JP2003128903A - 芳香族ポリカーボネート樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物は、耐静電
気性に優れ、かつスタンパーへの付着物が低減した高品
質の光学情報記憶媒体を提供する。 【課題】 【解決手段】 （ａ）芳香族ポリカーボネート樹脂、
（ｂ）芳香族ポリカーボネート樹脂に対して、０．０１
重量％未満の離型剤、（ｃ）芳香族ポリカーボネート樹
脂に対して、０．０５重量％以下の熱安定剤、および
（ｄ）芳香族ポリカーボネート樹脂に対して、０．００
１〜０．１重量％の帯電防止剤を含む芳香族ポリカーボ
ネート樹脂組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、耐静電気性に優れ
た芳香族ポリカーボネート樹脂組成物に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】芳香族ポリカーボネート樹脂は、耐衝撃
性などの機械的特性に優れている上、透明性にも優れた
樹脂であり、幅広い分野で利用されている。特に、オー
ディオディスク、レーザディスク、光ディスクメモリ、
または光磁気ディスク等のレーザ光を利用して情報の再
生、追記書換えを行なう光学式情報記録媒体に用いられ
る光学式ディスクとして用途を拡げている。

【０００３】このポリカーボネートの工業的製法として
は、ビスフェノールＡとホスゲンを塩化メチレン溶媒中
で反応させる界面重合法が一般的であるが、この方法は
工業的に取り扱いの難しいホスゲンや塩化メチレンを用
いる必要があることから、近年、これらの化合物を用い
ず、ビスフェノールＡなどの芳香族ジヒドロキシ化合物
とジフェニルカーボネートなどの炭酸ジエステルとを原
料に、無溶媒下、エステル交換反応によりポリカーボネ
ートを製造する方法が一部工業化されている（特開昭６
３−５１４２９号、特開平２−１５３９２５号、特公平
６−９９５５２号公報等参照）。上記エステル交換反応
によって製造されるポリカーボネートは、コンパクトデ
ィスク（ＣＤ）製造に使用される材料となっている。し
かしながら、米国特許第５，６０６，００８号に開示さ
れているような溶融縮合法で作成したポリカーボネート
から製造したＣＤでは、その特徴として、高い負の静電
荷（典型的には＜−２．０ｋＶ）が発生する。この高い
負の静電荷により、成形品は、ほこりを寄せ付け、その
ようなディスクの最終品質を落としてしまうことになり
得る。また、高い静電荷により、ディスク同士が引き付
けあい、輸送工程中、たとえば射出成形機からの移送中
にディスクが互いにくっついてしまうため、ＣＤ製造を
停止したりその歩留まりが落ちたりするという状況に至
ることにもなり得る。さらに、色素塗布時の濡れ性増加
により、色素塗布不良が発生していた。書き換え可能な
基板をディスク表面にスピンコートするＣＤ用途の場
合、書き換え可能な層の均一な湿潤のためには、低い負
の静電荷が必要である。上記問題を解決するべく、エス
テル交換反応によって製造された芳香族ポリカーボネー
ト樹脂から得られ、ＣＤ作成時の高い負の静電荷を抑制
する手法が開示されている。

【０００４】上記問題を解決するべく、様々な手法が提
案されている。例えば、帯電防止性芳香族ポリカーボネ
ート組成物が特開昭６２−２０７３５８号公報に開示さ
れている。これらの組成物は、ＣＤ、ビデオディスクな
どのような高密度光学情報記録媒体に用いられ、適切な
帯電防止特性をもっていると報告されている。これらの
組成物中の帯電防止剤は、芳香族ポリカーボネートに対
して０．０１〜４．８重量部のレベルで使用する部分的
にエステル化された酸性リン酸誘導体に限定されてい
る。

【０００５】また、特開平１１−２７９３９６号公報に
は、芳香族ポリカーボネート組成物中に約０．０５％
（芳香族ポリカーボネートに対する重量％）未満の非酸
性帯電防止剤を用いると、成型されたＣＤの静電荷を約
−２ｋＶから約＋２ｋＶまでの間に制限する組成物が得
られると示されている。しかしながら、耐静電気性に
は、ある程度の効果はあるものの、スタンパーへの付着
物が多量に発生し、それが原因となって製品ディスク表
面に付着物が付くという悪影響が見られた。上記のよう
に、これらの提案はある程度の効果はあるものの実用化
には程遠く、早期に本質的な改良手法が望まれていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は上記
のような従来技術に伴う問題点を解決しようとするもの
であり、耐静電気性に優れ、かつスタンパーへの付着物
が低減した芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を提供す
ることを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、耐静電気
性に優れ、かつスタンパーへの付着物が低減した芳香族
ポリカーボネート樹脂組成物を見い出すべく鋭意検討し
たところ、特定の帯電防止剤を特定量、芳香族ポリカー
ボネート樹脂に添加し、さらに離型剤を特定量未満添加
することにより、耐静電気性に優れ、かつスタンパーへ
の付着物が低減した芳香族ポリカーボネート樹脂組成物
になることを見い出し、本発明を完成するに至った。

【０００８】すなわち、本発明の要旨は、（ａ）芳香族
ポリカーボネート樹脂、（ｂ）芳香族ポリカーボネート
樹脂に対して、０．０１重量％未満の離型剤、（ｃ）芳
香族ポリカーボネート樹脂に対して、０．０５重量％以
下の熱安定剤、および（ｄ）芳香族ポリカーボネート樹
脂に対して、０．００１〜０．１重量％の帯電防止剤を
含む芳香族ポリカーボネート樹脂組成物に存する。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明について具体的に説
明する。本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物
は、芳香族ポリカーボネート樹脂に、特定量の離型剤、
特定量の熱安定剤そして特定量の帯電防止剤を含んだ物
である。本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、公知
の界面法とエステル交換法（溶融法）によって得られる
が、好ましくはエステル交換法によって得られるもので
あり、さらに詳しくは、原料として芳香族ジヒドロキシ
化合物と炭酸ジエステルとを用い、エステル交換触媒の
存在下、エステル交換反応によって得等れるものであ
る。本発明で用いられる芳香族ジヒドロキシ化合物は、
分子内に芳香族性水酸基を２個有する化合物であり、好
ましくは、下記式（１）で表される化合物である。

【００１０】

【化１】

【００１１】（式中、Ｗは単結合、炭素数１〜８のアル
キレン基、炭素数２〜８のアルキリデン基、炭素数５〜
１５のシクロアルキレン基、炭素数５〜１５のシクロア
ルキリデン基又は、−Ｏ−，−Ｓ−，−ＣＯ−，−ＳＯ
−，−ＳＯ₂−で示される２価の基からなる群から選ば
れるものであり、Ｙ及びＺは、ハロゲン又は炭素数１〜
６の炭化水素基であり、ｐ及びｑは０〜２の整数であ
り、ＹとＺ、ｐとｑは、いずれも、同一であっても異な
っていてもよい。）

【００１２】前記式（１）で表される芳香族ジヒドロキ
シ化合物としては、例えば、ビス（４−ヒドロキシジフ
ェニル）メタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メ
チルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シ−３−ｔ−ブチルフェニル）プロパン、２，２−ビス
（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモ
フェニル）プロパン、４，４−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）ヘプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）シクロヘキサン、４，４’−ジヒドロキシビフェ
ニル、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−
ジヒドロキシビフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）スルホン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフ
ィド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス
（４−ヒドロキシフェニル）ケトン等が例示されるが、
特に好ましくは、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン（以下、「ビスフェノールＡ」と略す）が
挙げられる。これらの芳香族ジヒドロキシ化合物は単独
でも、２種以上を混合してもよい。本発明で使用される
炭酸ジエステルは下記の一般式（２）で表される。

【００１３】

【化２】Ｏ‖Ａ−Ｏ−Ｃ−Ｏ−Ａ’ 式（２）

【００１４】（式中Ａ及びＡ’は炭素数１〜１８の脂肪
族基あるいは置換脂肪族基、又は芳香族基あるいは置換
芳香族基であり、同一であっても異なっていてもよ
い。） 前記一般式（２）で表される炭酸ジエステルは、例え
ば、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジ
−ｔ−ブチルカーボネート等の炭酸ジアルキル化合物、
ジフェニルカーボネート、およびジトリルカーボネート
等の置換ジフェニルカーボネートなどが例示されるが、
好ましくはジフェニルカーボネート、置換ジフェニルカ
ーボネートであり、特にジフェニルカーボネートが好ま
しい。これらの炭酸ジエステルは単独、あるいは２種以
上を混合してもよい。

【００１５】本発明で芳香族ポリカーボネート樹脂を製
造するには、特に芳香族ジヒドロキシ化合物としてビス
フェノールＡと炭酸ジエステルとしてジフェニルカーボ
ネートが用いられ、ジフェニルカーボネートはビスフェ
ノールＡ１モルに対して、１．０１〜１．３０モル、好
ましくは１．０２〜１．２０の量で用いられることが好
ましい。モル比が１．００１より小さくなると、製造さ
れた芳香族ポリカーボネート樹脂の末端ＯＨ基が増加し
て、ポリマーの熱安定性が悪化し、また、モル比が１．
３００より大きくなると、同一条件下ではエステル交換
反応の速度が低下し、所望の分子量の芳香族ポリカーボ
ネート樹脂の製造が困難となる。

【００１６】本発明において、芳香族ポリカーボネート
樹脂を得るためには、エステル交換触媒が使用される。
該触媒としてはアルカリ金属化合物及び／又はアルカリ
土類金属化合物が使用され、補助的に、塩基性ホウ素化
合物、塩基性リン化合物、塩基性アンモニウム化合物、
あるいはアミン系化合物などの塩基性化合物を併用する
ことも可能であるが、物性面や取り扱いの面で、アルカ
リ金属化合物及び／又はアルカリ土類金属化合物が単独
で使用されることが特に好ましい。

【００１７】この触媒量としては、芳香族ジヒドロキシ
化合物１モルに対して、１×１０^-8〜５×１０^-6モルの
範囲で用いられるのが好ましく、さらに好ましくは１×
１０ ^-7〜３×１０^-6モルの範囲で、特に好ましくは２×
１０^-7〜２×１０^-6モルの範囲で用いられる。この量よ
り少なければ、所定の分子量、末端ヒドロキシ基量の芳
香族ポリカーボネート樹脂を製造するのに必要な重合活
性が得られない傾向があり、この量より多い場合は、ポ
リマー色相が悪化し、分岐が多くなりポリマーの成形性
が損なわれる傾向がある。

【００１８】アルカリ金属化合物としては、例えば、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水
酸化セシウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウ
ム、炭酸水素リチウム、炭酸水素セシウム、炭酸ナトリ
ウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸セシウム、酢
酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸リチウム、酢酸セシ
ウム、ステアリン酸ナトリウム、ステアリン酸カリウ
ム、ステアリン酸リチウム、ステアリン酸セシウム、水
素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム、水素化
ホウ素リチウム、水素化ホウ素セシウム、フェニル化ホ
ウ素ナトリウム、フェニル化ホウ素カリウム、フェニル
化ホウ素リチウム、フェニル化ホウ素セシウム、安息香
酸ナトリウム、安息香酸カリウム、安息香酸リチウム、
安息香酸セシウム、リン酸水素２ナトリウム、リン酸水
素２カリウム、リン酸水素２リチウム、リン酸水素２セ
シウム、フェニルリン酸２ナトリウム、フェニルリン酸
２カリウム、フェニルリン酸２リチウム、フェニルリン
酸２セシウム、ナトリウム、カリウム、リチウム、セシ
ウムのアルコレート、フェノレート、ビスフェノールＡ
の２ナトリウム塩、２カリウム塩、２リチウム塩、２セ
シウム塩などが挙げられる。

【００１９】また、アルカリ土類金属化合物としては、
例えば、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、水酸化マ
グネシウム、水酸化ストロンチウム、炭酸水素カルシウ
ム、炭酸水素バリウム、炭酸水素マグネシウム、炭酸水
素ストロンチウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、炭
酸マグネシウム、炭酸ストロンチウム、酢酸カルシウ
ム、酢酸バリウム、酢酸マグネシウム、酢酸ストロンチ
ウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸バリウ
ム、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸ストロン
チウムなどが挙げられる。

【００２０】塩基性ホウ素化合物の具体例としては、テ
トラメチルホウ素、テトラエチルホウ素、テトラプロピ
ルホウ素、テトラブチルホウ素、トリメチルエチルホウ
素、トリメチルベンジルホウ素、トリメチルフェニルホ
ウ素、トリエチルメチルホウ素、トリエチルベンジルホ
ウ素、トリエチルフェニルホウ素、トリブチルベンジル
ホウ素、トリブチルフェニルホウ素、テトラフェニルホ
ウ素、ベンジルトリフェニルホウ素、メチルトリフェニ
ルホウ素、ブチルトリフェニルホウ素などのナトリウム
塩、カリウム塩、リチウム塩、カルシウム塩、バリウム
塩、マグネシウム塩、あるいはストロンチウム塩等が挙
げられる。塩基性リン化合物としては、例えば、トリエ
チルホスフィン、トリ−ｎ−プロピルホスフィン、トリ
イソプロピルホスフィン、トリ−ｎ−ブチルホスフィ
ン、トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、
あるいは四級ホスホニウム塩などが挙げられる。

【００２１】塩基性アンモニウム化合物としては、例え
ば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモ
ニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロ
キシド、トリメチルエチルアンモニウムヒドロキシド、
トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキシド、トリメ
チルフェニルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルメ
チルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルベンジルア
ンモニウムヒドロキシド、トリエチルフェニルアンモニ
ウムヒドロキシド、トリブチルベンジルアンモニウムヒ
ドロキシド、トリブチルフェニルアンモニウムヒドロキ
シド、テトラフェニルアンモニウムヒドロキシド、ベン
ジルトリフェニルアンモニウムヒドロキシド、メチルト
リフェニルアンモニウムヒドロキシド、ブチルトリフェ
ニルアンモニウムヒドロキシドなどが挙げられる。

【００２２】アミン系化合物としては、例えば、４−ア
ミノピリジン、２−アミノピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチル
−４−アミノピリジン、４−ジエチルアミノピリジン、
２−ヒドロキシピリジン、２−メトキシピリジン、４−
メトキシピリジン、２−ジメチルアミノイミダゾール、
２−メトキシイミダゾール、イミダゾール、２−メルカ
プトイミダゾール、２−メチルイミダゾール、アミノキ
ノリンなどが挙げられる。エステル交換反応は一般には
二段階以上の多段工程で実施される。具体的には、第１
段目の反応は、９．３×１０⁴〜１．３３×１０³Ｐａの
減圧下に１２０〜２６０℃、好ましくは１８０〜２４０
℃の温度で０．１〜５時間、好ましくは０．１〜３時間
反応させる。ついで、反応系の減圧度を上げながら反応
温度を高め、最終的には１３３Ｐａ以下の減圧下、２４
０〜３２０℃の温度で重縮合反応を行う。反応の形式
は、バッチ式、連続式、あるいはバッチ式と連続式の組
み合わせのいずれの反応でもよく、使用する装置は、槽
型、管型、あるいは塔型のいずれの形式であってもよ
い。

【００２３】本発明の樹脂組成物で使用する離型剤は、
射出成型中に金型から容易に離型できるようにする化合
物である。本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物
は、離型剤を、芳香族ポリカーボネート樹脂に対して
０．０１重量％未満含む必要がある。離型剤の好ましい
量は芳香族ポリカーボネート樹脂に対して約０．００９
５重量％未満である。離型剤の最も好ましい量は芳香族
ポリカーボネート樹脂に対して０．００９重量％未満で
ある。離型剤が芳香族ポリカーボネート樹脂に対して
０．０１重量％以上含まれると、スタンパーへの付着物
が多量に発生し、それが原因となって製品ディスク表面
に付着物が付くという悪影響が見られる。離型剤の下限
量としては、０．０００１重量％以上、好ましくは０．
０００５重量％以上である。

【００２４】離型剤としては、公知の離型剤が使用で
き、その中で好ましい離型剤はペンタエリトリトールテ
トラステアレート及びステアリン酸モノグリセリドであ
る。また、本発明の組成物中では、上記離型剤を単独ま
たは組合せて使用することができる。

【００２５】本発明の樹脂組成物で使用する熱安定剤と
しては、例えば、射出成形時、芳香（ａ）芳香族ポリカ
ーボネート樹脂、（ｂ）芳香族ポリカーボネート樹脂に
対して、０．０１重量％未満の離型剤、（ｃ）芳香族ポ
リカーボネート樹脂に対して、０．０５重量％以下の熱
安定剤、および（ｄ）芳香族ポリカーボネート樹脂に対
して、０．００１〜０．１重量％の帯電族ポリカーボネ
ート樹脂組成物に熱安定性を付与する目的で添加する。
本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物は、熱安定
剤を、芳香族ポリカーボネート樹脂に対して０．０５重
量％以下含んでいることが必要である。好ましい量とし
ては、芳香族ポリカーボネート樹脂に対して０．００２
〜０．０４重量％含むのが好ましい。熱安定剤が芳香族
ポリカーボネート樹脂に対して０．０５重量％を超えて
存在すると、耐加水分解性が悪化する傾向にある。

【００２６】熱安定剤としては公知の熱安定剤が使用で
き、その中で好ましい熱安定剤はホスファイト系化合物
であり、特に好ましくはトリス（２，４‐ジ‐ｔｅｒｔ
‐ブチルフェニル）ホスファイト及びトリス‐ノニルフ
ェニルホスファイトである。また、本発明の組成物中で
は、上記熱安定剤を単独または組合せて使用することが
できる。

【００２７】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物は、帯電防止剤を、芳香族ポリカーボネート樹脂に対
して０．００１〜０．１重量％含むことが必要である。
好ましくは、０．００５〜０．０９重量％である。好ま
しい帯電防止剤としては、ジステアリルヒドロキシルア
ミン、トリフェニルアミン、トリ−ｎ−オクチルホスフ
ィンオキシド、トリフェニルホスフィンオキシド、ピリ
ジン−Ｎ−オキシド、エトキシル化ソルビタンモノラウ
レート、ポリオキシエチレンモノラウレート、ポリオキ
シエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチ
レンソルビタンステアリレート、ポリオキシエチレンラ
ウリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル
及びポリオキシエチレンステアリルエーテルが挙げられ
る。このうち、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウ
レートが特に好ましい。

【００２８】上記帯電防止剤を特定量用いて光学式ディ
スク基板を製造すると、−２．０ｋＶ以下の負の帯電圧
が低くなり、ほこりを寄せ付けつけなくなったり、さら
には、色素塗布時の濡れ性が低下し、色素塗布不良が起
こりにくくなる。一方、上記帯電防止剤を含有しない芳
香族ポリカーボネート樹脂を用いて光学式ディスク基板
を製造すると、−２．０ｋＶを越える負の帯電圧が高く
なり、ほこりを寄せ付けやすくなったり、さらに、色素
塗布時の濡れ性増加により、色素塗布不良が発生しやす
くなる。本発明の耐静電気性に優れる芳香族ポリカーボ
ネート樹脂により製造した、光学式ディスク基板の帯電
圧は−２〜８ｋＶの範囲にあることが好ましく、さらに
好ましくは−１．５〜７．５ｋＶの範囲であり、特に好
ましくは、−１．０〜７．０ｋＶの範囲である。

【００２９】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物は、上記離型剤、熱安定剤、帯電防止剤及び芳香族ポ
リカーボネート樹脂とを、従来から公知の方法で混合す
ることができる。例えば、各成分をリボンブレンダーや
スーパーミキサー等で芳香族ポリカーボネート樹脂粉末
と分散混合した後、押出機等で溶融混練する方法等が選
択できる。

【００３０】さらに本発明の樹脂組成物は、その物性を
損なわない限りにおいて樹脂の混合時、成形時に他の樹
脂、添加剤、たとえば顔料、染料、強化剤、充填剤、酸
化劣化防止剤、耐候剤、滑剤、結晶核剤、可塑剤、流動
性改良剤などを添加することができる。

【００３１】

【実施例】以下、実施例及び比較例によって本発明を説
明する。なお、以下の実施例において得られた芳香族ポ
リカーボネート樹脂組成物の物性及び評価は以下のよう
にして測定した。 （１）粘度平均分子量（Ｍｖ） ６ｇ／ｌの塩化メチレン溶液をウベローデ粘度計を用い
固有粘度を測定し、次式により粘度平均分子量を求め
た。

【００３２】

【数１】［η］＝１．２３×１０^-4（Ｍｖ）^0.83

【００３３】（２）帯電圧（ｋＶ） 得られた芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を射出成形
（成形温度:350℃，金型温度:80℃）し、成形平板（50m
m×50mm×厚み3mm）を得た後、成形直後の帯電圧をＳＫ
−２００静電場計（ＫＥＹＥＮＣＥ（株）製）を用い、
基板から６．０ｃｍの距離のところで測定した。

【００３４】（３）スタンパー付着物量（μｇ） 得られた芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を用いて、
３５０℃で上記成形平板５０００ショットの射出成形を
行った。使用したスタンパーをシャーレに入れ、アセト
ン５０ｍｌを用いて、スタンパー付着物を溶解させ、該
アセトン溶液をエバポレーターで濃縮、乾固させた後、
さらに５０℃で３時間真空乾燥させ、付着物量を測定し
た。

【００３５】（４）耐加水分解性試験 得られた芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を射出成形
（成形温度:350℃，金型温度:80℃）し、成形平板（50m
m×50mm×厚み3mm）を得た後、成形平板を１２０℃、１
００％Ｒｈの水蒸気中で８時間保持した。ヘーズメータ
ーＮＤＨ２０００（日本電色工業（株）製）を用い、成
形平板の処理前及び処理後のヘーズを測定した。処理前
後のヘーズ値が小さいほど、耐加水分解性が良いことを
示す。

【００３６】［実施例１］コンデンサーを具備したステ
ンレス製２０リットルの竪型攪拌反応装置にビスフェノ
ールＡ２２８３ｇ（１０．０モル）、ジフェニルカーボ
ネート２３１３ｇ（１０．８モル）および触媒として
０．０１Ｎ水酸化ナトリウム０．７ｍｌ（ビスフェノー
ルＡ１モルに対して７×１０^-7モル）を仕込み窒素置換
を行った。この混合物を２２０℃で４０分かけて原料モ
ノマーを溶融した後、２２０℃／１．３３×１０⁴Ｐａ
で６０分、２４０℃／２．００×１０³Ｐａで６０分、
２８０℃／６６．７Ｐａで６０分間反応を行った。反応
終了後、ポリマーをギヤポンプで押出機に送液し、押出
機でｐ−トルエンスルホン酸ブチルを触媒失活剤として
芳香族ポリカーボネート樹脂に対して０．０００２重量
％、離型剤としてステアリン酸モノグリセリドを０．０
０８重量％、熱安定剤としてＡＳ２１１２（トリス
（２，４‐ジ‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェニル）ホスファイ
ト、旭電化工業（株）製）を０．００５重量％、帯電防
止剤としてノニオンＬＴ２２１（ポリオキシエチレンソ
ルビタンモノラウレート、日本油脂（株）製）を０．０
５重量％を添加し、混練した。その結果、粘度平均分子
量１５，４００の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物が
得られた。

【００３７】得られた芳香族ポリカーボネート樹脂組成
物を用いて、３５０℃で平板を成形し、成形直後の帯電
圧を表１に、また３５０℃で５０００ショットを成形し
たスタンパーの付着物の重量および耐加水分解性試験前
後のヘーズ値を表１に示す。

【００３８】［実施例２］実施例１において、離型剤と
してステアリン酸モノグリセリド０．００５重量％を添
加した他は、実施例１と同様に芳香族ポリカーボネート
樹脂組成物を得た。得られた芳香族ポリカーボネート樹
脂組成物を用いて、３５０℃で平板を成形し、成形直後
の帯電圧を表１に、また３５０℃で５０００ショットを
成形したスタンパーの付着物の重量および耐加水分解性
試験前後のヘーズ値を表１に示す。

【００３９】［実施例３］実施例１において、離型剤と
してステアリン酸モノグリセリド０．００２重量％を添
加した他は、実施例１と同様に芳香族ポリカーボネート
樹脂組成物を得た。得られた芳香族ポリカーボネート樹
脂組成物を用いて、３５０℃で平板を成形し、成形直後
の帯電圧を表１に、また３５０℃で５０００ショットを
成形したスタンパーの付着物の重量および耐加水分解性
試験前後のヘーズ値を表１に示す。

【００４０】［実施例４］実施例１において、帯電防止
剤としてＡＴＭＥＲ１１０（エトキシル化ソルビタンモ
ノラウレート、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ
（株））０．０５重量％を添加した他は、実施例１と同
様に芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を得た。得られ
た芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を用いて、３５０
℃で平板を成形し、成形直後の帯電圧を表１に、また３
５０℃で５０００ショットを成形したスタンパーの付着
物の重量および耐加水分解性試験前後のヘーズ値を表１
に示す。

【００４１】［比較例１］実施例１において、離型剤と
してステアリン酸モノグリセリド０．０１５重量％添加
した他は、実施例１と同様に芳香族ポリカーボネート樹
脂組成物を得た。得られた芳香族ポリカーボネート樹脂
組成物を用いて、光学式ディスク基板を成形し、成形直
後の帯電圧を表１に、また３５０℃で５０００ショット
を成形したスタンパーの付着物の重量を表１に示す。

【００４２】［比較例２］実施例１において、離型剤と
してステアリン酸モノグリセリド０．０２５重量％を添
加した他は、実施例１と同様に芳香族ポリカーボネート
樹脂組成物を得た。得られた芳香族ポリカーボネート樹
脂組成物を用いて、３５０℃で平板を成形し、成形直後
の帯電圧を表１に、また３５０℃で５０００ショットを
成形したスタンパーの付着物の重量および耐加水分解性
試験前後のヘーズ値を表１に示す。

【００４３】［比較例３］実施例１において、帯電防止
剤としてノニオンＬＴ２２１を添加しなかった他は、実
施例１と同様に芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を得
た。得られた芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を用い
て、３５０℃で平板を成形し、成形直後の帯電圧を表１
に、また３５０℃で５０００ショットを成形したスタン
パーの付着物の重量および耐加水分解性試験前後のヘー
ズ値を表１に示す。 ［比較例４］実施例１において、帯電防止剤としてノニ
オンＬＴ２２１を０．１５重量％添加した他は、実施例
１と同様に芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を得た。
得られた芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を用いて、
３５０℃で平板を成形し、成形直後の帯電圧を表１に、
また３５０℃で５０００ショットを成形したスタンパー
の付着物の重量および耐加水分解性試験前後のヘーズ値
を表１に示す。 ［比較例５］実施例１において、熱安定剤としてＡＳ２
１１２を０．１重量％添加した他は、実施例１と同様に
芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を得た。得られた芳
香族ポリカーボネート樹脂組成物を用いて、３５０℃で
平板を成形し、成形直後の帯電圧を表１に、また３５０
℃で５０００ショットを成形したスタンパーの付着物の
重量および耐加水分解性試験前後のヘーズ値を表１に示
す。

【００４４】

【表１】

【００４５】

【発明の効果】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組
成物は、耐静電気性に優れ、かつスタンパーへの付着物
が低減した高品質の光学情報記憶媒体を提供することが
できる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 白石 義隆 福岡県北九州市八幡西区黒崎城石１番１号 三菱化学株式会社内 (72)発明者 木下 秀樹 福岡県北九州市八幡西区黒崎城石１番１号 三菱化学株式会社内 (72)発明者 金政 智亮 福岡県北九州市八幡西区黒崎城石１番１号 三菱化学株式会社内 Ｆターム(参考） 4J002 CG001 ED038 EH036 EH038 EH056 EN088 EN108 EW067 EW118 FD067 FD108 FD166 GQ00 GS02

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （ａ）芳香族ポリカーボネート樹脂、
   （ｂ）芳香族ポリカーボネート樹脂に対して、０．０１
   重量％未満の離型剤、（ｃ）芳香族ポリカーボネート樹
   脂に対して、０．０５重量％以下の熱安定剤、および
   （ｄ）芳香族ポリカーボネート樹脂に対して、０．００
   １〜０．１重量％の帯電防止剤を含むことを特徴とする
   芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
2. 【請求項２】 帯電防止剤がジステアリルヒドロキシル
   アミン、トリフェニルアミン、トリ−ｎ−オクチルホス
   フィンオキシド、トリフェニルホスフィンオキシド、ピ
   リジン−Ｎ−オキシド、エトキシル化ソルビタンモノラ
   ウレート、ポリオキシエチレンモノラウレート、ポリオ
   キシエチレンソルビタンステアリレート、ポリオキシエ
   チレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイル
   エーテル及びポリオキシエチレンステアリルエーテルか
   ら選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求
   項１記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
3. 【請求項３】 帯電防止剤が、ポリオキシエチレンソル
   ビタンモノラウレートであることを特徴とする請求項１
   記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
4. 【請求項４】 芳香族ポリカーボネート樹脂が芳香族ジ
   ヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとのエステル交換法
   により製造された樹脂であることを特徴とする請求項１
   乃至３のいずれかに記載の芳香族ポリカーボネート樹脂
   組成物。
5. 【請求項５】 芳香族ポリカーボネート樹脂が２，２−
   ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンとジフェニル
   カーボネートとのエステル交換法により製造された樹脂
   であることを特徴とする請求項４記載の芳香族ポリカー
   ボネート樹脂組成物。