JP2003231801A

JP2003231801A - 追記型光ディスク

Info

Publication number: JP2003231801A
Application number: JP2002031335A
Authority: JP
Inventors: Masaaki Miyamoto; 正昭宮本; Takao Tayama; 貴郎田山; Yoshitaka Shiraishi; 義隆白石; Hideki Kinoshita; 秀樹木下; Tomoaki Kanemasa; 智亮金政; Masaya Ueda; 昌哉上田
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 2002-02-07
Filing date: 2002-02-07
Publication date: 2003-08-19
Anticipated expiration: 2022-02-07
Also published as: JP3868822B2

Abstract

(57)【要約】耐静電気性に優れ、かつスタンパーへの付着物が低減し
た高品質の追記型光ディスクを提供する。【課題】【解決手段】下記の（ａ）〜（ｄ）を含む芳香族ポリ
カーボネート樹脂組成物を射出成形して、信号面にグル
ーブを形成した成形基板上に、色素記録層を形成してな
る追記型光ディスク。（ａ）芳香族ポリカーボネート樹脂（ｂ）芳香族ポリカーボネート樹脂に対して、０．０１
重量％未満の離型剤、（ｃ）芳香族ポリカーボネート樹脂に対して、０．０５
重量％以下の熱安定剤、および（ｄ）芳香族ポリカーボネート樹脂に対して、０．００
１〜０．１重量％の帯電防止剤

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、追記型光ディスク
に関する。更に詳しくは、芳香族ポリカーボネート樹脂
組成物を射出成形して、信号面にグルーブを形成した成
形基板上に、色素記録層を形成してなる、耐静電気性に
優れた追記型光ディスクに関する。

【０００２】

【従来の技術】芳香族ポリカーボネート樹脂は、耐衝撃
性などの機械的特性に優れている上、透明性にも優れた
樹脂であり、幅広い分野で利用されている。特に、オー
ディオディスク、レーザディスク、光ディスクメモリ、
または光磁気ディスク等のレーザ光を利用して情報の再
生、追記書換えを行なう光学式情報記録媒体に用いられ
る光学式ディスクとして用途を拡げている。

【０００３】このポリカーボネートの工業的製法として
は、ビスフェノールＡとホスゲンを塩化メチレン溶媒中
で反応させる界面重合法が一般的であるが、この方法は
工業的に取り扱いの難しいホスゲンや塩化メチレンを用
いる必要があることから、近年、これらの化合物を用い
ず、ビスフェノールＡなどの芳香族ジヒドロキシ化合物
とジフェニルカーボネートなどの炭酸ジエステルとを原
料に、無溶媒下、エステル交換反応によりポリカーボネ
ートを製造する方法が一部工業化されている（特開昭６
３−５１４２９号、特開平２−１５３９２５号、特公平
６−９９５５２号公報等参照）。上記エステル交換反応
によって製造されるポリカーボネートは、コンパクトデ
ィスク（ＣＤ）製造に使用される材料となっている。し
かしながら、米国特許第５，６０６，００８号に開示さ
れているような溶融縮合法で作成したポリカーボネート
から製造したＣＤでは、その特徴として、高い負の静電
荷（典型的には＜−２．０ｋＶ）が発生する。この高い
負の静電荷により、成形品は、ほこりを寄せ付け、その
ようなディスクの最終品質を落としてしまうことになり
得る。また、高い静電荷により、ディスク同士が引き付
けあい、輸送工程中、たとえば射出成形機からの移送中
にディスクが互いにくっついてしまうため、ＣＤ製造を
停止したりその歩留まりが落ちたりするという状況に至
ることにもなり得る。さらに、色素塗布時の濡れ性増加
により、色素塗布不良が発生していた。書き換え可能な
基板をディスク表面にスピンコートするＣＤ用途の場
合、書き換え可能な層の均一な湿潤のためには、低い負
の静電荷が必要である。上記問題を解決するべく、エス
テル交換反応によって製造された芳香族ポリカーボネー
ト樹脂から得られ、ＣＤ作成時の高い負の静電荷を抑制
する手法が開示されている。

【０００４】上記問題を解決するべく、様々な手法が提
案されている。例えば、帯電防止性芳香族ポリカーボネ
ート組成物が特開昭６２−２０７３５８号公報に開示さ
れている。これらの組成物は、ＣＤ、ビデオディスクな
どのような高密度光学情報記録媒体に用いられ、適切な
帯電防止特性をもっていると報告されている。これらの
組成物中の帯電防止剤は、芳香族ポリカーボネートに対
して０．０１〜４．８重量部のレベルで使用する部分的
にエステル化された酸性リン酸誘導体に限定されてい
る。

【０００５】また、特開平１１−２７９３９６号公報に
は、芳香族ポリカーボネート組成物中に約０．０５％
（芳香族ポリカーボネートに対する重量％）未満の非酸
性帯電防止剤を用いると、成型されたＣＤの静電荷を約
−２ｋＶから約＋２ｋＶまでの間に制限する組成物が得
られると示されている。しかしながら、耐静電気性に
は、ある程度の効果はあるものの、スタンパーへの付着
物が多量に発生し、それが原因となって製品ディスク表
面に付着物が付くという悪影響が見られた。上記のよう
に、これらの提案はある程度の効果はあるものの実用化
には程遠く、早期に耐静電気性に優れた追記型光ディス
クが望まれていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は上記
のような従来技術に伴う問題点を解決しようとするもの
であり、耐静電気性に優れ、かつスタンパーへの付着物
が低減した追記型光ディスクを提供することを目的とし
ている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、耐静電気
性に優れ、かつスタンパーへの付着物が低減した芳香族
ポリカーボネート樹脂組成物を見い出すべく鋭意検討し
たところ、特定の帯電防止剤を特定量、芳香族ポリカー
ボネート樹脂に添加し、さらに離型剤を特定量未満添加
することにより、耐静電気性に優れ、かつスタンパーへ
の付着物が低減した追記型光ディスクが得られることを
見い出し、本発明を完成するに至った。

【０００８】すなわち、本発明の要旨は、下記の（ａ）
〜（ｄ）を含む芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を射
出成形して、信号面にグルーブを形成した成形基板上
に、色素記録層を形成してなる追記型光ディスクに存す
る。（ａ）芳香族ポリカーボネート樹脂、（ｂ）芳香族ポリ
カーボネート樹脂に対して、０．０１重量％未満の離型
剤、（ｃ）芳香族ポリカーボネート樹脂に対して、０．
０５重量％以下の熱安定剤、および（ｄ）芳香族ポリカ
ーボネート樹脂に対して、０．００１〜０．１重量％の
帯電防止剤

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明について具体的に説
明する。本発明の追記型光ディスクは、芳香族ポリカー
ボネート樹脂に、特定量の離型剤、特定量の熱安定剤そ
して特定量の帯電防止剤を含んだ樹脂組成物から成る。
芳香族ポリカーボネート樹脂は、公知の界面法とエステ
ル交換法（溶融法）によって得られるが、好ましくはエ
ステル交換法によって得られるものであり、さらに詳し
くは、原料として芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエ
ステルとを用い、エステル交換触媒の存在下、エステル
交換反応によって得等れるものである。本発明で用いら
れる芳香族ジヒドロキシ化合物は、分子内に芳香族性水
酸基を２個有する化合物であり、好ましくは、下記式
（１）で表される化合物である。

【００１０】

【化１】

【００１１】（式中、Ｗは単結合、炭素数１〜８のアル
キレン基、炭素数２〜８のアルキリデン基、炭素数５〜
１５のシクロアルキレン基、炭素数５〜１５のシクロア
ルキリデン基又は、−Ｏ−，−Ｓ−，−ＣＯ−，−ＳＯ
−，−ＳＯ₂−で示される２価の基からなる群から選ば
れるものであり、Ｙ及びＺは、ハロゲン又は炭素数１〜
６の炭化水素基であり、ｐ及びｑは０〜２の整数であ
り、ＹとＺ、ｐとｑは、いずれも、同一であっても異な
っていてもよい。）

【００１２】前記式（１）で表される芳香族ジヒドロキ
シ化合物としては、例えば、ビス（４−ヒドロキシジフ
ェニル）メタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メ
チルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シ−３−ｔ−ブチルフェニル）プロパン、２，２−ビス
（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモ
フェニル）プロパン、４，４−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）ヘプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）シクロヘキサン、４，４’−ジヒドロキシビフェ
ニル、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−
ジヒドロキシビフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）スルホン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフ
ィド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス
（４−ヒドロキシフェニル）ケトン等が例示されるが、
特に好ましくは、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン（以下、「ビスフェノールＡ」と略す）が
挙げられる。これらの芳香族ジヒドロキシ化合物は単独
でも、２種以上を混合してもよい。本発明で使用される
炭酸ジエステルは下記の一般式（２）で表される。

【００１３】

【化２】

【００１４】（式中Ａ及びＡ’は炭素数１〜１８の脂肪
族基あるいは置換脂肪族基、又は芳香族基あるいは置換
芳香族基であり、同一であっても異なっていてもよ
い。）前記一般式（２）で表される炭酸ジエステルは、例え
ば、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジ
−ｔ−ブチルカーボネート等の炭酸ジアルキル化合物、
ジフェニルカーボネート、およびジトリルカーボネート
等の置換ジフェニルカーボネートなどが例示されるが、
好ましくはジフェニルカーボネート、置換ジフェニルカ
ーボネートであり、特にジフェニルカーボネートが好ま
しい。これらの炭酸ジエステルは単独、あるいは２種以
上を混合してもよい。

【００１５】本発明で芳香族ポリカーボネート樹脂を製
造するには、特に芳香族ジヒドロキシ化合物としてビス
フェノールＡと炭酸ジエステルとしてジフェニルカーボ
ネートが用いられ、ジフェニルカーボネートはビスフェ
ノールＡ１モルに対して、１．０１〜１．３０モル、好
ましくは１．０２〜１．２０の量で用いられることが好
ましい。モル比が１．００１より小さくなると、製造さ
れた芳香族ポリカーボネート樹脂の末端ＯＨ基が増加し
て、ポリマーの熱安定性が悪化し、また、モル比が１．
３００より大きくなると、同一条件下ではエステル交換
反応の速度が低下し、所望の分子量の芳香族ポリカーボ
ネート樹脂の製造が困難となる。

【００１６】本発明において、芳香族ポリカーボネート
樹脂を得るためには、エステル交換触媒が使用される。
該触媒としてはアルカリ金属化合物及び／又はアルカリ
土類金属化合物が使用され、補助的に、塩基性ホウ素化
合物、塩基性リン化合物、塩基性アンモニウム化合物、
あるいはアミン系化合物などの塩基性化合物を併用する
ことも可能であるが、物性面や取り扱いの面で、アルカ
リ金属化合物及び／又はアルカリ土類金属化合物が単独
で使用されることが特に好ましい。

【００１７】この触媒量としては、芳香族ジヒドロキシ
化合物１モルに対して、１×１０^-8〜５×１０^-6モルの
範囲で用いられるのが好ましく、さらに好ましくは１×
１０ ^-7〜３×１０^-6モルの範囲で、特に好ましくは２×
１０^-7〜２×１０^-6モルの範囲で用いられる。この量よ
り少なければ、所定の分子量、末端ヒドロキシ基量の芳
香族ポリカーボネート樹脂を製造するのに必要な重合活
性が得られない傾向があり、この量より多い場合は、ポ
リマー色相が悪化し、分岐が多くなりポリマーの成形性
が損なわれる傾向がある。

【００１８】アルカリ金属化合物としては、例えば、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水
酸化セシウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウ
ム、炭酸水素リチウム、炭酸水素セシウム、炭酸ナトリ
ウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸セシウム、酢
酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸リチウム、酢酸セシ
ウム、ステアリン酸ナトリウム、ステアリン酸カリウ
ム、ステアリン酸リチウム、ステアリン酸セシウム、水
素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム、水素化
ホウ素リチウム、水素化ホウ素セシウム、フェニル化ホ
ウ素ナトリウム、フェニル化ホウ素カリウム、フェニル
化ホウ素リチウム、フェニル化ホウ素セシウム、安息香
酸ナトリウム、安息香酸カリウム、安息香酸リチウム、
安息香酸セシウム、リン酸水素２ナトリウム、リン酸水
素２カリウム、リン酸水素２リチウム、リン酸水素２セ
シウム、フェニルリン酸２ナトリウム、フェニルリン酸
２カリウム、フェニルリン酸２リチウム、フェニルリン
酸２セシウム、ナトリウム、カリウム、リチウム、セシ
ウムのアルコレート、フェノレート、ビスフェノールＡ
の２ナトリウム塩、２カリウム塩、２リチウム塩、２セ
シウム塩などが挙げられる。

【００１９】また、アルカリ土類金属化合物としては、
例えば、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、水酸化マ
グネシウム、水酸化ストロンチウム、炭酸水素カルシウ
ム、炭酸水素バリウム、炭酸水素マグネシウム、炭酸水
素ストロンチウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、炭
酸マグネシウム、炭酸ストロンチウム、酢酸カルシウ
ム、酢酸バリウム、酢酸マグネシウム、酢酸ストロンチ
ウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸バリウ
ム、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸ストロン
チウムなどが挙げられる。

【００２０】塩基性ホウ素化合物の具体例としては、テ
トラメチルホウ素、テトラエチルホウ素、テトラプロピ
ルホウ素、テトラブチルホウ素、トリメチルエチルホウ
素、トリメチルベンジルホウ素、トリメチルフェニルホ
ウ素、トリエチルメチルホウ素、トリエチルベンジルホ
ウ素、トリエチルフェニルホウ素、トリブチルベンジル
ホウ素、トリブチルフェニルホウ素、テトラフェニルホ
ウ素、ベンジルトリフェニルホウ素、メチルトリフェニ
ルホウ素、ブチルトリフェニルホウ素などのナトリウム
塩、カリウム塩、リチウム塩、カルシウム塩、バリウム
塩、マグネシウム塩、あるいはストロンチウム塩等が挙
げられる。塩基性リン化合物としては、例えば、トリエ
チルホスフィン、トリ−ｎ−プロピルホスフィン、トリ
イソプロピルホスフィン、トリ−ｎ−ブチルホスフィ
ン、トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、
あるいは四級ホスホニウム塩などが挙げられる。

【００２１】塩基性アンモニウム化合物としては、例え
ば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモ
ニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロ
キシド、トリメチルエチルアンモニウムヒドロキシド、
トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキシド、トリメ
チルフェニルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルメ
チルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルベンジルア
ンモニウムヒドロキシド、トリエチルフェニルアンモニ
ウムヒドロキシド、トリブチルベンジルアンモニウムヒ
ドロキシド、トリブチルフェニルアンモニウムヒドロキ
シド、テトラフェニルアンモニウムヒドロキシド、ベン
ジルトリフェニルアンモニウムヒドロキシド、メチルト
リフェニルアンモニウムヒドロキシド、ブチルトリフェ
ニルアンモニウムヒドロキシドなどが挙げられる。

【００２２】アミン系化合物としては、例えば、４−ア
ミノピリジン、２−アミノピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチル
−４−アミノピリジン、４−ジエチルアミノピリジン、
２−ヒドロキシピリジン、２−メトキシピリジン、４−
メトキシピリジン、２−ジメチルアミノイミダゾール、
２−メトキシイミダゾール、イミダゾール、２−メルカ
プトイミダゾール、２−メチルイミダゾール、アミノキ
ノリンなどが挙げられる。エステル交換反応は一般には
二段階以上の多段工程で実施される。具体的には、第１
段目の反応は、９．３×１０⁴〜１．３３×１０³Ｐａの
減圧下に１２０〜２６０℃、好ましくは１８０〜２４０
℃の温度で０．１〜５時間、好ましくは０．１〜３時間
反応させる。ついで、反応系の減圧度を上げながら反応
温度を高め、最終的には１３３Ｐａ以下の減圧下、２４
０〜３２０℃の温度で重縮合反応を行う。反応の形式
は、バッチ式、連続式、あるいはバッチ式と連続式の組
み合わせのいずれの反応でもよく、使用する装置は、槽
型、管型、あるいは塔型のいずれの形式であってもよ
い。

【００２３】本発明の追記型光ディスクの樹脂組成物で
使用する離型剤は、射出成型中に金型から容易に離型で
きるようにする化合物である。離型剤は、芳香族ポリカ
ーボネート樹脂に対して０．０１重量％未満含む必要が
ある。離型剤の好ましい量は芳香族ポリカーボネート樹
脂に対して約０．００９５重量％未満である。離型剤の
最も好ましい量は芳香族ポリカーボネート樹脂に対して
０．００９重量％未満である。離型剤が芳香族ポリカー
ボネート樹脂に対して０．０１重量％以上含まれると、
スタンパーへの付着物が多量に発生し、それが原因とな
って製品ディスク表面に付着物が付くという悪影響が見
られる。離型剤の下限量としては、０．０００１重量％
以上、好ましくは０．０００５重量％以上である。

【００２４】離型剤としては、公知の離型剤が使用で
き、その中で好ましい離型剤はペンタエリトリトールテ
トラステアレート及びステアリン酸モノグリセリドであ
る。また、本発明の組成物中では、上記離型剤を単独ま
たは組合せて使用することができる。

【００２５】本発明の樹脂組成物で使用する熱安定剤と
しては、例えば、射出成形時、追記型光ディスクに熱安
定性を付与する目的で添加する。本発明の追記型光ディ
スクには、熱安定剤を、芳香族ポリカーボネート樹脂に
対して０．０５重量％以下含んでいることが必要であ
る。好ましい量としては、芳香族ポリカーボネート樹脂
に対して０．００２〜０．０４重量％含むのが好まし
い。熱安定剤が芳香族ポリカーボネート樹脂に対して
０．０５重量％を超えて存在すると、耐加水分解性が悪
化する傾向にある。

【００２６】熱安定剤としては公知の熱安定剤が使用で
き、その中で好ましい熱安定剤はホスファイト系化合物
であり、特に好ましくはトリス（２，４‐ジ‐ｔｅｒｔ
‐ブチルフェニル）ホスファイト及びトリス‐ノニルフ
ェニルホスファイトである。また、本発明の組成物中で
は、上記熱安定剤を単独または組合せて使用することが
できる。

【００２７】本発明の追記型光ディスクの製造に用いる
樹脂組成物には、帯電防止剤を、芳香族ポリカーボネー
ト樹脂に対して０．００１〜０．１重量％含むことが必
要である。好ましくは、０．００５〜０．０９重量％で
ある。好ましい帯電防止剤としては、ジステアリルヒド
ロキシルアミン、トリフェニルアミン、トリ−ｎ−オク
チルホスフィンオキシド、トリフェニルホスフィンオキ
シド、ピリジン−Ｎ−オキシド、エトキシル化ソルビタ
ンモノラウレート、ポリオキシエチレンモノラウレー
ト、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポ
リオキシエチレンソルビタンステアリレート、ポリオキ
シエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンオレ
イルエーテル及びポリオキシエチレンステアリルエーテ
ルが挙げられる。このうち、ポリオキシエチレンソルビ
タンモノラウレートが特に好ましい。

【００２８】上記帯電防止剤を特定量用いて光学式ディ
スクを製造すると、−２．０ｋＶ以下の負の帯電圧が低
くなり、ほこりを寄せ付けつけなくなったり、さらに
は、色素塗布時の濡れ性が低下し、色素塗布不良が起こ
りにくくなる。一方、上記帯電防止剤を含有しない芳香
族ポリカーボネート樹脂を用いて光学式ディスクを製造
すると、−２．０ｋＶを越える負の帯電圧が高くなり、
ほこりを寄せ付けやすくなったり、さらに、色素塗布時
の濡れ性増加により、色素塗布不良が発生しやすくな
る。本発明の耐静電気性に優れる芳香族ポリカーボネー
ト樹脂により製造した、光学式ディスクの帯電圧は−２
〜８ｋＶの範囲にあることが好ましく、さらに好ましく
は−１．５〜７．５ｋＶの範囲であり、特に好ましく
は、−１．０〜７．０ｋＶの範囲である。

【００２９】本発明の追記型光ディスクの樹脂組成物
は、上記離型剤、熱安定剤、帯電防止剤及び芳香族ポリ
カーボネート樹脂とを、従来から公知の方法で混合する
ことができる。例えば、各成分をリボンブレンダーやス
ーパーミキサー等で芳香族ポリカーボネート樹脂粉末と
分散混合した後、押出機等で溶融混練する方法等が選択
できる。

【００３０】さらに本発明の樹脂組成物は、その物性を
損なわない限りにおいて樹脂の混合時、成形時に他の樹
脂、添加剤、たとえば顔料、染料、強化剤、充填剤、酸
化劣化防止剤、耐候剤、滑剤、結晶核剤、可塑剤、流動
性改良剤などを添加することができる。

【００３１】本発明の追記型光ディスクは、上記芳香族
ポリカーボネート樹脂の射出成形により製造される、グ
ルーブと言われる同心円状に配置された複数の案内溝を
形成した成形基板を素材とする。この射出成形の際、所
定のスタンパーにあらかじめ刻印されているサブミクロ
ンの大きさのピットやグルーブの形状が、円盤状透明な
成形基板の表面（本明細書では、「信号面」と言う。）
に忠実に転写させて得られる。

【００３２】また、追記型光ディスクの代表的なものと
しては、例えば、上記成形基板上に、色素記録層、反射
層、そして保護層が、この順に積層された構成のＣＤ−
Ｒ型の光ディスクの他、上記成形基板上に、色素記録
層、反射層、そして所望により設けられる保護層からな
る積層体と円盤状基板（ダミー板）とを、記録層が内側
となるように接着剤で貼り合わせた構成のＤＶＤ−Ｒ型
の光ディスク、及び、上記積層体２枚をそれらの記録層
がいずれも内側となるように接着剤で貼り合わせた構成
のＤＶＤ−Ｒ型の光ディスクがある。本発明方法におい
ては、上記追記型光ディスクで、信号の記録、読み取り
を行う色素記録層は、色素を基板上の信号面に直接塗布
することによって、形成される。

【００３３】さらに、色素の塗布は、通常、スピンコー
ト法を利用して、有機色素を有機溶媒に溶解させた色素
溶液を、成形基板の信号面に形成されたグルーブを充満
するように塗布することにより行われる。スピンコート
法は、一般に、塗布液付与装置（ディスペンスノズ
ル）、スピナーヘッド、飛散防止壁、そして排気装置か
ら構成されてなるスピンコート装置を用い、下記の手順
に従い実施される。まず、スピナーヘッド上に成形基板
を載置し、次いで、スピナーヘッドを駆動モータにより
回転させながら、該基板の内周部の表面に、好ましく
は、グルーブの最内周縁より２〜３ｍｍ内方の位置に、
塗布液付与装置のノズルから塗布液を供給する。基板上
に供給された塗布液は遠心力により外周側に放射状に流
延し、塗布膜を形成する。スピンコート操作の間、飛散
防止壁の上方に設けた開口部（気体導入部）から空気等
の乾燥気体を導入し、その気体を該塗布膜上に流通さ
せ、スピンコート装置の下方から排気する。この気体の
流通によって、塗布膜から溶媒が除去され、塗布膜は乾
燥される。また必要に応じてベーキングと呼ばれる乾燥
オーブンに基板を投入して残存溶媒をできるだけ完全に
除去する。

【００３４】追記型光ディスクの場合、色素としては、
レーザー光波長域（３００〜８５０ｎｍ）に吸収領域の
ある色素が選ばれる。具体的には、アゾ色素、シアニン
色素、フタロシアニン色素、アズレニウム色素、スクア
リリウム色素、ポリメチン色素、ピリリウム色素、チオ
ピリリウム色素、インドアニリン色素、ナフトキノン色
素、アントラキノン色素、トリアリルメタン色素、アミ
ニウム色素、ジイモニウム色素、アゾ系配位子化合物と
金属とからなる金属キレート系色素、金属錯体等、及び
これらの混合物が挙げられる。好ましくは、アゾ系、シ
アニン系、フタロシアニン系のいずれかの有機色素であ
る。これらの色素は信号の感度に優れ、溶媒に溶解しや
すく、耐光性が良好であり、高品質の追記型光ディスク
を得ることを可能にする。

【００３５】色素溶液用の有機溶媒としては、具体的に
は、酢酸ブチル、セロソルブアセテート等のエステル、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブ
チルケトン等のケトン、ジクロルメタン、１，２−ジク
ロルエタン、クロロホルム等の塩素化炭化水素、ジメチ
ルホルムアミド等のアミド、シクロヘキサン等の炭化水
素、テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキサン
等のエーテル、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプ
ロパノール、ｎ−ブタノール、ジアセトンアルコール等
のアルコール、２，２，３，３−テトラフロロプロパノ
ール等のフッ素系溶剤、エチレングリコールモノメチル
エーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコール
エーテル類等を挙げることができる。これらの溶剤は使
用する色素の溶解性を考慮して、単独または二種以上を
適宜併用することができる。好ましくは、２，２，３，
３−テトラフロロプロパノール、オクタフロロペンタノ
ール、ジブチルエーテル等のフッ素系溶剤である。

【００３６】さらに、色素記録層表面にＡｇやＡｕとい
った反射膜がスパッタ法にて成膜されて反射層が、また
必要に応じ、反射層表面に保護膜をコートすることによ
って保護層が形成された積層体が得られる。ＣＤ−Ｒの
場合は単板で形成されるが、ＤＶＤ−Ｒの場合は上記の
基板を２枚貼り合わせることによって高密度化を達成で
きる。

【実施例】以下、実施例及び比較例によって本発明を説
明する。なお、以下の実施例において得られた追記型光
ディスクの物性及び評価は以下のようにして測定した。（１）芳香族ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量
（Ｍｖ）６ｇ／ｌの塩化メチレン溶液をウベローデ粘度計を用い
固有粘度を測定し、次式により粘度平均分子量を求め
た。

【００３７】

【数１】［η］＝１．２３×１０^-4（Ｍｖ）^0.83

【００３８】２）成形基板の帯電圧（ｋＶ）実施例及び比較例により得られた成形直後の成形基板の
帯電圧をＳＫ−２００静電場計（ＫＥＹＥＮＣＥ（株）
製）を用い、基板から６．０ｃｍの距離のところで測定
した。（３）スタンパー付着物量（μｇ）実施例及び比較例により得られた成形基板５０００ショ
ットの射出成形後、使用したスタンパーをシャーレに入
れ、アセトン５０ｍｌを用いて、スタンパー付着物を溶
解させ、該アセトン溶液をエバポレーターで濃縮、乾固
させた後、さらに５０℃で３時間真空乾燥させ、付着物
量を測定した。

【００３９】（４）成形基板の耐加水分解性試験実施例及び比較例により得られた成形基板を１２０℃、
１００％Ｒｈの水蒸気中で８時間保持した。ヘーズメー
ターＮＤＨ２０００（日本電色工業（株）製）を用い、
成形平板の処理前及び処理後のヘーズを測定した。処理
前後のヘーズ値が小さいほど、耐加水分解性が良いこと
を示す。（５）色素塗布むらの評価方法実施例及び比較例によって得られた追記型光ディスクの
最内周の真円から内方へのはみ出し位置を光学顕微鏡で
観察し、全周に渡り０．５ｍｍ以上のはみ出しが一部分
でもあれば、塗布むら「あり」、０．５ｍｍ以上のはみ
だしが全くなければ塗布むら「なし」とした。

【００４０】［実施例１］（芳香族ポリカーボネート樹
脂の製造）コンデンサーを具備したステンレス製２０リ
ットルの竪型攪拌反応装置にビスフェノールＡ２２８３
ｇ（１０．０モル）、ジフェニルカーボネート２３１３
ｇ（１０．８モル）および触媒として０．０１Ｎ水酸化
ナトリウム０．７ｍｌ（ビスフェノールＡ１モルに対し
て７×１０^-7モル）を仕込み窒素置換を行った。この混
合物を２２０℃で４０分かけて原料モノマーを溶融した
後、２２０℃／１．３３×１０⁴Ｐａで６０分、２４０
℃／２．００×１０³Ｐａで６０分、２８０℃／６６．
７Ｐａで６０分間反応を行った。反応終了後、ポリマー
をギヤポンプで押出機に送液し、押出機でｐ−トルエン
スルホン酸ブチルを触媒失活剤として芳香族ポリカーボ
ネート樹脂に対して０．０００２％、離型剤としてステ
アリン酸モノグリセリドを０．００８％、熱安定剤とし
てＡＳ３２９（トリス‐ノニルフェニルホスファイト、
旭電化工業（株）製）を０．００５％、帯電防止剤とし
てノニオンＬＴ２２１（ポリオキシエチレンソルビタン
モノラウレート、日本油脂（株）製）を０．０５％を添
加し、混練した。その結果、粘度平均分子量１５，４０
０の芳香族ポリカーボネート樹脂が得られた。

【００４１】（成形基板の製造）得られた芳香族ポリカ
ーボネート樹脂を、下記の条件で射出成形し、成形基板
を得た。成形機：住友重機ＤＩＳＫ３金型：１２ｃｍφＣＤ、ＤＶＤ用金型成形基板厚み：１．２ｍｍスタンパーのグルーブ深さ：１６０ｎｍスタンパーのグルーブのピッチ：０．８０μｍ成形機のシリンダーの最高設定温度：３６０℃ スタンパーが装着されている側の金型の設定温度：１３
０℃ 射出時間：０．１秒冷却時間：７．０秒スクリュー回転数：３６０ｒｐｍスクリュー径：２５ｍｍφ 型締め力：射出、保圧中２０Ｔ、冷却中２５Ｔ

【００４２】（色素の塗布）上記で得られた成形基板
に、アゾ系有機色素をオクタフロロペンタノールに溶解
させた色素溶液の塗布を行った。スピンコート法を利用
して、成形基板の信号面に形成されたグルーブを充満す
るように塗布した。塗布開始位置はグルーブの最内周縁
より２ｍｍ内方とした。最内周の塗布回転数は１００ｒ
ｐｍとし、その後の基板全面に渡る塗布は５０００ｒｐ
ｍとした。その後乾燥オーブンに基板を投入して残存溶
媒を除去し、追記型光ディスクを作成した。成形基板
（色素塗布前）の帯電圧、耐加水分解性試験、基板を５
０００ショット成形したスタンパー付着物の重量、及び
追記型光ディスクの色素塗布むらの各評価結果を表１に
示す。

【００４３】［実施例２］実施例１において、離型剤と
してステアリン酸モノグリセリド０．００５％を添加し
た他は、実施例１と同様に芳香族ポリカーボネート樹脂
を得た。また、この芳香族ポリカーボネート樹脂を用い
て、実施例１と同様に追記型光ディスクを作成した。成
形基板（色素塗布前）の帯電圧、耐加水分解性試験、基
板を５０００ショット成形したスタンパー付着物の重
量、及び追記型光ディスクの色素塗布むらの各評価結果
を表１に示す。

【００４４】［実施例３］実施例１において、離型剤と
してステアリン酸モノグリセリド０．００２％を添加し
た他は、実施例１と同様に芳香族ポリカーボネート樹脂
を得た。また、この芳香族ポリカーボネート樹脂を用い
て、実施例１と同様に追記型光ディスクを作成した。成
形基板（色素塗布前）の帯電圧、耐加水分解性試験、基
板を５０００ショット成形したスタンパー付着物の重
量、及び追記型光ディスクの色素塗布むらの各評価結果
を表１に示す。

【００４５】［実施例４］実施例１において、帯電防止
剤としてＡＴＭＥＲ１１０（エトキシル化ソルビタンモ
ノラウレート、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ
（株））０．０５％を添加した他は、実施例１と同様に
芳香族ポリカーボネート樹脂を得た。また、この芳香族
ポリカーボネート樹脂を用いて、実施例１と同様に追記
型光ディスクを作成した。成形基板（色素塗布前）の帯
電圧、耐加水分解性試験、基板を５０００ショット成形
したスタンパー付着物の重量、及び追記型光ディスクの
色素塗布むらの各評価結果を表１に示す。［比較例１］実施例１において、離型剤としてステアリ
ン酸モノグリセリド０．０１５％添加した他は、実施例
１と同様に芳香族ポリカーボネート樹脂を得た。また、
この芳香族ポリカーボネート樹脂を用いて、実施例１と
同様に追記型光ディスクを作成した。成形基板（色素塗
布前）の帯電圧、耐加水分解性試験、基板を５０００シ
ョット成形したスタンパー付着物の重量、及び追記型光
ディスクの色素塗布むらの各評価結果を表１に示す。

【００４６】［比較例２］実施例１において、離型剤と
してステアリン酸モノグリセリド０．０２５％を添加し
た他は、実施例１と同様に芳香族ポリカーボネート樹脂
を得た。また、この芳香族ポリカーボネート樹脂を用い
て、実施例１と同様に追記型光ディスクを作成した。成
形基板（色素塗布前）の帯電圧、耐加水分解性試験、基
板を５０００ショット成形したスタンパー付着物の重
量、及び追記型光ディスクの色素塗布むらの各評価結果
を表１に示す。

【００４７】［比較例３］実施例１において、帯電防止
剤としてノニオンＬＴ２２１を添加しなかった他は、実
施例１と同様に芳香族ポリカーボネート樹脂を得た。ま
た、この芳香族ポリカーボネート樹脂を用いて、実施例
１と同様に追記型光ディスクを作成した。成形基板（色
素塗布前）の帯電圧、耐加水分解性試験、基板を５００
０ショット成形したスタンパー付着物の重量、及び追記
型光ディスクの色素塗布むらの各評価結果を表１に示
す。［比較例４］実施例１において、帯電防止剤としてノニ
オンＬＴ２２１を０．１５％添加した他は、実施例１と
同様に芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を得た。ま
た、この芳香族ポリカーボネート樹脂を用いて、実施例
１と同様に追記型光ディスクを作成した。成形基板（色
素塗布前）の帯電圧、耐加水分解性試験、基板を５００
０ショット成形したスタンパー付着物の重量、及び追記
型光ディスクの色素塗布むらの各評価結果を表１に示
す。［比較例５］実施例１において、熱安定剤としてＡＳ２
１１２を０．１％添加した他は、実施例１と同様に芳香
族ポリカーボネート樹脂組成物を得た。また、この芳香
族ポリカーボネート樹脂を用いて、実施例１と同様に追
記型光ディスクを作成した。成形基板（色素塗布前）の
帯電圧、耐加水分解性試験、基板を５０００ショット成
形したスタンパー付着物の重量、及び追記型光ディスク
の色素塗布むらの各評価結果を表１に示す。

【００４８】

【表１】

【００４９】

【発明の効果】本発明の追記型光ディスクは、耐静電気
性に優れ、かつスタンパーへの付着物が低減した高品質
の追記型光ディスクを提供することができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者白石義隆福岡県北九州市八幡西区黒崎城石１番１号三菱化学株式会社内 (72)発明者木下秀樹福岡県北九州市八幡西区黒崎城石１番１号三菱化学株式会社内 (72)発明者金政智亮福岡県北九州市八幡西区黒崎城石１番１号三菱化学株式会社内 (72)発明者上田昌哉神奈川県平塚市東八幡５丁目６番２号三菱エンジニアリングプラスチックス株式会社技術センター内Ｆターム(参考） 4J002 CG001 CG011 CG021 CH022 ED038 EH036 EH046 EH058 EN108 ES008 EW067 EW148 FD067 FD102 FD108 FD166 GS02 5D029 KA07 KA17

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下記の（ａ）〜（ｄ）を含む芳香族ポリ
カーボネート樹脂組成物を射出成形して、信号面にグル
ーブを形成した成形基板上に、色素記録層を形成してな
る追記型光ディスク。（ａ）芳香族ポリカーボネート樹脂、（ｂ）芳香族ポリ
カーボネート樹脂に対して、０．０１重量％未満の離型
剤、（ｃ）芳香族ポリカーボネート樹脂に対して、０．
０５重量％以下の熱安定剤、および（ｄ）芳香族ポリカ
ーボネート樹脂に対して、０．００１〜０．１重量％の
帯電防止剤
【請求項２】帯電防止剤がジステアリルヒドロキシル
アミン、トリフェニルアミン、トリ−ｎ−オクチルホス
フィンオキシド、トリフェニルホスフィンオキシド、ピ
リジン−Ｎ−オキシド、エトキシル化ソルビタンモノラ
ウレート、ポリオキシエチレンモノラウレート、ポリオ
キシエチレンソルビタンステアリレート、ポリオキシエ
チレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイル
エーテル及びポリオキシエチレンステアリルエーテルか
ら選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求
項１記載の追記型光ディスク。
【請求項３】帯電防止剤が、ポリオキシエチレンソル
ビタンモノラウレートであることを特徴とする請求項１
記載の追記型光ディスク。
【請求項４】芳香族ポリカーボネート樹脂が芳香族ジ
ヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとのエステル交換法
により製造された樹脂であることを特徴とする請求項１
乃至３のいずれかに記載の追記型光ディスク。
【請求項５】芳香族ポリカーボネート樹脂が２，２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンとジフェニル
カーボネートとのエステル交換法により製造された樹脂
であることを特徴とする請求項４記載の追記型光ディス
ク。