JP2003209436A - 高周波電圧制御発振器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 直流流阻止コンデンサを要することなく電圧
制御型可変容量ダイオードと発振用トランジスタとを結
合して、半導体集積回路化を容易とする。 【解決手段】 発振用トランジスタ１，２のベースに
は、それぞれ電圧制御型容量可変ダイオード３，４のカ
ソードが直接接続される一方、電圧制御型容量可変ダイ
オード３，４のアノード間には、誘導性素子５が接続さ
れると共に、それぞれ高周波阻止用抵抗器１４，１５を
介して制御電圧Ｖcが印加され、従来同様に制御電圧Ｖc
によって発振周波数を変えることが可能となっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電圧制御発振器に
係り、特に、高周波信号を発振するものにあって、半導
体集積回路化の容易性等を図ったものに関する。

【０００２】

【従来の技術】高周波発振器は、例えば、通信機器等に
おいて基準信号の発振源等として用いられるが、その発
振周波数の可変が必要とされることが多い。従来、この
ような用途には、いわゆるディスクリート素子で発振回
路を構成し、電圧制御型可変容量ダイオードを使用し
て、電圧を変化させることにより発振周波数の制御を可
能としたものが公知・周知となっている。図５及び図６
には、この種の公知・周知の高周波電圧制御型発振器の
例が示されており、以下、同図を参照しつつこれら従来
回路について概括的に説明する。最初に、図５に示され
た回路例について説明すれば、同図は、平衡型電圧制御
高周波コルピッツ発振回路の回路構成例を示すものであ
る。すなわち、平衡型電圧制御高周波コルピッツ発振回
路は、差動的に動作するよう設けられた第１及び第２の
発振用トランジスタ１，２を有すると共に、誘導性素子
５と、第１乃至第３の分割コンデンサ１６〜１８とによ
る共振回路が形成されたものである。

【０００３】水晶発振子やコイル等による誘導性素子５
の両端は、それぞれ第１及び第２の電圧制御型可変容量
ダイオード３，４を介して、それぞれ第１及び第２の発
振用トランジスタ１，２のベースに接続されると共に、
この誘導性素子５の両端には、それぞれ抵抗器１４，１
５を介して、外部から制御電圧Ｖcが印加されるように
なっている。一方、第１の発振用トランジスタ１のベー
スとエミッタとの間に、第１の分割コンデンサ１６が、
第２の発振用トランジスタ２のベースとエミッタとの間
に、第３の分割コンデンサ１８が、そして第１及び第２
の発振用トランジスタ１，２のエミッタ間に、第２の分
割コンデンサ１７が、それぞれ接続されたものとなって
いる。かかる構成においては、制御電圧Ｖcを可変する
ことにより、周波数を変えることのできる平衡発振信号
が発振用トランジスタ１，２のベース間から得られるよ
うになっている。

【０００４】一方、図６は、不平衡型電圧制御高周波コ
ルピッツ発振回路の回路構成例を示すものである。すな
わち、不平衡型電圧制御高周波コルピッツ発振回路は、
発振用トランジスタ１を有すると共に、誘導性素子５と
分割コンデンサ１６，１７とによる共振回路が形成され
たものとなっているものである。水晶発振子やコイル等
による誘導性素子５は、その一端がアースに接続される
一方、他端が電圧制御型可変容量ダイオード３を介して
発振用トランジスタ１のベースに接続されると共に、こ
の誘導性素子５と電圧制御型可変容量ダイオード３との
接続点に外部から抵抗器１４を介して制御電圧Ｖcが印
加されるようになっている。一方、発振用トランジスタ
１のベースとアースとの間には、分割コンデンサ１６，
１７が直列接続されると共に、この分割コンデンサ１
６，１７の相互の接続点は、発振用トランジスタ１のエ
ミッタに接続され、さらに、発振用トランジスタ１のエ
ミッタは、抵抗器１０を介してアースに接続されたもの
となっている。そして、かかる構成においては、制御電
圧Ｖcを可変することにより、周波数を変えることので
きる不平衡発振信号が発振用トランジスタ１のベースか
ら得られるようになっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な発振回路において、誘導性素子を除いて半導体集積回
路化するとした場合、例えば、図５における平衡型電圧
制御高周波コルピッツ発振回路においては、誘導性素子
５及び電圧制御型可変容量ダイオードと発振用トランジ
スタ１，２のベースとを交流結合とするための直流阻止
コンデンサＣ４，Ｃ５の容量値が、共振回路の共振周波
数や周波数可変範囲に影響を与えない程度の値、具体的
には例えば１００〜１０００ｐＦ程度必要となる。しか
しながら、半導体集積回路内において、１００〜１００
０ｐＦの容量値のコンデンサを形成することは、いわゆ
るチップ面積の増大、コンデンサの対サブストレート寄
生容量による性能劣化などの問題を招来し、現実的には
困難であり、さらに、この直流阻止コンデンサＣ４，Ｃ
５の半導体集積化が困難となることに伴い、第１及び第
２の電圧制御型可変容量ダイオード３，４の集積も困難
となるという問題があった。これは、図６に示された不
平衡型電圧制御高周波コルピッツ発振回路においても同
様である。

【０００６】本発明は、上記実状に鑑みてなされたもの
で、直流阻止コンデンサを要することなく電圧制御型可
変容量ダイオードと発振用トランジスタとが結合される
高周波電圧制御発振器を提供するものである。本発明の
他の目的は、半導体集積回路化の容易な高周波電圧制御
発振器を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記発明の目的を達成す
るため、本発明に係る高周波電圧制御発振器は、少なく
とも、第１及び第２のトランジスタと、第１及び第２の
電圧制御型可変容量ダイオードを有して、前記第１及び
第２のトランジスタが平衡動作するよう半導体集積回路
内に構成されてなる高周波電圧制御発振器であって、前
記第１の電圧制御型可変容量ダイオードのカソードが前
記第１のトランジスタのベースに、前記第２の電圧制御
型可変容量ダイオードのカソードが前記第２のトランジ
スタのベースに、それぞれ直接接続され、前記第１のト
ランジスタのベースには、第１のインピーダンス素子の
一端が、前記第２のトランジスタのベースには、第２の
インピーダンス素子の一端が、それぞれ接続されると共
に、前記第１及び第２のインピーダンス素子の他端に
は、共に電源電圧が印加され、前記第１の電圧制御型可
変容量ダイオードのアノードと前記第２の電圧制御型可
変容量ダイオードのアノードが、第３のインピーダンス
素子を介して相互に接続される一方、前記第１の電圧制
御型可変容量ダイオードのアノードには、第４のインピ
ーダンス素子を介して、前記第２の電圧制御型可変容量
ダイオードのアノードには、第５のインピーダンス素子
を介して、それぞれ容量可変用の制御電圧が印加され、
前記第１及び第２のトランジスタが平衡動作して高周波
発振出力が得られるよう構成されてなるものである。

【０００８】かかる構成においては、電圧制御型可変容
量ダイオードのカソードがトランジスタのベースに直接
接続されて、電圧制御型可変容量ダイオードのアノード
側に発振周波数制御のための電圧が逆方向で印加される
ため、従来と異なり、電圧制御型可変容量ダイオードと
トランジスタとの間に直流阻止用のコンデンサを設ける
ことなく、従来と同様に周波数可変で、且つ、半導体集
積回路化可能な高周波発振器が提供されることとなるも
のである。

【０００９】また、本発明の目的を達成するため、本発
明に係る高周波電圧制御発振器は、少なくとも、発振用
トランジスタと電圧制御型可変容量ダイオードを有し
て、コルピッツ発振がなされるよう半導体集積回路内に
構成されてなる高周波電圧制御発振器であって、前記電
圧制御型可変容量ダイオードのカソードが前記発振用ト
ランジスタのベースに直接接続され、前記発振用トラン
ジスタのベースには、第１のインピーダンス素子の一端
が接続され、当該第１のインピーダンス素子の他端には
電源電圧が印加され、前記電圧制御型可変容量ダイオー
ドのアノードとアースとの間に第３のインピーダンス素
子が接続されると共に、当該アノードには第４のインピ
ーダンス素子を介して容量制御用の制御電圧が印加さ
れ、前記発振用トランジスタが発振動作するよう構成さ
れてなるものも好適である。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図１乃至図４を参照しつつ説明する。なお、以下に
説明する部材、配置等は本発明を限定するものではな
く、本発明の趣旨の範囲内で種々改変することができる
ものである。最初に、本発明の実施の形態の第１の構成
例における高周波電圧制御発振器について、図１を参照
しつつ説明する。なお、図５及び図６に示された従来回
路と同一の構成要素については、同一の符号を付すこと
とする。この第１の構成例における高周波電圧制御発振
器は、平衡型電圧制御高周波コルピッツ発振回路によっ
て実現されたものである。まず、この平衡型電圧制御高
周波コルピッツ発振回路の回路構成について説明する。
この平衡型電圧制御高周波コルピッツ発振回路は、第１
及び第２の発振用トランジスタ１，２を有すると共に、
誘導性素子５と第１乃至第３の分割コンデンサ１６〜１
８とによる共振回路が形成されてなる点は、基本的に従
来回路と同様のものであり、後述するように、第１及び
第２の発振用トランジスタ１，２に対する第１及び第２
の電圧制御型可変容量ダイオード３，４の接続が従来と
異なるものである。以下、具体的に説明すれば、まず、
ｎｐｎ型の第１及び第２の発振用トランジスタ１，２
は、コレクタ同士が相互に接続されて外部から所定の電
源電圧Ｖccが印加されるようになっている。一方、第１
の発振用トランジスタ１のエミッタとベースとの間に
は、第１の分割コンデンサ（図１においては「Ｃ１」と
表記）１６が、第２の発振用トランジスタ２のエミッタ
とベースとの間には、第３の分割コンデンサ（図１にお
いては「Ｃ３」と表記）１８が、それぞれ接続されると
共に、第１及び第２の発振用トランジスタ１，２のエミ
ッタ間が、第２の分割コンデンサ（図１においては「Ｃ
２」と表記）１７を介して相互に接続されるようになっ
ている。

【００１１】また、第１の発振用トランジスタ１のベー
スには、第１及び第２のバイアス抵抗器（図１において
は、それぞれ「Ｒ１」、「Ｒ２」と表記）６，７の相互
の接続点が接続されてバイアス電圧が印加されるように
なっている。すなわち、第１及び第２のバイアス抵抗器
６，７は直列接続されており、第１のインピーダンス素
子としての第１のバイアス抵抗器６の他端（第２のバイ
アス抵抗器７と接続された端部と反対側）には、電源電
圧Ｖccが印加されるようになっている一方、第６のイン
ピーダンス素子としての第２のバイアス抵抗器７の他端
（第１のバイアス抵抗器６と接続された端部と反対側）
はアースに接続されたものとなっている。一方、第２の
発振用トランジスタ１のベースには、第３及び第４のバ
イアス抵抗器（図１においては、それぞれ「Ｒ３」、
「Ｒ４」と表記）８，９の相互の接続点が接続されてバ
イアス電圧が印加されるようになっている。すなわち、
第３及び第４のバイアス抵抗器８，９は直列接続されて
おり、第２のインピーダンス素子としての第３のバイア
ス抵抗器８の他端（第４のバイアス抵抗器９と接続され
た端部と反対側）には、電源電圧Ｖccが印加されるよう
になっている一方、第７のインピーダンス素子としての
第４のバイアス抵抗器９の他端（第３のバイアス抵抗器
８と接続された端部と反対側）はアースに接続されたも
のとなっている。さらに、第１の発振用トランジスタ１
のエミッタは、第５のバイアス抵抗器（図１においては
「Ｒ５」と表記）１０を介して、第２の発振用トランジ
スタ２のエミッタは、第６のバイアス抵抗器（図１にお
いては「Ｒ６」と表記）１１を介して、それぞれアース
に接続されたものとなっている。

【００１２】また、第１の発振用トランジスタ１のベー
スには、第１の電圧制御型可変容量ダイオード３のカソ
ードが、第２の発振用トランジスタ２のベースには、第
２の電圧制御型可変容量ダイオード４のカソードが、そ
れぞれ接続されている。そして、第１の電圧制御型可変
容量ダイオード３のアノードと第２の電圧制御型可変容
量ダイオード４のアノードとの間には、第３のインピー
ダンス素子としての誘導性素子５が接続されるものとな
っている。なお、本発明の実施の形態においては、図１
において、一点鎖線で囲まれた部分１００は、半導体集
積回路化される部分であり、誘導性素子（例えば、水晶
素子、コイル等）５は、外部、すなわち半導体集積回路
の外部で、外部素子接続端子２１ａ，２１ｂに接続され
て、この外部素子接続端子２１ａ，２１ｂを介して第１
及び第２の電圧制御型可変容量ダイオード３，４のアノ
ード間に接続されるものとなっている。

【００１３】さらに、第１及び第２の電圧制御型可変容
量ダイオード３，４のアノード間には、第４及び第５の
インピーダンス素子としての第１及び第２の高周波阻止
用抵抗器（図１においては、それぞれ「Ｒ９」、「Ｒ１
０」と表記）１４，１５が直列接続されており、その相
互の接続点には外部から制御電圧Ｖcが印加されるよう
になっている。そして、第１の発振用トランジスタ１の
ベースには第１の出力端子２２ａが、第２の発振用トラ
ンジスタ２のベースには第２の出力端子２２ｂが、それ
ぞれ接続されており、平衡発振出力が得られるようにな
っている。

【００１４】次に、かかる構成における動作について説
明する。この第１の構成例における高周波電圧制御発振
器は、平衡型電圧制御高周波コルピッツ発振回路によっ
て実現されたものであるが、その発振の基本的原理は公
知・周知となっているこの種のコルピッツ発振回路と同
様である。すなわち、コルピッツ発振は、第１及び第２
の発振用トランジスタ１，２のエミッタとベース間にお
ける正帰還作用により生じ、その発振周波数は、誘導性
素子５と第１乃至第３の分割コンデンサ１６〜１８によ
る共振回路によって決定される点は従来回路と変わると
ころがない。そして、発振周波数は制御電圧Ｖcを変化
させることで可変可能である点も従来と同様であるが、
本発明の実施の形態における平衡型電圧制御高周波コル
ピッツ発振回路の場合、第１及び第２の電圧制御型可変
容量ダイオード３，４のカソードが、それぞれ第１及び
第２の発振用トランジスタ１，２のベースに接続されて
いることから、制御電圧Ｖcは０ｖ〜ベース電位ｖの範
囲で変化されて、第１及び第２の電圧制御型可変容量ダ
イオード３，４に対して逆方向電圧として印加され、発
振周波数の可変が可能となっている。なお、第１及び第
２の発振用トランジスタ１，２のベースバイアス電圧
を、電源電圧Ｖccに近い値に設定することにより、従来
回路と同等の周波数可変範囲を確保できるものとなって
いる。これに対して、図５に示された従来回路の場合、
第１及び第２の電圧制御型可変容量ダイオード３，４の
アノードがそれぞれコンデンサＣ４，Ｃ５を介して第１
及び第２の発振用トランジスタ１，２のベースに接続さ
れると共に、それぞれ抵抗器Ｒ７，Ｒ８を介してアース
に接続されており、アノードはアース電位固定となって
おり、制御電圧Ｖcは、アース電位〜電源電圧Ｖccの範
囲となっている。

【００１５】次に、第２の構成例における高周波電圧制
御発振器について、図２を参照しつつ説明する。なお、
図１に示された構成例における構成要素と同一の構成要
素については同一の符号を付すこととする。この第２の
構成例における高周波電圧制御発振器は、不平衡型電圧
制御高周波コルピッツ発振回路によって実現されたもの
である。まず、この不平衡型電圧制御高周波コルピッツ
発振回路の回路構成について説明する。この不平衡型電
圧制御高周波コルピッツ発振回路は、発振用トランジス
タ１を有すると共に、誘導性素子５と第１及び第２の分
割コンデンサ１６，１７とによる共振回路が形成されて
なる点は、基本的に従来回路と同様のものであり、後述
するように、発振用トランジスタ１に対する電圧制御型
可変容量ダイオード３の接続が従来と異なるものであ
る。以下、具体的に説明すれば、まず、ｎｐｎ型の発振
用トランジスタ１のベースには、電源電圧Ｖccとアース
間において直列接続された第１及び第２のバイアス抵抗
器６，７の相互の接続点が接続されたものとなってい
る。すなわち、第１及び第２のバイアス抵抗器６，７の
一端は相互に接続されると共に発振用トランジスタ１の
ベースに接続される。また、第１のバイアス抵抗器６の
他端は、発振用トランジスタ１のコレクタと共に外部
（半導体集積回路の外部）で電源電圧Ｖccが印加される
ようになっている一方、第２のバイアス抵抗器７の他端
はアースに接続されたものとなっている。なお、図２に
おいて、一点鎖線で囲まれた部分１０１は、半導体集積
回路化される部分である。

【００１６】また、発振用トランジスタ１のベースとア
ース間には、第１及び第２の分割コンデンサ１６，１７
が直列接続されると共に、相互の接続点は発振用トラン
ジスタ１のエミッタに接続されており、さらに、エミッ
タは、第５のバイアス抵抗器１０を介してアースに接続
されたものとなっている。さらに、発振用トランジスタ
１のベースには、電圧制御型可変容量ダイオード３のカ
ソードが接続されており、この電圧制御型可変容量ダイ
オード３のアノードには、外部において、誘導性素子５
の一端及び高周波阻止用抵抗器１４の一端が接続される
ようになっている。そして、誘導素子５の他端はアース
に接続される一方、高周波阻止用抵抗器１４の他端に
は、制御電圧Ｖcが印加されるようになっている。ま
た、発振用トランジスタ１のべースには出力端子２２ａ
が接続されており、外部へ不平衡発振信号が取り出せる
ようになっている。

【００１７】次に、かかる構成における動作について説
明する。この第２の構成例における高周波電圧制御発振
器は、不平衡型電圧制御高周波コルピッツ発振回路によ
って実現されたものであるが、その発振の基本的原理は
公知・周知となっているこの種のコルピッツ発振回路と
同様である。すなわち、コルピッツ発振は、発振用トラ
ンジスタ１のエミッタとベース間における正帰還作用に
より生じ、その発振周波数は、誘導性素子５と第１及び
第２の分割コンデンサ１６，１７による共振回路によっ
て決定される点は従来回路と変わるところがない。そし
て、発振周波数は制御電圧Ｖcを変化させることで可変
可能である点も従来と同様であるが、本発明の実施の形
態における不平衡型電圧制御高周波コルピッツ発振回路
の場合、電圧制御型可変容量ダイオード３のカソード
が、発振用トランジスタ１のベースに接続されているこ
とから、制御電圧Ｖcは０ｖ〜ベース電位ｖの範囲で変
化されて、電圧制御型可変容量ダイオード３に対して逆
方向電圧として印加され、発振周波数の可変が可能とな
っている。なお、発振用トランジスタ１のベースバイア
ス電圧を、電源電圧Ｖccに近い値に設定することによ
り、従来回路と同等の周波数可変範囲を確保できるもの
となっている。

【００１８】上記いずれの構成例においても、発振用ト
ランジスタ１，２のバイアス電圧は、第１及び第２のバ
イアス抵抗器６，７、第３及び第４のバイアス抵抗器
８，９でそれぞれ決定されるような構成（いわゆる電流
帰還バイアス回路）としたが、バイアス回路としては、
これに限定される必要はなく、他のバイアス回路であっ
ても勿論良いものである。図３及び図４には、他のバイ
アス回路の具体的な構成例が示されており、以下、同図
を参照しつつ他のバイアス回路について説明する。な
お、図３及び図４は、いずれも第１の発振用トランジス
タ１の場合について示されているが、第２の発振用トラ
ンジスタ２についても基本的に全く同様である。そし
て、この構成は、勿論、図２に示された構成例における
発振用トランジスタ１ついても適用され得るものであ
る。最初に、図３に示されたバイアス回路について説明
する。この構成例において、発振用トランジスタ１のベ
ースには、第１のバイアス抵抗器６の一端が接続され、
この第１のバイアス抵抗器６の他端には、電源電圧Ｖcc
が印加され、いわゆる固定バイアス回路が構成されたも
のとなっている。

【００１９】一方、図４は、図３の構成例と同じく固定
バイアス回路であるが、専用のバイアス電源を設ける構
成としたものである。すなわち、図４において、第２の
バイアス抵抗器７の一端は、第１の発振用トランジスタ
１のベースに接続される一方、他端は、第１のバイアス
電源１９に接続されたものとなっている。なお、図１に
示された構成例における第２の発振用トランジスタ２に
ついても、このバイアス回路を適用する際には、図示は
省略してあるが、第２のバイアス電源が必要となる。

【００２０】

【発明の効果】以上、述べたように、本発明によれば、
電圧制御型可変容量ダイオードのカソードを発振用トラ
ンジスタのベースに直接接続し、アノードに逆方向電圧
を印加して発振周波数の制御ができるような構成とする
ことにより、従来回路と異なり、電圧制御型可変容量ダ
イオードと発振用トランジスタのベースとの間に直流阻
止用のコンデンサが不要となり、そのため、誘導素子を
除く発振回路の部分を半導体集積回路化することが容易
となるという効果を奏するものである。高周波電圧制御
発振器が誘導素子と集積回路化された発振回路とによっ
て実現することができるので、従来のいわゆるディスク
リート部品で構成されたものと異なり、部品点数の削
減、配線等の簡素化、物理的サイズの小型化を図ること
ができ、ひいては信頼性の向上に寄与することができる
という効果を奏するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の第１の構成例における高
周波電圧制御発振器の回路例を示す回路図である。

【図２】本発明の実施の形態の第２の構成例における高
周波電圧制御発振器の回路例を示す回路図である。

【図３】バイアス回路の他の構成例を示す回路図であ
る。

【図４】バイアス回路の第２の他の構成例を示す回路図
である。

【図５】従来の平衡型電圧制御高周波コルピッツ発振回
路の回路構成例を示す回路図である。

【図６】従来の不平衡型電圧制御高周波コルピッツ発振
回路の回路構成例を示す回路図である。

【符号の説明】

１…第１の発振用トランジスタ ２…第２の発振用トランジスタ ３…第１の電圧制御型可変容量ダイオード ４…第２の電圧制御型可変容量ダイオード ５…誘導性素子 ２２ａ…第１の出力端子 ２２ｂ…第２の出力端子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5J081 AA02 AA03 BB01 CC00 CC42 CC43 DD03 DD11 DD26 EE02 EE03 EE18 FF21 FF23 GG01 KK02 KK09 KK22 LL05 MM01

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも、第１及び第２のトランジス
   タと、第１及び第２の電圧制御型可変容量ダイオードを
   有して、前記第１及び第２のトランジスタが平衡動作す
   るよう半導体集積回路内に構成されてなる高周波電圧制
   御発振器であって、 前記第１の電圧制御型可変容量ダイオードのカソードが
   前記第１のトランジスタのベースに、前記第２の電圧制
   御型可変容量ダイオードのカソードが前記第２のトラン
   ジスタのベースに、それぞれ直接接続され、 前記第１のトランジスタのベースには、第１のインピー
   ダンス素子の一端が、前記第２のトランジスタのベース
   には、第２のインピーダンス素子の一端が、それぞれ接
   続されると共に、前記第１及び第２のインピーダンス素
   子の他端には、共に電源電圧が印加され、 前記第１の電圧制御型可変容量ダイオードのアノードと
   前記第２の電圧制御型可変容量ダイオードのアノード
   が、第３のインピーダンス素子を介して相互に接続され
   る一方、 前記第１の電圧制御型可変容量ダイオードのアノードに
   は、第４のインピーダンス素子を介して、前記第２の電
   圧制御型可変容量ダイオードのアノードには、第５のイ
   ンピーダンス素子を介して、それぞれ容量可変用の制御
   電圧が印加され、 前記第１及び第２のトランジスタが平衡動作して高周波
   発振出力が得られるよう構成されてなることを特徴とす
   る高周波電圧制御発振器。
2. 【請求項２】 少なくとも、第１及び第２のトランジス
   タと、第１及び第２の電圧制御型可変容量ダイオードを
   有して、前記第１及び第２のトランジスタが平衡動作す
   るよう半導体集積回路内に構成されてなる高周波電圧制
   御発振器であって、 前記第１の電圧制御型可変容量ダイオードのカソードが
   前記第１のトランジスタのベースに、前記第２の電圧制
   御型可変容量ダイオードのカソードが前記第２のトラン
   ジスタのベースに、それぞれ直接接続され、 前記第１のトランジスタのベースには、第１のインピー
   ダンス素子の一端が、前記第２のトランジスタのベース
   には、第２のインピーダンス素子の一端が、それぞれ接
   続され、前記第１及び第２のインピーダンス素子の他端
   には、共に電源電圧が印加されると共に、前記第１のト
   ランジスタのベースは、第６のインピーダンス素子を介
   して、前記第２のトランジスタのベースは、第７のイン
   ピーダンス素子を介して、それぞれアースに接続され、 前記第１の電圧制御型可変容量ダイオードのアノードと
   前記第２の電圧制御型可変容量ダイオードのアノード
   が、第３のインピーダンス素子を介して相互に接続され
   る一方、 前記第１の電圧制御型可変容量ダイオードのアノードに
   は、第４のインピーダンス素子を介して、前記第２の電
   圧制御型可変容量ダイオードのアノードには、第５のイ
   ンピーダンス素子を介して、それぞれ容量可変用の制御
   電圧が印加され、 前記第１及び第２のトランジスタが平衡動作して高周波
   発振出力が得られるよう構成されてなることを特徴とす
   る高周波電圧制御発振器。
3. 【請求項３】 少なくとも、第１及び第２のトランジス
   タと、第１及び第２の電圧制御型可変容量ダイオードを
   有して、前記第１及び第２のトランジスタが平衡動作す
   るよう半導体集積回路内に構成されてなる高周波電圧制
   御発振器であって、 前記第１の電圧制御型可変容量ダイオードのカソードが
   前記第１のトランジスタのベースに、前記第２の電圧制
   御型可変容量ダイオードのカソードが前記第２のトラン
   ジスタのベースに、それぞれ直接接続され、 前記第１のトランジスタのベースは、第６のインピーダ
   ンス素子を介して、第１のバイアス電源に、前記第２の
   トランジスタのベースは、第７のインピーダンス素子を
   介して、第２のバイアス電源に、それぞれ接続され、 前記第１の電圧制御型可変容量ダイオードのアノードと
   前記第２の電圧制御型可変容量ダイオードのアノード
   が、第３のインピーダンス素子を介して相互に接続され
   る一方、 前記第１の電圧制御型可変容量ダイオードのアノードに
   は、第４のインピーダンス素子を介して、前記第２の電
   圧制御型可変容量ダイオードのアノードには、第５のイ
   ンピーダンス素子を介して、それぞれ容量可変用の制御
   電圧が印加され、 前記第１及び第２のトランジスタが平衡動作して高周波
   発振出力が得られるよう構成されてなることを特徴とす
   る高周波電圧制御発振器。
4. 【請求項４】 前記第３のインピーダンス素子は中点を
   有し、当該中点に容量可変用の制御電圧を印加するよう
   構成されてなることを特徴とする請求項１、請求項２又
   は請求項３いずれか記載の高周波電圧制御発振器。
5. 【請求項５】 少なくとも、発振用トランジスタと電圧
   制御型可変容量ダイオードを有して、コルピッツ発振が
   なされるよう半導体集積回路内に構成されてなる高周波
   電圧制御発振器であって、 前記電圧制御型可変容量ダイオードのカソードが前記発
   振用トランジスタのベースに直接接続され、 前記発振用トランジスタのベースには、第１のインピー
   ダンス素子の一端が接続され、当該第１のインピーダン
   ス素子の他端には電源電圧が印加され、 前記電圧制御型可変容量ダイオードのアノードとアース
   との間に第３のインピーダンス素子が接続されると共
   に、当該アノードには第４のインピーダンス素子を介し
   て容量制御用の制御電圧が印加され、 前記発振用トランジスタが発振動作するよう構成されて
   なることを特徴とする高周波電圧制御発振器。
6. 【請求項６】 少なくとも、発振用トランジスタと電圧
   制御型可変容量ダイオードを有して、コルピッツ発振が
   なされるよう半導体集積回路内に構成されてなる高周波
   電圧制御発振器であって、 前記電圧制御型可変容量ダイオードのカソードが前記発
   振用トランジスタのベースに直接接続され、 前記発振用トランジスタのベースには、第１のインピー
   ダンス素子の一端が接続され、当該第１のインピーダン
   ス素子の他端には、電源電圧が印加されると共に、前記
   発振用トランジスタのベースは、第６のインピーダンス
   素子を介してアースに接続され、 前記電圧制御型可変容量ダイオードのアノードとアース
   との間に第３のインピーダンス素子が接続されると共
   に、当該アノードには第４のインピーダンス素子を介し
   て容量制御用の制御電圧が印加され、 前記発振用トランジスタが発振動作するよう構成されて
   なることを特徴とする高周波電圧制御発振器。
7. 【請求項７】 少なくとも、発振用トランジスタと電圧
   制御型可変容量ダイオードを有して、コルピッツ発振が
   なされるよう半導体集積回路内に構成されてなる高周波
   電圧制御発振器であって、 前記電圧制御型可変容量ダイオードのカソードが前記発
   振用トランジスタのベースに直接接続され、 前記発振用トランジスタのベースは、第６のインピーダ
   ンス素子の一端が接続され、当該第６のインピーダンス
   素子の他端はバイアス電源に接続され、 前記電圧制御型可変容量ダイオードのアノードとアース
   との間に第３のインピーダンス素子が接続されると共
   に、当該アノードには第４のインピーダンス素子を介し
   て容量制御用の制御電圧が印加され、 前記発振用トランジスタが発振動作するよう構成されて
   なることを特徴とする高周波電圧制御発振器。