JP2003229325A

JP2003229325A - 電子部品の製造方法

Info

Publication number: JP2003229325A
Application number: JP2002344682A
Authority: JP
Inventors: Hisashi Sato; 恒佐藤; Takashi Ito; 伊藤　　隆; Katsura Hayashi; 桂林; Tadashi Nagasawa; 忠長澤
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-11-28
Filing date: 2002-11-27
Publication date: 2003-08-15

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、工程を大幅に短縮できるととも
に、内部電極とビアホール導体の電気的接続が良好であ
り、且つ微小なビアホール導体が形成可能である多層セ
ラミック電子部品のビアホール導体形成方法及びそれを
用いたコンデンサを提供する。【解決手段】本発明の電子部品１０の製造方法は、バ
インダ樹脂を含むセラミックグリーンシート２を積層す
るとともに、セラミックグリーンシート２間に内部電極
３、４を配置した誘電体ブロック１に４００ｎｍ以下の
波長のレーザ光を照射することによって積層方向に貫通
する貫通孔１５、１６を形成し、且つ貫通孔１５、１６
に導電性ペーストを充填してなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックグリー
ンシートを用いた積層体上にレーザ光を用いて貫通孔を
形成し、かつその貫通孔に導電性ペーストを充填してビ
アホール導体を形成する工程を含む電子部品の製造方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】代表的な電子部品である積層セラミック
コンデンサにおいて、近年、等価直列抵抗、等価直列イ
ンダクタンスを低くするために、内部電極間をビアホー
ル導体で接続する構造が増えてきている。

【０００３】従来の積層セラミックコンデンサの製造方
法を図３に示す。

【０００４】図３（ａ）のように、誘電体層となるセラ
ミックグリーンシート４２に、マイクロドリル又はパン
チングを用いた打ち抜き法などにより、あらかじめ貫通
孔４５、４６をあけておく。次に、図３（ｂ）のよう
に、スクリーン印刷法により、セラミックグリーンシー
ト４２上に内部電極３３、３４を印刷すると同時に、貫
通孔４５、４６に導電性ペーストを充填することによ
り、ビアホール導体３５、３６を形成する。そして、こ
のようにして得られたセラミックグリーンシート４２を
図３（ｃ）のように貫通孔４５、４６が一致するように
積層して積層体４１を形成する。その後、所望の位置で
積層体４１を切断し、焼成処理することで積層セラミッ
クコンデンサが得られる。

【特許文献１】特開平１０−２７０２８２号公報

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
積層セラミックコンデンサは、小型高容量化の要求が高
まり、薄膜多積層化となってきている。そして、上記貫
通孔の形成方法によれば、誘電体層となるセラミックグ
リーンシート４２に１層毎にビアホール導体４５、４６
を形成しているため、積層数が多くなると工程が非常に
長くなり、上記要求に応えることができなかった。

【０００６】ここで、工程短縮のために、内部電極３
３、３４を印刷したセラミックグリーンシート４２を複
数積層して積層体４１を形成した後に、積層体４１の主
面側からマイクロドリル、パンチング等を用いて貫通孔
を形成し、この貫通孔に導電性ペーストを充填すること
で、積層体４１の積層方向を貫くビアホール導体３５、
３６を形成する方法も考えられる。

【０００７】しかしながら、マイクロドリルを用いて積
層体４１に貫通孔を開ける方法では、加工くずが内部電
極３３、３４に被さってしまい、内部電極３３、３４と
ビアホール導体３５、３６との電気的接続が悪化すると
いう問題があった。

【０００８】一方、パンチングを用いて積層体４１に貫
通孔を開ける方法では、パンチだれが発生してしまい、
内部電極３３、３４とビアホール導体の電気的接続が悪
化するという問題があった。

【０００９】さらに、マイクロドリルやパンチングを用
いて貫通孔を開ける方法では、ドリル径あるいはパンチ
径は最小でも１５０μｍ程度であり、要求される微細加
工には適していなかった。特に、貫通孔の径が小さくな
ると穴あけ加工中にドリルまたはパンチング用ピンが積
層体４１内に入り込んで折れてしまうという問題があっ
た。

【００１０】本発明は、上記課題を鑑みてなされたもの
であり、その目的は、工程を大幅に短縮できるととも
に、内部電極とビアホール導体の電気的接続が良好であ
り、且つ微小なビアホール導体が形成可能である電子部
品の製造方法を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明は、バインダ樹脂を含むセラミックグリーン
シートを用意する工程と、該セラミックグリーンシート
上に配線パターンとなる導体膜を形成する工程と、該導
体膜が形成されたセラミックグリーンシートを複数積層
して積層体を形成する工程と、該積層体上の所定位置
に、波長が４００ｎｍ以下のレーザ光を照射することに
よって積層方向に前記セラミックグリーンシートと導体
膜との双方を貫通する貫通孔を形成する工程と、該貫通
孔に導電性ペーストを充填する工程と、該積層体を焼成
する工程とを有する電子部品の製造方法を提供する。

【００１２】また、前記セラミックグリーンシートに含
まれるバインダ樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）が、前記
導体膜に含まれるバインダ樹脂のガラス転移温度（Ｔ
ｇ）以下である。

【００１３】さらに、前記セラミックグリーンシート
は、ＵＶ吸収剤を含む。

【作用】本発明の構成によれば、セラミックグリーンシ
ートに波長が４００ｎｍ以下のレーザ光を直接照射する
と、レーザの照射位置ではセラミックグリーンシートの
セラミック粒子同士を保持するバインダ樹脂が分解し、
セラミックグリーンシートの所望の形状が崩れてセラミ
ック粒子がバラバラになる。即ち、バインダ樹脂に４０
０ｎｍ以下の波長のレーザ光が照射すると、高温を発生
せずにバインダ樹脂を構成するＣ−Ｃ結合、Ｃ−Ｈ結
合、Ｃ−Ｏ結合の分子鎖が切断されてバインダ樹脂本来
の機能を失うことになり、この照射位置に繰り返しレー
ザ照射を行うことにより貫通孔が形成できるものであ
る。なお、この分解されたセラミック粒子等を吸引手段
により除去しながら貫通孔を形成する方が開孔効率を向
上させることができる。

【００１４】ここで、レーザ光の波長が４００ｎｍを越
える場合、レーザ光による急速局所加熱により貫通孔を
形成することになるため、セラミックグリーンシートに
比べて融点の低い内部電極の早期蒸発が起こり、内部電
極の貫通孔に露出する部分が消失し、内部電極とビアホ
ール導体の電気的接続を不能にしてしまう。

【００１５】また、貫通孔用のレーザ光が高温を発生せ
ずにバインダ樹脂の分子鎖を切断して貫通孔を形成する
ので、内部電極が貫通孔に露出した状態で形成され、こ
れにより、内部電極とビアホール導体との接続性が向上
し、抵抗値を小さくすることができる。

【００１６】また、レーザ光により貫通孔を形成するの
で、１００μｍ以下の径の貫通孔が容易に形成すること
が可能であり、１００μｍ以下の微小なビアホール導体
を精度良く形成すると高密度実装や、低インダクタンス
化を実現できた電子部品を提供できる。

【００１７】また、セラミックグリーンシートに含まれ
るバインダ樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）が、導体膜に
含まれるバインダ樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）以下で
あるため、レーザ光の照射の際に、セラミックグリーン
シートに含まれるバインダ樹脂の粘度が低くなりやすい
ことから、セラミック粒子が除去されやすくなり、セラ
ミックグリーンシートが内部電極の貫通孔に露出する部
分を塞いでしまうという問題点を解決できる。

【００１８】さらに、セラミックグリーンシートは、Ｕ
Ｖ吸収剤を含むため、レーザ光の照射の際に、レーザ光
がセラミックグリーンシートに均一に当たりやすくなる
ことから、このことによっても、セラミック粒子が除去
されやすくなり、セラミックグリーンシートが内部電極
の貫通孔に露出する部分を塞いでしまうという問題点を
さらに効果的に解決できる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して実施の形態
を説明する。図面において、なお、各符号は焼成の前後
で区別しないことにする。また、代表的な電子部品とし
て、積層セラミックコンデンサを例にとって説明する。

【００２０】図１は、本発明の積層セラミックコンデン
サの一実施形態を示す断面図である。図２は、本発明の
積層セラミックコンデンサの製造方法の一実施形態を示
す断面図である。

【００２１】図において、積層セラミックコンデンサ１
０は、誘電体ブロック１内部に配線パターンである内部
電極３、４が形成され、また、誘電体ブロック１の両端
側にビアホール導体５、６が形成され、ビアホール導体
５、６に接続された外部電極７、８が形成されている。

【００２２】誘電体ブロック１は、誘電体層２を複数積
層して形成されている。この誘電体層２の焼成前は、セ
ラミック粉末と焼結助剤に溶剤、可塑剤、分散材、バイ
ンダ樹脂を混合してセラミックスラリーをシート状に成
型して乾燥したセラミックグリーンシートからなる。成
型法にはドクターブレード法、引き上げ法、ダイコータ
ー、グラビアロールコーターなどが用いられる。

【００２３】セラミックグリーンシートのセラミック粉
末としては、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ₃）等の誘
電体材料に、必要に応じて無機酸化物などを混合する。
焼結助剤は、焼成による収縮開始温度を低くする機能を
有し、材料としてガラス成分となる液相形成物質、金属
酸化物などが用いられる。溶剤としては、例えば水、ト
ルエン、酢酸エチル、または、これらの混合物などが用
いられる。可塑剤としては、例えばポリエチレングリコ
ール、フタール酸エステルなどが用いられる。

【００２４】バインダ樹脂としては例えばポリビニルブ
チラール、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセター
ル、セルロース、水溶性アクリル樹脂、エマルジョンな
どが用いられる。中でも、ポリビニルブチラールを用い
ると、誘電体層２を薄層化した際に充分な強度を得るこ
とができる点で好ましい。これらは、Ｃ−Ｃ結合、Ｃ−
Ｈ結合、Ｃ−Ｏ結合の分子鎖が集合した構造を有してい
る。代表的なポリビニルブチラールの構造式を以下に示
す。

【００２５】

【化１】

【００２６】また、セラミックグリーンシート２は、Ｕ
Ｖ吸収剤を含むことが望ましい。このことにより、レー
ザ光の照射の際に、レーザ光がセラミックグリーンシー
ト２に均一に当たりやすくなることから、セラミック粒
子が除去されやすくなり、図６に示すように、セラミッ
クグリーンシート２が内部電極３、４の貫通孔１５、１
６に露出する部分を塞いでしまうという問題点を解決で
きる。ＵＶ吸収剤の例としては、脱バインダ時に燃焼分
解することが望ましいため、ナフタレン骨格、アントラ
セン骨格、アミノベンゾフェノン骨格をもつ有機化合物
など、Ｃ、Ｏ、Ｈ、Ｎ原子のみからなる化合物が挙げら
れる。

【００２７】内部電極３、４は誘電体層２の同一平面上
にそれぞれが一定間隔を開けて複数形成されており、誘
電体層２を挟んで、内部電極３と内部電極４が互いに対
向する領域Ｘと対向していない領域Ｙとが形成されるよ
うに配置されている。そして、内部電極３は誘電体ブロ
ック１の主面側から数えて偶数番目の誘電体層２の上面
に形成されており、この内部電極３がビアホール導体６
に接続され、その他には非接触である。また、内部電極
４は誘電体ブロック１の主面側から数えて偶数番目の誘
電体層２の上面に形成されており、ビアホール導体５に
接続され、その他は非接触である。

【００２８】内部電極３、４は、その焼成前は導電性ペ
ーストを印刷形成してなる。導電性ペーストは、金属粉
末が、有機溶剤にバインダ樹脂を溶解させた有機ビヒク
ル中に分散させてなるものであり、有機ビヒクル中に
は、これらの他、各種分散剤、活性剤、可塑剤などが必
要に応じて添加される。

【００２９】導電性ペーストの金属粉末としては、Ｃ
ｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ及びこれらの合金が用いられる。

【００３０】また、導電性ペーストに用いられる溶剤
は、バインダ樹脂を溶解して金属粉末粒子を分散させ、
このような混合系全体をペースト状にする役割をなし、
例えば、α−テルピネオールやベンジルアルコール等の
アルコール系や炭化水素系・エーテル系・ＢＣＡ（ブチ
ルカルビトールアセテート）等のエステル系・ナフサ等
が用いられ、特に、金属粉末の分散性を良くするという
観点からは、α−テルピネオール等のアルコール系溶剤
を用いることが好ましい。

【００３１】導電性ペーストに用いられるバインダ樹脂
は、金属粉末を均質に分散させるとともに貫通孔１５、
１６への埋め込みに適正な粘度とレオロジーを与える役
割をもっており、例えば、アクリル樹脂やフェノール樹
脂・アルキッド樹脂・ロジンエステル・エチルセルロー
ス・メチルセルロース・ＰＶＡ（ポリビニルアルコー
ル）・ポリビニルブチラート等が用いられる。特に、印
刷性状を良好にするという観点からは、エチルセルロー
スを用いることが好ましい。これらは、セラミックグリ
ーンシートに用いられるバインダ樹脂と同様にＣ−Ｃ結
合、Ｃ−Ｈ結合、Ｃ−Ｏ結合の分子鎖が集合した構造を
有している。代表的なエチルセルロースの構造式を以下
に示す。

【００３２】

【化２】

【００３３】ここで、セラミックグリーンシート２に含
まれるバインダ樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）が、導体
膜３、４に含まれるバインダ樹脂のガラス転移温度（Ｔ
ｇ）より低いことが望ましい。このことにより、レーザ
光の照射の際に、セラミックグリーンシート２に含まれ
るバインダ樹脂の粘度が低くなりやすいことから、セラ
ミック粒子が除去されやすくなり、図６に示すように、
セラミックグリーンシート２が内部電極３、４の貫通孔
１５、１６に露出する部分を塞いでしまうという問題点
を解決できる。このため、例えば、セラミックグリーン
シート２に含まれるバインダ樹脂としてポリビニルブチ
ラール（Ｔｇ：６０〜８０℃）を用いた場合、導体膜
３、４に含まれるバインダ樹脂としてエチルセルロース
（Ｔｇ：１４０〜１６０℃）を用いると良い。

【００３４】有機ビヒクル中の分散剤としては、例えば
ロジン、グリセリン、オクタデシルアミン、トリクロロ
酢酸、オレイン酸、オクタジエン、オレイン酸エチル、
モノオレイン酸グリセリン、トリオレイン酸グリセリ
ン、トリステアリン酸グリセリン、メンセーデン油など
が用いられる。

【００３５】ビアホール導体５、６は本発明の貫通孔１
５、１６（図２（ｂ）参照、以下同じ）内に導電性ペー
ストを充填して形成されている。

【００３６】貫通孔１５、１６の形成に使用されるレー
ザは、４００ｎｍ以下の波長のレーザが用いられ、好ま
しくは２００ｎｍ〜３５０ｎｍの波長のレーザが用いら
れる。４００ｎｍ以上ではバインダ樹脂の分子鎖を切る
レーザ光とはならず、レーザ光による急速局所加熱でバ
インダ樹脂が熱分解とセラミック構成部分の蒸発が起こ
り、貫通孔１５、１６に内部電極３、４が露出させるこ
とができない。特に３５０ｎｍ以下であるとバインダ樹
脂の分子間同士で結合している分子鎖、例えば、Ｃ−Ｃ
結合、Ｃ−Ｈ結合、Ｃ−Ｏ結合の分子鎖を切断できる種
類が多くなり貫通孔１５、１６を形成しやすくなる。な
お、２００ｎｍ以下の波長のレーザを現在形成すること
は困難である。

【００３７】レーザの種類としてはＵＶ−ＹＡＧレーザ
あるいはエキシマレーザなどが使用できる。特に４００
ｎｍ以下の波長のレーザを用い、径が１００μｍ以下で
貫通孔１５、１６を精度良く形成するためには、特にＵ
Ｖ−ＹＡＧレーザが好適である。

【００３８】なお、貫通孔１５、１６を形成するのにバ
インダ樹脂が分解したセラミック粉末を除去する除去手
段を有するのが好ましい。

【００３９】即ち、レーザ光の照射と同時に除去手段を
用いると、分解したセラミック粉末で照射位置が覆われ
ず、常に、直接、バインダ樹脂にレーザ光を照射させる
ことができ、開孔効率を向上させることができる。

【００４０】また、貫通孔１５、１６を形成した後に除
去手段を用いる方法としては、水中に浸して超音波洗浄
を行うことにより、残留した加工くずを完全に除去して
も良い。更に、貫通孔１５、１６内に空気流を吹き付け
て、貫通孔１５、１６内のくずを除去してもよい。貫通
孔１５、１６を形成後でも、除去手段を用いることによ
り貫通孔１５、１６内壁に付着したセラミックグリーン
シート２の加工くずを完全に除去することができ、内部
電極３、４とビアホール導体５、６を確実に接続するこ
とができる。

【００４１】この貫通孔１５、１６は、内部電極３、４
が互いに対向しない領域Ｙ、具体的には奇数番目の誘電
体層１２の領域１３と偶数番目の誘電体層１２の領域１
４の中心を貫通している。

【００４２】貫通孔１５、１６に充填される導電性ペー
ストとしては、内部電極３、４がＮｉを主成分とする場
合、Ｃｕ、Ｎｉ、及びセラミックグリーンシート２に含
まれるセラミック粒子と略同一成分の含有量を夫々ａ、
ｂ、ｃとした場合、体積比で０．０１≦ａ≦０．３、
０．５≦ｂ≦０．９、０．０１≦ｃ≦０．２、ａ＋ｂ＋
ｃ＝１の範囲にあることが望ましい。すなわち、ａが
０．０１未満である場合、Ｎｉを主成分とする内部電極
３、４との電気的接続が不十分となる。一方、ａが０．
３を超える場合、ＣｕはＮｉより融点が低く、焼成時に
蒸発しやすいため、ビアホール導体５、６内の空隙が多
くなってしまう。また、ｂが０．５未満である場合、Ｃ
ｕはＮｉより融点が低く、焼成時に蒸発しやすいため、
ビアホール導体５、６内の空隙が多くなってしまう。一
方、ｂが０．９を超える場合、Ｎｉを主成分とする内部
電極３、４との電気的接続が不十分となる。さらに、ｃ
が０．０１未満である場合、焼成時にビアホール導体
５、６の焼結がセラミックグリーンシート２より早く起
こり、クラックの原因となる。一方、ｃが０．２を超え
る場合、ビアホール導体５、６の導電性が低下する。こ
の貫通孔１５、１６に充填した導電性ペーストをセラミ
ックグリーンシートとの一体焼成によって形成できる。
この様に形成したビアホール導体５が内部電極３を貫通
して電気的に接続し、ビアホール導体６が内部電極４を
貫通し手電気的に接続されることになる。

【００４３】このようにして形成したビアホール導体
５、６のうち、ビアホール導体５は誘電体ブロック１の
主面に形成した外部電極７に接続され、ビアホール導体
６は誘電体ブロック１の主面に形成した外部電極８に接
続される。これにより、内部電極３、４の各々が対向す
ることで、容量成分を形成することができる。

【００４４】外部電極７、８は、内部電極と同じ材料が
用いられ、セラミックグリーンシートを一体焼成した後
に印刷にて形成される。

【００４５】次に、本発明の電子部品の製造方法を説明
する。なお、積層セラミックコンデンサ１０の製造方法
の例について説明する。

【００４６】セラミック粉末と焼結助剤に溶剤、分散
剤、バインダ樹脂などを混合したスラリーから、ドクタ
ーブレード法で、誘電体層となるセラミックグリーンシ
ート２を成型する。

【００４７】成型された複数のセラミックグリーンシー
ト２に内部電極３、４をそれぞれ形成し、図２（ａ）に
示すように、内部電極３と内部電極４のそれぞれが形成
された２種類のセラミックグリーンシート２を交互に所
要枚数を積み重ね、その上下から加圧焼成して積層体１
１を形成する。

【００４８】次に、図２（ｂ）に示すように、積層体１
１の主面に波長が３５０ｎｍのＵＶ−ＹＡＧレーザを照
射する。レーザ光の照射は、バースト加工、すなわちレ
ーザ光の径を目的の貫通孔１５、１６の径よりも細くし
て、レーザ光の照射を繰り返すことにより、貫通孔１
５、１６を形成する。すなわち、まず、図４（ａ）に示
すように、貫通孔１５、１６となる領域のほぼ中心部に
レーザ光Ｌ_aを照射することにより、中心貫通孔１５
ａ、１６ａを形成する。次に、図４（ｂ）に示すよう
に、積層体１１を貫通するように、中心貫通孔１５ａ、
１６ａの周辺に穿設位置を移動させながら、渦巻状に徐
々に外側にレーザ光Ｌ_nを照射していき、貫通孔１５、
１６となる領域の周辺位置まで周辺貫通孔１５ｎ、１６
ｎをあけていく。このことにより、図４（ｃ）に示すよ
うに貫通孔１５、１６を略円柱状にする。

【００４９】このため、積層体１１の積層数が１００層
以上である場合も、レーザ光Ｌ_nの照射による加工熱が
中心貫通孔１５ａ、１６ａを通って上下に放散するた
め、図７に示すように、内部電極となる導体膜３、４の
早期蒸発により、導体膜３、４の貫通孔１５、１６内に
露出する部分が消失し、内部電極３、４とビアホール導
体５、６の電気的接続を不能にするという問題点を解決
できる。そして、内部電極となる導体膜３、４が貫通孔
１５、１６に露出した状態で形成され、これにより、内
部電極３、４とビアホール導体５、６との接続性が向上
し、抵抗値を小さくすることができる。

【００５０】また、レーザ光のパルス周波数は、１〜３
０ｋＨｚ（パルス周期０．０３４〜１ｍｓ）の範囲にあ
ることが望ましい。すなわち、レーザ光のパルス周波数
が１ｋＨｚより低い場合、レーザ光による穿設時間が長
くなり、生産性が低下するという問題点がある。一方、
レーザ光のパルス周波数が３０ｋＨｚより高い場合、レ
ーザ光の照射による加工熱が大きくなり、内部電極とな
る導体膜３、４の早期蒸発により、内部電極３、４とビ
アホール導体５、６の電気的接続を不能にしてしまう。

【００５１】この場合、レーザ照射と同時に、バインダ
樹脂が分解しバラバラになったセラミック粉末の真空引
きを行う。

【００５２】次に、貫通孔１５、１６が形成された積層
体１１を水中に浸して超音波洗浄を行うことにより、残
留した加工くずを完全に除去する。更に、図２（ｃ）に
示すように、形成された貫通孔１５、１６内に、スクリ
ーン印刷法により、ビアホール導体５、６となる導電性
ペーストを充填する。これによってビアホール導体５、
６が形成される。

【００５３】更に、積層体１１を押し切り刃で誘電体ブ
ロック１にカットする。積層体１１が厚い場合はダイシ
ング方式でカットをするのが望ましい。

【００５４】次に誘電体ブロック１は、２５０℃〜４０
０℃の炉でバインダ樹脂を除いた後、本焼成炉に入れて
セラミック材料の適温で誘電体層２、内部電極３、４、
ビアホール導体５、６を同時に１２５０〜１３００℃で
高温焼結を行う。

【００５５】その後、各ビアホール導体５、６を外部と
電気的に接続するために、導電性ペーストをスクリーン
印刷等で塗布し焼き付け外部電極７、８を焼結体の主面
に形成する。このようにして、図１に示すような積層セ
ラミックコンデンサ１０が得られる。

【００５６】なお、本発明は以上の実施形態に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々
の変更・改良を加えることは何ら差し支えない。

【００５７】図５は、積層体に貫通孔を形成する工程の
他の実施の形態を説明する図である。図によれば、レー
ザ光Ｌ_aは、図５（ａ）に示すように、貫通孔１５、１
６となる領域のほぼ中心部にレーザ光Ｌ_aを照射するこ
とにより、中心貫通孔１５ａ、１６ａを形成する。次
に、図５（ｂ）に示すように、積層体１１上に渦巻状に
徐々に外側にレーザ光Ｌ_nを照射していき、貫通孔１
５、１６となる部分の周辺位置まで略円盤状の穴１５
ｎ、１６ｎをあけていく。具体的には、旋回加工、円周
加工、サイクル加工、トレパン加工などが用いられる。
このとき、1回の穴１５ｎ、１６ｎの形成では貫通させ
ずに、複数回の穴１５ｎ、１６ｎの形成を繰り返して、
図５（ｃ）に示すように、貫通孔１５、１６を形成す
る。

【００５８】このような方法によれば、１回のレーザ光
Ｌ_nの照射による加工熱をさらに小さくできるため、内
部電極となる導体膜３、４の早期蒸発により、内部電極
３、４とビアホール導体５、６の電気的接続を不能にす
るという問題点をさらに効果的に解決できる。

【００５９】また、ビアホール導体は、誘電体ブロック
内に複数個設けても良い。このことにより、寄生インダ
クタンスの少ない積層セラミックコンデンサを提供する
ことができる。更に、１個の誘電体ブロック内に、複数
個のコンデンサ素子を内蔵させても良く、例えば、内蔵
するコンデンサ素子の内部電極の面積を変えて、容量の
異なるコンデンサ素子を同一誘電体ブロック内に内蔵さ
せても良い。また、本発明は、積層セラミックコンデン
サ以外の電子部品にも適用できる。

【００６０】

【発明の効果】本発明の構成によれば、４００ｎｍ以下
の波長のレーザ光によりセラミックグリーンシートのバ
インダ樹脂を構成する分子鎖を切断して貫通孔を形成し
たビアホール導体であるので、内部電極が貫通孔内に確
実に露出され、内部電極とビアホール導体の電気的接続
が良好にできる電子部品が製造できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】積層セラミックコンデンサの一実施形態を示す
断面図である。

【図２】積層セラミックコンデンサの製造方法の一実施
形態を示す断面図であり、（ａ）はセラミックグリーン
シート積層後、（ｂ）は貫通孔形成後、（ｃ）はビアホ
ール導体形成後を示す図である。

【図３】従来の積層セラミックコンデンサの一実施形態
を示す断面図であり、（ａ）は貫通孔形成後、（ｂ）は
内部電極及びビアホール導体形成後、（ｃ）はセラミッ
クグリーンシート積層後を示す図である。

【図４】図２（ｂ）において、積層体に貫通孔を形成す
る工程を説明する図であり、（ａ）は貫通孔となる領域
の中心にレーザ光を照射した後、（ｂ）はレーザ光によ
るバースト加工の途中の状態（ｃ）は貫通孔の形成が終
了した後である。

【図５】図２（ｂ）において、積層体に貫通孔を形成す
る工程の他の実施の形態を説明する図であり、（ａ）は
貫通孔となる領域の中心にレーザ光を照射した後、
（ｂ）はレーザ光による1回目の旋回加工後、（ｃ）は
貫通孔の形成が終了した後である。

【図６】図２（ｂ）において、セラミックグリーンシー
トが、導体膜が貫通孔内に露出した部分を塞いだ状態を
示す部分拡大図である。

【図７】図２（ｂ）において、内部電極となる導体膜の
早期蒸発により、導体膜が貫通孔内に露出する部分が消
失した状態を示す部分拡大図である。

【符号の説明】

１０積層セラミックコンデンサ１誘電体ブロック２誘電体層３、４内部電極（配線パターン）５、６ビアホール導体７、８外部電極１１積層体１３、１４電極のない領域１５、１６貫通孔Ｌレーザ光

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者長澤忠鹿児島県国分市山下町１番１号京セラ株式会社鹿児島国分工場内Ｆターム(参考） 5E082 AB03 BC14 BC40 FG06 FG26 FG54 JJ03 JJ15 JJ23 LL01 LL02 MM05 MM24 PP06 PP09

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】バインダ樹脂を含むセラミックグリーン
シートを用意する工程と、該セラミックグリーンシート上に配線パターンとなる導
体膜を形成する工程と、該導体膜が形成されたセラミックグリーンシートを複数
積層して積層体を形成する工程と、該積層体上の所定位置に、波長が４００ｎｍ以下のレー
ザ光を照射することによって積層方向に前記セラミック
グリーンシートと導体膜との双方を貫通する貫通孔を形
成する工程と、該貫通孔に導電性ペーストを充填する工程と、該積層体を焼成する工程とを有する電子部品の製造方
法。
【請求項２】前記セラミックグリーンシートに含まれ
るバインダ樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）が、前記導体
膜に含まれるバインダ樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）以
下であることを特徴とする請求項１記載の電子部品の製
造方法。
【請求項３】前記セラミックグリーンシートは、ＵＶ
吸収剤を含むことを特徴とする請求項１または２記載の
電子部品の製造方法。