JP2006126759A - 光変調器 - Google Patents
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Abstract
複数の変調電極に所定の位相差を有する同一の変調信号を印加する際に、光変調器の外部に位相差を発生させる個別部品を不要とすると共に、位相差精度の高い変調信号の印加を可能とし、コスト的かつスペース的にも優れた光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板と、該基板上に形成された複数の光導波路部10と、該光導波路部内を通過する光を変調するための複数の変調電極21,22とを有し、該変調電極に所定の位相差を有する同一の変調信号を印加する光変調器20において、変調信号を複数に分岐する分岐素子8と、該分岐素子により分岐された変調信号を複数の変調電極に印加する線路の途中に、該位相差を発生させる遅延線路23を形成することを特徴とする。
【選択図】図2
Description
SSB型光変調器では、2つのサブ・マッハツェンダ型光導波路(サブMZ型光導波路という)をメイン・マッハツェンダ型光導波路(メインMZ型光導波路という)の分岐導波路に組み込んだ構成、いわゆる2つ入れ子MZ型光導波路を有しており、SSB変調信号を得るためには、90°ハイブリットを用いて2つの分岐された変調信号間の位相差が90°になるよう設定し、各サブ・マッハツェンダ型光導波路の変調電極に印加されている。
本発明は、電気光学効果を有する基板と、該基板上に形成された複数の光導波路部と、該光導波路部内を通過する光を変調するための複数の変調電極とを有し、該変調電極に所定の位相差を有する同一の変調信号を印加する光変調器において、変調信号を複数に分岐する分岐素子と、該分岐素子により分岐された変調信号を複数の変調電極に印加する線路の途中に、該位相差を発生させる遅延線路を形成することを特徴とするものである。
図1(a)は、従来のSSB型光変調器の駆動図を示す。4は、半導体レーザ等の定常光源4であり、光源4からのレーザ光は、SSB型光変調器6に入射し、所定の変調を受けて、入射と反対側から変調光として出射する。図1(b)は図1(a)のSSB型光変調器の構造を示す図であり、光導波路10を点線で、変調電極11,12を太い実線で簡略的に表現している。
このように、90°ハイブリットの分周器を用いて位相差を発生させるが、90°ハイブリットの精度の問題や、ハイブリットからSSB型光変調器までの出力後のケーブル長さのズレなどにより、位相ズレが発生し易い。このため、SSB型光変調器を実際に動作させて位相ズレをオシロスコープ等で確認しながら、ケーブル長や、DCバイアス電極7に印加する直流バイアス電圧などを調整することが必要であり、調整が非常に煩雑なものとなる。
図3においては、SSB型光変調器30の外部に分周器などの分岐素子を設けず、図3(b)に示すように、光変調器30内に分岐素子であるT分岐型電極34と遅延線路33とを設け、変調電極32,33に位相差90°の同一の変調信号を印加するよう構成している。31は、T分岐型電極34までの変調信号の導入線路を示す。
T分岐型電極の構成としては、特許文献1に開示されているように、接続部のインピーダンス整合を図ることが好ましい。
第3の実施例では、図2に示した遅延線路を、SSB型光変調器40の基板の外に設置された中継基盤41,43を用いて形成している。具体的には、中継基盤41,43に形成する各線路42,44の線路長に差を設け、所定の位相差を発生させている。このように中継基盤を利用することにより、SSB型光変調器40は、図1で示した従来と同様なものを利用することが可能となる。
第4の実施例は、第3の実施例と同様に、SSB型光変調器50の基板の外に設置される中継基盤51を利用するものであるが、該中継基盤51には、T分岐型電極52が形成されており、これにより、図4(a)の分周器8を省略することが可能となる。第4実施例の場合には、SSB型光変調器50内に、図2に示した第1の実施例と同様に遅延線路23が設けられている。このような中継基盤51を利用することで、変調信号入力を1信号入力とすることができる。
動作周波数が異なる場合には周波数に応じて遅延量を変化させる必要があるが、第3の実施例で述べたように、用意する光変調器素子が1種類であっても、周波数に応じて遅延量が異なる中継基盤を実装することで複数の動作周波数に対応できる。中継基盤の位相変化量を可変するには、図6に示すように、各種の方法が利用可能である。
遅延を発生させる手段としては、上述したように信号線路61の線路長を変化させるほかに、マイクロ波の屈折率を変化させることでも実現可能である。具体的には、絶縁性ベース60の誘電率が異なる材料を用いる方法や、信号線路61の形状や信号線路61と不図示の接地電極との間隔など線路の構造を変化させる方法もある。
また動作周波数を可変にする場合には、位相変化量が可変する素子を中継基盤部に用いればよい。例えば機械式位相調整器を用いる。
図7(a)は、従来のデュオバイナリ変調方式の駆動図であり、信号データ70をエンコーダ回路71に入力し、該エンコーダ回路から出力される信号の一部72を、分周器73により2つに分岐する。変調信号である分岐信号は、増幅器74,76により増幅され信号電圧V1,V2となり、2重電極型MZ変調器77の2つの分岐導波路に対応した各変調電極に印加される。ただし、2つの分岐信号の少なくとも一方は、所定のビット差を生じるように、ビット遅延回路75が分岐信号線路の途中に設けられている。
デュオバイナリ型光変調器80は、図7(c)に示すように、MZ型光導波路82と、各分岐導波路に対応して形成された変調電極84,86とを有している。しかも、変調電極84,86に繋がる線路は、導入線路部83、T分岐型電極87、遅延線路85を有している。これにより、分周器やビット遅延回路が不要となり構成を簡略化させることが可能となる。デュオバイナリ型光変調器80の駆動は、図7(b)に示すように、エンコーダ回路71からの信号72を増幅器81で増幅し、デュオバイナリ型光変調器80の1つの変調信号入力部aに印加するだけで良い。
2 増幅器
3 90°ハイブリット
4 半導体レーザ
6,20,30,40,50 SSB型光変調器
7 DCバイアス電極
8 分配器
10 2つの入れ子MZ型光導波路
11,12,21,22,32,33 変調電極
23,33,55 遅延線路
34,52,54 T分岐型電極
Claims (5)
- 電気光学効果を有する基板と、該基板上に形成された複数の光導波路部と、該光導波路部内を通過する光を変調するための複数の変調電極とを有し、該変調電極に所定の位相差を有する同一の変調信号を印加する光変調器において、
変調信号を複数に分岐する分岐素子と、
該分岐素子により分岐された変調信号を複数の変調電極に印加する線路の途中に、該位相差を発生させる遅延線路を形成することを特徴とする光変調器。 - 請求項1に記載の光変調器において、該分岐素子は、分配器又はT分岐型電極であることを特徴とする光変調器。
- 請求項2に記載の光変調器において、該分配器又は該T分岐型電極は、該基板の外部に配置された変調信号の中継基盤上に形成されていることを特徴とする光変調器。
- 請求項1乃至3のいずれかに記載の光変調器において、該遅延線路は、該基板の外部に配置された変調信号の中継基盤上又は該基板上の少なくともいずれかに形成されていることを特徴とする光変調器。
- 請求項1乃至4のいずれかに記載の光変調器において、該光変調器は、SSB型光変調器又はデュオバイナリ型光変調器であることを特徴とする光変調器。
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