JP2000068739A - 発振回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 エミッタバイアス抵抗３９による発振信号の
損失を押さえて発振信号のＣ／Ｎを高める。 【解決手段】 ベースまたはコレクタが高周波的に接地
された発振トランジスタ１と、発振トランジスタ１のエ
ミッタと接地間に設けられ、エミッタにバイアス電圧を
与えるエミッタバイアス抵抗９とを備え、エミッタバイ
アス抵抗９に直列に並列共振回路１０を接続し、並列共
振回路１０の共振周波数をほぼ発振周波数に一致させ
た。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は発振回路に関し、特
に、発振信号のＣ／Ｎが優れた発振回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の発振回路を図４に示す。この発振
回路は、コレクタ接地型の発振回路であり、電源電圧
（Ｅ）が印加された発振トランジスタ３１のコレクタは
直流阻止コンデンサ３２によって高周波的に接地され、
ベースとエミッタとの間、および、エミッタとグランド
との間にはそれぞれ帰還コンデンサ３３、３４が接続さ
れる。そして、ベースとグランドとの間にリアクタンス
回路３５が接続される。リアクタンス回路３５は、直列
に接続された帰還コンデンサ３３、３４に対して並列に
接続され、発振周波数においては等価的にインダクタン
ス素子として働く。

【０００３】リアクタンス回路３５は、クラップコンデ
ンサ３６、インダクタンス素子であるコイル３７、コイ
ル３７に並列接続されたコンデンサ３８からなる。そし
て、リアクタンス回路３５の等価的なインダクタンス
と、直列接続された帰還コンデンサ３３、３４の直列容
量とによる並列共振周波数によって発振周波数が決定さ
れる。

【０００４】また、発振トランジスタ３１のエミッタと
グランドとの間には抵抗３９が接続され、ベースとグラ
ンドとの間には抵抗４０がそれぞれ接続される。また、
ベースには抵抗４１を介して電源電圧（Ｅ）が供給され
る。抵抗３９は、エミッタにバイアス電圧を与えるため
のエミッタバイアス抵抗となり、抵抗４０、４１は、ベ
ースにバイアス電圧を与えるためのベースバイアス抵抗
となっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記の発振回路は一般
的な構成を有しているので広く使用されるが、発振周波
数を決定する素子ともなる帰還コンデンサ３４に並列に
エミッタバイアス抵抗３９が接続されているので、発振
信号がこのエミッタバイアス抵抗３９にも流れる。その
ため、エミッタバイアス抵抗３９によって発振信号の損
失が発生する。その結果、発振信号のＣ／Ｎが悪くなる
という欠点を有している。

【０００６】そこで、本発明は、このような、エミッタ
バイアス抵抗３９による発振信号の損失を押さえて発振
信号のＣ／Ｎを高めることを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明の発振回路は、ベースまたはコレクタが高周
波的に接地された発振トランジスタと、前記発振トラン
ジスタのエミッタと接地間に設けられ、前記エミッタに
バイアス電圧を与えるエミッタバイアス抵抗とを備え、
前記エミッタバイアス抵抗に直列に並列共振回路を接続
し、前記並列共振回路の共振周波数をほぼ発振周波数に
一致させた。

【０００８】また、本発明の発振回路は、前記発振周波
数を変化し得るようにし、前記発振周波数の変化に対応
して前記並列共振回路の共振周波数を変化させるように
した。

【０００９】また、本発明の発振回路は、前記発振周波
数を変化させるための第一のバラクタダイオードを設
け、前記並列共振回路には第二のバラクタダイオードを
備え、前記第一のバラクタダイオードと前記第二のバラ
クタダイオードとに制御電圧を供給し、前記制御電圧を
変化させるようにした。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明の発振回路を図１乃至図４
に従って説明する。ここで、図１および図２は本発明の
発振回路を示し、図３は図２に示す発振回路の発振周波
数と共振回路の共振周波数との関係を示す。

【００１１】先ず、図１にに示す発振回路は、コレクタ
接地型の発振回路であり、電源電圧（Ｅ）が印加された
発振トランジスタ１のコレクタは直流阻止コンデンサ２
によって高周波的に接地され、ベースとエミッタとの
間、および、エミッタとグランドとの間にはそれぞれ帰
還コンデンサ３、４が接続される。そして、ベースとグ
ランドとの間にリアクタンス回路５が接続される。リア
クタンス回路５は、直列に接続された帰還コンデンサ
３、４に対して並列に接続され、発振周波数においては
等価的にインダクタンス素子として働く。

【００１２】リアクタンス回路５は、クラップコンデン
サ６、インダクタンス素子であるコイル７、コイル７に
並列接続されたコンデンサ８からなる。そして、リアク
タンス回路５の等価的なインダクタンスと、直列接続さ
れた帰還コンデンサ３、４の直列容量とによる並列共振
周波数によって発振周波数が決定される。

【００１３】また、発振トランジスタ１のエミッタとグ
ランドとの間には抵抗９と、この抵抗に直列接続された
並列共振回路１０とが接続される。並列共振回路１０
は、インダクタンス素子であるコイル１１とコンデンサ
１２とが並列接続されて構成される。従って、発振トラ
ンジスタ１のエミッタは抵抗９、コイル１１によって直
流的にグランドに接続される。また、並列共振回路１０
の共振周波数はほぼ発振周波数に一致するようにコイル
１１のインダクタンスの値とコンデンサ１２の容量の値
とが決められている。

【００１４】また、発振トランジスタ１のベースとグラ
ンドとの間には抵抗１３が接続され、ベースには抵抗１
４を介して電源電圧（Ｅ）が供給される。抵抗９は、エ
ミッタにバイアス電圧を与えるためのエミッタバイアス
抵抗となり、抵抗１３、１４は、ベースにバイアス電圧
を与えるためのベースバイアス抵抗となっている。これ
らのバイアス抵抗９、１３、１４によって発振トランジ
スタ１に直流的な動作点が与えられる。

【００１５】図１に示す発振回路においては、発振トラ
ンジスタ１のエミッタとグランドとの間に接続された帰
還コンデンサ４に現れる発振信号は、直列接続されたエ
ミッタバイアス抵抗９と並列共振回路１０にも加わるこ
とになるが、並列共振回路１０の共振周波数がほぼ発振
周波数に一致しているので、発振信号によってはエミッ
タバイアス抵抗に電流が流れない。エミッタバイアス抵
抗９においては発振周波数での損失が発生しない。この
結果、発振信号のＣ／Ｎが向上する。

【００１６】図２は本発明の発振回路の他の実施の形態
を示す。この発振回路は、発振周波数を変化し得るよう
にした電圧制御発振回路であり、そのために、図１に示
す発振回路におけるリアクタンス回路５と並列共振回路
１０とにそれぞれバラクタダイオードを用いている。即
ち、リアクタンス回路５はクラップコンデンサ２１とイ
ンダクタンス素子であるコイル２２と周波数補正コンデ
ンサ２３と第一のバラクタダイオード２４とを有してい
る。周波数補正コンデンサ２３と第一のバラクタダイオ
ード２４は直列に接続され、この直列接続された周波数
補正コンデンサ２３と第一のバラクタダイオード２４に
対してコイル２２が並列に接続される。

【００１７】一方、並列共振回路１０は、インダクタン
ス素子であるコイル２５と周波数補正コンデンサ２６と
第二のバラクタダイオード２７とを有している。そし
て、周波数補正コンデンサ２６に第二のバラクタダイオ
ード２７が直列に接続され、直列接続された周波数補正
コンデンサ２６と第二のバラクタダイオード２７に対し
てコイル２５が並列に接続されている。そして、第一の
バラクタダイオード２４のアノードと第二のバラクタダ
イオード２７のアノードがグランドに接地され、チョー
クコイル２８、２９によって第一および第二のバラクタ
イオード２４、２７のカソードに制御電圧Ｖが印加され
る。

【００１８】制御電圧を変えることによって第一のバラ
クタダイオード２４の容量が変わり、発振周波数が変わ
る。また、並列共振回路１０の共振周波数も第二のバラ
クタダイオード２７の容量が変わることで変わる。ここ
で、発振周波数と並列共振回路１０の共振周波数とは、
図３に示すように、周波数を変えても、常にほぼ同じに
なるように設定される。そのために、周波数補正コンデ
ンサ２３、２６の容量値、あるいはコイル２２、２５の
インダクタンスの値が適宜に設定される。なお、リアク
タンス回路５、並列共振回路１０の構成は、図２に示し
たものに限らず、種々変形した回路を用いることができ
る。

【００１９】以上のように、並列共振回路１０の共振周
波数を、発振周波数の変化に対応して常にほぼ同じ周波
数となるようにすることによって、任意の発振周波数に
おけるＣ／Ｎを向上させることが可能となる。そして、
発振周波数を変えるための第一のバラクタダイオード２
４と並列共振回路１０の共振周波数を変えるための第二
のバラクタダイオード２７とに制御電圧を印加して第一
および第二のバラクタダイオード２４、２７との容量値
を同時に変えるので、Ｃ／Ｎのよい発振信号が常に得ら
れる。

【００２０】なお、以上までの説明では、コレクタ接地
型の発振回路について説明したが、ベース接地型の発振
回路で構成しても同じ効果を奏することはいうまでもな
い。

【００２１】

【発明の効果】以上のように、本発明の発振回路は、ベ
ースまたはコレクタが高周波的に接地された発振トラン
ジスタと、発振トランジスタのエミッタと接地間に設け
られ、エミッタにバイアス電圧を与えるエミッタバイア
ス抵抗とを備え、エミッタバイアス抵抗に直列に、並列
共振回路を接続し、並列共振回路の共振周波数をほぼ発
振周波数に一致させたので、エミッタバイアス抵抗には
発振信号による電流が流れない。従って、エミッタバイ
アス抵抗においては発振周波数での損失が発生しない。
この結果、発振信号のＣ／Ｎが向上する。

【００２２】また、本発明の発振回路は、発振周波数を
変化し得るようにし、発振周波数の変化に対応して並列
共振回路の共振周波数を変化させるようにしたので、任
意の発振周波数で常にＣ／Ｎの良好な発振信号が得られ
る。

【００２３】また、本発明の発振回路は、発振周波数を
変化させるための第一のバラクタダイオードを設け、並
列共振回路には第二のバラクタダイオードを備え、第一
のバラクタダイオードと第二のバラクタダイオードとに
制御電圧を供給し、制御電圧を変化させるようにしたの
で、発振周波数を変えても常に並列共振回路の共振周波
数を発振周波数にほぼ一致させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の発振回路の構成を示す回路図である。

【図２】本発明の発振回路の構成を示す回路図である。

【図３】図２に示す発振回路における発振周波数と並列
共振周波数との関係を示す図である。

【図４】従来の発振回路の構成を示す回路図である。

【符号の説明】

１ 発振トランジスタ ２ 直流阻止コンデンサ ３、４ 帰還コンデンサ ５ リアクタンス回路 ６ クラップコンデンサ ７ コイル ８ コンデンサ ９ エミッタバイアス抵抗 １０ 並列共振回路 １１ コイル １２ コンデンサ １３、１４ ベースバイアス抵抗 ２１ クラップコンデンサ ２２ コイル ２３ 周波数補正コンデンサ ２４ 第一のバラクタダイオード ２５ コイル ２６ 周波数補正コンデンサ ２７ 第二のバラクタダイオード ２８、２９ チョークコイル

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ベースまたはコレクタが高周波的に接地
   された発振トランジスタと、前記発振トランジスタのエ
   ミッタと接地間に設けられ、前記エミッタにバイアス電
   圧を与えるエミッタバイアス抵抗とを備え、前記エミッ
   タバイアス抵抗に直列に並列共振回路を接続し、前記並
   列共振回路の共振周波数をほぼ発振周波数に一致させた
   ことを特徴とする発振回路。
2. 【請求項２】 前記発振周波数を変化し得るようにし、
   前記発振周波数の変化に対応して前記並列共振回路の共
   振周波数を変化させるようにしたことを特徴とする請求
   項１記載の発振回路。
3. 【請求項３】 前記発振周波数を変化させるための第一
   のバラクタダイオードを設け、前記並列共振回路には第
   二のバラクタダイオードを備え、前記第一のバラクタダ
   イオードと前記第二のバラクタダイオードとに制御電圧
   を供給し、前記制御電圧を変化させるようにしたことを
   特徴とする請求項２記載の発振回路。