JP2003249136A - 接点構造、接点開閉器、計測装置及び無線機 - Google Patents
接点構造、接点開閉器、計測装置及び無線機Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な構造で、安価で簡単に製作できる接点
通過時の信号損失が少ない高周波特性に優れた接点構
造、接点開閉器、計測装置及び無線機を提供する。 【解決手段】 接点閉成時には、高周波信号は、固定接
点１０２ｄから可動接点１０６へ移る際に、固定接点１
０２ｄ間の凸部１０６ａへ向かい凸部１０６ａを通過す
るので、従来のようにいままで通ってきた信号線１０２
ｃ及び固定接点１０２ｄの側面及び下面が突然無くなる
ことがなく、伝送線路の特性インピーダンスのミスマッ
チングが軽減し、高周波特性が向上する。
通過時の信号損失が少ない高周波特性に優れた接点構
造、接点開閉器、計測装置及び無線機を提供する。 【解決手段】 接点閉成時には、高周波信号は、固定接
点１０２ｄから可動接点１０６へ移る際に、固定接点１
０２ｄ間の凸部１０６ａへ向かい凸部１０６ａを通過す
るので、従来のようにいままで通ってきた信号線１０２
ｃ及び固定接点１０２ｄの側面及び下面が突然無くなる
ことがなく、伝送線路の特性インピーダンスのミスマッ
チングが軽減し、高周波特性が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、接点構造、それを
用いた接点開閉器に関し、例えば、ＩＣテスタ、半導体
製造装置等の計測装置、携帯電話、ＰＤＡ等の無線機に
用いられるものである。
用いた接点開閉器に関し、例えば、ＩＣテスタ、半導体
製造装置等の計測装置、携帯電話、ＰＤＡ等の無線機に
用いられるものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の接点構造が適用された一例として
の静電マイクロリレーとして、図１１に示す構成（特開
２０００−１１３７９２に掲載）のものがある。
の静電マイクロリレーとして、図１１に示す構成（特開
２０００−１１３７９２に掲載）のものがある。
【０００３】この静電マイクロリレー１０１では、固定
基板１０２の上面に設けた接続パッド１０２ａの上側に
可動基板１０３が弾性支持され、固定基板１０２の上面
に形成した固定電極１０２ｂと、可動基板１０３の下面
に形成した可動電極１０３ａとが対向している。なお、
可動基板１０３と可動電極１０３ａは同一部材からなっ
ていてもよい。
基板１０２の上面に設けた接続パッド１０２ａの上側に
可動基板１０３が弾性支持され、固定基板１０２の上面
に形成した固定電極１０２ｂと、可動基板１０３の下面
に形成した可動電極１０３ａとが対向している。なお、
可動基板１０３と可動電極１０３ａは同一部材からなっ
ていてもよい。
【０００４】そして、可動基板１０３は中央部に支持部
１０４で支持された可動接点部１０５を持っており、固
定基板１０２上面にある信号線１０２ｃ上の対向する部
分にある可動基板１０３は、高周波特性を向上させるた
め、支持部１０４及び可動接点部１０５を除く信号線１
０２ｃに対向する箇所が切り取られている。
１０４で支持された可動接点部１０５を持っており、固
定基板１０２上面にある信号線１０２ｃ上の対向する部
分にある可動基板１０３は、高周波特性を向上させるた
め、支持部１０４及び可動接点部１０５を除く信号線１
０２ｃに対向する箇所が切り取られている。
【０００５】そして、前記両電極１０２ｂ，１０３ａ間
に電圧を印加して静電引力を発生させ、可動電極１０３
ａを固定電極１０２ｂに吸引することにより、可動基板
１０３を撓ませて可動接点１０６を一対の固定接点１０
２ｄにまたがって閉成するようになっている。可動接点
１０６は支持部１０４に揺動支持された可動接点部１０
５の下面に予め形成されている。また、一対の固定接点
１０２ｄは一対の信号線１０２ｃの対向する端部に予め
形成されている。
に電圧を印加して静電引力を発生させ、可動電極１０３
ａを固定電極１０２ｂに吸引することにより、可動基板
１０３を撓ませて可動接点１０６を一対の固定接点１０
２ｄにまたがって閉成するようになっている。可動接点
１０６は支持部１０４に揺動支持された可動接点部１０
５の下面に予め形成されている。また、一対の固定接点
１０２ｄは一対の信号線１０２ｃの対向する端部に予め
形成されている。
【０００６】可動接点１０６と一対の固定接点１０２ｄ
の接点閉成により、信号は一方の信号線１０２ｃを通り
固定接点１０２ｄから可動接点１０６に伝達され、さら
に可動接点１０６を経由して他方の固定接点１０２ｄか
ら信号線１０２ｃへと伝達される。なお、固定電極１０
２ｄは信号線１０２ｃのＧＮＤと兼用されている。
の接点閉成により、信号は一方の信号線１０２ｃを通り
固定接点１０２ｄから可動接点１０６に伝達され、さら
に可動接点１０６を経由して他方の固定接点１０２ｄか
ら信号線１０２ｃへと伝達される。なお、固定電極１０
２ｄは信号線１０２ｃのＧＮＤと兼用されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術の静電マ
イクロリレー１０１における、可動接点１０６と一対の
固定接点１０２ｄとの接点閉成時の断面は、図１１のＡ
−Ａ断面及びＢ−Ｂ断面が閉成して表された図１２に示
すような構成となっている。
イクロリレー１０１における、可動接点１０６と一対の
固定接点１０２ｄとの接点閉成時の断面は、図１１のＡ
−Ａ断面及びＢ−Ｂ断面が閉成して表された図１２に示
すような構成となっている。
【０００８】図１２では、対向する一対の固定接点１０
２ｄの上面に可動接点１０６の下面が接触し、固定接点
１０２ｄ間の上方に可動接点１０６がまたがって橋渡し
され、固定接点１０２ｄ間に空間Ｒが形成される。
２ｄの上面に可動接点１０６の下面が接触し、固定接点
１０２ｄ間の上方に可動接点１０６がまたがって橋渡し
され、固定接点１０２ｄ間に空間Ｒが形成される。
【０００９】ここで、１ＧＨｚを超えるような高周波信
号は、表皮効果により導体の表面を通る。したがって、
上記の静電マイクロリレー１０１では、１ＧＨｚを超え
るような高周波信号は、信号線１０２ｃの上面、側面及
び下面を通り、信号線１０２ｃと断面形状が一致してい
る特性インピーダンスが一定の固定接点１０２ｄへと向
かう。
号は、表皮効果により導体の表面を通る。したがって、
上記の静電マイクロリレー１０１では、１ＧＨｚを超え
るような高周波信号は、信号線１０２ｃの上面、側面及
び下面を通り、信号線１０２ｃと断面形状が一致してい
る特性インピーダンスが一定の固定接点１０２ｄへと向
かう。
【００１０】しかし、図１２に示すように、接点閉成時
には、高周波信号は、固定接点１０２ｄから可動接点１
０６へ移る際に、固定接点１０２ｄ間の空間Ｒへ向かっ
てしまい、いままで通ってきた信号線１０２ｃ及び固定
接点１０２ｄの側面及び下面が突然無くなり、ミスマッ
チングを起こす。
には、高周波信号は、固定接点１０２ｄから可動接点１
０６へ移る際に、固定接点１０２ｄ間の空間Ｒへ向かっ
てしまい、いままで通ってきた信号線１０２ｃ及び固定
接点１０２ｄの側面及び下面が突然無くなり、ミスマッ
チングを起こす。
【００１１】つまり、接点閉成時に、ＤＣ信号は、閉成
した固定接点１０２ｄと可動接点１０６の接点部分をロ
ス無く通るが、高周波信号は、図１２に示すように２本
の信号線１０２ｃ間の空間Ｒで伝送線路の特性インピー
ダンスにミスマッチングが発生し、ＧＮＤとの電界の放
射状態が変化し、高周波特性が低下する。
した固定接点１０２ｄと可動接点１０６の接点部分をロ
ス無く通るが、高周波信号は、図１２に示すように２本
の信号線１０２ｃ間の空間Ｒで伝送線路の特性インピー
ダンスにミスマッチングが発生し、ＧＮＤとの電界の放
射状態が変化し、高周波特性が低下する。
【００１２】本発明は、上記従来技術の課題を解決する
ためになされたもので、その目的とするところは、簡単
な構造で、安価で簡単に製作できる接点通過時の信号損
失が少ない高周波特性に優れた接点構造、接点開閉器、
計測装置及び無線機を提供することにある。
ためになされたもので、その目的とするところは、簡単
な構造で、安価で簡単に製作できる接点通過時の信号損
失が少ない高周波特性に優れた接点構造、接点開閉器、
計測装置及び無線機を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の接点構造にあっては、固定基板に対向配設
した可動基板の可動接点を、前記固定基板の一対の固定
接点にまたがって接離可能とする接点構造であって、前
記可動接点には、接点閉成時に前記一対の固定接点間に
位置する高周波信号伝送部を設けたことを特徴とする。
に、本発明の接点構造にあっては、固定基板に対向配設
した可動基板の可動接点を、前記固定基板の一対の固定
接点にまたがって接離可能とする接点構造であって、前
記可動接点には、接点閉成時に前記一対の固定接点間に
位置する高周波信号伝送部を設けたことを特徴とする。
【００１４】これによると、高周波信号伝送部が一対の
固定接点間の隙間に位置し、高周波信号は高周波信号伝
送部を通過するので、伝送線路の特性インピーダンスの
ミスマッチングが軽減し、高周波特性が向上する。
固定接点間の隙間に位置し、高周波信号は高周波信号伝
送部を通過するので、伝送線路の特性インピーダンスの
ミスマッチングが軽減し、高周波特性が向上する。
【００１５】前記高周波信号伝送部は、接点閉成時に前
記一対の固定接点に非接触であることが好適である。
記一対の固定接点に非接触であることが好適である。
【００１６】これによると、高周波信号伝送部が固定接
点に接触することによる摩擦で固定接点と可動接点とを
接離するアクチュエータ動作が妨げられることが防止で
きる。
点に接触することによる摩擦で固定接点と可動接点とを
接離するアクチュエータ動作が妨げられることが防止で
きる。
【００１７】前記高周波信号伝送部は、接点閉成時に前
記一対の固定接点に接触することが好適である。
記一対の固定接点に接触することが好適である。
【００１８】これによると、高周波信号はさらに高周波
信号伝送部を通過し易くなり、伝送線路の特性インピー
ダンスのミスマッチングがより軽減し、高周波特性が向
上する。
信号伝送部を通過し易くなり、伝送線路の特性インピー
ダンスのミスマッチングがより軽減し、高周波特性が向
上する。
【００１９】前記高周波信号伝送部は、接点閉成時に前
記一対の固定接点にまたがって接触した前記可動接点か
ら前記一対の固定接点間の隙間に突出した凸部であるこ
とが好適である。
記一対の固定接点にまたがって接触した前記可動接点か
ら前記一対の固定接点間の隙間に突出した凸部であるこ
とが好適である。
【００２０】これによると、高周波信号伝送部が一対の
固定接点間の隙間に位置することができる。
固定接点間の隙間に位置することができる。
【００２１】前記高周波信号伝送部は、接点閉成時に前
記一対の固定接点にまたがって接触し、前記一対の固定
接点間に挟まれることが好適である。
記一対の固定接点にまたがって接触し、前記一対の固定
接点間に挟まれることが好適である。
【００２２】これによると、高周波信号伝送部が接点閉
成時に一対の固定接点に接触することができる。
成時に一対の固定接点に接触することができる。
【００２３】前記高周波信号伝送部は、前記可動接点の
本体とは異なる材質で形成されたことが好適である。
本体とは異なる材質で形成されたことが好適である。
【００２４】これによると、材料の相違により作製プロ
セスの精度が向上する。
セスの精度が向上する。
【００２５】前記高周波信号伝送部は、前記一対の固定
接点と同一の材質で形成されたことが好適である。
接点と同一の材質で形成されたことが好適である。
【００２６】これによると、固定接点と高周波信号伝送
部とで伝送線路の比抵抗を合わせることができ、伝送線
路の特性インピーダンスのミスマッチングがより軽減
し、高周波特性が向上する。
部とで伝送線路の比抵抗を合わせることができ、伝送線
路の特性インピーダンスのミスマッチングがより軽減
し、高周波特性が向上する。
【００２７】本発明の接点開閉器にあっては、上記の接
点構造を備え、前記可動接点を前記一対の固定接点に接
離することにより、前記一対の固定接点間を電気的に開
閉することを特徴とする。
点構造を備え、前記可動接点を前記一対の固定接点に接
離することにより、前記一対の固定接点間を電気的に開
閉することを特徴とする。
【００２８】これによると、電気的な開閉が良好に行え
る。ここで、接点開閉器としては、一対の固定接点をま
たぐ可動接点を有する有接点のマイクロリレーやスイッ
チを示す。例えば、マイクロリレーとしては、その駆動
方式により静電マイクロリレー、圧電マイクロリレー、
熱駆動マイクロリレー、形状記憶合金マイクロリレー、
磁気マイクロリレー等が挙げられる。
る。ここで、接点開閉器としては、一対の固定接点をま
たぐ可動接点を有する有接点のマイクロリレーやスイッ
チを示す。例えば、マイクロリレーとしては、その駆動
方式により静電マイクロリレー、圧電マイクロリレー、
熱駆動マイクロリレー、形状記憶合金マイクロリレー、
磁気マイクロリレー等が挙げられる。
【００２９】本発明の計測装置にあっては、上記の接点
構造を備えることを特徴とする。
構造を備えることを特徴とする。
【００３０】これによると、上記の接点構造を有するマ
イクロリレー等は、例えば、ＩＣテスタ、半導体製造装
置等の計測装置に用いられ、測定対象物と計測装置間の
信号を開閉することができる。
イクロリレー等は、例えば、ＩＣテスタ、半導体製造装
置等の計測装置に用いられ、測定対象物と計測装置間の
信号を開閉することができる。
【００３１】本発明の無線機にあっては、上記の接点構
造を備えることを特徴とする。
造を備えることを特徴とする。
【００３２】これによると、上記の接点構造を有するマ
イクロリレー等は、例えば、携帯電話、ＰＤＡ等の無線
機に用いられ、無線電波信号を開閉することができる。
イクロリレー等は、例えば、携帯電話、ＰＤＡ等の無線
機に用いられ、無線電波信号を開閉することができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して、この発明
の好適な実施形態を例示的に詳しく説明する。ただし、
この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材
質、形状、その相対配置などは、特に特定的な記載がな
い限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨
のものではない。
の好適な実施形態を例示的に詳しく説明する。ただし、
この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材
質、形状、その相対配置などは、特に特定的な記載がな
い限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨
のものではない。
【００３４】なお、実施形態では、静電マイクロリレー
に本発明の接点構造を適用した例を説明するが、その
他、例えば、圧電マイクロリレー、熱駆動マイクロリレ
ー、形状記憶合金マイクロリレー、磁気マイクロリレ
ー、スイッチ等の有接点の接点開閉器に適用しても同様
の効果を発揮する。
に本発明の接点構造を適用した例を説明するが、その
他、例えば、圧電マイクロリレー、熱駆動マイクロリレ
ー、形状記憶合金マイクロリレー、磁気マイクロリレ
ー、スイッチ等の有接点の接点開閉器に適用しても同様
の効果を発揮する。
【００３５】（第１実施形態）本実施形態に係る静電マ
イクロリレーを従来技術と同様の図１１を用いて説明す
る。本実施形態に係る静電マイクロリレーは、概略は図
１１に示す構成である。
イクロリレーを従来技術と同様の図１１を用いて説明す
る。本実施形態に係る静電マイクロリレーは、概略は図
１１に示す構成である。
【００３６】この静電マイクロリレー１０１では、固定
基板１０２の上面に設けた接続パッド１０２ａの上側に
可動基板１０３が弾性支持され、固定基板１０２の上面
に形成した固定電極１０２ｂと、可動基板１０３の下面
に形成した可動電極１０３ａとが対向している。なお、
可動基板１０３と可動電極１０３ａは同一部材からなっ
ていてもよい。
基板１０２の上面に設けた接続パッド１０２ａの上側に
可動基板１０３が弾性支持され、固定基板１０２の上面
に形成した固定電極１０２ｂと、可動基板１０３の下面
に形成した可動電極１０３ａとが対向している。なお、
可動基板１０３と可動電極１０３ａは同一部材からなっ
ていてもよい。
【００３７】そして、可動基板１０３は中央部に支持部
１０４で支持された可動接点部１０５を持っており、固
定基板１０２上面にある信号線１０２ｃ上の対向する部
分にある可動基板１０３は、高周波特性を向上させるた
め、支持部１０４及び可動接点部１０５を除く信号線１
０２ｃに対向する箇所が切り取られている。
１０４で支持された可動接点部１０５を持っており、固
定基板１０２上面にある信号線１０２ｃ上の対向する部
分にある可動基板１０３は、高周波特性を向上させるた
め、支持部１０４及び可動接点部１０５を除く信号線１
０２ｃに対向する箇所が切り取られている。
【００３８】そして、前記両電極１０２ｂ，１０３ａ間
に電圧を印加して静電引力を発生させ、可動電極１０３
ａを固定電極１０２ｂに吸引することにより、可動基板
１０３を撓ませて可動接点１０６を一対の固定接点１０
２ｄにまたがって閉成するようになっている。可動接点
１０６は支持部１０４に揺動支持された可動接点部１０
５の下面に予め形成されている。また、一対の固定接点
１０２ｄは一対の信号線１０２ｃの対向する端部に予め
形成されている。
に電圧を印加して静電引力を発生させ、可動電極１０３
ａを固定電極１０２ｂに吸引することにより、可動基板
１０３を撓ませて可動接点１０６を一対の固定接点１０
２ｄにまたがって閉成するようになっている。可動接点
１０６は支持部１０４に揺動支持された可動接点部１０
５の下面に予め形成されている。また、一対の固定接点
１０２ｄは一対の信号線１０２ｃの対向する端部に予め
形成されている。
【００３９】可動接点１０６と一対の固定接点１０２ｄ
の接点閉成により、信号は一方の信号線１０２ｃを通り
固定接点１０２ｄから可動接点１０６に伝達され、さら
に可動接点１０６を経由して他方の固定接点１０２ｄか
ら信号線１０２ｃへと伝達される。なお、固定電極１０
２ｄは信号線１０２ｃのＧＮＤと兼用されている。
の接点閉成により、信号は一方の信号線１０２ｃを通り
固定接点１０２ｄから可動接点１０６に伝達され、さら
に可動接点１０６を経由して他方の固定接点１０２ｄか
ら信号線１０２ｃへと伝達される。なお、固定電極１０
２ｄは信号線１０２ｃのＧＮＤと兼用されている。
【００４０】上記の実施形態に係る静電マイクロリレー
１０１における、可動接点１０６と一対の固定接点１０
２ｄとの接点閉成時の断面は、図１１のＡ−Ａ断面及び
Ｂ−Ｂ断面が閉成して表された図１に示すような構成と
なっている。
１０１における、可動接点１０６と一対の固定接点１０
２ｄとの接点閉成時の断面は、図１１のＡ−Ａ断面及び
Ｂ−Ｂ断面が閉成して表された図１に示すような構成と
なっている。
【００４１】図１に示すように、対向する一対の固定接
点１０２ｄの上面に可動接点１０６の本体下面の端部が
接触し、固定接点１０２ｄ間の上方に平板状の可動接点
１０６の本体がまたがって橋渡しされている。そして、
本発明の特徴として、可動接点１０６には、本体下面か
ら固定接点１０２ｄ間へ突出する高周波信号伝送部とし
ての凸部１０６ａが形成されている。すなわち、閉成時
に一対の固定接点１０２ｄ間の領域Ｓに位置する凸部１
０６ａが設けられている。
点１０２ｄの上面に可動接点１０６の本体下面の端部が
接触し、固定接点１０２ｄ間の上方に平板状の可動接点
１０６の本体がまたがって橋渡しされている。そして、
本発明の特徴として、可動接点１０６には、本体下面か
ら固定接点１０２ｄ間へ突出する高周波信号伝送部とし
ての凸部１０６ａが形成されている。すなわち、閉成時
に一対の固定接点１０２ｄ間の領域Ｓに位置する凸部１
０６ａが設けられている。
【００４２】この凸部１０６ａは、側面が一対の固定接
点１０２ｄの対向する端面と隔てられており、接点閉成
時であっても固定接点１０２ｄに非接触状態となるよう
にしている。
点１０２ｄの対向する端面と隔てられており、接点閉成
時であっても固定接点１０２ｄに非接触状態となるよう
にしている。
【００４３】このため、非接触状態となっている凸部１
０６ａと固定接点１０２ｄとの間では摩擦が発生せず、
接点を開閉する固定接点１０２ｄと可動接点１０６とを
接離するアクチュエータ動作が妨げられることはない。
０６ａと固定接点１０２ｄとの間では摩擦が発生せず、
接点を開閉する固定接点１０２ｄと可動接点１０６とを
接離するアクチュエータ動作が妨げられることはない。
【００４４】ここで、１ＧＨｚを超えるような高周波信
号は、表皮効果により導体の表面を通る。したがって、
上記の静電マイクロリレー１０１では、１ＧＨｚを超え
るような高周波信号は、信号線１０２ｃの上面、側面及
び下面を通り、信号線１０２ｃと断面形状が一致してい
る特性インピーダンスが一定の固定接点１０２ｄへと向
かう。
号は、表皮効果により導体の表面を通る。したがって、
上記の静電マイクロリレー１０１では、１ＧＨｚを超え
るような高周波信号は、信号線１０２ｃの上面、側面及
び下面を通り、信号線１０２ｃと断面形状が一致してい
る特性インピーダンスが一定の固定接点１０２ｄへと向
かう。
【００４５】そして、図１に示すように、接点閉成時に
は、高周波信号は、固定接点１０２ｄから可動接点１０
６へ移る際に、固定接点１０２ｄ間の凸部１０６ａへ向
かい凸部１０６ａを通過するので、従来のようにいまま
で通ってきた信号線１０２ｃ及び固定接点１０２ｄの側
面及び下面が突然無くなることがなく、伝送線路の特性
インピーダンスのミスマッチングが軽減し、高周波特性
が向上する。
は、高周波信号は、固定接点１０２ｄから可動接点１０
６へ移る際に、固定接点１０２ｄ間の凸部１０６ａへ向
かい凸部１０６ａを通過するので、従来のようにいまま
で通ってきた信号線１０２ｃ及び固定接点１０２ｄの側
面及び下面が突然無くなることがなく、伝送線路の特性
インピーダンスのミスマッチングが軽減し、高周波特性
が向上する。
【００４６】（評価試験）上記効果を確認するため、図
２に示す静電マイクロリレーを作製し、評価試験を行っ
た。
２に示す静電マイクロリレーを作製し、評価試験を行っ
た。
【００４７】評価試験は、図２に示す静電マイクロリレ
ーで、信号線１０２ｃの厚みを２．２μｍ、凸部１０６
ａと対向する固定基板１０２上のＧＮＤである固定電極
１０２ｂの厚みを０．５μｍに設定し、可動接点１０６
の固定接点１０２ｄ上に接触した可動接点本体から突出
した凸部１０６ａの厚みｔを０〜１．７μｍの間で変化
させて、高周波信号（２ＧＨｚの正弦波で、１ｄＢｍの
信号（１ｄＢｍ＝１ｍＷの電力信号のことで、電圧に換
算すると５０Ω系の高周波伝送線路の場合０．２２４Ｖ
程度に相当））を伝送して行った。
ーで、信号線１０２ｃの厚みを２．２μｍ、凸部１０６
ａと対向する固定基板１０２上のＧＮＤである固定電極
１０２ｂの厚みを０．５μｍに設定し、可動接点１０６
の固定接点１０２ｄ上に接触した可動接点本体から突出
した凸部１０６ａの厚みｔを０〜１．７μｍの間で変化
させて、高周波信号（２ＧＨｚの正弦波で、１ｄＢｍの
信号（１ｄＢｍ＝１ｍＷの電力信号のことで、電圧に換
算すると５０Ω系の高周波伝送線路の場合０．２２４Ｖ
程度に相当））を伝送して行った。
【００４８】ここで、評価は、インサーションロス＝１
０ｌｏｇ（Ｐｏｕｔ（接点通過後の信号線１０２ｃでの
高周波の出力）／Ｐｉｎ（接点通過前の信号線１０２ｃ
での高周波の入力））の大きさで判断した。
０ｌｏｇ（Ｐｏｕｔ（接点通過後の信号線１０２ｃでの
高周波の出力）／Ｐｉｎ（接点通過前の信号線１０２ｃ
での高周波の入力））の大きさで判断した。
【００４９】評価試験の結果を図３に示す。図３に示す
ように、可動接点１０６の凸部１０６ａの厚みｔが厚く
なるに従いインサーションロスは−０．３ｄＢから−
０．１７５ｄＢ程度へとロスが減少した。
ように、可動接点１０６の凸部１０６ａの厚みｔが厚く
なるに従いインサーションロスは−０．３ｄＢから−
０．１７５ｄＢ程度へとロスが減少した。
【００５０】なお、ここで用いた高周波であれば、一般
的なインサーションロスの仕様は−０．５〜−１．０ｄ
Ｂの範囲である。
的なインサーションロスの仕様は−０．５〜−１．０ｄ
Ｂの範囲である。
【００５１】以上のように、第１実施形態の構成とする
ことで、伝送線路の特性インピーダンスのミスマッチン
グが軽減し、高周波特性が向上することの効果が確認で
きた。
ことで、伝送線路の特性インピーダンスのミスマッチン
グが軽減し、高周波特性が向上することの効果が確認で
きた。
【００５２】（凸部の製造方法）以下に、凸部１０６ａ
の製造方法を説明する。ここでは、製造方法の異なる２
種類の方法を説明する。なお、以下の説明では、製造方
法の都合上、凸部１０６ａが下向きとなる実際の使用状
態とは逆に凸部１０６ａが上向きに作製されていく。
の製造方法を説明する。ここでは、製造方法の異なる２
種類の方法を説明する。なお、以下の説明では、製造方
法の都合上、凸部１０６ａが下向きとなる実際の使用状
態とは逆に凸部１０６ａが上向きに作製されていく。
【００５３】（第１の製造方法Ａ）図４を用いて第１の
製造方法Ａを説明する。本製造方法では、可動接点１０
６の本体と同種の材料で凸部１０６ａを製造する方法で
ある。
製造方法Ａを説明する。本製造方法では、可動接点１０
６の本体と同種の材料で凸部１０６ａを製造する方法で
ある。
【００５４】（Ａ１）まず、可動接点１０６を有するこ
ととなる可動接点部１０５のＳｉ基板４０１を用意する
（図４（ａ））。
ととなる可動接点部１０５のＳｉ基板４０１を用意する
（図４（ａ））。
【００５５】（Ａ２）Ｓｉ基板４０１上に可動接点１０
６となるＡｕ４０２をスパッタする（図４（ｂ））。
６となるＡｕ４０２をスパッタする（図４（ｂ））。
【００５６】（Ａ３）さらにＡｕ４０２上に可動接点１
０６の幅だけレジスト４０３を塗布する（図４
（ｃ））。
０６の幅だけレジスト４０３を塗布する（図４
（ｃ））。
【００５７】（Ａ４）レジスト４０３が塗布されていな
い領域をエッチングし、レジスト４０３が塗布されてい
ない領域のＡｕを取り除く（図４（ｄ））。
い領域をエッチングし、レジスト４０３が塗布されてい
ない領域のＡｕを取り除く（図４（ｄ））。
【００５８】（Ａ５）レジスト４０３を除去し、Ａｕを
露出させる（図４（ｅ））。
露出させる（図４（ｅ））。
【００５９】（Ａ６）露出したＡｕ上に凸部１０６ａの
幅だけレジスト４０４を塗布する（図４（ｆ））。
幅だけレジスト４０４を塗布する（図４（ｆ））。
【００６０】（Ａ７）レジスト４０４が塗布されていな
い領域をエッチングし、レジスト４０４が塗布されてい
ない領域のＡｕを所定の可動接点１０６の本体となる厚
みまで取り除く（図４（ｇ））。
い領域をエッチングし、レジスト４０４が塗布されてい
ない領域のＡｕを所定の可動接点１０６の本体となる厚
みまで取り除く（図４（ｇ））。
【００６１】（Ａ８）レジスト４０４を除去し、Ａｕを
露出させ、凸部１０６ａを作製した（図４（ｈ））。
露出させ、凸部１０６ａを作製した（図４（ｈ））。
【００６２】以上の第１の製造方法Ａであると、凸部１
０６ａを可動接点１０６の本体と同材料で作製すること
ができる。
０６ａを可動接点１０６の本体と同材料で作製すること
ができる。
【００６３】例えば、信号線１０２ｃと可動接点１０６
とが同材料であると、固定接点１０２ｄと凸部１０６ａ
とで伝送線路の比抵抗を合わせることができ、伝送線路
の特性インピーダンスのミスマッチングがより軽減し、
高周波特性が向上する効果を発揮できる。
とが同材料であると、固定接点１０２ｄと凸部１０６ａ
とで伝送線路の比抵抗を合わせることができ、伝送線路
の特性インピーダンスのミスマッチングがより軽減し、
高周波特性が向上する効果を発揮できる。
【００６４】（第２の製造方法Ｂ）図５を用いて第２の
製造方法Ｂを説明する。本製造方法では、可動接点１０
６の本体と異なる材料で凸部を製造する方法である。
製造方法Ｂを説明する。本製造方法では、可動接点１０
６の本体と異なる材料で凸部を製造する方法である。
【００６５】（Ｂ１）まず、可動接点１０６を有するこ
ととなる可動接点部１０５のＳｉ基板５０１を用意する
（図５（ａ））。
ととなる可動接点部１０５のＳｉ基板５０１を用意する
（図５（ａ））。
【００６６】（Ｂ２）Ｓｉ基板５０１上に可動接点１０
６の本体となるＲｕ５０２及び可動接点１０６の凸部１
０６ａとなるＡｕ５０３を順にスパッタする（図５
（ｂ））。
６の本体となるＲｕ５０２及び可動接点１０６の凸部１
０６ａとなるＡｕ５０３を順にスパッタする（図５
（ｂ））。
【００６７】（Ｂ３）Ａｕ５０３上に可動接点１０６の
本体の幅だけレジスト５０４を塗布する（図５
（ｃ））。
本体の幅だけレジスト５０４を塗布する（図５
（ｃ））。
【００６８】（Ｂ４）レジスト５０４が塗布されていな
い領域をエッチングし、レジスト５０４が塗布されてい
ない領域のＡｕ及びＲｕを取り除く（図５（ｄ））。
い領域をエッチングし、レジスト５０４が塗布されてい
ない領域のＡｕ及びＲｕを取り除く（図５（ｄ））。
【００６９】（Ｂ５）レジスト５０４を除去し、Ａｕを
露出させる（図５（ｅ））。
露出させる（図５（ｅ））。
【００７０】（Ｂ６）露出したＡｕ上に凸部１０６ａの
幅だけレジスト５０５を塗布する（図５（ｆ））。
幅だけレジスト５０５を塗布する（図５（ｆ））。
【００７１】（Ｂ７）レジスト５０５が塗布されていな
い領域をエッチングし、レジスト５０５が塗布されてい
ない領域のＡｕを取り除きＲｕを露出させる（図５
（ｇ））。
い領域をエッチングし、レジスト５０５が塗布されてい
ない領域のＡｕを取り除きＲｕを露出させる（図５
（ｇ））。
【００７２】（Ｂ８）レジスト５０５を除去し、Ａｕを
露出させ、凸部１０６ａを作製した（図５（ｈ））。
露出させ、凸部１０６ａを作製した（図５（ｈ））。
【００７３】以上の第２の製造方法Ｂであると、凸部１
０６ａを可動接点１０６の本体と異なる材料で作製する
ことができる。このため、材料の相違により作製プロセ
スの精度が向上する。
０６ａを可動接点１０６の本体と異なる材料で作製する
ことができる。このため、材料の相違により作製プロセ
スの精度が向上する。
【００７４】また、第１の製造方法Ａと同様に、例え
ば、信号線１０２ｃと可動接点１０６の凸部１０６ａと
が同材料であると、固定接点１０２ｄと凸部１０６ａと
で伝送線路の比抵抗を合わせることができ、伝送線路の
特性インピーダンスのミスマッチングがより軽減し、高
周波特性が向上する効果を発揮できる。
ば、信号線１０２ｃと可動接点１０６の凸部１０６ａと
が同材料であると、固定接点１０２ｄと凸部１０６ａと
で伝送線路の比抵抗を合わせることができ、伝送線路の
特性インピーダンスのミスマッチングがより軽減し、高
周波特性が向上する効果を発揮できる。
【００７５】（その他の実施形態）以下に、本発明の特
徴部分である高周波信号伝送部の他の構成について説明
する。なお、以下の説明では第１実施形態とは異なる特
徴部分だけを説明し、その他の構成は第１実施形態と同
様であるので説明を省略する。
徴部分である高周波信号伝送部の他の構成について説明
する。なお、以下の説明では第１実施形態とは異なる特
徴部分だけを説明し、その他の構成は第１実施形態と同
様であるので説明を省略する。
【００７６】（第２実施形態）図６の構成については第
１実施形態と同様に可動接点１０６は高周波信号伝送部
として凸部１０６ｂを有する構成のものである。また、
図６の構成については凸部１０６ｂが固定接点１０２ｄ
と接触する構成である。
１実施形態と同様に可動接点１０６は高周波信号伝送部
として凸部１０６ｂを有する構成のものである。また、
図６の構成については凸部１０６ｂが固定接点１０２ｄ
と接触する構成である。
【００７７】本実施形態では、静電マイクロリレー１０
１における、可動接点１０６と一対の固定接点１０２ｄ
との接点閉成時の断面は、図１１のＡ−Ａ断面及びＢ−
Ｂ断面が閉成して表された図６に示すような構成となっ
ている。
１における、可動接点１０６と一対の固定接点１０２ｄ
との接点閉成時の断面は、図１１のＡ−Ａ断面及びＢ−
Ｂ断面が閉成して表された図６に示すような構成となっ
ている。
【００７８】図６に示すように、対向する一対の固定接
点１０２ｄの上面に可動接点１０６の本体下面が接触
し、固定接点１０２ｄ間の上方に平板状の可動接点１０
６の本体がまたがって橋渡しされている。そして、本発
明の特徴として、可動接点１０６には、本体下面から固
定接点１０２ｄ間へ突出する高周波信号伝送部としての
凸部１０６ｂが形成されている。
点１０２ｄの上面に可動接点１０６の本体下面が接触
し、固定接点１０２ｄ間の上方に平板状の可動接点１０
６の本体がまたがって橋渡しされている。そして、本発
明の特徴として、可動接点１０６には、本体下面から固
定接点１０２ｄ間へ突出する高周波信号伝送部としての
凸部１０６ｂが形成されている。
【００７９】この凸部１０６ｂは、側面から頂点へ向か
って丸みを帯びている形状であり、その一部が一対の固
定接点１０２ｄの対向するテーパ状の端面に接触する。
って丸みを帯びている形状であり、その一部が一対の固
定接点１０２ｄの対向するテーパ状の端面に接触する。
【００８０】なお、固定接点１０２ｄのテーパ状の端面
は、可動接点１０６に近づくにつれて一対の固定接点１
０２ｄ間の対向間距離を広げるような形状である。
は、可動接点１０６に近づくにつれて一対の固定接点１
０２ｄ間の対向間距離を広げるような形状である。
【００８１】このため、接触状態となっている凸部１０
６ｂと固定接点１０２ｄとの間では高周波信号はさらに
通過し易くなり、伝送線路の特性インピーダンスのミス
マッチングがより軽減し、高周波特性が向上する。
６ｂと固定接点１０２ｄとの間では高周波信号はさらに
通過し易くなり、伝送線路の特性インピーダンスのミス
マッチングがより軽減し、高周波特性が向上する。
【００８２】（第３実施形態）図７の構成については第
１実施形態と同様に可動接点１０６は高周波信号伝送部
として凸部１０６ｃを有する構成のものである。また、
図７の構成については凸部１０６ｃが固定接点と接触す
る構成のものである。
１実施形態と同様に可動接点１０６は高周波信号伝送部
として凸部１０６ｃを有する構成のものである。また、
図７の構成については凸部１０６ｃが固定接点と接触す
る構成のものである。
【００８３】本実施形態では、静電マイクロリレー１０
１における、可動接点１０６と一対の固定接点１０２ｄ
との接点閉成時の断面は、図１１のＡ−Ａ断面及びＢ−
Ｂ断面が閉成して表された図７に示すような構成となっ
ている。
１における、可動接点１０６と一対の固定接点１０２ｄ
との接点閉成時の断面は、図１１のＡ−Ａ断面及びＢ−
Ｂ断面が閉成して表された図７に示すような構成となっ
ている。
【００８４】図７に示すように、対向する一対の固定接
点１０２ｄの上面に可動接点１０６の本体下面が接触
し、固定接点１０２ｄ間の上方に平板状の可動接点１０
６の本体がまたがって橋渡しされている。そして、本発
明の特徴として、可動接点１０６には、本体下面から固
定接点１０２ｄ間へ突出する高周波信号伝送部としての
凸部１０６ｃが形成されている。
点１０２ｄの上面に可動接点１０６の本体下面が接触
し、固定接点１０２ｄ間の上方に平板状の可動接点１０
６の本体がまたがって橋渡しされている。そして、本発
明の特徴として、可動接点１０６には、本体下面から固
定接点１０２ｄ間へ突出する高周波信号伝送部としての
凸部１０６ｃが形成されている。
【００８５】この凸部１０６ｃは、一対の固定接点１０
２ｄの対向するテーパ状の端面に接触して組み合うテー
パ状の側面を有している。
２ｄの対向するテーパ状の端面に接触して組み合うテー
パ状の側面を有している。
【００８６】なお、固定接点１０２ｄのテーパ状の端面
は、可動接点１０６に近づくにつれて一対の固定接点１
０２ｄ間の対向間距離を広げるような形状である。
は、可動接点１０６に近づくにつれて一対の固定接点１
０２ｄ間の対向間距離を広げるような形状である。
【００８７】このため、接触状態となっている凸部１０
６ｃと固定接点１０２ｄとの間では隙間も無く組み合う
ため、高周波信号は第２実施形態よりもさらに通過し易
くなり、伝送線路の特性インピーダンスのミスマッチン
グがより軽減し、高周波特性が向上する。
６ｃと固定接点１０２ｄとの間では隙間も無く組み合う
ため、高周波信号は第２実施形態よりもさらに通過し易
くなり、伝送線路の特性インピーダンスのミスマッチン
グがより軽減し、高周波特性が向上する。
【００８８】（第４実施形態）図８の構成については高
周波信号伝送部１０６ｄが固定接点１０２ｄと接触する
構成のものである。
周波信号伝送部１０６ｄが固定接点１０２ｄと接触する
構成のものである。
【００８９】本実施形態では、静電マイクロリレー１０
１における、可動接点１０６と一対の固定接点１０２ｄ
との接点閉成時の断面は、図１１のＡ−Ａ断面及びＢ−
Ｂ断面が閉成して表された図８に示すような構成となっ
ている。
１における、可動接点１０６と一対の固定接点１０２ｄ
との接点閉成時の断面は、図１１のＡ−Ａ断面及びＢ−
Ｂ断面が閉成して表された図８に示すような構成となっ
ている。
【００９０】図８に示すように、本発明の特徴として、
可動接点１０６の本体下の全体に高周波信号伝送部１０
６ｄが積層して設けられている。
可動接点１０６の本体下の全体に高周波信号伝送部１０
６ｄが積層して設けられている。
【００９１】この高周波信号伝送部１０６ｄは、一対の
固定接点１０２ｄの対向するテーパ状の端面に接触して
組み合うテーパ状の側面を有している。
固定接点１０２ｄの対向するテーパ状の端面に接触して
組み合うテーパ状の側面を有している。
【００９２】すなわち、本実施形態では、可動接点１０
６の本体が固定接点１０２ｄとは接触せずに、高周波信
号伝送部１０６ｄが固定接点１０２ｄと接触する接点構
造となっている。
６の本体が固定接点１０２ｄとは接触せずに、高周波信
号伝送部１０６ｄが固定接点１０２ｄと接触する接点構
造となっている。
【００９３】なお、固定接点１０２ｄのテーパ状の端面
は、可動接点１０６に近づくにつれて一対の固定接点１
０２ｄ間の対向間距離を広げるような形状である。
は、可動接点１０６に近づくにつれて一対の固定接点１
０２ｄ間の対向間距離を広げるような形状である。
【００９４】このため、本実施形態では、可動接点１０
６の本体が固定接点１０２ｄとは接触しないが、高周波
信号伝送部１０６ｄと固定接点１０２ｄとの間では隙間
も無く組み合うため、ＤＣ信号の通過はもちろんのこ
と、高周波信号はさらに通過し易くなり、伝送線路の特
性インピーダンスのミスマッチングがより軽減し、高周
波特性が向上する。
６の本体が固定接点１０２ｄとは接触しないが、高周波
信号伝送部１０６ｄと固定接点１０２ｄとの間では隙間
も無く組み合うため、ＤＣ信号の通過はもちろんのこ
と、高周波信号はさらに通過し易くなり、伝送線路の特
性インピーダンスのミスマッチングがより軽減し、高周
波特性が向上する。
【００９５】（種々の装置への適用）次に、上記実施形
態を用いたマイクロリレーを種々の装置に適用した場合
について説明する。
態を用いたマイクロリレーを種々の装置に適用した場合
について説明する。
【００９６】（計測装置への適用）上記実施形態のマイ
クロリレーを計測装置に適用した場合について説明す
る。
クロリレーを計測装置に適用した場合について説明す
る。
【００９７】このような計測装置として、例えばＩＣテ
スタや半導体製造装置がある。ＩＣテスタとしては、Ｉ
Ｃの特性を計測する装置である。
スタや半導体製造装置がある。ＩＣテスタとしては、Ｉ
Ｃの特性を計測する装置である。
【００９８】ＩＣテスタは、オシロスコープやマルチメ
ータをさらにアレイ化した大型の設備であり、床面積も
畳２、３畳ほどになる。
ータをさらにアレイ化した大型の設備であり、床面積も
畳２、３畳ほどになる。
【００９９】ＩＣテスタに使用されるマイクロリレーの
数も５０００〜１００００個と大量になる。
数も５０００〜１００００個と大量になる。
【０１００】また半導体製造装置は、その装置内におい
て計測部への使用が想定されることから、計測装置に分
類される。
て計測部への使用が想定されることから、計測装置に分
類される。
【０１０１】ここで、本発明に係る静電マイクロリレー
の一実施形態を用いた計測装置の内部構成について図９
を参照して説明する。図９は、本発明に係る静電マイク
ロリレーの一実施形態を用いた計測装置の内部構成のブ
ロック図である。
の一実施形態を用いた計測装置の内部構成について図９
を参照して説明する。図９は、本発明に係る静電マイク
ロリレーの一実施形態を用いた計測装置の内部構成のブ
ロック図である。
【０１０２】図９に示される計測装置９０１は、静電マ
イクロリレー９０３が、内部回路９０２から測定対象物
（図示せず）に到る各信号線との途中に接続されてお
り、各静電マイクロリレー９０３をオンオフすることに
より測定対象を切り替えることができる。
イクロリレー９０３が、内部回路９０２から測定対象物
（図示せず）に到る各信号線との途中に接続されてお
り、各静電マイクロリレー９０３をオンオフすることに
より測定対象を切り替えることができる。
【０１０３】前述のように、上記実施形態のマイクロリ
レーにおいては、伝送線路の特性インピーダンスのミス
マッチングが軽減し、高周波特性が向上することができ
る。
レーにおいては、伝送線路の特性インピーダンスのミス
マッチングが軽減し、高周波特性が向上することができ
る。
【０１０４】したがって、上記実施形態のマイクロリレ
ーを計測装置に使用した場合は、これら上記実施形態を
用いたマイクロリレーの特性の向上に応じて計測装置自
体の特性も向上させることができる。
ーを計測装置に使用した場合は、これら上記実施形態を
用いたマイクロリレーの特性の向上に応じて計測装置自
体の特性も向上させることができる。
【０１０５】（無線機への適用）上記実施形態のマイク
ロリレーを無線機に適用した場合について説明する。
ロリレーを無線機に適用した場合について説明する。
【０１０６】このような無線機として、例えば携帯電話
やＰＤＡを挙げることができる。
やＰＤＡを挙げることができる。
【０１０７】前述のように、上記実施形態のマイクロリ
レーにおいては、伝送線路の特性インピーダンスのミス
マッチングが軽減し、高周波特性が向上することができ
る。
レーにおいては、伝送線路の特性インピーダンスのミス
マッチングが軽減し、高周波特性が向上することができ
る。
【０１０８】したがって、上記実施形態のマイクロリレ
ーを無線機に使用した場合は、これら上記実施形態に用
いたマイクロリレーの特性の向上に応じて無線機自体の
特性も向上させることができる。
ーを無線機に使用した場合は、これら上記実施形態に用
いたマイクロリレーの特性の向上に応じて無線機自体の
特性も向上させることができる。
【０１０９】ここで、本発明に係る静電マイクロリレー
の一実施形態を用いた無線機の内部構成について図１０
を参照して説明する。図１０は、前述の本発明に係る静
電マイクロリレーの一実施形態を用いた無線機の内部構
成のブロック図である。
の一実施形態を用いた無線機の内部構成について図１０
を参照して説明する。図１０は、前述の本発明に係る静
電マイクロリレーの一実施形態を用いた無線機の内部構
成のブロック図である。
【０１１０】この無線機１００１では、静電マイクロリ
レー１００３が、内部回路１００２とアンテナ１００４
との間に接続されており、静電マイクロリレー１００３
をオンオフすることによって、内部回路１００２がアン
テナ１００４を通じて送受信可能な状態と、送受信でき
ない状態との切り替えを行える構成である。
レー１００３が、内部回路１００２とアンテナ１００４
との間に接続されており、静電マイクロリレー１００３
をオンオフすることによって、内部回路１００２がアン
テナ１００４を通じて送受信可能な状態と、送受信でき
ない状態との切り替えを行える構成である。
【０１１１】
【発明の効果】このように本発明によれば、簡単な構造
で、安価で簡単に製作できる接点通過時の信号損失が少
ない高周波特性に優れた接点構造、接点開閉器、計測装
置及び無線機を提供することができる。
で、安価で簡単に製作できる接点通過時の信号損失が少
ない高周波特性に優れた接点構造、接点開閉器、計測装
置及び無線機を提供することができる。
【図１】図１は第１実施形態に係る静電マイクロリレー
の接点構成を示す断面図である。
の接点構成を示す断面図である。
【図２】図２は第１実施形態の評価試験を行うための静
電マイクロリレーの構成を示す図である。
電マイクロリレーの構成を示す図である。
【図３】図３は第１実施形態の評価試験の試験結果を示
すグラフである。
すグラフである。
【図４】図４は可動接点の製造方法を示す図である。
【図５】図５は可動接点の製造方法を示す図である。
【図６】図６は第２実施形態に係る静電マイクロリレー
の接点構成を示す断面図である。
の接点構成を示す断面図である。
【図７】図７は第３実施形態に係る静電マイクロリレー
の接点構成を示す断面図である。
の接点構成を示す断面図である。
【図８】図８は第４実施形態に係る静電マイクロリレー
の接点構成を示す断面図である。
の接点構成を示す断面図である。
【図９】図９は静電マイクロリレーの一実施形態を用い
た計測装置の内部構成のブロック図である。
た計測装置の内部構成のブロック図である。
【図１０】図１０は静電マイクロリレーの一実施形態を
用いた無線機の内部構成のブロック図である。
用いた無線機の内部構成のブロック図である。
【図１１】図１１は静電マイクロリレーを示す斜視図で
ある。
ある。
【図１２】図１２は従来技術の静電マイクロリレーの接
点構成を示す断面図である。
点構成を示す断面図である。
１０１ 静電マイクロリレー
１０２ 固定基板
１０２ａ 接続パッド
１０２ｂ 固定電極
１０２ｃ 信号線
１０２ｄ 固定接点
１０３ 可動基板
１０３ａ 可動電極
１０４ 支持部
１０５ 可動接点部
１０６ 可動接点
１０６ａ 凸部
１０６ｂ 凸部
１０６ｃ 凸部
１０６ｄ 高周波信号伝送部
９０１ 計測装置
９０２ 内部回路
９０３ 静電マイクロリレー
１００１ 無線機
１００２ 内部回路
１００３ 静電マイクロリレー
１００４ アンテナ
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(72)発明者 細谷 克己
京都府京都市下京区塩小路通堀川東入南不
動堂町801番地 オムロン株式会社内
Ｆターム(参考） 2G132 AA00 AF01 AL18
5G051 AA02 AA05 AA15 AA16 AB10
AC01 AC20 AC27 AC28 AC30
Claims (10)
- 【請求項１】固定基板に対向配設した可動基板の可動接
点を、前記固定基板の一対の固定接点にまたがって接離
可能とする接点構造であって、 前記可動接点には、接点閉成時に前記一対の固定接点間
に位置する高周波信号伝送部を設けたことを特徴とする
接点構造。 - 【請求項２】前記高周波信号伝送部は、接点閉成時に前
記一対の固定接点に非接触であることを特徴とする請求
項１に記載の接点構造。 - 【請求項３】前記高周波信号伝送部は、接点閉成時に前
記一対の固定接点に接触することを特徴とする請求項１
に記載の接点構造。 - 【請求項４】前記高周波信号伝送部は、接点閉成時に前
記一対の固定接点にまたがって接触した前記可動接点か
ら前記一対の固定接点間の隙間に突出した凸部であるこ
とを特徴とする請求項１、２又は３に記載の接点構造。 - 【請求項５】前記高周波信号伝送部は、接点閉成時に前
記一対の固定接点にまたがって接触し、前記一対の固定
接点間に挟まれることを特徴とする請求項３に記載の接
点構造。 - 【請求項６】前記高周波信号伝送部は、前記可動接点の
本体とは異なる材質で形成されたことを特徴とする請求
項１乃至５のいずれか１項に記載の接点構造。 - 【請求項７】前記高周波信号伝送部は、前記一対の固定
接点と同一の材質で形成されたことを特徴とする請求項
１乃至５のいずれか１項に記載の接点構造。 - 【請求項８】請求項１乃至７のいずれか１項に記載の接
点構造を備え、 前記可動接点を前記一対の固定接点に接離することによ
り、前記一対の固定接点間を電気的に開閉することを特
徴とする接点開閉器。 - 【請求項９】請求項１乃至７のいずれか１項に記載の接
点構造を備えることを特徴とする計測装置。 - 【請求項１０】請求項１乃至７のいずれか１項に記載の
接点構造を備えることを特徴とする無線機。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2002046646A JP4144230B2 (ja) | 2002-02-22 | 2002-02-22 | 接点構造、接点開閉器、計測装置及び無線機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002046646A JP4144230B2 (ja) | 2002-02-22 | 2002-02-22 | 接点構造、接点開閉器、計測装置及び無線機 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003249136A true JP2003249136A (ja) | 2003-09-05 |
| JP4144230B2 JP4144230B2 (ja) | 2008-09-03 |
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ID=28659974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002046646A Expired - Fee Related JP4144230B2 (ja) | 2002-02-22 | 2002-02-22 | 接点構造、接点開閉器、計測装置及び無線機 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4144230B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008218025A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Matsushita Electric Works Ltd | マイクロリレー |
| JP2010232113A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-14 | Otax Co Ltd | Ｒｆ−ｍｅｍｓスイッチ、ｒｆ−ｍｅｍｓスイッチの製造方法、アンテナ切り替え装置、携帯電話機、携帯用情報端末機器、ｉｃテスト用機器 |
| KR20180081801A (ko) * | 2015-11-16 | 2018-07-17 | 카벤디시 키네틱스, 인크. | Rf 스위치의 개선된 컨택 |
-
2002
- 2002-02-22 JP JP2002046646A patent/JP4144230B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2008218025A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Matsushita Electric Works Ltd | マイクロリレー |
| JP2010232113A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-14 | Otax Co Ltd | Ｒｆ−ｍｅｍｓスイッチ、ｒｆ−ｍｅｍｓスイッチの製造方法、アンテナ切り替え装置、携帯電話機、携帯用情報端末機器、ｉｃテスト用機器 |
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| JP2018533827A (ja) * | 2015-11-16 | 2018-11-15 | キャベンディッシュ・キネティックス・インコーポレイテッドＣａｖｅｎｄｉｓｈ Ｋｉｎｅｔｉｃｓ， Ｉｎｃ． | Ｒｆスイッチにおける改善されたコンタクト |
| US10896787B2 (en) | 2015-11-16 | 2021-01-19 | Cavendish Kinetics, Inc. | Contact in RF-switch |
| KR102628886B1 (ko) | 2015-11-16 | 2024-01-25 | 코르보 유에스, 인크. | Rf 스위치의 개선된 컨택 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4144230B2 (ja) | 2008-09-03 |
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