JP2003226962A - イオン加工装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 良好な成膜特性を実現するとともに漏れをな
くして効率よく高周波電力を伝達することが可能なイオ
ン加工装置を提供する。 【解決手段】 チャンバ１の貫通穴１ａから外部に突出
した導電性の回転軸６の突出部と、この回転軸６の突出
部に接触して高周波電源１５から供給された高周波電力
を回転軸６に伝達するブラシ９とを実質的に覆うように
ハウジング７が形成されたものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、イオン加工装置に
関し、特に、高周波電力を用いてチャンバ内で発生させ
たプラズマを用いて基材をイオン加工するイオン加工装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のイオン加工装置として、例えばイ
オンプレーティング装置がある。このイオンプレーティ
ング装置では、チャンバ内に基材ホルダが配置され、こ
の基材ホルダを一端に取り付けた回転軸がチャンバの壁
部を貫通するように配設され、この回転軸のチャンバの
外部に突出した部分（以下、チャンバ外突出部と呼ぶ）
に回転駆動装置が接続されている。そして、このチャン
バ外突出部には高周波電源から供給される高周波電力を
基材ホルダに伝達するように、高周波電源に接続された
ブラシが直接接触するように配置されている。この回転
軸のチャンバ外突出部は、ハウジングの有する回転軸を
回動可能に支持する軸受けにより支持されている。そし
て、この回転軸のチャンバ外突出部、ブラシおよびハウ
ジングは、高周波電力の漏れを防止するための専用カバ
ー部材で覆われている。このような構造を有するイオン
プレーティング装置では、ブラシがチャンバの外部に設
けられているため、回転軸の回転によりブラシが損耗し
て削りかすが生じてもこの削りかすがチャンバ内部に排
出されることはなく、よってブラシの削りかすが成膜特
性に悪影響を及ぼすことはない。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、回転軸
のチャンバ外突出部、ブラシおよびハウジングが個々に
分散して設けられていることから、カバー部材によって
これら全部を覆って高周波電力が漏れないように密閉を
行うのは容易ではない。このため、カバー部材から外部
に高周波電力が漏れるのを十分に防止することは困難で
あり、よって、高周波電力の伝達効率が低下する。

【０００４】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたもので、良好な成膜特性を実現するととも
に漏れをなくして効率よく高周波電力を伝達することが
可能なイオン加工装置を提供することを目的としてい
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明に係るイオン加工装置は、その内部で高周波
電力を用いて基材にイオン加工を行うためのチャンバ
と、前記チャンバ内に配設され上記基材が装着される導
電性の基材ホルダと、前記チャンバの壁部を貫通するよ
うに配設された導電性の回転軸と、回転駆動部を有し、
前記回転軸と前記回転駆動部とが電気的に絶縁され、前
記回転軸の前記チャンバ外部に突出した突出部を回転駆
動する回転駆動装置と、前記回転軸の突出部に高周波電
源から供給される高周波電力を伝達する電力伝達構造
と、前記回転軸から電気的に絶縁され、前記回転軸を回
動自在に支持する軸受けを有し、少なくとも、前記電力
伝達構造と、前記回転駆動装置と前記回転軸との接続部
を除く前記回転軸の突出部とを実質的に覆うように形成
されたハウジングとを備えたものである（請求項１）。

【０００６】かかる構成によれば、回転軸から電気的に
絶縁されたハウジングにより、少なくとも、前記電力伝
達構造と、前記回転駆動装置と前記回転軸との接続部を
除く前記回転軸の突出部とが実質的に覆われるため、ハ
ウジングの外部に高周波電力が漏れるのを抑制すること
ができる。この場合、回転軸と回転駆動部とが電気的に
絶縁されているため、回転駆動部を介して回転軸から外
部に高周波電力が漏れるのを防止することが可能とな
る。したがって、効率よく高周波電力を回転軸に供給す
ることが可能となる。また、この場合においては、回転
軸を支持する軸受けを設けるために必要なハウジングを
用いて高周波電力の漏れを抑制することができるため、
従来のように高周波電力の漏れを抑制するためのカバー
部材を別部材として設ける必要がない。したがって、装
置の構成部材数を削減することが可能となり、装置の製
造コストを低減化することが可能となるとともに装置の
小型化が図られる。

【０００７】また、前記電力伝達構造は、前記回転軸に
接するように配設され前記高周波電源に接続されたブラ
シが配設されてなってもよい（請求項２）。

【０００８】かかる構成によれば、簡単な構成で電力伝
達構造を実現することが可能となる。

【０００９】また、前記チャンバの内部で前記高周波電
力とともに直流電力を用いて前記イオン加工が行われて
もよい（請求項３）。

【００１０】かかる構成によれば、高周波電力によって
発生したプラズマによって励起されたイオンを直流電力
により基材に向かって加速させることが可能となる。そ
れにより、基材の表面に衝突する際のイオンのエネルギ
ーを大きくすることが可能となり、イオン加工の加工特
性を向上させることが可能となる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の実施の形態１に係るイ
オン加工装置の構成を模式的に示す断面図であり、図２
は、図１のイオン加工装置の回転軸のチャンバ貫通部分
の構造を模式的に示す部分断面図である。本実施の形態
では、イオン加工装置として、無ガスイオンプレーティ
ング装置を例示している。

【００１２】図１に示すように、無ガスイオンプレーテ
ィング装置は、導電性部材からなる真空チャンバ１内
に、薄膜形成材料を蒸発させる蒸発源２１が配設され、
この蒸発源２１に対向するように導電性の部材からなる
基材ホルダ５が配置されている。蒸発源２１は、ここで
は薄膜形成材料を入れるボート２の外周に、加熱用電源
４に接続された加熱用コイル３が配設されてなる。基材
ホルダ５の背面中央部には、導電性の部材からなる回転
軸６が真空チャンバ１の壁部を貫通して外部に延びるよ
うに配設されている。回転軸６のチャンバ壁部貫通部分
から先端に至る部分（以下、突出部と呼ぶ）は、回転駆
動伝達部１２を介して回転駆動部たるモータ１３に接続
されており、モータ１３は取り付け部材２２によって真
空チャンバ１の外壁面に取り付けられている。この回転
駆動伝達部１２と回転駆動部たるモータ１３からなる回
転駆動装置により、回転軸６が回転する。

【００１３】また、回転軸６の突出部の所定部分には回
転軸６と直接接するように電力伝達構造たるブラシ９が
配置され、このブラシ９と、回転駆動伝達部１２と回転
軸６との接続部を除く回転軸６の突出部の領域と、を覆
うように導電性の部材からなるハウジング７が配設され
ている。ハウジング７は絶縁性の部材からなる軸受け８
を有しており、軸受け８により回転軸６が回動可能に軸
方向に支持されている。ハウジング７は真空チャンバ１
により支持されている。また、ブラシ９は、ケーブル１
１を通じて、直流ブロッキングコンデンサＣｏおよびマ
ッチング回路１６を介して高周波電源１５に接続される
とともに高周波ブロッキング用チョークコイルＬｏを介
して直流電源１７に接続されている。この高周波電源１
５、直流電源１７および真空チャンバ１はそれぞれ接地
されている。

【００１４】図２に示すように、真空チャンバ１の壁部
には貫通穴１ａが形成され、この貫通穴１ａを通じて回
転軸６の所定部分が真空チャンバ１の外部に突出してい
る。回転軸６は中空の円筒状に形成されており、基端か
ら一定長に渡って小径に形成されるとともに（以下、こ
の部分を小径部６１と呼ぶ）、小径部６１に連続して大
径の部分（以下、この部分を大径部６２と呼ぶ）が形成
されている。この小径部６１と大径部６２との段面がハ
ウジング７の備える軸受け８に支持されている。大径部
６２では内周面にさらに段部が形成されており、この段
部に配置されたシール部材２５ｂを介して、後述するよ
うに回転軸６とハウジング７の蓋部７ｂとが嵌合されて
いる。なお、ここでは図示を省略しているが、回転軸６
の中空の内部には膜厚モニタが配設されている。

【００１５】外部に突出した回転軸６の大径部６２の外
周には、横置きされたモータ１３のの回転駆動を回転軸
６に伝達する回転駆動伝達部１２たるモータ出力軸が接
続されており、それにより、この回転駆動伝達部１２を
介してモータ１３が回転軸６に接続されている。モータ
出力軸は、ハウジング７の基体７ａを貫通するように配
置され、出力軸の先端にはかさ歯車が設けられている。
この場合、回転軸６側のかさ歯車とモータ出力軸先端の
かさ歯車との少なくともいずれか一方を絶縁性の部材か
ら構成する。モータ出力軸が貫通したハウジング７の基
体７ａの貫通穴にはシール部材が設けられている。ま
た、大径部６２外周の回転駆動伝達部１２接続部と対向
する側には、ブラシ９が直接接触するように配設されて
いる。

【００１６】回転駆動伝達部１２の接続部を除く回転軸
６の突出部とブラシ９とを覆うようにハウジング７が配
設されている。ハウジング７は、回転軸６の突出部の側
部外周を覆うように配設された円筒状の基体７ａと、回
転軸６の上端面に配設されシール部材２５ｂを介して回
転軸６の内周面に接するように設けられた蓋部７ｂとか
ら構成される。なお、この場合、回転軸６は中空であ
り、先端の内周面が前述のように蓋部７ｂにより覆われ
ていることから、回転軸６の突出部は実質的にハウジン
グ７により覆われていると見なせる。基体７ａは絶縁部
材２６を介して真空チャンバ１の上壁に載置され、ボル
ト等の固定部材（図示せず）により回転軸６に対し回転
しないように真空チャンバ１に固定されている。また、
蓋部７ｂはボルト等の固定部材（図示せず）により回転
軸６に対し回転しないように基体７ａに固定されてい
る。基体７ａと回転軸６の外周面との隙間は、回転軸６
を回転自在な状態でシールする絶縁性のシール部材２５
ａによりシールされている。また、蓋部７ｂと回転軸６
の内周面との隙間は、回転軸６を回転自在な状態でシー
ルする絶縁性のシール部材２５ｂによりシールされてい
る。このような構造により、真空チャンバ１の内部が外
部からシールされている。なお、シール部材２５ａ，２
５ｂとしては、例えば絶縁性のオイルシールが用いられ
る。

【００１７】ハウジング７の基体７ａには貫通穴が形成
されており、この貫通穴を通してハウジング７外部の回
転駆動伝達部１２がハウジング７内部の回転軸６に接続
されている。また、この回転駆動伝達部１２との接続部
と対向する側の基体７ａには、高周波電源１５および直
流電源１７とブラシ９とを接続するケーブル１１を通す
ための貫通穴が形成されるとともに、基体７ａとケーブ
ル１１とを絶縁するようにこの貫通穴を埋めかつ基体７
ａとブラシ９とを絶縁するように絶縁部材１０が配設さ
れている。このように、ブラシ９とハウジング７とは絶
縁部材１０により絶縁されている。また、回転軸６とハ
ウジング７とは絶縁性の部材からなる軸受け８およびシ
ール部材２５ａ，２５ｂにより絶縁されている。また、
回転駆動伝達部１２たるモータ出力軸の回転軸側のかさ
歯車および／または出力軸先端のかさ歯車が絶縁部材か
ら構成されていることから、回転軸６とモータ１３とが
絶縁されている。さらに、ハウジング７と真空チャンバ
１とは絶縁部材２６により絶縁されている。

【００１８】次に、以上のように構成された無ガスイオ
ンプレーティング装置の動作を説明する。

【００１９】図１および図２において、基材ホルダ５に
基材を取り付け、モータ１３を回転させる。すると、こ
の回転が、歯車２３ａ，２３ｂ，２３ｃが介挿された回
転駆動伝達構造１２を介して回転軸６に伝達され、回転
軸６とその一端に取り付けられた基材ホルダ５とが回転
する。一方、高周波電源１５および直流電源１７を動作
させる。すると、高周波電力および直流電力がケーブル
１１を介してブラシ９に供給され、さらにブラシ９に接
触している回転軸６に伝達される。それにより、基材ホ
ルダ５と真空チャンバ１との間に高周波電力および直流
電流が与えられる。次いで、蒸発源２１のボート２内に
入れた薄膜形成材料を加熱用電源４により加熱溶融して
蒸発させる。すると、蒸発した薄膜形成材料が高周波電
力により発生したプラズマにより励起され、この励起さ
れた薄膜形成材料が、直流電流により加速され、基材の
表面に衝突して付着する。それにより、基材の表面に緻
密な薄膜が形成される。

【００２０】この際、回転軸６から電気的に絶縁された
ハウジング７により回転軸６の突出部およびブラシ９が
覆われているため、高周波電源１５から供給されブラシ
９から回転軸６に伝達される高周波電力の漏れを低減し
て効率よく高周波電力を伝達することが可能となる。ま
た、この場合においては、回転軸６とモータ１３とが絶
縁されているため、高周波電力が回転軸６からモータ１
３へ伝達されモータ１３から外部へ漏れることはない。
よって、高周波電力の伝達効率がより向上する。また、
このようにハウジング７が高周波電力の漏れを防止する
カバー部材として機能するため、従来の装置のように専
用のカバー部材を別部品として設ける必要がない。この
ため、装置の構成部材数を削減して装置の製造コストを
低減化することが可能となるとともに、装置の小型化を
図ることが可能となる。さらに、この装置においては、
ブラシ９が真空チャンバ１の外部に配設されているた
め、回転軸６の回転によりブラシ９が損耗して削りかす
が生じても、この削りかすが真空チャンバ１内に排出さ
れることはない。したがって、ブラシ９の削りかすが成
膜特性に悪影響を及ぼすことはなく、良好な成膜特性を
実現することが可能となる。

【００２１】なお、本実施の形態においてはモータ１３
が真空チャンバ１に固定されて支持されているが、例え
ばイオンプレーティング装置を設置する室内の壁にモー
タ１３を固定して支持してもよい。 （実施の形態２）図３は本発明の実施の形態２にかかる
イオン加工装置の回転軸のチャンバ貫通部分の構造を模
式的に示す部分断面図である。なお、真空チャンバ内の
構造は図１に示す実施の形態１の無ガスイオンプレーテ
ィング装置の場合と同様である。

【００２２】図３に示すように、イオンプレーティング
装置では、真空チャンバ１の壁部に貫通穴１ａが形成さ
れ、この貫通穴１ａを通して回転軸６ａの所定部分が真
空チャンバ１の外部に突出している。回転軸６ａは中実
の円柱状に形成されており、基端から一定長に渡って小
径に形成されるとともに（以下、この部分を小径部６１
ａと呼ぶ）、小径部６１ａに連続して大径の部分（以
下、この部分を大径部６２ａと呼ぶ）が形成されてい
る。この小径部６１ａと大径部６２ａとの段面がハウジ
ング７’の備えた軸受け８に支持されている。

【００２３】外部に突出した回転軸６ａの上には絶縁性
のカップリング部材２７が配設されており、このカップ
リング部材２７を介して回転駆動伝達部１２たるモータ
出力軸が回転軸６ａに接続され、それにより回転駆動伝
達部１２を介してモータ１３が回転軸６ａに接続されて
いる。モータ出力軸はハウジング７’を貫通するように
配置されており、この貫通部分には回転軸６ａを回転自
在な状態でシールする絶縁性のシール部材２５ｃが設け
られている。このような構造により、真空チャンバ１の
内部が外部からシールされている。なお、シール部材２
５ｃとしては、例えば絶縁性のオイルシールが用いられ
る。また、大径部６２外周の所定部分には、電気伝達構
造であり高周波電源１５および直流電源１７に接続して
いるブラシ９が直接接触するように配設されている。

【００２４】回転駆動伝達部１２との接続部となる領域
を除いて回転軸６ａの突出部の外周を覆いかつカップリ
ング部材２７を覆うようにハウジング７’が配設されて
いる。ハウジング７’は絶縁部材２６を介して真空チャ
ンバ１の上壁に載置され、ボルト等の固定部材（図示せ
ず）により回転軸６ａに対し回転しないように真空チャ
ンバ１に固定されている。

【００２５】また、ハウジング７’の所定部分には、高
周波電源１５および直流電源１７とブラシ９とを接続す
るケーブル１１を通すための貫通穴が形成されるととも
に、ハウジング７’とケーブル１１とを絶縁するように
この貫通穴を埋めかつハウジング７’とブラシ９とを絶
縁するように絶縁部材１０が配設されている。このよう
に、ブラシ９とハウジング７’とは絶縁部材１０により
絶縁されている。また、回転軸６ａとハウジング７’と
は絶縁性の部材からなる軸受け８により絶縁されてい
る。また、回転軸６ａとモータ１３とは絶縁性のカップ
リング部材２７により絶縁されている。さらに、ハウジ
ング７’と真空チャンバ１とは絶縁部材２６により絶縁
されている。

【００２６】本実施の形態のイオンプレーティング装置
においても、実施の形態１と同様の効果が得られる。

【００２７】なお、実施の形態１および実施の形態２で
は、ハウジング７，７’が導電性である場合について説
明したが、ハウジング７，７’は絶縁性であってもよ
い。この場合、軸受け部材８は導電性および絶縁性のい
ずれであってもよく、また、ハウジング７，７’と回転
軸６，６ａおよびハウジング７，７’と真空チャンバ１
とを絶縁するための絶縁部材１０，２６を配設する必要
はない。

【００２８】また、実施の形態１および実施の形態２で
は本発明を無ガスイオンプレーティング装置に適用する
場合を説明したが、イオン加工には、ＰＶＤ（Physical
Vapor Deposition）の一種である上記無ガスイオンプ
レーティングの他、ＣＶＤ（Chemical Vapor Depositio
n）やエッチングがある。ＣＶＤにおいては、加工物質
たる薄膜生成用の原料ガスの反応を促進する目的で、高
周波電力によって発生したプラズマにより原料ガスを励
起して膜生成を行うことが知られている（プラズマＣＶ
Ｄ）。また、エッチングにおいては、エッチングの選択
比を高める、あるいは異方性を得る等の目的で、基材と
反応する、加工物質たる反応ガス（エッチングガス）を
プラズマにより励起してエッチングを行うことが知られ
ている（プラズマエッチング）。このように、かかる技
術分野も、高周波電力を用いてプラズマを発生させ、そ
の発生したプラズマを用いて基材を加工する点では、無
ガスイオンプレーティングと異ならない。よって、かか
る技術分野の装置にも、本発明を、無ガスイオンプレー
ティング装置の場合と同様に適用することができる。

【００２９】

【発明の効果】本発明は、以上に説明したような形態で
実施され、以下のような効果を奏する。 （１）回転軸から電気的に絶縁されたハウジングによ
り、少なくとも、電力伝達構造と、回転駆動装置と回転
軸との接続部を除く回転軸の突出部とを実質的に覆って
外部に高周波電力が漏れるのを抑制することができるた
め、効率よく高周波電力を伝達することが可能となる。
また、ハウジングを用いて高周波電力の漏れを抑制する
ことができるため、従来のように高周波電力の漏れを抑
制するための専用カバー部材を別部材として設ける必要
がなく、よって、装置の部材数を削減して装置の製造コ
ストを低減化することが可能となるとともに装置の小型
化が図れる。 （２）電力伝達構造が、回転軸に接するように配設され
高周波電源に接続されたブラシが配設されてなるとする
と、簡単の構成により電気伝達構造を実現することが可
能となる。 （３）チャンバの内部で前記高周波電力とともに直流電
力を用いて前記イオン加工が行われるとすると、高周波
電力によって発生したプラズマによって励起されたイオ
ンを直流電力により基材に向かって加速させることが可
能となるため、基材の表面に衝突する際のイオンのエネ
ルギーを大きくすることが可能となり、イオン加工の加
工特性を向上させることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１にかかるイオン加工装置
の構成を模式的に示す断面図である。

【図２】図１のイオン加工装置の回転軸のチャンバ貫通
部の構造を示す模式的な部分断面図である。

【図３】本発明の実施の形態２にかかるイオン加工装置
の構成を模式的に示すな部分断面図である。

【符号の説明】

１ 真空チャンバ １ａ 貫通穴 ２ ボート ３ 加熱用コイル ４ 加熱用電源 ５ 基材ホルダ ６，６ａ 回転軸 ７，７’ ハウジング ８ 軸受け ９ ブラシ １０，２６絶縁部材 １１ ケーブル １２ 電力伝達構造 １３ モータ １５ 高周波電源 １６ マッチング回路 １７ 直流電源 ２１ 蒸発源 ２２ 取り付け部材 ２５ａ〜２５ｃ シール部材 ２７ カップリング部材

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 その内部で高周波電力を用いて基材にイ
   オン加工を行うためのチャンバと、 前記チャンバ内に配設され上記基材が装着される導電性
   の基材ホルダと、 前記チャンバの壁部を貫通するように配設された導電性
   の回転軸と、 前記回転軸の前記チャンバ外部に突出した突出部を回転
   駆動する回転駆動装置と、 回転駆動部を有し、前記回転軸と前記回転駆動部とが電
   気的に絶縁され、前記回転軸の突出部に高周波電源から
   供給される高周波電力を伝達する電力伝達構造と、 前記回転軸から電気的に絶縁され、前記回転軸を回動自
   在に支持する軸受けを有し、少なくとも、前記電力伝達
   構造と、前記回転駆動装置と前記回転軸との接続部を除
   く前記回転軸の突出部とを実質的に覆うように形成され
   たハウジングとを備えたことを特徴とするイオン加工装
   置。
2. 【請求項２】 前記電力伝達構造は、前記回転軸に接す
   るように配設され前記高周波電源に接続されたブラシが
   配設されてなる請求項１記載のイオン加工装置。
3. 【請求項３】 前記チャンバの内部で前記高周波電力と
   ともに直流電力を用いて前記イオン加工が行われる請求
   項１記載のイオン加工装置。