JP2003233042A - 光導波路デバイス - Google Patents
光導波路デバイスInfo
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
- G02F1/225—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference in an optical waveguide structure
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 通信システムにおいて用いて好適の、光導波
路デバイスにおいて、印加される駆動電圧を低減させて
消費電力を抑制できるようにする。 【解決手段】 Ｚ軸カットされた電気光学効果を有する
基板１Ｚと、基板１Ｚ上に形成されて、並列な複数の光
導波路２ｂ，２ｃ上を伝播する光について干渉させる干
渉型光導波路２と、干渉型光導波路２をなす各光導波路
２ｂ，２ｃを伝播する光に対し上記電気光学効果のため
の電圧を印加するための集中定数型電極４とをそなえ、
集中定数型電極４が、並列な複数の光導波路２ｂ，２ｃ
のうちで隣接する光導波路に供給される互いの電位を相
補させることにより、上記隣接する光導波路には、絶対
値が同じでかつ符号が逆となる電圧が印加されるように
構成する。
路デバイスにおいて、印加される駆動電圧を低減させて
消費電力を抑制できるようにする。 【解決手段】 Ｚ軸カットされた電気光学効果を有する
基板１Ｚと、基板１Ｚ上に形成されて、並列な複数の光
導波路２ｂ，２ｃ上を伝播する光について干渉させる干
渉型光導波路２と、干渉型光導波路２をなす各光導波路
２ｂ，２ｃを伝播する光に対し上記電気光学効果のため
の電圧を印加するための集中定数型電極４とをそなえ、
集中定数型電極４が、並列な複数の光導波路２ｂ，２ｃ
のうちで隣接する光導波路に供給される互いの電位を相
補させることにより、上記隣接する光導波路には、絶対
値が同じでかつ符号が逆となる電圧が印加されるように
構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信システムに
おいて用いて好適の、光導波路デバイスに関するもので
ある。
おいて用いて好適の、光導波路デバイスに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年のデータ伝送速度の高速化に伴っ
て、光通信システム分野においては、データ信号を電気
信号から光信号に変調するための光導波路デバイスにつ
いての開発が活発に行なわれている。図３は、上述のご
とき光変調を行なうための従来の光導波路デバイス１０
０が適用された光変調器１１０を示す模式図であり、こ
の図３に示す光変調器１１０は、光導波路デバイス１０
０に、後述するＲＦ信号発生源１０６ａ，１０６ｂおよ
びバイアス用の電源１０７ａ，１０７ｂを接続して構成
されたものである。
て、光通信システム分野においては、データ信号を電気
信号から光信号に変調するための光導波路デバイスにつ
いての開発が活発に行なわれている。図３は、上述のご
とき光変調を行なうための従来の光導波路デバイス１０
０が適用された光変調器１１０を示す模式図であり、こ
の図３に示す光変調器１１０は、光導波路デバイス１０
０に、後述するＲＦ信号発生源１０６ａ，１０６ｂおよ
びバイアス用の電源１０７ａ，１０７ｂを接続して構成
されたものである。
【０００３】この図３に示す光導波路デバイス１００
は、ＬｉＮｂＯ3（ニオブ酸リチウム）を結晶軸方向の
Ｚ軸に平行となるようにカットした基板１０１Ｚ上に、
光が入射される側のＹ分岐導波路１０２ａ，直線導波路
１０２ｂ，１０２ｃおよび光が出射される側のＹ分岐導
波路１０２ｄをそなえてなるマッハツェンダ型の光導波
路１０２が形成されている。
は、ＬｉＮｂＯ3（ニオブ酸リチウム）を結晶軸方向の
Ｚ軸に平行となるようにカットした基板１０１Ｚ上に、
光が入射される側のＹ分岐導波路１０２ａ，直線導波路
１０２ｂ，１０２ｃおよび光が出射される側のＹ分岐導
波路１０２ｄをそなえてなるマッハツェンダ型の光導波
路１０２が形成されている。
【０００４】さらに、１０３ａ，１０３ｂはそれぞれ、
直線導波路１０２ｂ，１０２ｃ上に形成された信号電極
であり、これらの信号電極１０３ａ，１０３ｂは、それ
ぞれ別個のＲＦ（Radio Frequency）信号発生源１０６
ａ，１０６ｂに接続されて、これらＲＦ信号発生源１０
６ａ，１０６ｂからの互いに位相が反転したＲＦ信号を
変調信号として印加するものである。
直線導波路１０２ｂ，１０２ｃ上に形成された信号電極
であり、これらの信号電極１０３ａ，１０３ｂは、それ
ぞれ別個のＲＦ（Radio Frequency）信号発生源１０６
ａ，１０６ｂに接続されて、これらＲＦ信号発生源１０
６ａ，１０６ｂからの互いに位相が反転したＲＦ信号を
変調信号として印加するものである。
【０００５】さらに、１０４ａ，１０４ｂは、それぞれ
の信号電極１０３ａ，１０３ｂとは別個に設けられたバ
イアス電極であって、バイアス電極１０４ａは、直流電
圧（＋Ｖ0）を発生する電源１０７ａに接続されて信号
電極１０３ａに印加されるマイクロ波に対してＤＣ（Di
rect Current）バイアス成分としての電圧を与えるもの
で、バイアス電極１０４ｂは、直流電圧（−Ｖ0）を発
生する電源１０７ｂに接続されて信号電極１０３ｂに印
加されるマイクロ波に対してＤＣバイアス成分としての
電圧を与えるものである。
の信号電極１０３ａ，１０３ｂとは別個に設けられたバ
イアス電極であって、バイアス電極１０４ａは、直流電
圧（＋Ｖ0）を発生する電源１０７ａに接続されて信号
電極１０３ａに印加されるマイクロ波に対してＤＣ（Di
rect Current）バイアス成分としての電圧を与えるもの
で、バイアス電極１０４ｂは、直流電圧（−Ｖ0）を発
生する電源１０７ｂに接続されて信号電極１０３ｂに印
加されるマイクロ波に対してＤＣバイアス成分としての
電圧を与えるものである。
【０００６】また、１０５は接地電極であり、この接地
電極１０５は、上述の信号電極１０３ａ，１０３ｂおよ
びバイアス電極１０４ａ，１０４ｂにて供給される電圧
に対する基準となる接地電位を与えるためのものであっ
て、これらの電極１０３ａ，１０３ｂ，１０４ａ，１０
４ｂの形成領域に対して所定の間隔をあけるように形成
されている。
電極１０５は、上述の信号電極１０３ａ，１０３ｂおよ
びバイアス電極１０４ａ，１０４ｂにて供給される電圧
に対する基準となる接地電位を与えるためのものであっ
て、これらの電極１０３ａ，１０３ｂ，１０４ａ，１０
４ｂの形成領域に対して所定の間隔をあけるように形成
されている。
【０００７】これにより、各バイアス電極１０４ａ，１
０４ｂには、接地電極１０５の電位を基準として、それ
ぞれ相互に絶対値が同一で符号が反転した電圧（−Ｖ0
および＋Ｖ0）が印加されるようになっており、信号電
極１０３ａ，１０３ｂに応じたＤＣドリフト成分を除去
するようになっている。上述の図３のごとき、それぞれ
の直線導波路１０２ｂ，１０２ｃ上に信号電極１０３
ａ，１０３ｂを形成したデュアル電極構造の場合は、そ
れぞれの直線導波路１０２ｂ，１０２ｃにおける波長チ
ャープを出射側のＹ分岐導波路１０２ｄにおいて相殺す
ることができるので、変調データとしてのパルス波形の
歪を抑制できる点において、長距離伝送用の光変調器と
して有用である。
０４ｂには、接地電極１０５の電位を基準として、それ
ぞれ相互に絶対値が同一で符号が反転した電圧（−Ｖ0
および＋Ｖ0）が印加されるようになっており、信号電
極１０３ａ，１０３ｂに応じたＤＣドリフト成分を除去
するようになっている。上述の図３のごとき、それぞれ
の直線導波路１０２ｂ，１０２ｃ上に信号電極１０３
ａ，１０３ｂを形成したデュアル電極構造の場合は、そ
れぞれの直線導波路１０２ｂ，１０２ｃにおける波長チ
ャープを出射側のＹ分岐導波路１０２ｄにおいて相殺す
ることができるので、変調データとしてのパルス波形の
歪を抑制できる点において、長距離伝送用の光変調器と
して有用である。
【０００８】また、図４は、光変調を行なうための従来
の光導波路デバイス１００が適用された第２の光変調器
２１０を示す模式図である。この図４に示す光導波路デ
バイス２００は、ＬｉＮｂＯ3（ニオブ酸リチウム）を
結晶軸方向のＸ軸に平行となるようにカットした基板１
０１Ｘ上に、上述の図よりも分岐幅の狭いマッハツェン
ダ型の光導波路２０２を形成したものである。なお、光
導波路２０２は、光が入射される側のＹ分岐導波路２０
２ａ，直線導波路２０２ｂ，２０２ｃおよび光が出射さ
れる側のＹ分岐導波路２０２ｄをそなえて構成されてい
る。
の光導波路デバイス１００が適用された第２の光変調器
２１０を示す模式図である。この図４に示す光導波路デ
バイス２００は、ＬｉＮｂＯ3（ニオブ酸リチウム）を
結晶軸方向のＸ軸に平行となるようにカットした基板１
０１Ｘ上に、上述の図よりも分岐幅の狭いマッハツェン
ダ型の光導波路２０２を形成したものである。なお、光
導波路２０２は、光が入射される側のＹ分岐導波路２０
２ａ，直線導波路２０２ｂ，２０２ｃおよび光が出射さ
れる側のＹ分岐導波路２０２ｄをそなえて構成されてい
る。
【０００９】この図４に示す光導波路デバイス２００に
おいては、図３に示すものと、電圧を印加した場合の電
界方向の相違から、単一の信号電極２０３およびバイア
ス電極２０４を、直線導波路２０２ｂ，２０２ｃの形成
面上に、当該直線導波路２０２ｂ，２０２ｃの間に沿っ
て平行するように形成されており、これにより、信号電
極２０３では上述の図３の場合と同様、それぞれの直線
導波路２０２ｂ，２０２ｃにおける波長チャープを相殺
できるようになっている。
おいては、図３に示すものと、電圧を印加した場合の電
界方向の相違から、単一の信号電極２０３およびバイア
ス電極２０４を、直線導波路２０２ｂ，２０２ｃの形成
面上に、当該直線導波路２０２ｂ，２０２ｃの間に沿っ
て平行するように形成されており、これにより、信号電
極２０３では上述の図３の場合と同様、それぞれの直線
導波路２０２ｂ，２０２ｃにおける波長チャープを相殺
できるようになっている。
【００１０】なお、２０５は接地電極、２０６は信号電
極２０３に接続されたＲＦ信号発生源、２０７はバイア
ス電極２０４に接続された電源である。ただし、図４に
示すような結晶軸方向のＸ軸に平行な基板１０１Ｘを用
いた場合には、マイクロ波と光の速度整合を取ることが
困難であり、高速化されたデータを変調する際には図３
に示す構成の光導波路デバイスを用いて、光変調器を構
成することが一般的である。
極２０３に接続されたＲＦ信号発生源、２０７はバイア
ス電極２０４に接続された電源である。ただし、図４に
示すような結晶軸方向のＸ軸に平行な基板１０１Ｘを用
いた場合には、マイクロ波と光の速度整合を取ることが
困難であり、高速化されたデータを変調する際には図３
に示す構成の光導波路デバイスを用いて、光変調器を構
成することが一般的である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
図３に示すような構成の光導波路デバイスを用いて光変
調器を構成する場合には、直線導波路１０２ｂ，１０２
ｃ上の信号電極１０３ａ，１０３ｂの長さをある程度確
保しなければならない関係上、バイアス電極１０４ａ，
１０４ｂの長さを比較的短くせざるを得ない。
図３に示すような構成の光導波路デバイスを用いて光変
調器を構成する場合には、直線導波路１０２ｂ，１０２
ｃ上の信号電極１０３ａ，１０３ｂの長さをある程度確
保しなければならない関係上、バイアス電極１０４ａ，
１０４ｂの長さを比較的短くせざるを得ない。
【００１２】動作点電圧と電極の長さの積はデバイスの
特性から一定値に特定されることから、長さの短いバイ
アス電極１０４ａ，１０４ｂに対しては駆動電圧、即ち
電源１０７ａ，１０７ｂの駆動電圧を比較的大きなもの
に設定しなければならず、更にはデュアル電極構造の場
合には、このような比較的大きな駆動電圧を供給する電
源を複数準備しなければないという課題がある。
特性から一定値に特定されることから、長さの短いバイ
アス電極１０４ａ，１０４ｂに対しては駆動電圧、即ち
電源１０７ａ，１０７ｂの駆動電圧を比較的大きなもの
に設定しなければならず、更にはデュアル電極構造の場
合には、このような比較的大きな駆動電圧を供給する電
源を複数準備しなければないという課題がある。
【００１３】本発明はこのような課題に鑑み創案された
もので、印加される駆動電圧を低減させるようにした、
光導波路デバイスを適用することを目的とする。
もので、印加される駆動電圧を低減させるようにした、
光導波路デバイスを適用することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】このため、第１の発明の
光導波路デバイスは、Ｚ軸カットされた電気光学効果を
有する基板と、該基板上に形成されて、並列な複数の光
導波路上を伝播する光について干渉させる干渉型光導波
路と、該干渉型光導波路をなす各光導波路を伝播する光
に対し上記電気光学効果のための電圧を印加するための
集中定数型電極とをそなえ、該集中定数型電極が、該並
列な複数の光導波路のうちで隣接する光導波路に供給さ
れる互いの電位を相補させることにより、上記隣接する
光導波路には、絶対値が同じでかつ符号が逆となる電圧
が印加されるように構成されたことを特徴としている。
光導波路デバイスは、Ｚ軸カットされた電気光学効果を
有する基板と、該基板上に形成されて、並列な複数の光
導波路上を伝播する光について干渉させる干渉型光導波
路と、該干渉型光導波路をなす各光導波路を伝播する光
に対し上記電気光学効果のための電圧を印加するための
集中定数型電極とをそなえ、該集中定数型電極が、該並
列な複数の光導波路のうちで隣接する光導波路に供給さ
れる互いの電位を相補させることにより、上記隣接する
光導波路には、絶対値が同じでかつ符号が逆となる電圧
が印加されるように構成されたことを特徴としている。
【００１５】また、第２の発明の光導波路デバイスは、
Ｚ軸カットされた電気光学効果を有する基板と、該基板
上に形成されて、並列な複数の光導波路上を伝播する光
について干渉させる干渉型光導波路と、該干渉型光導波
路をなす各光導波路上に形成された信号電極と、該各信
号電極において印加する信号成分をバイアスするための
バイアス電極とをそなえ、該バイアス電極が、該並列な
複数の光導波路のうちで隣接する光導波路に供給される
互いの電位を相補させることにより、上記隣接する光導
波路には、絶対値が同じでかつ符号が逆となる電圧が印
加されるように構成されたことを特徴としている。
Ｚ軸カットされた電気光学効果を有する基板と、該基板
上に形成されて、並列な複数の光導波路上を伝播する光
について干渉させる干渉型光導波路と、該干渉型光導波
路をなす各光導波路上に形成された信号電極と、該各信
号電極において印加する信号成分をバイアスするための
バイアス電極とをそなえ、該バイアス電極が、該並列な
複数の光導波路のうちで隣接する光導波路に供給される
互いの電位を相補させることにより、上記隣接する光導
波路には、絶対値が同じでかつ符号が逆となる電圧が印
加されるように構成されたことを特徴としている。
【００１６】さらに、第２の発明の光導波路デバイスに
おいて、好ましくは、該バイアス電極が、第１の電位が
与えられる第１電位供給用電極部と、第１の電位と異な
る第２の電位が与えられる第２電位供給用電極部と、上
記の各光導波路上における信号電極の後段に、上記複数
の光導波路の並列順に応じて上記の第１および第２電位
供給用電極部からの電位が交互に供給されるように形成
された導波路上電極部と、一方の電位供給用電極部から
の電位を供給する導波路上電極部の近傍に、他方の電位
供給用電極部からの電位を供給する少なくとも一つの電
位差形成用電極部と、をそなえて構成することとしても
よい。
おいて、好ましくは、該バイアス電極が、第１の電位が
与えられる第１電位供給用電極部と、第１の電位と異な
る第２の電位が与えられる第２電位供給用電極部と、上
記の各光導波路上における信号電極の後段に、上記複数
の光導波路の並列順に応じて上記の第１および第２電位
供給用電極部からの電位が交互に供給されるように形成
された導波路上電極部と、一方の電位供給用電極部から
の電位を供給する導波路上電極部の近傍に、他方の電位
供給用電極部からの電位を供給する少なくとも一つの電
位差形成用電極部と、をそなえて構成することとしても
よい。
【００１７】また、図５に示すように、一方の電位供給
用電極部からの電位を供給する導波路上電極部の近傍に
他方の電位供給用電極部からの電位を供給する電位差形
成用電極部をそなえて構成することとしてもよい。この
場合においては、該第１および第２電位供給用電極部に
て与えられる第１および第２の電位のいずれか一方を、
接地電位としたり、該第１および第２電位供給用電極部
にて与えられる第１および第２の電位を、絶対値が同じ
でかつ符号が逆となる電位とすることとしてもよい。
用電極部からの電位を供給する導波路上電極部の近傍に
他方の電位供給用電極部からの電位を供給する電位差形
成用電極部をそなえて構成することとしてもよい。この
場合においては、該第１および第２電位供給用電極部に
て与えられる第１および第２の電位のいずれか一方を、
接地電位としたり、該第１および第２電位供給用電極部
にて与えられる第１および第２の電位を、絶対値が同じ
でかつ符号が逆となる電位とすることとしてもよい。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照することによ
り、本発明の実施の形態を説明する。 ［ａ］第１実施形態の説明 図１は本発明の第１実施形態にかかる光導波路デバイス
１０が適用された光変調器１１−１を示す模式図であ
り、この図１に示す光変調器１１−１は、本発明にかか
る特徴的な構成を有する光導波路デバイス１０に、後述
するＲＦ信号発生源６ａ，６ｂおよびバイアス用の電源
７を接続して構成されたものである。
り、本発明の実施の形態を説明する。 ［ａ］第１実施形態の説明 図１は本発明の第１実施形態にかかる光導波路デバイス
１０が適用された光変調器１１−１を示す模式図であ
り、この図１に示す光変調器１１−１は、本発明にかか
る特徴的な構成を有する光導波路デバイス１０に、後述
するＲＦ信号発生源６ａ，６ｂおよびバイアス用の電源
７を接続して構成されたものである。
【００１９】ここで、この図１に示す光導波路デバイス
１０は、基板１Ｚをそなえるとともに、基板１Ｚ上に、
光導波路２，信号電極３ａ，３ｂ，バイアス電極４およ
び接地電極５が形成されて構成されたものである。基板
１Ｚは、前述の図３の場合と同様、電気光学効果を有す
る材料であるＬｉＮｂＯ3（ニオブ酸リチウム）を結晶
軸方向のＺ軸に平行となるようにカットしたもので、こ
の基板１Ｚ上には、光が入射される側のＹ分岐導波路２
ａ，直線導波路２ｂ，２ｃおよび光が出射される側のＹ
分岐導波路２ｄをそなえてなるマッハツェンダ型の光導
波路２が形成されている。
１０は、基板１Ｚをそなえるとともに、基板１Ｚ上に、
光導波路２，信号電極３ａ，３ｂ，バイアス電極４およ
び接地電極５が形成されて構成されたものである。基板
１Ｚは、前述の図３の場合と同様、電気光学効果を有す
る材料であるＬｉＮｂＯ3（ニオブ酸リチウム）を結晶
軸方向のＺ軸に平行となるようにカットしたもので、こ
の基板１Ｚ上には、光が入射される側のＹ分岐導波路２
ａ，直線導波路２ｂ，２ｃおよび光が出射される側のＹ
分岐導波路２ｄをそなえてなるマッハツェンダ型の光導
波路２が形成されている。
【００２０】換言すれば、上述の光導波路２は、基板１
Ｚ上に形成されて、並列な複数の光導波路（２本の直線
導波路２ｂ，２ｃ）上を伝播する光についてＹ分岐導波
路２ｄにおいて干渉させる干渉型光導波路として機能す
る。さらに、信号電極３ａ，３ｂはそれぞれ、直線導波
路２ｂ，２ｃ上に形成されたものである。信号電極３ａ
は、干渉型光導波路２をなす並列な２つの導波路のうち
の一方の光導波路としての直線導波路２ｂ上に形成され
た第１信号電極として、信号電極３ｂは他方の光導波路
としての直線導波路２ｃ上に形成された第２信号電極と
して、それぞれ機能する。これにより、図１に示す光導
波路デバイス１０についても、前述の図３の場合と同様
に、直線導波路２ｂ，２ｃ上に信号電極３ａ，３ｂを形
成したデュアル電極の構造を構成するようになってい
る。
Ｚ上に形成されて、並列な複数の光導波路（２本の直線
導波路２ｂ，２ｃ）上を伝播する光についてＹ分岐導波
路２ｄにおいて干渉させる干渉型光導波路として機能す
る。さらに、信号電極３ａ，３ｂはそれぞれ、直線導波
路２ｂ，２ｃ上に形成されたものである。信号電極３ａ
は、干渉型光導波路２をなす並列な２つの導波路のうち
の一方の光導波路としての直線導波路２ｂ上に形成され
た第１信号電極として、信号電極３ｂは他方の光導波路
としての直線導波路２ｃ上に形成された第２信号電極と
して、それぞれ機能する。これにより、図１に示す光導
波路デバイス１０についても、前述の図３の場合と同様
に、直線導波路２ｂ，２ｃ上に信号電極３ａ，３ｂを形
成したデュアル電極の構造を構成するようになってい
る。
【００２１】また、これらの信号電極３ａ，３ｂは、そ
れぞれ互いに位相が反転したＲＦ信号を発生するＲＦ
（Radio Frequency）信号発生源６ａ，６ｂに接続され
て、これらＲＦ信号発生源６ａ，６ｂからのＲＦ信号を
光変調用の信号として印加するものである。さらに、バ
イアス電極４は各信号電極３ａ，３ｂにおいて印加する
信号成分をバイアスするためのものであって、第１バイ
アス電極４ａと第２バイアス電極４ｂとをそなえて構成
されている。
れぞれ互いに位相が反転したＲＦ信号を発生するＲＦ
（Radio Frequency）信号発生源６ａ，６ｂに接続され
て、これらＲＦ信号発生源６ａ，６ｂからのＲＦ信号を
光変調用の信号として印加するものである。さらに、バ
イアス電極４は各信号電極３ａ，３ｂにおいて印加する
信号成分をバイアスするためのものであって、第１バイ
アス電極４ａと第２バイアス電極４ｂとをそなえて構成
されている。
【００２２】また、第１および第２バイアス電極４ａ，
４ｂは、マッハツェンダ型の光導波路２を構成する直線
導波路２ｂ，２ｃにそれぞれ印加されるバイアス電圧が
互いに異なるような櫛形状の電極構造を有している。具
体的には、第１バイアス電極部４ａとしては、第１の電
位（Ｖ＝０，接地電位）が与えられる第１電位供給用電
極部４ａ−１と、直線導波路２ｂ上における第１信号電
極３ａの後段に、第１電位供給用電極部４ａ−１からの
電位が供給されるように形成された第１導波路上電極部
４ａ−２と、後述の第２導波路上電極部４ｂ−２を挟む
ように形成され、第１電位供給用電極部４ａ−１からの
電位を供給する少なくとも２つの第２電位差形成用電極
部４ａ−３１，４ａ−３２と、をそなえて構成されてい
る。
４ｂは、マッハツェンダ型の光導波路２を構成する直線
導波路２ｂ，２ｃにそれぞれ印加されるバイアス電圧が
互いに異なるような櫛形状の電極構造を有している。具
体的には、第１バイアス電極部４ａとしては、第１の電
位（Ｖ＝０，接地電位）が与えられる第１電位供給用電
極部４ａ−１と、直線導波路２ｂ上における第１信号電
極３ａの後段に、第１電位供給用電極部４ａ−１からの
電位が供給されるように形成された第１導波路上電極部
４ａ−２と、後述の第２導波路上電極部４ｂ−２を挟む
ように形成され、第１電位供給用電極部４ａ−１からの
電位を供給する少なくとも２つの第２電位差形成用電極
部４ａ−３１，４ａ−３２と、をそなえて構成されてい
る。
【００２３】また、第２バイアス電極部４ｂとしては、
上述の第１の電位と異なる第２の電位（Ｖ＝Ｖ0）が与
えられる第２電位供給用電極部４ｂ−１と、直線導波路
２ｃ上における第２信号電極３ｂの後段に、第２電位供
給用電極部４ｂ−１からの電位が供給されるように形成
された第２導波路上電極部４ｂ−２と、第１導波路上電
極部４ａ−２を挟むように形成され、第２電位供給用電
極部４ｂ−１からの電位を供給する少なくとも２つの第
１電位差形成用電極部４ｂ−３１，４ｂ−３２と、をそ
なえて構成されている。
上述の第１の電位と異なる第２の電位（Ｖ＝Ｖ0）が与
えられる第２電位供給用電極部４ｂ−１と、直線導波路
２ｃ上における第２信号電極３ｂの後段に、第２電位供
給用電極部４ｂ−１からの電位が供給されるように形成
された第２導波路上電極部４ｂ−２と、第１導波路上電
極部４ａ−２を挟むように形成され、第２電位供給用電
極部４ｂ−１からの電位を供給する少なくとも２つの第
１電位差形成用電極部４ｂ−３１，４ｂ−３２と、をそ
なえて構成されている。
【００２４】すなわち、バイアス電極部４ａの第１電位
供給用電極部４ａ−１が上述の櫛形をなす幹として、第
１導波路上電極部４ａ−２および２つの第２電位差形成
用電極部４ａ−３１，４ａ−３２が上述の櫛形をなす肢
としてそれぞれ構成され、バイアス電極部４ｂの第２電
位供給用電極部４ｂ−１が櫛形をなす幹として、第２導
波路上電極部４ｂ−２および２つの第１電位差形成用電
極部４ｂ−３１，４ｂ−３２により、上述の櫛形をなす
肢としてそれぞれ構成される。
供給用電極部４ａ−１が上述の櫛形をなす幹として、第
１導波路上電極部４ａ−２および２つの第２電位差形成
用電極部４ａ−３１，４ａ−３２が上述の櫛形をなす肢
としてそれぞれ構成され、バイアス電極部４ｂの第２電
位供給用電極部４ｂ−１が櫛形をなす幹として、第２導
波路上電極部４ｂ−２および２つの第１電位差形成用電
極部４ｂ−３１，４ｂ−３２により、上述の櫛形をなす
肢としてそれぞれ構成される。
【００２５】ここで、第１電位供給用電極部４ａ−１に
は、第１の電位としての接地電位（Ｖ＝０）を供給する
ようになっている。これにより、第１バイアス電極４ａ
を構成する第１導波路上電極部４ａ−２および第２電位
差形成用電極部４ａ−３の電位についても、接地電位と
することができるようになっている。また、第２電位供
給用電極部４ｂ−１はＶ＝Ｖ0を供給する電源７が接続
されるようになっており、第２の電位としてのＶ＝Ｖ0
が印加されるようになっている。これにより、第２バイ
アス電極４ｂを構成する第２導波路上電極部４ｂ−２お
よび第１電位差形成用電極部４ｂ−３１，４ｂ−３２の
電位についても、Ｖ＝Ｖ0とすることができるようにな
っている。
は、第１の電位としての接地電位（Ｖ＝０）を供給する
ようになっている。これにより、第１バイアス電極４ａ
を構成する第１導波路上電極部４ａ−２および第２電位
差形成用電極部４ａ−３の電位についても、接地電位と
することができるようになっている。また、第２電位供
給用電極部４ｂ−１はＶ＝Ｖ0を供給する電源７が接続
されるようになっており、第２の電位としてのＶ＝Ｖ0
が印加されるようになっている。これにより、第２バイ
アス電極４ｂを構成する第２導波路上電極部４ｂ−２お
よび第１電位差形成用電極部４ｂ−３１，４ｂ−３２の
電位についても、Ｖ＝Ｖ0とすることができるようにな
っている。
【００２６】これにより、第１導波路上電極部４ａ−２
の電位としては接地電位であるが、当該第１導波路上電
極部４ａ−２を挟むように形成された２つの第２電位差
形成用電極部４ｂ−３１，４ｂ−３２の電位がＶ＝Ｖ0
であるため、直線導波路２ｂに印加されるバイアス電圧
としては、第１導波路上電極部４ａ−２および第２電位
差形成用電極部４ｂ−３１，４ｂ−３２の電位差である
Ｖ＝−Ｖ0とすることができる。
の電位としては接地電位であるが、当該第１導波路上電
極部４ａ−２を挟むように形成された２つの第２電位差
形成用電極部４ｂ−３１，４ｂ−３２の電位がＶ＝Ｖ0
であるため、直線導波路２ｂに印加されるバイアス電圧
としては、第１導波路上電極部４ａ−２および第２電位
差形成用電極部４ｂ−３１，４ｂ−３２の電位差である
Ｖ＝−Ｖ0とすることができる。
【００２７】さらに、第２導波路上電極部４ｂ−２の電
位としてはＶ＝Ｖ0であるが、当該第２導波路上電極部
４ｂ−２を挟むように形成された２つの第１電位差形成
用電極部４ａ−３１，４ａ−３２の電位が接地電位であ
るため、直線導波路２ｃに印加されるバイアス電圧とし
ては、第２導波路上電極部４ｂ−２および第１電位差形
成用電極部４ａ−３１，４ａ−３２の電位差であるＶ＝
Ｖ0とすることができる。
位としてはＶ＝Ｖ0であるが、当該第２導波路上電極部
４ｂ−２を挟むように形成された２つの第１電位差形成
用電極部４ａ−３１，４ａ−３２の電位が接地電位であ
るため、直線導波路２ｃに印加されるバイアス電圧とし
ては、第２導波路上電極部４ｂ−２および第１電位差形
成用電極部４ａ−３１，４ａ−３２の電位差であるＶ＝
Ｖ0とすることができる。
【００２８】換言すれば、上記の第１および第２バイア
ス電極４ａ，４ｂによって、互いの電位を相補させるこ
とにより、それぞれの直線導波路２ｂ，２ｃには絶対値
が同じでかつ符号が逆となる電圧を印加することができ
るのである。なお、接地電極５は、信号電極３ａ，３ｂ
に印加された電圧に起因する電界が主として及ぶ範囲に
のみ形成されて、上述のバイアス電極４に印加された電
圧に起因する電界が及ぶ範囲には形成されないようにな
っている。
ス電極４ａ，４ｂによって、互いの電位を相補させるこ
とにより、それぞれの直線導波路２ｂ，２ｃには絶対値
が同じでかつ符号が逆となる電圧を印加することができ
るのである。なお、接地電極５は、信号電極３ａ，３ｂ
に印加された電圧に起因する電界が主として及ぶ範囲に
のみ形成されて、上述のバイアス電極４に印加された電
圧に起因する電界が及ぶ範囲には形成されないようにな
っている。
【００２９】上述の構成により、本発明の第１実施形態
にかかる光導波路デバイス１０が適用された光変調器１
１−１では、第１バイアス電極４ａは接地され、第２バ
イアス電極４ｂには電源７からの電圧Ｖ＝Ｖ0が与えら
れているが、第１および第２バイアス電極４ａ，４ｂ間
の電位が相補されることにより、直線導波路２ｂに対し
てはＶ＝−Ｖ0の電位差をバイアス電圧として得ること
ができ、直線導波路２ｃに対してはＶ＝Ｖ0の電位差を
バイアス電圧として得ることができる。
にかかる光導波路デバイス１０が適用された光変調器１
１−１では、第１バイアス電極４ａは接地され、第２バ
イアス電極４ｂには電源７からの電圧Ｖ＝Ｖ0が与えら
れているが、第１および第２バイアス電極４ａ，４ｂ間
の電位が相補されることにより、直線導波路２ｂに対し
てはＶ＝−Ｖ0の電位差をバイアス電圧として得ること
ができ、直線導波路２ｃに対してはＶ＝Ｖ0の電位差を
バイアス電圧として得ることができる。
【００３０】このように、本発明の第１実施形態にかか
る光導波路デバイスによれば、直線導波路２ｂ，２ｃ上
に信号電極３ａ，３ｂを形成したデュアル電極の構造を
構成した場合においても、バイアス用に単一の電源７を
用いるのみで、バイアス電極４では絶対値が同じでかつ
符号が逆となる電圧を印加することができるので、準備
すべき電源の数を減らすことができるとともに、光通信
システム運用コストの低減に寄与できる利点がある。
る光導波路デバイスによれば、直線導波路２ｂ，２ｃ上
に信号電極３ａ，３ｂを形成したデュアル電極の構造を
構成した場合においても、バイアス用に単一の電源７を
用いるのみで、バイアス電極４では絶対値が同じでかつ
符号が逆となる電圧を印加することができるので、準備
すべき電源の数を減らすことができるとともに、光通信
システム運用コストの低減に寄与できる利点がある。
【００３１】なお、上述の第１実施形態においては、第
１電位供給用電極部４ａ−１にて与えられる第１の電位
を接地電位とし、第２電位供給用電極部４ｂ−１にて与
えられる第２の電位をＶ＝Ｖ0としているが、本発明に
よれば、第１電位供給用電極部４ａ−１にて与えられる
第１の電位をＶ＝Ｖ0とし、第２電位供給用電極部４ｂ
−１にて与えられる第２の電位を接地電位とすること
も、もちろん可能である。
１電位供給用電極部４ａ−１にて与えられる第１の電位
を接地電位とし、第２電位供給用電極部４ｂ−１にて与
えられる第２の電位をＶ＝Ｖ0としているが、本発明に
よれば、第１電位供給用電極部４ａ−１にて与えられる
第１の電位をＶ＝Ｖ0とし、第２電位供給用電極部４ｂ
−１にて与えられる第２の電位を接地電位とすること
も、もちろん可能である。
【００３２】［ｂ］第２実施形態の説明
図２は本発明の第２実施形態にかかる光導波路デバイス
を適用した光変調器１１−２を示す模式図であり、この
図２に示す光変調器１１−２は、前述の第１実施形態に
おけるものに比して、第１および第２電位供給用電極部
４ａ−１，４ｂ−１のそれぞれに別個の電源７ａ，７ｂ
が接続されて、それぞれの第１および第２電位供給用電
極部４ａ−１，４ｂ−１にて与えられる第１および第２
の電位が、絶対値が同じでかつ符号が逆となる電位とす
るようになっている点が異なり、光導波路デバイス１０
の構成としては前述の第１実施形態の場合と同様であ
る。なお、図２中、図１と同一の符号は、基本的に同様
の部分を示している。
を適用した光変調器１１−２を示す模式図であり、この
図２に示す光変調器１１−２は、前述の第１実施形態に
おけるものに比して、第１および第２電位供給用電極部
４ａ−１，４ｂ−１のそれぞれに別個の電源７ａ，７ｂ
が接続されて、それぞれの第１および第２電位供給用電
極部４ａ−１，４ｂ−１にて与えられる第１および第２
の電位が、絶対値が同じでかつ符号が逆となる電位とす
るようになっている点が異なり、光導波路デバイス１０
の構成としては前述の第１実施形態の場合と同様であ
る。なお、図２中、図１と同一の符号は、基本的に同様
の部分を示している。
【００３３】ここで、第１および第２電位供給用電極部
４ａ−１，４ｂ−１のそれぞれに接続される電源７ａ，
７ｂは、互いに相補の（絶対値が同一で符号は反転した
値の）電圧を発生するものであるが、それぞれの電源７
ａ，７ｂで発生する電圧値の絶対値としては、前述の第
１実施形態の場合における電源７の半分の値を発生する
ようになっている。この場合においては、電源７ａはＶ
＝−Ｖ0／２の電圧値を発生し、電源７ｂはＶ＝＋Ｖ0／
２の電圧値を発生するようになっている。
４ａ−１，４ｂ−１のそれぞれに接続される電源７ａ，
７ｂは、互いに相補の（絶対値が同一で符号は反転した
値の）電圧を発生するものであるが、それぞれの電源７
ａ，７ｂで発生する電圧値の絶対値としては、前述の第
１実施形態の場合における電源７の半分の値を発生する
ようになっている。この場合においては、電源７ａはＶ
＝−Ｖ0／２の電圧値を発生し、電源７ｂはＶ＝＋Ｖ0／
２の電圧値を発生するようになっている。
【００３４】これにより、第１導波路上電極部４ａ−２
の電位としてはＶ＝−Ｖ0／２であるが、当該第１導波
路上電極部４ａ−２を挟むように形成された２つの第２
電位差形成用電極部４ｂ−３１，４ｂ−３２の電位がＶ
＝＋Ｖ0／２となるため、直線導波路２ｂに印加される
バイアス電圧としては、第１導波路上電極部４ａ−２お
よび第２電位差形成用電極部４ｂ−３１，４ｂ−３２の
電位差であるＶ＝−Ｖ 0とすることができる。
の電位としてはＶ＝−Ｖ0／２であるが、当該第１導波
路上電極部４ａ−２を挟むように形成された２つの第２
電位差形成用電極部４ｂ−３１，４ｂ−３２の電位がＶ
＝＋Ｖ0／２となるため、直線導波路２ｂに印加される
バイアス電圧としては、第１導波路上電極部４ａ−２お
よび第２電位差形成用電極部４ｂ−３１，４ｂ−３２の
電位差であるＶ＝−Ｖ 0とすることができる。
【００３５】さらに、第２導波路上電極部４ｂ−２の電
位としてはＶ＝＋Ｖ0／２であるが、当該第２導波路上
電極部４ｂ−２を挟むように形成された２つの第１電位
差形成用電極部４ａ−３１，４ａ−３２の電位がＶ＝−
Ｖ0／２であるため、直線導波路２ｃに印加されるバイ
アス電圧としては、第２導波路上電極部４ｂ−２および
第１電位差形成用電極部４ａ−３１，４ａ−３２の電位
差であるＶ＝＋Ｖ0とすることができる。
位としてはＶ＝＋Ｖ0／２であるが、当該第２導波路上
電極部４ｂ−２を挟むように形成された２つの第１電位
差形成用電極部４ａ−３１，４ａ−３２の電位がＶ＝−
Ｖ0／２であるため、直線導波路２ｃに印加されるバイ
アス電圧としては、第２導波路上電極部４ｂ−２および
第１電位差形成用電極部４ａ−３１，４ａ−３２の電位
差であるＶ＝＋Ｖ0とすることができる。
【００３６】換言すれば、上記の第１および第２バイア
ス電極４ａ，４ｂによって、互いの電位を相補させるこ
とにより、それぞれの直線導波路２ｂ，２ｃには絶対値
が同じでかつ符号が逆となる電圧を印加することができ
るのである。上述の構成により、本発明の第２実施形態
にかかる光導波路デバイス１０が適用された光変調器１
１−２では、第１バイアス電極４ａには電源７ａからの
電圧Ｖ＝−Ｖ0／２が与えられ、第２バイアス電極４ｂ
には電源７ｂからの電圧Ｖ＝＋Ｖ0／２が与えられてい
るが、第１および第２バイアス電極４ａ，４ｂ間の電位
が相補されることにより、直線導波路２ｂに対してはＶ
＝−Ｖ0の電位差をバイアス電圧として得ることがで
き、直線導波路２ｃに対してはＶ＝＋Ｖ0の電位差をバ
イアス電圧として得ることができる。
ス電極４ａ，４ｂによって、互いの電位を相補させるこ
とにより、それぞれの直線導波路２ｂ，２ｃには絶対値
が同じでかつ符号が逆となる電圧を印加することができ
るのである。上述の構成により、本発明の第２実施形態
にかかる光導波路デバイス１０が適用された光変調器１
１−２では、第１バイアス電極４ａには電源７ａからの
電圧Ｖ＝−Ｖ0／２が与えられ、第２バイアス電極４ｂ
には電源７ｂからの電圧Ｖ＝＋Ｖ0／２が与えられてい
るが、第１および第２バイアス電極４ａ，４ｂ間の電位
が相補されることにより、直線導波路２ｂに対してはＶ
＝−Ｖ0の電位差をバイアス電圧として得ることがで
き、直線導波路２ｃに対してはＶ＝＋Ｖ0の電位差をバ
イアス電圧として得ることができる。
【００３７】このように、本発明の第２実施形態にかか
る光導波路デバイスによれば、直線導波路２ｂ，２ｃ上
に信号電極３ａ，３ｂを形成したデュアル電極の構造を
構成した場合のごとく、電源の個数を減らさないで光変
調器を構成する場合においても、従来よりのバイアス電
極用の電源よりも発生する電圧値を半減させながら、バ
イアス電圧値としては同様の電圧を与えることができる
ので、光通信システム運用コストの低減に寄与できる利
点がある。
る光導波路デバイスによれば、直線導波路２ｂ，２ｃ上
に信号電極３ａ，３ｂを形成したデュアル電極の構造を
構成した場合のごとく、電源の個数を減らさないで光変
調器を構成する場合においても、従来よりのバイアス電
極用の電源よりも発生する電圧値を半減させながら、バ
イアス電圧値としては同様の電圧を与えることができる
ので、光通信システム運用コストの低減に寄与できる利
点がある。
【００３８】なお、上述の第２実施形態においては、第
１電位供給用電極部４ａ−１にて与えられる第１の電位
をＶ＝−Ｖ0／２とし、第２電位供給用電極部４ｂ−１
にて与えられる第２の電位をＶ＝＋Ｖ0／２としている
が、本発明によれば、第１電位供給用電極部４ａ−１に
て与えられる第１の電位をＶ＝＋Ｖ0／２とし、第２電
位供給用電極部４ｂ−１にて与えられる第２の電位をＶ
＝−Ｖ0／２とすることも、もちろん可能である。
１電位供給用電極部４ａ−１にて与えられる第１の電位
をＶ＝−Ｖ0／２とし、第２電位供給用電極部４ｂ−１
にて与えられる第２の電位をＶ＝＋Ｖ0／２としている
が、本発明によれば、第１電位供給用電極部４ａ−１に
て与えられる第１の電位をＶ＝＋Ｖ0／２とし、第２電
位供給用電極部４ｂ−１にて与えられる第２の電位をＶ
＝−Ｖ0／２とすることも、もちろん可能である。
【００３９】［ｃ］第３実施形態の説明
図５は、本発明の第３実施形態にかかる光導波路デバイ
スを適用した光変調器を示す模式図であり、この図５に
示す光変調器１１−３は、前述の第１，第２実施形態に
おけるものに比して、第１導波路上電極４ａ−２の近傍
には（２つではなく）単一の第１電位差形成用電極部４
ｂ−３３が設けられ、第２導波路上電極４ｂ−２の近傍
にも単一の第２電位差形成用電極部４ａ−３３が設けら
れている点が異なる。なお、図５中、図１，図２と同一
の符号は、基本的に同様の部分を示している。
スを適用した光変調器を示す模式図であり、この図５に
示す光変調器１１−３は、前述の第１，第２実施形態に
おけるものに比して、第１導波路上電極４ａ−２の近傍
には（２つではなく）単一の第１電位差形成用電極部４
ｂ−３３が設けられ、第２導波路上電極４ｂ−２の近傍
にも単一の第２電位差形成用電極部４ａ−３３が設けら
れている点が異なる。なお、図５中、図１，図２と同一
の符号は、基本的に同様の部分を示している。
【００４０】このように構成された第３実施形態にかか
る光導波路デバイスにおいても、前述の第１，第２実施
形態の場合と同様、従来よりのバイアス電極用の電源よ
りも発生する電圧値を半減させながら、バイアス電圧値
としては同様の電圧を与えることができるので、光通信
システム運用コストの低減に寄与できる利点がある。 ［ｄ］その他 上述の各実施形態においては、干渉型光導波路として、
マッハツェンダ型の光導波路を適用した場合について詳
述したが、本発明によれば、これ以外の公知の干渉型光
導波路に適用することも、もちろん可能である。
る光導波路デバイスにおいても、前述の第１，第２実施
形態の場合と同様、従来よりのバイアス電極用の電源よ
りも発生する電圧値を半減させながら、バイアス電圧値
としては同様の電圧を与えることができるので、光通信
システム運用コストの低減に寄与できる利点がある。 ［ｄ］その他 上述の各実施形態においては、干渉型光導波路として、
マッハツェンダ型の光導波路を適用した場合について詳
述したが、本発明によれば、これ以外の公知の干渉型光
導波路に適用することも、もちろん可能である。
【００４１】上述の各実施形態においては、マッハツェ
ンダ型の光変調器をなす２本の直線導波路２ｂ，２ｃ上
の各信号電極３ａ，３ｂにおいて印加される信号成分を
バイアスするためのバイアス電極４として適用した場合
について詳述したが、本発明によればこれに限定され
ず、３本以上の並列な光導波路の各信号電極において印
加される信号成分をバイアスするバイアス電極として
も、同様に適用することができる。
ンダ型の光変調器をなす２本の直線導波路２ｂ，２ｃ上
の各信号電極３ａ，３ｂにおいて印加される信号成分を
バイアスするためのバイアス電極４として適用した場合
について詳述したが、本発明によればこれに限定され
ず、３本以上の並列な光導波路の各信号電極において印
加される信号成分をバイアスするバイアス電極として
も、同様に適用することができる。
【００４２】この場合においても、バイアス電極は、前
述の各実施形態の場合と同様の第１および第２電位供給
用電極部をそなえるとともに、３本以上の並列な光導波
路をなす各光導波路上における信号電極の後段に、当該
３本以上の光導波路の並列順に応じて第１および第２電
位供給用電極部からの電位が交互に供給されるように形
成された櫛肢状の導波路上電極部と、一方の電位供給用
電極部からの電位を供給する導波路上電極部を挟むよう
に、他方の電位供給用電極部からの電位を供給する少な
くとも櫛肢状の電位差形成用電極部と、をそなえて構成
する。
述の各実施形態の場合と同様の第１および第２電位供給
用電極部をそなえるとともに、３本以上の並列な光導波
路をなす各光導波路上における信号電極の後段に、当該
３本以上の光導波路の並列順に応じて第１および第２電
位供給用電極部からの電位が交互に供給されるように形
成された櫛肢状の導波路上電極部と、一方の電位供給用
電極部からの電位を供給する導波路上電極部を挟むよう
に、他方の電位供給用電極部からの電位を供給する少な
くとも櫛肢状の電位差形成用電極部と、をそなえて構成
する。
【００４３】これにより、バイアス電極においては、３
本以上の並列な光導波路のうちで隣接する光導波路に供
給される互いの電位を相補させることにより、隣接する
光導波路には、絶対値が同じでかつ符号が逆となる電圧
を印加することができるのである。さらには、少なくと
も、Ｚ軸カットされた電気光学効果を有する基板と、上
述の干渉型光導波路と、干渉型光導波路をなす各光導波
路を伝播する光に対し上記電気光学効果のための電圧を
印加するための集中定数型電極をそなえてなる光導波路
デバイスに対しても、集中定数型光電極として上述の各
実施形態におけるバイアス電極と同様に構成することに
より、本発明を適用することが可能である。
本以上の並列な光導波路のうちで隣接する光導波路に供
給される互いの電位を相補させることにより、隣接する
光導波路には、絶対値が同じでかつ符号が逆となる電圧
を印加することができるのである。さらには、少なくと
も、Ｚ軸カットされた電気光学効果を有する基板と、上
述の干渉型光導波路と、干渉型光導波路をなす各光導波
路を伝播する光に対し上記電気光学効果のための電圧を
印加するための集中定数型電極をそなえてなる光導波路
デバイスに対しても、集中定数型光電極として上述の各
実施形態におけるバイアス電極と同様に構成することに
より、本発明を適用することが可能である。
【００４４】また、上述したような態様による実施以外
にも、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々変形して
実施することが可能である。さらに、上述した各実施形
態によって、本発明の光導波路デバイスを製造すること
は可能である。 （付記１） Ｚ軸カットされた電気光学効果を有する基
板と、該基板上に形成されて、並列な複数の光導波路上
を伝播する光について干渉させる干渉型光導波路と、該
干渉型光導波路をなす各光導波路を伝播する光に対し上
記電気光学効果のための電圧を印加するための集中定数
型電極とをそなえ、該集中定数型電極が、該並列な複数
の光導波路のうちで隣接する光導波路に供給される互い
の電位を相補させることにより、上記隣接する光導波路
には、絶対値が同じでかつ符号が逆となる電圧が印加さ
れるように構成されたことを特徴とする、光導波路デバ
イス。
にも、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々変形して
実施することが可能である。さらに、上述した各実施形
態によって、本発明の光導波路デバイスを製造すること
は可能である。 （付記１） Ｚ軸カットされた電気光学効果を有する基
板と、該基板上に形成されて、並列な複数の光導波路上
を伝播する光について干渉させる干渉型光導波路と、該
干渉型光導波路をなす各光導波路を伝播する光に対し上
記電気光学効果のための電圧を印加するための集中定数
型電極とをそなえ、該集中定数型電極が、該並列な複数
の光導波路のうちで隣接する光導波路に供給される互い
の電位を相補させることにより、上記隣接する光導波路
には、絶対値が同じでかつ符号が逆となる電圧が印加さ
れるように構成されたことを特徴とする、光導波路デバ
イス。
【００４５】（付記２） Ｚ軸カットされた電気光学効
果を有する基板と、該基板上に形成されて、並列な複数
の光導波路上を伝播する光について干渉させる干渉型光
導波路と、該干渉型光導波路をなす各光導波路上に形成
された信号電極と、該各信号電極において印加する信号
成分をバイアスするためのバイアス電極とをそなえ、該
バイアス電極が、該並列な複数の光導波路のうちで隣接
する光導波路に供給される互いの電位を相補させること
により、上記隣接する光導波路には、絶対値が同じでか
つ符号が逆となる電圧が印加されるように構成されたこ
とを特徴とする、光導波路デバイス。
果を有する基板と、該基板上に形成されて、並列な複数
の光導波路上を伝播する光について干渉させる干渉型光
導波路と、該干渉型光導波路をなす各光導波路上に形成
された信号電極と、該各信号電極において印加する信号
成分をバイアスするためのバイアス電極とをそなえ、該
バイアス電極が、該並列な複数の光導波路のうちで隣接
する光導波路に供給される互いの電位を相補させること
により、上記隣接する光導波路には、絶対値が同じでか
つ符号が逆となる電圧が印加されるように構成されたこ
とを特徴とする、光導波路デバイス。
【００４６】（付記３） 該バイアス電極が、第１の電
位が与えられる第１電位供給用電極部と、該第１の電位
と異なる第２の電位が与えられる第２電位供給用電極部
と、上記の各光導波路上における信号電極の後段に、上
記複数の光導波路の並列順に応じて上記の第１および第
２電位供給用電極部からの電位が交互に供給されるよう
に形成された導波路上電極部と、一方の電位供給用電極
部からの電位を供給する導波路上電極部を挟むように、
他方の電位供給用電極部からの電位を供給する電位差形
成用電極部と、をそなえて構成されたことを特徴とす
る、付記２記載の光導波路デバイス。
位が与えられる第１電位供給用電極部と、該第１の電位
と異なる第２の電位が与えられる第２電位供給用電極部
と、上記の各光導波路上における信号電極の後段に、上
記複数の光導波路の並列順に応じて上記の第１および第
２電位供給用電極部からの電位が交互に供給されるよう
に形成された導波路上電極部と、一方の電位供給用電極
部からの電位を供給する導波路上電極部を挟むように、
他方の電位供給用電極部からの電位を供給する電位差形
成用電極部と、をそなえて構成されたことを特徴とす
る、付記２記載の光導波路デバイス。
【００４７】（付記４） 該第１および第２電位供給用
電極部にて与えられる第１および第２の電位のいずれか
一方が、接地電位であることを特徴とする、付記３記載
の光導波路デバイス。 （付記５） 該第１および第２電位供給用電極部にて与
えられる第１および第２の電位が、絶対値が同じでかつ
符号が逆となる電位であることを特徴とする、付記３記
載の光導波路デバイス。
電極部にて与えられる第１および第２の電位のいずれか
一方が、接地電位であることを特徴とする、付記３記載
の光導波路デバイス。 （付記５） 該第１および第２電位供給用電極部にて与
えられる第１および第２の電位が、絶対値が同じでかつ
符号が逆となる電位であることを特徴とする、付記３記
載の光導波路デバイス。
【００４８】（付記６） Ｚ軸カットされた電気光学効
果を有する基板と、該基板上に形成されて、並列な２つ
の導波路上を伝播する光について干渉させる干渉型光導
波路と、上記の干渉型光導波路をなす並列な２つの導波
路のうちの一方の光導波路上に形成された第１信号電極
と、上記の干渉型光導波路をなす並列な２つの導波路の
うちの他方の光導波路上に形成された第２信号電極と、
該第１信号電極において印加する信号成分をバイアスす
るための第１バイアス電極と、該第２信号電極において
印加する信号成分をバイアスするための第２バイアス電
極とをそなえ、上記の第１および第２バイアス電極が、
互いの電位を相補させることにより、絶対値が同じでか
つ符号が逆となる電圧が印加されるように構成されたこ
とを特徴とする、光導波路デバイス。
果を有する基板と、該基板上に形成されて、並列な２つ
の導波路上を伝播する光について干渉させる干渉型光導
波路と、上記の干渉型光導波路をなす並列な２つの導波
路のうちの一方の光導波路上に形成された第１信号電極
と、上記の干渉型光導波路をなす並列な２つの導波路の
うちの他方の光導波路上に形成された第２信号電極と、
該第１信号電極において印加する信号成分をバイアスす
るための第１バイアス電極と、該第２信号電極において
印加する信号成分をバイアスするための第２バイアス電
極とをそなえ、上記の第１および第２バイアス電極が、
互いの電位を相補させることにより、絶対値が同じでか
つ符号が逆となる電圧が印加されるように構成されたこ
とを特徴とする、光導波路デバイス。
【００４９】（付記７） 該バイアス電極が、第１の電
位が与えられる第１電位供給用電極部と、該第１の電位
と異なる第２の電位が与えられる第２電位供給用電極部
と、上記一方の光導波路上における第１信号電極の後段
に、該第１電位供給用電極部からの電位が供給されるよ
うに形成された第１導波路上電極部と、上記他方の光導
波路上における第２信号電極の後段に、該第２電位供給
用電極部からの電位が供給されるように形成された第２
導波路上電極部と、該第１導波路上電極部を挟むように
形成され、該第２電位供給用電極部からの電位を供給す
る第１電位差形成用電極部と、該第２導波路上電極部を
挟むように形成され、該第１電位供給用電極部からの電
位を供給する第２電位差形成用電極部と、をそなえて構
成されたことを特徴とする、付記６記載の光導波路デバ
イス。
位が与えられる第１電位供給用電極部と、該第１の電位
と異なる第２の電位が与えられる第２電位供給用電極部
と、上記一方の光導波路上における第１信号電極の後段
に、該第１電位供給用電極部からの電位が供給されるよ
うに形成された第１導波路上電極部と、上記他方の光導
波路上における第２信号電極の後段に、該第２電位供給
用電極部からの電位が供給されるように形成された第２
導波路上電極部と、該第１導波路上電極部を挟むように
形成され、該第２電位供給用電極部からの電位を供給す
る第１電位差形成用電極部と、該第２導波路上電極部を
挟むように形成され、該第１電位供給用電極部からの電
位を供給する第２電位差形成用電極部と、をそなえて構
成されたことを特徴とする、付記６記載の光導波路デバ
イス。
【００５０】（付記８） 該干渉型光導波路が、マッハ
ツェンダ型の光導波路であることを特徴とする、付記
１，２または６記載の光導波路デバイス。
ツェンダ型の光導波路であることを特徴とする、付記
１，２または６記載の光導波路デバイス。
【００５１】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の光導波路
デバイスによれば、集中定数型電極またはバイアス電極
が、並列な複数の光導波路のうちで隣接する光導波路に
供給される互いの電位を相補させて、隣接する光導波路
に絶対値が同じでかつ符号が逆となる電圧を印加するこ
とにより、以下の作用効果ないし利点がある。
デバイスによれば、集中定数型電極またはバイアス電極
が、並列な複数の光導波路のうちで隣接する光導波路に
供給される互いの電位を相補させて、隣接する光導波路
に絶対値が同じでかつ符号が逆となる電圧を印加するこ
とにより、以下の作用効果ないし利点がある。
【００５２】１．単一の電源を用いるのみで、絶対値が
同じでかつ符号が逆となる電圧を印加することができ、
準備すべき電源の数を減らすことができるとともに、光
通信システム運用コストの低減に寄与できる利点があ
る。 ２．電源の個数を減らさないで光変調器を構成する場合
においても、従来よりの電源よりも発生する電圧値を半
減させながら、電圧値としては同様の電圧を与えること
ができるので、光通信システム運用コストの低減に寄与
できる利点がある。
同じでかつ符号が逆となる電圧を印加することができ、
準備すべき電源の数を減らすことができるとともに、光
通信システム運用コストの低減に寄与できる利点があ
る。 ２．電源の個数を減らさないで光変調器を構成する場合
においても、従来よりの電源よりも発生する電圧値を半
減させながら、電圧値としては同様の電圧を与えること
ができるので、光通信システム運用コストの低減に寄与
できる利点がある。
【図１】本発明の第１実施形態にかかる光導波路デバイ
スを示す模式図である。
スを示す模式図である。
【図２】本発明の第２実施形態にかかる光導波路デバイ
スを示す模式図である。
スを示す模式図である。
【図３】従来の光導波路デバイスを示す模式図である。
【図４】従来の光導波路デバイスを示す模式図である。
【図５】本発明の第３実施形態にかかる光導波路デバイ
スを示す模式図である。
スを示す模式図である。
１Ｘ，１Ｚ，１０１Ｘ，１０１Ｚ 基板
２，１０２，２０２ マッハツェンダ型の光導波路
３ａ，３ｂ，１０３ａ，１０３ｂ，２０３ 信号電極
４，１０４，２０４ バイアス電極
４ａ 第１バイアス電極
４ａ−１ 第１電位供給用電極部
４ａ−２ 第１導波路上電極部
４ａ−３１，４ａ−３２ 第２電位差形成用電極部
４ｂ 第２バイアス電極
４ｂ−１ 第２電位供給用電極部
４ｂ−２ 第２導波路上電極部
４ｂ−３１，４ｂ−３２ 第１電位差形成用電極部
５，１０５，２０５ 接地電極
６ａ，６ｂ，１０６ａ，１０６ｂ，２０６ ＲＦ信号発
生源 ７，７ａ，７ｂ，１０７ｂ，２０７ 電源 １０，１００，２００ 光導波路デバイス １１−１，１１−２，１１０，２１０ 光変調器
生源 ７，７ａ，７ｂ，１０７ｂ，２０７ 電源 １０，１００，２００ 光導波路デバイス １１−１，１１−２，１１０，２１０ 光変調器
フロントページの続き
(72)発明者 杉山 昌樹
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番
１号 富士通株式会社内
(72)発明者 大山 正晃
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番
１号 富士通株式会社内
Ｆターム(参考） 2H047 KA03 KA12 LA12 NA02 QA03
RA08 TA47
2H079 AA02 AA12 BA01 CA04 DA03
EA05 EB04 FA02 HA11
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｚ軸カットされた電気光学効果を有する
基板と、 該基板上に形成されて、並列な複数の光導波路上を伝播
する光について干渉させる干渉型光導波路と、 該干渉型光導波路をなす各光導波路を伝播する光に対し
上記電気光学効果のための電圧を印加するための集中定
数型電極とをそなえ、 該集中定数型電極が、該並列な複数の光導波路のうちで
隣接する光導波路に供給される互いの電位を相補させる
ことにより、上記隣接する光導波路には、絶対値が同じ
でかつ符号が逆となる電圧が印加されるように構成され
たことを特徴とする、光導波路デバイス。 - 【請求項２】 Ｚ軸カットされた電気光学効果を有する
基板と、 該基板上に形成されて、並列な複数の光導波路上を伝播
する光について干渉させる干渉型光導波路と、 該干渉型光導波路をなす各光導波路上に形成された信号
電極と、 該各信号電極において印加する信号成分をバイアスする
ためのバイアス電極とをそなえ、 該バイアス電極が、該並列な複数の光導波路のうちで隣
接する光導波路に供給される互いの電位を相補させるこ
とにより、上記隣接する光導波路には、絶対値が同じで
かつ符号が逆となる電圧が印加されるように構成された
ことを特徴とする、光導波路デバイス。 - 【請求項３】 該バイアス電極が、第１の電位が与えら
れる第１電位供給用電極部と、 該第１の電位と異なる第２の電位が与えられる第２電位
供給用電極部と、 上記の各光導波路上における信号電極の後段に、上記複
数の光導波路の並列順に応じて上記の第１および第２電
位供給用電極部からの電位が交互に供給されるように形
成された導波路上電極部と、 一方の電位供給用電極部からの電位を供給する導波路上
電極部の近傍に、他方の電位供給用電極部からの電位を
供給する少なくとも一つの電位差形成用電極部と、をそ
なえて構成されたことを特徴とする、請求項２記載の光
導波路デバイス。 - 【請求項４】 該第１および第２電位供給用電極部にて
与えられる第１および第２の電位のいずれか一方が、接
地電位であることを特徴とする、請求項３記載の光導波
路デバイス。 - 【請求項５】 該第１および第２電位供給用電極部にて
与えられる第１および第２の電位が、絶対値が同じでか
つ符号が逆となる電位であることを特徴とする、請求項
３記載の光導波路デバイス。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002031483A JP3806043B2 (ja) | 2002-02-07 | 2002-02-07 | 光導波路デバイス |
| US10/298,560 US7239764B2 (en) | 2002-02-07 | 2002-11-19 | Optical waveguide device with reduced driving voltage |
| EP02026801A EP1336893B1 (en) | 2002-02-07 | 2002-11-28 | Optical waveguide device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002031483A JP3806043B2 (ja) | 2002-02-07 | 2002-02-07 | 光導波路デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003233042A true JP2003233042A (ja) | 2003-08-22 |
| JP3806043B2 JP3806043B2 (ja) | 2006-08-09 |
Family
ID=27621378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002031483A Expired - Lifetime JP3806043B2 (ja) | 2002-02-07 | 2002-02-07 | 光導波路デバイス |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7239764B2 (ja) |
| EP (1) | EP1336893B1 (ja) |
| JP (1) | JP3806043B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006221111A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | マッハツェンダー型光素子およびその駆動方法 |
| JP2008039859A (ja) * | 2006-08-01 | 2008-02-21 | Fujitsu Ltd | 光変調器 |
| JP2010152306A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-07-08 | Anritsu Corp | 光変調器 |
| JP2011028014A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Fujitsu Optical Components Ltd | 光デバイスおよび光送信機 |
| JP2012145894A (ja) * | 2011-01-14 | 2012-08-02 | Anritsu Corp | 光変調器 |
| JP2016071199A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 住友大阪セメント株式会社 | 光制御素子 |
| JP2016142755A (ja) * | 2015-01-29 | 2016-08-08 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光変調器 |
| JP2017181676A (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子 |
| US9977266B2 (en) | 2016-02-29 | 2018-05-22 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical modulator and optical transmission device using optical modulator |
| US10082683B2 (en) | 2016-07-27 | 2018-09-25 | Fujitsu Optical Components Limited | Optical modulator that is formed using ferroelectric substrate |
| US10386659B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-08-20 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical modulator and optical transmission device using optical modulator |
| US10466513B2 (en) | 2016-03-29 | 2019-11-05 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical waveguide device |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5056040B2 (ja) * | 2007-02-08 | 2012-10-24 | 富士通株式会社 | 光変調器 |
| DE102008011501A1 (de) | 2008-02-25 | 2009-08-27 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zum Betreiben eines Beleuchtungssystems einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
| CN103728693B (zh) * | 2013-12-26 | 2016-01-06 | 华中师范大学 | 一种基于数字光学位相共轭原理的光开关阵列芯片 |
| WO2024054243A2 (en) * | 2022-01-24 | 2024-03-14 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona | Optical waveguide components possessing high nonlinear efficiency and adaptive-profile poling process to fabricate the same |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4273411A (en) * | 1980-01-24 | 1981-06-16 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Optical wavelength filter |
| JPS6214627A (ja) | 1985-07-12 | 1987-01-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | 導波型光スイツチ |
| US5015053A (en) * | 1989-04-25 | 1991-05-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Reduction of modulator non-linearities with independent bias angle control |
| US5032805A (en) * | 1989-10-23 | 1991-07-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | RF phase shifter |
| JPH04332878A (ja) | 1991-05-07 | 1992-11-19 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 電磁界強度測定装置 |
| CA2083219C (en) * | 1991-11-19 | 1999-01-05 | Hiroshi Nishimoto | Optical transmitter having optical modulator |
| US5278923A (en) | 1992-09-02 | 1994-01-11 | Harmonic Lightwaves, Inc. | Cascaded optical modulation system with high linearity |
| US5434700A (en) * | 1993-12-16 | 1995-07-18 | Bell Communications Research, Inc. | All-optical wavelength converter |
| GB2344658B (en) | 1996-04-03 | 2000-08-23 | Gen Instrument Corp | Optical modulator for CATV systems |
| JPH11231358A (ja) | 1998-02-19 | 1999-08-27 | Nec Corp | 光回路及びその製造方法 |
| JP2000275590A (ja) | 1999-03-29 | 2000-10-06 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 導波路型光変調器 |
| US6222965B1 (en) | 1999-07-08 | 2001-04-24 | Agere Systems Opto Electronics Guardian Inc. | Bias control system for electrooptic devices |
-
2002
- 2002-02-07 JP JP2002031483A patent/JP3806043B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-19 US US10/298,560 patent/US7239764B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-28 EP EP02026801A patent/EP1336893B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006221111A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | マッハツェンダー型光素子およびその駆動方法 |
| JP2008039859A (ja) * | 2006-08-01 | 2008-02-21 | Fujitsu Ltd | 光変調器 |
| US7447389B2 (en) | 2006-08-01 | 2008-11-04 | Fujitsu Limited | Optical modulator |
| JP2010152306A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-07-08 | Anritsu Corp | 光変調器 |
| JP2011028014A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Fujitsu Optical Components Ltd | 光デバイスおよび光送信機 |
| JP2012145894A (ja) * | 2011-01-14 | 2012-08-02 | Anritsu Corp | 光変調器 |
| JP2016071199A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 住友大阪セメント株式会社 | 光制御素子 |
| JP2016142755A (ja) * | 2015-01-29 | 2016-08-08 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光変調器 |
| US9977266B2 (en) | 2016-02-29 | 2018-05-22 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical modulator and optical transmission device using optical modulator |
| US10310299B2 (en) | 2016-02-29 | 2019-06-04 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical modulator and optical transmission device using optical modulator |
| US10386659B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-08-20 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical modulator and optical transmission device using optical modulator |
| JP2017181676A (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子 |
| US10466513B2 (en) | 2016-03-29 | 2019-11-05 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Optical waveguide device |
| US10082683B2 (en) | 2016-07-27 | 2018-09-25 | Fujitsu Optical Components Limited | Optical modulator that is formed using ferroelectric substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1336893A2 (en) | 2003-08-20 |
| EP1336893A3 (en) | 2005-03-30 |
| EP1336893B1 (en) | 2012-10-10 |
| US7239764B2 (en) | 2007-07-03 |
| JP3806043B2 (ja) | 2006-08-09 |
| US20030147576A1 (en) | 2003-08-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090519 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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