JP2003243430A - 半導体素子用デュアルダイボンディング装置及びその方法 - Google Patents

半導体素子用デュアルダイボンディング装置及びその方法

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JP2003243430A JP2003021860A JP2003021860A JP2003243430A JP 2003243430 A JP2003243430 A JP 2003243430A JP 2003021860 A JP2003021860 A JP 2003021860A JP 2003021860 A JP2003021860 A JP 2003021860A JP 2003243430 A JP2003243430 A JP 2003243430A
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die
dual
adhesive tape
substrate
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Seung Chul Ahn
承 哲 安
Hyoung-Sub Kim
亨 燮 金
慶 ▲ふく▼ ▲そう▼
Kyoung Bok Cho
Sung Bok Hong
性 ▲ふく▼ 洪
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Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ２つの異なる接着媒体で２つのダイをボンデ
ィングすることができる半導体素子用デュアルダイボン
ディング装置を提供する。 【解決手段】 ２つのダイボンディング部３０、５０及
び搬送レール２２を有するデュアルダイボンディング装
置１００を開示する。基板１２が搬送レール２２に沿っ
て移動するので、各ダイボンディング部３０、５０は、
液状接着剤３２を用いる工程と絶縁接着テープ５９を用
いる工程とを個別に行う。第１ダイボンディング部３０
において、液状接着剤３２は基板１２の接着領域１４に
供給され、第１半導体ダイ４２は液状接着剤３２に接着
される。第２ダイボンディング部５０において、絶縁接
着テープ５９は、第１半導体ダイ４２または基板１２の
他の接着領域に供給され、第２半導体ダイ６２は絶縁接
着テープ５９に接着される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の製造
装置に関するもので、より詳しくは、異なる接着媒体を
介して２つの半導体ダイを基板に接着するデュアルダイ
ボンディング装置、及び異なる接着媒体を用いて２つの
半導体ダイを接着するデュアルボンディング方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の製造において、ダイボンデ
ィングとは、一般にチップと呼ばれる半導体ダイをリー
ドフレーム、印刷回路基板、フレキシブル回路テープの
ような基板に貼付ける段階をいう。ダイと基板との接着
に使用される代表的な接着媒体は、電気導電性を有する
液状接着剤である。従来の工程に使用された液状接着剤
の適切な例として、Ａｇ−エポキシやＡｇ−ガラス及び
はんだがある。従来のダイボンディングにおいて、ま
ず、液状接着剤は基板上に塗布され、ダイは液状接着剤
上に載置され、その後圧力が印加される。
【０００３】特定のダイのために、ダイボンディングは
絶縁接着剤を必要とする。例えば、２つ以上のダイを１
つの基板に接着する場合、各ダイを電気的に絶縁するた
めに液状接着剤が必要である。この場合、液状絶縁接着
剤の使用は、絶縁能力の不足など幾つかの欠点を有す
る。その結果、一般にテープタイプの絶縁接着剤が使用
されている。
【０００４】図１は、絶縁接着テープ５９を使用する半
導体素子１０の概略的な構成を示す。図１に示すよう
に、第１半導体ダイ４２は、液状接着剤３２により基板
１２上に接着され、第２半導体ダイ６２は、絶縁接着テ
ープ５９により第１半導体ダイ４２上に接着される。ま
た、他の例として、第２半導体ダイ６２は第１半導体ダ
イ４２の側方に配置され、絶縁接着テープ５９により基
板１２に直接接着される。
【０００５】第２半導体ダイ６２が接着されても、第
１、第２半導体ダイ４２、６２は、絶縁接着テープ５９
により互いに電気的に絶縁される。ダイボンディングの
後、半導体ダイ４２、６２は、金属ワイヤー（図示せ
ず）により基板に電気的に連結され、エポキシ成形化合
物のような封止剤により封止される。
【０００６】絶縁接着テープ５９が液状接着剤３２とと
もに使用されると、接着媒体が異なるため別個のダイボ
ンディング装置が必要である。２つの別個のダイボンデ
ィング装置を有する場合、ダイボンディング装置の占め
る空間が拡大してしまい、加えて、基板がダイボンディ
ング装置の間を移動するための設備が必要であり、ダイ
ボンディングする時間が長くなってしまう。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
従来技術の問題を解決することであり、２つの異なる接
着媒体で２つのダイをボンディング（デュアルダイボン
ディング）することができる半導体素子用デュアルダイ
ボンディング装置及びその方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１半導体ダイと第２半導体ダイとを接着する半導
体素子用デュアルダイボンディング装置を提供する。本
発明によるデュアルダイボンディング装置は、１つ以上
のダイ接着領域を有する基板を搬送するために構成され
た搬送レールと、搬送レールの上流側に位置され、液状
接着剤を用いて第１半導体ダイをダイボンディングする
第１ダイボンディング部と、搬送レールの下流側に位置
され、絶縁接着テープを用いて第２半導体ダイをダイボ
ンディングする第２ダイボンディング部とを有する。
【０００９】本発明のデュアルダイボンディング装置に
おいて、第１ダイボンディング部は、基板のダイ接着領
域に液状接着剤を供給する接着剤供給器を有する。第１
ダイボンディング部は、第１ウエハーから第１半導体ダ
イをピックアップし、基板上の液状接着剤に第１半導体
ダイを貼付ける第１ダイ接着手段を有する。また、第１
ダイボンディング部は、第１ウエハーを支持する第１ウ
エハーテーブルを有する。
【００１０】また、第２ダイボンディング部は、接着テ
ープ供給器及びテープ貼付手段を有する。接着テープ供
給器は、テープ貼付手段に絶縁接着テープを供給し、テ
ープ貼付手段は、基板上の第１半導体ダイまたは基板の
他のダイ接着領域に絶縁接着テープを貼付ける。さら
に、第２ダイボンディング部は、第２ウエハーから第２
半導体ダイをピックアップし、基板の絶縁接着テープに
第２半導体ダイを貼付ける第２ダイ接着手段を有する。
また、第２ダイボンディング部は、第２ウエハーを支持
する第２ウエハーテーブルを有する。
【００１１】本発明の一実施形態において、接着テープ
供給器は、絶縁接着テープが巻かれたリールと、リール
から絶縁接着テープを巻き出す一対のローラと、絶縁接
着テープを切断するテープ切断機と、切断時、絶縁接着
テープを把持するテープ把持部とを有する。
【００１２】本発明の一実施形態において、デュアルダ
イボンディング装置は、第１基板マガジン及び第２基板
マガジンを有する。基板マガジンは、搬送レールの両端
に位置し、基板を収納する。また、デュアルダイボンデ
ィング装置は、第１基板マガジンから搬送レールへ基板
を供給するローダと、搬送レールから第２基板マガジン
へ基板を供給するアンローダとを有する。また、デュア
ルダイボンディング装置は、アンローダ近傍の搬送レー
ルの端部に位置し、基板に供給された液状接着剤及び絶
縁接着テープを硬化する硬化部を有する。
【００１３】本発明の一実施形態において、基板は、リ
ードフレームストリップ、印刷回路基板、フレキシブル
回路テープであっても良い。液状接着剤は、Ａｇ−エポ
キシ、Ａｇ−ガラス、はんだのような導電性材料、また
はシリコンのような非導電性材料であっても良い。好ま
しくは、絶縁接着テープは、ポリイミドからなる中心層
と、接着材料からなる上下層とを有する。また、絶縁接
着テープは、接着性を有するポリイミド系の単一層によ
り形成されても良い。
【００１４】本発明の他の目的は、従来技術の問題を解
決する、異なる接着媒体を用いて２つの半導体ダイを接
着する方法を提供する。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態をより詳細に説明する。
【００１６】図２及び図３に示すように、デュアルダイ
ボンディング装置１００は、互いに隣接し、近傍に位置
する２つのダイボンディング部３０、５０を有する。第
１ダイボンディング部３０は、液状接着剤３２を用いて
ダイボンディング工程を行い、第２ダイボンディング部
５０は、絶縁接着テープ５９を用いてダイボンディング
工程を行う。デュアルダイボンディング装置１００は、
ダイボンディング部３０、５０と並列に設けられた搬送
レール２２を有する。従って、基板１２が搬送レール２
２に沿って移動する間、２つの異なるダイボンディング
工程を遅れることなく同時に行うことができる。
【００１７】好ましくは、基板マガジン２１、２６は、
搬送レール２２の両端に形成される。第１基板マガジン
２１は、第１ダイボンディング部３０側の一端に位置さ
れ、空の基板を収納する。第２基板マガジン２６は、第
２ダイボンディング部５０側の他端に位置され、ダイボ
ンディングされた基板を収納する。通常は、基板１２は
１つ以上のダイ接着領域１４を有する。基板１２は、リ
ードフレームストリップ、印刷回路基板、フレキシブル
回路テープであることが好ましい。基板マガジン２１、
２６の形状は、選択された基板のタイプによる。
【００１８】本発明の一実施形態において、基板１２
は、ローダ２３の動作により、第１基板マガジン２１か
ら搬送レール２２に順々に供給され、アンローダ２５の
動作により、搬送レール２２から第２基板マガジン２６
に順々に供給される。搬送レール２２は、デュアルダイ
ボンディング工程が進行される間、基板１２を一定の間
隔を置いて搬送して連続なダイボンディングを可能とす
る。コンベヤベルトのような一般の搬送機を、搬送レー
ル２２の変わりに使用してもよい。
【００１９】第１ダイボンディング部３０は、搬送レー
ル２２の上流側に位置し、液状接着剤供給器３１と、第
１ウエハーテーブル３３と、第１ダイボンディング手段
３５とを有する。第１ダイ４２の接着のために、液状接
着剤供給器３１は、搬送レール２２の基板１２の接着領
域１４に液状接着剤３２を供給する。好ましくは、液状
接着剤３２の供給はドッティング方法（ドットを打つよ
うに供給する方法）で行われる。好ましくは、液状接着
剤３２は、Ａｇ−エポキシ、Ａｇ−ガラス、はんだのよ
うな導電性材料、またはシリコンのような非導電性材料
を使用する。
【００２０】本発明の一実施形態において、第１ダイ４
２は、多くの第１ダイ４２を有する第１ウエハー４０の
形態で供給される。第１ウエハー４０が第１ウエハーテ
ーブル３３上に載置されると、第１ダイボンディング手
段３５は、吸着力で第１ウエハー４０から１つの第１ダ
イ４２をピックアップし、基板１２の接着領域１４の液
状接着剤３２にダイを載置する。第１ダイボンディング
手段３５は、移動アーム（図示せず）の動作により、第
１ウエハーテーブル３３と搬送レール２２との間を移動
する。第１ダイボンディング手段３５が第１ダイ４２を
液状接着剤３２に貼付けた後、より強い接着のため、熱
と圧力を印加することができる。
【００２１】第２ダイボンディング部５０は、搬送レー
ル２２の下流側に位置し、接着テープ供給器５１と、テ
ープ貼付手段５３と、第２ウエハーテーブル５５と、第
２ダイボンディング手段５７とを有する。接着テープ供
給器５１は、第１ダイ４２に絶縁接着テープ５９を供給
し、第２ダイ６２を貼付けることができる。好ましく
は、絶縁接着テープ５９は、ポリイミドからなる中心層
と、接着材料からなる上下層とを有する両面接着テープ
である。また、絶縁接着テープ５９は、接着性を有する
ポリイミド系の単一層より形成されても良い。
【００２２】本発明の一実施形態において、接着テープ
供給器５１は、リール５２と、テープ切断機５４と、一
対のローラ５６と、テープ把持部５８とを有する。絶縁
接着テープ５９は、リール５２に巻かれている。絶縁接
着テープ５９は、一対のローラ５６によってリール５２
から巻き出され、テープ切断機５４及びテープ把持部５
８に供給される。テープ切断機５４は、絶縁接着テープ
５９を所定のサイズのテープに切断する。
【００２３】絶縁接着テープ５９を切断する間、テープ
把持部５８は、吸着力により絶縁接着テープ５９を把持
する。絶縁接着テープ５９は、リール５２に巻かれた状
態で、ローラ５６の間を介して連続的にテープ切断機５
４に供給される。テープ切断機５４の位置及びリール５
２の幅は、第１、第２ダイ４２、６２を接着するために
必要な絶縁接着テープ５９のサイズにより変更される。
テープ切断機５４及びローラ５６は、ダイボンディング
のために、絶縁接着テープ５９の効率的で且つ連続的な
供給を可能とする。従って、全てのダイボンディング工
程の能率を向上させる。
【００２４】絶縁接着テープ５９を所定のサイズに切断
した後、吸着力の印加によって、テープ把持部５８から
テープ貼付手段５３をピックアップする。テープ貼付手
段５３を搬送レール２２の基板１２側に移動し、吸着力
の印加を止め、基板１２に既に接着された第１ダイ４２
に、絶縁接着テープ５９を貼付ける。第２ダイ６２を絶
縁接着テープ５９に載置した後、接着させる。
【００２５】第１ダイ４２と同様に、第２ダイ６２は、
多くの第２ダイ６２を有する第２ウエハー６０の形態で
供給される。第２ウエハー６０が、第２ウエハーテーブ
ル５５上に載置されると、第２ダイボンディング手段５
７は、吸着力で第２ウエハー６０から１つの第２ダイ６
２をピックアップし、第１ダイ４２の絶縁接着テープ５
９に貼付ける。第２ダイボンディング手段５７は、移動
アーム（図示せず）の動作により、第２ウエハーテーブ
ル５５と搬送レール２２との間を移動する。第２ダイボ
ンディング手段５７が第２ダイ６２を絶縁接着テープ５
９に貼付けた後、より強い接着のため、熱と圧力を印加
することができる。
【００２６】本発明の一実施形態において、デュアルダ
イボンディング装置１００は、アンローダ２５近傍の搬
送レール２２の端部に位置した硬化部２４を有する。硬
化部２４は、液状接着剤３２及び絶縁接着テープ５９を
硬化する。好ましくは、硬化時間は約５〜１０分であ
る。２つの異なる接着媒体、つまり液状接着剤及び接着
テープの、硬化段階を別に行う従来のダイボンディング
工程とは異なり、本発明は、１つの硬化段階により行う
ことができるので、硬化時間を短縮することができる。
【００２７】本発明によるデュアルダイボンディング装
置は、垂直構成のダイだけでなく水平構成のダイに使用
することができる。すなわち、水平構成において、第２
ダイは、第１ダイの上でなく、第１ダイの側方に位置
し、絶縁接着テープにより基板の接着領域に直接接着さ
れる。例えば、接着テープ供給器は、第１ダイでなく、
基板に絶縁接着テープを供給する。
【００２８】本発明は、本発明の技術的思想から逸脱す
ることなく、他の種々の形態で実施することができる。
前述の実施例は、あくまでも、本発明の技術内容を明ら
かにするものであって、そのような具体例のみに限定し
て狭義に解釈されるべきものではなく、本発明の精神と
特許請求の範囲内で、いろいろと変更して実施すること
ができるものである。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のデュアル
ダイボンディング装置は、液状接着剤及び接着テープを
用いて、２つのダイボンディング工程を１つの装置で行
うことができ、従って、能率向上、生産性向上、製造工
程の簡素化を可能とする。２つの接着段階が同一装置で
行われるので、本発明のデュアルダイボンディング装置
は、２つの接着工程を行う場合より、占有する空間が小
さく、作業時間を短くすることができる。また、本発明
のデュアルダイボンディング装置は、２つの異なる媒体
と２つのダイとの接着が可能である装置を提供すること
により、製造コストを削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 絶縁接着テープを用いる従来の半導体素子の
断面図である。
【図２】 本発明の実施形態によるデュアルダイボンデ
ィング装置のブロック図である。
【図３】 図２に示したデュアルダイボンディング装置
の斜視図である。
【符号の説明】
１０…半導体素子、 １２…基板、 １４…接着領域、 ２１…第１基板マガジン、 ２２…搬送レール、 ２３…ローダ、 ２４…硬化部、 ２５…アンローダ、 ２６…第２基板マガジン、 ３０…第１ダイボンディング部、 ３１…接着剤供給器、 ３２…液状接着剤、 ３３…第１ウエハーテーブル、 ３５…第１ダイボンディング手段、 ４０…第１ウエハー、 ４２…第１ダイ、 ５０…第２ダイボンディング部、 ５１…テープ供給器、 ５２…リール、 ５３…テープ貼付手段、 ５４…テープ切断機、 ５５…第２ウエハーテーブル、 ５６…ローラ、 ５７…第２ダイボンディング手段、 ５８…テープ把持部、 ５９…絶縁接着テープ、 ６０…第２ウエハー、 ６２…第２ダイ、 １００…デュアルダイボンディング装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ▲そう▼ 慶 ▲ふく▼ 大韓民国忠清南道天安市新芳洞895番地 デュレ現代アパート105棟702號 (72)発明者 洪 性 ▲ふく▼ 大韓民国忠清南道天安市雙龍洞1273番地 現代アパート401棟907號 Ｆターム(参考） 5F047 BB03 BB11 FA00 FA01 FA05

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１半導体ダイ及び第２半導体ダイを有
    する半導体素子用デュアルダイボンディング装置であっ
    て、 １つ以上のダイ接着領域を有する基板を搬送するために
    構成された搬送レールと、 前記第１半導体ダイを液状接着剤により接着するため
    に、前記搬送レールの上流側に位置した第１ダイボンデ
    ィング部と、 前記第２半導体ダイを絶縁接着テープにより接着するた
    めに、前記搬送レールの下流側に位置した第２ダイボン
    ディング部と、 を備えることを特徴とするデュアルダイボンディング装
    置。
  2. 【請求項２】 前記第１ダイボンディング部は、前記基
    板のダイ接着領域に液状接着剤を供給する液状接着剤供
    給器を有する請求項１に記載のデュアルダイボンディン
    グ装置。
  3. 【請求項３】 前記第１ダイボンディング部は、前記基
    板のダイ接着領域に供給された液状接着剤に、第１ウエ
    ハーから前記第１半導体ダイを搬送する第１ダイボンデ
    ィング手段をさらに有する請求項２に記載のデュアルダ
    イボンディング装置。
  4. 【請求項４】 前記第１ダイボンディング部は、前記第
    １ウエハーを支持する第１ウエハーテーブルをさらに有
    する請求項３に記載のデュアルダイボンディング装置。
  5. 【請求項５】 前記第２ダイボンディング部は、接着テ
    ープ供給器及びテープ貼付手段を有し、前記接着テープ
    供給器は、前記テープ貼付手段に前記絶縁接着テープを
    供給し、前記テープ貼付手段は、前記基板の第１半導体
    ダイまたは前記基板の他のダイ接着領域に絶縁接着テー
    プを貼付ける請求項１に記載のデュアルダイボンディン
    グ装置。
  6. 【請求項６】 前記第２ダイボンディング部は、第２ウ
    エハーから前記絶縁接着テープに、前記第２半導体ダイ
    を搬送する第２ダイボンディング手段をさらに有する請
    求項５に記載のデュアルダイボンディング装置。
  7. 【請求項７】 前記第２ダイボンディング部は、前記第
    ２ウエハーを支持する第２ウエハーテーブルをさらに有
    する請求項６に記載のデュアルダイボンディング装置。
  8. 【請求項８】 前記接着テープ供給器は、前記絶縁接着
    テープが巻かれたリールと、前記リールから絶縁接着テ
    ープを巻き出す一対のローラと、前記絶縁接着テープを
    切断する切断機と、前記絶縁接着テープの切断時、絶縁
    接着テープを把持する把持部とを有する請求項５に記載
    のデュアルダイボンディング装置。
  9. 【請求項９】 前記第１ダイボンディング部の搬送レー
    ルの一端に位置した第１基板マガジンと、 前記第２ダイボンディング部の搬送レールの他端に位置
    した第２基板マガジンとをさらに有し、 前記第１基板マガジン及び前記第２基板マガジンは、前
    記基板を収納する請求項１に記載のデュアルダイボンデ
    ィング装置。
  10. 【請求項１０】 前記第１基板マガジンから前記搬送レ
    ールに前記基板を供給するために構成されたローダと、 前記搬送レールから前記第２基板マガジンに前記基板を
    供給するために構成されたアンローダとを有する請求項
    ９に記載のデュアルダイボンディング装置。
  11. 【請求項１１】 前記アンローダの近傍に位置し、液状
    接着剤及び絶縁接着テープを硬化する硬化部をさらに有
    する請求項１０に記載のデュアルダイボンディング装
    置。
  12. 【請求項１２】 前記基板は、リードフレームストリッ
    プ、印刷回路基板、フレキシブル回路テープからなる群
    のうち選択される請求項１に記載のデュアルダイボンデ
    ィング装置。
  13. 【請求項１３】 前記液状接着剤は、導電性材料及び非
    導電性材料からなる群のうち選択される請求項１に記載
    のデュアルダイボンディング装置。
  14. 【請求項１４】 前記導電性材料は、Ａｇ−エポキシ、
    Ａｇ−ガラス、はんだからなる群のうち選択される請求
    項１３に記載のデュアルダイボンディング装置。
  15. 【請求項１５】 前記非導電性材料は、シリコンである
    請求項１３に記載のデュアルダイボンディング装置。
  16. 【請求項１６】 前記絶縁接着テープは、両面接着テー
    プである請求項１に記載のデュアルダイボンディング装
    置。
  17. 【請求項１７】 前記絶縁接着テープは、ポリイミドか
    らなる中心層と、接着材料からなる上下層とを含む請求
    項１６に記載のデュアルダイボンディング装置。
  18. 【請求項１８】 前記絶縁接着テープは、接着性を有す
    るポリイミド系の単一層により形成される請求項１に記
    載のデュアルダイボンディング装置。
  19. 【請求項１９】 第１半導体ダイと第２半導体ダイとを
    接着するデュアルボンディング方法であって、 第１ウエハーテーブルに複数の第１半導体ダイを有する
    第１ウエハー及び第２ウエハーテーブルに複数の第２半
    導体ダイを有する第２ウエハーを載置する段階と、 第１接着領域の搬送レールに位置した基板のダイ接着領
    域に、液状接着剤供給器によって液状接着剤を供給する
    段階と、 前記ダイ接着領域の前記液状接着剤に、ダイボンディン
    グ手段によって１つの前記第１ダイを搬送する段階と、 前記搬送レールに沿って前記基板を第２接着領域に移動
    する段階と、 前記第１半導体ダイまたは前記基板に、テープ貼付手段
    によって絶縁接着テープを貼付ける段階と、 前記絶縁接着テープに、第２ダイボンディング手段によ
    って１つの前記第２ダイを搬送する段階と、 を備えることを特徴とするデュアルボンディング方法。
  20. 【請求項２０】 硬化部において前記液状接着剤及び絶
    縁接着テープを硬化する段階をさらに有する請求項１９
    に記載のデュアルボンディング方法。
  21. 【請求項２１】 前記硬化段階は、約５〜１０分間行う
    請求項２０に記載のデュアルボンディング方法。
  22. 【請求項２２】 前記搬送段階の後、前記第１、第２半
    導体ダイに熱及び圧力を印加する段階をさらに有する請
    求項２１に記載のデュアルボンディング方法。
  23. 【請求項２３】 前記液状接着剤は、ドッティング方法
    により供給される請求項１９に記載のデュアルボンディ
    ング方法。
  24. 【請求項２４】 吸着力によって、前記第１ダイボンデ
    ィング手段は前記第１半導体ダイを搬送し、前記第２ダ
    イボンディング手段は前記第２半導体ダイを搬送する請
    求項１９に記載のデュアルボンディング方法。
  25. 【請求項２５】 前記貼付段階は、 一対のローラによってリールから前記絶縁接着テープを
    巻き出す段階と、 テープ把持部によって前記絶縁接着テープを把持する段
    階とを有する請求項１９に記載のデュアルボンディング
    方法。
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7198693B1 (en) * 2002-02-20 2007-04-03 Micron Technology, Inc. Microelectronic device having a plurality of stacked dies and methods for manufacturing such microelectronic assemblies
US20060057763A1 (en) * 2004-09-14 2006-03-16 Agency For Science, Technology And Research Method of forming a surface mountable IC and its assembly
US7534722B2 (en) * 2005-06-14 2009-05-19 John Trezza Back-to-front via process
US8456015B2 (en) 2005-06-14 2013-06-04 Cufer Asset Ltd. L.L.C. Triaxial through-chip connection
US7687400B2 (en) 2005-06-14 2010-03-30 John Trezza Side stacking apparatus and method
US7989958B2 (en) 2005-06-14 2011-08-02 Cufer Assett Ltd. L.L.C. Patterned contact
US7786592B2 (en) 2005-06-14 2010-08-31 John Trezza Chip capacitive coupling
US7521806B2 (en) * 2005-06-14 2009-04-21 John Trezza Chip spanning connection
US7767493B2 (en) 2005-06-14 2010-08-03 John Trezza Post & penetration interconnection
US7838997B2 (en) 2005-06-14 2010-11-23 John Trezza Remote chip attachment
US7781886B2 (en) 2005-06-14 2010-08-24 John Trezza Electronic chip contact structure
US7560813B2 (en) 2005-06-14 2009-07-14 John Trezza Chip-based thermo-stack
US7851348B2 (en) 2005-06-14 2010-12-14 Abhay Misra Routingless chip architecture
AT503191B1 (de) * 2006-02-02 2008-07-15 Austria Tech & System Tech Leiterplattenelement mit wenigstens einem eingebetteten bauelement sowie verfahren zum einbetten zumindest eines bauelements in einem leiterplattenelement
US7687397B2 (en) 2006-06-06 2010-03-30 John Trezza Front-end processed wafer having through-chip connections
US7670874B2 (en) 2007-02-16 2010-03-02 John Trezza Plated pillar package formation
TW200947641A (en) * 2008-05-15 2009-11-16 Gio Optoelectronics Corp Die bonding apparatus
KR101923531B1 (ko) 2011-12-23 2018-11-30 삼성전자주식회사 반도체 칩 본딩 장치
KR101127116B1 (ko) * 2011-12-29 2012-03-27 한국삼양공업(주) 기판용 보호테이프 부착장치
KR102231293B1 (ko) * 2014-02-10 2021-03-23 삼성전자주식회사 다이 본딩 장치
CN104882397B (zh) * 2015-05-28 2017-08-25 先进光电器材（深圳）有限公司 一种双焊头自动上下料装置
CN110838462B (zh) * 2018-08-15 2022-12-13 北科天绘(合肥)激光技术有限公司 一种器件阵列的巨量转移方法及系统

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3425315B2 (ja) * 1997-01-21 2003-07-14 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US6378200B1 (en) * 1997-09-18 2002-04-30 Motorola, Inc. Dynamically reconfigurable assembly line for electronic products
KR19990017052A (ko) * 1997-08-21 1999-03-15 윤종용 접착제 도포 및 다이 본딩 겸용 장치 및 방법
US6071371A (en) * 1998-02-02 2000-06-06 Delco Electronics Corporation Method of simultaneously attaching surface-mount and chip-on-board dies to a circuit board
KR100317648B1 (ko) * 1998-08-26 2002-02-19 윤종용 절연접착테이프에의하여다이접착되는반도체소자및다이접착방법그리고그장치
KR20000043519A (ko) * 1998-12-29 2000-07-15 윤종용 반도체 패키지 제조용 접착제필름 부착장치
JP2000269243A (ja) * 1999-03-12 2000-09-29 Shibaura Mechatronics Corp ペレットボンディング方法及び装置

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