JP2003229529A - 混成集積回路装置およびオーディオアンプ - Google Patents

混成集積回路装置およびオーディオアンプ

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JP2003229529A JP2002028314A JP2002028314A JP2003229529A JP 2003229529 A JP2003229529 A JP 2003229529A JP 2002028314 A JP2002028314 A JP 2002028314A JP 2002028314 A JP2002028314 A JP 2002028314A JP 2003229529 A JP2003229529 A JP 2003229529A
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純一 市橋
Shigeaki Mashita
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 オーディオアンプを構成する混成集積回路装
置を軽量化・薄型化し、導電パターンから発生する副射
ノイズを低減する。 【解決手段】 導電路12が設けられた基板11に開口
部15を形成する。開口部15を覆うように回路装置2
0を基板11上に実装する。回路装置20の裏面に裏面
部品14を実装し、裏面部品14を開口部15に実装す
る。このように構成することにより、回路装置内部の回
路素子と裏面部品14との距離を最短にすることができ
るので、導電路から発生する副射ノイズを低減させるこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は混成集積回路装置お
よびオーディオアンプに関し、特に、導電パターンから
発生する副射ノイズを低減させ且つ軽量化・薄型化を実
現する混成集積回路装置およびオーディオアンプに関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】一般的な混成集積回路装置では、金属基
板や樹脂製の基板の表面に導電パターンが形成される。
そして、トランジスタ等の回路素子は、この導電パター
ン上に半田等の導電ペーストを介して実装される。この
ような混成集積回路装置は、例えばオーディオアンプと
して用いられる。
【0003】一方、最近のオーディオアンプでは、省電
力で発熱の少ないD級アンプが積極的に利用されるよう
になった。D級アンプは、電力効率が良い等の長所を有
していると同時に、信号歪みが大きい等の短所も有して
いる。従って、D級アンプを使用する場合は、ローパス
フィルターが必要となる。このローパスフィルターでタ
イミング管理や電源レベル管理を行う事によって、信号
の歪みを極力抑えている。
【0004】図3を参照して、オーディオアンプとして
用いられる混成集積回路装置30について説明する。
【0005】混成集積回路装置30は、次のような要素
から構成されている。即ち、基板31と、基板31上に
形成された導電路32と、導電路32の所望の位置に半
田等のロウ材を介して固着された回路部品33および回
路装置34等から、混成集積回路装置30は構成されて
いる。以上の様な構成を有する混成集積回路装置30は
様々な用途に使用され、例えば、オーディオアンプとし
ても使用される。
【0006】次に、図4を参照して、D級アンプを用い
たオーディオアンプの動作例について説明する。
【0007】Q1およびQ2は半導体素子であり、電源
コンデンサC1およびC2からの電流を、交互に高速
(数百kHz以上)でON/OFFスイッチングしてい
る。このことによりパルス幅をオーディオ信号で変調
(PWM変調)している。そして、キャリア信号をLC
ローパスフィルタで除去することにより、増幅したオー
ディオ信号をスピーカーに出力している。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この様
なオーディオアンプに用いられる混成集積回路装置は以
下のような問題を有していた。
【0009】第1に、電源コンデンサ(C1、C2)か
ら半導体素子(Q1、Q2)までの間や、半導体素子
(Q1、Q2)からLCローパスフィルタまでの間の距
離が長くなってしまう。従って、導電路による寄生イン
ダクタンスに流れる高周波電流により、多くの副射ノイ
ズが発生してしまう問題があった。
【0010】第2に、LCローパスフィルタを構成する
コイルおよびコンデンサを、基板に面実装した場合、オ
ーディオアンプに用いられる混成集積回路装置が大型化
してしまう問題があった。
【0011】従って、本発明の第1の目的は、副射ノイ
ズの発生が少ない混成集積回路装置およびオーディオア
ンプを提供することである。また、本発明の第2の目的
は、小型化・薄型化された混成集積回路装置およびオー
ディオアンプを提供することである。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の回路装置は上述
した課題を鑑みて成され、請求項1の発明の混成集積回
路装置は、導電路が形成され且つ開口部を有する基板
と、前記開口部を覆うように前記基板に実装される回路
装置とを有し、前記回路装置の裏面には裏面部品が実装
され、前記裏面部品は前記開口部に収納されることを特
徴とする。
【0013】請求項2の発明の混成集積回路装置は、請
求項1記載の発明に於いて、前記回路装置は、分離溝に
より電気的に分離された複数の導電パターンと、所望の
前記導電パターン上に固着された回路素子と、前記回路
素子を被覆し且つ前記導電パターンおよび前記回路素子
を一体に支持する絶縁性樹脂とを有することを特徴とす
る。
【0014】請求項3の発明の混成集積回路装置は、請
求項1から請求項2のいずれかに記載の発明に於いて、
前記回路装置の裏面には、複数個の前記裏面部品が実装
されることを特徴とする。
【0015】請求項4の発明の混成集積回路装置は、請
求項1から請求項3のいずれかに記載の発明に於いて、
前記基板には両面に前記導電路が形成され、前記導電路
は前記基板に設けられたスルーホールで電気的に接続さ
れることを特徴とする。
【0016】請求項5の発明の混成集積回路装置は、請
求項1から請求項4のいずれかに記載の発明に於いて、
前記基板の片方の面または両面には、前記回路装置の他
に回路部品が実装されることを特徴とする。
【0017】請求項6の発明のオーディオアンプは、導
電路が形成され且つ開口部を有する基板と、前記開口部
を覆うように前記基板に実装される回路装置とを有し、
前記回路装置の裏面には裏面部品が実装され、前記裏面
部品は前記開口部に収納されることを特徴とする。
【0018】請求項7の発明のオーディオアンプは、請
求項6記載の発明に於いて、前記回路装置は、分離溝に
より電気的に分離された複数の導電パターンと、所望の
前記導電パターン上に固着された回路素子と、前記回路
素子を被覆し且つ前記導電パターンおよび前記回路素子
を一体に支持する絶縁性樹脂とを有することを特徴とす
る請求項8の発明のオーディオアンプは、請求項6から
請求項7のいずれかに記載の発明に於いて、前記裏面部
品は、ローパスフィルターを構成するコイルおよび/ま
たはコンデンサであることを特徴とする。
【0019】請求項9の発明のオーディオアンプは、請
求項7から請求項8のいずれかに記載の発明に於いて、
前記回路素子は、D級アンプを構成する半導体素子であ
ることを特徴とする。
【0020】以上のことから、混成集積回路装置および
オーディオアンプを、薄型・軽量化することができる。
【0021】更に、回路素子を内部に有する回路装置の
裏面に裏面部品を実装するので、回路素子と裏面部品と
の距離を最短にすることが可能となる。従って、導電路
の寄生インダクタンスにより発生する副射ノイズを低減
させることができる。
【0022】
【発明の実施の形態】(混成集積回路装置10を説明す
る第1の実施の形態)図1を参照して、本発明に係るオ
ーディオアンプを構成する混成集積回路装置10の構造
を説明する。図1(A)は混成集積回路装置10の斜視
図であり、図1(B)は図1のX−X‘線に於ける断面
図である。
【0023】図1(A)および図1(B)を参照して、
混成集積回路装置10は次の様な構成要素を有する。即
ち、開口部15を有する基板11と、基板の両面に形成
された導電路12と、導電路12の所望の位置に固着さ
れた回路部品13と、開口部15を覆うように導電路1
2に固着された回路装置20と、回路装置20裏面に固
着された裏面部品14とから混成集積回路装置10は構
成されている。このような混成集積回路装置10の構成
要素を以下にて説明する。
【0024】基板11としては、通常の混成集積回路装
置に用いられるものであれば全てのものが採用できる。
具体的には金属基板、樹脂製の基板またはセラミック基
板等を用いることができる。また、導電性の基板を使用
する場合は、基板の表面に絶縁被膜が設けられる。ここ
で、両面に導電路が設けられる場合は、基板11にスル
ーホールが設けられる(図示せず)。
【0025】更に、図1(B)を参照して、基板11に
は開口部15が設けられている。開口部には、裏面部品
14が少なくとも1つ収納される。従って、この開口部
15の形状および大きさは、内部に収納される裏面部品
の個数や大きさに合わせて調節する。
【0026】回路部品13は、導電路12の所望の位置
に半田等のロウ材を介して固着される。回路部品13と
しては、能動素子や受動素子を全般的に採用できる。更
に、樹脂封止型の回路装置等も、回路部品13として採
用できる。
【0027】回路装置20は、半田等のロウ材を介し
て、開口部15を覆うように実装されており、その内部
には能動素子や受動素子を有している。更に回路装置2
0の裏面の開口部に対応する部分には、裏面部品が実装
される。ここで、回路装置20は、全体が樹脂層で支持
されている薄型のものである。この事に関しては、回路
装置20を説明する第2の実施の形態で説明する。
【0028】裏面部品14としては、回路部品13と同
じように能動素子や受動素子が全般的に採用される。そ
して、裏面部品14は回路装置20裏面の導電パターン
に、半田等のロウ材を介して実装されるので、開口部1
5に収納される形となる。また、ローパスフィルターを
構成するコイルやコンデンサを、裏面部品14として採
用することもできる。図1(B)では、1つの裏面部品
14が回路装置20の裏面に実装されているが、複数の
裏面部品14を実装することも可能である。
【0029】上記の様な構成を有する混成集積回路装置
10は、例えば、出力端子がスピーカーに接続され、オ
ーディオアンプとして用いられる。
【0030】この実施の形態では、以下に示すような効
果を奏することができる。
【0031】第1に、基板11に設けられた開口部15
を覆うように実装された回路装置20の裏面に、裏面部
品14を実装することにより、開口部15に裏面部品1
4を収納することができる。従って、混成集積回路装置
10を薄型化・軽量化することができる。また、裏面部
品として、コイルやコンデンサを採用した場合、これれ
らは面実装であっても比較的大型のものである。このよ
うな大型の素子を開口部に収納することにより、混成集
積回路装置10を小型化することができる。
【0032】第2に、回路装置20内部の素子は、導電
路を介さずに裏面部品14と電気的に接続されている。
従って、回路装置20内部の素子と裏面部品14との距
離を最短にすることが可能となる。このことにより、裏
面部品14として、ローパスフィルタを構成するコイル
やコンデンサを採用した場合、寄生インダクタンスを低
減させる事が可能となる。以上のことから、副射ノイズ
を低減させることができる。 (回路装置20を説明する第2の実施の形態)図2を参
照して、混成集積回路装置10に実装される回路装置2
0を説明する。図2(A)は回路装置20の平面図であ
り、図2(A)はその断面図である。
【0033】図2(A)および図2(B)を参照して、
回路装置20は、導電パターン23と、導電パターン2
3の表面に実装された回路素子21と、回路素子21と
導電パターン23との電気的接続を行う金属細線22
と、上記要素を被覆し且つ全体を支持する絶縁性樹脂2
4とから構成されている。このような回路装置を構成す
る各要素の説明を行う。
【0034】導電パターン23としては、Cuを主材料
とした導電箔、Alを主材料とした導電箔、またはFe
−Ni等の合金から成る導電箔等を用いることができ
る。もちろん他の導電材料でも可能であり、特にエッチ
ングできる導電材が好ましい。また、ダイパッドおよび
ボンディングパッドとなる部分には、メッキ膜が形成さ
れる。
【0035】回路素子21としては、例えば、半導体ベ
アチップが採用される。そして、回路素子21はフェイ
スアップで固着され、金属細線22を介して導電パター
ン23との電気的接続が行われている。ここで、回路素
子21をフェイスダウンで実装しても良い。また、回路
素子21としては半導体ベアチップのみでは限られず、
能動素子や受動素子を全般的に採用することができる。
更にまた、図では1つの回路素子21が実装されている
が、複数個の回路素子21を導電パターン23に実装す
ることも可能である。
【0036】絶縁性樹脂24としては、エポキシ樹脂等
の熱硬化性樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサル
ファイド等の熱可塑性樹脂を用いることができる。また
絶縁性樹脂は、金型を用いて固める樹脂、ディップ、塗
布をして被覆できる樹脂であれば、全ての樹脂が採用で
きる。本発明に於いて、絶縁性樹脂24は半導体素子等
を封止すると同時に、回路装置全体を支持する働きも有
する。
【0037】上記のような構成を有する回路装置20
は、第1の実施の形態で説明したように、基板11の開
口部15を覆うように実装される。そして回路装置20
の裏面には、裏面部品14が実装され、回路素子21と
裏面部品14とは電気的に接続される。
【0038】この実施の形態では、以下に示すような効
果を奏することができる。
【0039】第1に、回路装置20は実装基板無しで構
成されているので、回路素子21の駆動時に発生する熱
を、効率よく放熱させることができる。
【0040】第2に、回路素子21と裏面部品14との
距離が非常に短いので、副射ノイズを低減させることが
できる。
【0041】ここで、回路装置30としては、上記した
ような実装基板を不要にしたタイプのものだけに限られ
ない。プリント基板等のインターポーザを用いたパッケ
ージ型の回路装置等を採用することも可能である。
【0042】
【発明の効果】本発明の混成集積回路装置およびオーデ
ィオアンプによれば、以下に示すような効果を奏するこ
とができる。
【0043】第1に、回路素子を内部に有する回路装置
の裏面に裏面部品を実装するので、回路素子と裏面部品
との距離を最短にすることが可能となる。従って、導電
路の寄生インダクタンスにより発生する副射ノイズを低
減させることができる。
【0044】第2に、基板に設けられた開口部に、裏面
部品を収納するので、混成集積回路装置およびオーディ
オアンプを薄型化・軽量化することができる。
【0045】第3に、裏面部品が実装される回路装置
は、実装基板無しで構成されているので、混成集積回路
装置およびオーディオアンプを薄型化・軽量化すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る混成集積回路装置の斜視図(A)
および断面図(B)である。
【図2】混成集積回路装置10に実装される回路装置2
0の平面図(A)および断面図(B)である。
【図3】従来の混成集積回路装置30の斜視図である。
【図4】D級アンプの動作例を説明する回路図である。
【符号の説明】 10 混成集積回路装置 20 回路装置 12 導電路 13 回路部品 14 裏面部品 15 開口部 20 回路装置
フロントページの続き Fターム(参考) 5J091 AA02 AA19 AA41 CA41 CA92 FA16 HA09 HA29 HA33 KA42 KA66 QA04 SA05 UW10 5J500 AA02 AA19 AA41 AC41 AC92 AF16 AH09 AH29 AH33 AK42 AK66 AQ04 AS05 WU10

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 導電路が形成され且つ開口部を有する基
    板と、 前記開口部を覆うように前記基板に実装される回路装置
    とを有し、 前記回路装置の裏面には裏面部品が実装され、前記裏面
    部品は前記開口部に収納されることを特徴とする混成集
    積回路装置。
  2. 【請求項2】 前記回路装置は、分離溝により電気的に
    分離された複数の導電パターンと、所望の前記導電パタ
    ーン上に固着された回路素子と、前記回路素子を被覆し
    且つ前記導電パターンおよび前記回路素子を一体に支持
    する絶縁性樹脂とを有することを特徴とする請求項1記
    載の混成集積回路装置。
  3. 【請求項3】 前記回路装置の裏面には、前記導電パタ
    ーンに接続された複数個の前記裏面部品が実装されるこ
    とを特徴とする請求項1から請求項2のいずれかに記載
    の混成集積回路装置。
  4. 【請求項4】 前記基板には両面に前記導電路が形成さ
    れ、前記導電路は前記基板に設けられたスルーホールで
    電気的に接続されることを特徴とする請求項1から請求
    項3のいずれかに記載の混成集積回路装置。
  5. 【請求項5】 前記基板の片方の面または両面には、前
    記回路装置の他に回路部品が実装されることを特徴とす
    る請求項1から請求項4のいずれかに記載の混成集積回
    路装置。
  6. 【請求項6】 導電路が形成され且つ開口部を有する基
    板と、 前記開口部を覆うように前記基板に実装される回路装置
    とを有し、 前記回路装置の裏面には裏面部品が実装され、前記裏面
    部品は前記開口部に収納されることを特徴とするオーデ
    ィオアンプ。
  7. 【請求項7】 前記回路装置は、分離溝により電気的に
    分離された複数の導電パターンと、所望の前記導電パタ
    ーン上に固着された回路素子と、前記回路素子を被覆し
    且つ前記導電パターンおよび前記回路素子を一体に支持
    する絶縁性樹脂とを有することを特徴とする請求項6記
    載のオーディオアンプ。
  8. 【請求項8】 前記裏面部品は、ローパスフィルターを
    構成するコイルおよび/またはコンデンサであることを
    特徴とする請求項6から請求項7のいずれかに記載のオ
    ーディオアンプ。
  9. 【請求項9】 前記回路素子は、D級アンプを構成する
    半導体素子であることを特徴とする請求項7から請求項
    8のいずれかに記載のオーディオアンプ。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008193544A (ja) * 2007-02-07 2008-08-21 Fujitsu Ltd 信号特性に応じて内部整合をとる増幅器
JP2009055116A (ja) * 2007-08-23 2009-03-12 Sanyo Electric Co Ltd ローパスフィルタ及びオーディオアンプ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008193544A (ja) * 2007-02-07 2008-08-21 Fujitsu Ltd 信号特性に応じて内部整合をとる増幅器
JP2009055116A (ja) * 2007-08-23 2009-03-12 Sanyo Electric Co Ltd ローパスフィルタ及びオーディオアンプ

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