JP2003246924A - ポリアリレート組成物、ポリアリレートシート及びそれから成る電子材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低誘電率や低誘電正接等の低誘電性を示し、
かつ線熱膨張係数が低く寸法安定性に優れた、ポリアリ
レート組成物を提供すること。 【解決手段】 イソフタル酸等のジカルボン酸残基とビ
フェノール構造及び／又はアルキル置換基を有しないフ
ルオレン構造を有する２価フェノール残基から構成され
るポリアリレートと、ホウ酸アルミニウムウィスカーと
を含むことを特徴とするポリアリレート組成物、前記ポ
リアリレート組成物から成り、線熱膨張係数が３５ｐｐ
ｍ／℃以下で、かつ１ＧＨｚにおける誘電正接が２．０
×１０^{− ３}以下であるポリアリレートシート、前記ポリ
アリレートシートの片面、または両面に金属層を有する
電子材料。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、特定構造を有する
ポリアリレートとホウ酸アルミニウムウィスカーとを含
むポリアリレート組成物、該ポリアリレート組成物から
成るポリアリレートシートおよび電子材料に関する。本
発明のポリアリレート組成物は、低誘電率、低誘電正接
といった低誘電性で、かつ線熱膨張係数が低く寸法安定
性に優れることから、プリント配線基板等の電子材料に
好適に用いられる。

【０００２】

【従来の技術】最近、膨大な情報量を伝達・処理するた
めに、ＭＨｚ〜ＧＨｚ帯の高周波域が情報伝達手段に用
いられるようになっており、低誘電性、特に低誘電損失
の絶縁体が重要となっている。これらは例えば積層板と
して使用され、優れた寸法安定性や機械的強度が求めら
れている。

【０００３】例えば、２価フェノールと芳香族ジカルボ
ン酸の縮合型ポリマーであるポリアリレートは、機械的
特性に優れることが知られている。しかし、銅張積層板
の作成時に、ポリアリレートシートと銅箔を重ねて熱圧
着等の熱履歴を加えると、冷却時にシートにひずみが生
じ、導体パターニング後に波打ちやねじれ、反り等を生
じる欠点があった。この問題はポリアリレートの線熱膨
張係数が銅箔より大きいことに起因する。

【０００４】ポリアリレートシートの線熱膨張係数を低
下させる方法として、たとえば特開昭４９−３４９４６
号公報にはポリアリレートにガラス繊維を分散させるこ
とが示されているが、この方法では本発明の比較例で示
すとおり未だ十分な低誘電率、低誘電正接が得られな
い。

【０００５】また特公平６−４７６５号公報には、ホウ
酸アルミニウムウィスカーを配合した熱可塑性ポリエス
テル樹脂組成物の記載があるが、該公報記載の樹脂組成
物は、引っ張り強度や引っ張り弾性率等の機械的強度の
向上を目的とした樹脂組成物であり、使用されるカップ
リング剤はシリコン系、チタン系、アルミニウム系等の
いずれでもよく、低誘電性の樹脂組成物を見出す試みは
なされていなかった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、低誘電率や低誘電正接等の低誘電性を示
し、かつ線熱膨張係数が低く寸法安定性に優れた、ポリ
アリレート組成物を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意検討
の結果、特定の構造を持つポリアリレートと特定のホウ
酸アルミニウムウィスカーとを含有したポリアリレート
組成物が、低誘電性を示し、かつ優れた寸法安定性を示
すことを見出し、本発明を完成するに至った。

【０００８】即ち本発明は、繰り返し単位〔−（Ａ）−
（Ｂ）−〕から成り、構造単位（Ａ）が、一般式(I)

【０００９】

【化４】

【００１０】で示されるフタロイル基、イソフタロイル
基、およびテレフタロイル基からなる群から選ばれる一
種以上で、かつテレフタロイル基成分が構造単位（Ａ）
の４０質量％未満である芳香族ジカルボン酸残基成分で
あり、

【００１１】構造単位（Ｂ）が、一般式(II)

【００１２】

【化５】

【００１３】［式中、Ｘは単結合、-Ｓ-、-Ｏ-、-(ＳＯ
₂)-、-(ＣＯ)-または構造式(III)

【００１４】

【化６】

【００１５】で表される２価の結合基であり、Ｑおよび
Ｒは各々炭素原子数１〜４のアルキル基またはアルコキ
シル基、又はハロゲンであり、ｍおよびｎが各々０〜４
の整数である］で示される芳香族ジオール残基成分であ
るポリアリレートに、ホウ酸アルミニウムウィスカーを
含有することを特徴とするポリアリレート組成物を提供
するものである。

【００１６】さらに本発明は、前記ポリアリレートから
成り、線熱膨張係数が３５ｐｐｍ／℃以下で、かつ１Ｇ
Ｈｚにおける誘電正接が２．０×１０^−３以下であるポ
リアリレートシート、さらに該シートの片面、または両
面に金属層を有する電子材料を提供するものである。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下に、本発明を詳細に説明す
る。本発明のホウ酸アルミニウムウィスカーを含有した
ポリアリレート組成物（以下ポリアリレート組成物と略
記する）に用いるポリアリレートは、繰り返し単位〔−
（Ａ）−（Ｂ）−〕から成る。構造単位（Ａ）は、一般
式（Ｉ）

【００１８】

【化７】

【００１９】で示され、フタロイル基、イソフタロイル
基、およびテレフタロイル基からなる群から選ばれる一
種以上を含み、かつテレフタロイル基成分が構造単位
（Ａ）の４０質量％未満の単位である。

【００２０】テレフタロイル基成分が構造単位（Ａ）の
４０質量％を越えると、ポリアリレート分子鎖中のパラ
位で連結される芳香族環の割合が高くなり、分子鎖が屈
曲性でなく剛直性になり、ＮＭＰなどの高い溶解力を有
する有機溶媒への溶解性も得られなくなる。

【００２１】構造単位（Ｂ）は一般式(II)

【００２２】

【化８】

【００２３】（式中、Ｘは、単結合、又は-Ｓ-、-Ｏ-、
-(ＳＯ₂)-、-(ＣＯ)-或いは

【００２４】

【化９】

【００２５】から選ばれる一種以上の２価の結合基であ
り、ＱおよびＲは各々炭素原子数１〜４のアルキル基、
アルコキシル基、又はハロゲンであり、ｍおよびｎは各
々０〜４の整数である）で示される２価フェノール残基
である。

【００２６】ただし、ＱおよびＲの炭素原子数１〜４の
アルキル基としては、それぞれ独立に、直鎖および鎖状
のアルキル基が挙げられ、具体的には、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、イソブチル
基、ｓｅｃ−ブチル基又はｎ−ブチル基等が挙げられ
る。また、ＱおよびＲのアルコキシル基としては、それ
ぞれ独立に、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ
基が挙げられる。また、ＱおよびＲのハロゲンとして
は、それぞれ独立に、塩素原子、臭素原子、フッ素原子
が挙げられる。

【００２７】本発明に用いるポリアリレート中の構造単
位（Ａ）および構造単位（Ｂ）の含有量は、本発明の低
誘電性や寸法安定性を達成できる範囲であれば特に制限
されないが、好ましくは構造単位（Ａ）および構造単位
（Ｂ）合計で８０質量％以上であり、より好ましくは９
１質量％以上である。

【００２８】構造単位（Ａ）以外の構造成分としては、
例えば、芳香族環に各々炭素原子数１〜４のアルキル
基、アルコキシル基、フェニル基、ニトロ基、ハロゲン
を有するイソ又はテレフタロイルやナフタレンジカルボ
ン酸、また構造単位（Ｂ）以外の構造成分としては、例
えば、芳香族環ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ
や、４，４'−ヘキサフルオロイソプロピリデンジオー
ル、ジヒドロキシジフェニルエーテル、ビナフトール、
ハイドロキノン、レゾルシノール、ジフェニルヒドロキ
シフェニルフルオレン、ヒドロキシ安息香酸、ヒドロキ
シナフトエ酸、およびこれらの芳香族環の水素を炭素原
子数１〜４のアルキル基、アルコキシル基、フェニル
基、ニトロ基、又はハロゲン原子に置換した成分等が挙
げられる。

【００２９】本発明に用いるポリアリレートは、上述し
たような特定の構造の屈曲性ポリマーであり、有機溶媒
へ溶解した状態から薄膜化できる点で他の溶媒溶解性の
乏しいポリアリレートに比べて著しく有利である。

【００３０】本発明に用いるポリアリレートの分子量は
特に限定されないが、機械的強度や溶媒への溶解性、溶
液の塗工性を得るためには適切な分子量範囲のものが好
ましい。具体的には、クロロホルム溶液でのインヘレン
ト粘度値が０．６〜３．２ｄＬ／ｇであることが好まし
い。インヘレント粘度値が０．６ｄＬ／ｇ以上であれば
機械的強度の向上、化学的安定性、および十分な耐熱性
が得られる。また３．２ｄＬ／ｇ以下であれば有機溶媒
への溶解性に優れ、薄膜化に適したポリマーが得られ
る。

【００３１】ポリアリレートの合成法としては、界面重
合法、溶液重合法等が知られているが、本発明に用いる
ポリアリレートの製造方法としては、得られるポリアリ
レートの純度が高く、誘電正接が低いものが容易に得ら
れることから、界面重合法が好ましい。

【００３２】界面重合法では、ジカルボン酸ハロゲン化
物を溶解させた有機溶媒溶液と２価フェノール化合物の
水溶液とを接触させ、界面重縮合させることでポリアリ
レートを得ることができる。より具体的には、ジカルボ
ン酸ハロゲン化物をトルエンや塩化メチレン等の有機溶
媒に溶解させ、また、２価フェノールをアルカリ金属の
水溶液に各々０．１〜２モル／Ｌの範囲で溶解させ、そ
れら２液を接触させることにより、ジカルボン酸ハロゲ
ン化物と、２価フェノールを界面重縮合させてポリアリ
レートを得る例が挙げられる。この際、相間移動触媒や
界面活性剤が添加されてもよい。

【００３３】本発明に用いる特定構造のポリアリレート
は、本来誘電率が低い特性を有するものであるが、界面
重合の際に使用するアルカリ金属やそれに含まれるアル
カリ土類金属、また原料中に混在するアルカリ金属やア
ルカリ土類金属がポリアリレートに不純物として混入す
る可能性がある。また、残留モノマーの除去にアルカリ
性の水溶液を用いて洗浄する場合にもアルカリ金属やア
ルカリ土類金属が混入する。また、未反応のカルボン酸
塩化物、副生物であるアルカリ金属またはアルカリ土類
金属のハロゲン化物や塩酸、相間移動触媒、界面活性剤
由来の遊離ハロゲン等も混入する可能性がある。

【００３４】これらの不純物はいずれも誘電率を上昇せ
しめる悪影響を与える。そこで、ポリアリレートを反応
溶媒のまま、もしくは他の有機溶媒に溶解した有機溶媒
溶液をポリアリレートの貧溶媒に接触させてポリアリレ
ートを微細な沈殿として得る沈殿精製操作、および該ポ
リアリレートの沈殿を水および水性溶媒の一種以上によ
り洗浄する洗浄精製操作を組み合わせて行うことによ
り、これらの不純物を低減させることが重要である。

【００３５】本発明に用いるポリアリレートは、ポリア
リレート中のアルカリ金属、アルカリ土類金属および遊
離ハロゲンの含有率の合計を２５０ｐｐｍ以下に抑える
必要があり、好ましくは１５０ｐｐｍ以下、更に好まし
くは５０ｐｐｍ以下、最も好ましくは２０ｐｐｍ以下で
ある。低誘電正接は、ポリアリレートを電子材料として
使用する際に、伝送損失を低減できる点で、最も重用な
特性であり、この値が低いほど伝送損失の少ない好適な
電子材料となる。

【００３６】更に詳述すると、アルカリ金属とアルカリ
土類金属の含有率は１００ｐｐｍ以下がより好ましく、
３０ｐｐｍ以下がさらに好ましく、１０ｐｐｍ以下が最
も好ましい。またポリアリレート中の遊離ハロゲンの含
有量は１００ｐｐｍ以下が好ましく、３０ｐｐｍ以下が
より好ましく、１０ｐｐｍ以下が最も好ましい。これら
金属と遊離ハロゲンの低減は、高温・高湿環境下での酷
使に耐えうる安定した低誘電正接を得る点でも重要であ
る。

【００３７】さらに優れた低誘電性電子材料を得るため
には、ポリアリレート中の原料モノマーに由来するフェ
ノール性水酸基の含有量を２００ｐｐｍ以下に抑えるこ
とが好ましく、１００ｐｐｍ以下がより好ましく、３０
ｐｐｍ以下がさらに好ましく、１０ｐｐｍ以下が最も好
ましい。

【００３８】これらの２つの条件、すなわち、上述した
特定の構造を有するポリアリレートで、そのアルカリ金
属、アルカリ土類金属および遊離ハロゲンの含有率の合
計が２５０ｐｐｍ以下であるポリアリレートを用いるこ
とにより、１ＧＨｚにおける誘電正接が２．０×１０
^―３以下である低誘電性のポリアリレートを得ることが
できる。

【００３９】本発明のポリアリレート組成物に含有され
るホウ酸アルミニウムウィスカーは、その組成がｎＡｌ
_２Ｏ_３・ｍＢ_２Ｏ_３（ｍ，ｎは自然数）で表され、例え
ば９Ａｌ_２Ｏ_３・２Ｂ_２Ｏ_３、２Ａｌ_２Ｏ_３・Ｂ
_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３・Ｂ_２Ｏ_３などが挙げられる。これ
らのホウ酸アルミニウムウィスカーをポリアリレートに
含有させることで、ポリアリレートの低誘電性を損なう
ことなく、得られるポリアリレート組成物の寸法安定
性、および機械的強度を向上させることができる。

【００４０】本発明に用いるホウ酸アルミニウムウィス
カーは、ホウ酸アルミニウムウィスカー、あるいはその
表面をカップリング剤で表面処理したものを用いてもよ
く、カップリング剤の具体例としては、アミノシラン系
カップリング剤、アクリルシラン系カップリング剤、ア
ルキルシラン系カップリング剤等の極性基を有さないカ
ップリング剤であれば、ポリアリレートの低誘電性を損
なうことなく寸法安定性を向上させることができ、機械
的特性をより向上させることができるため好ましい。エ
ポキシシラン系カップリング剤のような極性基を有する
カップリング剤は誘電正接を増大させるため好ましくな
い。

【００４１】優れた寸法安定性を有するポリアリレート
組成物を得るためには、ホウ酸アルミニウムウィスカー
の含有量をポリアリレート１００質量部に対し、１０〜
５０質量部にすることが好ましく、１５〜４０質量部で
あればより好ましい。ホウ酸アルミニウムウィスカーの
含有量が１０〜５０質量部の範囲であれば、得られるポ
リアリレート組成物は、線熱膨張係数が３５ｐｐｍ以下
の良好な寸法安定性、および十分な機械的強度を示す。

【００４２】ホウ酸アルミニウムウィスカーの繊維径、
および繊維長は特に限定されないが、繊維径は０．０５
〜３．０μｍの範囲内であれば、また、繊維長は３〜５
０μｍの範囲内であればポリアリレート組成物がもろく
なることなく、表面の平滑性、および寸法安定性が得ら
れるため好ましい。

【００４３】本発明のポリアリレート組成物は、例えば
ポリアリレートを溶媒に溶解させて溶液とし、その後ホ
ウ酸アルミニウムウィスカーを該溶液に添加し撹拌混合
することで調製したワニスから溶媒を揮散させることで
得ることができる。また、流延法、ナイフコーティング
法、ダイコーティング法、スピンコーティング法等の公
知の方法で該ワニスを基材上に塗工した後に、溶媒を揮
散させ除去することでシート状物への形成が可能であ
る。

【００４４】上記で使用される溶媒としては、クロロホ
ルム、塩化メチレン、テトラクロロエタン、クロロベン
ゼン、テトラヒドロフラン、ジメチルアセトアミド、Ｎ
-メチルピロリジノン、アニソール、ジオキソラン、シ
クロヘキサノンなどが挙げられ、これらは２種以上混合
して使用されて良い。また、ワニスを流延する基材は特
に限定されないが、例えばワニスの溶媒に侵されないフ
ィルム、スチールベルト、ガラス板等が挙げられる。

【００４５】本発明のポリアリレートシートは単独で用
いてもよいが、複数枚積層し加熱加圧成形して、所望の
厚みの積層板として用いることもできる。また、本発明
のポリアリレートシートとプリント配線基板等を積層成
形し、接着させることも可能で、高周波通信用の多層配
線基板の製造にも有用である。

【００４６】本発明のポリアリレートシートは、その両
面、あるいは片面に金、銅、アルミ等の金属箔を積層
し、金属箔張りの積層体とすることも可能である。

【００４７】本発明のポリアリレートシート、および金
属箔付きのポリアリレートシートの積層方法としては、
例えば２５０〜３５０℃、好ましくは２８０〜３５０℃
の温度で圧着させる方法が挙げられる。この時の圧力は
特に限定されないが、１〜４０ＭＰａの範囲で行うこと
が好ましい。また、減圧下で行うと空隙の発生率を低下
させることができ好ましい。

【００４８】得られた積層体は、優れた寸法安定性と低
誘電正接を活かし、熱に対する変形や金属との剥離がな
い高周波用プリント配線基板等に好適に用いられる。

【００４９】

【実施例】以下に、本発明を実施例で具体的に説明する
が、本発明の範囲はこれに限定されない。用いた測定法
は以下の通りである。

【００５０】＜線熱膨張係数の測定法＞セイコー電子工
業製ＴＭＡ／ＳＳ１２０を用いて、加重２０ｇ／ｃ
ｍ^２、昇温速度１０℃／分の条件で、室温から２００℃
まで温度を上昇させた際の寸法変化量を測定し、線熱膨
張係数を算出した。

【００５１】＜ガラス転移温度（Ｔｇ）の測定法＞セイ
コー電子工業製ＤＭＳ２００を用いて、１Ｈｚ、５℃／
分の昇温速度の条件で動的固体粘弾性試験を行い、ｔａ
ｎδのピーク温度をＴｇとした。

【００５２】＜誘電特性の測定法＞誘電特性評価器アジ
レントテクノロジー製４２９１Ｂを用いて、１ＧＨｚの
周波数における誘電率と誘電正接を測定した。

【００５３】＜引っ張り特性の測定法＞ストログラフ
（東洋精機製Ｖ１−Ｃ）を用いて、１０ｃｍ×１ｃｍの
短冊状試料の引っ張り強度、引っ張り弾性率および破断
伸び値を、つかみ具間距離５ｃｍ、クロスヘッド速度５
ｍｍ／ｍｉｎの条件で測定した。

【００５４】（合成例）１．０３１ｋｇの塩化イソフタ
ロイル、０．２５８ｋｇの塩化テレフタロイル、０．０
１７ｋｇの塩化ベンゾイル、０．０５７ｋｇの塩化メチ
ルトリオクチルアンモニウム、２７．３ｋｇの塩化メチ
レンからなる溶液と、０．７７０ｋｇの３,３’−５,
５’−テトラメチルビフェノール、１．１１４ｋｇの９
−９、ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、
０．６４８ｋｇの水酸化ナトリウム、１９．２ｋｇの脱
酸素水からなる溶液とを１００Ｌ釜のなかにいれ、室温
で６０分間、撹拌、接触させた。

【００５５】得られた混合液を静置分離後、水相を除去
し、塩化メチレン相を３回繰り返し水で洗浄したのち、
塩化メチレン相を２００．０ｋｇのアセトン中で再沈操
作（ポリマー析出）をおこなった。得られたポリマーを
濾材上に捕集し、釜中で９０℃の温水で３０分洗浄、濾
過を３回繰り返し、その後乾燥してポリアリレートの粉
体を得た。

【００５６】得られたポリアリレートの粉体をクロロホ
ルム中（０．１ｇ／ｄＬ）３０℃で、ウベローデ粘度計
にて決定したインヘレント粘度は１．６ｄＬ／ｇであっ
た。

【００５７】（実施例１）合成例で作成したポリアリレ
ート１０ｇにカップリング剤で処理を行っていないホウ
酸アルミニウムウィスカー（四国化成工業製 アルボレ
ックスＹ）２．５ｇを１４３ｇのテトラヒドロフランに
室温で溶解させて得た溶液を、ブレードコーターを用い
てガラス板上に塗工し、４０℃の窒素流下で２０分間、
その後２４０℃の空気流下で１０分間静置してテトラヒ
ドロフランを揮散させ、５０μｍ厚みの透明で空隙のな
いポリアリレートシートを得た。該シートの特性評価の
結果を表１に示す。

【００５８】上述のポリアリレートシート１枚の両側に
銅箔（福田金属箔粉工業ＣＦ−Ｔ９の１８μｍ厚）２枚
を銅箔が表層になる様に積層し、３１０℃、４ＭＰａ、
で１０分加熱加圧成形して、厚み８６μｍ厚の銅張り積
層板を得た。得られた両面銅張り板の片面をマスクし、
塩化第２鉄水溶液中に５分間浸積してエッチングを行っ
た。エッチング後のシートには湾曲やねじれ等は見られ
ず、また表面は平滑であった。

【００５９】（実施例２）合成例のポリアリレート１０
ｇとアルキルシラン系カップリング剤で処理したホウ酸
アルミニウムウィスカー（四国化成工業製 アルボレッ
クスＹＳ１０）２．５ｇを１４３ｇのテトラヒドロフラ
ンに室温で溶解させて得た溶液を用いることを除いては
実施例１と同様の方法で５０μｍ厚みの透明で空隙のな
いポリアリレートシートを得た。該シートの特性評価の
結果を表１に示す。

【００６０】上述のポリアリレートシート１枚の両側に
実施例１と同様の方法で銅箔を積層し、厚み８６μｍ厚
の銅張り積層板を得た。得られた積層板を実施例１と同
様の方法でエッチングしたところ、エッチング後のシー
トには湾曲やねじれ等は見られず、表面も平滑であっ
た。

【００６１】（比較例１）合成例で作成したポリアリレ
ート１０ｇを１４３ｇのテトラヒドロフランに室温で溶
解させて得た溶液を用いることを除けば実施例１と同様
の方法で５０μｍ厚みの透明で空隙のないポリアリレー
トシートを得た。該シートの特性評価の結果を表１に示
す。

【００６２】上述のポリアリレートシート１枚の両側に
実施例１と同様の方法で銅箔を積層し、厚み８６μｍ厚
の銅張り積層板を得た。得られた積層板を実施例１と同
様の方法でエッチングしたところ、エッチング後のシー
トは大きく湾曲していた。

【００６３】（比較例２）合成例のポリアリレート１０
ｇとエポキシシラン系カップリング剤で処理したホウ酸
アルミニウムウィスカー（四国化成工業製 アルボレッ
クスＹＳ２Ｂ）２．５ｇを１４３ｇのテトラヒドロフラ
ンに室温で溶解させて得た溶液を用いることを除いては
実施例１と同様の方法で５０μｍ厚みの透明で空隙のな
いポリアリレートのシート状物を得た。該シートの特性
評価の結果を表１に示す。

【００６４】上述のポリアリレートシート１枚の両側に
実施例１と同様の方法で銅箔を積層し、厚み８６μｍ厚
の銅張り積層板を得た。得られた積層板を実施例１と同
様の方法でエッチングしたところ、エッチング後のシー
トは湾曲やねじれ等は見られなかったが、低誘電正接が
得られなかった。

【００６５】（比較例３）合成例で作成したポリアリレ
ート１０ｇと市販のガラス繊維２．５ｇ（繊維長約１０
μｍ）を１４３ｇのテトラヒドロフランに室温で溶解さ
せて得た溶液を用いることを除けば実施例１と同様の方
法で５０μｍ厚みの透明で空隙のないポリアリレートシ
ートを得た。該シートの特性評価の結果を表１に示す。

【００６６】上述のポリアリレートシート１枚の両側に
実施例１と同様の方法で銅箔を積層し、厚み８６μｍ厚
の銅張り積層板を得た。得られた積層板を実施例１と同
様の方法でエッチングしたところ、エッチング後のシー
トには湾曲およびねじれが生じ、表面には細かな凹凸が
みられた。

【００６７】

【表１】

【００６８】

【発明の効果】本発明は低誘電率、低誘電正接といった
低誘電性を示し、かつ線熱膨張係数が低く寸法安定性に
優れた、ホウ酸アルミニウムウィスカーを含有したポリ
アリレート組成物を提供することができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4F100 AA02B AB01A AB01C AB10B AB17 AB33 AK43B AK43K AL05B BA02 BA03 BA06 BA07 BA10A BA10C CA23B DE03B GB43 JA02B JG05 JL04 YY00B 4J002 CF161 DK006 FA066 FB096 FB146 FD016 GQ00 GQ02

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 繰り返し単位〔−（Ａ）−（Ｂ）−〕か
   ら成り、構造単位（Ａ）が、一般式(I) 【化１】 で示されるフタロイル基、イソフタロイル基、およびテ
   レフタロイル基からなる群から選ばれる一種以上で、か
   つテレフタロイル基成分が構造単位（Ａ）の４０質量％
   未満である芳香族ジカルボン酸残基成分であり、構造単
   位（Ｂ）が、一般式(II) 【化２】 ［式中、Ｘは単結合、-Ｓ-、-Ｏ-、-(ＳＯ₂)-、-(ＣＯ)
   -または構造式(III) 【化３】 で表される２価の結合基であり、ＱおよびＲは各々炭素
   原子数１〜４のアルキル基またはアルコキシル基、又は
   ハロゲンであり、ｍおよびｎが各々０〜４の整数であ
   る］で示される芳香族ジオール残基成分であるポリアリ
   レートと、ホウ酸アルミニウムウィスカーとを含むポリ
   アリレート組成物。
2. 【請求項２】 ポリアリレート１００質量部に対し、ホ
   ウ酸アルミニウムウィスカー１０〜５０質量部を含有す
   る請求項１に記載のポリアリレート組成物。
3. 【請求項３】 前記ポリアリレート中のアルカリ金属、
   アルカリ土類金属および遊離ハロゲンの含有率の合計が
   ２５０ｐｐｍ以下である請求項１に記載のポリアリレー
   ト組成物。
4. 【請求項４】 前記ホウ酸アルミニウムウィスカーが、
   ホウ酸アルミニウムウィスカー、あるいはアミノシラン
   系カップリング剤、アクリルシラン系カップリング剤及
   びアルキルシラン系カップリング剤から選ばれる一種以
   上のシランカップリング剤で表面処理をしたホウ酸アル
   ミニウムウィスカーである請求項１に記載のポリアリレ
   ート組成物。
5. 【請求項５】 線熱膨張係数が３５ｐｐｍ／℃以下で、
   かつ１ＧＨｚにおける誘電正接が２．０×１０^−３以下
   である請求項１に記載のポリアリレート組成物。
6. 【請求項６】 請求項１に記載のポリアリレート組成物
   から成り、線熱膨張係数が３５ｐｐｍ／℃以下で、かつ
   １ＧＨｚにおける誘電正接が２．０×１０^−３以下であ
   るポリアリレートシート。
7. 【請求項７】 請求項６に記載のポリアリレートシート
   の片面、または両面に金属層を有する電子材料。