JP2003248907A

JP2003248907A - 薄膜磁気ヘッド用基板およびその製造方法

Info

Publication number: JP2003248907A
Application number: JP2002360893A
Authority: JP
Inventors: Hironobu Tsubota; 広信坪田; Shinji Tsujimoto; 真司辻本; Taisuke Hirooka; 泰典廣岡
Original assignee: Sumitomo Special Metals Co Ltd
Current assignee: Proterial Ltd
Priority date: 2001-12-17
Filing date: 2002-12-12
Publication date: 2003-09-05
Anticipated expiration: 2022-12-12
Also published as: JP4218335B2

Abstract

(57)【要約】【課題】高記録密度のハードディスクドライブ装置に
おいて、ＴＰＴＲ、静電破壊および絶縁破壊を防止し、
装置の信頼性の高めるために好適に用いられる薄膜磁気
ヘッド用の基板を提供する。【解決手段】本発明の薄膜磁気ヘッド用基板は、セラ
ミックス基板１とセラミックス基板１上に形成された非
晶質ＳｉＣからなるアンダーコート膜２とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスクド
ライブ装置の薄膜磁気ヘッドスライダーに用いられる薄
膜磁気ヘッド用基板およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、通信・情報技術分野の発展に伴っ
て、コンピュータで扱える情報量が飛躍的に増大してき
ている。特に、従来ではアナログ信号としてのみ扱うこ
とが可能であった音声や音楽、画像などの情報もデジタ
ル信号に変換してパーソナルコンピュータで処理できる
ようになってきている。このような音楽や画像などのマ
ルチメディアデータは、多くの情報を含むため、パーソ
ナルコンピュータなどに用いられる情報記録装置の容量
を大きくすることが求められている。

【０００３】ハードディスクドライブ装置は、パーソナ
ルコンピュータなどに従来より用いられている典型的な
情報記録装置である。上述した要求に応えるため、ハー
ドディスクドライブの容量をより大きくし、また、装置
を小型化することが求められている。

【０００４】図７は従来のハードディスクドライブ装置
の薄膜磁気ヘッドスライダー部分の断面を模式的に示し
ている。図に示すように、ジンバル１０により保持され
た、基板１２の側面にはアンダーコート膜１３が形成さ
れている。アンダーコート膜１３上には、記録および再
生ヘッドである読み込み・書き込み素子１４’が設けら
れている。通常ジンバル１０によって保持される基板１
２および読み込み・書き込み素子１４’を含むユニット
をヘッドスライダー、あるいは単にスライダーと呼ぶ。

【０００５】読み込み・書き込み素子１４’は、磁性材
料から形成されており、リングの一部が切り取られた形
状をしている。リングの内部にコイル１５が巻かれてお
り、記録信号をコイル１５に与えることによって読み込
み・書き込み素子１４’に磁界が発生し、磁気記録媒体
１７にデータを書き込む。また、磁気記録媒体１７に記
録されている磁場の変化を電気信号に変換する。

【０００６】図８は、従来の他の薄膜磁気ヘッドスライ
ダーを示している。図８の薄膜磁気ヘッドスライダーで
は読み込みの性能を向上させるために、記録ヘッドと再
生ヘッドとを分離している。書き込み素子１４は、図７
における読み込み・書き込み素子１４’と同様の構造を
備えており、磁気記録媒体１７へのデータの書き込みの
みを行う。

【０００７】一方、再生ヘッドである読み込み素子１６
は、磁場の変化を電気抵抗の変化に変換する磁気抵抗効
果素子（ＭＲ、あるいはＧＭＲ）であり、磁気記録媒体
１７に記録されている磁気の変化を読み取って、電気信
号に変換する。

【０００８】読み込み・書き込み素子１４’ならびに書
き込み素子１４および読み込み素子１６を保持する基板
１２は、従来よりＡｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ系のセラミックス焼
結体から形成されている。これは、熱特性、機械特性、
および加工性の点で、Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ（以下ＡｌＴｉ
Ｃと略す）がバランス良く優れているためである。しか
し、ＡｌＴｉＣは、電気的に良導体であるため、読み込
み・書き込み素子１４’や書き込み素子１４をそのよう
な導体に接するように配置すると、読み込み・書き込み
素子１４’や書き込み素子１４が短絡されてしまい、正
しく動作しない。また、ＡｌＴｉＣからなる基板は、そ
の表面にポアを有しており、表面の平滑性があまりよく
なかった。このため、読み込み・書き込み素子１４’や
書き込み素子１４と基板１２との間の絶縁を高め、基板
１２の表面を滑らかなものにするために、Ａｌ₂Ｏ₃から
形成されるアンダーコート膜１３が基板１２の側面上に
設けられていた。Ａｌ₂Ｏ₃は、絶縁特性に優れ、また、
表面の平滑性に優れるからである。

【０００９】近年、ハードディスクドライブ装置の記録
密度を更に高め、装置をより小型化することが求められ
るなかで、スライダーの構造が従来とは異なるものが提
案されている。提案されている構造では、図９（ａ）に
示すように、書き込み素子１４および読み込み素子１６
の配置が入れ替わっている。つまり、アンダーコート膜
１３に隣接して、まず、読み込み素子１６が配置され、
書き込み素子１４は基板１２から離れて配置される。

【００１０】

【特許文献１】特開平５−１５１７３６号公報

【特許文献２】特開平５−１６６３０９号公報

【特許文献３】米国特許第５６７０２５３号明細書

【特許文献４】特許第１８９９８９１号明細書

【特許文献５】米国特許第４７６９１２７号明細書

【特許文献６】特許第１６５９５０１号明細書

【特許文献７】米国特許第４８１４９１５号明細書

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかし、提案されてい
る新しい構造のスライダーを備えたハードディスクドラ
イブを実現するためには種々の解決すべき問題がある。

【００１２】まず、ハードディスクドライブ装置の小型
化が求められるにつれ、スライダーのサイズもより小さ
くする必要がある。このためには、図９（ｂ）に示すよ
うに、書き込み素子１４のコイル１５が占める面積を小
さくしなければならない。具体的には、コイル１５の内
径を小さくし、また、巻き線もできるだけ重ならないよ
うにしなければならない。しかし、このようにコイルの
面積を小さくすると、端子１８を介してコイル１５に電
流が流れたとき、単位面積あたりに発生する熱量が大き
くなってしまう。

【００１３】ところが、従来からアンダーコート膜１３
に用いられていたＡｌ₂Ｏ₃は熱伝導性があまりよくな
い。このため、コイル１５に信号を流すことにより発生
した熱が、Ａｌ₂Ｏ₃からなるアンダーコート膜１３に遮
られて、基板１２へ十分拡散されず、読み込み素子１６
や書き込み素子１４に蓄積されてしまう。その結果、読
み込み素子１６や書き込み素子１４が熱による膨張を起
こし、図９（ａ）に矢印で示すように、磁気記録媒体１
７側へ飛び出してしまう。読み込み素子１６や書き込み
素子１４と磁気記録媒体１７との間隔は１０ｎｍ程度し
かないため、膨張を起こした読み込み素子１６や書き込
み素子１４は、磁気記録媒体１７と接触してしまう。

【００１４】この問題は、ＴＰＴＲ（Thermal Pole Tip
Recession）と呼ばれ、読み込み素子１６あるいは書き
込み素子１４と磁気記録媒体との物理的な接触によっ
て、磁気記録媒体に損傷を与えたり、読み込み素子１６
や書き込み素子１４自体が破壊してしまう。その結果、
ハードディスクドライブ装置が機能しなくなってしまう
という重大な故障をもたらす。

【００１５】また、読み込み素子１６および書き込み素
子１４が磁気記録媒体１７と接触しない場合であって
も、読み込み素子１６および書き込み素子１４の熱膨張
により、磁気記録媒体１７と読み込み素子１６および書
き込み素子１４との間隔が変化してしまう。たとえば、
読み込み素子１６および書き込み素子１４が数ナノメー
トル膨張すると、磁気記録媒体１７と読み込み素子１６
および書き込み素子１４との間隔は１０％以上変化す
る。このため、書き込み特性および読み込み特性が大き
く変化し、磁気記録媒体へ書き込まれる信号や磁気記録
媒体から読み込まれる信号に誤りが生じる可能性があ
る。

【００１６】この問題を解決するために、アンダーコー
ト膜１３の厚みを小さくし、基板１２へ熱を逃がしやす
くすることが考えられる。しかし、この場合、基板１２
の表面に生じているポアの影響が顕著になってしまい、
アンダーコート膜１３を設ける目的が損なわれてしま
う。

【００１７】次に、上述した理由により、読み込み素子
１６や書き込み素子１４の外形が小さくなるにつれて、
静電気による静電破壊が問題となってくる。特に、ハー
ドディスクドライブ装置では磁気記録媒体が高速で回転
するため、静電気が発生しやすくなっている。これに対
して、読み込み素子１６や書き込み素子１４は、電気的
に絶縁性の高いＡｌ₂Ｏ₃からなるアンダーコート膜１３
上に形成されているため、読み込み素子１６および書き
込み素子１４に静電気が蓄積されてしまう。このため、
蓄積される静電気が所定の量を超えると、蓄積された静
電気がいっきに放電されてしまい、読み込み素子１６や
書き込み素子１４が破壊してしまうという問題がある。

【００１８】この問題に対しても、アンダーコート膜１
３の厚みを小さくし、アンダーコート膜１３の絶縁性を
低くすることが考えられる。しかし、そのような変更を
行えば、蓄積した静電気が、アンダーコート膜１３に隣
接したＡｌＴｉＣからなる基板１２へ放電される可能性
があり、その場合、アンダーコート膜１３が絶縁破壊を
起こしてしまう。

【００１９】本願発明は上記課題を解決するためになさ
れたものであって、その目的とするところは、小型で高
記録密度のハードディスクドライブ装置において、上記
問題の発生を防ぎ、装置の信頼性の高めるために好適に
用いられる薄膜磁気ヘッド用の基板およびその製造方法
を提供する。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
用基板は、セラミックス基板とセラミックス基板に保持
された非晶質ＳｉＣからなるアンダーコート膜とを備え
ている。

【００２１】好ましい実施形態において、前記アンダー
コート膜の厚みは、０．１〜１０μｍである。前記アン
ダーコート膜のみの体積抵抗率は、１×１０^-1〜１×１
０¹⁵Ω・ｃｍである。前記アンダーコート膜の表面の平
均粗さは、１ｎｍ以下である。

【００２２】好ましい実施形態において前記非晶質Ｓｉ
Ｃは、ＳｉおよびＣを主成分とし、Ｓｉが全体の２０〜
８０原子％、Ｃが全体の２０〜８０原子％である。前記
非晶質ＳｉＣは、さらにＯを含んでいてもよく、その含
有率は全体の５〜１５原子％である。前記非晶質ＳｉＣ
は、さらにＨおよび／またはＡｒを含んでいてもよい。
また、好ましい実施形態において、前記セラミックス基
板の熱伝導率は、５Ｗ／ｍＫ以上である。前記セラミッ
クス基板の体積抵抗率は、１×１０^-5〜１×１０⁹Ω・
ｃｍである。前記セラミックス基板の表面の平均粗さ
は、２．５ｎｍ以下である。前記セラミックス基板は、
全体の２４〜７５ｍｏｌ％のα−Ａｌ₂Ｏ₃と、全体の２
ｍｏｌ％以下の添加剤とを含むアルミナ系セラミックス
材料が用いられる。残部は導電性、熱伝導性に富み、機
械的強度がアルミナに比べて著しく低いものでなければ
よい。具体的には、前記アルミナ系セラミックス材料
は、さらに全体の２４〜７５ｍｏｌ％の金属の炭化物ま
たは金属の炭酸窒化物を含む。

【００２３】本発明の薄膜磁気ヘッドスライダーは、上
記いずれかの薄膜磁気ヘッド用基板と、前記薄膜磁気ヘ
ッド用基板に保持された書き込み素子および読み込み素
子とを備えている。また、本発明のハードディスクドラ
イブ装置は、上記薄膜磁気ヘッドスライダーを備えてい
る。

【００２４】本発明の薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法
は、セラミックス基板上に非晶質ＳｉＣからなるアンダ
ーコート膜を物理的堆積法により形成する。

【００２５】好ましい実施形態において、前記セラミッ
ク基板を２００〜８００℃の温度で保持しながら前記ア
ンダーコート膜を形成する。あるいは、前記セラミック
ス基板上に前記アンダーコート膜を形成後、前記アンダ
ーコート膜を３００〜８００℃の温度で熱処理する。

【００２６】また、好ましい実施形態において、０．１
〜０．６分圧比のＡｒガス、０．１〜０．９分圧比の炭
化水素ガス、０〜０．５分圧比の水素ガス、および０〜
０．０５分圧比の酸素ガスを含む雰囲気下において前記
アンダーコート膜を形成する。本発明の薄膜磁気ヘッ
ドスライダーの製造方法は、セラミックス基板と、前記
セラミックス基板に保持された非晶質ＳｉＣからなるア
ンダーコート膜とを備えた、請求項１から１５のいずれ
かに記載の薄膜磁気ヘッド用基板を用意する工程と、前
記アンダーコート膜上に書き込み素子および読み取り素
子を配置する工程とを包含する。

【００２７】

【発明の実施の形態】従来技術の問題点を解決するため
には、絶縁破壊の防止に有効であり、かつ、熱伝導性に
優れた材料を用いてアンダーコート膜を形成することが
重要である。本願発明者がこの点について検討した結
果、読み込み素子がアンダーコート膜に隣接する新しい
構造のスライダーでは、アンダーコート膜が必ずしも高
絶縁性を備えている必要がないことに気がついた。なぜ
なら、ＭＲあるいはＧＭＲなどの読み込み素子はその特
性上、素子自体が絶縁構造になっているからである。し
たがって、絶縁破壊を防止するためには、アンダーコー
ト膜に適度な導電性を与え、電荷が蓄積する前に、アン
ダーコート膜を介して基板へ電荷を逃がしてやることが
重要である。また、従来の構造を備えたスライダーにお
いても、ある程度の絶縁性は要求されるものの、アルミ
ナほどの高い絶縁性は必要ないことが分かった。

【００２８】上記知見に基づいて種々の材料を検討した
結果、本願発明者は、ＳｉＣが熱伝導性に優れる半導電
性材料（適度な導電性を有する）として適当であること
を見出した。ＳｉＣは、従来より、半導体材料あるい
は、切削工具等のコーティング材料として知られてお
り、単結晶や多結晶状態のものが主として用いられてい
る。また、特許文献３には、ＣＶＤ（Chemical Vapor D
eposition）法によって多結晶ＳｉＣを基板の上に形成
し、薄膜磁気ヘッドに用いることが開示されている。

【００２９】しかし、本願発明者が種々の実験を行った
ところ、単結晶や多結晶のＳｉＣは脆性が高く、切断加
工の際にクラックの発生が顕著にみられ、その結果、チ
ッピングが多く見られることが分かった。切削によって
ＳｉＣ膜にチッピングが生じた基板を用い、薄膜磁気ヘ
ッドスライダーを製造した場合、ハードディスクドライ
ブ装置内で、更にチッピングが拡大し、ＳｉＣの破片が
磁気記録媒体の上に落下したり、ハードディスクドライ
ブ装置内に散乱する可能性がある。このような破片は、
高速で回転する磁気記録媒体に対して微小な間隔で保持
されている薄膜磁気ヘッドスライダーを備えたハードデ
ィスクドライブ装置に対して深刻な故障を引き起こすこ
ととなる。

【００３０】そこで、本願発明者がさらに研究を行った
ところ、ＳｉＣを非晶質構造に形成することによって、
ＳｉＣの脆性を改善し、上記課題を解決しうる優れた薄
膜磁気ヘッド用の基板を提供し得ることを発見した。し
かも、非晶質構造をとっても、ＳｉＣは、上記課題を解
決する上では十分な熱伝導性および適度な導電性を備え
ていることが分かった。

【００３１】なお、種々のスライダー構造により、Ｓｉ
Ｃ膜に要求される導電性（体積抵抗率）は異なるが、以
下の方法によって所望の体積抵抗率に制御できることが
分かった。すなわち、非晶質のＳｉＣ膜を形成する際の
基板の加熱温度によって、ＳｉＣ膜の体積抵抗率が変化
すること、および、ＳｉＣ膜形成後の熱処理によっても
ＳｉＣ膜の体積抵抗率を変えることができることを見出
した。実験結果によれば、基板加熱温度あるいは熱処理
温度が高くなるにしたがって、ＳｉＣ膜の体積抵抗率も
高くなる。この特徴を利用して、ＳｉＣ膜の体積抵抗率
を制御することが可能となる。さらに本願発明者は、非
晶質ＳｉＣ膜を形成する際の成膜雰囲気を制御し、Ｓｉ
Ｃ膜中に含まれる水素やアルゴンの量を変えることによ
って、体積抵抗率などのＳｉＣ膜の物性を調節できるこ
とが分かった。この方法によってもＳｉＣ膜の体積抵抗
率を制御することが可能となる。

【００３２】以下、本発明の実施形態をより詳細に説明
する。

【００３３】図１に示すように、本発明の薄膜磁気ヘッ
ド用基板は、セラミックス基板１とセラミックス基板１
に保持されたアンダーコート膜２とを備えている。な
お、図１に示す薄膜磁気ヘッド用基板をセラミックス基
板１に対して垂直な方向に切断したチップが、図９
（ａ）に示す基板１２およびアンダーコート膜１３とし
て用いられる。

【００３４】セラミックス基板１を構成するセラミック
スは、静電破壊を防ぐために、静電気が蓄積しないよう
な範囲の体積抵抗率を備えていることが好ましい。具体
的には、体積抵抗率は、１×１０⁹Ω・ｃｍ以下である
ことが好ましい。この値は、半導通材料と呼ばれる材料
の体積抵抗率の上限値でもある。一方、静電気が蓄積し
にくいという観点では、セラミックスの体積抵抗率は、
低いほど好ましい。しかし、あまり体積抵抗率が低い
と、セラミックスが金属結合性を帯びてきて、切断抵抗
性が高くなり、トライボロジー特性が悪くなる。したが
って、体積抵抗率は、１×１０^-5Ω・ｃｍ以上であるこ
とが好ましい。以上の理由からセラミックス基板の体積
抵抗率は、１×１０^-5〜１×１０⁹Ω・ｃｍの範囲にあ
ることが好ましい。

【００３５】セラミックス基板１は、また、熱伝導性の
高い材料から構成されることが好ましい。読み取り素子
や書き込み素子において発生した熱を蓄積させないで、
アンダーコート膜２を介してセラミックス基板１内へ効
率よく拡散させるためには、熱伝導率が５Ｗ／ｍＫ以上
であることが好ましく、１５Ｗ／ｍＫ以上であることが
より好ましい。

【００３６】また、セラミック基板１の面粗さが粗い
と、アンダーコート膜２の面粗さが粗くなり、研磨工程
においてアンダーコート膜２の面粗さを後述する所定の
範囲にすることができない。したがって、アンダーコー
ト膜２を形成する前において、セラミックス基板１の表
面の平均粗さ（Ｒａ）は、２．５ｎｍ以下であることが
好ましい。

【００３７】上述した特性を備えたセラミックスである
限り、セラミックス基板１の材料として種々の組成のセ
ラミックスを用いることができる。例えば、セラミック
ス基板１は、２４〜７５ｍｏｌ％のα-Ａｌ₂Ｏ₃を含
み、残部は、金属の炭化物もしくは炭酸窒化物および２
ｍｏｌ％以下の焼結助剤から構成されていてもよい。上
述の組成を有する基板材料は、開口ポアが非常に少な
く、高精度の面粗さに仕上げることが可能であるため、
薄膜磁気ヘッドスライダーに用いる基板として適してい
る。特に、上記組成比のＡｌ₂Ｏ₃と２４〜７５ｍｏｌ％
のＴｉＣと２ｍｏｌ％以下の焼結助剤とを含むセラミッ
クスからなる基板は薄膜磁気ヘッドスライダーに好適に
用いられる。

【００３８】本発明に用いることのできるセラミックス
基板としては、上記のほか、特許文献４や特許文献５に
開示されているＳｉＣ−Ａｌ₂Ｏ₃系セラミックス材料を
用いた基板、特許文献６や特許文献７に開示されたＺｒ
Ｏ₂−Ａｌ₂Ｏ₃系セラミックス材料を用いた基板、導電
性セラミックス材料として有名なＺｒＯ₂−ＳｉＣ系セ
ラミックス材料を用いた基板などを用いることもでき
る。ただし、窒化珪素に代表されるような難加工性材料
であって、トライボロジー特性の悪い材料は、セラミッ
クス基板１には向いていない。

【００３９】アンダーコート膜２は、非晶質構造のＳｉ
Ｃから形成されている。上述したように、従来から知ら
れているＳｉＣにはＣＶＤ法などの化学的堆積方法が用
いられ、多結晶構造や単結晶構造を備えている。本発明
者は、スパッタ法あるいは蒸着法などの物理的堆積方法
によってＳｉＣ膜を形成した。このような方法により形
成されたＳｉＣ膜は結晶構造を示さず、非晶質になって
いる。本発明で用いる非晶質のＳｉＣ膜は、例えば、単
結晶あるいは、多結晶のＳｉＣをターゲットとして、公
知のスパッタリング装置を用いて形成することができ
る。あるいは、炭素含有ガスを含む雰囲気中において、
Ｓｉをターゲットとしてスパッタすることによって形成
してもよい。

【００４０】ＳｉＣ膜が、非晶質構造をとっているか、
単結晶や多結晶などの結晶性の構造をとっているかは、
形成されたＳｉＣ膜のＸ線回折分析により、所定の結晶
方位のピークが検出されるかどうかで判断できる。具体
的には、図２に示すように、Ｘ線回折チャートにおい
て、非晶質構造に由来するハローと呼ばれるブロードな
ピークＡのみが観測される場合、ＳｉＣ膜は非晶質構造
をとっている。これに対して２θ＝３５．８°±３°や
２θ＝３４．９°±３°など結晶性ＳｉＣに由来するピ
ークが観測される箇所にピークＢが観測される場合、Ｓ
ｉＣ膜は結晶性の構造を備えている。

【００４１】なお、非晶質のＳｉＣ膜が得られるなら
ば、成膜方法は必ずしも前記物理的堆積法に限定される
ものではない。

【００４２】非晶質のＳｉＣ膜は、ＳｉおよびＣを主成
分とし、２０〜８０原子％のＳｉおよび２０〜８０原子
％のＣを含んでいることが好ましい。Ｃの含有比率が２
０％よりも小さいと、得られる材料は耐腐食性が悪くな
る。また、Ｃの含有比率が８０％よりも大きいと、得ら
れる膜の応力が高くなりすぎる。また、ビッカース硬度
Ｈｖも１６００より大きくなり、硬く、脆くなる。Ｓｉ
Ｃ膜はさらにＯを含んでいてもよく、その場合、含有率
は、全体の５原子％以上１５原子％以下であることが好
ましい。

【００４３】Ｏの含有比率が、５％より小さいと、膜構
造の安定性が悪くなる恐れがある。また、Ｏの含有比率
が１５％よりも大きいと、得られる材料はＳｉＯ₂の性
質を帯びてくる。このため、膜の硬度、熱伝導率、およ
び耐腐食性の点で十分な特性を得ることができなくな
る。このように本実施形態で用いる非晶質ＳｉＣ膜は前
記の範囲において微量の酸素を含んでいてもよい。

【００４４】なお、非晶質ＳｉＣ膜は上記組成を構成す
る元素に加えてＴｉ、Ａｌ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｂ、Ｐ、Ｓ、
Ｎなどを不可避元素として含んでいてもよい。特に、ア
ンダーコート膜２を形成する下地基板の構成元素は、ア
ンダーコート膜を形成する際に用いるプラズマやイオン
ビームなどの形成条件により、基板から脱離してアンダ
ーコート膜２に取り込まれる可能性がある。このような
元素が微量アンダーコート膜２に含まれていても、得ら
れる膜の特性に実質的な影響はない。

【００４５】上記組成を有する非晶質ＳｉＣ膜は、１０
００〜１６００のビッカース硬度Ｈｖ、３．０〜５．０
の線膨張率α、および１５０〜３００ＧＰａのヤング率
を有する。また、加工能率として結晶性ＳｉＣの１０倍
以上の研磨加工性を備え、加工性に優れている。非晶質
ＳｉＣ膜を形成する基板との密着性がよく、セラミック
基板１と非晶質ＳｉＣ膜との間に密着性を改善するため
の下地膜を形成する必要はない。

【００４６】このような特徴を備える非晶質ＳｉＣ膜を
アンダーコート膜２として用いる。アンダーコート膜２
の厚みは、０．１〜１０μｍの範囲の値であることが好
ましい。膜厚が０．１μｍよりも小さい場合、セラミッ
クス基板１が潜在的にもっているマイクロポアを完全に
は埋めることができないため、好ましくない。また、厚
みが１０μｍを超える場合、熱伝導距離が大きくなるこ
とにより、熱伝導性が悪くなってしまい、コイルで発生
した熱を基板へ伝える速度が小さくなってしまう。さら
に好ましい膜厚の範囲は、０．５〜２μｍである。膜厚
が０．５μｍ以上であれば、表面粗さを後述の範囲内の
値に困難なく調整できる。

【００４７】また、アンダーコート膜２の表面粗さは、
ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polish）などの方法によ
って、１ｎｍ以下に調製されていることが好ましい。ア
ンダーコート膜２上に形成されるＭＲ素子またはＧＭＲ
素子などの読み取り素子のセンサ部分の厚みは１０ｎｍ
以下であり、超精密な平坦度が要求されるからである。

【００４８】アンダーコート膜２の熱伝導率は、書き込
み素子や読み取り素子で発生した熱を速やかに伝導させ
るため、おおよそ５Ｗ／ｍＫ以上であることが好まし
い。本願発明者が確認したところ、アンダーコート膜２
が非晶質ＳｉＣから形成されている限り、この条件は満
足される。

【００４９】前述の読み込み素子自体が絶縁構造を有し
ている新しい構造のスライダー（図９参照）のようにア
ンダーコート膜に高絶縁性が要求されない場合は、アン
ダーコート膜２もセラミックス基板１と同様、体積抵抗
率は小さいほうが好ましい。しかし、その値はセラミッ
クス基板１やアンダーコート膜上に載置される素子との
関係から通常１×１０^-1Ω・ｃｍ〜１×１０⁸Ω・ｃｍ
の範囲にあることが好ましい。すなわち体積抵抗率が１
×１０^-1Ω・ｃｍ未満では、電気抵抗が低すぎるため、
アンダーコート膜２上に載置される絶縁構造を有する素
子とアンダーコート膜２との間で電気抵抗の差が大きく
なりすぎてしまい、この間において、絶縁破壊が生じる
可能性がある。また、体積抵抗率が１×１０⁸Ω・ｃｍ
を超えると、絶縁性が高くなりすぎてしまい、今度はセ
ラミックス基板１とアンダーコート膜２との間で絶縁破
壊が生じる可能性がある。なお、アンダーコート膜２と
素子との間に導電性シールド膜を配置した構成において
も上記範囲の体積抵抗率を満たしていれば絶縁破壊の問
題は生じない。

【００５０】また、前述の従来の構造のスライダー（図
７、８参照）のようにアンダーコート膜に絶縁性が要求
される場合には、以下のような方法により体積抵抗率を
調整することができる。まず１番目の方法として、通常
の物理的成膜法によって形成されたＳｉＣ膜からなるア
ンダーコート膜２を３００℃以上８００℃以下の温度
で、１〜１２時間熱処理することによって成膜時に示し
ていた体積抵抗率よりも増大させることができる。熱処
理の温度が３００℃未満であると、体積抵抗率の変化は
小さく加熱の効果が十分には見られない。一方、８００
℃を超える温度で加熱すると、高温により生じる応力の
ため、アンダーコート膜２がセラミックス基板１から剥
離したり、チッピング特性の低下を招く恐れがある。ア
ンダーコート膜の他の特性を実質的に変化させることな
く、体積抵抗率を大きくするためには、３００〜６００
℃の間の温度で熱処理することがさらに好ましい。この
熱処理による方法を用いることによって、体積抵抗率を
１×１０¹⁵Ω・ｃｍ程度まで増大させることができる。

【００５１】また、２番目の方法としてＳｉＣからなる
アンダーコート膜２をセラミック基板１上に形成する
際、セラミックス基板１を加熱あるいは高温で保持する
ことによっても、室温で形成したときにＳｉＣ膜が備え
ている体積抵抗率よりも高い値を備えたアンダーコート
膜２を形成することができる。

【００５２】この場合、セラミックス基板１をあらかじ
め所定の温度に加熱してからアンダーコート膜２を堆積
しても良いし、赤外線ランプ等により、アンダーコート
膜２を堆積しながらセラミックス基板１を加熱してもよ
い。成膜時に基板を加熱あるいは高温で保持する場合に
は、基板の温度は２００〜８００℃の範囲にあることが
好ましい。２００℃未満では、体積抵抗率の変化は小さ
く熱処理の効果が十分には見られず、８００℃を超える
温度で基板を保持すると、高温により生じる応力のた
め、アンダーコート膜２がセラミックス基板１から剥離
したり、チッピング特性の低下を招く恐れがある。この
成膜時の基板加熱による方法を用いることによって、体
積抵抗率を１×１０¹²Ω・ｃｍ程度まで増大させること
ができる。

【００５３】このように、本発明によれば、アンダーコ
ート膜２の体積抵抗率を成膜時の基板加熱温度あるいは
成膜後の熱処理温度によって制御できる。したがって、
用途に応じて、任意の体積抵抗率を備えたアンダーコー
ト膜２をセラミック基板１上に形成することができる。

【００５４】たとえば、非晶質ＳｉＣ薄膜の成膜温度と
形成されたＳｉＣ薄膜の体積抵抗率との関係をあらかじ
め実験などで求めておくことによって、所望の体積抵抗
率を得るのに必要な成膜温度がわかる。したがって、セ
ラミックス基板１をその成膜温度に設定して、アンダー
コート膜２を堆積することにより、所望の体積抵抗率を
有するアンダーコート膜２をセラミックス基板１上に形
成することができる。

【００５５】同様に、アンダーコート膜２を熱処理する
際の温度と、熱処理前後のアンダーコート膜２の体積抵
抗率の変化との関係を求めることができる。この関係を
用いて、熱処理によってアンダーコート膜２の体積抵抗
率を所望の値に調整できる。

【００５６】さらに３番目の方法として、体積抵抗率は
非晶質ＳｉＣ中に含まれるＨおよび／またはＡｒの含有
量を変化させることによっても調整できる。この場合、
非晶質ＳｉＣは、たとえば、ＲＦあるいはＤＣスパッタ
法により形成する。イオンアシストあるいはバイアス機
構を備えた蒸着法により形成してもよい。スパッタ法の
ターゲットあるいは、蒸着法の蒸着源として金属Ｓｉま
たはＳｉＣを用いる。膜形成雰囲気は、０．１〜０．６
分圧比のＡｒガス、０．１〜０．９分圧比の炭化水素ガ
ス、０〜０．５分圧比の水素ガスおよび０〜０．０５分
圧比の酸素ガスで構成する。

【００５７】非晶質ＳｉＣ膜を形成する前に、基板の表
面に対してプラズマ処理を施してもよい。たとえば、ア
ルゴンを０．５〜１分圧比にし、水素ガスを０〜０．５
分圧比にして、放電を開始させ、非晶質ＳｉＣ膜を形成
する基板の表面をプラズマに曝す。

【００５８】上記雰囲気で成膜したとき、アンダーコー
ト膜２として用いられるＳｉＣ膜は、Ｓｉ-Ｃ-Ｏを１０
０としたとき、それぞれ０〜１５％のモル比でＨおよび
Ａｒを含んでいると推測される。Ｈの含有率を変化させ
ることにより、体積抵抗率および膜の硬度を調節するこ
とができる。Ｈの含有比率が高すぎると、膜が樹脂化し
て十分な硬度が得られなくなる。また、Ａｒの含有率を
変化させることにより、体積抵抗率および膜の応力を調
節することができる。本発明者によれば、Ｈの含有率を
変化させることの方が体積抵抗率の調整に効果があるこ
とを確認した。なお、ＨおよびＡｒを含有させることな
く体積抵抗率、膜の硬度および膜の応力が所望の値とな
るのであれば、ＨおよびＡｒの含有比率はゼロであって
もかまわない。膜形成雰囲気中の各ガスの分圧比を上述
の範囲内で調整することにより、ＨおよびＡｒの含有比
率を上記範囲内において変化させることができる。

【００５９】この方法によれば、成膜時に基板を加熱し
たり、成膜後熱処理をしなくても、体積抵抗率を調節す
ることができるが、前述の２つの方法と組み合わせて用
いることもできる。

【００６０】なお、これら３つの方法において、体積抵
抗率の下限はセラミックス基板１の体積抵抗率の上限よ
りも高ければよく、通常、その値は１×１０^-1Ω・ｃｍ
程度である。なお、工業的生産の観点から成膜のしやす
い、１×１０⁵Ω・ｃｍ以上の膜が得やすい。

【００６１】（実施例）以下に、薄膜磁気ヘッド用基板
を作製した実施例を説明する。

【００６２】表２および表３に示すように、番号１〜２
２で示す試料を作成し、種々の特性を測定した。

【００６３】試料１〜１７として、それぞれ表２に示さ
れる組成の基板上に多結晶ＳｉＣをターゲットとしたス
パッタ法によって非晶質ＳｉＣ膜を形成した。このう
ち、試料１〜８、１７については、常温で非晶質ＳｉＣ
膜を形成し、成膜後、熱処理は行わなかった。試料９〜
１２については、常温で非晶質ＳｉＣ膜を形成した後、
表２に示す温度で熱処理をした。試料１３〜１６につい
ては、非晶質ＳｉＣ膜を形成する際、表２に示す温度で
基板を加熱した。

【００６４】試料１８および１９については、比較例と
して、多結晶ＳｉＣ膜をＣＶＤ法によって形成した。

【００６５】試料２０〜２２は、スパッタ法によりＳｉ
をターゲットとし、以下に示す分圧比でＡｒ、ＣＨ₄、
Ｈ₂、およびＯ₂ガスを含む雰囲気中で作製した。成膜中
の加熱および成膜後の熱処理は行わなかった。

【００６６】

【表１】

【００６７】作製した試料の特性は、以下の測定によっ
て求めた。結晶性は、Ｘ線回折による回折パターンの有
無により判断した。基板および膜面の表面粗さは触針式
粗度計によって求めた。体積抵抗率は表面抵抗測定装置
によって求めた。チッピング特性は、外周刃切断機で基
板を切断し、切断面を顕微鏡によって１００倍に拡大し
て観察し、単位長さあたりに発生した２０μｍ以上のチ
ッピングの個数で評価した。基板のトライボロジー特性
はコンタクトスタート・ストップ時における摩擦抵抗に
よって判断した。熱伝導性はレーザフラッシュ法によっ
て判断した。

【００６８】

【表２】

【００６９】

【表３】

【００７０】表３に示す試料１〜８の測定結果から明ら
かなように、スパッタ法により形成した膜はいずれも非
晶質であり、膜面の表面粗さが１ｎｍ以下であり、体積
抵抗率も１×１０⁶Ω・ｃｍ以上であった（表２）。ま
た、チッピング特性および基板のトライボロジー特性も
優れており、熱伝導性も良好であった。このことから、
試料１〜８の薄膜磁気ヘッド用基板は、導電性および熱
伝導性に優れ、かつ加工性および機械特性も良好である
ことが分かる。

【００７１】試料１７の結果から分かるように、ＳｉＣ
膜の厚さが１５μｍもあると、熱伝導性が悪くなってし
まう。

【００７２】ＣＶＤ法により形成した試料１８および１
９のＳｉＣ膜は、結晶質であり、熱伝導性には優れる
が、チッピング特性および基板のトライボロジー特性が
悪く、加工性および機械特性が不良であり、薄膜磁気ヘ
ッド用基板としては適していないことがわかる。

【００７３】表２に示す試料９〜１２の測定結果から分
かるように、ＳｉＣ膜を形成した後に熱処理することに
よって、熱処理温度に応じてＳｉＣ膜の体積抵抗率が制
御できる。

【００７４】更に、表２に示す試料１３〜１６の測定結
果から分かるように、ＳｉＣ膜を形成する際の基板加熱
温度を制御することによってもＳｉＣ膜の体積抵抗率を
制御できる。

【００７５】試料２０〜２２の測定結果から分かるよう
に、ＡｒとＣＨ₄との分圧比を変化させることにより、
体積抵抗率を変化させることができる。

【００７６】試料１〜１７および２０〜２２の組成を分
析したところ、いずれの試料もＳｉおよびＣを主成分と
し、Ｓｉの含有率が２０〜８０原子％でありＣの含有率
が２０〜８０原子％であった。また、Ｏの含有率は５〜
１５原子％であった。試料２０〜２２は、Ｓｉ−Ｃ−Ｏ
を１００としＡｒを０〜１５ｍｏｌ％含んでいた。ま
た、１０００〜１６００のビッカース硬度Ｈｖ、３．０
〜５．０の線膨張率α、および１５０〜３００ＧＰａの
ヤング率を有していることも確認した。

【００７７】本発明の薄膜磁気ヘッド用基板のチッピン
グ特性を確かめるために、作製した薄膜磁気ヘッド用基
板をダイシングソーで切断し、切断面を光学顕微鏡で観
察した。図３（ａ）に示すように、セラミックス基板１
上に形成されたアンダーコート膜２を備えた薄膜磁気ヘ
ッド用基板を貼り付け基板３に固定して、テーブル４の
上に保持し、ダイシングソー５で薄膜磁気ヘッド用基板
を切断した。図３（ｂ）に示すように、チッピングは、
ダイシングソー５が薄膜磁気ヘッド用基板のアンダーコ
ート膜２と接する部分において発生する。

【００７８】図４はダイシングソーによって切断された
薄膜磁気ヘッド用基板の切断個所を上から見た顕微鏡写
真である。図において、ほぼ水平に伸びる境界の下側が
薄膜磁気ヘッド用基板を示している。図から明らかなよ
うに、切断面にはほとんどチッピングがなく、本発明の
薄膜磁気ヘッド用基板は良好なチッピング特性を備えて
いるのが分かる。

【００７９】これに対して、図５（ａ）および（ｂ）
は、ＣＶＤ法により形成した多結晶ＳｉＣ膜をアンダー
コート膜として有する薄膜磁気ヘッド用基板の切断個所
を示している。これらの図においても、図中の境界の下
側が薄膜磁気ヘッド用基板を示している。図５（ａ）お
よび（ｂ）から明らかなように、多結晶ＣＶＤ法による
ＳｉＣ膜は脆性が高く、チッピングが著しい。

【００８０】上記説明から明らかなように、本発明によ
れば、アンダーコート膜として非晶質ＳｉＣ膜を用いる
ことによって、高密度記録ハードディスクドライブ装置
の薄膜磁気ヘッドスライダーに要求される熱伝導性、電
気伝導性、加工特性および機械特性を達成し、優れた薄
膜磁気ヘッド用基板が得られる。これらの要求をすべて
満たす材料は知られておらず、例えば結晶性のＳｉＣ膜
では、これらの要求を同時には満たしえなかった。

【００８１】また、非晶質ＳｉＣ膜を例えばスパッタ法
により形成すれば、ガス圧や膜の堆積速度、バイアス電
圧等を調整することによって、薄膜磁気ヘッド用基板の
応力も制御しうる。したがって、用途に応じてより最適
な薄膜磁気ヘッド用基板を提供することができる。

【００８２】本発明の薄膜磁気ヘッド用基板は、高密度
記録ハードディスクドライブ装置の薄膜磁気ヘッドスラ
イダーに好適に用いられる。また、そのような薄膜磁気
ヘッドスライダーを用いることによって、信頼性の高い
高密度記録ハードディスクドライブ装置を得ることがで
きる。薄膜磁気ヘッド用基板を用いて、薄膜磁気ヘッド
スライダーおよびハードディスクドライブ装置を製造す
る方法は、例えば特許文献１および特許文献２に開示さ
れている。

【００８３】以下、本発明による薄膜磁気ヘッドスライ
ダーの実施形態の一例を説明する。

【００８４】図６は、薄膜磁気ヘッドスライダー８０の
主要部を示す斜視図である。図６には薄膜磁気ヘッドス
ライダー８０のジンバルは示されていないが、図９と同
様、図６に示す主要部がジンバルに取り付けられてい
る。

【００８５】薄膜磁気ヘッドスライダー８０はセラミッ
クス基板１と、セラミックス基板１上に堆積されたアン
ダーコート膜２と、アンダーコート膜２上に堆積された
シールド膜８５とを備えている。本実施形態ではアンダ
ーコート膜として上述の組成を有し、厚さ２〜３μｍの
非晶質ＳｉＣ膜をＤＣスパッタ法により形成する。

【００８６】シールド膜８５上には、０．４μｍ程度の
ギャップ８６が設けられており、そのギャップ８６内に
再生用のＧＭＲ素子８７が配置されている。ＧＭＲ素子
８７は不図示の電極やＧＭＲ膜を有する公知の構成を備
えている。ギャップ８６は、ＧＭＲ素子８７を覆うよう
にしてシールド膜８５上に堆積されたアルミナなどの絶
縁膜から形成されている。ＧＭＲ素子８７の厚さは、例
えば０．１μｍ程度である。なお、シールド膜８５上に
形成される磁気素子（再生素子）は、ＧＭＲ素子に限定
されない。ＭＲ素子やＴＭＲ素子など他のタイプの素子
であってもよい。

【００８７】ギャップ８６として機能する絶縁膜上にシ
ールド膜８８が堆積されている。シールド膜８５および
８８は、例えばパーマロイなどの軟磁性材料から形成さ
れており、磁気シールド膜としての機能も発揮する。シ
ールド膜８８上には、０．４〜０．６μｍの書き込みギ
ャップ８９を介してトップポール（厚さ：２〜３μｍ）
９０が形成されている。シールド膜８８とトップポール
９０との間には、厚さ５μｍ程度のＣｕ膜をパターニン
グすることによって形成したコイルパターン９１が設け
られている。コイルパターン９１は、その周囲が有機絶
縁膜で覆われている。ボトムポール８８、コイルパター
ン９１およびトップポール９０等によって記録ヘッド部
が構成されている。コイルパターン９１に通電すること
によって書き込みギャップ８９近傍に磁界が形成され、
不図示の記録媒体へのデータの書き込み（記録）が実行
される。記録ヘッド部はオーバーコート（厚さ：例えば
４０μｍ）によって覆われている。これらの積層構造
は、通常の薄膜堆積技術やリソグラフィ技術によって製
造される。図６に示すヘッド部が完成したあとヘッド部
をジンバルに取り付け、薄膜磁気ヘッドスライダーが完
成する。

【００８８】本実施形態によれば、アンダーコート膜２
が熱伝導性および適度な導電性を備えているため、読み
取り素子あるいは書き込み素子から発生する熱によって
素子自体が膨張し、磁気記録媒体と接触するという問題
を防ぐことができ、また、薄膜磁気ヘッドスライダーの
静電破壊や絶縁破壊も防止しうるともに、加工性および
機械性に優れ、高密度記録ハードディスクドライブ装置
に適した薄膜磁気ヘッドスライダーが得られる。

【００８９】なお、上記実施形態において、アンダーコ
ート膜はセラミックス基板の上に直接形成されていた。
しかし、アンダーコート膜は必ずしもセラミックス基板
に直接形成されている必要はなく、例えば、電気導電性
および熱伝導性のよい薄膜をアンダーコート膜とセラミ
ックス基板の間に設けてもよい。

【００９０】

【発明の効果】本発明によれば、薄膜磁気ヘッドスライ
ダーの読み取り素子あるいは書き込み素子から発生する
熱によって素子自体が膨張し、磁気記録媒体と接触する
という問題を防ぐことができ、また、薄膜磁気ヘッドス
ライダーの静電破壊や絶縁破壊も防止しうるともに、加
工性および機械性に優れ、高密度記録ハードディスクド
ライブ装置に適した薄膜磁気ヘッド用基板が得られる。

【００９１】また、この薄膜磁気ヘッド用基板を用いる
ことにより、信頼性の高い薄膜磁気ヘッドスライダーお
よびハードディスクドライブ装置が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の薄膜磁気ヘッド用基板の実施形態を示
す断面図である。

【図２】非晶質ＳｉＣのＸ線回折パターンを示すチャー
トである。

【図３】（ａ）は薄膜磁気ヘッド用基板をダイシングソ
ーで切断する工程を模式的に示す側面図であり、（ｂ）
はその上面図である。

【図４】本発明の薄膜磁気ヘッド用基板を切断した部分
の上面顕微鏡写真である。

【図５】（ａ）および（ｂ）はＣＶＤ法により形成され
たアンダーコート膜を有する薄膜磁気ヘッド用基板を切
断した部分の上面顕微鏡写真である。

【図６】本発明の薄膜磁気ヘッドスライダーの主要部を
示す斜視図である。

【図７】従来の薄膜磁気ヘッドスライダーを模式的に示
す断面図である。

【図８】従来の他の薄膜磁気ヘッドスライダーを模式的
に示す断面図である。

【図９】（ａ）は、他の薄膜磁気ヘッドスライダーを模
式的に示す断面図であり、（ｂ）は書き込み素子が形成
された面からみた側面図である。

【符号の説明】

１、１２基板２、１３アンダーコート膜３貼り付け板４テーブル５ダイシングソー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者廣岡泰典大阪府三島郡島本町江川２丁目15番17号住友特殊金属株式会社山崎製作所内Ｆターム(参考） 5D033 BA52 BB43 DA01 DA31

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミックス基板と、前記セラミックス
基板に保持された非晶質ＳｉＣからなるアンダーコート
膜とを備えた薄膜磁気ヘッド用基板。
【請求項２】前記アンダーコート膜の厚みが０．１〜
１０μｍである請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド用基
板。
【請求項３】前記アンダーコート膜の体積抵抗率が１
×１０^-1〜１×１０¹⁵Ω・ｃｍである請求項１または２
のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド用基板。
【請求項４】前記アンダーコート膜の表面の平均粗さ
が１ｎｍ以下である請求項１から３のいずれかに記載の
薄膜磁気ヘッド用基板。
【請求項５】前記非晶質ＳｉＣは、ＳｉおよびＣを主
成分とし、Ｓｉが全体の２０〜８０原子％、Ｃが全体の
２０〜８０原子％である請求項１から４のいずれかに記
載の薄膜磁気ヘッド用基板。
【請求項６】前記非晶質ＳｉＣは、さらにＯを含み、
その含有率は全体の５〜１５原子％である請求項５に記
載の薄膜磁気ヘッド用基板。
【請求項７】前記非晶質ＳｉＣは、さらにＨおよび／
またはＡｒを含む請求項６に記載の薄膜磁気ヘッド用基
板。
【請求項８】前記セラミックス基板の熱伝導率が５Ｗ
／ｍＫ以上である請求項１から７のいずれかに記載の薄
膜磁気ヘッド用基板。
【請求項９】前記セラミックス基板の体積抵抗率が１
×１０^-5〜１×１０⁹Ω・ｃｍである請求項１から８の
いずれかに記載の薄膜磁気ヘッド用基板。
【請求項１０】前記セラミックス基板の表面の平均粗
さが２．５ｎｍ以下である請求項１から９のいずれかに
記載の薄膜磁気ヘッド用基板。
【請求項１１】前記セラミックス基板は、全体の２４
〜７５ｍｏｌ％のα−Ａｌ₂Ｏ₃と、全体の２ｍｏｌ％以
下の添加剤とを含むアルミナ系セラミックス材料からな
る請求項１から１０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド
用基板。
【請求項１２】前記アルミナ系セラミックス材料は、
さらに全体の２４〜７５ｍｏｌ％の金属の炭化物または
金属の炭酸窒化物を含む請求項１１に記載の薄膜磁気ヘ
ッド用基板。
【請求項１３】請求項１から１２のいずれかに記載の
薄膜磁気ヘッド用基板と、前記薄膜磁気ヘッド用基板に
保持された書き込み素子および読み込み素子とを備えた
薄膜磁気ヘッドスライダー。
【請求項１４】請求項１３に記載の薄膜磁気ヘッドス
ライダーを備えるハードディスクドライブ装置。
【請求項１５】セラミックス基板上に非晶質ＳｉＣか
らなるアンダーコート膜を物理的堆積法により形成する
薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法。
【請求項１６】前記セラミック基板を２００〜８００
℃の温度で保持しながら前記アンダーコート膜を形成す
る請求項１５に記載の薄膜磁気ヘッド用基板の製造方
法。
【請求項１７】前記セラミックス基板上に前記アンダ
ーコート膜を形成後、前記アンダーコート膜を３００〜
８００℃の温度で熱処理する請求項１５に記載の薄膜磁
気ヘッド用基板の製造方法。
【請求項１８】０．１〜０．６分圧比のＡｒガス、
０．１〜０．９分圧比の炭化水素ガス、０〜０．５分圧
比の水素ガス、および０〜０．０５分圧比の酸素ガスを
含む雰囲気下において前記アンダーコート膜を形成する
請求項１５から１７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド
用基板の製造方法。
【請求項１９】セラミックス基板と、前記セラミック
ス基板に保持された非晶質ＳｉＣからなるアンダーコー
ト膜とを備えた、請求項１から１２のいずれかに記載の
薄膜磁気ヘッド用基板を用意する工程と、前記アンダーコート膜上に書き込み素子および読み取り
素子を配置する工程と、を包含する薄膜磁気ヘッドスラ
イダーの製造方法。