する。

【００７３】次に、誘電体層１４上に第１の隔壁９及び
第２の隔壁３１をサンドブラスト法により形成する。こ
のとき、第１の隔壁９及び第２の隔壁３１の幅は、隔壁
ペースト層１８（図２１（ａ）参照）の膜厚及び図２に
示す隔壁パターンの幅と残膜率との関係に基づいて決定
する。塗布方向３２に沿って延びる第２の隔壁３１の部
分３１ａが形成される領域は、隔壁ペースト層を塗布す
る際のロール端部が転接する領域に相当し、ロール端部
の液溜りにより隔壁ペースト層の膜厚が他の領域よりも
厚くなっている。また、塗布方向３２に直交する方向に
延びる第２の隔壁３１の部分３１ｂが形成される領域
は、隔壁ペースト層を塗布する際の塗り始め部及び塗り
終わり部に相当し、この領域における隔壁ペースト層の
厚さは、中央部よりも厚く、部分３１ａに相当する領域
よりも薄くなっている。本実施例においては、第２の隔
壁３１の部分３１ａの焼成前の幅をＷ_Ａとし、部分３１
ｂの焼成前の幅をＷ_Ｂとし、隔壁ペースト層の中央部に
相当する領域に形成される第１の隔壁９の焼成前の幅を
Ｗ_１とし、Ｗ_１＜Ｗ_Ａ＜Ｗ_Ｂとする。

【００７４】次に、前述の第１の実施例と同様な方法に
より、隔壁ペースト層をパターニングし、焼成すること
により、第１の隔壁９及び第２の隔壁３１を形成する。
このとき、前述の第１の実施例と同様に、隔壁ペースト
層の膜厚の不均一を、隔壁の幅の違いに起因する残膜率
の違いによって打ち消し、焼成後の隔壁の高さを均一に
することができる。焼成後の隔壁の高さは例えば約１２
０μｍになる。

【００７５】次に、第１の実施例と同様に、誘電体層１
４の表面及び第１の隔壁９の側面に、蛍光体層１１を形
成し、絶縁基板１を絶縁基板２に重ね合わせ、熱処理を
施し、絶縁基板１の端部と絶縁基板２の端部との間にフ
リットによる封止層２８を形成し、絶縁基板１、絶縁基
板２及び封止層２８により囲まれた空間を気密的に封止
する。その後、この空間内を排気し、この空間内に放電
ガスを充填する。これにより、本実施例のＰＤＰを製造
する。

【００７６】本実施例においては、前述の第１の実施例
と同様に、隔壁パターンの幅を、隔壁ペースト層１８の
各部分の膜厚及び図２に示す関係に基づいて調節してい
る。これにより、焼成後の隔壁の高さが均一となり、第
１の隔壁９と絶縁基板２との間に隙間２４（図２２参
照）が発生しない。このため、ＰＤＰの駆動時におい
て、表示セルの誤灯及びパネル騒音の発生を防止するこ
とができる。

【００７７】次に、本発明の第３の実施例について説明
する。図１１は本実施例に係るＰＤＰの隔壁を示す平面
図である。なお、図１１には、絶縁基板１、第１の隔壁
９、第２の隔壁３３、封止層２８及び排気孔３４のみが
図示されており、他の構成要素は図示を省略されてい
る。図１１に示すように、絶縁基板１上における表示領
域１５内には第１の隔壁９が相互に平行且つ等間隔に複
数配置されており、この第１の隔壁９は塗布方向３５に
直交する方向に延びている。また、表示領域１５を囲む
ように第２の隔壁３３が設けられている。第２の隔壁３
３は２本の部分３３ａ、２本の部分３３ｂ及び曲部３３
ｃからなり、部分３３ａは部分３３ｂよりも短くなって
いる。部分３３ａは隔壁ペースト層（図示せず）の塗布
方向３５に直交する方向に延び、部分３３ｂは塗布方向
３５に沿って延び、１本の部分３３ａと１本の部分３３
ｂとの間に曲部３３ｃが設けられている。前記隔壁の各
部の幅の関係は、（第１の隔壁９の幅）＜（部分３３ａ
の幅）＜（曲部３３ｃの幅）＜（部分３３ｂの幅）とな
っている。また、第２の隔壁３３を囲むように、フリッ
トからなる封止層２８が形成されている。そして、絶縁
基板１において、第２の隔壁３３と封止層２８との間の
領域における曲部３３ｃの近傍には、排気孔３４が形成
されている。排気孔３４は、絶縁基板１、絶縁基板２及
び封止層２８により囲まれる空間を排気し、この空間内
に放電ガスを充填するためのものである。本第３実施例
に係るＰＤＰにおける上記以外の構成は、前述の第１の
実施例に係るＰＤＰの構成と同一である。

【００７８】次に、本第３実施例に係るＰＤＰの製造方
法を説明する。図１２は横軸に隔壁パターンの幅をと
り、縦軸に残膜率をとって、予想される隔壁パターンの
幅と残膜率との関係を模式的に示すグラフ図である。先
ず、前述の第１の実施例と同様に、予備実験を行い、隔
壁の幅と残膜率との関係を求める。予備実験の方法は第
１の実施例と同様であり、その結果は、例えば図１２に
示すようになるものとする。図１２に示すように、本実
施例の予備実験結果においては、隔壁パターンの幅が増
大するに伴い残膜率が減少するが、その減少の度合いは
隔壁パターンの幅が増大するに伴って緩やかになる。

【００７９】次に、本第３実施例に係るＰＤＰを製造す
る。先ず、絶縁基板１に排気孔３４を形成する。次に、
前述の第１の実施例と同様な方法により、絶縁基板２
（図１５参照）上に走査電極３、共通電極４、トレース
電極５及び６、誘電体層１２並びに保護層１３を形成す
る。一方、絶縁基板１上にデータ電極７及び誘電体層１
４を形成する。

【００８０】次に、誘電体層１４上に第１の隔壁９及び
第２の隔壁３３をサンドブラスト法により形成する。こ
のとき、第２の隔壁３３の部分３３ａ、部分３３ｂ及び
曲部３３ｃの幅を、隔壁ペースト層の膜厚及び図１２に
示す隔壁パターンの幅と残膜率との関係に基づいて決定
する。本実施例においては、第２の隔壁３３の各部に相
当する隔壁ペースト層の膜厚の関係は、（部分３３ｂに
相当する領域）＞（曲部３３ｃに相当する領域）＞（部
分３３ａに相当する領域）＞（第１の隔壁９に相当する
領域）となる。このため、第１の隔壁９及び第２の隔壁
３３における各部の焼成前の幅を、Ｗ_３Ｂ＞Ｗ_３Ｃ＞Ｗ
_３Ａ＞Ｗ_１とする。これにより、図１２に示すように、
第１の隔壁９及び第２の隔壁３３の各部の残膜率が、
（部分３３ｂの残膜率Ｋ_３Ｂ）＜（曲部３３ｃの残膜率
Ｋ_３Ｃ）＜（部分３３ａの残膜率Ｋ _３Ａ）＜（第１の隔
壁９の残膜率Ｋ_１）となる。この結果、隔壁ペースト層
の膜厚の不均一を、隔壁の幅の違いに起因する残膜率の
違いによって打ち消し、焼成後の隔壁の高さを均一にす
ることができる。なお、仮に、予備実験の結果得られた
隔壁パターンの幅と残膜率との関係が、図２に示すよう
な結果である場合は、部分３３ｂの幅を部分３３ａの幅
よりも小さくする。

【００８１】次に、第１の実施例と同様に、誘電体層１
４の表面及び第１の隔壁９の側面に、蛍光体層１１を形
成し、絶縁基板１を絶縁基板２に重ね合わせ、熱処理を
施し、絶縁基板１の端部と絶縁基板２の端部との間にフ
リットによる封止層２８を形成し、絶縁基板１、絶縁基
板２及び封止層２８により囲まれた空間を気密的に封止
する。その後、この空間内を排気孔３４により排気し、
この空間内に放電ガスを充填する。これにより、本実施
例のＰＤＰを製造する。本実施例に係るＰＤＰの製造方
法において、上記以外の製造方法は前述の第１の実施例
と同様である。

【００８２】本実施例においては、排気孔３４を設ける
ことにより、絶縁基板１、絶縁基板２及び封止層２８に
より囲まれた空間の排気をより効率的に行うことができ
る。本実施例における上記以外の効果は、前述の第１の
実施例における効果を同様である。

【００８３】次に、本発明の第４の実施例について説明
する。図１３は本実施例に係るＰＤＰの第２の隔壁を示
す平面図であり、図１４は本実施例に係るＰＤＰの製造
方法における隔壁ペースト層の形成工程を示す斜視図で
ある。なお、図１３においては、絶縁基板１及び第２の
隔壁３６のみを図示し、他の構成要素は図示を省略して
いる。また、図１４においては、データ電極７及び誘電
体層１４は図示を省略している。

【００８４】図１３に示すように、絶縁基板１上には表
示領域（図示せず）を囲むように第２の隔壁３６が設け
られている。第２の隔壁３６の形状は矩形であり、第２
の隔壁３６は長辺である部分３６ａ及び３６ｃ並びに短
辺である部分３６ｂ及び３６ｄから構成されている。部
分３６ｂ、３６ｃ及び３６ｄの幅は相互に実質的に等し
くなっており、部分３６ａの幅は部分３６ｂ、３６ｃ及
び３６ｄの幅よりも小さくなっている。第２の隔壁３６
の外側には封止層（図示せず）が形成されている。本第
４実施例に係るＰＤＰにおける上記以外の構成は、前述
の第１の実施例に係るＰＤＰの構成と同一である。

【００８５】次に、本第４実施例に係るＰＤＰの製造方
法を説明する。先ず、前述の第１の実施例と同様に、予
備実験を行い、隔壁の幅と残膜率との関係を求める。予
備実験の方法は第１の実施例と同様であり、その結果
は、例えば図２に示すようになるとする。

【００８６】次に、本第４実施例に係るＰＤＰを製造す
る。先ず、前述の第１の実施例と同様な方法により、絶
縁基板２（図１５参照）上に走査電極３、共通電極４、
トレース電極５及び６、誘電体層１２並びに保護層１３
を形成する。一方、絶縁基板１ａ上にデータ電極７及び
誘電体層１４を形成する。絶縁基板１ａは、２分割され
ることにより２枚の絶縁基板１となるものである。

【００８７】次に、絶縁基板１ａ上における誘電体層１
４上に第１の隔壁９及び第２の隔壁３６をサンドブラス
ト法により形成する。図１４に示すように、１本のロー
ラ３７により、絶縁基板１ａ上に隔壁ペーストを塗布
し、隔壁ペースト層３８を形成する。このとき、絶縁基
板１ａに対するローラ３７の移動方向を、塗布方向３９
とする。絶縁基板１ａ上に形成された隔壁ペースト層３
８は、ローラ３７の端部により塗布された端部３８ａ、
隔壁ペースト層３８の塗り終わり部に相当する端部３８
ｂ、中央部３８ｃ、端部３８ｂの反対側の端部であり隔
壁ペースト層３８の塗り始め部に相当する端部３８ｄ、
及び端部３８ａと中央部３８とに挟まれた領域である部
分３８ｅからなる。ローラ３７の端部の液溜りにより、
端部３８ａの膜厚は隔壁ペースト層３８における他の部
分の膜厚と比較して厚くなっている。そして、隔壁ペー
スト層３８における端部３８ａ以外の部分の膜厚は、相
互に実質的に等しくなっている。

【００８８】次に、隔壁ペースト層３８上にドライフィ
ルム（図示せず）を貼付し、このドライフィルムをパタ
ーニングする。このとき、第２の隔壁３６の各部分３６
ａ、３６ｂ、３６ｃ及び３６ｄの幅を、隔壁ペースト層
３８の膜厚分布及び図２に示す隔壁パターンの幅と残膜
率との関係に基づいて決定する。上述の如く、隔壁ペー
スト層３８の膜厚は、端部３８ａの膜厚が他の部分の膜
厚よりも厚くなっている。そして、隔壁ペースト３８の
端部３８ａ、端部３８ｂ、中央部３８ｃ及び端部３８ｄ
は、焼成されることにより、夫々第２の隔壁３６の各部
分３６ａ、３６ｂ、３６ｃ及び３６ｄを形成する。この
ため、第２の隔壁３６の各部分３６ａ、３６ｂ、３６ｃ
及び３６ｄの幅を図２に示す値Ｃ以上とし、部分３６
ｂ、３６ｃ及び３６ｄの幅を相互に実質的に等しくし、
部分３６ａの幅を、部分３６ｂ、３６ｃ及び３６ｄの幅
よりも小さくする。即ち、（値Ｃ）≦（部分３６ａの
幅）＜（部分３６ｂの幅）＝（部分３６ｃの幅）＝（部
分３６ｄの幅）とする。これにより、隔壁ペースト層の
膜厚の不均一を、隔壁の幅の違いに起因する残膜率の違
いによって打ち消し、焼成後の隔壁の高さを均一にする
ことができる。次に、蛍光体層１１を形成する。そし
て、絶縁基板１ａを切断し、２枚の絶縁基板１とする。
その後、第１の実施例と同様の方法により、本実施例の
ＰＤＰを製造する。本実施例に係るＰＤＰの製造方法に
おいて、上記以外の製造方法は前述の第１の実施例と同
様である。

【００８９】本実施例においては、絶縁基板１ａに隔壁
ペースト層３８を形成した後、絶縁基板１ａを２枚の絶
縁基板１に分割することにより、ＰＤＰの生産性を向上
させることができる。本実施例における上記以外の効果
は、前述の第１の実施例における効果と同様である。

【００９０】なお、本実施例においては、絶縁基板１ａ
を２枚の絶縁基板１に分割する例を示したが、本発明は
これに限定されず、３枚以上の絶縁基板に分割してもよ
い。また、本実施例においては、絶縁基板１ａの隔壁ペ
ースト層の塗布方向と直交する方向に沿って複数のパネ
ル基板部を配列したが、隔壁ペースト層の塗布方向に沿
って複数のパネル基板部を配列してもよい。更に、前述
の第１乃至第４の実施例においては、第１の隔壁９がス
トライプ状に設けられているが、本発明はこれに限定さ
れず、第１の隔壁は格子状に設けられていてもよい。更
にまた、前述の第１乃至第４の実施例における隔壁の幅
と残膜率との関係を求める予備実験は、１度行えば、Ｐ
ＤＰの製造条件を変更しない限り、ＰＤＰの製造毎に行
う必要がないことは言うまでもない。

【００９１】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
プラズマディスプレイパネルにおいて、隔壁ペースト層
の膜厚に応じて隔壁の各部分の幅を調整することによ
り、焼成前の隔壁ペースト層の膜厚に対する焼成後の隔
壁の高さの比を隔壁の部分ごとに制御することができ、
隔壁ペースト層の膜厚の不均一を焼成により打ち消すこ
とができるため、焼成後の隔壁の高さを均一化すること
ができる。これにより、隔壁と絶縁基板との間に隙間が
発生することを防止し、表示セルの誤灯及びパネル騒音
の発生を防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係るＰＤＰの隔壁の構
成を示す平面図である。

【図２】横軸に隔壁パターンの幅をとり、縦軸に残膜率
をとって、予想される隔壁パターンの幅と残膜率との関
係を模式的に示すグラフ図である。

【図３】（ａ）乃至（ｄ）は本実施例に係るＰＤＰの製
造方法における隔壁を形成する工程を工程順に示す断面
図である。

【図４】（ａ）乃至（ｃ）は隔壁パターンの収縮挙動を
示す断面図であり、（ａ）は焼成前の隔壁パターンを示
し、（ｂ）は（ａ）に示す隔壁パターンがその断面形状
を相似形に保ったまま収縮する場合を示し、（ｃ）は
（ａ）に示す隔壁パターンが基板による拘束を受けた状
態で収縮する場合を示す。

【図５】（ａ）乃至（ｃ）は幅が小さい隔壁の収縮挙動
を示す断面図であり、（ａ）は焼成前の隔壁パターンを
示し、（ｂ）は（ａ）に示す隔壁パターンがその断面形
状を相似形に保ったまま収縮する場合を示し、（ｃ）は
（ａ）に示す隔壁パターンの両側面に働く収縮力が隔壁
パターンの上部へ向かう場合を示す。

【図６】（ａ）及び（ｂ）は隔壁パターンの収縮に伴っ
てその上面が凹む現象を示す断面図であり、（ａ）は焼
成前の状態を示し、（ｂ）は焼成後の状態を示す。

【図７】（ａ）乃至（ｄ）は隔壁ペーストが流体化しな
がら収縮する挙動を示す断面図であり、（ａ）は幅が大
きい隔壁パターンの焼成前の形状を示し、（ｂ）は
（ａ）に示す隔壁パターンの焼成後の形状を示し、
（ｃ）は幅が小さい隔壁パターンの焼成前の形状を示
し、（ｄ）は（ｃ）に示す隔壁パターンの焼成後の形状
を示す。

【図８】（ａ）乃至（ｃ）は隔壁パターンの収縮挙動を
示す斜視図であり、（ａ）は隔壁パターンの収縮が基板
の影響を受けない場合を示し、（ｂ）は隔壁パターンが
基板による拘束を受ける場合を示し、（ｃ）は隔壁パタ
ーンが流体化する場合を示す。

【図９】横軸に隔壁パターンの幅をとり、縦軸に残膜率
をとって、実際に隔壁パターンを形成し、隔壁パターン
の幅と残膜率との関係を調査した実験結果を示すグラフ
図である。

【図１０】本発明の第２の実施例に係るＰＤＰの隔壁の
構成を示す平面図である。

【図１１】本発明の第３の実施例に係るＰＤＰの隔壁を
示す平面図である。

【図１２】横軸に隔壁パターンの幅をとり、縦軸に残膜
率をとって、予想される隔壁パターンの幅と残膜率との
関係を模式的に示すグラフ図である。

【図１３】本発明の第４の実施例に係るＰＤＰの第２の
隔壁を示す平面図である。

【図１４】本実施例に係るＰＤＰの製造方法における隔
壁ペースト層の形成工程を示す斜視図である。

【図１５】３電極面放電交流型プラズマディスプレイパ
ネル（ＰＤＰ）における１つの表示セルの構成を示す斜
視図である。

【図１６】従来のＰＤＰの隔壁を示す平面図である。

【図１７】特開２０００−３６２５４号公報に開示され
ている従来のＰＤＰを示す平面図である。

【図１８】特開２０００−２７７０２０号公報に開示さ
れている従来のＰＤＰを示す平面図である。

【図１９】特開２００１−１６０３６０号公報に開示さ
れている従来のＰＤＰを示す平面図である。

【図２０】（ａ）及び（ｂ）はＰＤＰの製造工程におけ
る隔壁の形成工程を示す断面図であり、（ａ）は絶縁基
板の中央部上のみに隔壁ペースト層を塗布し、端部上に
は隔壁ペースト層を塗布しない場合を示し、（ｂ）は絶
縁基板上の全面に隔壁ペースト層を塗布する場合を示
す。

【図２１】（ａ）は隔壁ペースト層の形成方法を示す斜
視図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ線による断面
図である。

【図２２】従来のＰＤＰを示す断面図である。

【符号の説明】

１、２；絶縁基板１ａ；中央部１ｂ；端部３；走査電極４；共通電極５、６；トレース電極７；データ電極８；放電ガス空間９；第１の隔壁１０；可視光１１；蛍光体層１２、１４；誘電体層１３；保護層１５；表示領域１６；第２の隔壁１７；隔壁１８；隔壁ペースト層１８ａ；塗布方向に直交する方向における端部１８ｂ；塗り始め部１８ｃ；中央部１８ｅ；パターニングされた隔壁ペースト層１９；ドライフィルム２０；ローラ２１；矢印（ローラ２０による塗布方向）２２；領域２２ｄ；領域（隔壁ペースト層１８の塗り終わり部に相
当）２３；封止層２４；隙間２６、３１、３３、３６；第２の隔壁２６ａ、２６ｂ、３１ａ、３１ｂ、３３ａ、３３ｂ、３
６ａ、３６ｂ、３６ｃ、３６ｄ；部分２７、３２、３５；塗布方向２８；封止層２９；基板３０；隔壁パターン３０ａ；隔壁パターン３０の底面３３ｃ；曲部３４；排気孔３７；ローラ３８；隔壁ペースト層３８ａ、３８ｂ、３８ｄ；隔壁ペースト層３８の端部３８ｃ；隔壁ペースト層３８の中央部３８ｅ；端部３８ａと中央部３８ｃの間の領域３９；塗布方向１０１、１１１、１２１；ＰＤＰ１０２、１１２、１２２；ガラス基板１０３、１１３、１２３；表示領域１０４、１１４、１２４；第１の隔壁１０５、１１５、１２５；放電空間１０６、１１６、１２６；第２の隔壁１０６ａ、１１６ａ；切込１０７；封入孔１１７、１２７；第３の隔壁１２６ａ、１２７ａ；平行部分１２６ｂ、１２７ｂ；直交部分Ｗ_１、Ｗ_Ａ、Ｗ_Ｂ、Ｗ_３Ａ、Ｗ_３Ｂ、Ｗ_３Ｃ；幅

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表示領域の外側を囲む隔壁のうち、少な
くとも１組の隣り合う２辺の幅が相互に異なることを特
徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】前記隔壁が２組の対向する辺からなり、
いずれか１組の対向する２辺の幅が相互に異なり、他の
１組の対向する２辺の幅が実質的に同じであることを特
徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネ
ル。
【請求項３】表示領域の外側を囲む隔壁が２組の対向
する辺からなり、いずれか１組の対向する２辺の幅が相
互に異なることを特徴とするプラズマディスプレイパネ
ル。
【請求項４】絶縁基板上に隔壁ペースト層をローラで
塗布する工程と、この隔壁ペースト層をパターニングす
る工程と、このパターニングされた隔壁ペースト層を焼
成する工程とを有し、表示領域の外側を囲む隔壁のう
ち、塗布方向に延在する少なくとも１辺の前記隔壁の前
記隔壁ペースト層のパターニング時の幅と、前記塗布方
向と直交する方向に延在する前記隔壁の前記隔壁ペース
ト層のパターニング時の幅とを相互に異ならせることを
特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】前記塗布方向に延在する少なくとも１辺
の前記隔壁の前記隔壁ペースト層のパターニング時の幅
を、前記塗布方向と直交する方向に延在する前記隔壁の
前記隔壁ペースト層のパターニング時の幅よりも狭くす
ることを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプ
レイパネルの製造方法。
【請求項６】複数のパネル基板部が第１の方向に沿っ
て配列されている絶縁基板上に、前記第１の方向に直交
する方向を塗布方向として隔壁ペースト層をローラで塗
布する工程と、この隔壁ペースト層をパターニングする
工程と、このパターニングされた隔壁ペースト層を焼成
する工程とを有し、前記パネル基板部の夫々の表示領域
の外側を囲む隔壁のうち、前記塗布方向に延在し、前記
絶縁基板の両端部に位置する前記隔壁の前記隔壁ペース
ト層のパターニング時の幅を、この両端部に位置する隔
壁以外の前記隔壁の前記隔壁ペースト層のパターニング
時の幅と異ならせることを特徴とするプラズマディスプ
レイパネルの製造方法。
【請求項７】複数のパネル基板部が第２の方向に沿っ
て配列されている絶縁基板上に、前記第２の方向を塗布
方向として隔壁ペースト層をローラで塗布する工程と、
この隔壁ペースト層をパターニングする工程と、このパ
ターニングされた隔壁ペースト層を焼成する工程とを有
し、前記パネル基板部の夫々の表示領域の外側を囲む隔
壁のうち、前記塗布方向に直交する方向に延在し、前記
絶縁基板の両端部に位置し、対向する前記隔壁の前記隔
壁ペースト層のパターニング時の幅を相互に異ならせる
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方
法。
【請求項８】焼成前の隔壁の高さに対する焼成後の隔
壁の高さの比を残膜率として、予め隔壁の位置と焼成前
の高さとの関係を求める工程と、予め隔壁の幅と前記残
膜率との関係を求める工程と、を有し、前記隔壁ペース
ト層のパターニング時の前記第１及び第２の隔壁の幅
は、前記２つの関係に基づいて設定することを特徴とす
る請求項４乃至７のいずれか１項に記載のプラズマディ
スプレイパネルの製造方法。
【請求項９】前記隔壁の幅と前記残膜率との関係を求
める工程は、基板上に所定の膜厚の隔壁ペースト層を形
成する工程と、この隔壁ペースト層をその幅が相互に異
なる複数の直線状の隔壁パターンにパターニングする工
程と、前記パターニングされた隔壁ペースト層を焼成す
る工程と、焼成後の隔壁ペースト層の膜厚を測定し、焼
成前後の隔壁ペースト層の厚さの変化率と前記パターン
の幅との相関関係を求める工程と、を有することを特徴
とする請求項８に記載のプラズマディスプレイパネルの
製造方法。